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JP2605382B2 - アクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents

アクティブマトリクス基板の製造方法

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JP2605382B2
JP2605382B2 JP26306388A JP26306388A JP2605382B2 JP 2605382 B2 JP2605382 B2 JP 2605382B2 JP 26306388 A JP26306388 A JP 26306388A JP 26306388 A JP26306388 A JP 26306388A JP 2605382 B2 JP2605382 B2 JP 2605382B2
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electrode
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淳 杉山
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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、２つの端子間に非線形導電体が挟持された
２端子アクティブ素子が形成されるアクティブマトリク
ス基板の製造方法に関する。
［従来の技術］ アクティブマトリクス型の電気光学装置用のアクティ
ブ素子としては、２端子型、３端子型ともいろいろなも
のが考案されている。なかでも２端子型のアクティブ素
子は、３端子型のものと比較して構造が単純となり製造
工程が簡単なため、より低価格なアクティブ素子として
アクティブマトリクス型電気光学装置に用いることが可
能である。２端子型のなかでも、第１導電体−非線形な
電気伝導の誘起層−第２導電体型の構造を持つものは最
も単純な構造でアクティブ素子を構成できる。
従来は第１、第２導電体とも金属を用い、非線形電気
伝導誘起層に絶縁体薄膜を用いているため、通常前記構
造をMIM（Metal−Insulator−Metal）構造と呼び、MIM
構造を持つ素子はMIM素子と呼ばれている。
本明細書では以下、特に定めたとき以外は用語「MI
M」は、第１導電体−非線形電気伝導誘起層−第２導電
体の構造をあらわし、第１、第２導電体および非線形電
気伝導誘起層の材料の種類や特性は限定しないこととす
る。また、用語「MIM素子」はMIM構造を持つアクティブ
素子をあらわすこととする。
MIM素子を用いた液晶電気光学装置は公知であり、例
えば特公昭55−161273号公報に原理や効果、製造方法等
が記載されている。
第２図は、MIM素子を用いた電気光学装置における１
画素分の等価回路を示す、CMIMおよびRMIMはそれぞれMI
M素子の静電容量および非線形抵抗分を示す。また、CD
およびRDはそれぞれ画素部分の液晶の持つ静電容量およ
び抵抗分を示す。
［発明が解決しようとする課題］ アクティブ素子にMIM素子を用いた電気光学装置にお
いては、MIM素子自身が持つ電気伝導の非線形性を十分
に活用するために、MIM素子の持つ静電容量CMIMと画素
部分の電気光学素子の持つ静電容量CDの関係を現わすパ
ラメータである容量比Ｒ（＝CD/CMIM）を５以上、より
望ましくは10以上と大きくする、すなわち素子の静電容
量を小さくする必要がある。しかし、従来のMIM素子に
おける非線形な電気伝導の誘起層としては絶縁膜として
金属タンタルを陽極酸化して形成した五酸化タンタルの
膜を用いている。この五酸化タンタルの陽極酸化膜は比
誘電率が約20と大きく、かつその製造法から膜の厚みを
あまり大きくできないので、MIM素子の静電容量を小さ
くするためにはMIM素子の面積を非常に小さくする必要
があった。そのため、大面積の基板上に非常に微細なパ
ターンのフォトリソグラフィーを行なったり、第１導電
体である金属電極の側面部のみを用いるなどの比較的高
度な手法を取る必要があり、歩留まりの低下、製造装置
価格の上昇、製造工程の増加などにより製造コストが高
くなるという欠点があった。また、電気伝導の非線形性
は通常光学的誘電率の1/2乗に比例するため、この点か
らも誘電率の大きい材料は不利となっており、従来のMI
M素子を液晶電気光学素子に応用しても、実用上は1/500
Duty駆動程度が限界となっていた。
そこで本発明では、非線形な電気伝導の誘起層を改善
し、製造方法を簡素化した、安価でかつ高性能なアクテ
ィブ素子と、該アクティブ素子を用いた安価で高性能な
電気光学装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明の第１のアクティブマトリクス基板の製造方法
は、信号電極とマトリクス状の画素とが、２つの端子間
に非線形伝導層が挟持された２端子アクティブ素子を介
して電気的に接続されてなるアクティブマトリクス基板
の製造方法であって、基板上に第１導電層を堆積する工
程と、前記第１導電層をフォトエッチングして、前記信
号電極と、前記２端子アクティブ素子の一方の端子とを
形成する工程と、前記基板上に前記マトリクス状の画素
電極を形成する工程と、前記第１導電層を電極として用
いた電界重合法により、前記第１導電層上に非線形伝導
層を形成する工程と、前記第１導電層、前記画素電極、
前記非線形伝導層の形成された前記一方の基板上に第２
導電層を堆積する工程と、前記第２導電層をフォトエッ
チングして、前記２端子アクティブ素子の他方の端子を
形成する工程とを有することを特徴とする。
また、本発明第２のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、信号電極とマトリクス状の画素とが、２つの端
子間に非線形伝導層が挟持された２端子アクティブ素子
を介して電気的に接続されてなるアクティブマトリクス
基板の製造方法であって、基板上に第１導電層を堆積す
る工程と、前記第１導電層上に第２導電層を堆積する工
程と、前記第１導電層及び前記第２導電層をフォトエッ
チングして、前記信号電極と、前記２端子アクティブ素
子の一方の端子と、前記マトリクス状の画素電極の形状
に加工する工程と、前記第１導電層及び第２導電層を電
極として用いた電界重合法により、前記第１導電層上に
非線形伝導層を形成する工程と、前記第１導電層、前記
第２導電層、前記非線形伝導層の形成された前記一方の
基板上に第３導電層を堆積する工程と、フォトエッチン
グにより、前記第３導電層の形状を加工して前記２端子
アクティブ素子の他方の端子を形成し、同時に前記画素
電極の形状に加工された前記第１導電層上の前記第２導
電層を除去する工程と２端子アクティブ素子の他方の端
子を形成する工程とを有することを特徴とする。
［実施例］ 以下、参考例、比較例、及び実施例に基づいて本発明
の詳細を説明する。
参考例 ソーダガラスを基材とする透明基体上にニッケルを50
0nmの厚さに蒸着してからフォトエッチングを行ない、2
20本の基板外部と電気的接続をとる端子部と、MIM素子
用の信号線およびMIM素子の第１の端子（８μｍ幅）を
兼ねる形状にパターン形成した（→第１図（ａ））。次
に、ITO（Indium−Tin Oxide）を30nmの厚さにスパッタ
リングし、フォトエッチングによって230×210μｍの大
きさにパターン形成し、320×220個の透明画素電極を形
成し、アクティブ素子基板作製用の元基板とした（→第
１図（ｂ））。以下の実施例では、特に断わらないかぎ
り、このようにして電極形成した基板を元基板として用
いることとする。
この元基板に対し、比誘電率4.2、比抵抗2.6×1012Ω
・cmの感光性ポリイミドPI−400（宇部興産製）をスピ
ンコート法によって塗布して30nmの膜を形成した（→第
１図（ｃ））。
その後、メーカー指定の方法によりポリイミドのフォ
トエッチングを行なって画素電極のITOと第２導電層が
接続される部分に相当する有機膜を除去し、画素電極と
第２導電層を電気的に接続できるようにした（→第１図
（ｄ））。有機膜をスピンコート法で形成したため、膜
厚の均一化とピンホールなどの欠陥発生を抑制のために
は、スピンコート条件を厳密に制御しなければならなか
った。
さらにニッケルを100nm蒸着し、フォトエッチングに
よって８μｍ幅でMIM素子の第２の端子を形成し、第１
の端子と第２の端子の重なり部分が８μｍ角のMIM素子
を作製し、アクティブ素子基板を形成した（→第１図
（ｅ））。
上記のような製造工程によると、アクティブ素子基板
は第１導電体、画素電極、非線形電気伝導層、第２導電
体と４回のフォトエッチング工程を必要とする。
MIM素子の電圧−電流特性を測定したところ、MIM素子
の電気電動の理論式の１つであるPoole−Frenkel式 Ｉ＝κ・Ｖ・exp（β・Ｖ1/2） における電気伝導の非線形性をあらわす指数βの値は5.
1を示した。また、MIM素子部の静電容量CMIMは3.7×10
-14（Ｆ）となった。
このようにして形成したアクティブ素子基板と、320
本のストライプ状対向電極を設けた対向基板に、液晶パ
ネル作製の常法に則って配向処理を行なってから、６μ
ｍのセル間隔を持ちツイスト角を約90度としたTN（Twis
ted Nematic）型液晶パネルを作製して、アクティブマ
トリクス型液晶電気光学装置とした。容量比Ｒは約７と
なった。この液晶パネルを、通常の単純マトリクス型液
晶パネルと同様の駆動波形を用い、1/7のバイアス比、1
/220デューティ比で駆動したところ、スタチック駆動し
た場合に匹敵する1:50以上のコントラスト比が得られ、
コントラスト比1:10以上の視野角も上下15度、左右45度
以上あった。また、最高1/800以上のデューティ比でも
1:10以上という実用的なコントラスト比で動作させるこ
とが可能となった。
実施例１ 単量体を電気化学的に電極表面上で電解酸化あるいは
電解還元して重合反応を生じさせ有機高分子薄膜を形成
する電解重合法は公知であり、例えば、「化学工業」誌
第44巻第６号462〜472ページに記載されており、種々の
方法を用いて各種単量体による、種々の特性を持った重
合薄膜を得ることができる。
本実施例では例えば、参考例と同様にしてアクティブ
素子基板作製用の元基板を作製した（→第３図
（ａ））。次に、アニリンのアセトニトリル溶液（0.2
M）に、支持電解質として過塩素酸ナトリウム（0.5M）
と、ピリジン（0.1M）を添加したものを電解液とし、こ
の電解液中に浸漬した飽和カロメル電極（Saturated Ca
lomel Electrode:SCB）基準で、最終電圧1.1Vの電位を
第１導電体に対して10分間印加して電解酸化重合を行な
うと、約50nmのポリアニリン重合膜を非線形伝導層とし
て形成できた（→第３図（ｂ））。
本実施例に用いた電解重合法などの電気化学的手法で
は、膜は通電された第１導電体上のみに選択形成が可能
であり、参考例における画素電極上の有機膜除去は不要
となるので、フォトエッチング工程を１工程省略するこ
とが可能となる。また、通電電荷量などの条件を同一に
すれば膜厚や電気伝導性などの特性が再現性よく均一に
なるのも電気化学的手法による膜形成の特徴である。
次に、MIMの第２の端子となるニッケルを100nmの厚さ
に堆積し、フォトパターニングを行なって８μｍ角のMI
M素子を形成してアクティブ素子基板とした（→第３図
（ｃ））。フォトエッチング工程の数は３回である。
Poole−Frenkel式における電気伝導の非線形性をあら
わす指数βの値は3.8、MIM素子部の静電容量CMIMは4.5
×10-14Fとなった。
このアクティブ素子基板を用いて参考例と同様の液晶
パネルを作製すると、容量比は約10となり、1/7のバイ
アス比、1/220のデューティ比の駆動条件で1:20程度の
コントラスト比を示すものが得られた。
比較例 アクティブ素子の無い220本のストライプ状電極基板
を、実施例１で作製したアクティブ素子基板のかわりに
用いて、実施例１と同様の液晶配向条件で単純マトリク
ス型液晶パネルを作製した。このパネルに対してバイア
ス比を最適化して駆動を行なっても、コントラスト比は
1:3以下しかなく、コントラスト比1:2以上の視野角も上
下５度、左右８度程度しかなかった。
さらに比較のため、従来のように陽極酸化により約50
nmの厚さの五酸化タンタル絶縁膜を形成してMIM素子を
作製したが、実施例１と同様の８μｍ角の素子では、静
電容量が2.3×10-13Fと大きくなるため容量比Ｒは約２
にしかならない。このため、このアクティブ素子を用い
た液晶パネルの駆動には、非選択時の印加電圧にバイア
スを加えるなど特殊な駆動方法を用いないと、液晶電気
光学装置としての性能が単純マトリクス型液晶パネルに
対して優位にならない。前記の特殊な駆動法を用いた場
合には、コントラスト比は1:15程度、コントラスト比1:
10の視野角も上下10度、左右25度程度となる。また、MI
M素子寸法を５μｍ角とすれば、容量比Ｒが約５となり
通常の単純マトリクス型液晶パネルと同様の駆動波形で
も、液晶電気光学装置としての性能を向上させることが
可能で、コントラスト比は1:20程度となった。
実施例２ ソーダガラスを基材とする透明基体上にITOを150nm厚
にスパッタリングし、基板外部と電気的接続をとる端子
部、MIM素子の第１導電体、MIM素子への220本の信号
線、220×320ドットの画素電極のパターン形状にITOの
フォトエッチングを行ない、アクティブ素子基板用の元
基板とした。
この基板を用い、ベンゼン−HFの２層溶液中でベンゼ
ンの電解酸化重合によってポリパラフェニレン膜の形成
を行なってから、第２導電体と電気光学装置の画素電極
用にITOを堆積し、フォトエッチングによってMIM素子を
形成し、アクティブ素子基板とした。
本実施例のように第１導電体に酸化物導電性材料を用
いれば、酸に対する溶解耐性が高いため酸性の電解質を
用いやすくなり、金、白金などの高価な金属を用いずと
も、有機膜の形成時における導電体の溶出を防ぐ効果が
ある。なお、基板の大型化にともなって増加する信号線
の抵抗を低下させるために金属補助配線を用いるが、本
発明によれば酸化物導電体によって完全に覆われるた
め、用いる金属は酸化物導電体と電気的接続がとれるも
のであれば酸に対する溶解耐性の低い金属を用いること
も可能である。
実施例３ 実施例１と同様にして、MIM素子の非線形電気伝導誘
起層として用いるポリアニリン重合膜を形成した。ポリ
アニリン膜の厚さを20nm、MIM素子の寸法を５μｍ角と
してアクティブ素子基板を形成し、液晶パネルを作製し
た。
電解重合法では形成途中の膜の欠陥に対して、優先的
に電流が流れて、欠陥を救済するように膜形成が進むた
め、薄膜の膜厚を薄くしても欠陥がほとんど発生しない
特徴がある。本実施例のように20nm程度の非常に薄い膜
厚でも欠陥の発生はほとんど見られず、無欠陥のアクテ
ィブ素子基板を得ることができた。
MIM素子の静電容量は4.4×10-14（Ｆ）であり、容量
比Ｒは約10となった。一方、Poole−Frenkel式における
電気伝導の非線形性をあらわす指数βの値は5.9とな
り、電気伝導の非線形性が向上するため、TN型液晶パネ
ルでも1/1000のデューティ比における駆動で1:50以上の
コントラスト比を得ることが可能となった。
実施例４ 実施例１と同様の元基板を用い、水酸化ナトリウムの
0.3Mメタノール溶液に、単量体として２、６−ジメチル
フェノールを50mMとなるように加えたものを電解液とし
て、SCE基準で最終電圧0.5ボルトとなるように通電し
て、電解酸化重合を行なった。素子サイズ５μｍ角、膜
厚約15nmで、前述のPoole−Frenkel式における電気伝導
の非線形性をあらわす指数βの値は7.8となり、電気伝
導の非線形性が非常に向上した。
このアクティブ素子基板を用いて作製した実施例２と
同様の電気光学装置では、容量比が約９となり、デュー
ティ比1/1600以上でも1:30以上のコントラスト比を維持
することが可能であった。
実施例５ ソーダガラスを基材とする透明基体上にニッケルを50
0nmの厚さに蒸着し、400本の基板外部と電気的接続をと
る端子部、信号線およびMIM素子の第１導電体を兼ねる
形状にパターン形成してから、ITOを30nmの厚さにスパ
ッタリングし、280×310μｍの大きさにパターン形成
し、400×640個の画素電極として、アクティブ素子基板
作製用の元基板とした。この基板を、水酸化ナトリウム
（0.15M）を支持電解質とした、2,6−キシレノール（0.
2M）のメタノール溶液を電解液とし、電解液中に浸漬し
た飽和カロメル電極に対し0.5Vの電位をニッケルに20分
間印加して電解酸化重合を行ない、約40nmの厚さのポリ
（フェニレンオキシド）重合膜を形成した。次に、ニッ
ケルを100nm厚に蒸着し、パターン形成を行なって10μ
ｍ角のMIM素子を形成しアクティブ素子基板とした。こ
のアクティブ素子基板と、640本のストライプ状対向電
極を設けた対向基板を用い、６μｍの間隔を持ち、上下
基板の配向方向を約90度ツイストさせたTN液晶パネルと
した。
Poole−Frenkel式における電気伝導の非線形性をあら
わす指数βの値は4.0を示し、MIM素子部の静電容量CMIM
は8.9×10-14（Ｆ）であり、容量比Ｒは約９であった。
この液晶パネルの1/400のデューティ比における駆動
では、1:30以上のコントラスト比が得られた。
実施例６ ソーダガラスを基材とするガラス基板上に、スパッタ
リングによって第１導電層として30nm厚のITO薄膜およ
び第２導電層として500nm厚のクロムを連続して形成
し、ITO/クロムの積層膜とした。次に、基板外部と電気
的接続をとる端子部、MIM素子の第１の端子、MIM素子へ
の400本の信号線、400×640ドットの画素電極のパター
ン形状にクロムのフォトエッチングを行なってから、レ
ジストを除去せずにそのままITOのフォトエッチングを
行ない、アクティブ素子基板の元基板とした（→第４図
（ａ））。
以上のような元基板の作製方法によって、フォトエッ
チングの工程は１つ減らすことができる。ただし、次工
程の非線形伝導層を選択的に形成しないと、そのパター
ニング工程が増え、工程の減少にならない。
次に、この元基板を過塩素酸ナトリウム（0.5M）を支
持電解質とし、ピリジン（0.1M）を添加したアニリン
（0.2M）のアセトニトリル溶液を電解液中に浸漬し、電
解液中のSCEに対して1.1Vの電位を10分間印加して電解
酸化重合を行って、第１導電層上に非線形伝導層として
約50nmの厚さのポリアニリン重合膜を選択形成した（→
第４図（ｂ））。
さらに、MIM素子の第２の端子となる100nmのクロムを
形成した後、フォトエッチングによって実施例３と同様
の形状にパターニングし、MIM素子を形成した。同時
に、画素電極上に残った第２導電層のクロムは除去さ
れ、アクティブ素子基板が完成した（→第４図
（ｃ））。
有機膜に被覆されていない第１導電体を端子部にも用
いる場合には、最後のフォトエッチング時に部分的にレ
ジスト皮膜などで保護しておいたほうが良い。
以上のような工程により、電気光学素子用の画素用透
明電極も含め、２枚のマスクによる２回のフォトパター
ニング、および３回のエッチング工程でアクティブ素子
基板を作製することが可能となる。従って工程数の減少
により、アクティブ素子不良率の低下や、価格の低下が
可能となる。
また、本実施例のようなアクティブ素子構成をとるこ
とにより、例えば第２導電体と画素電極がアルミニウム
とITOのように電気的コンタクトがとれない場合にも、
工程数を増加させることなく相互に電気的コンタクトを
とるものを第１導電体に用いれば、第２導電体と画素電
極の接続層を形成することが可能となる。
このアクティブ素子基板を用いて、実施例３と同様の
液晶電気光学装置を作製した場合にも、同様にコントラ
スト比や視野角などの電気光学特性が向上したものが得
られることを確認した。
以上実施例で述べた非線形伝導層を構成する有機膜
は、いずれも比誘電率が３から４程度と小さく、従来の
陽極酸化法による五酸化タンタル膜に比べて1/5以下で
ある。このため有機膜を用いた場合には、同一寸法での
静電容量が1/5以下の非常に小さな値となる。従って、
五酸化タンタル膜によるMIM素子と同一静電容量とする
場合には、膜厚が同一で５倍以上の面積の素子を作り込
めばよく、フォトエッチングのパターン精度がラフでも
よくなり、歩留まりが向上し、アクティブ素子基板の低
価格化に効果がある。
また、有機薄膜によるMIM素子を五酸化タンタル膜に
よるMIM素子と同一寸法にした場合には、同一静電容量
とするのに膜厚を1/5以下にすることが可能となる。MIM
素子の非線形性が向上し、電気光学装置の特性を向上さ
せることが可能になる。
なお、単量体としては上記実施例以外にも種々のもの
を用いることが可能であり特性に変化を付けられる。例
えば、実施例で用いたアニリン以外でもアミノ基を１つ
以上もつ芳香族化合物とその誘導体や、実施例で用いた
2,6−キシレノール以外のフェノール誘導体、ピロー
ル、チオフェン、フランなどの複素環式化合物、ベンゼ
ン、アズレン、ビレンなどの縮合芳香族多核炭化水素お
よびその誘導体、ビニルピリジンなどのビニル化合物と
その誘導体、アセチレンおよびその誘導体などを用いる
ことが可能である。また、電解重合条件によって特性を
変化させることも可能である。
さらに、上記実施例では非線形な電気伝導を行なう素
子の第１および第２導電体としては金属であるクロムも
しくはニッケルのみを例示してあるが、それ以外にもイ
ンジウム、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、鉄、マ
ンガン、ニッケル、コバルト、タンタル、タングステ
ン、モリブデン、チタン、鉛、銅、銀、金、白金、ロジ
ウム、パラジウムなどの種々の金属を単独、あるいはこ
れらの金属相互または他の金属との合金として用いるこ
とができる。金属による導電層の形成法としては、真空
蒸着かスパッタリングが一般的であるが、必ずしもこれ
らの方法には限らない。また、半導体や酸化物導電体、
有機導電体などでも、アクティブ素子を動作させるのに
不都合なほど抵抗値が高くなければ、自由に用いること
ができることは自明である。
また、上記実施例では電気光学装置としてはTN型の液
晶素子との組合せによるもののみしか示さなかったが、
電圧印加によってその光学的な特性に変化を生じるもの
全てに適用できることは自明である。例えば液晶電気光
学素子では、ゲスト−ホストモード、相転移モード、マ
イクロカプセルによる散乱モード、スーパーツイスト複
屈折モード、電界制御複屈折モードや強誘電性液晶を用
いたモードなどと組み合わせることが可能である。ま
た、エレクトロクロミック素子や電気泳動法による光学
素子によって液晶電気光学素子と同様に透過率や反射率
を変化させるものや、エレクトロルミネッセンス素子、
プラズマディスプレイ素子の様に自発光するものなどと
組み合わせることも考えられる。
用途としても、電気光学素子の用いることのできるも
のに応用することを妨げる要因はなく、キャラクターデ
ィスプレイ、グラフィックディスプレイ、動画表示用デ
ィスプレイ、光シャッターなどとして用いることができ
る。
［発明の効果］ 以上述べたように、本発明のアクティブマトリクス基
板の製造方法によれば、２つの端子間に非線形伝導層が
挟持された２端子アクティブ素子の有機薄膜を電界重合
法で形成することにより、導電性の電極上に数nm〜数μ
ｍの膜厚で均一な有機薄膜を再現性良く得ることがで
き、また、単量体あるいは電解条件などを変えることに
よって薄膜の性質を容易に制御することができる。よっ
て、広い面積にわたって特性のばらつきの少ない２端子
アクティブ素子が歩留まりよく形成することができる。
また、本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法
によれば、アクティブマトリクス型電気光学装置を作製
するプロセスを簡素化する事が可能となり、最低２回な
いし３回のフォトエッチングによってアクティブ素子基
板を形成することが可能となるため、歩留まりの向上、
価格の低下に効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のに参考例おけるアクティブ素子基板の
形成法、およびアクティブ素子の構造をあらわす図で、
（a1），（b4），（ｃ），（d1），（e1）は各々画素電
極の中央に相当する部分の断面図、（a2），（b2），
（d2），（e2）は各々（a1），（b1），（d1），（e1）
に対応する平面図である。 第２図は１画素分の等価回路を示す図である。 第３図は実施例１におけるアクティブ素子基板の形成法
およびアクティブ素子の構造をあらわす図で、（a1），
（b1），（c1）は各々画素電極の中央に相当する部分の
断面図、（a2），（b2），（c2）は各々（a1），
（b1），（c1）に対応する平面図である。 第４図は実施例６におけるアクティブ素子基板の形成法
およびアクティブ素子の構造をあらわす図で、（a1），
（b1），（c1）は各々画素電極の中央に相当する部分の
断面図、（a2），（b2），（c2）は各々（a1），
（b1），（c1）に対応する平面図である。 101,301,401……基板 102,302……第１導電体 103,303,403……画素電極 104,304,404……非線形電気伝導層 105,305,405……第２導電体 402……第１導電性薄膜 406……第２導電性薄膜

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】信号電極とマトリクス状の画素とが、２つ
    の端子間に非線形伝導層が挟持された２端子アクティブ
    素子を介して電気的に接続されてなるアクティブマトリ
    クス基板の製造方法であって、 基板上に第１導電層を堆積する工程と、 前記第１導電層をフォトエッチングして、前記信号電極
    と、前記２端子アクティブ素子の一方の端子とを形成す
    る工程と、 前記基板上に前記マトリクス状の画素電極を形成する工
    程と、 前記第１導電層を電極として用いた電界重合法により、
    前記第１導電層上に非線形伝導層を形成する工程と、 前記第１導電層、前記画素電極、前記非線形伝導層の形
    成された前記一方の基板上に第２導電層を堆積する工程
    と、 前記第２導電層をフォトエッチングして、前記２端子ア
    クティブ素子の他方の端子を形成する工程と を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の
    製造方法。
  2. 【請求項２】信号電極とマトリクス状の画素とが、２つ
    の端子間に非線形伝導層が挟持された２端子アクティブ
    素子を介して電気的に接続されてなるアクティブマトリ
    クス基板の製造方法であって、 基板上に第１導電層を堆積する工程と、 前記第１導電層をフォトエッチングして、前記信号電極
    と前記２端子アクティブ素子の一方の端子と前記マトリ
    クス状の画素電極とを形成する工程と、 前記第１導電層を電極として用いた電界重合法により、
    前記第１導電層上に非線形伝導層を形成する工程と、 前記第１導電層、前記画素電極、前記非線形伝導層の形
    成された前記一方の基板上に第２導電層を堆積する工程
    と、 前記第２導電層をフォトエッチングして、前記２端子ア
    クティブ素子の他方の端子を形成する工程と を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の
    製造方法。
  3. 【請求項３】信号電極とマトリクス状の画素とが、２つ
    の端子間に非線形伝導層が挟持された２端子アクティブ
    素子を介して電気的に接続されてなるアクティブマトリ
    クス基板の製造方法であって、 基板上に第１導電層を堆積する工程と、 前記第１導電層上に第２導電層を堆積する工程と、 前記第１導電層及び前記第２導電層をフォトエッチング
    して、前記信号電極と、前記２端子アクティブ素子の一
    方の端子と、前記マトリクス状の画素電極の形状に加工
    する工程と、 前記第１導電層及び第２導電層を電極として用いた電界
    重合法により、前記第１導電層上に非線形伝導層を形成
    する工程と、 前記第１導電層、前記第２導電層、前記非線形伝導層の
    形成された前記一方の基板上に第３導電層を堆積する工
    程と、 フォトエッチングにより、前記第３導電層の形状を加工
    して前記２端子アクティブ素子の他方の端子を形成し、
    同時に前記画素電極の形状に加工された前記第１導電層
    上の前記第２導電層を除去する工程と ２端子アクティブ素子の他方の端子を形成する工程と を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の
    製造方法。
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