JP2605511B2 - 連続ラインによる高珪素鋼帯の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、拡散浸透法による高珪
素鋼帯の連続製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】珪素鋼板は優れた軟磁気特性を持つた
め、トランスやモータのコア材として広く用いられてい
る。この種の鋼板はＳｉ含有量が増すほど鉄損が低減さ
れ、Ｓｉが６．５ｗｔ％では磁歪が０となり、最大透磁
率もピークとなるなど優れた磁気特性を呈することが知
られている。

【０００３】従来、珪素鋼板を製造する方法として、圧
延法、直接鋳造法および拡散浸透法があるが、このうち
圧延法はＳｉ含有量４ｗｔ％程度までは製造可能である
が、それ以上のＳｉ含有量では加工性が著しく悪くなる
ため、冷間圧延が困難となる。また、直接鋳造法は圧延
法のような加工性の問題は生じないが、形状不良を起し
易く、また、厚物材や幅広材が製造できない等、多くの
問題点がある。

【０００４】これに対し、拡散浸透法は低珪素鋼をあら
かじめ溶製して圧延により薄板化した後、表面からＳｉ
を浸透させることにより高珪素鋼帯を製造するもので、
この方法によれば加工性の問題を生じることなく高珪素
鋼帯を得ることができる。この拡散浸透法による高珪素
鋼板の製造は、一般に、普通鋼板または低珪素鋼板（通
常、Ｓｉ：４ｗｔ％以下）に対して、ＳｉＣｌ₄等のＳ
ｉ化合物を含む無酸化性ガス雰囲気中でＳｉの浸透処理
（浸珪処理）を施して鋼板の表面からＳｉを浸透させ、
次いで、Ｓｉ化合物を含まない無酸化性ガス雰囲気中で
鋼板に対して拡散熱処理を施して、浸透させた珪素を鋼
板中に拡散させ、Ｓｉを均質に含有させた高珪素鋼板を
得るものである。

【０００５】従来、この種の製造方法に関しては、鋼帯
を連続的に処理する場合の諸条件が十分検討されておら
ず、処理時間が３０分以上と長いことや、処理温度が１
２３０℃と極めて高くエッジ部が溶解するおそれがある
など、処理条件が事実上連続ラインには適用できず、鋼
帯の連続ラインでの安定製造が期待できないという問題
があった。

【０００６】このような問題に対し、本出願人は先に、
拡散浸透法を連続ラインに適用した珪素鋼帯の製造法
を、特開昭６２−２２７０７８号および特開昭６２−２
２７０９１号として提案した。これらの方法は、鋼帯を
加熱し、ＳｉＣｌ₄を含む無酸化性ガス雰囲気中で化学
気相蒸着法により連続的に浸珪処理した後、ＳｉＣｌ₄
を含まない無酸化性ガス雰囲気で拡散均熱処理してＳｉ
を均一化し、冷却後コイル状に巻取る一連のプロセス
を、連続ライン化し、珪素鋼帯を効率よく製造する方法
に関するもので、連続ラインにおいて浸珪処理する際の
反応ガス濃度、反応時間、均熱拡散処理時間および処理
温度等を詳細に検討且つ特定し、連続ラインでの拡散浸
透処理による高珪素鋼帯の製造を可能ならしめたもので
ある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし本発明者らのそ
の後の検討によれば、上記のように処理条件を特定した
製造法は、従来連続ライン化の障害とされていた問題を
解消し、原理的には高珪素鋼帯の効率的な製造が可能で
あるものの、鋼帯を処理した際の鋼帯各部のＳｉ濃度、
特に、板幅方向のＳｉ濃度分布が不均一になるという問
題があることが判った。このようなＳｉ量の不均一性
は、Ｓｉ量の差による格子定数差よって形状不良を引起
したり、また、Ｓｉ量の違いによる磁気特性のむらを生
じさせたりする。

【０００８】本発明は、このようなＳｉの連続拡散浸透
処理による高珪素鋼帯の製造方法において、Ｓｉ量が均
一で且つ形状不良のない高品質な高珪素鋼帯を連続的に
安定して製造するための方法を提供しようとするもので
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の製造方法は、反応炉内で鋼帯にその表
面からＳｉを浸透させる浸珪処理を施し、このＳｉを板
厚方向に拡散させることにより高珪素鋼帯を製造する方
法において、〔ノズルスリット長〕／〔鋼帯幅〕：１．
０５〜１．４のスリットノズルを鋼帯の表裏面に対向し
て炉長手方向に間隔をおいて複数配し、反応ガスを個々
のスリットノズルに対しその片側端部から供給するとと
もに、炉長手方向で間隔をおいて配された複数のスリッ
トノズルについて交互に異なる端部側から前記反応ガス
を供給し、該各スリットノズルに対し、鋼帯の一方のエ
ッジ部がガス供給側のスリット端と該スリット端からス
リット他端方向に鋼帯幅の５％に相当する距離をおいた
位置との間を通過するよう鋼帯を通板させ、前記各スリ
ットノズルから鋼帯の表裏面に反応ガスを吹き付けるこ
とを特徴とする連続ラインにおける高珪素鋼帯の製造方
法である。

【００１０】

【００１１】

【作用】本発明では、反応炉内で鋼帯にその表面からＳ
ｉを浸透させる浸珪処理を施すに際し、反応炉内の鋼帯
通板ラインの上下に炉長手方向で間隔をおいてスリット
ノズルを複数配置する。図１及び図２にこのスリットノ
ズルの構成を示す。スリットノズル１は、角筒形もしく
は円筒形のノズル本体にスリット２を形成したものであ
り、そのノズル本体の片側端部から反応ガスを供給し、
他方の端部は閉塞されている。

【００１２】この種のノズルはヘッド圧が高く取れない
ため、一本当りの流速が図３のような分布となり、この
ため、ノズル直下での鋼帯への浸珪量は大きな分布を形
成することになる。本発明者等は、１本のスリットノズ
ルから四塩化珪素と窒素の混合ガス（反応ガス）を鋼帯
面に吹き付け、実際に鋼帯幅方向に形成されるＳｉ量の
分布を調べた。図４に、板幅方向に対するノズルのスリ
ット位置とそれに対応する板幅方向Ｓｉ量分布を示す。
同図からも判るように、鋼帯幅方向の浸珪量はノズルの
終端側（閉塞端側）に大きなピ−クを有する極めて大き
な分布を形成している。

【００１３】そこで、本発明では図５および図６に示す
ように炉長手方向で複数配されたノズルについて、交互
に異なる端部側から反応ガスを供給することにより、隣
接するノズル間で図４に示すようなＳｉ量分布を互いに
相殺させ、これによって板幅方向で均一な浸珪量を得る
ものである。

【００１４】また、図４に示されるＳｉ量分布によれ
ば、鋼帯板幅方向のＳｉ量分布中には直線部分（図示し
た）が存在することが判る。したがって、鋼帯にノズル
の上記直線部分の範囲でのみ浸珪処理を行うことができ
れば、ノズルを複数使用し且つ交互に異なる端部側から
反応ガスを供給することにより、隣接するノズル間での
Ｓｉ量分布の相殺をより高精度に行うことができる。す
なわち、このような複数のノズルに対し鋼帯を通過させ
ることにより、最終的に板幅方向で均一なＳｉ量分布を
有する高珪素鋼帯を製造することができる。

【００１５】本発明者等は、互いに反対方向のノズル端
部側から反応ガスが供給される、隣り合う上下２組のス
リットノズルを用い、鋼帯幅に対しノズルスリット長を
種々変えた浸珪処理試験を行い、ノズルスリット長と鋼
帯幅との比と、鋼帯幅方向でのＳｉ量の変動幅との関係
を調べた。

【００１６】図７はこの結果を示すもので、鋼帯幅方向
でのＳｉ量の変動を抑えるためには、〔ノズルスリット
長〕／〔鋼帯幅〕の比を所定の範囲に設定する必要があ
ることが判る。具体的には、Ｓｉ量の変動幅を０．２５
ｗｔ％以上に抑えるためには、〔ノズルスリット長〕／
〔鋼帯幅〕を１．０５〜１．４に、またＳｉ量の変動幅
を０．１５％以下に抑えるためには、同比を１．１〜
１．２５にすることが必要であることが判る。このよう
に〔ノズルスリット長〕／〔鋼帯幅〕に適正範囲が存在
するのは、同比が小さ過ぎると鋼帯エッジ部近傍に当た
るガス量が不足し、エッジ部の浸珪量が過少となり、逆
に同比が大き過ぎると、鋼帯エッジから外れた部分で上
下ノズルからのガスが衝突してガスの乱れが生じ、この
ガスの乱れによりエッジ部の浸珪量が過剰となることに
よるものと考えられる。

【００１７】また、このようなガスの乱流によりエッジ
部が過剰に浸珪されるという問題に対し、さらに検討を
進めた結果、上記ノズルスリット長と鋼帯幅との比を規
定することに加え、各スリットノズルのガス供給側にお
ける鋼帯エッジ部の通過位置を規定することが、鋼帯幅
方向でのＳｉ量の変動を抑え、板幅方向で均一な浸珪量
を得る上で重要であることが判った。

【００１８】各ノズルスリットから供給されるガス流れ
の方向は図３に示す通りであり、上下スリットノズルか
ら鋼帯にガスを吹き付けた際のガスの流れは図８に示す
ようなものとなる。ここで、ガス供給側におけるスリッ
ト端２１に対し、鋼帯のエッジ部がスリット長手方向内
側寄り（スリット端２２寄り）の位置を通過した場合、
上下から吹かれるガスがエッジの外側で衝突してガスの
乱れが生じ、このガスの乱れによりエッジ部が過剰に浸
珪されてしまう。これに対し、スリット端２２側では、
ガス流れが外側方向を向いているためガスはノズルの外
側に逃げ、上記のようなガスの乱れによる過剰浸珪とい
う問題は生じない。また、鋼帯のエッジ部がスリット端
２１の外側位置を通過した場合には、エッジ部に対する
ガスの供給量が少な過ぎ、十分な浸珪量が得られない。

【００１９】したがって、以上のことから鋼帯の一方の
エッジ部とガス供給側のスリット端２１の位置を一致さ
せるようにして鋼帯を通板させることが最も好ましい。
また、本発明者らが実験により確認した結果、スリット
端２１からスリット内側方向（スリット端２２方向）に
鋼帯幅の略５％に相当する距離をおいた位置とスリット
端２１との間で鋼帯エッジ部を通過させれば、ガスの乱
れによるエッジ部の過剰な浸珪を抑え得ることが判っ
た。したがって、鋼帯はその一方のエッジ部がガス供給
側のスリット端２１と、該スリット端２１からスリット
他端方向に鋼帯幅の５％に相当する距離をおいた位置と
の間を通過するよう通板させることが好ましい。

【００２０】そして、このような方法で浸珪処理を行う
ことにより、鋼帯エッジでの形状不良を防止し、且つ板
幅方向でのＳｉ量が均一な板厚０．０５〜０．５ｍｍ、
板幅１００〜１８００ｍｍ程度の高珪素鋼帯を連続的に
安定して製造することができる。

【００２１】本発明法において素材（原板）として使用
される鋼板は、一般に、普通鋼板または比較的低いＳｉ
含有量（通常、Ｓｉ：４ｗｔ％以下）の無方向性若しく
は方向性珪素鋼板である。このような素材鋼板の成分は
特に限定されるものではないが、優れた磁気特性を得る
ために以下のように規定することが好ましい。

【００２２】まず、非金属元素について説明すると、 Ｃ：Ｃは初透磁率、最大透磁率を低下させ、Ｈｃを増
し、鉄損を増大させる。この影響は、図９に示すように
０．０１ｗｔ％を超えると顕著になることが知られてお
り、したがって、Ｃは０．０１ｗｔ％以下とすることが
好ましい。但し、結晶方位改善を目的として製鋼段階で
Ｃを０．０１ｗｔ％を超えて含有させ、圧延することも
可能であるが、この場合には、時効および特性劣化を防
止するため脱炭焼鈍を実施し、Ｃを０．０１ｗｔ％以下
とすることが好ましい。すなわち、Ｃ濃度の調整は溶製
段階で行ってもよく、また、脱炭焼鈍を実施することに
より行なってもよい。

【００２３】Ｏ：Ｏは鉄損を高め、ＳｉＯ₂のようなコ
ロイド状微粒子として存在する場合には、磁気特性を著
しく劣化させる元素として知られている。また、ＯはＣ
とどの程度共存するかによっても磁気特性を変化させ
る。特に、図１０に示すようにＯ含有量とＣ含有量とが
ほぼ同等の場合、鉄損値が最小になることも知られてお
り、上記Ｃ含有量の適正範囲と同様に、Ｏ含有量も０．
０１ｗｔ％以下とすることが好ましい。

【００２４】Ｎ、Ｓ：共に時効の原因となるため極力少
なくすることが好ましく、これらの成分もそれぞれ０．
０１ｗｔ％以下とすることが好ましい。 Ｐ：Ｐは酸素による磁性劣化を軽減し、鉄損を減少させ
る作用があり、また、最大透磁率の改善および磁束密度
の改善を目的として若干の添加が可能であるが、その添
加量の上限は１ｗｔ％程度までである。 Ｈ：Ｈは鋼板を著しく脆くさせるため、高圧下でＨを含
有させる等、積極的な含有は避けるべきである（通常ｐ
ｐｍレベル以下）。 以上のように非金属元素については、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｓ等
を極力低く抑え、且つＣとＯの比率を適正化することが
好ましい。

【００２５】次に金属元素について説明すると、 Ｍｎ：熱間圧延時の展延性の改善と、脱硫作用および規
則−不規則変態における磁性改善効果を考慮すると、Ｍ
ｎは０．５ｗｔ％以下の範囲で添加することが好まし
い。 Ｃａ：Ｃａは多量に含有すると透磁率を低下させるた
め、０．３ｗｔ％以下とすることが好ましい。 Ｖ：若干のＶを添加することにより、Ｈｃが改善される
ことが知られている。すなわち、Ｖは０．０５ｗｔ％程
度添加することにより、結晶粒の発達が促進され、磁性
が改善される。このため、Ｖは０．１ｗｔ％を上限とし
て添加することができる。

【００２６】Ｔｉ：０．０５ｗｔ％程度添加することで
Ｖと同様の効果を期待でき、このため、０．１ｗｔ％を
上限として添加することができる。 Ｂｅ、Ａｓ：若干の磁気特性改善効果が期待でき、それ
ぞれ０．１ｗｔ％を上限として添加することができる。 Ｃｕ：０．７ｗｔ％程度までは、磁性を大きく劣化させ
ることはないが、０．７ｗｔ％を超えて含有すると鉄損
が増大する。このため、Ｃｕは０．７ｗｔ％以下、好ま
しくは０．１ｗｔ％以下とすることが望ましい。 Ｃｒ：鉄損を増大させる傾向があり、０．０３ｗｔ％以
下とすることが好ましい。 Ｎｉ：磁気特性を著しく悪化させるため、極力低減させ
ることが好ましく、０．０１ｗｔ％以下とすることが好
ましい。

【００２７】Ａｌ：従来の珪素鋼板では、Ａｌの電気抵
抗を高める効果と展延性の改善効果とを利用して、Ｓｉ
の一部をＡｌで置き換える方法を採っている。例えば、
４ｗｔ％Ｓｉとする代わりに、Ｓｉを３ｗｔ％、Ａｌを
１ｗｔ％とし、加工性を維持させる配慮がなされてい
る。本発明法では、Ｓｉ含有量を６．５ｗｔ％以上とで
きるため、磁性改善のために新たにＡｌを添加する必要
はなく、溶製段階における脱酸促進および展延性の改善
という観点から、０．５ｗｔ％以下とすることが好まし
い。

【００２８】また、Ｓｉの拡散処理をＡｒ、Ｈｅ、Ｈ₂
などの無酸化性雰囲気中で行う場合には、Ａｌが上記の
量程度含まれていても特に問題はない。しかしながら、
Ｎ₂を含んだ雰囲気中で処理を行う場合には、高温処理
のためＡｌが窒化し、冷却条件が適切でない場合には、
その冷却過程において磁気特性に有害なＡｌＮが析出す
る。したがって、Ｎ₂を含んだ雰囲気中で処理を行う場
合には、ＡｌＮの析出を極力防止する観点から、Ａｌは
８０ｐｐｍ以下とすることが好ましい。

【００２９】また、以上のような元素の他に、下記のよ
うな目的で他の元素を添加しても本発明の効果を損なう
ものではない。 ・結晶粒成長抑制元素：Ｓｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｂ、
Ｔｅ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ等 ・結晶方位改善元素：Ｂ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ等 ・機械特性改善元素 加工性改善：Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ等 強度改善 ：Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｚｒ、Ｈｆ等

【００３０】

【実施例】

〔実施例１〕図１１に示すような水平パスの製造ライン
において、図１２に示すようなセラミック製円筒パイプ
（８０ｍｍφ）に５ｍｍ幅のスリットを開けたスリット
ノズルを、パスラインの上下にパスライン方向で４列組
込んだ浸珪処理炉を用い、高珪素鋼帯の製造試験を行な
った。この試験では〔ノズルスリット長〕／〔鋼帯幅〕
の比を１．２とし、また、スリットノズルへのガスの供
給は、ノズル片側端部から行うとともに、パスライン方
向でノズル毎に交互に異なる端部側から行った。また、
浸珪処理は、鋼帯の一方のエッジ部が、各ノズルスリッ
トのガス供給側端部位置を通過するようにして行った。
素材鋼帯としては、板厚０．１ｍｍ×板幅２００ｍｍ、
板厚０．３ｍｍ×板幅２００ｍｍ、および板厚０．３ｍ
ｍ×板幅３６０ｍｍの３％Ｓｉ鋼帯を用い、浸珪処理に
より６．５％Ｓｉ鋼帯とした。

【００３１】他の製造条件は以下の通りである。 反応ガス ： 四塩化珪素と窒素との混合ガス
（四塩化珪素濃度５〜１５vol％） ノズル１本当りのガス流量： １．５〜２．５Ｎｍ³／ｈ 反応ガス吹出流速 ： ２〜４ｍ／ｓ 反応ガス吹付角度 ： 鋼帯に対して垂直もしくは垂直か
ら３０°の傾き 製造された高珪素鋼帯の板幅方向におけるＳｉ量の分布
を図１３ないし図１５に示す。

【００３２】また、比較のためスリット長さが５００ｍ
ｍのスリットノズルを上記試験と同一の条件で使用し、
板厚０．３ｍｍ×板幅２００ｍｍおよび板厚０．３ｍｍ
×板幅３６０ｍｍの３％Ｓｉ鋼帯を素材鋼帯とする５．
５〜６．５％Ｓｉ鋼帯の製造試験を行った。この試験で
は鋼帯のセンタとノズルスリットのセンタをほぼ一致さ
せ浸珪処理を行った。〔ノズルスリット長〕／〔鋼帯
幅〕の比は、板幅２００ｍｍ材で２．５、板幅３６０ｍ
ｍ材で１．３９であった。製造された高珪素鋼帯の板幅
方向におけるＳｉ量の分布を図１６に示す。

【００３３】以上の結果からも明らかなように、図１３
ないし図１５に示される本発明法により得られた鋼帯
は、板幅方向におけるＳｉ量の変動が±０．１ｗｔ％以
下に抑えられている。これに対し、図１６に示される比
較例のものは、板幅方向でのＳｉ量の変動が±０．３ｗ
ｔ％以上もあり、板幅方向で均一なＳｉ量が得られてい
ない。

【００３４】なお、浸珪処理の反応ガスとしては、通
常、四塩化珪素と不活性ガス（Ｎ₂、Ａｒ等）との混合
ガスが用いられるが、Ｓｉ化合物は上記四塩化珪素に限
定されるものではない。

【００３５】〔実施例２〕図１１に示すような水平パス
の製造ラインにおいて、図１２に示すようなセラミック
製円筒パイプに５ｍｍ幅のスリットを開けたスリットノ
ズルを、パスライン上下にパスライン方向で８列組み込
んだ浸珪処理炉を用い、高珪素鋼帯の製造試験を行っ
た。この試験では〔ノズルスリット長〕／〔鋼帯幅〕の
比を１．２とし、また、スリットノズルへのガスの供給
は、ノズル片側端部から行うとともに、パスライン方向
でノズル毎に交互に異なる端部側から行った。また、浸
珪処理は、鋼帯の一方のエッジ部が、各ノズルスリット
のガス供給側端部位置を通過するようにして行った。素
材鋼帯としては、板厚０．１ｍｍ×板幅２００ｍｍ、板
厚０．１ｍｍ×板幅３６０ｍｍ、および板厚０．３ｍｍ
×板幅３６０ｍｍの３％Ｓｉ鋼帯を用い、浸珪処理によ
り６．５％Ｓｉ鋼板とした。なお他の製造条件は実施例
１と同様である。

【００３６】製造された高珪素鋼帯の板幅方向における
Ｓｉ量の分布を図１７ないし図１９に示す。本発明の条
件で浸珪処理を行うことにより、Ｓｉ量の変動が最大で
も±０．０７％程度に抑えられていることが判る。

【００３７】〔実施例３〕図１１に示すような水平パス
の製造ラインにおいて、図１２に示すようなセラミック
製円筒パイプに５ｍｍ幅のスリットを開けたスリットノ
ズルを、パスライン上下にパスライン方向で４列組み込
んだ浸珪処理炉を用い、高珪素鋼帯の製造試験を行っ
た。この製造試験では、板厚０．３ｍｍ×板幅３００ｍ
ｍの３％Ｓｉ鋼帯を素材鋼帯とし、６．５％Ｓｉ鋼板を
製造したが、その際、スリットノズルのスリット長さを
２８０〜４５０ｍｍの範囲で変え、それぞれについての
板幅方向でのＳｉ量の変動を調べた。なお、上記各実施
例と同様、スリットノズルへのガスの供給は、ノズル片
側端部から行うとともに、パスライン方向でノズル毎に
交互に異なる端部側から行った。また、浸珪処理は鋼帯
の一方のエッジ部が、各ノズルスリットのガス供給側端
部位置を通過するようにして行った。他の製造条件は実
施例１と同様である。

【００３８】図２０は製造された高珪素鋼帯の板幅方向
におけるＳｉ量変動幅を〔ノズルスリット長〕／〔鋼帯
幅〕で整理して示したものである。これによれば〔ノズ
ルスリット長〕／〔鋼帯幅〕が１．０５〜１．４、好ま
しくは１．１〜１．２５の範囲で、幅方向のＳｉ量が非
常に均一な高珪素鋼帯を製造できることが判る。

【００３９】

【発明の効果】以上述べた本発明によれば、連続ライン
による鋼帯の連続浸珪処理により、板幅方向におけるＳ
ｉ量分布が均一でかつ板形状が良好な高珪素鋼板を安定
して製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明法で使用される上下１対のスリットノズ
ルを示す斜視図

【図２】図１に示されるスリットノズルの断面図

【図３】スリットノズルから供給されるガスの速度比お
よび吹出方向を示す説明図

【図４】１本のスリットノズルにより浸珪処理された鋼
帯の幅方向Ｓｉ量分布を示すグラフ

【図５】本発明法の実施に供されるスリットノズルの配
置およびガス供給方向を示す平面図

【図６】図５に示されるスリットノズル群の断面図

【図７】〔ノズルスリット長〕／〔鋼帯幅〕と鋼帯幅方
向のＳｉ量変動幅との関係を示すグラフ

【図８】鋼帯に対する上下スリットノズルからのガス吹
付状況を示す説明図

【図９】高珪素鋼板の不純物元素含有量が鉄損に及ぼす
影響を示すグラフ

【図１０】高珪素鋼板の〔炭素含有量−酸素含有量〕が
鉄損に及ぼす影響を示すグラフ

【図１１】実施例において用いられた連続製造ラインを
示す説明図

【図１２】実施例において用いられたスリットノズルの
形状を示す説明図

【図１３】実施例１において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるＳｉ量の変動を示すグラフ

【図１４】実施例１において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるＳｉ量の変動を示すグラフ

【図１５】実施例１において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるＳｉ量の変動を示すグラフ

【図１６】実施例１において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるＳｉ量の変動を示すグラフ

【図１７】実施例２において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるＳｉ量の変動を示すグラフ

【図１８】実施例２において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるＳｉ量の変動を示すグラフ

【図１９】実施例２において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるＳｉ量の変動を示すグラフ

【図２０】実施例３における〔ノズルスリット長〕／
〔鋼帯幅〕と製造された高珪素鋼帯の幅方向でのＳｉ量
変動幅との関係を示すグラフ

【符号の説明】

１…スリットノズル、２…ノズルスリット、２１，２２
…スリット端

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反応炉内で鋼帯にその表面からＳｉを浸
   透させる浸珪処理を施し、このＳｉを板厚方向に拡散さ
   せることにより高珪素鋼帯を製造する方法において、
   〔ノズルスリット長〕／〔鋼帯幅〕：１．０５〜１．４
   のスリットノズルを鋼帯の表裏面に対向して炉長手方向
   に間隔をおいて複数配し、反応ガスを個々のスリットノ
   ズルに対しその片側端部から供給するとともに、炉長手
   方向で間隔をおいて配された複数のスリットノズルにつ
   いて交互に異なる端部側から前記反応ガスを供給し、該
   各スリットノズルに対し、鋼帯の一方のエッジ部がガス
   供給側のスリット端と該スリット端からスリット他端方
   向に鋼帯幅の５％に相当する距離をおいた位置との間を
   通過するよう鋼帯を通板させ、前記各スリットノズルか
   ら鋼帯の表裏面に反応ガスを吹き付けることを特徴とす
   る連続ラインにおける高珪素鋼帯の製造方法。