JP2637777B2 - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 16
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は家電分野およびコンピュータ用ファイルメモ
リなどの分野で用いる光磁気記録媒体に係り，特に耐環
境性と長期保存性に優れた信頼性の高い光磁気記録媒体
およびその製造方法に関する。
リなどの分野で用いる光磁気記録媒体に係り，特に耐環
境性と長期保存性に優れた信頼性の高い光磁気記録媒体
およびその製造方法に関する。
光磁気記録媒体は，レーザ光を利用して情報の記録と
再生を行う，いわゆる書き換え可能な高密度かつ大容量
のメモリであり，コンピュータ用のファイルメモリ，あ
るいは，音楽情報や画像情報を記録するメモリとして用
いられる。そして，光磁気記録媒体の記録膜としては，
例えば,TbFeCo,GdTbFeCo,TbCo,GdTbFeなどの希土類と遷
移金属からなる非晶質磁性膜が用いられている。しか
し，これらの磁性膜（記録膜）は酸化などによる特性劣
化が生じ易いという欠点があるので，光磁気記録媒体は
一般に，第２図に示すごとく，基板５上に誘電体膜6,磁
性膜7,誘電体保護膜８の順で積層する媒体構造が採用さ
れている。そして，場合によっては，さらにこの上に金
属反射膜や金属保護膜，あるいは樹脂保護膜などが積層
されることもある。すなわち，基板と磁性膜の間に誘電
体膜を設ける第１の理由は，基板に含まれる水分や大気
中の酸素などが磁性膜に達するのを防ぎ，磁性膜の特性
劣化を抑制するためである。さらに，基板と磁性膜の間
に誘電体膜を設ける第２の理由は，基板と誘電体膜の屈
折率の差を利用したレーザ光の多重干渉効果（カーエン
ハンス効果）により，磁性膜のカー回転角を見掛け上大
きくすることである。これによって，情報読み出し時に
高い再生出力を得ることが可能となる。最適のカーエン
ハンス効果を得るためには，誘電体膜の屈折率が1.9〜
2.3であることが必要である。
再生を行う，いわゆる書き換え可能な高密度かつ大容量
のメモリであり，コンピュータ用のファイルメモリ，あ
るいは，音楽情報や画像情報を記録するメモリとして用
いられる。そして，光磁気記録媒体の記録膜としては，
例えば,TbFeCo,GdTbFeCo,TbCo,GdTbFeなどの希土類と遷
移金属からなる非晶質磁性膜が用いられている。しか
し，これらの磁性膜（記録膜）は酸化などによる特性劣
化が生じ易いという欠点があるので，光磁気記録媒体は
一般に，第２図に示すごとく，基板５上に誘電体膜6,磁
性膜7,誘電体保護膜８の順で積層する媒体構造が採用さ
れている。そして，場合によっては，さらにこの上に金
属反射膜や金属保護膜，あるいは樹脂保護膜などが積層
されることもある。すなわち，基板と磁性膜の間に誘電
体膜を設ける第１の理由は，基板に含まれる水分や大気
中の酸素などが磁性膜に達するのを防ぎ，磁性膜の特性
劣化を抑制するためである。さらに，基板と磁性膜の間
に誘電体膜を設ける第２の理由は，基板と誘電体膜の屈
折率の差を利用したレーザ光の多重干渉効果（カーエン
ハンス効果）により，磁性膜のカー回転角を見掛け上大
きくすることである。これによって，情報読み出し時に
高い再生出力を得ることが可能となる。最適のカーエン
ハンス効果を得るためには，誘電体膜の屈折率が1.9〜
2.3であることが必要である。
半導体のレーザ光に対して透明で，基板上に積層が可
能な誘電体膜としては,SiO,SiO2,Al2O3,ZrO2などの酸化
物系誘電体膜や,Si3N4,AlNなどの窒化物系誘電体膜が好
ましく用いられている。しかしながら,SiOなどの酸化物
系の誘電体膜を用いた場合には，誘電体膜中の遊離酸素
が磁性膜に拡散し，磁性膜を酸化させることが知られて
いる。また,AlNは加水分解性があるため安定性の点で問
題が生じる。したがって，光磁気記録媒体に用いる誘電
体膜として,Si3N4などの窒化物系の誘電体膜を用いるこ
とが望ましい。
能な誘電体膜としては,SiO,SiO2,Al2O3,ZrO2などの酸化
物系誘電体膜や,Si3N4,AlNなどの窒化物系誘電体膜が好
ましく用いられている。しかしながら,SiOなどの酸化物
系の誘電体膜を用いた場合には，誘電体膜中の遊離酸素
が磁性膜に拡散し，磁性膜を酸化させることが知られて
いる。また,AlNは加水分解性があるため安定性の点で問
題が生じる。したがって，光磁気記録媒体に用いる誘電
体膜として,Si3N4などの窒化物系の誘電体膜を用いるこ
とが望ましい。
さらに，誘電体膜は，基板との密着性が良好であるこ
とが重要なポイントになる。なぜなら，基板との密着性
が不良であると，光磁気記録媒体を長期間保存した場合
に，媒体を構成する積層膜に剥離が生じて情報の書き込
みおよび読み出しができなくなるからである。
とが重要なポイントになる。なぜなら，基板との密着性
が不良であると，光磁気記録媒体を長期間保存した場合
に，媒体を構成する積層膜に剥離が生じて情報の書き込
みおよび読み出しができなくなるからである。
このような条件を満足する誘電体膜として，例えば，
特開昭62−222453号公報において提案されているよう
に，窒化Si（シリコン）層と金属酸化物層からなる二層
構造の誘電体膜や，第34回応用物理学関係連合講演会予
稿集,722項,28p−ZL−７に記載のように,Si下地層を設
けた二層構造の窒化Si膜などがあり，また特開昭61−22
458号公報や，第34回応用物理学関係連合講演会予稿集,
724項,28p−ZL−13に,Alなどの金属元素を添加した窒化
Si膜が提案されている。
特開昭62−222453号公報において提案されているよう
に，窒化Si（シリコン）層と金属酸化物層からなる二層
構造の誘電体膜や，第34回応用物理学関係連合講演会予
稿集,722項,28p−ZL−７に記載のように,Si下地層を設
けた二層構造の窒化Si膜などがあり，また特開昭61−22
458号公報や，第34回応用物理学関係連合講演会予稿集,
724項,28p−ZL−13に,Alなどの金属元素を添加した窒化
Si膜が提案されている。
上記従来技術では，誘電体膜の記録膜保護効果や，カ
ーエンハンス効果，基板との密着性および，記録媒体の
量産性の点について総合的に優れた誘電体膜の組成や形
成方法，形成条件についての配慮が全くなされていなか
った。そのため，良好な記録再生特性と記録媒体の長期
保存性を同時に満足させることが困難であったり，記録
媒体が高価になるという問題があった。
ーエンハンス効果，基板との密着性および，記録媒体の
量産性の点について総合的に優れた誘電体膜の組成や形
成方法，形成条件についての配慮が全くなされていなか
った。そのため，良好な記録再生特性と記録媒体の長期
保存性を同時に満足させることが困難であったり，記録
媒体が高価になるという問題があった。
例えば，記録媒体の量産性を考慮すると，誘電体膜は
単層構造であることが望ましい。またプラスチック基板
を用いた場合の，誘電体膜と基板との密着性は，十分と
はいえず，記録媒体を高温高湿環境下に長時間保存した
場合や，記録媒体に何らかの原因で外力がかかった場合
に記録媒体を構成する積層膜の剥離が生じやすいという
問題があった。
単層構造であることが望ましい。またプラスチック基板
を用いた場合の，誘電体膜と基板との密着性は，十分と
はいえず，記録媒体を高温高湿環境下に長時間保存した
場合や，記録媒体に何らかの原因で外力がかかった場合
に記録媒体を構成する積層膜の剥離が生じやすいという
問題があった。
本発明の目的は，上記従来技術における問題点を解消
し，記録再生特性と媒体の長期保存性が共に良好で，さ
らに量産性に適した光磁気記録媒体およびその製造方法
を提供することにある。
し，記録再生特性と媒体の長期保存性が共に良好で，さ
らに量産性に適した光磁気記録媒体およびその製造方法
を提供することにある。
上記本発明の目的は，透明基板上に，誘電体膜を形成
し，該誘電体膜状に記録膜を順次積層して構成される光
磁気記録媒体において，上記誘電体膜として,Co、Fe、N
iのうちから選択される少なくとも１種の金属元素を含
む窒化シリコン（Si）膜を用いることにより、達成され
る。これらの金属元素は，いずれも窒素ガスと反応を起
こしにくい元素である。
し，該誘電体膜状に記録膜を順次積層して構成される光
磁気記録媒体において，上記誘電体膜として,Co、Fe、N
iのうちから選択される少なくとも１種の金属元素を含
む窒化シリコン（Si）膜を用いることにより、達成され
る。これらの金属元素は，いずれも窒素ガスと反応を起
こしにくい元素である。
本発明の光磁気記録装置において，誘電体膜である金
属元素を含有する窒化シリコン膜の屈折率は1.9〜2.3の
範囲内にあって，上記窒化シリコン膜の内部応力の絶対
値が３×104N/cm2（３×109dyn/cm2）以下であることが
望ましい。
属元素を含有する窒化シリコン膜の屈折率は1.9〜2.3の
範囲内にあって，上記窒化シリコン膜の内部応力の絶対
値が３×104N/cm2（３×109dyn/cm2）以下であることが
望ましい。
本発明の光磁気記録媒体を校正する基板は，透明で光
学的に均質なものであれば良く，特にその種類を限定す
るものではないが，射出成型法により一体成型したプラ
スチック基板，または光硬化型プラスチック基板，ある
いは熱硬化型プラスチック基板など好適に用いることが
できる。
学的に均質なものであれば良く，特にその種類を限定す
るものではないが，射出成型法により一体成型したプラ
スチック基板，または光硬化型プラスチック基板，ある
いは熱硬化型プラスチック基板など好適に用いることが
できる。
本発明の光磁気記録媒体における誘電体膜の形成方法
は，シリコンに,Co、Fe、Niの元素のうちより選択され
る少なくとも１種の金属元素を含有するシリコン合金の
ターゲット，もしくはシリコンのターゲット上に，上記
金属元素を含有する金属小片を配置して構成した複合の
ターゲットを用い，アルゴンと窒素の混合ガス雰囲気中
で，反応性スパッタ法により成膜することが望ましい。
特に，窒素の混合比が５％以上、30％以下のアルゴンと
窒素の混合ガスを用いて，スパッタガス圧が1.3Pa以上
の条件で成膜した場合に良好な結果が得られる。また，
もう一つの誘電体膜の形成方法として，窒化Si上記金属
元素を添加した焼結体ターゲットを用いて成膜すること
によっても，上記方法と同様の結果が得られる。この場
合も，アルゴンと窒素の混合ガスによる反応性スパッタ
リングを行うことが望ましく，またスパッタガス圧は1.
3Pa以上の条件であることが望ましい。
は，シリコンに,Co、Fe、Niの元素のうちより選択され
る少なくとも１種の金属元素を含有するシリコン合金の
ターゲット，もしくはシリコンのターゲット上に，上記
金属元素を含有する金属小片を配置して構成した複合の
ターゲットを用い，アルゴンと窒素の混合ガス雰囲気中
で，反応性スパッタ法により成膜することが望ましい。
特に，窒素の混合比が５％以上、30％以下のアルゴンと
窒素の混合ガスを用いて，スパッタガス圧が1.3Pa以上
の条件で成膜した場合に良好な結果が得られる。また，
もう一つの誘電体膜の形成方法として，窒化Si上記金属
元素を添加した焼結体ターゲットを用いて成膜すること
によっても，上記方法と同様の結果が得られる。この場
合も，アルゴンと窒素の混合ガスによる反応性スパッタ
リングを行うことが望ましく，またスパッタガス圧は1.
3Pa以上の条件であることが望ましい。
上記いずれの誘電体膜の形成方法においても，窒素の
混合比が15〜30％のアルゴンと窒素の混合ガスを用い
て，スパッタガス圧が2.0〜3.0Pa以下の条件で成膜した
場合に，最も良好な結果が得られる。
混合比が15〜30％のアルゴンと窒素の混合ガスを用い
て，スパッタガス圧が2.0〜3.0Pa以下の条件で成膜した
場合に，最も良好な結果が得られる。
誘電体膜である窒化Si膜に,Co、Fe、Niの中から選択
される少なくとも１種の金属元素を添加することによ
り，窒化Si膜のピンホール密度が減少し，また，基板と
の密着性が向上する。したがって，光磁気記録媒体を長
時間保存した場合においても酸化されることなく，磁気
特性の劣化や記録媒体を構成する積層膜の剥離が生じる
ことがない。
される少なくとも１種の金属元素を添加することによ
り，窒化Si膜のピンホール密度が減少し，また，基板と
の密着性が向上する。したがって，光磁気記録媒体を長
時間保存した場合においても酸化されることなく，磁気
特性の劣化や記録媒体を構成する積層膜の剥離が生じる
ことがない。
さらに，アルゴンと窒素の混合ガスを用いた反応性ス
パッタ法により成膜するので，上記窒化Si膜の内部応力
が低減する。これによって，例えば、温度変化や吸湿，
乾燥あるいは何らかの外力によりプラスチック基板が変
形した場合においても磁気特性の劣化あるいは積層膜の
剥離などの現象が生じることがない。また，窒化Si膜の
内部応力の大きさは，スパッタガス圧にも依存する。例
えば,1.3Pa以上のガス圧で成膜した場合に，特に内部応
力の小さい窒化Si膜が得られる。
パッタ法により成膜するので，上記窒化Si膜の内部応力
が低減する。これによって，例えば、温度変化や吸湿，
乾燥あるいは何らかの外力によりプラスチック基板が変
形した場合においても磁気特性の劣化あるいは積層膜の
剥離などの現象が生じることがない。また，窒化Si膜の
内部応力の大きさは，スパッタガス圧にも依存する。例
えば,1.3Pa以上のガス圧で成膜した場合に，特に内部応
力の小さい窒化Si膜が得られる。
なお，窒化Si膜に添加する上記金属元素は，いずれも
窒素ガスと反応を起こしにくい元素である。したがっ
て，これらの金属元素は，窒化Si膜中で窒素原子と結合
しにくく，窒化Si膜の屈折率を上昇させる。すなわち，
添加金属元素の濃度を調節することにより，窒化Si膜の
屈折率を1.9〜2.3の範囲の値に自在に設定することが可
能となる。これによって，光磁気ディスクの再生特性を
劣化させることがなくなる。
窒素ガスと反応を起こしにくい元素である。したがっ
て，これらの金属元素は，窒化Si膜中で窒素原子と結合
しにくく，窒化Si膜の屈折率を上昇させる。すなわち，
添加金属元素の濃度を調節することにより，窒化Si膜の
屈折率を1.9〜2.3の範囲の値に自在に設定することが可
能となる。これによって，光磁気ディスクの再生特性を
劣化させることがなくなる。
さらに，上記窒化Si膜は，単層構造の誘電体膜であ
り，成膜プロセスや製造設備を複雑にすることがないの
で，光磁気記録媒体の量産に適している。
り，成膜プロセスや製造設備を複雑にすることがないの
で，光磁気記録媒体の量産に適している。
以下，本発明の一実施例を挙げ，図面を参照しながら
詳述する。
詳述する。
（実施例１） プラスチック基板として，射出成型法により成型した
ポリカーボネート基板を用いて，第１図に示す構成の光
磁気ディスクを作製した。ポリカーボネート基板１の直
径は130mm,厚さは1.2mmであり，基板の表面には，レー
ザ光の案内溝を設けている。
ポリカーボネート基板を用いて，第１図に示す構成の光
磁気ディスクを作製した。ポリカーボネート基板１の直
径は130mm,厚さは1.2mmであり，基板の表面には，レー
ザ光の案内溝を設けている。
まず，ポリカーボネート基板１を,10-2Paの真空中で1
00℃に加熱し,5時間保持することにより，基板の脱水処
理を行った。つぎに，高周波マグネトロンスパッタ装置
を用いて，各種の金属元素を添加した窒化Si膜２（エン
ハンス膜，膜厚80nm）,TbFeCo膜３（磁性膜，膜厚100n
m）を順に積層した。TbFeCo膜３の上には保護膜として
窒化Si膜４（膜厚150nm）を成膜した。金属元素を添加
した窒化Si膜２は,Siと各種の金属元素からなる合金タ
ーゲットと，アルゴンと窒素の混合ガスを用いて，反応
性スパッタ法により成膜した。
00℃に加熱し,5時間保持することにより，基板の脱水処
理を行った。つぎに，高周波マグネトロンスパッタ装置
を用いて，各種の金属元素を添加した窒化Si膜２（エン
ハンス膜，膜厚80nm）,TbFeCo膜３（磁性膜，膜厚100n
m）を順に積層した。TbFeCo膜３の上には保護膜として
窒化Si膜４（膜厚150nm）を成膜した。金属元素を添加
した窒化Si膜２は,Siと各種の金属元素からなる合金タ
ーゲットと，アルゴンと窒素の混合ガスを用いて，反応
性スパッタ法により成膜した。
第１表に，各種の金属元素を添加した窒化Si膜２をエ
ンハンス膜として用いて作製した光磁気ディスクの環境
テストの結果を示す。環境テストは，光磁気ディスクを
333Kの温度で,RH（相対湿度）95％の高温高湿環境中に2
00〜2000時間保持し，積層膜の剥離の有無を調べた。
ンハンス膜として用いて作製した光磁気ディスクの環境
テストの結果を示す。環境テストは，光磁気ディスクを
333Kの温度で,RH（相対湿度）95％の高温高湿環境中に2
00〜2000時間保持し，積層膜の剥離の有無を調べた。
第１表に示すごとく,Co,Zn,Fe,Ni,Cr,Mo,Mnを添加し
た窒化Si膜を用いた場合,2000時間程度保持しても積層
膜の剥離はまったく生じないか，また生じたとしても極
く僅かであった。これらの添加元素は，いずれも窒素ガ
スと反応しにくい元素である。このように，本発明によ
る窒化Si膜をエンハンス膜として用いた場合に，積層膜
の剥離防止に顕著な効果がある。すなわち，積層膜の基
板との密着性が向上し耐久性に優れた光磁気記録媒体が
得られることが分かる。一方，窒素ガスと比較的反応し
やすいAl,Ti,Zrを添加した場合には,1000時間以内に積
層膜の剥離が生じ，顕著な剥離防止効果が認められなか
った。
た窒化Si膜を用いた場合,2000時間程度保持しても積層
膜の剥離はまったく生じないか，また生じたとしても極
く僅かであった。これらの添加元素は，いずれも窒素ガ
スと反応しにくい元素である。このように，本発明によ
る窒化Si膜をエンハンス膜として用いた場合に，積層膜
の剥離防止に顕著な効果がある。すなわち，積層膜の基
板との密着性が向上し耐久性に優れた光磁気記録媒体が
得られることが分かる。一方，窒素ガスと比較的反応し
やすいAl,Ti,Zrを添加した場合には,1000時間以内に積
層膜の剥離が生じ，顕著な剥離防止効果が認められなか
った。
なお，本実施例の反応性スパッタ法において用いたタ
ーゲットは，各種の金属元素を10〜20at％含むSi合金と
した。また，スパッタガスとして,Ar＋10％N2混合ガス
を用い，スパッタガス圧2.0Paの条件で成膜した。
ーゲットは，各種の金属元素を10〜20at％含むSi合金と
した。また，スパッタガスとして,Ar＋10％N2混合ガス
を用い，スパッタガス圧2.0Paの条件で成膜した。
さらに,CuまたはPd,Pt,Ga,Ag,Au,V,Nb,Ta,Ba,Liなど
の金属元素を添加した場合においても，上記と同様に積
層膜の剥離防止の効果があった。
の金属元素を添加した場合においても，上記と同様に積
層膜の剥離防止の効果があった。
次に，各種のスパッタガス条件で成膜したCo添加窒化
Si膜をエンハンス膜として用いた場合の光磁気ディスク
について，環境テストを行った。そのスパッタガス条件
と試験結果を第２表に示す。なお，ターゲットとしては
Si−16％Co合金を用いた。
Si膜をエンハンス膜として用いた場合の光磁気ディスク
について，環境テストを行った。そのスパッタガス条件
と試験結果を第２表に示す。なお，ターゲットとしては
Si−16％Co合金を用いた。
第２表に示すごとく,N2の混合比が10％以上の混合ガ
スを用い,2.0Pa以上のスパッタガス圧条件で成膜した場
合に，特に良好な積層膜の剥離防止に効果のあることが
分かる。これは，第３図に示すように,N2混合比が大き
いArとの混合ガスを用い，スパッタガス圧の高い条件で
成膜したCo添加窒化Si膜の内部応力が小さいからである
と考えられる。すなわち，成膜した状態でエンハンス膜
に大きな圧縮応力が存在すると，温度変化や吸湿，乾燥
による基板の変形によって積層膜の剥離が簡単に生じ
る。そして，第２表と第３図から，エンハンス膜の内部
応力の絶対値が3.0×108N/m2以下の場合において，特に
良好な基板との密着性が得られることが分かる。
スを用い,2.0Pa以上のスパッタガス圧条件で成膜した場
合に，特に良好な積層膜の剥離防止に効果のあることが
分かる。これは，第３図に示すように,N2混合比が大き
いArとの混合ガスを用い，スパッタガス圧の高い条件で
成膜したCo添加窒化Si膜の内部応力が小さいからである
と考えられる。すなわち，成膜した状態でエンハンス膜
に大きな圧縮応力が存在すると，温度変化や吸湿，乾燥
による基板の変形によって積層膜の剥離が簡単に生じ
る。そして，第２表と第３図から，エンハンス膜の内部
応力の絶対値が3.0×108N/m2以下の場合において，特に
良好な基板との密着性が得られることが分かる。
第４図と第５図に各種のスパッタ条件で成膜したCo添
加窒化Si膜の屈折率を示す。このように，ターゲットの
Co濃度，スパッタガス中のN2混合比およびスパッタガス
圧をそれぞれ調整することにより，屈折率を1.9〜2.3の
間の所望の値に制御することが可能であった。これは，
エンハンス膜に添加する金属元素として,Fe,Ni,Mo,Zn,C
r,Mn,CuまたはPd,Pt,Ga,Ag,Au,V,Nb,Ta,Ba,Liなどを用
いた場合においても同様であった。なお,Al,Ti,Zrなど
のN2ガスと反応しやすい金属元素を添加した場合，およ
び金属元素を添加しない場合には,2.0Pa以上のスパッタ
ガス圧条件で窒化Si膜の屈折率1.9〜2.3の間の所望する
値に制御することは困難であった。
加窒化Si膜の屈折率を示す。このように，ターゲットの
Co濃度，スパッタガス中のN2混合比およびスパッタガス
圧をそれぞれ調整することにより，屈折率を1.9〜2.3の
間の所望の値に制御することが可能であった。これは，
エンハンス膜に添加する金属元素として,Fe,Ni,Mo,Zn,C
r,Mn,CuまたはPd,Pt,Ga,Ag,Au,V,Nb,Ta,Ba,Liなどを用
いた場合においても同様であった。なお,Al,Ti,Zrなど
のN2ガスと反応しやすい金属元素を添加した場合，およ
び金属元素を添加しない場合には,2.0Pa以上のスパッタ
ガス圧条件で窒化Si膜の屈折率1.9〜2.3の間の所望する
値に制御することは困難であった。
第６図に,Co,Fe,Niの各金属元素をそれぞれ添加した
窒化Si膜を用いた光磁気ディスクを温度333K,RH95％の
環境中に保持したときの,C/N（搬送波対雑音比）の変化
を示す。各光磁気ディスクを2000時間まで保持したとき
のC/Nの減少は3dB以下であり，光磁気記録膜の保護効果
に関しても極めて良好であった。
窒化Si膜を用いた光磁気ディスクを温度333K,RH95％の
環境中に保持したときの,C/N（搬送波対雑音比）の変化
を示す。各光磁気ディスクを2000時間まで保持したとき
のC/Nの減少は3dB以下であり，光磁気記録膜の保護効果
に関しても極めて良好であった。
（実施例２） 次に，外力による基板変形が生じた場合の積層膜の剥
離について調べた。実施例１と同様の構成の光磁気ディ
スクを作製し，第７図に示す曲げ試験を行った。まず，
それぞれの光磁気ディスクから長さ50mm,幅10mmの短冊
上の試験片10を切り出し，積層膜面11を上にしてこれの
一端を固定した。次に，押し上げ板12を回転させること
によって，試験片10の他端を持ち上げる。このように，
試験片10を片持ち梁変形させることによって，積層膜に
圧縮応力がかかり，第８図に示すような剥離14が生じ
る。剥離14が生じたときの剥離発生数とそのときの押し
上げ板12の回転角θを調べた。
離について調べた。実施例１と同様の構成の光磁気ディ
スクを作製し，第７図に示す曲げ試験を行った。まず，
それぞれの光磁気ディスクから長さ50mm,幅10mmの短冊
上の試験片10を切り出し，積層膜面11を上にしてこれの
一端を固定した。次に，押し上げ板12を回転させること
によって，試験片10の他端を持ち上げる。このように，
試験片10を片持ち梁変形させることによって，積層膜に
圧縮応力がかかり，第８図に示すような剥離14が生じ
る。剥離14が生じたときの剥離発生数とそのときの押し
上げ板12の回転角θを調べた。
第９図に各種の金属元素を添加した窒化Si膜を用いた
光磁気ディスクの曲げ試験結果を示す。図に示すごと
く，添加する金属元素としてCo,Fe,Ni,Mn,Cuを用いた場
合には，基板の曲げ変形に対して積層膜の剥離が生じに
くいことを示している。これは，添加する金属元素がM
o,Zn,CrまたはPd,Pt,Ga,Ag,Au,V,Nb,Ta,Ba,Liの場合に
おいても同様であり，積層膜の剥離防止に効果があっ
た。
光磁気ディスクの曲げ試験結果を示す。図に示すごと
く，添加する金属元素としてCo,Fe,Ni,Mn,Cuを用いた場
合には，基板の曲げ変形に対して積層膜の剥離が生じに
くいことを示している。これは，添加する金属元素がM
o,Zn,CrまたはPd,Pt,Ga,Ag,Au,V,Nb,Ta,Ba,Liの場合に
おいても同様であり，積層膜の剥離防止に効果があっ
た。
なお，以上の実施例では，光磁気ディスクを用いて説
明したが，光磁気カードなどの別の形状の光磁気記録媒
体においても同様の結果が得られた。
明したが，光磁気カードなどの別の形状の光磁気記録媒
体においても同様の結果が得られた。
以上詳細に説明したごとく，本発明の光磁気記録媒体
は，誘電体膜と基板との密着性が向上するので，光磁気
記録媒体を長時間保存した場合においても，磁気特性の
劣化や積層膜の剥離が生じることがなく，特にプラスチ
ック基板を用いた光磁気記録媒体に外力がかかった場合
においても，積層膜の剥離が生じることがない。また，
光磁気記録媒体の誘電体膜の屈折率を最適な値である1.
9〜2.3の範囲に設定することが極めて容易であるので，
光磁気ディスクの再生特性を劣化させることがなく，信
頼性に優れた光磁気記録媒体が得られる。
は，誘電体膜と基板との密着性が向上するので，光磁気
記録媒体を長時間保存した場合においても，磁気特性の
劣化や積層膜の剥離が生じることがなく，特にプラスチ
ック基板を用いた光磁気記録媒体に外力がかかった場合
においても，積層膜の剥離が生じることがない。また，
光磁気記録媒体の誘電体膜の屈折率を最適な値である1.
9〜2.3の範囲に設定することが極めて容易であるので，
光磁気ディスクの再生特性を劣化させることがなく，信
頼性に優れた光磁気記録媒体が得られる。
さらに，光磁気記録媒体を構成する誘電体膜は，単層
構造の誘電体膜であるので成膜プロセスや製造設備を複
雑にすることがなく，極めて量産性に優れている。
構造の誘電体膜であるので成膜プロセスや製造設備を複
雑にすることがなく，極めて量産性に優れている。
第１図は本発明の実施例１において例示した光磁気ディ
スクの断面構造を示す模式図，第２図は従来の光磁気デ
ィスクの断面構造を示す模式図，第３図は本発明の実施
例１におけるCo添加Si膜の内部応力のスパッタガス圧依
存性を示すグラフ，第４図は本発明の実施例１における
Co添加窒化Si膜の屈折率とスパッタガス中のN2ガス混合
比の関係を示すグラフ，第５図は本発明の実施例１にお
けるCo添加窒化Si膜の屈折率のスパッタガス圧依存性を
示すグラフ，第６図は本発明の実施例１におけるCo,Ni,
Feの各金属元素を添加した窒化Si膜を用いて構成した光
磁気ディスクの高温高湿環境中におけるC/Nの変化を示
すグラフ，第７図は本発明の実施例２における光磁気デ
ィスクの曲げ試験を示す説明図，第８図（ａ）は第７図
に示す試験方法により発生した剥離状況を示す図，第８
図（ｂ）は第８図（ａ）のＡ部を光学顕微鏡により拡大
した部分拡大図，第９図は本発明の実施例２における各
種金属元素を添加した窒化Si膜を用いた光磁気ディスク
の曲げ試験結果を示す図表である。 １……ポリカーボネート基板 ２……金属元素を添加した窒化Si膜 ３……TbFeCo膜、４……窒化Si膜 ５……基板、６……誘電体膜 ７……磁性膜、８……誘電体保護膜 ９……試験片固定板、10……試験片 11……積層膜面、12……押し上げ板 14……剥離、θ……押し上げ板の回転角
スクの断面構造を示す模式図，第２図は従来の光磁気デ
ィスクの断面構造を示す模式図，第３図は本発明の実施
例１におけるCo添加Si膜の内部応力のスパッタガス圧依
存性を示すグラフ，第４図は本発明の実施例１における
Co添加窒化Si膜の屈折率とスパッタガス中のN2ガス混合
比の関係を示すグラフ，第５図は本発明の実施例１にお
けるCo添加窒化Si膜の屈折率のスパッタガス圧依存性を
示すグラフ，第６図は本発明の実施例１におけるCo,Ni,
Feの各金属元素を添加した窒化Si膜を用いて構成した光
磁気ディスクの高温高湿環境中におけるC/Nの変化を示
すグラフ，第７図は本発明の実施例２における光磁気デ
ィスクの曲げ試験を示す説明図，第８図（ａ）は第７図
に示す試験方法により発生した剥離状況を示す図，第８
図（ｂ）は第８図（ａ）のＡ部を光学顕微鏡により拡大
した部分拡大図，第９図は本発明の実施例２における各
種金属元素を添加した窒化Si膜を用いた光磁気ディスク
の曲げ試験結果を示す図表である。 １……ポリカーボネート基板 ２……金属元素を添加した窒化Si膜 ３……TbFeCo膜、４……窒化Si膜 ５……基板、６……誘電体膜 ７……磁性膜、８……誘電体保護膜 ９……試験片固定板、10……試験片 11……積層膜面、12……押し上げ板 14……剥離、θ……押し上げ板の回転角
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新原 敏夫 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 太田 憲雄 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−81643（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−289937（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−264460（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−22458（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−121945（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−279443（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】透明基板上に、誘電体膜を形成し、該誘電
体膜上に記録膜を順次積層して構成される光磁気記録媒
体において、上記誘電体膜は金属元素を含有する窒化シ
リコン膜からなり、該金属元素を含有す窒化シリコン膜
は、Co、Fe、Niのうちから選択される少なくとも１種の
金属元素含み、かつ、該金属元素は、上記窒化シリコン
膜中で金属状態を保持してなることを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒
体において、誘電体膜である金属元素を含有する窒化シ
リコン膜の屈折率が1.9〜2.3の範囲内にあって、上記窒
化シリコン膜の内部応力の絶対値が３×108N/m2以下で
あることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒
体に適用する透明基板は、射出成型法により一体型した
プラスチック基板または光硬化型プラスチック基板もし
くは熱硬化型プラスチック基板であることを特徴とする
光磁気記録媒体。 - 【請求項４】透明基板上に、誘電体膜を形成し、該誘電
体膜上に記録膜を順次積層して構成される光磁気記録媒
体の製造方法において、上記誘電体膜の形成は、シリコ
ンにCo、Fe、Niのうちから選択される少なくとも１種の
金属元素を含有するシリコン合金のターゲット、もしく
はシリコンのターゲット上に、上記金属元素を含有する
金属小片を配置して構成した複合のターゲットを用い、
アルゴンと窒素の混合ガス雰囲気中で、反応性スパッタ
法により成膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項５】特許請求の範囲第４項記載の光磁気記録媒
体の製造方法において、スパッタ雰囲気として用いるア
ルゴンと窒素の混合ガス中の窒素の混合比が５％以上、
30％以下であって、スパッタガス圧が1.3Pa以上の条件
で、反応性スパッタ法により成膜することを特徴とする
光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188017A JP2637777B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| EP19890113711 EP0352748B1 (en) | 1988-07-29 | 1989-07-25 | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same |
| DE1989610601 DE68910601T2 (de) | 1988-07-29 | 1989-07-25 | Magnetoptischer Aufzeichnungsträger und dessen Herstellungsverfahren. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188017A JP2637777B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240147A JPH0240147A (ja) | 1990-02-08 |
| JP2637777B2 true JP2637777B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=16216203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63188017A Expired - Fee Related JP2637777B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0352748B1 (ja) |
| JP (1) | JP2637777B2 (ja) |
| DE (1) | DE68910601T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2951335B2 (ja) * | 1989-03-24 | 1999-09-20 | 株式会社日立製作所 | 光ディスクおよびその製造方法 |
| EP0449252A1 (en) * | 1990-03-29 | 1991-10-02 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Magneto-optical recording media |
| JP2005251279A (ja) | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Nec Corp | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
| US10760156B2 (en) | 2017-10-13 | 2020-09-01 | Honeywell International Inc. | Copper manganese sputtering target |
| US11035036B2 (en) | 2018-02-01 | 2021-06-15 | Honeywell International Inc. | Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2551403B2 (ja) * | 1984-07-09 | 1996-11-06 | 京セラ株式会社 | 光磁気記録素子 |
| US4680742A (en) * | 1984-07-07 | 1987-07-14 | Kyocera Corporation | Magneto-optical recording element |
| JPS61157347A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Nissan Motor Co Ltd | 排ガス浄化用触媒の製造方法 |
| JP2548697B2 (ja) * | 1985-11-22 | 1996-10-30 | 三菱電機株式会社 | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
| JPS62264460A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| JPH0792934B2 (ja) * | 1986-06-09 | 1995-10-09 | 松下電器産業株式会社 | 光デイスクおよびその製造方法 |
| JPS6381643A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気媒体 |
| JPH01279443A (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Hoya Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63188017A patent/JP2637777B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-07-25 EP EP19890113711 patent/EP0352748B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-25 DE DE1989610601 patent/DE68910601T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0352748B1 (en) | 1993-11-10 |
| EP0352748A3 (en) | 1991-05-08 |
| DE68910601D1 (de) | 1993-12-16 |
| DE68910601T2 (de) | 1994-03-03 |
| JPH0240147A (ja) | 1990-02-08 |
| EP0352748A2 (en) | 1990-01-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |