JP2606832B2 - 光学式デイスク - Google Patents
光学式デイスクInfo
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- JP2606832B2 JP2606832B2 JP61301403A JP30140386A JP2606832B2 JP 2606832 B2 JP2606832 B2 JP 2606832B2 JP 61301403 A JP61301403 A JP 61301403A JP 30140386 A JP30140386 A JP 30140386A JP 2606832 B2 JP2606832 B2 JP 2606832B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bis
- recording
- disk
- carbonate
- catalyst
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G64/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbonic ester link in the main chain of the macromolecule
- C08G64/04—Aromatic polycarbonates
- C08G64/06—Aromatic polycarbonates not containing aliphatic unsaturation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はレーザー光線により信号を記録し、あるい
はレーザー光線の反射又は透過により記録された信号の
読み出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられ
る、ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスク
に関する。
はレーザー光線の反射又は透過により記録された信号の
読み出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられ
る、ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスク
に関する。
（従来の技術） レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、デ
ィスクに微細なピットで信号を記録し、あるいはこのよ
うなピットによって記録された信号をレーザー光線の反
射又は透過光量を検出することによって読み出すDRAW
（ダイレクト・リード・アフター・ライト）,Erasable
−DRAW（イレーザブルーダイレクト・リード・アフター
・ライト）型光学式情報記録再生方式では、著しく記録
密度を上げることができる。特にErasable−DRAW型では
記録の消去、書き込みも可能であり、且つそれらから再
生される画像や音質が優れた特性を有する。そのため、
上記の光学式情報記録再生方式は、画像や音質の記録又
は記録再生、多量の情報記録再生等に広く実用化される
ことが期待されている。この記録再生方式に利用される
ディスクには、ディスク本体をレーザー光線が透過する
ため、透明であることは勿論のこと、読み取り誤差を少
なくするため、光学的均質性が強く求められる。レーザ
ー光線がディスク本体を通過する際、ディスク本体形成
時の樹脂の冷却及び流動過程において生じた熱応力、分
子配向、ガラス転移付近の容積変化による残留能力が主
な原因となって、複屈折が生ずる。この複屈折に起因す
る光学的不均一性が大きいことは、光学式ディスクとし
ては致命的欠陥である。さらに、光学式ディスクでは、
優れた記録特性を長期に亘り維持できる耐久性が要求さ
れる。
ィスクに微細なピットで信号を記録し、あるいはこのよ
うなピットによって記録された信号をレーザー光線の反
射又は透過光量を検出することによって読み出すDRAW
（ダイレクト・リード・アフター・ライト）,Erasable
−DRAW（イレーザブルーダイレクト・リード・アフター
・ライト）型光学式情報記録再生方式では、著しく記録
密度を上げることができる。特にErasable−DRAW型では
記録の消去、書き込みも可能であり、且つそれらから再
生される画像や音質が優れた特性を有する。そのため、
上記の光学式情報記録再生方式は、画像や音質の記録又
は記録再生、多量の情報記録再生等に広く実用化される
ことが期待されている。この記録再生方式に利用される
ディスクには、ディスク本体をレーザー光線が透過する
ため、透明であることは勿論のこと、読み取り誤差を少
なくするため、光学的均質性が強く求められる。レーザ
ー光線がディスク本体を通過する際、ディスク本体形成
時の樹脂の冷却及び流動過程において生じた熱応力、分
子配向、ガラス転移付近の容積変化による残留能力が主
な原因となって、複屈折が生ずる。この複屈折に起因す
る光学的不均一性が大きいことは、光学式ディスクとし
ては致命的欠陥である。さらに、光学式ディスクでは、
優れた記録特性を長期に亘り維持できる耐久性が要求さ
れる。
（発明が解決しようとする問題点） したがって、本発明の目的は、光学的均質性が高く、
しかも耐久性に優れた光学式ディスクを提供することに
ある。
しかも耐久性に優れた光学式ディスクを提供することに
ある。
（問題点を解決するための手段） ディスク形成時の樹脂の冷却及び流動過程において生
じる熱応力、分子配向、残留応力を主原因として生ずる
複屈折は、形成条件を選ぶことにより、かなり小さくす
ることができる。しかし、ディスクの複屈折は、成形樹
脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大き
く依存している。
じる熱応力、分子配向、残留応力を主原因として生ずる
複屈折は、形成条件を選ぶことにより、かなり小さくす
ることができる。しかし、ディスクの複屈折は、成形樹
脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大き
く依存している。
複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記（１）
式で表すことができる。
式で表すことができる。
n1−n2＝Ｃ（σ１−σ２） （１） n1−n2:複屈折 σ１−σ2:残留応力 C:光弾性定数 （１）式から、光弾性定数を小さくすれば、成形条件
が同じでも、得られるディスクの複屈折が小さくなるこ
とは明らかである。
が同じでも、得られるディスクの複屈折が小さくなるこ
とは明らかである。
本発明者らは、上記の点に着目して鋭意検討した結
果、1,1−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサンと2,2−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャ
リーブチルフェニル）プロパンとを、特定の割合で、エ
ステル交換法によりカーボネート結合させると、芳香族
ポリカーボネートの機械的特性を損ねることなく、光弾
性定数の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発明に
至った。
果、1,1−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサンと2,2−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャ
リーブチルフェニル）プロパンとを、特定の割合で、エ
ステル交換法によりカーボネート結合させると、芳香族
ポリカーボネートの機械的特性を損ねることなく、光弾
性定数の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発明に
至った。
すなわち、本発明は、1,1−ビス−（４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン95〜47モル％と2,2−ビス−
（４−ヒドロキシ−３−ターシャリーブチルフェニル）
プロパン５〜53モル％とをエステル交換法によりカーボ
ネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート共重合
体から成る光学式ディスクを提供する。
フェニル）シクロヘキサン95〜47モル％と2,2−ビス−
（４−ヒドロキシ−３−ターシャリーブチルフェニル）
プロパン５〜53モル％とをエステル交換法によりカーボ
ネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート共重合
体から成る光学式ディスクを提供する。
前記1,1−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン及び2,2−ビス−（４−ビドロキシ−３−ター
シャリーブチルフェニル）プロパンは、それぞれ下記式
（Ｉ）及び（II）で示される。
ヘキサン及び2,2−ビス−（４−ビドロキシ−３−ター
シャリーブチルフェニル）プロパンは、それぞれ下記式
（Ｉ）及び（II）で示される。
前記芳香族ポリカーボネート共重合体において、式
（II）で示される構成単位は10〜53モル％が好ましい。
本発明における前記芳香族ポリカーボネート共重合体の
粘度平均分子量は13,000〜50,000が好ましい。粘度平均
分子量が13,000未満では共重合体がもろくなり、50,000
を越えると共重合体の流動性が悪くなり成形性が劣る。
本発明における共重合体において、さらに、第３成分を
共重合させることも可能である。
（II）で示される構成単位は10〜53モル％が好ましい。
本発明における前記芳香族ポリカーボネート共重合体の
粘度平均分子量は13,000〜50,000が好ましい。粘度平均
分子量が13,000未満では共重合体がもろくなり、50,000
を越えると共重合体の流動性が悪くなり成形性が劣る。
本発明における共重合体において、さらに、第３成分を
共重合させることも可能である。
本発明では、前記特定割合の式（Ｉ）及び（II）で示
されるビスフェノールをエステル交換法によりカーボネ
ート結合して、前記ポリカーボネート共重合体を得る。
例えば、前記共重合体は、次のようにして得ることがで
きる。
されるビスフェノールをエステル交換法によりカーボネ
ート結合して、前記ポリカーボネート共重合体を得る。
例えば、前記共重合体は、次のようにして得ることがで
きる。
1,1−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン及び2,2−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャ
リーブチルフェニル）プロパンの混合物と、前記混合物
に対し化学量論的に当量よりやや過剰のジフェニルカー
ボネートとを、通常のカーボネート化触媒の存在下、温
度約160〜180℃、常圧、及び不活性ガス導入の条件下
で、約30分反応させる。そして、約２時間〜３時間かけ
て徐々に減圧しながら180〜220℃の温度で反応を継続さ
せ、最終的に10Torr、220℃の条件とし、前縮合を終了
する。その後、10Torr、270℃の条件下で30分、5Torr、
270℃の条件下で20分反応し、次いで0.5Torr以下、好ま
しくは0.3〜0.1Torrの減圧下、270℃で1.5時間〜2.0時
間、後縮合を進める。なお、カーボネート結合を形成す
るためのカーボネート化触媒としては、リチウム系触
媒、カリウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系
触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触
媒が適している。前記カーボネート触媒としては、例え
ば、水酸化リチウム、炭酸リチウム、水素化ホウ素カリ
ウム、リン酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水素化
ホウ素ナトリウム、水素化カルシウム、ジブチル錫オキ
シド、酸化第１錫が挙げられる。これらのうち、カリウ
ム系触媒を用いることが好ましい。
サン及び2,2−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャ
リーブチルフェニル）プロパンの混合物と、前記混合物
に対し化学量論的に当量よりやや過剰のジフェニルカー
ボネートとを、通常のカーボネート化触媒の存在下、温
度約160〜180℃、常圧、及び不活性ガス導入の条件下
で、約30分反応させる。そして、約２時間〜３時間かけ
て徐々に減圧しながら180〜220℃の温度で反応を継続さ
せ、最終的に10Torr、220℃の条件とし、前縮合を終了
する。その後、10Torr、270℃の条件下で30分、5Torr、
270℃の条件下で20分反応し、次いで0.5Torr以下、好ま
しくは0.3〜0.1Torrの減圧下、270℃で1.5時間〜2.0時
間、後縮合を進める。なお、カーボネート結合を形成す
るためのカーボネート化触媒としては、リチウム系触
媒、カリウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系
触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触
媒が適している。前記カーボネート触媒としては、例え
ば、水酸化リチウム、炭酸リチウム、水素化ホウ素カリ
ウム、リン酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水素化
ホウ素ナトリウム、水素化カルシウム、ジブチル錫オキ
シド、酸化第１錫が挙げられる。これらのうち、カリウ
ム系触媒を用いることが好ましい。
このようにして得られるポリカーボネート共重合体
は、レーザー光線により信号を記録し、あるいは、レー
ザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み出
しを行なうDRAW、Erasable−DRAW光学式情報記録用ディ
スクに有用である。
は、レーザー光線により信号を記録し、あるいは、レー
ザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み出
しを行なうDRAW、Erasable−DRAW光学式情報記録用ディ
スクに有用である。
（実施例） 以下に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する
が、本発明は、これらの実施例によって限定されるもの
ではない。なお、以下の実施例に示した粘度平均分子量
とは、塩化メチレン溶液を用いて測定して得られた20℃
におけるビスフェノールＡ・ポリカーボネートの固有粘
度［η］と分子量Ｍとの下記関係式［E.Miiller＆O.Bay
er;USP2,999,844（1961）参照］を用い、固有粘度の測
定値から計算したビスフェノールＡ・ポリカーボネート
換算の分子量である。
が、本発明は、これらの実施例によって限定されるもの
ではない。なお、以下の実施例に示した粘度平均分子量
とは、塩化メチレン溶液を用いて測定して得られた20℃
におけるビスフェノールＡ・ポリカーボネートの固有粘
度［η］と分子量Ｍとの下記関係式［E.Miiller＆O.Bay
er;USP2,999,844（1961）参照］を用い、固有粘度の測
定値から計算したビスフェノールＡ・ポリカーボネート
換算の分子量である。
［η］＝1.11×10-4M0.82 実施例 1,1−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン161重量部（50mol％）と2,2−ビス−（４−ヒドロ
キシ−３−ターシャリーブチルフェニル）プロパン204
重量部（50mol％）とジフェニルカーボネート264重量部
を3Lの三つ口フラスコに入れ、脱気、N2パージを５回繰
り返した後、窒素を導入しながら、160℃のシリコンバ
スを用いて溶融させた。溶融後、カーボネート化触媒で
ある水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶かした
溶液（仕込んだビスフェノール全量に対して10-3mol％
量）を加え、N2雰囲気下、160℃で30分撹拌し、醸成し
た。次いで、同温度下、100Torrにし、30分間撹はんし
た後、同温度下でさらに50Torrに減圧し、60分反応させ
た。次に、温度を徐々に220℃まで上げ、60分反応させ
た。ここまでの反応で、フェノール留出理論量の80％を
留出させた。
サン161重量部（50mol％）と2,2−ビス−（４−ヒドロ
キシ−３−ターシャリーブチルフェニル）プロパン204
重量部（50mol％）とジフェニルカーボネート264重量部
を3Lの三つ口フラスコに入れ、脱気、N2パージを５回繰
り返した後、窒素を導入しながら、160℃のシリコンバ
スを用いて溶融させた。溶融後、カーボネート化触媒で
ある水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶かした
溶液（仕込んだビスフェノール全量に対して10-3mol％
量）を加え、N2雰囲気下、160℃で30分撹拌し、醸成し
た。次いで、同温度下、100Torrにし、30分間撹はんし
た後、同温度下でさらに50Torrに減圧し、60分反応させ
た。次に、温度を徐々に220℃まで上げ、60分反応させ
た。ここまでの反応で、フェノール留出理論量の80％を
留出させた。
しかるのち、同温度下で10Torrに減圧し30分反応さ
せ、温度を徐々に270℃まで上げ、30分反応させた。さ
らに同温度下で5Torrに減圧し30分反応させ、フェノー
ル留出理論量のほぼ全量を留出させ、前縮合を終えた。
せ、温度を徐々に270℃まで上げ、30分反応させた。さ
らに同温度下で5Torrに減圧し30分反応させ、フェノー
ル留出理論量のほぼ全量を留出させ、前縮合を終えた。
次に、同温度下、0.1〜0.3Torrで２時間、後縮合させ
た。窒素雰囲気下で、生成物のポリマーを取り出し、冷
却した後、ジクロメタンを溶媒に用いて、20℃で溶液粘
度を測定した。この値から算出した粘度平均分子量は、
ｖ＝20,800であった。また、DSC（ディファレンシャ
ル・スキャニング・カロリーメーター;Perkin−Elmer2C
型）から、ガラス転移点はTg＝137℃であることがわか
った。さらに、光弾性定数を求めたところ、Ｃ＝39ブリ
ュースターズ（Brewsters,10-12m2/N）であることがわ
かった。なお、光弾性定数（Ｃ）は、試験片（50mm×10
mm×1mm）の長さ方向に引張応力を加え、複屈折値を測
定し、引張応力の大きさと複屈折値とを、それぞれ前記
式（１）の（σ１−σ２）及び（n1−n2）に、代入する
ことにより求めた。因みに、2,2−ビス−（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパンから得られるポリカーボネート
の光弾性定数はＣ＝82ブリュースターズ（Brewsters,10
-12m2/N）であった。
た。窒素雰囲気下で、生成物のポリマーを取り出し、冷
却した後、ジクロメタンを溶媒に用いて、20℃で溶液粘
度を測定した。この値から算出した粘度平均分子量は、
ｖ＝20,800であった。また、DSC（ディファレンシャ
ル・スキャニング・カロリーメーター;Perkin−Elmer2C
型）から、ガラス転移点はTg＝137℃であることがわか
った。さらに、光弾性定数を求めたところ、Ｃ＝39ブリ
ュースターズ（Brewsters,10-12m2/N）であることがわ
かった。なお、光弾性定数（Ｃ）は、試験片（50mm×10
mm×1mm）の長さ方向に引張応力を加え、複屈折値を測
定し、引張応力の大きさと複屈折値とを、それぞれ前記
式（１）の（σ１−σ２）及び（n1−n2）に、代入する
ことにより求めた。因みに、2,2−ビス−（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパンから得られるポリカーボネート
の光弾性定数はＣ＝82ブリュースターズ（Brewsters,10
-12m2/N）であった。
（記録特性の評価） 上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体
に記録膜を付けて、光記録特性を評価した。すなわち、
実施例に記載のポリカーボネート共重合体を射出成形器
（名機製作所製、ダイナメルター）を用いて、直径130m
m,厚さ1.2mmの円盤状基板に形成し、この基板上に、Tb
23.5Fe64.2Co12.3（原子％）の合金ターゲットを用い
て、スパッタリング装置（RFスパッタリング装置、日本
真空（株）製）中で、膜層1000オングストロームの光磁
気記録膜を形成した。この記録膜上に、本出願人の出願
に係る特開昭60−177449号公報に記載の無機ガラスの保
護膜（膜厚1000オングストローム）を、上記と同じスパ
ッタリング装置を用いて形成した。得られた光磁気ディ
スクの性能を、CN比、BER（ビットエラーレート）、及
び60℃、90RH％の条件下でのCN比変化率により評価し
た。結果は表１の通りであった。
に記録膜を付けて、光記録特性を評価した。すなわち、
実施例に記載のポリカーボネート共重合体を射出成形器
（名機製作所製、ダイナメルター）を用いて、直径130m
m,厚さ1.2mmの円盤状基板に形成し、この基板上に、Tb
23.5Fe64.2Co12.3（原子％）の合金ターゲットを用い
て、スパッタリング装置（RFスパッタリング装置、日本
真空（株）製）中で、膜層1000オングストロームの光磁
気記録膜を形成した。この記録膜上に、本出願人の出願
に係る特開昭60−177449号公報に記載の無機ガラスの保
護膜（膜厚1000オングストローム）を、上記と同じスパ
ッタリング装置を用いて形成した。得られた光磁気ディ
スクの性能を、CN比、BER（ビットエラーレート）、及
び60℃、90RH％の条件下でのCN比変化率により評価し
た。結果は表１の通りであった。
表１の結果から明らかなように、本発明の特定のポリ
カーボネート共重合体から成る光磁気ディスクでは、複
屈折値の低下により、CN比が大幅に向上し、耐久性にも
優れる。また、エステル交換法によりビスフェノール化
合物をカーボネート結合させるため、ホスゲンを用いる
場合と異なり、Cl-イオンがディスクに残留することが
ないので、記録膜が腐蝕されず、優れた記録特性を長期
に亘り維持できる。
カーボネート共重合体から成る光磁気ディスクでは、複
屈折値の低下により、CN比が大幅に向上し、耐久性にも
優れる。また、エステル交換法によりビスフェノール化
合物をカーボネート結合させるため、ホスゲンを用いる
場合と異なり、Cl-イオンがディスクに残留することが
ないので、記録膜が腐蝕されず、優れた記録特性を長期
に亘り維持できる。
Claims (1)
- 【請求項１】1,1−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン95〜47モル％と2,2−ビス−（４−ヒド
ロキシ−３−ターシャリーブチルフェニル）プロパン５
〜53モル％とをエステル交換法によりカーボネート結合
して得られる芳香族ポリカーボネート共重合体から成る
光学式ディスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61301403A JP2606832B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 光学式デイスク |
| US07/128,497 US4831110A (en) | 1986-12-19 | 1987-12-03 | Co-polycarbonate copolymer from 2,2-bis(4-hydroxy-3-tertiary butyl phenyl)propane and optical disk |
| DE8787118582T DE3782815T2 (de) | 1986-12-19 | 1987-12-15 | Polycarbonatcopolymer und optische platte. |
| EP19870118582 EP0274092B1 (en) | 1986-12-19 | 1987-12-15 | Polycarbonate copolymer and optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61301403A JP2606832B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 光学式デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63154728A JPS63154728A (ja) | 1988-06-28 |
| JP2606832B2 true JP2606832B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=17896449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61301403A Expired - Lifetime JP2606832B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 光学式デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2606832B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938967B2 (ja) * | 1978-04-19 | 1984-09-20 | 三菱化学株式会社 | ポリカ−ボネ−ト有機溶剤溶液の洗浄法 |
| JPH0649750B2 (ja) * | 1984-08-24 | 1994-06-29 | 三菱化成株式会社 | ポリカーボネートより成る射出成形材料 |
| JPS6239624A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポリカ−ボネ−トよりなる光デイスク基板 |
| JPS62196127A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-29 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光磁気記録デイスク |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61301403A patent/JP2606832B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63154728A (ja) | 1988-06-28 |
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| JPH0832775B2 (ja) | 光学式デイスク |