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JP2025011107A - 高色域フォトルミネッセンス波長変換白色発光デバイス - Google Patents

高色域フォトルミネッセンス波長変換白色発光デバイス Download PDF

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JP2025011107A JP2024163468A JP2024163468A JP2025011107A JP 2025011107 A JP2025011107 A JP 2025011107A JP 2024163468 A JP2024163468 A JP 2024163468A JP 2024163468 A JP2024163468 A JP 2024163468A JP 2025011107 A JP2025011107 A JP 2025011107A
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イ－チュン リ
Yi-Qun Li
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Intematix Corp
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Abstract

【課題】バックライトの色域を改善するための狭帯域青色発光および狭帯域緑色発光の両方を生成する多重量子井戸（ＭＱＷ）二重波長発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、フォトルミネッセンス波長変換発光デバイスを提供する。
【解決手段】白色発光デバイス（バックライト）は、多重量子井戸（ＭＱＷ）二重波長ＬＥＤと、約６２０ｎｍ～約６６０ｎｍのピーク放射波長を有する赤色光を生成する狭帯域フォトルミネッセンス材料と、を含む。ＭＱＷ二重波長ＬＥＤは、４４０ｎｍ～４７０ｎｍのドミナント波長を有する青色光を生成する少なくとも１つの第１の量子井戸（ＱＷ）、および５２０ｎｍ～５４０ｎｍのドミナント波長を有する緑色光を生成する少なくとも１つの第２の量子井戸（ＱＷ）を含む。
【選択図】図１３

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１９年１０月２３日に出願された米国仮特許出願第６２／９２４，７４
７号の優先権の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本発明の実施形態は、フォトルミネッセンス波長変換白色発光デバイスに関する。より
具体的には、排他的ではないが、実施形態は、カラー液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のため
の高色域デバイスを対象とする。
しばしば「白色ＬＥＤ」と称される、フォトルミネッセンス波長変換白色発光デバイス
は、典型的には、青色ＬＥＤを含み、ＬＥＤによって放射された青色光の一部分を吸収し
、異なる色（波長）の光を再放射する、１つ以上のフォトルミネッセンス材料（典型的に
は、無機蛍光体材料）を含む。そのような白色ＬＥＤは、青色のポンピングされた（励起
された）フォトルミネッセンス波長変換白色ＬＥＤと称される。蛍光体材料によって吸収
されていない、ＬＥＤによって生成された青色光の一部分が、蛍光体によって放射された
光と組み合わされて、目に白色のように見える光を提供する。一般的な照明およびカラー
ＬＣＤ用のバックライトの場合、白色ＬＥＤは、典型的には、黄色から緑色および赤色を
放射するフォトルミネッセンス材料の組み合わせを含む。その長い作動耐用期間（＞５０
，０００時間）、および高い発光効率（１ワット当たり１００ルーメン以上）により、白
色ＬＥＤは、一般的な照明用途における従来の蛍光灯、コンパクト蛍光灯、および白熱灯
に急速に取って代わりつつある。
カラーＬＣＤは、テレビ、コンピュータモニタ、ラップトップ、タブレットコンピュー
タ、およびスマートフォンを含む様々な電子デバイスにおいて用途を見出す。既知のよう
に、ほとんどのカラーＬＣＤは、液晶（ＬＣ）ディスプレイパネルと、ディスプレイパネ
ルを作動するための白色発光バックライトとを含む。色純度および色域（例えば、Ｎａｔ
ｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ ＮＴＳＣ ｃ
ｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ １９５３（ＣＩＥ １９３１）ＲＧＢ色空間規格）は、ＬＣＤデ
ィスプレイの色品質にとって最も重要なパラメータのうちの２つであり、バックライトに
て使用される白色ＬＥＤおよびディスプレイのＲＧＢ（赤緑青）カラーフィルタによって
生成された光のスペクトルによって決定される。現在、ＬＣＤバックライトにて使用され
る白色ＬＥＤの大部分は、青色のポンピングされた波長変換白色ＬＥＤである。高色域デ
ィスプレイの理想的な白色光スペクトルは、ディスプレイのＲＧＢカラーフィルタに対応
するピーク放射波長を有する狭帯域赤色、狭帯域青色および狭帯域緑色の放射ピークで構
成されている。過去１５年間にわたり、ＬＣＤバックライト用に使用される白色ＬＥＤは
、ａ）ＬＥＤによって生成された狭帯域青色放射ピーク、ならびに緑色ケイ酸塩および赤
色窒化物などの蛍光体によって生成された広帯域緑色および広帯域赤色放射ピーク、また
はｂ）ＬＥＤによって生成された狭帯域青色放射ピーク、およびＹＡＧなどの黄色蛍光体
によって生成された単一の広帯域黄色放射ピークからなるスペクトルを有する。近年、バ
ックライトの白色ＬＥＤのために、約６３１ｎｍにおける狭帯域赤色放射ピークを有する
マンガン賦活フッ化物蛍光体が採用されている。しかしながら、狭帯域緑色放射を有し、
４０ｎｍ未満の半値全幅（ＦＷＨＭ）を伴う好適な蛍光体は、高色域ディスプレイを実現
するために利用できない。
本発明は、少なくとも部分的に、既存のバックライトの限界および欠点を克服し、ＬＣ
Ｄディスプレイ用のバックライトの色域を改善するための試みから生じたものである。
本発明の実施形態は、狭帯域青色発光および狭帯域緑色発光の両方を生成する多重量子
井戸（ＭＱＷ）二重波長発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、フォトルミネッセンス波長変
換発光デバイスに関する。本特許明細書において、ＭＱＷ二重波長ＬＥＤは、青色および
緑色光に対応する２つ（二重）の異なる色（波長）の光を生成する単一のＬＥＤダイ（ま
たはチップ）として定義される。ＬＥＤダイは、モノリシック構造であることができ、ダ
イは、単一のチップに一体化されたそれぞれの青色および緑色光を生成する量子井戸、ま
たは青色および緑色光の両方を生成するために組み合わせた青色／緑色光を生成する量子
井戸を含む単一のＬＥＤ構造を含み得る。青色または緑色光を生成する量子井戸の一方ま
たは両方は、それ自体（それら自体）、複数の（多重の）青色または緑色量子井戸を含み
得、すなわち、青色または緑色量子井戸の一方または両方は、ＭＱＷ構造を構成し得る。
実施形態によれば、ＭＱＷ二重波長ＬＥＤと、約６２０ｎｍ～約６６０ｎｍのピーク放
射波長（λｐｅ）を有する赤色光を生成する狭帯域フォトルミネッセンス材料と、を含む
、発光デバイス（バックライト）が提供され、ＭＱＷ二重波長ＬＥＤは、４４０ｎｍ～４
７０ｎｍのドミナント波長（λｄ１）を有する青色光を生成するための少なくとも１つの
第１の量子井戸（ＱＷ）、および５２０ｎｍ～５４０ｎｍのドミナント波長（λｄ２）を
有する緑色光を生成するための少なくとも１つの第２のＱＷを含む。ＭＱＷ二重波長ＬＥ
Ｄは、狭帯域青色および狭帯域緑色発光を生成し、狭帯域フォトルミネッセンス材料は、
狭帯域赤色発光を生成するため、本発明のデバイスは、既知のデバイスおよび構造体と比
較して優れた色域を有する光を生成するように作動可能である。
実施形態では、多重量子井戸二重波長ＬＥＤは、複数の第１の量子井戸および複数の第
２の量子井戸のうちの少なくとも１つを含み得、すなわち、青色または緑色光を生成する
量子井戸の一方または両方は、ＭＱＷ構造を構成する。青色および緑色のＭＱＷ構造は、
単一のチップ（モノリシックデバイス）のそれぞれの別個の領域で、または青色および緑
色の量子井戸構造がチップの同じ領域で組み立てられる単一の青色／緑色のＭＱＷ構造と
して、例えば、介在された（例えば、交互に）青色および緑色のＱＷの積み重ねを含むＭ
ＱＷ構造層として組み立てることができる。
実施形態では、青色光および／または緑色光は、例えば、約１５ｎｍ～約４５ｎｍ、約
２５ｎｍ～４５ｎｍ、または約１５ｎｍ～約２５ｎｍのＦＷＨＭ放射強度を有し得る。二
重波長ＬＥＤによって生成された青色光のＦＷＨＭ放射強度は、ＬＥＤの第１のＱＷのイ
ンジウムドープ濃度、幅、数およびドミナント波長間隔を構成することによって選択する
ことができる。同様に、二重波長ＬＥＤによって生成された緑色光のＦＷＨＭ放射強度は
、第２のＱＷのインジウムドープ濃度、幅、数およびドミナント波長間隔を構成すること
によって選択することができる。
実施形態では、狭帯域赤色フォトルミネッセンス材料は、例えば、約５ｎｍ～約３０ｎ
ｍ、または約１０ｎｍ～約２５ｎｍのＦＷＨＭ放射強度を有し得る。狭帯域フォトルミネ
ッセンス材料は、約６２０ｎｍ～約６４０ｎｍのピーク放射波長（λｐｅ）を有する赤色
光を生成することができる。狭帯域フォトルミネッセンス材料は、無機および／または有
機蛍光体材料、量子ドット（ＱＤ）材料、色素、ならびにそれらの組み合わせを含み得る
。
実施形態では、青色および緑色光は、それぞれのピークを含み、青色光ピークのピーク
放射強度に対する緑色光ピークのピーク放射強度の比は、少なくとも３０％、少なくとも
４０％、少なくとも５０％、少なくとも６０％、３０％～６０％、３０％～５０％、３０
％～４０％、４０％～５０％、４０％～６０％、または５０％～６０％である。
いくつかの実施形態では、フォトルミネッセンス材料は、マンガン賦活フッ化物蛍光体
を含む。ＭＱＷ二重波長ＬＥＤと組み合わせてマンガン賦活フッ化物蛍光体を含む発光デ
バイスは、特に優れた色域を有する光を生成することが見出される。狭帯域フォトルミネ
ッセンス材料がマンガン賦活フッ化物蛍光体、特にＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋を含む実施形
態では、デバイスは、ＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅ
ｍ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ ＮＴＳＣ ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ １９５３（ＣＩＥ １９
３１））ＲＧＢ色空間規格および／またはＤＣＩ－Ｐ３（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｉｎｅｍａ
Ｉｎｉｔｉａｔｉｖｅ）ＲＧＢ色空間規格の面積の少なくとも９０％である色域を有す
るスペクトルを有する光を生成し得る。実施形態では、マンガン賦活フッ化物のフォトル
ミネッセンス材料は、約６３０ｎｍ～約６３２ｎｍのドミナントピーク放射波長を有する
赤色光を生成するＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋を含み得る。実施形態では、マンガン賦活フッ
化物のフォトルミネッセンス材料は、Ｋ２ＴｉＦ６：Ｍｎ４＋を含み得る。実施形態では
、マンガン賦活フッ化物のフォトルミネッセンス材料は、Ｋ２ＧｅＦ６：Ｍｎ４＋を含み
得る。マンガン賦活フッ化物のフォトルミネッセンス材料はまた、Ｋ２ＳｎＦ６：Ｍｎ４
＋、Ｎａ２ＴｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｎａ２ＺｒＦ６：Ｍｎ４＋、Ｃｓ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋
、Ｃｓ２ＴｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｒｂ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｒｂ２ＴｉＦ６：Ｍｎ４＋、
Ｋ３ＺｒＦ７：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＮｂＦ７：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＴａＦ７：Ｍｎ４＋、Ｋ３Ｇｄ
Ｆ６：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＬａＦ６：Ｍｎ４＋、およびＫ３ＹＦ６：Ｍｎ４＋からなる群から
選択される一般組成を含み得る。
実施形態では、狭帯域フォトルミネッセンス材料は、ＭＳｅ１－ｘＳｘ：Ｅｕに基づく
一般組成のＩＩＡ／ＩＩＢ族の硫化セレン化物系蛍光体材料などのユーロピウム賦活硫化
物蛍光体を含み得、式中、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つで
ある。そのような蛍光体材料の一例は、硫化カルシウムセレン「ＣＳＳ」蛍光体（ＣａＳ
ｅ１－ｘＳｘ：Ｅｕ）である。信頼性を向上させるために、ユーロピウム賦活硫化セレン
蛍光体材料の粒子は、１つ以上の酸化物、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸
化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、または酸化ク
ロム（ＣｒＯ）を用いてコーティングすることができる。
実施形態では、狭帯域フォトルミネッセンス材料は、量子ドット（ＱＤ）材料を含み得
る。好ましい実施形態では、量子ドット材料は、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ－ＦＷＨ
Ｍ

２０～３０ｎｍ）、硫化カドミウムセレン（ＣｄＳｅｘＳ１－ｘ－ＦＷＨＭ

２０～３０ｎｍ）、リン化インジウム（ＩｎＰ－ＦＷＨＭ

４５ｎｍ）、またはリン化インジウムガリウム（ＩｎＧａＰ－ＦＷＨＭ

４５ｎｍ）を含む。そのような量子ドット材料は、ＭＱＷ二重波長ＬＥＤと組み合わせて
、ＮＴＳＣおよびＤＣＩ－Ｐ３のＲＧＢ色空間規格の面積の９０％を超える特に優れた色
域を有する光を生成することが見出される。
いくつかの実施形態では、発光デバイスは、フォトルミネッセンス材料がＭＱＷ二重波
長ＬＥＤ上に配置されているパッケージ化配置を含む。例えば、フォトルミネッセンス材
料は、限定されないが、表面実装デバイス（ＳＭＤ）パッケージ配置を含み、ＬＥＤを含
有するパッケージに配置され得る。代替的に、フォトルミネッセンス材料は、チップスケ
ールパッケージ（ＣＳＰ）配置で、個別のＬＥＤダイ上に直接的に堆積され得る。
他の実施形態では、発光デバイスは、遠隔フォトルミネッセンス（例えば、遠隔蛍光体
）配置を含み、ここで、フォトルミネッセンス材料は、ＬＥＤに対して遠隔に位置された
、例えば、フォトルミネッセンスシートなどのフォトルミネッセンス層を含む。本特許明
細書において、「遠隔に」とは、離隔されたまたは分離された関係にあることを意味する
。分離は、空気間隙であり得、またはＬＥＤとフォトルミネッセンス層／シートとの間に
光透過性媒体を含み得る。そのような遠隔蛍光体の配置は、ディスプレイバックライトに
おいて特定の用途を見出すことができ、フォトルミネッセンス層は、ディスプレイの層を
含み得る。
様々な実施形態では、フォトルミネッセンス材料は、光透過性媒体中に分散することが
できる。光透過性媒体は、ジメチルシリコーンまたはフェニルシリコーンを含み得る。フ
ォトルミネッセンス材料の屈折率とのより良好な一致のために、使用されるフォトルミネ
ッセンス材料の組成物に基づいて、フェニルシリコーン（屈折率約１．５４）またはジメ
チルシリコーン（屈折率１．４１）を選択することができる。例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍ
ｎ４＋（屈折率１．４）はジメチルシリコーン中に分散してもよく、一方で、Ｋ２ＴｉＦ
６：Ｍｎ４＋（屈折率＞１．５）はフェニルシリコーン中に分散してもよい。
本発明の発光デバイスは、カラーＬＣＤ用のバックライトに関して生じたものであるが
、ＭＱＷ二重波長ＬＥＤおよび赤色フォトルミネッセンス材料を含む発光デバイスは、一
般的な照明用途にも有用性を見出すことができる。一般的な照明用途では、例えば、ＭＱ
Ｗ二重波長ＬＥＤは、５００ｎｍ～５６０ｎｍのドミナント波長、およびより広い半値全
幅（ＦＷＨＭ）の放射強度、例えば、約１５ｎｍ～約６０ｎｍ、約２５ｎｍ～約６０ｎｍ
、または約４５ｎｍ～約６０ｎｍを有する青色光および／または緑色光を生成するように
構成され得る。一般的な照明用途では、例えば、赤色フォトルミネッセンス材料は、６０
０ｎｍ～６６０ｎｍのピーク放射強度の波長を有し得、これは、可視スペクトルのオレン
ジ色から赤色の領域内にある。赤色フォトルミネッセンス材料は、一般組成ＣａＡｌＳｉ
Ｎ３：Ｅｕ（ＣＡＳＮ）または（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ（ＳＣＡＳＮ）のカル
シウムアルミニウム窒化ケイ素系蛍光体などのユーロピウム賦活窒化物系フォトルミネッ
センス材料などの広帯域赤色フォトルミネッセンス材料を含み得る。加えて、フォトルミ
ネッセンス材料は、狭帯域赤色フォトルミネッセンス材料を含み得る。発光デバイスは、
パッケージ化配置、例えば、ＳＭＤパッケージ配置、チップオンボード（ＣＯＢ）、ＬＥ
Ｄフィラメント－チップオンガラス（ＣＯＧ）、およびチップスケールパッケージ（ＣＳ
Ｐ）配置、または遠隔蛍光体配置を含み得る。
本発明のこれらのおよび他の態様および特色は、添付の図面と併せて本発明の特定の実
施形態の以下の説明を検討することにより、当業者に明らかになるであろう。
本発明の実施形態による、パッケージ化フォトルミネッセンス波長変換白色発光デバイスの断面側面図である。 図２Ａ、２Ｂ、および２Ｃは、例示的な多重量子井戸（ＭＱＷ）二重波長ＬＥＤチップ構造の概略図である。 図３Ａおよび３Ｂは、それぞれ、本発明の実施形態による、チップオンボード（ＣＯＢ）パッケージ化白色発光デバイスの（ａ）平面図、および（ｂ）Ａ－Ａを通る断面側面図である。 本発明の実施形態による、フリップチップ二重波長ＬＥＤダイを利用するチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）の白色発光デバイスの概略図である。 本発明の実施形態による、横方向チップ（ｌａｔｅｒａｌ－ｃｈｉｐ）二重波長ＬＥＤダイを利用するチップスケールパッケージ化（ＣＳＰ）白色発光デバイスの概略図である。 本発明の実施形態による、垂直方向チップ（ｖｅｒｔｉｃａｌ－ｃｈｉｐ）二重波長ＬＥＤダイを利用するチップスケールパッケージ化（ＣＳＰ）白色発光デバイスの概略図である。 図７Ａおよび７Ｂは、それぞれ、本発明の実施形態による、遠隔フォトルミネッセンス白色発光デバイスの（ａ）平面図、および（ｂ）Ｂ－Ｂを通る断面側面図である。 図８Ａおよび８Ｂは、それぞれ、（ａ）本発明の実施形態による、エッジ照明液晶ディスプレイ、および（ｂ）本発明の実施形態による、ディスプレイバックライトの断面側面図である。 本発明の実施形態による、直接照明バックライトの概略断面図である。 本発明の実施形態による、直接照明バックライトの概略断面図である。 本発明の実施形態による、遠隔蛍光体フィルムを利用する直接照明バックライトの概略断面図である。 一般組成Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋のマンガン賦活ヘキサフルオロケイ酸カリウム蛍光体（ＫＳＦ）の放射スペクトルを示す。 異なる比のＳ／Ｓｅ（硫黄／セレン）についてのＣＳＳ蛍光体（ＣＳＳ６０４、ＣＳＳ６１５、ＣＳＳ６２４、ＣＳＳ６３２、およびＣＳＳ６４１で示される）の正規化された放射スペクトルを示す。 多重量子井戸（ＭＱＷ）二重波長ＬＥＤのための、強度対波長の測定された放射スペクトル。 本発明の実施形態による、パッケージ化発光デバイス（バックライト）のための、強度対波長の測定された放射スペクトル。
ここで、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明するが、これらは当業者による
本発明の実行を可能にするために、本発明の例示の実施例として提供するものである。特
に、以下の図および実施例は、本発明の範囲を単一の実施形態に限定することを意図して
いないが、説明または例示した要素のうちのいくつかまたはすべてを交換することにより
他の実施形態が可能である。さらに、既知の構成要素を使用して本発明のある特定の要素
を部分的または完全に実施することができる場合、本発明を理解するために必要なそのよ
うな既知の構成要素のそれらの部分のみを説明し、本発明を曖昧にしないように、そのよ
うな既知の構成要素の他の部分の詳細な説明を省略する。本明細書において、単数の構成
要素を示す実施形態は、限定的であるとみなされるべきではなく、むしろ本発明は、本明
細書に明示的に別段の記載がない限り、複数の同じ構成要素を含む他の実施形態、および
その逆を包含することが意図される。さらに、出願人らは、明示的にそのような記載がな
い限り、明細書または特許請求の範囲内のいかなる用語も、一般的ではない、または特別
な意味に帰属されることを意図していない。さらに、本発明は、例示として本明細書で参
照される既知の構成要素に対する現在および将来の既知の等価物を包含する。本明細書全
体を通して、図番号の前に付された同様の参照番号は、同様の（等価物の）部品を示すた
めに使用される。
本発明の実施形態は、青色および緑色発光を生成するＭＱＷ二重波長ＬＥＤを含む、フ
ォトルミネッセンス波長変換発光デバイスに関する。上述のように、ＭＱＷ二重波長ＬＥ
Ｄは、２つ（二重）の異なる色（波長）の青色および緑色光を生成する単一のＬＥＤダイ
（またはチップ）として定義される。
パッケージ化白色発光デバイス／バックライト
ここで、本発明の実施形態による、パッケージ化フォトルミネッセンス波長変換白色発
光デバイス１１０を、発光デバイス１１０の断面側面図を示す図１を参照して説明する。
発光デバイス１１０は、例えば、表面実装デバイス（ＳＭＤ）２８３５ＬＥＤパッケージ
（リードフレーム）１１２を含むパッケージタイプのデバイスである。ＳＭＤパッケージ
１１２は、概ね長方形のベース１１４、およびベース１１４の対向するエッジ部から上向
きに延びる側壁１１６ａ、１１６ｂを含む。側壁１１６ａ、１１６ｂの内面は、示される
ように、ベースから垂直方向に外向きに傾斜し、ベース１１４の内面とともに、角錐の逆
錐台の形状の空洞１１８を画定する。
この実施形態では、空洞１１８は、１つ以上の二重波長ＬＥＤダイ１２０（図１には１
つのみを図示する）、および空洞１１８を満たす赤色放射フォトルミネッセンス材料を含
むフォトルミネッセンス層１２２を含有する。赤色フォトルミネッセンス材料は、６２０
ｎｍ～６６０ｎｍの範囲のピーク放射波長（λｐｅ）を有する赤色光を生成するように作
動可能である。
ＬＥＤダイ１２０は、空洞１１８の床上のそれぞれのボンディングパッド１２４上に実
装されている。このまたは各ＬＥＤダイ１２０は、その上面の対向する端部にｎ電極１２
６ａおよびｐ電極１２６ｂを含む。ボンドワイヤ１２８ａ、１２８ｂは、ｎ電極１２６ａ
およびｐ電極１２６ｂを、空洞１１８の床上に実装されている対応する接触パッド１３０
ａ、１３０ｂに接続する。接触パッド１３０ａ、１３０ｂは、ベース１１４の下面の外部
接触パッド１３２ａおよび１３２ｂに電気的に接続される。
フォトルミネッセンス層１２２は、典型的には、例えば、シリコーン材料などの光透過
性光学封入体（媒体）中に分散される粒子の形態における蛍光体材料によって構成され得
る。フォトルミネッセンス層１２２は、図示されるようにＬＥＤダイ１２０と接触し、示
されるように空洞１１８を満たすことができる。デバイス用途に応じて、フォトルミネッ
センス材料は、広帯域（約２５ｎｍ～約６０ｎｍのＦＷＨＭ放射強度）または狭帯域（約
５ｎｍ～約２５ｎｍのＦＷＨＭ放射強度）のデバイス用途に応じる材料であり得る。広帯
域および狭帯域の赤色フォトルミネッセンス材料の例を以下に説明する。
ＭＱＷ二重波長ＬＥＤ
本発明によれば、ＭＱＷ二重波長ＬＥＤダイ１２０は、ａ）４４０ｎｍ～４７０ｎｍの
ドミナント波長（λｄ１）を有する青色光を作動中に生成する１つ以上の第１の量子井戸
（ＱＷ）、およびｂ）５２０ｎｍ～５４０ｎｍのドミナント波長（λｄ２）を有する緑色
光を作動中に生成する１つ以上の第２のＱＷを含む、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ（窒化インジウ
ムガリウム／窒化ガリウム）ＭＱＷ二重波長ＬＥＤダイを含み得る。典型的には、ＭＱＷ
二重波長ＬＥＤは、複数の第１および第２の量子井戸を含み、すなわち、第１および第２
のＱＷ自体は各々、それぞれのＭＱＷ構造を含む。
図２Ａ、図２Ｂおよび図２Ｃは、本発明で使用可能なＭＱＷの例示的な二重波長ＬＥＤ
構造の概略図である。本発明における使用に好適な他の好適なＭＱＷのＬＥＤ構造が存在
することが理解されよう。図２Ａおよび２Ｂは、それらが単一のチップとして組み立てら
れたそれぞれの青色および緑色のＭＱＷのＬＥＤ構造を本質的に含むという点で、モノリ
シックデバイスと称される場合もあり、一方で、図２Ｃは、青色および緑色光を生成する
ことができる単一のＭＱＷのＬＥＤ構造を含む。
図２Ａを参照すると、ＬＥＤチップ２２０は、順に、サファイア基板２２０ａ、第１の
ｎドープＧａＮ（ｎ－ＧａＮ）層２２０ｂ、ドミナント波長λｄ２の緑色光を生成するた
めの第２のＩｎＧａＮのＭＱＷ構造層２２０ｃ、第１のｐドープＧａＮ（ｐ－ＧａＮ）層
２２０ｄ、バリア層２２０ｅ、第２のｎドープＧａＮ（ｎ－ＧａＮ）層２２０ｆ、ドミナ
ント波長λｄ１の青色光を生成するための第１のＩｎＧａＮのＭＱＷ構造層２２０ｇ、お
よび第２のｐドープＧａＮ（ｐ－ＧａＮ）層２２０ｈを含む、層状構造を含む。ｎ電極２
２６ａおよびｐ電極２２６ｂは、それぞれ、第１のｎ－ＧａＮ層２２０ｂおよび第２のｐ
－ＧａＮ層２２０ｈに電気的に接続される。ＭＱＷ構造の２２０ｃおよび２２０ｇによっ
て生成された光のドミナント波長λｄは、ＱＷのインジウム（Ｉｎ）ドープ、ＱＷ層の幅
、ならびにＱＷの数およびドミナント波長λｄ間隔に依存し得る。層２２０ｂ～２２０ｄ
を含む構造は、緑色光を生成するそれぞれの緑色のＭＱＷのＬＥＤ構造（ｐ－ｎ接合ダイ
オード）を構成し、一方で層２２０ｆ～２２０ｈを含む構造は、青色光を生成するそれぞ
れの青色のＭＱＷのＬＥＤ構造を構成することが理解されよう。緑色および青色のＭＱＷ
のＬＥＤ構造は、直列に電気的に接続されている。用途に応じて、青色（第１の）および
緑色（第２の）ＱＷの数およびドミナント波長λｄ間隔は、約１５ｎｍ～約４５ｎｍの半
値全幅（ＦＷＨＭ）の放射強度を有する青色光および／または緑色光を生成するように構
成され得る。例えば、一般的な照明用途において、青色および／または緑色光は、一般的
に、より広いＦＷＨＭ放射強度、例えば、約２５ｎｍ～約６４５ｎｍを有する。ディスプ
レイバックライト用途では、青色光および／または緑色光は、一般に、より狭いＦＷＨＭ
放射強度、例えば、約１５ｎｍ～約２５ｎｍを有する。
図２Ａの配置では、青色（第１の）および緑色（第２の）ＭＱＷ層２２０ｇおよび２２
０ｃは、垂直配置で互いに積み重ねられている。他の実施形態では、青色および緑色のＱ
Ｗは、単一の層内に横方向に位置することができる。図２Ｂを参照すると、ＬＥＤチップ
２２０は、順に、サファイア基板２２０ａ、ｎドープＧａＮ（ｎ－ＧａＮ）層２２０ｂ、
ドミナント波長λｄ１の青色光とドミナント波長λｄ２の緑色光とをそれぞれ生成するた
めの第１および第２のＩｎＧａＮのＭＱＷ構造２２０ｇ、２２０ｃ、ならびにｐドープＧ
ａＮ（ｐ－ＧａＮ）層２２０ｈを含む、層状構造を含む。図２Ｂに示されるように、第１
および第２のＭＱＷ構造の２２０ｇ、２２０ｃは、単一の層内に横方向に位置し、バリア
層２２０ｅによって分離され得る。ｎ電極１２６ａおよびｐ電極１２６ｂは、それぞれ、
ｎ－ＧａＮ層２２０ｂおよびｐ－ＧａＮ層２２０ｈに電気的に接続される。層２２０ｂ、
２２０ｇおよび２２０ｈを含む構造は、青色光を生成するそれぞれの青色のＭＱＷのＬＥ
Ｄ構造（ｐ－ｎ接合ダイオード）を構成し、一方で層２２０ｂ、２２０ｃおよび２２０ｈ
を含む構造は、緑色光を生成するそれぞれの緑色のＭＱＷのＬＥＤ構造を構成することが
理解されよう。青色および緑色のＭＱＷのＬＥＤ構造は、並列に電気的に接続されている
。青色および緑色のＭＱＷ構造によって生成された光のドミナント波長λｄは、インジウ
ム（Ｉｎ）ドープ、ＱＷ層の幅、ならびにＱＷの数およびドミナント波長λｄ間隔に依存
し得る。用途に応じて、青色（第１の）および緑色（第２の）ＱＷの数およびドミナント
波長λｄ間隔は、約１５ｎｍ～約４５ｎｍの半値全幅（ＦＷＨＭ）の放射強度を有する青
色光および／または緑色光を生成するように構成され得る。例えば、一般的な照明用途に
おいて、青色および／または緑色光は、一般的に、より広いＦＷＨＭ放射強度、例えば、
約２５ｎｍ～約４５ｎｍを有する。ディスプレイバックライト用途では、青色光および／
または緑色光は、一般に、より狭いＦＷＨＭ放射強度、例えば、約１５ｎｍ～約２５ｎｍ
を有する。
図２Ｃは、青色および緑色光の両方を生成することができる単一のＭＱＷのＬＥＤ構造
の概略である。図２Ｃを参照すると、ＬＥＤチップ２２０は、順に、サファイア基板２２
０ａ、ｎドープＧａＮ（ｎ－ＧａＮ）層２２０ｂ、ドミナント波長λｄ２の緑色光を生成
するための第２のＩｎＧａＮのＭＱＷ構造層２２０ｃ、ドミナント波長λｄ１の青色光を
生成するための第１のＩｎＧａＮのＭＱＷ構造層２２０ｇ、およびａドープＧａＮ（ｐ－
ＧａＮ）層２２０ｈを含む、層状構造を含む。ｎ電極２２６ａおよびｐ電極２２６ｂは、
それぞれ、ｎ－ＧａＮ層２２０ｂおよびｐ－ＧａＮ層２２０ｈに電気的に接続される。青
色および緑色のＭＱＷ構造によって生成された光のドミナント波長λｄは、ＱＷのインジ
ウム（Ｉｎ）ドープ、ＱＷ層の幅、ならびにＱＷの数およびドミナント波長λｄ間隔に依
存し得る。層２２０ｂ、２２０ｃ、２２０ｇおよび２２０ｈを含む構造は、青色および緑
色光の両方を生成する単一のＭＱＷのＬＥＤ構造（ｐ－ｎ接合ダイオード）を構成するこ
とが理解されよう。用途に応じて、青色（第１の）および緑色（第２の）ＱＷの数および
ドミナント波長λｄ間隔は、約１５ｎｍ～約６０ｎｍの半値全幅（ＦＷＨＭ）の放射強度
を有する青色光および／または緑色光を生成するように構成され得る。例えば、一般的な
照明用途において、青色および／または緑色光は、一般的に、より広いＦＷＨＭ放射強度
、例えば、約２５ｎｍ～約６０ｎｍを有する。ディスプレイバックライト用途では、青色
光および／または緑色光は、一般に、より狭いＦＷＨＭ放射強度、例えば、約１５ｎｍ～
約２５ｎｍを有する。図示されるように、緑色（第２の）ＭＱＷ構造２２０ｃは、ｎ－Ｇ
ａＮ層２２０ｂに隣接して配置され得、青色（第１の）ＩｎＧａＮのＭＱＷ構造層２２０
ｇは、青色のＩｎＧａＮ構造層２２０ｇの頂部に配置され、ｐ－ＧａＮ層２２０ｈに隣接
して配置される。他の構成では、青色および緑色のＭＱＷ構造層の位置は、ｎ－ＧａＮ層
２２０ｂに隣接して位置する青色（第１の）ＭＱＷ構造２２０ｇ、およびｐ－ＧａＮ層２
２０ｈに隣接して位置する緑色（第２の）ＭＱＷ構造層２２０ｃと転置することができる
。さらに、ＭＱＷ構造層２２０ｃおよび２２０ｇは、互いに積み重ねられたそれぞれのＭ
ＱＷ構造を含むように図示されているが、第１および第２のＭＱＷは、単一の構造、例え
ば、介在された（例えば、交互に）青色および緑色のＱＷの積み重ねを含む単一のＭＱＷ
構造層として一体化され得る。
図１を参照すると、作動中に、二重波長ＬＥＤダイ１２０からの青色光の一部は、フォ
トルミネッセンス層１２２内のフォトルミネッセンス材料によって赤色光に変換される。
二重波長ＬＥＤダイ１２０によって生成された緑色光、フォトルミネッセンス材料によっ
て生成された赤色光、および二重波長ＬＥＤダイによって生成された未変換の青色光の組
み合わせは、白色発光生成物を生成する。フォトルミネッセンス材料の励起スペクトル（
特性）に応じて、二重波長ＬＥＤダイによって生成された緑色光の一部もまた、フォトル
ミネッセンス材料によって赤色光に変換され得る可能性がある。
ここで、本発明の実施形態の３１０による、チップオンボード（ＣＯＢ）パッケージ化
白色発光デバイス３１０を、図３Ａおよび３Ｂを参照して説明する。デバイス３１０は、
基板３１４上に配置された多重（１２個）ＭＱＷ二重波長ＬＥＤダイ３２０、およびＬＥ
Ｄダイ３２０上に配置されたフォトルミネッセンス材料３２２を含む。より具体的には、
図３Ａは、ＣＯＢ白色発光デバイス３１０の平面図を示し、図３Ｂは、（図３Ａの）Ａ－
Ａを通る断面側面図を示す。基板３１４は、平面的かつ正方形の形状であり、金属コアプ
リント回路基板（ＭＣＰＣＢ）であり得る。１２個の二重波長ＬＥＤダイ３２０は、円形
アレイの形態で基板３１４上に均等に分配される。デバイス３１０は、基板３１４のおよ
そ全体の周囲を含み、ＬＥＤダイ３２０のアレイを囲み、基板３１４の表面と併せて円形
空洞３１８を画定する環状壁３１６を含む。ＬＥＤダイ３２０は、４４０ｎｍ～４７０ｎ
ｍのドミナント波長λｄ１を有する青色光、および５２０ｎｍ～５４０ｎｍのドミナント
波長λｄ２を有する緑色光を生成するように作動可能である。
赤色フォトルミネッセンス材料３２２は、壁３１６内部の基板３１４上に堆積され、Ｌ
ＥＤダイ３２０を完全に覆い、空洞３１８を満たす。赤色フォトルミネッセンス材料３２
２は、６２０ｎｍ～６６０ｎｍのピーク放射波長λｐｅを有する赤色光を生成するように
作動可能である。
作動中、ＬＥＤダイ３２０によって生成された青色光の一部は、フォトルミネッセンス
材料によって赤色光に変換される。ＬＥＤダイ３２０によって生成された緑色光、フォト
ルミネッセンス材料によって生成された赤色光、およびＬＥＤダイによって生成された未
変換の青色光の組み合わせは、白色発光生成物を生成する。
任意選択的に、白色発光デバイス３１０は、拡散層３３４（図３Ｂの破線によって示さ
れる）を含み得る。拡散層は、白色発光デバイス３１０による発光の色の均一性を改善し
得る。拡散層は、フォトルミネッセンス材料３２２と直接接触してもよい。拡散層は、光
透過性材料および光散乱粒子を含むことができる。強化された色の均一性は、デバイスが
大型ビーム光学系で使用されるときに特に有利であり得る。光散乱粒子を含む拡散層は、
青色励起光をフォトルミネッセンス材料３２２に戻すことによって、フォトンがフォトル
ミネッセンス光の生成をもたらす確率を増加させる。したがって、より多くの青色励起光
が拡散層によりフォトルミネッセンス光に変換されるため、所与の色温度の光を生成する
ために必要なフォトルミネッセンス材料の量を減少させることができる。さらに、フォト
ルミネッセンス材料の量を減少させることは、特に、ＫＳＦなどの高価なマンガン賦活フ
ッ化物蛍光体を使用する場合に、白色発光デバイス３１０を製造するより費用対効果の高
い様式を提供する。
ここで、図４を参照すると、本発明の実施形態による、フリップチップＬＥＤダイ４２
０を利用するチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）の白色発光デバイスの概略図が示され
ている。
ＣＳＰ白色発光デバイス４１０は、ＭＱＷ二重波長ＬＥＤフリップチップＬＥＤダイ４
２０を含み、その発光面（典型的には、頂部および４つの側面）の各々に赤色フォトルミ
ネッセンス材料のコーティング層４２２を有する。ＬＥＤダイ４２２は、４４０ｎｍ～４
７０ｎｍのドミナント波長λｄ１を有する青色光、および５２０ｎｍ～５４０ｎｍのドミ
ナント波長λｄ２を有する緑色光を生成するように作動可能である。赤色フォトルミネッ
センス材料４２２は、６２０ｎｍ～６４０ｎｍのピーク放射波長λｐｅを有する赤色光を
生成する。ＬＥＤダイ４２０は、そのベース４３６にｎ電極４２６ａおよびｐ電極４２６
ｂを含む。ｎ電極４２６ａおよびｐ電極４２６ｂは、対応する２つのボンディングパッド
４３０ａ、４３０ｂにフリップチップボンディング４３４ａおよび４３４ｂによって電気
的に接続される。接触パッド４３０ａ、４３０ｂは、平面基板４１４上に実装されている
。
図５を参照すると、本発明の実施形態による、横方向チップ二重波長ＬＥＤダイ５２０
を利用するＣＳＰ白色発光デバイスの概略図が示されている。
発光デバイス５１０は、ＭＱＷ二重波長ＬＥＤダイ５２０を含み、その上部５３８ｂお
よびすべての側面５３８ａ、５３８ｃ上に赤色フォトルミネッセンス材料５２２がコーテ
ィングされている。ＬＥＤダイ５２０は、そのベース５３６にボンディングパッド５２４
を有する。ＬＥＤダイ５２０は、ＭＱＷ構造を含み、４４０ｎｍ～４７０ｎｍのドミナン
ト波長λｄ１を有する青色光、および５２０ｎｍ～５４０ｎｍのドミナント波長λｄ２を
有する緑色光を生成するように作動可能である。赤色フォトルミネッセンス材料５２２は
、６２０ｎｍ～６４０ｎｍのピーク放射波長λｐｅを有する赤色光を生成する。ＬＥＤダ
イ５２０は、その上面５３８ｂの対向する端部にｎ電極５２６ａおよびｐ電極５２６ｂを
含む。ボンドワイヤ５２８ａ、５２８ｂは、ｎ電極５２４ａおよびｐ電極５２４ｂを、平
面基板５１４上に実装されている対応する接触パッド５３０ａ、５３０ｂに接続する。
図６を参照すると、本発明の実施形態による、垂直方向チップ二重波長ＬＥＤダイ６２
０を利用するＣＳＰ白色発光デバイスの概略図が示されている。
発光デバイス６１０は、ＭＱＷ二重波長ＬＥＤ垂直方向チップＬＥＤダイ６２０を含み
、その上面６３８ｂのみに赤色フォトルミネッセンス材料６２２がコーティングされてい
る。より具体的には、垂直方向チップはその上面のみから光を放射するため、側面６３８
ａ、６３８ｃは、フォトルミネッセンス材料がコーティングされていない。ＬＥＤダイ６
２０は、ＭＱＷ構造を含み、４４０ｎｍ～４７０ｎｍのドミナント波長λｄ１を有する青
色光、および５２０ｎｍ～５４０ｎｍのドミナント波長λｄ２を有する緑色光を生成する
ように作動可能である。ダイ６２０は、そのベース６２６にｎ電極６２６ａを含み、ｎ電
極６２６ａは、ボンディングパッド６３２上に着座する。順次、ボンディングパッド６３
２は、接触パッド６３０ａ上に着座し、接触パッド６３０ａは、平面基板６１４上に実装
される。ＬＥＤダイ６２０は、その上面６３８ｂの一端にｐ電極６２４ｂを含む。ボンド
ワイヤ６２４は、ｐ電極６２４ｂを、平面基板６１４に実装されている対応する接触パッ
ド６３０ｂに接続する。赤色フォトルミネッセンス材料６２２は、６２０ｎｍ～６６０ｎ
ｍのピーク放射波長λｐｅを有する赤色光を生成するように作動可能である。
遠隔フォトルミネッセンス白色発光デバイス
本発明は、パッケージ化白色発光デバイスと同様に、フォトルミネッセンス材料がＬＥ
Ｄダイに対して遠隔に位置するフォトルミネッセンス層を含む、遠隔フォトルミネッセン
ス（例えば、遠隔蛍光体）配置においても有用性を見出す。本特許明細書において、「遠
隔に」とは、離隔されたまたは分離された関係にあることを意味する。分離は、空気間隙
によるものであり得、またはＬＥＤダイとフォトルミネッセンス層との間に光透過性媒体
を含み得る。
ここで、本発明の実施形態による、遠隔フォトルミネッセンス波長変換白色発光デバイ
スの配置７１０を、図７Ａおよび７Ｂを参照して説明する。より具体的には、図７Ａは、
遠隔フォトルミネッセンス白色発光デバイス７１０の部分断面平面図を示し、図７Ｂは、
（図７Ａの）Ｂ－Ｂを通る断面側面図を示す。
デバイス７１０は、単独で使用してもよく、またはダウンライトもしくは他の照明配置
の一部を含んでもよい。デバイス７１０は、円形の円盤形状のベース７４２、中空の円筒
形の壁部分７４４、および取り外し可能な環状頂部７４６で構成された中空の円筒形の本
体７４０を含む。熱の散逸を助けるために、ベース７４２は、アルミニウム、アルミニウ
ムの合金、または高い熱伝導率を有する任意の材料から作製され得る。
デバイス７１０は、円形形状ＭＣＰＣＢ（金属コアプリント回路基板）７４８と熱的に
連通するように実装されている複数の（図１Ａおよび１Ｂの例では５つの）パッケージ化
ＭＱＷ二重波長ＬＥＤ７２０をさらに含む。光の放射を最大化するために、デバイス７１
０は、ＭＣＰＣＢ７４８の面および円筒形の壁７４４の内側曲面をそれぞれ覆う光反射表
面７５０および７５２をさらに含むことができる。ＬＥＤ７２０の各々は、ＭＱＷ構造を
含み、４４０ｎｍ～４７０ｎｍのドミナント波長（λｄ１）を有する青色光、および５２
０ｎｍ～５４０ｎｍのドミナント波長を有する緑色光を生成するように作動可能である。
デバイス７１０は、ＬＥＤ７２０に対して遠隔に位置し、ＬＥＤ７２０によって生成さ
れた青色／緑色励起光の一部を吸収し、それをフォトルミネッセンスのプロセスによって
異なる波長の光に変換するように作動可能である、赤色フォトルミネッセンス材料を含有
するフォトルミネッセンス波長変換構成要素７２２をさらに含む。赤色フォトルミネッセ
ンス材料７２２は、６２０ｎｍ～６４０ｎｍのピーク放射波長（λｐｅ）を有する赤色光
を生成するように作動可能である。デバイス７１０の放射生成物は、ＬＥＤ７２０によっ
て生成された青色および緑色光と、フォトルミネッセンス波長変換構成要素７２２によっ
て生成されたフォトルミネッセンス光との組み合わせを含む。フォトルミネッセンス波長
変換構成要素は、赤色フォトルミネッセンス材料７２２を組み込んだ光透過性材料（例え
ば、ポリカーボネート、アクリル材料、シリコーン材料など）から形成され得る。さらに
、実施形態では、フォトルミネッセンス波長変換構成要素は、赤色フォトルミネッセンス
材料を用いてコーティングされている光透過性基板から形成され得る。波長変換構成要素
７２２は、ＬＥＤ７２０に対して遠隔に配置され、励起源から空間的に分離される。本特
許明細書において、「遠隔に」および「遠隔」とは、離隔されたまたは分離された関係に
あることを意味する。典型的には、波長変換構成要素および励起源は、空気によって分離
されるが、他の実施形態では、それらは、例えば、光透過性シリコーンまたはエポキシ材
料などの好適な光透過性媒体によって分離され得る。波長変換構成要素７２２は、デバイ
スによって放射されたすべての光が波長構成要素７２２を通過するように、ハウジング開
口部を完全に覆うように構成される。示されるように、波長変換構成要素７２２は、頂部
７４８を使用して壁部分７４４の頂部に取り外し可能に実装され得、ランプの構成要素お
よび放射色を容易に変更することを可能にする。
液晶ディスプレイおよびディスプレイバックライト
前述の白色発光デバイスは、一般的な照明用途に関して説明され得るが、本発明の実施
形態によるデバイスは、液晶ディスプレイ用のバックライトとして有用性を見出す。上述
のように、バックライト用途のために、ＭＱＷのＬＥＤダイは、より狭いＦＷＨＭ放射強
度、例えば、約１５ｎｍ～約３０ｎｍまたは約１５ｎｍ～約２５ｎｍを有する青色光およ
び／または緑色光を生成するように構成される。同様に、赤色フォトルミネッセンス材料
は、狭帯域材料（約１０ｎｍ～約３０ｎｍまたは約１５ｎｍ～約２５ｎｍのＦＷＨＭ放射
強度）を含み得る。
図８Ａおよび図８Ｂは、それぞれ、（ａ）光透過性エッジ照明のカラー液晶ディスプレ
イ（ＬＣＤ）８６０の断面図、および（ｂ）本発明の実施形態によるディスプレイバック
ライトの拡大した断面図を示す。カラーＬＣＤ８６０は、ＬＣ（液晶）ディスプレイパネ
ル８６２およびディスプレイバックライト８６４を含む。バックライト８６４は、ＬＣデ
ィスプレイパネル８６２を作動させるための白色光を生成するように作動可能である。
ＬＣディスプレイパネル８６２は、透明（光透過性）フロント（光／画像放出）プレー
ト８６６、透明バックプレート８６８、およびフロントプレートとバックプレート８６６
、８６８との間の容積を満たす液晶（ＬＣ）８７０を含む。
フロントプレート８６６は、ガラスプレート８７２を含み、その上面に、すなわち、デ
ィスプレイの表示面を含むプレートの面に、第１の偏光フィルタ層（シート）８７４を有
し得る。任意選択的に、フロントプレートの最も外側の表示表面は、反射防止層８７６を
さらに含むことができる。その下側、すなわち、液晶（ＬＣ）８７０に面するフロントプ
レート８６６の面において、ガラスプレート８７２は、カラーフィルタプレート８７８お
よび光透過性共通電極プレート８８０（例えば、透明な酸化インジウムスズ、ＩＴＯ）を
さらに含むことができる。
カラーフィルタプレート８７８は、それぞれ、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および青色（
Ｂ）光の透過を可能にする、異なるカラーのサブピクセルフィルタ素子Ｒ、Ｇ、Ｂのアレ
イを含む。ディスプレイの各単位ピクセルは、３つのサブピクセルフィルタ素子Ｒ、Ｇ、
Ｂのグループを含み、各ＲＧＢのサブピクセルは、サブピクセルのカラーのみに対応する
光の通過を可能にする、それぞれのカラーフィルタ顔料、典型的には有機色素を含む。
バックプレート８６８は、ガラスプレート８８２を含み、その上面（ＬＣに面する表面
）にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層８８４を有し得る。ＴＦＴ層８８４は、ＴＦＴのアレ
イを含み、そこには、各単位ピクセルの各個別の色のサブピクセルＲ、Ｇ、Ｂに対応する
トランジスタが存在する。各ＴＦＴは、その対応するサブピクセルへの光の通過を選択的
に制御するように作動可能である。ガラスプレート８８２の下面には、第２の偏光フィル
タ層（シート）８８６が設けられている。２つの偏光フィルタ８７４および８８６の偏光
方向は、互いに直交に（垂直に）整列される。
バックライト８６４は、ＬＣディスプレイパネル８６２を作動させるために、フロント
発光面（ディスプレイパネルの後部に面する上面）から白色光を生成し、放射させるよう
に作動可能である。図８Ｂに示されるように、バックライト８６４は、ライトガイド８８
８の１つ以上のエッジに沿って位置する１つ以上のパッケージ化ＭＱＷ二重波長ＬＥＤ８
２０を有するライトガイド（導波路）８８８を含む、エッジ照明配置を含み得る。各ＭＱ
ＷのＬＥＤ８２０は、４４０ｎｍ～４７０ｎｍのドミナント波長（λｄ１）を有する青色
光、および５００ｎｍ～５４０ｎｍのドミナント波長を有する緑色光を生成するように作
動可能である。示されるように、ライトガイド８８８は平面であり得るが、いくつかの実
施形態では、ライトガイドのフロント発光面（ディスプレイパネルに面する上面）からの
励起光のより均一な放射を促進するためにテーパー状（くさび形状）であり得る。ＬＥＤ
８２０は、作動中に、ライトガイド８８８の１つ以上のエッジに連結され、次いで、内部
全反射によって、ライトガイドの容積全体にわたってガイドされ、最後に、ライトガイド
８８８のフロント面（ディスプレイパネル８６２に面する上面）から放射される、青色／
緑色の励起光８９０を生成するように構成される。図８Ｂに示されるように、かつバック
ライト８６４からの光の逃げを防止するために、ライトガイド８８８の後面（示されるよ
うな下面）は、３Ｍ（商標）からのＶｉｋｕｉｔｉ（商標）ＥＳＲ（Ｅｎｈａｎｃｅｄ
Ｓｐｅｃｔｒａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）フィルムなどの光反射層（表面）８９２を含み
得る。
ライトガイド８８８のフロント発光面（示されるような上面）には、フォトルミネッセ
ンス波長変換層８２２および輝度強化フィルム（ＢＥＦ）８９４が設けられている。実施
形態では、フォトルミネッセンス層は、例えば、ＢＥＦ８９４またはライトガイド８８８
上に堆積される別個のシート／フィルムまたは層を含み得る。本発明の実施形態によれば
、フォトルミネッセンス層は、６２０ｎｍ～６４０ｎｍのピーク放射波長（λｐｅ）を有
する赤色光を生成する赤色フォトルミネッセンス材料を含む。フォトルミネッセンス材料
は、ＬＥＤ８２０から分離され、それに対して遠隔のそれぞれの層８２２内に提供される
ため、バックライトは、励起源およびフォトルミネッセンス材料が光学媒体（ライトガイ
ド８８８）によって分離される、遠隔フォトルミネッセンス配置を構成することが理解さ
れよう。作動中、フォトルミネッセンス層８２２は、ＬＣディスプレイパネル８６２を作
動させるために、（場合によっては、フォトルミネッセンス材料の励起スペクトルに応じ
て緑色光でもある）青色励起光の一部を白色光８９８に変換する。ディスプレイの効率お
よび色域を最適化するために、青色光λｄ１および緑色光λｄ２のドミナント波長および
赤色フォトルミネッセンス材料のピーク放射波長λｐｅは、それらの対応するカラーフィ
ルタ素子ＲＧＢの最大透過特性に実質的に対応するように選択される。
プリズムシートとしても既知の輝度強化フィルム（ＢＥＦ）は、精密マイクロ構造化光
学フィルムを含み、固定角度（典型的には、７０度）内でバックライトからの光の放射を
制御し、それによってバックライトの発光効率を増加させる。典型的には、ＢＥＦは、フ
ィルムの発光面上にマイクロプリズムのアレイを含み、輝度を４０～６０％増加させるこ
とができる。ＢＥＦ８９４は、単一のＢＥＦまたは複数のＢＥＦの組み合わせを含むこと
ができ、後者の場合、さらにより大きな輝度の増加を達成することができる。好適なＢＥ
Ｆの例には、３Ｍ（商標）からのＶｉｋｕｉｔｉ（商標）ＢＥＦ ＩＩまたはＭＮＴｅｃ
ｈからのプリズムシートを含む。いくつかの実施形態では、ＢＥＦ８９４は、プリズムシ
ートを拡散フィルムと一体化する多機能プリズムシート（ＭＦＰＳ）を含むことができ、
通常のプリズムシートよりも優れた発光効率を有することができる。いくつかの実施形態
では、ＢＥＦ８９４は、ＭＮＴｅｃｈから入手可能なものなどのマイクロレンズフィルム
プリズムシート（ＭＬＦＰＳ）を含むことができる。
前述の実施形態では、バックライトは、ディスプレイの全面積にわたって光を分配させ
るためのライトガイドを利用するエッジ照明配置であったが、本発明の様々な実施形態は
、ＬＥＤのアレイがＬＣディスプレイパネルの表面上に構成される直接照明バックライト
において有用性を見出す。図９は、パッケージ化発光デバイス９１０、例えば、図１～６
のパッケージ化発光デバイスのアレイが、光反射性エンクロージャー９１０２の床９１０
０上に設けられている直接照明バックライト配置９６４を図示する。典型的には、発光デ
バイスは、示されるＭＣＰＣＢ９４８上に実装されている）。図示されるように、発光デ
バイス９１０は、図１のパッケージ化配置を含み得る。ディスプレイパネルの均一な照明
を確実にするために、バックライトは、光反射性エンクロージャー９１０２とＢＥＦ９９
４との間に配置された光拡散性層（ディフューザー）９１０４をさらに含み得る。
図１０は、本発明の実施形態による、さらなる直接照明バックライト１０６４の概略断
面図である。この実施形態では、ＣＳＰパッケージ化発光デバイス１０１０のアレイは、
光反射性エンクロージャー１０１００の床のＭＣＰＣＢ１０４８上に設けられている。図
示されるように、発光デバイス１０１０は、図４のＣＳＰパッケージ化配置を含み得る。
発光デバイスは、アレイとして構成され、ディスプレイの全表面積を覆う。ディスプレイ
パネルの均一な照明を確実にするために、バックライトは、光反射性エンクロージャー１
０１００とＢＥＦ１０９４との間に配置された光拡散性層（ディフューザー）１０１０４
をさらに含み得る。
図１１は、本発明の実施形態による、さらなる直接照明バックライトの概略断面図であ
る。この実施形態では、フォトルミネッセンス材料は、ＭＱＷ二重波長ＬＥＤ１１２０に
対して遠隔に位置される層１１２２（蛍光体フィルム）として提供される。ＭＱＷ二重波
長ＬＥＤチップ１１２０、例えば、ＬＥＤフリップチップのアレイは、光反射性エンクロ
ージャー１１１０２の床のＭＣＰＣＢ１１４８上に設けられている。ＭＱＷ二重波長ＬＥ
Ｄチップ１１２０は、アレイとして構成され、ディスプレイの全表面積を覆う。図示され
るように、フォトルミネッセンス材料の層１１２２は、光反射性エンクロージャー１１１
０２を覆うように配置され得る。ディスプレイパネルの均一な照明を確実にするために、
バックライトは、フォトルミネッセンス層１１２２とＢＥＦ１１９４との間に配置された
光拡散性層（ディフューザー）１１１０４をさらに含み得る。別個の遠隔の層１１２２内
にフォトルミネッセンス材料を位置させることが特に有利となるのは、それが非常に小さ
い「マイクロ」ＬＥＤフリップチップの使用を可能にすることであり、そうでなければ、
それらの小さな寸法により、赤色フォトルミネッセンス材料を個別にコーティングするこ
とは困難であるか、または不可能である。典型的には、マイクロＬＥＤチップの寸法は、
５０μｍ以下である。
赤色フォトルミネッセンス材料
本発明の実施形態では、赤色フォトルミネッセンス材料は、少なくとも青色光によって
励起可能であり、可視スペクトルの赤色領域内である約６２０ｎｍ～約６６０ｎｍのピー
ク放射波長（λｐｅ）を有する光を放射するように作動可能な、約５ｎｍ超および約８０
ｎｍ未満の半値全幅（ＦＷＨＭ）の放射強度を有する任意の狭帯域または広帯域赤色フォ
トルミネッセンス材料を含み得る。典型的には、赤色フォトルミネッセンス材料は、粒子
状形態の蛍光体を含み、例えば、狭帯域マンガン賦活フッ化物蛍光体、狭帯域ユーロピウ
ム賦活のＩＩＡ／ＩＩＢ族の硫化セレン化物系蛍光体、または一般的な照明の場合、ユー
ロピウム賦活窒化ケイ素系蛍光体などの広帯域赤色蛍光体を含み得る。代替的に、赤色フ
ォトルミネッセンス材料は、量子ドット材料を含み得る。
狭帯域赤色フォトルミネッセンス材料
本特許明細書において、狭帯域赤色フォトルミネッセンス材料は、６２０ｎｍ～６４０
ｎｍのピーク放射波長（λｐｅ）および約５ｎｍ～約６０ｎｍの半値全幅の放射強度を有
する赤色光を生成する材料を指す。狭帯域赤色フォトルミネッセンス材料は、蛍光体およ
び／または量子ドット（ＱＤ）材料を含み得る。
狭帯域赤色蛍光体：マンガン賦活フッ化物蛍光体
狭帯域赤色蛍光体は、マンガン賦活フッ化物蛍光体を含み得る。マンガン賦活フッ化物
蛍光体の一例は、一般組成Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋のマンガン賦活ヘキサフルオロケイ酸
カリウム蛍光体（ＫＳＦ）である。そのような蛍光体の一例は、約６３２ｎｍのピーク放
射波長（λｐｅ）を有するＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、Ｆｒｅｍｏｎ
ｔ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ，ＵＳＡからのＮＲ６９３１ ＫＳＦ蛍光体である。図１２は
、ＮＲ６９３１ ＫＳＦ蛍光体の放射スペクトルを示す。ＫＳＦ蛍光体は、青色励起光に
よって励起可能であり、約５ｎｍ～約１０ｎｍのＦＷＨＭとともに、約６３１ｎｍ～約６
３２ｎｍのピーク放射波長（λｐｅ）（測定する方法に依存する：すなわち、幅は、メイ
ン放射ピークまたはメインおよびサテライト放射ピーク（ダブルピーク、図１２）を考慮
に入れるかどうか）を有する赤色光を生成する。他のマンガン賦活蛍光体には、Ｋ２Ｇｅ
Ｆ６：Ｍｎ４＋、Ｋ２ＴｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｋ２ＳｎＦ６：Ｍｎ４＋、Ｎａ２ＴｉＦ６：
Ｍｎ４＋、Ｎａ２ＺｒＦ６：Ｍｎ４＋、Ｃｓ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｃｓ２ＴｉＦ６：Ｍ
ｎ４＋、Ｒｂ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｒｂ２ＴｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＺｒＦ７：Ｍｎ４
＋、Ｋ３ＮｂＦ７：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＴａＦ７：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＧｄＦ６：Ｍｎ４＋、Ｋ３
ＬａＦ６：Ｍｎ４＋、およびＫ３ＹＦ６：Ｍｎ４＋を含むことができる。
狭帯域赤色蛍光体：ＩＩＡ／ＩＩＢ族の硫化セレン化物系蛍光体
狭帯域赤色蛍光体には、ＩＩＡ／ＩＩＢ族の硫化セレン化物系蛍光体も含み得る。ＩＩ
Ａ／ＩＩＢ族の硫化セレン化物系蛍光体材料の第１の例は、一般組成ＭＳｅ１－ｘＳｘ：
Ｅｕを有し、式中、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎのうちの少なくとも１つで
あり、０＜ｘ＜１．０である。この蛍光体材料の特定の例は、セレン化硫化カルシウム「
ＣＳＳ」蛍光体（ＣａＳｅ１－ｘＳｘ：Ｅｕ）である。ＣＳＳ蛍光体の詳細は、２０１６
年９月３０日に出願された同時係属中の米国特許出願公開第２０１７／０１４５３０９号
に提供され、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。米国特許公開第２０１７／
０１４５３０９号に記載されているＣＳＳの狭帯域赤色蛍光体は、本発明にて使用するこ
とができる。図１３は、異なる比のＳ／Ｓｅ（硫黄／セレン）についてのＣＳＳ蛍光体（
ＣＳＳ６０４、ＣＳＳ６１５、ＣＳＳ６２４、ＣＳＳ６３２、ＣＳＳ６４１で示される）
の正規化された放射スペクトルを示す。本特許明細書において、表記ＣＳＳ＃は、蛍光体
のタイプ（ＣＳＳ）に続き、ナノメートルにおけるピーク放射波長（＃）を表す。例えば
、ＣＳＳ６２４は、６２４ｎｍのピーク放射波長λｐｅを有するＣＳＳ蛍光体を示す。Ｃ
ＳＳ蛍光体のピーク放射波長は、組成物中のＳ／Ｓｅ比を変化させることによって６００
ｎｍ～６５０ｎｍに調整することができ、約４８ｎｍ～約６０ｎｍの範囲のＦＷＨＭを有
する狭帯域赤色放射スペクトルを示す（より長いピーク放射波長は、典型的には、より大
きなＦＷＨＭ値を有する）。ｘは、図１３に示される組成物について、約０．０５～約０
．８の範囲にわたって変動することに留意されたい。これは、ｘのより大きな値に対応す
るより高いピーク波長であり、すなわち、Ｓの量が増加するにつれて、発光ピークをより
高い波長に移行させる。
ＣＳＳ蛍光体の粒子は、精製されたＣａＳｅＯ４およびＣａＳＯ４から、穏やかなＨ２
（ガス）環境（例えば、約５％のＨ２／Ｎ２）中で合成することができる。
狭帯域赤色蛍光体：コーティングされたＣＳＳ蛍光体
信頼性を向上させるために、ＣＳＳ蛍光体の粒子は、１つ以上の酸化物、例えば、酸化
アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ホ
ウ素（Ｂ２Ｏ３）、または酸化クロム（ＣｒＯ）を用いてコーティングすることができる
。代替的かつ／または追加的に、狭帯域赤色蛍光体の粒子は、１つ以上のフロウリド（ｆ
ｌｏｕｒｉｄｅ）、例えば、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ２）、フッ化亜鉛（ＺｎＦ２）、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）またはフッ化チタン
（ＴｉＦ４）を用いてコーティングされ得る。コーティングは、単一の層、または上記の
コーティングの組み合わせを有する多層であり得る。組み合わせコーティングは、第１の
材料と第２の材料との間の急激な遷移を有するコーティングであってもよく、または第１
の材料から第２の材料に徐々に／滑らかな遷移があるコーティングであってもよく、この
ため、コーティングの厚さを介して変動する混合組成を有するゾーンを形成する。
コーティングするＣＳＳ蛍光体の粒子の詳細は、２０１９年４月９日に発行された米国
特許第１０，２５３，２５７号に提供され、その全体が参照により本明細書に組み込まれ
る。ＵＳ１０，２５３，２５７に記載されているように、粒子は、流動床反応器内のＣＶ
Ｄプロセスによってコーティングすることができる。コーティングの厚さは、数マイクロ
メートルであり得る。例えば、典型的には、１μｍ～２μｍである。
コーティングされたＣＳＳ狭帯域赤色蛍光体は、典型的には、約１μｍの非晶質アルミ
ナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いてコーティングされている。アルミナコーティングの場合、コー
ティングは、ピンホールがない（ピンホールフリー）、すなわち、水不透過性コーティン
グがない、ＣＳＳ蛍光体の粒子表面上の高密度である非晶質酸化物コーティング層を含む
。
典型的なコーティングプロセスでは、蛍光体粉末サンプルを反応器に充填し、Ｎ２ガス
流下で１００～２５０℃、好ましくは２００℃まで加熱した。酸化物コーティングが堆積
される場合、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、四塩化
ケイ素（ＳｉＣｌ４）、またはジメチル亜鉛（ＤＭＺ）などの金属有機酸化物前駆体ＭＯ
を、バブラーを介してＮ２キャリアガスによる入口を介して反応器に導入した。Ｈ２Ｏ蒸
気もまた、さらなる入口を介して反応器内に導入して金属酸化物前駆体と反応させ、蛍光
体の粒子上に酸化物コーティング層を形成した。すべての蛍光体の粒子の均質なコーティ
ングを確実にするには、いかなるデッドスペースもなく、（ガス流の最適化などから）コ
ーティングされている粒子を完全に流動化させることが重要である。２５０ｇの蛍光体の
粒子を充填した反応器について２００℃で実施された典型的なコーティングでは、コーテ
ィングは、４時間、１～１０ｇ／時間の供給速度で金属酸化物前駆体により生成され、Ｈ
２Ｏを速度２～７ｇ／時間で供給した。これらの条件により、高密度かつピンホールフリ
ーのコーティングを生成することができ、これらの条件は、９５％、９７％、および９９
％を超える理論化された固体空間パーセンテージ（嵩密度のパーセンテージ）を有する、
均一な厚さの高密度である実質的にピンホールフリーのコーティングを生成することがで
きる。本特許明細書において、固体空間のパーセンテージ＝（コーティングの嵩密度／単
一粒子内の材料の密度）×１００である。固体空間のパーセンテージ（固体空間％）は、
ピンホールから生じるコーティングの多孔性の尺度を提供することが理解されるであろう
。
狭帯域赤色フォトルミネッセンス材料：赤色量子ドット（ＱＤ）
量子ドット（ＱＤ）は、その励起子が、放射線エネルギーによって励起されて特定の波
長または波長範囲の光を放射することができる、３つの空間次元すべてに閉じ込められて
いる物質（例えば、半導体）の一部である。ＱＤによって生成された光の色は、ＱＤのナ
ノ結晶構造に伴う量子閉じ込め効果によって、可能となる。各ＱＤのエネルギーレベルは
、ＱＤの物理的なサイズに直接関係する。例えば、赤色ＱＤなどのより大きなＱＤは、比
較的低いエネルギー（すなわち、比較的長い波長）を有する光子を吸収し、放出すること
ができる。一方、サイズがより小さい青色ＱＤは、比較的高いエネルギー（より短い波長
）の光子を吸収して放出することができる。ＱＤは、２０ｎｍ～４５ｎｍのＦＷＨＭ放射
強度を有する光を生成する。
ＱＤ材料は、タマネギ様構造中に異なる材料を含有するコア／シェルナノ結晶を含み得
る。例えば、上述の例示的な材料は、コア／シェルナノ結晶のためのコア材料として使用
され得る。１つの材料中のコアナノ結晶の光学特性は、別の材料のエピタキシャル型シェ
ルを成長させることによって変化させることができる。要件に応じて、コア／シェルナノ
結晶は、単一のシェルまたは複数のシェルを有し得る。シェル材料は、バンドギャップエ
ンジニアリングに基づいて選択することができる。例えば、シェル材料はコア材料よりも
大きなバンドギャップを有することができ、これにより、ナノ結晶のシェルは、光学活性
なコアの表面を、その周囲媒体から分離することができる。カドミウム系ＱＤ、例えばＣ
ｄＳｅ ＱＤの場合、コア／シェル量子ドットは、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ
、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、またはＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ
の式を使用して合成することができる。同様に、ＣｕＩｎＳ２量子ドットについては、コ
ア／シェルナノ結晶は、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＣｄＳ、ＣｕＩｎＳ２／
ＣｕＧａＳ２、ＣｕＩｎＳ２／ＣｕＧａＳ２／ＺｎＳなどの式を使用して合成することが
できる。
ＱＤは、異なる材料を含むことができ、赤色ＱＤ組成物の例を表１に示す。
図１４ カラーＬＣＤ用のＭＱＷ二重波長ＬＥＤのための、強度対波長の測定された放
射スペクトル。ＭＱＷ二重波長ＬＥＤは、複数の青色および緑色量子井戸を含み、約４５
５ｎｍのドミナント波長（λｄ１）および約１８ｎｍのＦＷＨＭを有する青色光１４１１
０を生成し、約５３０ｎｍのドミナント波長（λｄ２）および約３０ｎｍのＦＷＨＭを有
する緑色光１４１２０を生成する。青色放射に対する緑色放射のピーク放射強度の比、す
なわち、青色放射ピークのピーク放射強度に対する緑色放射ピークのピーク放射強度の比
は、約４０％である。測定された試験データは、３０％～６０％の青色放射に対する緑色
放射のピーク放射強度の比は、少なくとも３０％、少なくとも４０％、少なくとも５０％
、少なくとも６０％、３０％～５０％、３０％～４０％、４０％～５０％、４０％～６０
％、または５０％～６０％であり得るが、少なくとも３０％、少なくとも４０％、少なく
とも５０％であり、典型的には３０％～５０％であり得ることを実証する。特定のディス
プレイカラーフィルタ（赤色、緑色、および青色フィルタ）のための、特定の白色の色点
およびＮＴＳＣ目標を満たすために、青色および緑色放射のドミナント波長を、活性Ｇａ
Ｎ層内のインジウムドープ濃度によって調節することができ、青色放射に対する緑色放射
のピーク強度の比を、ＭＱＷ構造中の量子井戸の数および位置によって調節することがで
きる。
図１５ 図１４のＭＱＷ二重波長ＬＥＤおよび狭帯域マンガン賦活ＫＳＦ蛍光体を有す
るＳＭＤパッケージ（例えば、図１のパッケージ）を含む、本発明の実施形態によるバッ
クライトのための、測定された放射スペクトル、強度対波長。この特定の例では、色域は
、ＣＩＥ（０．２７７、０．２４３）の白色の色点で、ＮＴＳＣ ＲＧＢ色空間規格の面
積の９０％よりも大きいと計算される。さらなる試験結果は、本発明により形成されたバ
ックライトが、ＤＣＩ－Ｐ３ ＲＧＢ色空間規格の面積の少なくとも９０％である色域を
有する光を生成することができることを示す。
一般的な照明用途のための発光デバイス
本発明は、カラーＬＣＤ用のバックライト用途のための特定の有用性を見出すが、その
有用性はまた、一般的な照明用途にも拡張され得る。一般的な照明用途では、例えば、Ｍ
ＱＷ二重波長ＬＥＤは、５００ｎｍ～５６０ｎｍのドミナント波長、およびより広いＦＷ
ＨＭ放射強度、例えば、約１５ｎｍ～約６０ｎｍ、約２５ｎｍ～約６０ｎｍ、または約４
５ｎｍ～約６０ｎｍを有する青色光および／または緑色光を生成するように構成され得る
。一般的な照明用途では、例えば、赤色フォトルミネッセンス材料は、６００ｎｍ～６６
０ｎｍのピーク放射強度の波長を有し得、これは、可視スペクトルのオレンジ色から赤色
の領域内にある。一般的な照明用途では、例えば、フォトルミネッセンス材料は、広帯域
赤色フォトルミネッセンス材料を含み得る。広帯域赤色フォトルミネッセンス材料（蛍光
体）の例を、表２に示す。いくつかの実施形態では、広帯域赤色フォトルミネッセンス材
料は、ユーロピウム賦活窒化ケイ素系赤色蛍光体を含み、一般式ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ
２＋のカルシウムアルミニウム窒化ケイ素蛍光体（ＣＡＳＮ）を含む。ＣＡＳＮ蛍光体は
、ストロンチウム（Ｓｒ）などの他の元素とドープされ、一般式（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉ
Ｎ３：Ｅｕ２＋（ＳＣＡＳＮ）であることができる。ＣＡＳＮ蛍光体は、約６２０ｎｍ～
約６６０ｎｍのピーク放射波長（λｐｅ）を有し、約７０ｎｍ～約８０ｎｍの半値全幅の
放射強度を有する。
一実施形態では、赤色蛍光体は、「Ｒｅｄ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｎｉｔｒｉｄｅ－Ｂａ
ｓｅｄ Ｃａｌｃｉｕｍ－Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ」と題される米国
特許第８，５９７，５４５号に教示されるような赤色放射蛍光体を含むことができ、その
全体が本明細書に組み込まれる。そのような赤色放射蛍光体は、化学式ＭａＳｒｂＳｉｃ
ＡｌｄＮｅＥｕｆで表される窒化物系組成物を含み、式中、Ｍは、Ｃａであり、０．１≦
ａ≦０．４；１．５＜ｂ＜２．５；４．０≦ｃ≦５．０；０．１≦ｄ≦０．１５；７．５
＜ｅ＜８．５；および０＜ｆ＜０．１、ここで、ａ＋ｂ＋ｆ＞２＋ｄ／ｖ、およびｖは、
Ｍの価数である。
代替的に、赤色蛍光体は、「Ｒｅｄ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｎｉｔｒｉｄｅ－Ｂａｓｅｄ
Ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ」と題される米国特許第８，６６３，５０２号に教示されるような
赤色発光窒化物系蛍光体を含み、その全体が本明細書に組み込まれる。窒化物系組成物を
含むそのような赤色放射蛍光体は、化学式Ｍ（ｘ／ｖ）Ｍ’２Ｓｉ５－ｘＡｌｘＮ８：Ｒ
Ｅで表され、式中、Ｍは、価数ｖを有する少なくとも１つの一価、二価、または三価の金
属であり、Ｍ’は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、およびＺｎのうちの少なくとも１つであり
、ＲＥは、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｐｒ、およびＭｎのうちの少なくとも１つであり、ｘは、
０．１≦ｘ＜０．４を満たし、該赤色放射蛍光体は、Ｍ’２Ｓｉ５Ｎ８：ＲＥの一般結晶
構造を有し、Ａｌは、該一般結晶構造中のＳｉの代わりに置換され、Ｍは、実質的に格子
間部位にある該一般結晶構造中に位置する。そのような赤色窒化物蛍光体の例は、Ｉｎｔ
ｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、Ｆｒｅｍｏｎｔ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ，ＵＳ
ＡからのＸＲシリーズの蛍光体である。

Claims (17)

  1. 多重量子井戸二重波長ＬＥＤと、
    約６２０ｎｍ～約６６０ｎｍのピーク放射波長を有する赤色光を生成する狭帯域フォト
    ルミネッセンス材料と、
    を含む、白色発光デバイスであって、前記多重量子井戸二重波長ＬＥＤが、４４０ｎｍ
    ～４７０ｎｍのドミナント波長を有する青色光を生成する少なくとも１つの第１の量子井
    戸、および５２０ｎｍ～５４０ｎｍのドミナント波長を有する緑色光を生成する少なくと
    も１つの第２の量子井戸を含む、白色発光デバイス。
  2. 前記多重量子井戸二重波長ＬＥＤが、複数の第１の量子井戸および複数の第２の量子井
    戸を含む、請求項１に記載の発光デバイス。
  3. 前記青色光および緑色光が、約１５ｎｍ～約４５ｎｍの半値全幅の放射強度を有する、
    請求項１に記載の発光デバイス。
  4. 前記青色光および緑色光のうちの少なくとも１つが、約２５ｎｍ～約４５ｎｍの半値全
    幅の放射強度を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
  5. 前記青色光および緑色光のうちの少なくとも１つが、約１５ｎｍ～約２５ｎｍの半値全
    幅の放射強度を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
  6. 前記狭帯域フォトルミネッセンス材料が、マンガン賦活フッ化物蛍光体を含む、請求項
    １に記載の発光デバイス。
  7. 前記マンガン賦活フッ化物蛍光体が、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｋ２ＴｉＦ６：Ｍｎ４
    ＋、およびＫ２ＧｅＦ６：Ｍｎ４＋のうちの少なくとも１つを含む、請求項６に記載の発
    光デバイス。
  8. 前記狭帯域フォトルミネッセンス材料が、ユーロピウム賦活硫化物系蛍光体を含む、請
    求項１に記載の発光デバイス。
  9. ユーロピウム賦活硫化セレン系蛍光体が、ＭＳｅ１－ｘＳｘ：Ｅｕに基づく一般組成を
    有し、式中、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎのうちの少なくとも１つであり、
    ０＜ｘ＜１．０である、請求項８に記載の発光デバイス。
  10. 前記狭帯域フォトルミネッセンス材料が、量子ドット材料を含む、請求項１に記載の発
    光デバイス。
  11. 前記量子ドット材料が、硫化カドミウムセレンＣｄＳｅＳ、およびリン化インジウムＩ
    ｎＰからなる群から選択される、請求項１０に記載の発光デバイス。
  12. 前記狭帯域フォトルミネッセンス材料が、前記多重量子井戸二重波長ＬＥＤ上に配置さ
    れている、請求項１～１１のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  13. 前記狭帯域フォトルミネッセンス材料が、前記多重量子井戸二重波長ＬＥＤに対して遠
    隔に位置されたフォトルミネッセンス層を含む、請求項１～１１のいずれか一項に記載の
    発光デバイス。
  14. 前記狭帯域フォトルミネッセンス材料が、光透過性媒体中に組み込まれている、請求項
    １～１３のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  15. 前記光透過性媒体が、ジメチルシリコーンまたはフェニルシリコーンを含む、請求項１
    ４に記載の発光デバイス。
  16. 前記狭帯域フォトルミネッセンス材料が、マンガン賦活フッ化物蛍光体を含み、前記デ
    バイスが、ＮＴＳＣのＲＧＢ色空間規格の少なくとも９０％、およびＤＣＩ－Ｐ３のＲＧ
    Ｂ色空間規格の少なくとも９０％のうちの少なくとも１つである色域を有するスペクトル
    を有する光を生成する、請求項１に記載の発光デバイス。
  17. 前記青色光および前記緑色光が、それぞれのピークを含み、前記青色光の前記ピーク放
    射強度に対する前記緑色光の前記ピーク放射強度の比が、３０％～６０％である、請求項
    １に記載の発光デバイス。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7373107B2 (ja) * 2021-09-01 2023-11-02 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3511993B2 (ja) * 1999-10-25 2004-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100552333B1 (ko) 2005-06-20 2006-02-21 주식회사 비첼 백색 발광장치
KR100771650B1 (ko) 2006-03-31 2007-10-30 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
KR100847847B1 (ko) * 2007-01-22 2008-07-23 삼성전기주식회사 백색 발광소자 및 그 제조방법
US20090001389A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Motorola, Inc. Hybrid vertical cavity of multiple wavelength leds
DE102008050643B4 (de) * 2008-10-07 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmittel
TWI405838B (zh) * 2009-03-27 2013-08-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 紅光螢光材料及其製造方法、及白光發光裝置
TW201037059A (en) * 2009-04-01 2010-10-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Red light fluorescent material and manufacturing method thereof, and white light luminescent device
US20120113671A1 (en) * 2010-08-11 2012-05-10 Sridhar Sadasivan Quantum dot based lighting
JP5799212B2 (ja) * 2010-09-21 2015-10-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光モジュール、バックライト装置および表示装置
EP2546320A1 (en) * 2011-07-13 2013-01-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converting element
US8663502B2 (en) 2011-12-30 2014-03-04 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based phosphors
US8597545B1 (en) 2012-07-18 2013-12-03 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors
US10090434B2 (en) * 2015-02-26 2018-10-02 Apple Inc. Illumination device having dual-emitting light emitting diode (LED) die structures
TWI709637B (zh) 2015-09-30 2020-11-11 日商電化股份有限公司 氟化物螢光體、發光裝置及氟化物螢光體之製造方法
US10479937B2 (en) * 2015-10-09 2019-11-19 Intematix Corporation Narrow band red phosphor
US10253257B2 (en) * 2015-11-25 2019-04-09 Intematix Corporation Coated narrow band red phosphor
KR20170082187A (ko) * 2016-01-05 2017-07-14 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 디스플레이 장치
KR20160018636A (ko) 2016-01-29 2016-02-17 우리이앤엘 주식회사 표시 장치
KR101937456B1 (ko) 2016-04-01 2019-01-11 에스케이씨하이테크앤마케팅(주) K-Si-F계 형광체 및 색순도 향상 필름을 포함하는 액정표시장치
KR102559993B1 (ko) * 2016-05-16 2023-07-26 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
JP2018159735A (ja) 2017-03-22 2018-10-11 キヤノン株式会社 画像処理装置、表示装置、及び、画像処理方法
FR3066045A1 (fr) * 2017-05-02 2018-11-09 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Diode electroluminescente comprenant des couches de conversion en longueur d'onde
JP2018190830A (ja) 2017-05-08 2018-11-29 豊田合成株式会社 半導体発光装置
CN119758632A (zh) * 2017-05-23 2025-04-04 英特曼帝克司公司 彩色液晶显示器及显示器背光灯
TWI658610B (zh) * 2017-09-08 2019-05-01 Maven Optronics Co., Ltd. 應用量子點色彩轉換之發光裝置及其製造方法
US10804429B2 (en) 2017-12-22 2020-10-13 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED for visible light communication
US20200028033A1 (en) 2018-03-08 2020-01-23 General Electric Company Devices including green-emitting phosphors
US10371325B1 (en) * 2018-06-25 2019-08-06 Intematix Corporation Full spectrum white light emitting devices

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