JP2640457B2 - 光学情報記録媒体 - Google Patents
光学情報記録媒体Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
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- C09B57/10—Metal complexes of organic compounds not being dyes in uncomplexed form
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- G—PHYSICS
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、レーザ等による光学的書込み記録に適した
光学情報記録媒体に関し、詳しくは光ディスク及び光カ
ードなどに用いうる改善された光学記録媒体に関するも
のである。
光学情報記録媒体に関し、詳しくは光ディスク及び光カ
ードなどに用いうる改善された光学記録媒体に関するも
のである。
[従来の技術] 一般に、光ディスク或いは光カードは、基体の上に設
けた薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さ
な、例えば、約1μピットをらせん状又は円形または直
線状のトラック形態にして高密度情報を記憶することが
できる。この様なディスク或はカードに情報を書込むに
は、レーザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、こ
のレーザ光線が照射された表面のみがピットを形成し、
このピットをらせん状又は円形もしくは直線状のトラッ
クの形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネル
ギーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成でき
る。例えば、ヒートモード記録方式ではレーザ感応層は
熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により
小さな凹部(ピット)を形成できる。また、別のヒート
モード記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの
吸収により、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有
するピットを形成できる。
けた薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さ
な、例えば、約1μピットをらせん状又は円形または直
線状のトラック形態にして高密度情報を記憶することが
できる。この様なディスク或はカードに情報を書込むに
は、レーザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、こ
のレーザ光線が照射された表面のみがピットを形成し、
このピットをらせん状又は円形もしくは直線状のトラッ
クの形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネル
ギーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成でき
る。例えば、ヒートモード記録方式ではレーザ感応層は
熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により
小さな凹部(ピット)を形成できる。また、別のヒート
モード記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの
吸収により、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有
するピットを形成できる。
この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、
レーザ光をトラックに沿って走査しピットが形成された
部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される。例えば光ディスクや光
カードの場合、レーザ光がトラックに沿って走査され、
ディスクやカードにより反射されたエネルギーがフォト
ディテクターによって、モニターされる。ピットが形成
されている部分は、レーザ光の反射は低くなりフォトデ
ィテクターの出力は小さくなる。一方、ピットが形成さ
れていない部分は、反射が充分になされ、フォトディテ
クターの出力は大きくなる。
レーザ光をトラックに沿って走査しピットが形成された
部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される。例えば光ディスクや光
カードの場合、レーザ光がトラックに沿って走査され、
ディスクやカードにより反射されたエネルギーがフォト
ディテクターによって、モニターされる。ピットが形成
されている部分は、レーザ光の反射は低くなりフォトデ
ィテクターの出力は小さくなる。一方、ピットが形成さ
れていない部分は、反射が充分になされ、フォトディテ
クターの出力は大きくなる。
この様な光ディスクおよび光カードなどに用いる光学
情報記録媒体として、これまでアルミニウム、金蒸着膜
などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカル
コゲナイト系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用い
たものが提案されている。これらの薄膜は、保存性が悪
い、分解能が低い、記録密度が低い、コスト高になるな
どの欠点を有する。
情報記録媒体として、これまでアルミニウム、金蒸着膜
などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカル
コゲナイト系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用い
たものが提案されている。これらの薄膜は、保存性が悪
い、分解能が低い、記録密度が低い、コスト高になるな
どの欠点を有する。
また、最近になって比較的長波長の光で物性変化し得
る有機色素薄膜を記録層に用いることが提案されてい
る。この有機色素薄膜は、上記欠点を除去するものであ
るが、一般に長波長側に吸収特製をもつ有機色素は、熱
および光に対して安定性が低いなどの問題点がある。こ
れらの点を含めて、記録材料に用いられる有機色素とし
ては次のような性質が必要とされる。即ち、 1.毒性がないこと 2.800nm付近に吸収を持ち、吸光係数が大きいこと 3.有機溶剤に対する溶解性が良いこと 4.薄膜状態で800nm付近で大きな反射率を持つこと 5.薄膜状態で結晶化しにくいこと 6.紫外及び可視光安定性があること 7.熱的安定性があること 8.耐湿安定性があること 9.合成が容易であること 等が挙げられる。
る有機色素薄膜を記録層に用いることが提案されてい
る。この有機色素薄膜は、上記欠点を除去するものであ
るが、一般に長波長側に吸収特製をもつ有機色素は、熱
および光に対して安定性が低いなどの問題点がある。こ
れらの点を含めて、記録材料に用いられる有機色素とし
ては次のような性質が必要とされる。即ち、 1.毒性がないこと 2.800nm付近に吸収を持ち、吸光係数が大きいこと 3.有機溶剤に対する溶解性が良いこと 4.薄膜状態で800nm付近で大きな反射率を持つこと 5.薄膜状態で結晶化しにくいこと 6.紫外及び可視光安定性があること 7.熱的安定性があること 8.耐湿安定性があること 9.合成が容易であること 等が挙げられる。
また、これらの性能を満足する色素として、各種の有
機色素が提案されている。
機色素が提案されている。
従来使われてきた無機化合物と比べてこの様な有機色
素の利点は1.の毒性がないことや3.の溶解性の良さが挙
げられるが、一方、反射率は十分有する薄膜状態で結晶
化しやすいという問題がある。
素の利点は1.の毒性がないことや3.の溶解性の良さが挙
げられるが、一方、反射率は十分有する薄膜状態で結晶
化しやすいという問題がある。
反射率は、フォトディテクターによってモニターされ
る場合にトラック上を精度良くレーザーが走査するため
に必要であるが、結晶化が起こると有機皮膜の吸収率、
反射率が大幅に落ちピットが形成されにくくなり記録出
来なくなる。
る場合にトラック上を精度良くレーザーが走査するため
に必要であるが、結晶化が起こると有機皮膜の吸収率、
反射率が大幅に落ちピットが形成されにくくなり記録出
来なくなる。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明は上記実状に鑑みなされたものであり、その主
たる目的は、特定の有機色素を含む反射率の高い、保存
安定性の良い光学情報記録媒体を提供することにある。
たる目的は、特定の有機色素を含む反射率の高い、保存
安定性の良い光学情報記録媒体を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]および[作用] 即ち、本発明は、下記一般式(I)、(II)又は(II
I)で表わされる化合物のうち少なくとも1つと、下記
一般式(1)〜(13)で表わされる金属キレート化合物
のうち少なくとも1つとを含有する記録層を有すること
を特徴とする光学情報記録媒体である。
I)で表わされる化合物のうち少なくとも1つと、下記
一般式(1)〜(13)で表わされる金属キレート化合物
のうち少なくとも1つとを含有する記録層を有すること
を特徴とする光学情報記録媒体である。
一般式(I) 一般式(II) 一般式(III) (式中、A,B,D及びEは水素原子、アルキル基、アルケ
ニル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または
未置換のアリール基を示す。Yは5員環または6員環を
完成するに必要な原子群を有する2価の残基を示す。
R1,R2,R3,R4及びR5は水素原子、ハロゲン原子またはア
ルキル基を示す。X は陰イオンを示す。m,nは0,1また
は2を示す。
ニル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または
未置換のアリール基を示す。Yは5員環または6員環を
完成するに必要な原子群を有する2価の残基を示す。
R1,R2,R3,R4及びR5は水素原子、ハロゲン原子またはア
ルキル基を示す。X は陰イオンを示す。m,nは0,1また
は2を示す。
Z は または を示す。) (1)チオサリチルアルドキシム系 (R11は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アリ
ール基でもう一方のR11と結合しても良い。R12はアルキ
ル基、ハロゲン原子、水素原子、ニトロ基又はベンゾ縮
合系基を表わす。MはCu,Ni,Co又はPdを表わす。) (2)チオアセトチオフェノン系 (R13はアルキル基、アリール基、R14は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、アリール基、ニトロ基又はベン
ゾ縮合系基を表わす。MはCu,Ni又はPdを表わす。) (3)アセトチオフェノン系 (R15はアルキル基、アリール基、R16は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基又はベンゾ縮合系基を表わす。M
はCu,Ni又はPdを表わす。) (4)オキシキサンチオン系 (R17は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表わ
す。MはCu又はNiを表わす。) (5)ピロメコン酸系 (R18は水素原子又はアルキル基を表わす。MはCu,Ni,C
o又はMnを表わす。) (6)メルカプトベンゾアゾール系 (R19はイオウ原子、置換ないし非置換のアミノ基、酸
素原子又はチオケトン基、R20は水素原子、アルキル
基、ハロゲン原子又はアミノ基を表わす。MはZn,Cu又
はNiを表わす。) (7)ヒドロキサム酸系 (R21はアルキル基、アリール基又はスチリル基を表わ
す。MはCu,Ni又はCoを表わす。) (8)ビスシクロペンタジエン系 (R22は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アシル
基又はアリール基を表わす。) (9)ニトロソヒドロキシルアミン系 (R23はアルキル基又はアリール基を表わす。MはCu,Ni
又はCoを表わす。) (10)ジオキシム系 (R24,R25はアルキル基又はアリール基を表わす。MはN
iを表わす。) (11)下記式で示される化合物 (R26,R27は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基、
Xは酸素原子又は硫黄原子を表わす。MはNiを表わ
す。) (12)下記式で示される化合物 (R28,R29は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子又は
ニトロ基、Xは酸素原子又は硫黄原子、Y は4級アン
モニウムカチオンを表わす。MはNiを表わす。) (13)アントラニル酸系 (R30は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アシル
基、ニトロ基又はアルコキシ基を表わす。MはZn,Cu,Ni
又はCoを表わす。) 前記一般式(I)、(II)、(III)の式中における
A、B、D及びEは水素原子、置換または未置換のアル
キル基、アルケニル基、置換または未置換のアラルキル
基、置換または未置換のアリール基(フェニル、トリ
ル、キシリル、エチルフェニル、クロルフェニル、ジク
ロロフェニル、トリクロロフェニル、ブロモフェニル、
ジブロモフェニル、ニトロフェニル、メトキシフェニ
ル、エトキシフェニル、ジメチルアミノフェニル、ジエ
チルアミノフェニル、ジプロピルアミノフェニル、ジベ
ンジルアミノフェニル、ピロリジノフェニル、ジフェニ
ルアミノフェニルなど)を示す。
ール基でもう一方のR11と結合しても良い。R12はアルキ
ル基、ハロゲン原子、水素原子、ニトロ基又はベンゾ縮
合系基を表わす。MはCu,Ni,Co又はPdを表わす。) (2)チオアセトチオフェノン系 (R13はアルキル基、アリール基、R14は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、アリール基、ニトロ基又はベン
ゾ縮合系基を表わす。MはCu,Ni又はPdを表わす。) (3)アセトチオフェノン系 (R15はアルキル基、アリール基、R16は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基又はベンゾ縮合系基を表わす。M
はCu,Ni又はPdを表わす。) (4)オキシキサンチオン系 (R17は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表わ
す。MはCu又はNiを表わす。) (5)ピロメコン酸系 (R18は水素原子又はアルキル基を表わす。MはCu,Ni,C
o又はMnを表わす。) (6)メルカプトベンゾアゾール系 (R19はイオウ原子、置換ないし非置換のアミノ基、酸
素原子又はチオケトン基、R20は水素原子、アルキル
基、ハロゲン原子又はアミノ基を表わす。MはZn,Cu又
はNiを表わす。) (7)ヒドロキサム酸系 (R21はアルキル基、アリール基又はスチリル基を表わ
す。MはCu,Ni又はCoを表わす。) (8)ビスシクロペンタジエン系 (R22は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アシル
基又はアリール基を表わす。) (9)ニトロソヒドロキシルアミン系 (R23はアルキル基又はアリール基を表わす。MはCu,Ni
又はCoを表わす。) (10)ジオキシム系 (R24,R25はアルキル基又はアリール基を表わす。MはN
iを表わす。) (11)下記式で示される化合物 (R26,R27は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基、
Xは酸素原子又は硫黄原子を表わす。MはNiを表わ
す。) (12)下記式で示される化合物 (R28,R29は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子又は
ニトロ基、Xは酸素原子又は硫黄原子、Y は4級アン
モニウムカチオンを表わす。MはNiを表わす。) (13)アントラニル酸系 (R30は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アシル
基、ニトロ基又はアルコキシ基を表わす。MはZn,Cu,Ni
又はCoを表わす。) 前記一般式(I)、(II)、(III)の式中における
A、B、D及びEは水素原子、置換または未置換のアル
キル基、アルケニル基、置換または未置換のアラルキル
基、置換または未置換のアリール基(フェニル、トリ
ル、キシリル、エチルフェニル、クロルフェニル、ジク
ロロフェニル、トリクロロフェニル、ブロモフェニル、
ジブロモフェニル、ニトロフェニル、メトキシフェニ
ル、エトキシフェニル、ジメチルアミノフェニル、ジエ
チルアミノフェニル、ジプロピルアミノフェニル、ジベ
ンジルアミノフェニル、ピロリジノフェニル、ジフェニ
ルアミノフェニルなど)を示す。
R1,R2,R3,R4及びR5は水素原子、ハロゲン原子または
アルキル基を示し、アルキル基は未置換のアルキル基
(例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso
−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、iso−ブ
チル基、t−ブチル基、n−アミル基、t−アミル基、
n−ヘキシル基、n−オクチル基、t−オクチル基な
ど)、および置換アルキル基(例えば、2−ヒドロキシ
エチル基、3−ヒドロキシプロピル基、4−ヒドロキシ
ブチル基、2−アセトキシエチル基、カルボキシメチル
基、2−カルボキシエチル基、3−カルボキシプロピル
基など)を示す。
アルキル基を示し、アルキル基は未置換のアルキル基
(例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso
−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、iso−ブ
チル基、t−ブチル基、n−アミル基、t−アミル基、
n−ヘキシル基、n−オクチル基、t−オクチル基な
ど)、および置換アルキル基(例えば、2−ヒドロキシ
エチル基、3−ヒドロキシプロピル基、4−ヒドロキシ
ブチル基、2−アセトキシエチル基、カルボキシメチル
基、2−カルボキシエチル基、3−カルボキシプロピル
基など)を示す。
Yは置換または未置換の5員環または6員環を形成す
る2価の単価水素基(例えば、−CH2−CH2−、CH2
3、 −CH=CH−、−CH2−CHCl−CH2−など)を表わし、これ
らの5員環または6員環は、ベンゼン環、ナフタレン環
などと縮合されてもよい。
る2価の単価水素基(例えば、−CH2−CH2−、CH2
3、 −CH=CH−、−CH2−CHCl−CH2−など)を表わし、これ
らの5員環または6員環は、ベンゼン環、ナフタレン環
などと縮合されてもよい。
式中、Z は または を示す。
X は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオ
ン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、
P−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオ
ン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオン、テト
ラフルオロホウ酸塩イオン、テトラフェニルホウ酸塩イ
オン、ヘキサフルオロリン酸塩イオン、ベンゼンスルフ
ィン酸塩イオウ、酢酸塩イオン、トリフルオロ酢酸塩イ
オン、ピロピオン酢酸塩イオン、安息香酸イオン、シュ
ウ酸塩イオン、コハク酸塩イオン、マロン酸塩イオン、
オレイン酸塩イオン、ステアリン酸塩イオン、クエン酸
塩イオン、一水素二リン酸塩イオン、二水素一リン酸塩
イオン、ペンタクロロスズ酸塩イオン、クロロスルホン
酸塩イオン、フルオロスルホン酸塩イオン、トリフルオ
ロメタンスルホン酸塩イオン、ヘキサフルオロアンチモ
ン酸塩イオン、モリブデン酸塩イオン、タングステン酸
塩イオン、チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩イオンなど
の陰イオンを表わす。
ン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、
P−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオ
ン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオン、テト
ラフルオロホウ酸塩イオン、テトラフェニルホウ酸塩イ
オン、ヘキサフルオロリン酸塩イオン、ベンゼンスルフ
ィン酸塩イオウ、酢酸塩イオン、トリフルオロ酢酸塩イ
オン、ピロピオン酢酸塩イオン、安息香酸イオン、シュ
ウ酸塩イオン、コハク酸塩イオン、マロン酸塩イオン、
オレイン酸塩イオン、ステアリン酸塩イオン、クエン酸
塩イオン、一水素二リン酸塩イオン、二水素一リン酸塩
イオン、ペンタクロロスズ酸塩イオン、クロロスルホン
酸塩イオン、フルオロスルホン酸塩イオン、トリフルオ
ロメタンスルホン酸塩イオン、ヘキサフルオロアンチモ
ン酸塩イオン、モリブデン酸塩イオン、タングステン酸
塩イオン、チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩イオンなど
の陰イオンを表わす。
m,nは0,1または2の整数を示す。
次に、前記一般式で示される化合物の代表例を挙げ
る。
る。
代表例の中で、Z は をZ1、 をZ2で示す。
←は左と同じ置換基を意味する。
このような色素は一般に800nm付近に吸光係数の大き
い吸収ピークを有し、また有機溶剤に対する溶解性も良
く、耐光性があり、光学情報記録媒体として、優れたも
のである。しかも反射率も十分に有しているが経時的に
結晶化しやすい傾向がある。本発明はこれらの色素に金
属キレート化合物を含有させることにより反射率があが
り、かつ保存安定性に優れた媒体を提供するものであ
る。
い吸収ピークを有し、また有機溶剤に対する溶解性も良
く、耐光性があり、光学情報記録媒体として、優れたも
のである。しかも反射率も十分に有しているが経時的に
結晶化しやすい傾向がある。本発明はこれらの色素に金
属キレート化合物を含有させることにより反射率があが
り、かつ保存安定性に優れた媒体を提供するものであ
る。
これらの金属キレート化合物の記録層中での挙動は定
かではないが、色素同士のスタッキング相互作用に影響
を与え、パッキング状態が変わり、記録層中での屈折率
を大きくしたために薄膜状態での反射率が向上するもの
と考えられる。また、そのような色素とキレート化合物
との会合状態が結晶化を阻止し、保存安定性を増加する
ものと思われる。
かではないが、色素同士のスタッキング相互作用に影響
を与え、パッキング状態が変わり、記録層中での屈折率
を大きくしたために薄膜状態での反射率が向上するもの
と考えられる。また、そのような色素とキレート化合物
との会合状態が結晶化を阻止し、保存安定性を増加する
ものと思われる。
本発明で使用されるキレート化合物は中心金属がZn,C
u,Ni,Co,Mn,Pd,Zr等の遷移金属類が好ましい。
u,Ni,Co,Mn,Pd,Zr等の遷移金属類が好ましい。
上記記載した様な安定化剤として使用出来るキレート
化合物の具体例を以下に挙げる。
化合物の具体例を以下に挙げる。
1)下記式で示されるチオサリチルアルドキシム系 R11は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アリ
ール基でもう一方のR11と結合しても良い。R12はアルキ
ル基、ハロゲン原子、水素原子、ニトロ基又はベンゾ縮
合系基を表わし、中心金属Mは例えばCu,Ni,Co又はPdを
表わす。
ール基でもう一方のR11と結合しても良い。R12はアルキ
ル基、ハロゲン原子、水素原子、ニトロ基又はベンゾ縮
合系基を表わし、中心金属Mは例えばCu,Ni,Co又はPdを
表わす。
具体例.No. R11 R12 M M−1−1 OH H Cu M−1−2 OH H Ni M−1−3 H 4−C2H5 Ni M−1−4 C2H5 5−Cl Ni M−1−5 i−C3H7 H Co M−1−6 n−C6H13 4−CH3 Ni M−1−7 n−C6H13 4−CH3 Pd M−1−8 C6H5 H Ni M−1−9 H 5,6−C6H Ni M−1−10 −CH2− 4−NO2 Ni 2)チオアセトチオフェノン系 R13はアルキル基、アリール基、R14は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、アリール基、ニトロ基又はベン
ゾ縮合系基を表わし、Mは例えばCu,Ni又はPdを表わ
す。
ゲン原子、アルキル基、アリール基、ニトロ基又はベン
ゾ縮合系基を表わし、Mは例えばCu,Ni又はPdを表わ
す。
具体例.No. No. R13 R14 M M−2−1 CH3 H Ni M−2−2 C2H5 4−CH3 Ni M−2−3 C6H5 4−C2H5 Ni M−2−4 4′−(CH3)2N−C6H4− H Ni M−2−5 4′−Cl−C6H4− 4−CH3 Ni M−2−6 CH3 4−CH3 Pd M−2−7 C2H5 4−Cl Pd M−2−8 CH3 4−NO2 Ni M−2−9 C6H5 C6H5 Ni 3)アセトチオフェノン系 R15はアルキル基、アリール基、R16は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基又はベンゾ縮合系基を表わし、M
は例えばCu,Ni,又はPdを表わす。
ゲン原子、アルキル基又はベンゾ縮合系基を表わし、M
は例えばCu,Ni,又はPdを表わす。
具体例.No. R15 R16 M M−3−1 CH3 H Cu M−3−2 C2H5 4−CH3 Cu M−3−3 CH3 H Ni M−3−4 C3H7 4−CH3 Ni M−3−5 (CH2)5CH3 C6H5 Ni M−3−6 (CH2)7CH3 C6H5 Ni M−3−7 C2H5 5,6−C6C4 Ni M−3−8 CH3 H Pd M−3−9 (CH2)5CH3 4−Cl Pd 4)オキシキサンチオン系 R17は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表わ
し、Mは例えばCu又はNiを表わす。
し、Mは例えばCu又はNiを表わす。
具体例.No. R17 M M−4−1 H Cu M−4−2 H Ni M−4−3 4−CH3 Ni 5)ピロメコン酸系 R18は水素原子、又はアルキル基を表わし、Mは例え
ばCu,Ni,Co又はMnを表わす。
ばCu,Ni,Co又はMnを表わす。
具体例.No. R18 M M−5−1 H Mn M−5−2 H Ni M−5−3 2−C2H5 Ni 6)メルカプトベンゾアゾール系 R19はイオウ原子、置換ないし非置換のアミノ基、酸
素原子又はチオケトン基、R20は水素原子、アルキル
基、ハロゲン原子又はアミノ基を表わし、Mは例えばZ
n,Cu又はNiを表わす。
素原子又はチオケトン基、R20は水素原子、アルキル
基、ハロゲン原子又はアミノ基を表わし、Mは例えばZ
n,Cu又はNiを表わす。
具体例.No. R19 R20 M M−6−1 O H Zn M−6−2 O 5−CH3 Zn M−6−3 S H Ni M−6−4 S 5−Cl Ni M−6−5 S 5−CH3 Ni M−6−6 S 4−CH3 Ni M−6−7 S 5−(CH3)2N Ni M−6−8 NH H Ni M−6−9 NH 5−CH3 Ni M−6−10 NCH3 H Ni M−6−11 NH 6−C2H5 Ni M−6−12 C=S H Ni 7)ヒドロキサム酸系 R21はアルキル基、アリール基又はスチリル基を表わ
し、Mは例えばCu,Ni,又はCoを表わす。
し、Mは例えばCu,Ni,又はCoを表わす。
具体例.No. R21 M M−7−1 C3H7 Cu M−7−2 C6H5 Ni M−7−3 C6H5CH=CH− Ni M−7−4 Cl−C6H4CH=CH− Ni 8)ビスシクロペンタジエン系 R22は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アシル
基又はアリール基を表わし、Mは例えばNi又はZrを表わ
す。
基又はアリール基を表わし、Mは例えばNi又はZrを表わ
す。
具体例.No. R22 M X M−8−1 H Ni − M−8−2 H Zr Cl M−8−3 CH3CO Ni − M−8−4 Cl Ni − M−8−5 C3H7 Ni − 9)ニトロソヒドロキシルアミン系 R23はアルキル基又はアリール基、Mは例えばCu,Ni又
はCoを表わす。
はCoを表わす。
具体例.No. R23 M M−9−1 C3H7 Cu M−9−2 C3H7 Ni M−9−3 p−(CH3)2N−C6H4− Cu M−9−4 p−(CH3)2N−C6H4− Ni 10)ジオキシム系 R24,R25はアルキル基又はアリール基、Mは例えばNi
を表わす。
を表わす。
具体例.No. R24 R25 M M−10−1 CH3 CH3 Ni M−10−2 C2H2 C6H5 Ni M−10−3 C6H5 C6H5 Ni 11)下記式で示される化合物 R26,R27は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基で
Xは酸素原子又は硫黄原子、Mは例えばNiを表わす。
Xは酸素原子又は硫黄原子、Mは例えばNiを表わす。
具体例.No. R26 R27 X M−11−1 H H O M−11−2 5−CH3 m−CH3 O M−11−3 4−CH3 m−CH3 O M−11−4 5−Cl p−Cl O M−11−5 H H S M−11−6 5−CH3 m−CH3 S M−11−7 4−CH3 m−C2H5 S M−11−8 5−Cl p−C2H5 S 12)下記式で示される化合物 R28,R29は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子又は
ニトロ基、Xは酸素原子又は硫黄原子、Mは例えばNi、
Y は4級アンモニウムカチオンを表わす。
ニトロ基、Xは酸素原子又は硫黄原子、Mは例えばNi、
Y は4級アンモニウムカチオンを表わす。
具体例.No. R28 R29 X M−12−1 3−CH3 H O M−12−2 3−Cl 4−CH3 O M−12−3 4−NO2 4−CH3 O M−12−4 H 4−CH3 S M−12−5 3−NO2 4−C2H5 S 13)アントラニル酸系 R30は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アシル
基、ニトロ基又はアルコキシル基、Mは例えばZn,Cu,Ni
又はCoを表わす。
基、ニトロ基又はアルコキシル基、Mは例えばZn,Cu,Ni
又はCoを表わす。
具体例.No. R30 M M−13−1 H Cu M−13−2 4−Cl Ni M−13−3 4−NO2 Ni M−13−4 5−CH3 Ni このような金属キレート化合物と色素を組み合わせる
ことにより反射率をあげることが出来、保存安定性を改
良することが出来るとともに、高いC/N値を得ることが
出来る。このような金属キレート化合物は記録層を形成
する記録材料全量に対し1〜60重量%程度、好ましくは
5〜40重量%、さらに好ましくは10〜30重量%含有され
ることが望ましい。
ことにより反射率をあげることが出来、保存安定性を改
良することが出来るとともに、高いC/N値を得ることが
出来る。このような金属キレート化合物は記録層を形成
する記録材料全量に対し1〜60重量%程度、好ましくは
5〜40重量%、さらに好ましくは10〜30重量%含有され
ることが望ましい。
また色素、金属キレート化合物以外にバインダーを混
合しても良い。好適なバインダーとしては、広範な樹脂
から選択することができる。具体的にはニトロセルロー
ス、リン酸セルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロー
ス、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリス
チン酸セルロース、パルミチン酸セルロース、酢酸・プ
ロピオン酸セルロース、酢酸・酪酸セルロースなどのセ
ルロースエステル類、メチルセルロース、エチルセルロ
ース、プロピルセルロース、ブチルセルロースなどのセ
ルロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、
ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリビニルア
セタール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ンなどのビニル樹脂類、スチレン−ブタジエンコポリマ
ー、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、スチレン
−ブタジエン−アクリロニトリルコポリマー、塩化ビニ
ル−酢酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメ
チルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリブ
チルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル
酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリルなどの
アクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレートなどのポ
リエステル類、ポリ(4,4′−イソプロピリデン、ジフ
ェニレン−コ−1,4−シクロヘキシレンジメチレンカー
ボネート)、ポリ(エチレンジオキシ−3,3′−フェニ
レンチオカーボネート)、ポリ(4,4′−イソプロピリ
デンジフェニレンカーボネート−コ−テレフタレー
ト)、ポリ(4,4′−イソプロピリデンジフェニレンカ
ーボネート)、ポリ(4,4′−sec−ブチリデンジフェニ
レンカーボネート)、ポリ(4,4′−イソプロピリデン
ジフェニレンカーボネート−ブロック−オキシエチレ
ン)などのポリアリレート樹脂類、或はポリアミド類、
ポリイミド類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂流、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレンなど
のポリオレフィン類などを用いることができる。
合しても良い。好適なバインダーとしては、広範な樹脂
から選択することができる。具体的にはニトロセルロー
ス、リン酸セルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロー
ス、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリス
チン酸セルロース、パルミチン酸セルロース、酢酸・プ
ロピオン酸セルロース、酢酸・酪酸セルロースなどのセ
ルロースエステル類、メチルセルロース、エチルセルロ
ース、プロピルセルロース、ブチルセルロースなどのセ
ルロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、
ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリビニルア
セタール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ンなどのビニル樹脂類、スチレン−ブタジエンコポリマ
ー、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、スチレン
−ブタジエン−アクリロニトリルコポリマー、塩化ビニ
ル−酢酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメ
チルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリブ
チルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル
酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリルなどの
アクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレートなどのポ
リエステル類、ポリ(4,4′−イソプロピリデン、ジフ
ェニレン−コ−1,4−シクロヘキシレンジメチレンカー
ボネート)、ポリ(エチレンジオキシ−3,3′−フェニ
レンチオカーボネート)、ポリ(4,4′−イソプロピリ
デンジフェニレンカーボネート−コ−テレフタレー
ト)、ポリ(4,4′−イソプロピリデンジフェニレンカ
ーボネート)、ポリ(4,4′−sec−ブチリデンジフェニ
レンカーボネート)、ポリ(4,4′−イソプロピリデン
ジフェニレンカーボネート−ブロック−オキシエチレ
ン)などのポリアリレート樹脂類、或はポリアミド類、
ポリイミド類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂流、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレンなど
のポリオレフィン類などを用いることができる。
塗工の際に使用できる有機溶剤は、分散状態とする
か、あるいは非晶質状態とするかによって異なってくる
が、一般には、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N,N−ジメチル
ホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミ
ド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモ
ノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロロホルム、
塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリク
ロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類、ある
いはベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼン、アニソールなどの芳香族類など
を用いることができる。
か、あるいは非晶質状態とするかによって異なってくる
が、一般には、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N,N−ジメチル
ホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミ
ド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモ
ノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロロホルム、
塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリク
ロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類、ある
いはベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼン、アニソールなどの芳香族類など
を用いることができる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。
基板としては、ガラス、ポリアミド、ポリエステル、
ポリオレフィン、ポリカーボネート、エポキシ、ポリイ
ミド、ポリメチルメタクリレート等が使用される。基板
上には通常トラッキングのために溝を持っており、さら
にその上に、記録層との接着性向上あるいは耐溶剤性改
良のために下引き層を有しても良い。
ポリオレフィン、ポリカーボネート、エポキシ、ポリイ
ミド、ポリメチルメタクリレート等が使用される。基板
上には通常トラッキングのために溝を持っており、さら
にその上に、記録層との接着性向上あるいは耐溶剤性改
良のために下引き層を有しても良い。
本発明によれば反射率をあげトラッキングが安定して
かかり、高いC/N比を得、保存安定性の良い光学情報記
録媒体を得ることが出来る。
かかり、高いC/N比を得、保存安定性の良い光学情報記
録媒体を得ることが出来る。
[実施例] 以下、本発明の実施例をあげ詳細に説明する。
実施例1〜7 直径130mm、内径15mmのアクリルディスク基板上にSiO
2からなら下引き層(100Å)を形成した後、下記第1表
に示される色素と金属キレート化合物の組み合わせから
なる材料を所定の溶剤を用いて、膜厚800〜1000Åの記
録層を形成した。
2からなら下引き層(100Å)を形成した後、下記第1表
に示される色素と金属キレート化合物の組み合わせから
なる材料を所定の溶剤を用いて、膜厚800〜1000Åの記
録層を形成した。
このようにして得た記録媒体の基板側から830nmの半
導体レーザー光を用いて記録周波数2MHz、回転数1800rp
m、記録パワー8mW、読み出しパワー0.6mWで書き込み、
読み出しを行い、その読み出し波形をスペクトル解析に
よりC/N値を測定した。
導体レーザー光を用いて記録周波数2MHz、回転数1800rp
m、記録パワー8mW、読み出しパワー0.6mWで書き込み、
読み出しを行い、その読み出し波形をスペクトル解析に
よりC/N値を測定した。
次に、同じ記録媒体を60℃、90%RHの条件下で1000時
間放置して保存性加速実験を行い、反射率およびC/N値
を測定した。その結果を第2表に示す。
間放置して保存性加速実験を行い、反射率およびC/N値
を測定した。その結果を第2表に示す。
比較例1〜3 色素No.D−6,D−25及びD−54の色素を使用して、金
属キレート化合物を用いずに実施例1と同様の方法によ
り記録層を形成し、実施例1と同様の試験を行った結果
を第1表および第2表に併記する。
属キレート化合物を用いずに実施例1と同様の方法によ
り記録層を形成し、実施例1と同様の試験を行った結果
を第1表および第2表に併記する。
[発明の効果] 以上のように、本発明によれば、本発明における前記
色素と金属キレート化合物を用いることによって記録層
の反射率をあげ、且つ保存性を改善した光学情報記録媒
体を提供することができる優れた効果が得られる。
色素と金属キレート化合物を用いることによって記録層
の反射率をあげ、且つ保存性を改善した光学情報記録媒
体を提供することができる優れた効果が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高須 義雄 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−73891(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】下記一般式(I)、(II)又は(III)で
表わされる化合物のうち少なくとも1つと、下記一般式
(1)〜(13)で表わされる金属キレート化合物のうち
少なくとも1つとを含有する記録層を有することを特徴
とする光学情報記録媒体。 一般式(I) 一般式(II) 一般式(III) (式中、A,B,D及びEは水素原子、アルキル基、アルケ
ニル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または
未置換のアリール基を示す。Yは5員環または6員環を
完成するに必要な原子群を有する2価の残基を示す。
R1,R2,R3,R4及びR5は水素原子、ハロゲン原子またはア
ルキル基を示す。X は陰イオンを示す。m,nは0,1また
は2を示す。 Z は または を示す。) (1)チオサリチルアルドキシム系 (R11は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アリ
ール基でもう一方のR11と結合しても良い。R12はアルキ
ル基、ハロゲン原子、水素原子、ニトロ基又はベンゾ縮
合系基を表わす。MはCu,N,Co又はPdを表わす。) (2)チオアセトチオフェノン系 (R13はアルキル基、アリール基、R14は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、アリール基、ニトロ基又はベン
ゾ縮合系基を表わす。MはCu,Ni又はPdを表わす。) (3)アセトチオフェノン系 (R15はアルキル基、アリール基、R16は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基又はベンゾ縮合系基を表わす。M
はCu,Ni又はPdを表わす。) (4)オキシキサンチオン系 (R17は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表わ
す。MはCu又はNiを表わす。) (5)ピロメコン酸系 (R18は水素原子又はアルキル基を表わす。MはCu,Ni,C
o又はMnを表わす。) (6)メルカプトベンゾアゾール系 (R19はイオウ原子、置換ないし非置換のアミノ基、酸
素原子又はチオケトン基、R20は水素原子、アルキル
基、ハロゲン原子又はアミノ基を表わす。MはZn,Cu又
はNiを表わす。) (7)ヒドロキサム酸系 (R21はアルキル基、アリール基又はスチリル基を表わ
す。MはCu,Ni又はCoを表わす。) (8)ビスシクロペンタジエン系 (R22は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アシル
基又はアリール基を表わす。) (9)ニトロソヒドロキシルアミン系 (R23はアルキル基又はアリール基を表わす。MはCu,Ni
又はCoを表わす。) (10)ジオキシム系 (R24,R25はアルキル基又はアリール基を表わす。MはN
iを表わす。) (11)下記式で示される化合物 (R26,R27は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基、
Xは酸素原子又は硫黄原子を表わす。MはNiを表わ
す。) (12)下記式で示される化合物 (R28,R29は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子又は
ニトロ基、Xは酸素原子又は硫黄原子、Y は4級アン
モニウムカチオンを表わす。MはNiを表わす。) (13)アントラニル酸系 (R30は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アシル
基、ニトロ基又はアルコキシル基を表わす。MはZn,Cu,
Ni又はCoを表わす。)
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61309073A JP2640457B2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 光学情報記録媒体 |
EP87308299A EP0264198B1 (en) | 1986-09-18 | 1987-09-18 | Optical information recording medium |
DE8787308299T DE3784435T2 (de) | 1986-09-18 | 1987-09-18 | Medium fuer optische informationsaufzeichnung. |
US07/679,144 US5178995A (en) | 1986-09-18 | 1991-03-28 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61309073A JP2640457B2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 光学情報記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63165181A JPS63165181A (ja) | 1988-07-08 |
JP2640457B2 true JP2640457B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=17988554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61309073A Expired - Fee Related JP2640457B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-12-27 | 光学情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2640457B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3015053B2 (ja) * | 1989-10-12 | 2000-02-28 | キヤノン株式会社 | 光学記録媒体 |
JP2018172624A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-11-08 | 三菱ケミカル株式会社 | 着色組成物、ディスプレイ用フィルター及びディスプレイ |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP61309073A patent/JP2640457B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63165181A (ja) | 1988-07-08 |
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