JP2589408B2 - レジスト用現像液組成物 - Google Patents
レジスト用現像液組成物Info
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- JP2589408B2 JP2589408B2 JP2329489A JP32948990A JP2589408B2 JP 2589408 B2 JP2589408 B2 JP 2589408B2 JP 2329489 A JP2329489 A JP 2329489A JP 32948990 A JP32948990 A JP 32948990A JP 2589408 B2 JP2589408 B2 JP 2589408B2
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- Japan
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- resist
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- ammonium
- sulfonate
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規なレジスト用現像液組成物、さらに詳し
くは、特にレジストパターンの微細部分において薄膜残
りやスカムのない良好なパターンを形成させることがで
き、かつ微細なスルホールの解像性を向上させるととも
に、レジストパターンの耐熱性を低下させることのない
実用的なレジスト用現像液組成物に関するものである。
くは、特にレジストパターンの微細部分において薄膜残
りやスカムのない良好なパターンを形成させることがで
き、かつ微細なスルホールの解像性を向上させるととも
に、レジストパターンの耐熱性を低下させることのない
実用的なレジスト用現像液組成物に関するものである。
従来の技術 従来、半導体集積回路素子、集積回路製造用マスク、
プリント配線板、印刷板などの製造において、下地基板
に対して例えばエッチングや拡散などの処理を施すに際
し、基板を選択的に保護する目的で、紫外線、Ｘ線、電
子線などの活性放射線に感応する材料、いわゆる感放射
線レジストを用いて基板上に被膜を形成し、次いで画像
露光現像して画像を形成しこれを保護膜とすることが行
われている。
プリント配線板、印刷板などの製造において、下地基板
に対して例えばエッチングや拡散などの処理を施すに際
し、基板を選択的に保護する目的で、紫外線、Ｘ線、電
子線などの活性放射線に感応する材料、いわゆる感放射
線レジストを用いて基板上に被膜を形成し、次いで画像
露光現像して画像を形成しこれを保護膜とすることが行
われている。
このレジストにはポジ型とネガ型とがあり、前者は活
性放射線の照射部が現像液に溶解し、非照射部が溶解し
ないタイプであり、後者はこれとは逆のタイプである。
性放射線の照射部が現像液に溶解し、非照射部が溶解し
ないタイプであり、後者はこれとは逆のタイプである。
ところで、従来レジストに対する現像液の１つとして
アルカリ性水溶液が多く用いられているが、半導体素子
を製造する場合には現像液に金属イオンを含有するアル
カリ性水溶液を用いると、得られる半導体素子の特性に
悪影響を及ぼすため金属イオンを含まない現像液、例え
ばテトラメチルアンモニウムヒドロキシドや〔「アイビ
ーエム・テクニカル・ディスクロジャ・ビュレティン
（IBM Technical Disclosure Bulletin）」第３巻、第
７号、第2009ページ（1970年）〕、コリン（米特許第42
39661号明細書）などの水溶液が用いられている。
アルカリ性水溶液が多く用いられているが、半導体素子
を製造する場合には現像液に金属イオンを含有するアル
カリ性水溶液を用いると、得られる半導体素子の特性に
悪影響を及ぼすため金属イオンを含まない現像液、例え
ばテトラメチルアンモニウムヒドロキシドや〔「アイビ
ーエム・テクニカル・ディスクロジャ・ビュレティン
（IBM Technical Disclosure Bulletin）」第３巻、第
７号、第2009ページ（1970年）〕、コリン（米特許第42
39661号明細書）などの水溶液が用いられている。
最近、半導体素子の集積化が進むに伴い、制御線幅は
１μｍ以下まで要求されるようになってきている。この
ような微細なパターン部、特に微細なコンタクトホール
の画像形成を行なう場合、前記の金属イオンを含まない
アルカリ性水溶液に界面活性剤を添加することで、濡れ
性を向上させたタイプの現像液（例えば特開昭62−3245
3号公報）が用いられているが、このような現像液にお
いては、溶解すべきパターン部分にスカムや薄膜残りが
発生するのを免れず、この現象は微細パターンの形成に
おいては無視できない大きな問題となっている。このよ
うな好ましくない現象を回避するためにオーバー露光や
オーバー現像を行っても、きれいな画像は形成されな
い。
１μｍ以下まで要求されるようになってきている。この
ような微細なパターン部、特に微細なコンタクトホール
の画像形成を行なう場合、前記の金属イオンを含まない
アルカリ性水溶液に界面活性剤を添加することで、濡れ
性を向上させたタイプの現像液（例えば特開昭62−3245
3号公報）が用いられているが、このような現像液にお
いては、溶解すべきパターン部分にスカムや薄膜残りが
発生するのを免れず、この現象は微細パターンの形成に
おいては無視できない大きな問題となっている。このよ
うな好ましくない現象を回避するためにオーバー露光や
オーバー現像を行っても、きれいな画像は形成されな
い。
通常、スカムや薄膜残りを除去するために、現像後に
酸素プラズマやスパッタリングなどで軽く処理すること
が行なわれている。しかしながら、この場合、レジスト
形状が劣化したり、パターン形状が悪くなるなど、好ま
しくない事態を招来し、特に酸素プラズマ処理では、そ
の制御が困難である上、１μｍ近辺のコンタクトホール
などのパターン部においては酸素プラズマ処理の均一性
が低く、円滑にスカムなどが除去されにくいなどの問題
がある。
酸素プラズマやスパッタリングなどで軽く処理すること
が行なわれている。しかしながら、この場合、レジスト
形状が劣化したり、パターン形状が悪くなるなど、好ま
しくない事態を招来し、特に酸素プラズマ処理では、そ
の制御が困難である上、１μｍ近辺のコンタクトホール
などのパターン部においては酸素プラズマ処理の均一性
が低く、円滑にスカムなどが除去されにくいなどの問題
がある。
また、スカムや薄膜残りをなくすために、非イオン性
の界面活性剤を現像液に添加する方法も知られている
が、（特開昭63−25650号公報）、この方法において
は、スカムや薄膜残りのある程度改善できるものの、レ
ジストの耐熱性が低下する傾向があり、現像処理後の加
熱処理時にレジスト形状の劣化が生じやすくなるなどの
欠点がある。
の界面活性剤を現像液に添加する方法も知られている
が、（特開昭63−25650号公報）、この方法において
は、スカムや薄膜残りのある程度改善できるものの、レ
ジストの耐熱性が低下する傾向があり、現像処理後の加
熱処理時にレジスト形状の劣化が生じやすくなるなどの
欠点がある。
発明が解決しようとする課題 本発明は、このような事情のもとで、１μｍ以下の微
細パターンの形成や微細なコンタクトホールの形成にお
いて、現像処理後にスカムや薄膜残りのない良好なパタ
ーンを形成するとともに、パターン形成後の加熱処理時
の耐熱性の低下を生じさせることのない金属イオンを含
まない有機塩基を主剤とするレジスタ用現像液組成物を
提供することを目的としてなされたものである。
細パターンの形成や微細なコンタクトホールの形成にお
いて、現像処理後にスカムや薄膜残りのない良好なパタ
ーンを形成するとともに、パターン形成後の加熱処理時
の耐熱性の低下を生じさせることのない金属イオンを含
まない有機塩基を主剤とするレジスタ用現像液組成物を
提供することを目的としてなされたものである。
課題を解決するための手段 本発明者らは、前記の好ましい性質を有するレジスト
用現像液組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、従
来の有機第四級アンモニウム塩基を主剤とするレジスト
用現像液に、特定の陰イオン性界面活性剤を所定の割合
で添加することにより、その目的を達成しうることを見
い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。
用現像液組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、従
来の有機第四級アンモニウム塩基を主剤とするレジスト
用現像液に、特定の陰イオン性界面活性剤を所定の割合
で添加することにより、その目的を達成しうることを見
い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。
すなわち、本発明は、有機第四級アンモニウム塩基を
主剤とするレジスタ用現像液に、一般式 （式中のR1及びR2は少なくとも１つが炭素数５〜18の
アルキル基又はアルコキシ基で、残りが水素原子、炭素
数５〜18のアルキル基又はアルコキシ基であり、R3、R4
及びR5は少なくとも１つがスルホン酸アンモニウム基又
はスルホン酸置換アンモニウム基で、残りが水素原子、
スルホン酸アンモニウム基又はスルホン酸置換アンモニ
ウム基である） で表わされる陰イオン性界面活性剤の中から選ばれた少
なくとも１種を500〜50000ppmの割合で添加したことを
特徴とするレジスト用現像液組成物を提供するものであ
る。
主剤とするレジスタ用現像液に、一般式 （式中のR1及びR2は少なくとも１つが炭素数５〜18の
アルキル基又はアルコキシ基で、残りが水素原子、炭素
数５〜18のアルキル基又はアルコキシ基であり、R3、R4
及びR5は少なくとも１つがスルホン酸アンモニウム基又
はスルホン酸置換アンモニウム基で、残りが水素原子、
スルホン酸アンモニウム基又はスルホン酸置換アンモニ
ウム基である） で表わされる陰イオン性界面活性剤の中から選ばれた少
なくとも１種を500〜50000ppmの割合で添加したことを
特徴とするレジスト用現像液組成物を提供するものであ
る。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明組成物において、主剤として用いられる有機第
四級アンモニウム塩基は、低級アルキル基又は低級ヒド
ロキシアルキル基をもつ第四級アンモニウム塩基であっ
て、特に好ましいものは、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド及びトリメチル（２−ヒドロキシエチル）ア
ンモニウムヒドロキシドすなわちコリンである。この有
機第四級アンモニウム塩基は、単独で用いてもよいし、
２種以上を組み合わせて用いてもよい。
四級アンモニウム塩基は、低級アルキル基又は低級ヒド
ロキシアルキル基をもつ第四級アンモニウム塩基であっ
て、特に好ましいものは、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド及びトリメチル（２−ヒドロキシエチル）ア
ンモニウムヒドロキシドすなわちコリンである。この有
機第四級アンモニウム塩基は、単独で用いてもよいし、
２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明で用いるレジスト用現像液には、前記の有機第
四級アンモニウム塩基とともに、所望に応じ従来レジス
ト用現像液に慣用されている添加成分、例えば湿潤剤、
安定剤、溶解助剤のほかに、レジスト膜の露光部と非露
光部との溶解選択性を改善するめの陽イオン性界面活性
剤などを添加することができる。これらの添加成分はそ
れぞれ単独で添加してもよいし、２種以上組み合わせて
添加してもよい。
四級アンモニウム塩基とともに、所望に応じ従来レジス
ト用現像液に慣用されている添加成分、例えば湿潤剤、
安定剤、溶解助剤のほかに、レジスト膜の露光部と非露
光部との溶解選択性を改善するめの陽イオン性界面活性
剤などを添加することができる。これらの添加成分はそ
れぞれ単独で添加してもよいし、２種以上組み合わせて
添加してもよい。
本発明において、前記レジスト用現像液に添加される
陰イオン性界面活性剤は、一般式 （式中のR1、R2、R3、R4及びR5は前記と同じ意味をも
つ） で表わされるジフェニルエーテル誘導体の中から選ばれ
る。
陰イオン性界面活性剤は、一般式 （式中のR1、R2、R3、R4及びR5は前記と同じ意味をも
つ） で表わされるジフェニルエーテル誘導体の中から選ばれ
る。
前記一般式（Ｉ）におけるR3、R4及びR5は、その中の
少なくとも１つがスルホン酸アンモニウム基又はスルホ
ン酸置換アンモニウム基であって、該スルホン酸置換ア
ンモニウム基はモノ置換、ジ置換、トリ置換及びテトラ
置換アンモニウム基のいずれであってもよく、置換基と
しては、例えば−CH3、−C2H5、−CH2OH、−C2H4OHなど
が挙げられる。また、多置換アンモニウム基の場合は、
置換基は同じものであってもよいし、異なるものであっ
てもよい。
少なくとも１つがスルホン酸アンモニウム基又はスルホ
ン酸置換アンモニウム基であって、該スルホン酸置換ア
ンモニウム基はモノ置換、ジ置換、トリ置換及びテトラ
置換アンモニウム基のいずれであってもよく、置換基と
しては、例えば−CH3、−C2H5、−CH2OH、−C2H4OHなど
が挙げられる。また、多置換アンモニウム基の場合は、
置換基は同じものであってもよいし、異なるものであっ
てもよい。
前記一般式（Ｉ）で表わされる陰イオン性界面活性剤
の具体例としてはアルキルジフェニルエーテルスルホン
酸アンモニウム、アルキルジフェニルエーテルスルホン
酸テトラメチルアンモニウム、アルキルジフェニルエー
テルスルホン酸トリメチルエタノールアンモニウム、ア
ルキルジフェニルエーテルスルホン酸トリエチルアンモ
ニウム、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸アン
モニウム、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸ジ
エタノールアンモニウム、アルキルジフェニルエーテル
ジスルホン酸テトラメチルアンモニウムなどが挙げられ
る。前記化合物におけるアルキル基は炭素数が５〜18の
ものであり、また、炭素数５〜18のアルコキシ基と置き
換えられてもよい。本発明で用いられる陰イオン性界面
活性剤は、もちろんこれらに限定されるものではなく、
また１種用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用い
てもよい。
の具体例としてはアルキルジフェニルエーテルスルホン
酸アンモニウム、アルキルジフェニルエーテルスルホン
酸テトラメチルアンモニウム、アルキルジフェニルエー
テルスルホン酸トリメチルエタノールアンモニウム、ア
ルキルジフェニルエーテルスルホン酸トリエチルアンモ
ニウム、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸アン
モニウム、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸ジ
エタノールアンモニウム、アルキルジフェニルエーテル
ジスルホン酸テトラメチルアンモニウムなどが挙げられ
る。前記化合物におけるアルキル基は炭素数が５〜18の
ものであり、また、炭素数５〜18のアルコキシ基と置き
換えられてもよい。本発明で用いられる陰イオン性界面
活性剤は、もちろんこれらに限定されるものではなく、
また１種用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用い
てもよい。
これらの陰イオン性界面活性剤の添加量は、有機第四
級アンモニウム塩基を主剤とするレジスト用現像液に対
し、500〜50,000ppm、好ましくは1000〜30,000ppmの範
囲で選ばれる。この量が500ppm未満では濡れ性の効果が
弱くて、解像性が低いし、50,000ppmを超えると活性放
射線の照射部と非照射部との溶解選択性が悪くなり、現
像後のレジスト形状が劣化しやすく、レジストの耐熱性
も低下する。
級アンモニウム塩基を主剤とするレジスト用現像液に対
し、500〜50,000ppm、好ましくは1000〜30,000ppmの範
囲で選ばれる。この量が500ppm未満では濡れ性の効果が
弱くて、解像性が低いし、50,000ppmを超えると活性放
射線の照射部と非照射部との溶解選択性が悪くなり、現
像後のレジスト形状が劣化しやすく、レジストの耐熱性
も低下する。
本発明の現像液組成物が適用されるレジストについて
は、アルカリ性現像液で現像できるものであればよく、
特に制限されず、ポジ型タイプ、ネガ型タイプのいずれ
にも適用できる。
は、アルカリ性現像液で現像できるものであればよく、
特に制限されず、ポジ型タイプ、ネガ型タイプのいずれ
にも適用できる。
発明の効果 本発明のレジスト用現像液組成物は、特定の陰イオン
性界面活性剤を有機塩基を主剤とする現像液に添加する
ことにより、微細パターン部分に対する現像液の浸透性
を高め、かつその洗浄性及び溶解性により、スカムや薄
膜を基板上からほぼ完全に除去することができるととも
に、得られたレジストパターンの耐熱性を低下させるこ
とがないなど、優れた効果を奏する。
性界面活性剤を有機塩基を主剤とする現像液に添加する
ことにより、微細パターン部分に対する現像液の浸透性
を高め、かつその洗浄性及び溶解性により、スカムや薄
膜を基板上からほぼ完全に除去することができるととも
に、得られたレジストパターンの耐熱性を低下させるこ
とがないなど、優れた効果を奏する。
実施例 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
実施例１〜12、比較例1,2 現像液として、2.38重量％テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液に対して、別表に示す種々の陰イオ
ン性界面活性剤を、それぞれ1,000〜10,000ppmの範囲で
該表に示すとおり加えたものを準備した。
ヒドロキシド水溶液に対して、別表に示す種々の陰イオ
ン性界面活性剤を、それぞれ1,000〜10,000ppmの範囲で
該表に示すとおり加えたものを準備した。
スピンナーを用いて、４インチシリコンウエハー上
に、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド化合物を構
成成分として含むポジ型ホトレジストであるTSMR−V3
（東京応化工業社製、商品名）を膜厚1.3μｍになるよ
うに塗布して、ホットプレート上で90℃、90秒間プレベ
ークした。
に、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド化合物を構
成成分として含むポジ型ホトレジストであるTSMR−V3
（東京応化工業社製、商品名）を膜厚1.3μｍになるよ
うに塗布して、ホットプレート上で90℃、90秒間プレベ
ークした。
次にNSR−1505G7E縮小投影型露光装置（ニコン社製）
を用い、テストチャートレチクルを介して露光し、ホッ
トプレート上で110℃で60秒間加熱処理したのち、静止
パドル型現像装置を用いて現像処理を行った。現像プロ
セスについては、前記のようにして調製した現像液を用
い、それぞれ23℃において65秒間静止パドル法現像を行
い、その後純水によりリンスを30秒間行ったのち乾燥し
た。
を用い、テストチャートレチクルを介して露光し、ホッ
トプレート上で110℃で60秒間加熱処理したのち、静止
パドル型現像装置を用いて現像処理を行った。現像プロ
セスについては、前記のようにして調製した現像液を用
い、それぞれ23℃において65秒間静止パドル法現像を行
い、その後純水によりリンスを30秒間行ったのち乾燥し
た。
このようにして得られたウエハー上のパターンを観察
し、その結果を該表に示した。
し、その結果を該表に示した。
なお、耐熱製は、ホットプレート上にて100℃で５分
間ベークしたのち、1.5μｍのライン・アンド・スペー
スパターンを観察し、断面形状の変化から評価を行っ
た。
間ベークしたのち、1.5μｍのライン・アンド・スペー
スパターンを観察し、断面形状の変化から評価を行っ
た。
実施例13 ｍ−クレゾール/p−クレゾール重量比が6/4の混合ク
レゾールを用いて得られたクレゾールノボラック樹脂
（Mw＝8,000）100重量部とナフトキノン−1,2−ジアジ
ド−５−スルホン酸の2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノンエステル15重量部とポリビニルメチルエーテル
（Mw＝100,000）25重量部とを、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート250重量部に溶解し、孔径
3.0μｍのメンブレンフィルターを用いてろ過し、ホト
レジスト組成物を調製した。
レゾールを用いて得られたクレゾールノボラック樹脂
（Mw＝8,000）100重量部とナフトキノン−1,2−ジアジ
ド−５−スルホン酸の2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノンエステル15重量部とポリビニルメチルエーテル
（Mw＝100,000）25重量部とを、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート250重量部に溶解し、孔径
3.0μｍのメンブレンフィルターを用いてろ過し、ホト
レジスト組成物を調製した。
次に、このレジスト組成物を、スパッタ法によりシリ
コンウエハー上に厚さ１μｍのAu膜を設けた基材上に、
スピンナーを用いてレジスト膜厚が25μｍになるように
塗布して、90℃温風オーブン中で40分間プレベークし
た。
コンウエハー上に厚さ１μｍのAu膜を設けた基材上に、
スピンナーを用いてレジスト膜厚が25μｍになるように
塗布して、90℃温風オーブン中で40分間プレベークし
た。
次いで、ミラープロジェクション露光装置（ORC社
製、HMW−661B）を用い、バンプメッキテストチャート
マスクを介して40秒間露光した（ORC社製、UV照度計UV
−MO2、UV35センサーで照度17mW/cm2）現像液として、
2.75重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液にドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸アンモニ
ウム2.00重量％を加えたものを使用し、25℃にて150秒
間浸漬揺動現像を行い、その後、純水によるリンスを30
秒間行ったのち、乾燥した。
製、HMW−661B）を用い、バンプメッキテストチャート
マスクを介して40秒間露光した（ORC社製、UV照度計UV
−MO2、UV35センサーで照度17mW/cm2）現像液として、
2.75重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液にドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸アンモニ
ウム2.00重量％を加えたものを使用し、25℃にて150秒
間浸漬揺動現像を行い、その後、純水によるリンスを30
秒間行ったのち、乾燥した。
このようにして得られたホトレジストパターンを観察
したところ、現像残渣は全くなく、かつ膜べりも極めて
少ないことが判明した。
したところ、現像残渣は全くなく、かつ膜べりも極めて
少ないことが判明した。
この基材を、市販されている非シアン系金メッキ浴
〔ニュートロニクス210、田中貴金属（株）製、商品
名〕において、60℃、１時間、電流密度0.4A/dm2の条件
で金メッキを行い、均一な25μｍ厚の金バンプパターン
が得られた。
〔ニュートロニクス210、田中貴金属（株）製、商品
名〕において、60℃、１時間、電流密度0.4A/dm2の条件
で金メッキを行い、均一な25μｍ厚の金バンプパターン
が得られた。
また、比較として、前記界面活性剤を含有しない現像
液を用いた場合、現像残渣や膜べりの影響で金メッキが
均一に形成されない現像が発生した。
液を用いた場合、現像残渣や膜べりの影響で金メッキが
均一に形成されない現像が発生した。
実施例14 実施例13において、ポリビニルメチルエーテルの代り
に、メタクリル酸／メタクリル酸メチル／アクリル酸ブ
チルから成るアクリル共重合体（Mw60000）を用いた以
外は、実施例13と同様にして調製したレジスト組成物を
使用した場合も実施例13と同様に均一な金バンプメッキ
パターンが得られた。
に、メタクリル酸／メタクリル酸メチル／アクリル酸ブ
チルから成るアクリル共重合体（Mw60000）を用いた以
外は、実施例13と同様にして調製したレジスト組成物を
使用した場合も実施例13と同様に均一な金バンプメッキ
パターンが得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−227495（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−120745（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−158552（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−174850（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】有機第四級アンモニウム塩基を主剤とする
レジスト用現像液に、一般式 （式中のR1及びR2は少なくとも１つが炭素数５〜18のア
ルキル基又はアルコキシ基で、残りが水素原子、炭素数
５〜18のアルキル基又はアルコキシ基であり、R3、R4及
びR5は少なくとも１つがスルホン酸アンモニウム基又は
スルホン酸置換アンモニウム基で、残りが水素原子、ス
ルホン酸アンモニウム基又はスルホン酸置換アンモニウ
ム基である） で表わされる陰イオン性界面活性剤の中から選ばれた少
なくとも１種を500〜50,000ppmの割合で添加したことを
特徴とするレジスト用現像液組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329489A JP2589408B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | レジスト用現像液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329489A JP2589408B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | レジスト用現像液組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204454A JPH04204454A (ja) | 1992-07-24 |
| JP2589408B2 true JP2589408B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=18221944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329489A Expired - Lifetime JP2589408B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | レジスト用現像液組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589408B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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