JP2504194B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕 一般に、QEPやSOPと呼ばれるガルウィング状の外部リ
ードを有する樹脂封止型のICの組立工程においては、第
７図に示すように、リードフレーム１上にマウント，ボ
ンディングされた半導体チップを樹脂封止した後、樹脂
ダム部７及びダイバー部６を切断除去し、外部リード３
に半田メッキを施している。
ードを有する樹脂封止型のICの組立工程においては、第
７図に示すように、リードフレーム１上にマウント，ボ
ンディングされた半導体チップを樹脂封止した後、樹脂
ダム部７及びダイバー部６を切断除去し、外部リード３
に半田メッキを施している。
従来、その後工程としては、第８図に示すように、外
部リード３の先端部を切断し、外部リード３をガルウィ
ング状に成形後、封止パッケージ２をリードフレーム１
に連結支持している吊りリード５の切断を行なって、第
９図に示すようなガルウィング状の外部リード３を有す
る個片のパッケージに分離した状態にて電気特性試験を
行なっている。
部リード３の先端部を切断し、外部リード３をガルウィ
ング状に成形後、封止パッケージ２をリードフレーム１
に連結支持している吊りリード５の切断を行なって、第
９図に示すようなガルウィング状の外部リード３を有す
る個片のパッケージに分離した状態にて電気特性試験を
行なっている。
上述した従来のICの組立方法では、外部リードを切
断、成形した後電気特性試験を行なうため、試験時に外
部リードに何回か直接接触するコンタクト端子により外
部リードが変形することがあり、更にICはリードフレー
ムより分離されて個片状態にて選別工程を流れるため、
ハンドリング時に外部リードの変形が発生し易く、外部
リードの横曲がりや先端の浮きが生じQEPやSOPのような
表面実装型ICに重要な外部リードの平坦性（以下コプラ
ナリティと記す）が損なわれるという欠点がある。
断、成形した後電気特性試験を行なうため、試験時に外
部リードに何回か直接接触するコンタクト端子により外
部リードが変形することがあり、更にICはリードフレー
ムより分離されて個片状態にて選別工程を流れるため、
ハンドリング時に外部リードの変形が発生し易く、外部
リードの横曲がりや先端の浮きが生じQEPやSOPのような
表面実装型ICに重要な外部リードの平坦性（以下コプラ
ナリティと記す）が損なわれるという欠点がある。
特に、近年、高密度実装の要求により更に多ピン化、
小型化をはかるため、外部リードのファインピッチ化が
進み、リード間ピッチが0.65mm以下のICが増加する傾向
にあり、プリット基板上にスクリーン印刷する際の半田
ペースト厚は半田プリッジを防止するため薄くせざるを
得ず、半田付け性を向上するためにコプラナリティは0.
1mm以下が必要であり、ファインピッチ化により更に小
さな値に押えていく必要がある。
小型化をはかるため、外部リードのファインピッチ化が
進み、リード間ピッチが0.65mm以下のICが増加する傾向
にあり、プリット基板上にスクリーン印刷する際の半田
ペースト厚は半田プリッジを防止するため薄くせざるを
得ず、半田付け性を向上するためにコプラナリティは0.
1mm以下が必要であり、ファインピッチ化により更に小
さな値に押えていく必要がある。
又、外部リードの強度もファインピッチ化に伴ない、
リード幅が小さくなるため従来に比較して弱くなる傾向
にあり、外部からの接触に対して容易にリード変形を起
こし易く、益々外部リードの横曲がりやコプラナリティ
悪化を招き、電気特性試験後の外部リの横曲がりやコプ
ラナリティの検査及び修正に多大な工数を費やすという
問題がある。
リード幅が小さくなるため従来に比較して弱くなる傾向
にあり、外部からの接触に対して容易にリード変形を起
こし易く、益々外部リードの横曲がりやコプラナリティ
悪化を招き、電気特性試験後の外部リの横曲がりやコプ
ラナリティの検査及び修正に多大な工数を費やすという
問題がある。
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リード
フレームに半導体チップを固着し、結線して樹脂封止し
た後のリードフレームの封止樹脂より導出する外部リー
ドに絶縁性を有する耐熱薄板を耐熱樹脂にて接着し、外
部リード先端切断後は前記耐熱薄板にて外部リードを連
結した状態にて電気的特性試験及び前記封止樹脂と前記
耐熱薄板との間の外部リードを箇所を折り曲げることに
よりガルウィング状にする外部リードの成形を行ない、
しかる後、前記外部リードの先端部を切断することによ
り前記耐熱薄板を除去することを特徴とする。
フレームに半導体チップを固着し、結線して樹脂封止し
た後のリードフレームの封止樹脂より導出する外部リー
ドに絶縁性を有する耐熱薄板を耐熱樹脂にて接着し、外
部リード先端切断後は前記耐熱薄板にて外部リードを連
結した状態にて電気的特性試験及び前記封止樹脂と前記
耐熱薄板との間の外部リードを箇所を折り曲げることに
よりガルウィング状にする外部リードの成形を行ない、
しかる後、前記外部リードの先端部を切断することによ
り前記耐熱薄板を除去することを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の第１の実施例である絶縁耐熱薄板を
接着した状態のリードフレームの平面図、第２図は外部
リード先端を切断した状態のリードフレームの平面図、
第３図は外部リードの成形を行なったICの斜視図、第４
図は絶縁耐熱薄板を切断除去した後のICの斜視図であ
る。
接着した状態のリードフレームの平面図、第２図は外部
リード先端を切断した状態のリードフレームの平面図、
第３図は外部リードの成形を行なったICの斜視図、第４
図は絶縁耐熱薄板を切断除去した後のICの斜視図であ
る。
まず、第１図に示すように樹脂封止を行なったリード
フレーム１において、外部リード３上に各辺ごとに該外
部リード３を連結するようにポリイシド等の絶縁性を有
する耐熱薄板４を耐熱樹脂により接着する。樹脂ダム部
７及びダイバー部６を切断除去し、外部リード３の表面
に半田メッキを施した後、第２図に示すように、絶縁耐
熱薄板４より外側に位置する外部リード３をある一定幅
にて切断し、リードフレーム１より分離する。この際、
外部リード３は各辺ごとに絶縁耐熱薄板４のみにて連結
支持された状態となる。封止パッケージ２は各コーナに
設けられた吊りリード５のみによりリードフレーム１に
連結支持されており、この状態にて外部リード３にコン
タクト端子を接触させ電気的特性試験を行ない良品、不
良品に選別する。良品のICにおいては、第３図に示すよ
うに、外部リード３を絶縁耐熱薄板４にて連結した状態
にてガルウィング状に成形し、最後に外部リード３の先
端部を切断して絶縁耐熱薄板４を除去し、第４図に示す
ような所望の寸法及び形状を得る。
フレーム１において、外部リード３上に各辺ごとに該外
部リード３を連結するようにポリイシド等の絶縁性を有
する耐熱薄板４を耐熱樹脂により接着する。樹脂ダム部
７及びダイバー部６を切断除去し、外部リード３の表面
に半田メッキを施した後、第２図に示すように、絶縁耐
熱薄板４より外側に位置する外部リード３をある一定幅
にて切断し、リードフレーム１より分離する。この際、
外部リード３は各辺ごとに絶縁耐熱薄板４のみにて連結
支持された状態となる。封止パッケージ２は各コーナに
設けられた吊りリード５のみによりリードフレーム１に
連結支持されており、この状態にて外部リード３にコン
タクト端子を接触させ電気的特性試験を行ない良品、不
良品に選別する。良品のICにおいては、第３図に示すよ
うに、外部リード３を絶縁耐熱薄板４にて連結した状態
にてガルウィング状に成形し、最後に外部リード３の先
端部を切断して絶縁耐熱薄板４を除去し、第４図に示す
ような所望の寸法及び形状を得る。
本発明においては、ICを絶縁耐熱薄板にて各辺ごとの
外部リードを常に連結支持した状態にて、電気的特性試
験及びリード成形の様に直接外部リードに接触する際に
リード変形を発生させていた工程を流すことにより工程
中のリード曲がりや外部リード先端のばらつきを防止で
き、コプラナリティ等の向上により実装時の安定性の向
上を図ることができる。第５図は本発明の第２の実施例
である絶縁耐熱薄板を接着した状態のリードフレームの
平面図、第６図は外部リード先端を切断した状態のリー
ドフレームの平面図である。
外部リードを常に連結支持した状態にて、電気的特性試
験及びリード成形の様に直接外部リードに接触する際に
リード変形を発生させていた工程を流すことにより工程
中のリード曲がりや外部リード先端のばらつきを防止で
き、コプラナリティ等の向上により実装時の安定性の向
上を図ることができる。第５図は本発明の第２の実施例
である絶縁耐熱薄板を接着した状態のリードフレームの
平面図、第６図は外部リード先端を切断した状態のリー
ドフレームの平面図である。
第２の実施例においては、樹脂封止後のリードフレー
ム１の外部リード３上に四角の枠状の絶縁耐熱薄板８を
耐熱樹脂により接着固定する。樹脂ダム部７及びダイバ
ー部６を切断除去し、外部リード３の表面に半田メッキ
を施した後、第６図に示すように、外部リード３の先端
部を切断した状態にて電気的特性試験を行なう。この場
合は、絶縁耐熱薄板８が各辺の外部リード３のみでな
く、リードフレーム１上にも接着固定されているため、
外部リード３は横方向、上下方向共しっかりと固定され
ており、工程中のいかなる外部リード３への接触に対し
ても変形を防止できるという利点がある。
ム１の外部リード３上に四角の枠状の絶縁耐熱薄板８を
耐熱樹脂により接着固定する。樹脂ダム部７及びダイバ
ー部６を切断除去し、外部リード３の表面に半田メッキ
を施した後、第６図に示すように、外部リード３の先端
部を切断した状態にて電気的特性試験を行なう。この場
合は、絶縁耐熱薄板８が各辺の外部リード３のみでな
く、リードフレーム１上にも接着固定されているため、
外部リード３は横方向、上下方向共しっかりと固定され
ており、工程中のいかなる外部リード３への接触に対し
ても変形を防止できるという利点がある。
以上説明したように、本発明は樹脂封止後に絶縁耐熱
薄板を耐熱樹脂にて外部リード上に接着し、外部リード
先端をリードフレームより切断した後もこの絶縁耐熱薄
板により各辺単位で外部リードを連結固定した状態に
て、電気的特性試験やリード成形の様に直接外部リード
に接触する工程を流すことにより接触時やハンドリング
時のリード変形を防止することができる、リード横曲が
りをなくし、コプラナリティを向上させることが可能と
なる効果がある。
薄板を耐熱樹脂にて外部リード上に接着し、外部リード
先端をリードフレームより切断した後もこの絶縁耐熱薄
板により各辺単位で外部リードを連結固定した状態に
て、電気的特性試験やリード成形の様に直接外部リード
に接触する工程を流すことにより接触時やハンドリング
時のリード変形を防止することができる、リード横曲が
りをなくし、コプラナリティを向上させることが可能と
なる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例である絶縁耐熱薄板を接
着した状態のリードフレームの平面図、第２図は本発明
の第１の実施例の外部リード先端を切断した状態のリー
ドフレームの平面図、第３図は本発明の第１の実施例の
外部リードの成形を行なったICの斜視図、第４図は本発
明の第１の実施例の絶縁耐熱薄板を切断除去した後のIC
の斜視図、第５図は本発明の第２の実施例の絶縁耐熱薄
板を接着した状態のリードフレームの平面図、第６図は
本発明の第２の実施例の外部リード先端を切断した状態
のリードフレームの平面図、第７図は従来の樹脂封止後
のリードフレームの平面図、第８図は従来の外部リード
先端を切断した状態のリードフレームの平面図、第９図
は従来の外部リードの成形後のICの斜視図である。 １……リードフレーム、２……封止パッケージ、３……
外部リード、４……絶縁耐熱薄板、５……吊りリード、
６……ダイバー部、７……樹脂ダム部、８……絶縁耐熱
薄板。
着した状態のリードフレームの平面図、第２図は本発明
の第１の実施例の外部リード先端を切断した状態のリー
ドフレームの平面図、第３図は本発明の第１の実施例の
外部リードの成形を行なったICの斜視図、第４図は本発
明の第１の実施例の絶縁耐熱薄板を切断除去した後のIC
の斜視図、第５図は本発明の第２の実施例の絶縁耐熱薄
板を接着した状態のリードフレームの平面図、第６図は
本発明の第２の実施例の外部リード先端を切断した状態
のリードフレームの平面図、第７図は従来の樹脂封止後
のリードフレームの平面図、第８図は従来の外部リード
先端を切断した状態のリードフレームの平面図、第９図
は従来の外部リードの成形後のICの斜視図である。 １……リードフレーム、２……封止パッケージ、３……
外部リード、４……絶縁耐熱薄板、５……吊りリード、
６……ダイバー部、７……樹脂ダム部、８……絶縁耐熱
薄板。
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームに半導体チップを固着し、
結線して樹脂封止した後のリードフレームの封止樹脂よ
り導出する外部リードに絶縁性を有する耐熱薄板を耐熱
樹脂にて接着し、外部リード先端切断後は前記耐熱薄板
にて外部リードを連結した状態にて電気的特性試験及び
前記封止樹脂と前記耐熱薄板との間の外部リードの箇所
を折り曲げることによりガルウィング状にする外部リー
ドの成形を行ない、しかる後、前記外部リードの先端部
を切断することにより前記耐熱薄板を除去することを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169501A JP2504194B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169501A JP2504194B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334358A JPH0334358A (ja) | 1991-02-14 |
| JP2504194B2 true JP2504194B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=15887689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1169501A Expired - Fee Related JP2504194B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2504194B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590479A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Nec Kyushu Ltd | Ｉｃのパツケージ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381073A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Oroduction of resin seal type semiconductor device and lead frame used the same |
| JPS6124261A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
| JPS6489354A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Nec Corp | Flat package |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1169501A patent/JP2504194B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334358A (ja) | 1991-02-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |