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JP2573480B2 - 半導体熱処理用治具 - Google Patents

半導体熱処理用治具

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JP2573480B2
JP2573480B2 JP60261352A JP26135285A JP2573480B2 JP 2573480 B2 JP2573480 B2 JP 2573480B2 JP 60261352 A JP60261352 A JP 60261352A JP 26135285 A JP26135285 A JP 26135285A JP 2573480 B2 JP2573480 B2 JP 2573480B2
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良信 棚田
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Coorstek KK
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は半導体熱処理用治具に関する。
従来の技術 周知のように、半導体ウエハを熱処理するための半導
体熱処理用治具は、その使用中にSiC粒子やSiの中に存
在する不純物が半導体ウエハを汚染することが問題であ
る。また、ウエハの熱処理中にSiCが酸化されてCO、CO2
を発生するのが問題になりやすい。
発明が解決しようとする課題 この発明は前述のような従来技術の欠点を解消して、
半導体ウエハの汚染が生じにくい半導体熱処理用治具を
提供することを目的としている。
課題を解決するための手段 前述の目的を達成するために、この発明は高純度Si−
SiC成形体の表面に30Åないし２万Åの厚さのSiO2膜の
みを有することを特徴とする半導体熱処理用治具を要旨
としている。
半導体熱処理用治具の表面に30Åから２万Åの厚さの
SiO2膜を形成する。そしてSiO2膜により不純物をトラッ
プする。
SiO2膜の厚みについて説明すれば、SiO2膜の厚さが30
Åよりも小さい場合には、ウエハの熱処理中にSi−SiC
から移動してくる不純物をSiO2膜で完全にトラップしき
れず、ウエハを汚染する度合が高くなってしまう。
また、SiO2膜の厚みが２万Åよりも大きい場合には、
熱処理中にSi−SiCとSiO2との熱膨脹差からSiO2膜にク
ラックが発生しがちであり、その結果、不純物が炉内に
拡散し、ウエハを汚染する恐れがある。また、クラック
が生じると、SiO2のパーティクルが発生しやすく、同じ
く炉内を汚染する原因となりやすい。
実施例 平均粒径13μのSiC粉末93重量％とフェノールレジン
７重量％を混合し、しかる後、平均粒径0.8μ以下の粒
度に造粒し、ラバープレスによって2000Kg/cm2で成形す
る。その成形体を800℃で20時間焼成した後、溶融シリ
コンと反応させながらシリコンを含浸し、Si15重量％と
SiC85重量％のSi−SiC成形体を得る。更に、ウエハを載
せることができるように、そのSi−SiC成形体をボート
状に加工する。しかる後、Si−SiC成形体を水蒸気雰囲
気中で800〜1000℃で処理し、ボート表面に種々の厚み
のSiO2膜を形成する。各ボート表面のSiO2膜の厚さは表
１に示すとおりである。
高純度石英ガラス製の炉芯管およびボートで酸化処理
をした５インチのＮ（100）のウエハを10枚ずつ表１に
示す実施例１〜３、比較例１〜４のボートに設置し、高
純度石英ガラス炉芯管内で非酸化性雰囲気たとえばアル
ゴン雰囲気で1100℃、120分の熱処理を行なう。
前述のウエハにアルミニュウムを蒸着してウエハの酸
化膜の表面にアルミニウム電極を形成し、|VFB|を測定
した。その結果を表１に示す。
実施例１〜３と比較例１〜４を比較すると明らかなよ
うに、SiO2膜の厚さが30〜２万Åの範囲で|VFB|が著し
く小さくなっている。
たとえば、実施例１の|VFB|と比較例２の|VFB|の差が
0.8であり、実施例３の|VFB|と比較例３の|VFB|の差が
0.8であることから、前述のSiO2膜の厚みの下限値30Å
と上限値２万Åが臨界的意味を持つ数値であることは明
らかである。
参考例 前述の実施例で使用した５インチのＮ（100）のウエ
ハ10枚を高純度石英ガラスボートに設置し、実施例と同
一条件で処理を行ない、|VFB|を測定した。その結果が
表１に示されている。
なお、|VFB|は不純物による汚染度合を示すものであ
る。
発明の効果 高純度Si−SiC成型体の表面にSiO2膜が形成されてい
ると、ウェハの熱処理中にSiCが酸化されてCO、CO2を発
生するのを防止する効果がある。したがって、ウェハの
Ｃによる汚染が減少する。
しかも、SiO2膜の厚みが30Å以上あり、SiO2はSi−Si
Cと比較して不純物の拡散するスピードが大巾に遅いた
めに、SiC粒子やSi中に存在する不純物が半導体ウェハ
の熱処理中に移動してくるのをSiO2膜でトラップする効
果がある。
しかも、SiO2膜の厚みが２万Å以下であるので、Si−
SiCとSiO2との熱膨張差によるクラックを防止できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 泰実 山形県西置賜郡小国町大字小国町378 東芝セラミツクス株式会社小国製造所内 (56)参考文献 特開 昭61−160928（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】高純度Si−SiC成形体の表面に30Åないし
    ２万Åの厚さのSiO2膜のみを有することを特徴とする半
    導体熱処理用治具。
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