JP2024119310A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性を改善した表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、複数の副画素を含む少なくとも一つの画素と、複数の副画素の境界に沿って延在し、画素の外周を囲む線状のセンサ電極と、を有し、センサ電極は、複数の副画素の境界に少なくとも一つの切断部を有する。センサ電極は、複数の副画素の境界に沿って延在する第１センサ電極と、少なくとも一つの画素の外周を囲み前記第１センサ電極から連続する第２センサ電極と、を含み、切断部は、前記第１センサ電極の前記第２センサ電極との境界部に位置することができる。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態の一つは、表示装置に関する。

フレキシブルプリント基板を貼り合わせた表示装置の一つとして、オンセル方式のタッチセンサを採用した表示装置が知られている（特許文献１参照）。タッチセンサには、封止層上にタッチセンサに用いる電極が形成され、表示装置には、電極からフレキシブルプリント基板へ信号伝送するための配線が形成されている。

特開２０１９-７４７０９号公報

タッチセンサのセンサ電極には各種の形状があるが、副画素の輪郭を囲むメッシュ状又は網目状の電極は、金属で形成することができるので低抵抗化の点で有利である。一方、センサ電極は有機樹脂材料で形成されるオーバーコート層で覆われるが、メッシュ状の電極パターンで形成される段差により有機樹脂材料を均一に塗布することができないという問題がある。

本発明の実施形態の一つは、信頼性を改善した表示装置を提供することを課題の一つとする。

本発明の一実施形態による表示装置は、複数の副画素を含む少なくとも一つの画素と、複数の副画素の境界に沿って延在し、画素の外周を囲む線状のセンサ電極と、を有し、センサ電極は、複数の副画素の境界に少なくとも一つの切断部を有する。

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配置を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の回路図を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的端面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の配置を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の構成を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の配置を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配置を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の配置を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の構成を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配置を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の配置を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の構成を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の配置を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の構成を模式的に示す図である。

以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

本明細書および請求項において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。

本明細書および請求項において、端面視という表現は、対象物を垂直に切断し、横から眺めたときを表す。端面図は、端面視したときの図を含むものとする。また、平面視という表現は、対象物を真上から眺めたときを表す。上面図または平面図は、平面視したときの図を含むものとする。

＜第１実施形態＞
本実施形態では、一実施形態に係る表示装置１０の構造を示す。図１は、本実施形態に係る表示装置の表示領域とタッチセンサの配置を示す図である。

１．全体構造
表示装置１０は、基板１０２を有し、基板１０２の上に表示領域１０４、周辺領域１０６、複数の画素１０８、タッチセンサ１１２、実装パッド１１４、検査パッド１１６、対向基板１１８が設けられる。

表示装置１０は、表示領域１０４とそれを囲む周辺領域１０６を備える。表示領域１０４には、表示用の複数の画素が配列される。表示領域１０４に重ねてタッチセンサ１１２が配置される。周辺領域１０６には、実装パッド１１４、および検査パッド１１６、とタッチセンサのセンサ電極とを接続するセンサ配線１２０、およびその他の配線１２２が配置される。図１では省略されているが、表示装置１０は、表示領域１０４および周辺領域１０６と重なるように、後述する図４において点線で示すように、基板１０２と対となる対向基板１１８をさらに有する。

１－１．画素
表示領域１０４は、少なくとも一つの画素を含み、例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に配列された複数の画素を含む。図２は、表示領域１０４における画素の配列を示す。図２に示すように、複数の画素１０８は、表示領域１０４において、例えば行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）に配列される。画素１０８は、複数の副画素１１０を含む。図２には、画素１０８が、副画素１１０－１、副画素１１０－２、副画素１１０－３を含む例を示す。各副画素は、カラー表示を行うための各色に対応し、それぞれ異なる発光色を呈する発光素子１１０Ｅが用いられる。例えば副画素１１０－１には青色発光をする発光素子１１０Ｅ－Ｂ、副画素１１０－２には緑色発光をする発光素子１１０Ｅ－Ｇ、副画素１１０－３には赤色発光をする発光素子１１０Ｅ－Ｒが用いられる。発光素子１１０Ｅには、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子が用いられてもよい。

１－２．画素回路
発光素子Ｅは、各副画素に設けられるトランジスタと電気的に接続される。図３は、副画素１１０－１の回路図を示す。副画素１１０－１の画素回路２００は、選択トランジスタ２１０、駆動トランジスタ２２０、キャパシタ２３０及び発光素子１１０Ｅ－Ｂを含む。

選択トランジスタ２１０は、ゲート線２１２及びデータ線２１４に接続される。具体的には、ゲート線２１２は、選択トランジスタ２１０のゲートに接続される。データ線２１４は、選択トランジスタ２１０のソースに接続される。選択トランジスタ２１０は、画素回路２００にデータ信号（映像信号Ｖｓ）を入力するか否かを選択するためのスイッチとして機能する。選択トランジスタ２１０のドレインは、駆動トランジスタ２２０のゲート及びキャパシタ２３０に接続される。

駆動トランジスタ２２０は、アノード電源線２２２、発光素子１１０Ｅ－Ｂ及びキャパシタ２３０に接続される。具体的には、アノード電源線２２２は、駆動トランジスタ２２０のドレインに接続される。発光素子１１０Ｅ－Ｂは、駆動トランジスタ２２０のソースに接続される。キャパシタ２３０は、駆動トランジスタ２２０のゲートとソースとの間に接続される。駆動トランジスタ２２０は、発光素子１１０Ｅ－Ｂに流れる電流量を制御する。アノード電源線２２２には、高電位の電源電圧（ＰＶＤＤ）が印加される。

キャパシタ２３０は、選択トランジスタ２１０を経由して入力されたデータ信号を保持する。キャパシタ２３０に保持されたデータ信号に対応する電圧が駆動トランジスタ２２０のゲートに印加される。これにより、駆動トランジスタ２２０を経由して流れる電流量がデータ信号に応じて制御される。

発光素子１１０Ｅ－Ｂは、駆動トランジスタ２２０とカソード電源線２２４との間に接続される。具体的には、発光素子１１０Ｅ－Ｂのアノードは、駆動トランジスタ２２０のソースに接続される。すなわち、発光素子１１０Ｅ－Ｂのアノードは、駆動トランジスタ２２０を介してアノード電源線２２２に接続される。発光素子１１０Ｅ－Ｂのカソードは、カソード電源線２２４に接続される。カソード電源線２２４には、低電位の電源電圧（ＰＶＳＳ）が印加される。

画素回路２００において、選択トランジスタ２１０がオン状態になると、データ線２１４からデータ信号が入力される。入力されたデータ信号に対応する電圧は、キャパシタ２３０によって保持される。その後、発光期間において、キャパシタ２３０に保持された電圧により駆動トランジスタ２２０のゲートが制御され、駆動トランジスタ２２０を介してデータ信号に応じた電流が流れる。発光素子１１０Ｅに電流が流れると、発光素子１１０Ｅ－Ｂは、電流量に応じた輝度で発光する。

画素回路２００に供給される信号は、基板１０２の外部に設けられた駆動回路、または周辺領域１０６に設けられる駆動回路と電気的に接続し、供給することができる。外部駆動回路には、駆動用ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いることができる。

駆動用ＩＣは、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を用いたＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）によって基板１０２に実装することができる。例えば、異方性導電フィルムを用いて配線基板が実装されたＦＯＧ（Ｆｉｌｍ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を用い、周辺領域１０６に設けられた実装パッド１１４を介して実装することができる。

１－３．タッチセンサ
１－３－１．センサブロック
タッチセンサ１１２は、表示領域１０４において、複数の画素１０８と重畳するように配置される。タッチセンサ１１２は、複数のセンサブロック１２４に区分することができる。複数のセンサブロック１２４は、表示領域１０４において第１方向および第１方向に交差する第２方向に配列することができる。複数のセンサブロック１２４には、タッチセンサ１１２を構成する複数のセンサ電極１２６がそれぞれ配置される。センサブロック１２４は、複数の画素１０８と重畳する。図１に示される例では、複数のセンサブロック１２４－１～センサブロック１２４－１６は、表示領域１０４において行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）に配置され、センサブロック１２４－１～センサブロック１２４－１６には、後述するセンサ電極１２６が、それぞれ配置されている。

センサ電極１２６は、センサブロック１２４ごとに異なるセンサ配線１２０に接続される。例えば、後述する図５Ａに示すように、センサブロック１２４－１に配置されるセンサ電極１２６－１は、センサ配線１２０－１と直接または電気的に接続し、センサブロック１２４－１と隣接するセンサブロック１２４－３に配置されるセンサ電極１２６－３はセンサ配線１２０－３と直接または電気的に接続する。さらに、例えば、センサブロック１２４－１と隣接するセンサブロック１２４－１６に配置されるセンサ電極１２６－１６は、センサ配線１２０－１６と直接または電気的に接続し、センサブロック１２４－１６またはセンサブロック１２４－３と隣接するセンサブロック１２４－１４に配置されるセンサ電極１２６－１４はセンサ配線１２０－１４と直接または電気的に接続する。

センサ配線１２０は、表示領域１０４においてセンサ電極１２６と接続し、周辺領域１０６を引き回され、実装パッド１１４と接続する。センサ配線１２０と実装パッド１１４との接続には、複数の配線やコンタクトパッドを介する電気的な接続であってもよい。実装パッド１１４は、外部駆動回路と電気的に接続され、外部駆動回路からの信号をセンサ配線１２０に供給することができる。

センサ電極１２６を駆動する駆動回路は、画素１０８の外部駆動回路と同様に、駆動用ＩＣを用いることができる。センサ電極１２６は、センサ配線１２０と電気的に接続する実装パッド１１４を介して、駆動用ＩＣと電気的に接続する。実装パッド１１４および駆動用ＩＣには、上述したＦＯＧやＣＯＦを用いることができる。実装パッド１１４は、センサ電極１２６の検査に用いられる検査パッド１１６と接続する。実装パッド１１４と検査パッド１１６との接続には、複数の配線を介する電気的な接続であってもよい。

１－３－２．断面構造
ここで、図４を参照し、タッチセンサ１１２を含む表示領域１０４と周辺領域１０６の端面視における構造について説明をする。図１で示す鎖線Ａ１－Ａ５に沿った端面図を模式的に示す。以下、図１から図３と同一構成については説明を割愛することがある。

表示装置１０は、基板１０２を有し、基板１０２は、例えば、ガラスや石英基板、または有機樹脂基板を用いることができる。有機樹脂基板を用いる場合、基板１０２は可撓性を有することができる。

基板１０２の上に、下地膜１５６を設けることができる。下地膜１５６は、基板１０２からの汚染を防ぐことができ、例えば、無機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、およびこれらの複合体を用いることができる。

下地膜１５６の上に、絶縁膜１５８を設けることができる。表示領域１０４における絶縁膜１５８は、画素１０８および周辺領域に駆動回路を有する場合に備えられるトランジスタのゲート絶縁膜の機能を有することができる。絶縁膜１５８には、下地膜１５６と同様の材料を用いることができる。

絶縁膜１５８の上に、表示領域１０４に信号線１７２を設け、周辺領域１０６に配線１３８－１および配線１３８－２を設けることができる。上述した周辺領域の駆動回路または外部駆動回路から各画素１０８へ供給される信号は、信号線１７２を介して行われる。または、信号線１７２は、各画素１０８へ一定電位を供給する電源線として機能することもできる。配線１３８－１は、センサ配線１２０と実装パッド１１４の間に位置し、センサ電極１２６と端子配線１４０－１とを電気的に接続することができる。配線１３８－２は、実装パッド１１４と検査パッド１１６の間に位置し、図１に示す配線１２２を構成することができる。配線１３８－２は、実装パッド１１４と検査パッド１１６とを電気的に接続することができる。信号線１７２および配線１３８には、例えば、チタン、アルミニウム、銅、モリブデン等を主成分とした材料を用いることができ、また、これらを単層または積層して用いることができる。

信号線１７２、配線１３８－１、配線１３８－２、および絶縁膜１５８の上に、層間膜１６０を信号線１７２、配線１３８－１、および配線１３８－２を覆うように設けることができる。層間膜１６０は、信号線１７２の平坦化膜としても機能することができる。層間膜１６０には、下地膜１５６と同様の材料を用いることができる。

層間膜１６０の上に、コンタクトパッド１６２および端子配線１４０－１および端子配線１４０－２を設けることができる。コンタクトパッド１６２は、配線１３８－１の上に位置し、センサ配線１２０と配線１３８－１との間に配置される。コンタクトパッド１６２は、センサ配線１２０と配線１３８－１の接続に用いることができる。端子配線１４０－１は、センサ配線１２０と実装パッド１１４の間に位置し、平坦化層１７４Ｈから露出することにより実装パッド１１４して機能する。端子配線１４０－１は、外部駆動回路と図１に示すタッチセンサ１１２との間の信号を伝達する配線として機能することができる。端子配線１４０－２は、配線１３８－２と検査パッド１１６の間に位置し、図１に示す配線１２２を構成することができる。端子配線１４０－２は、平坦化層１７４Ｈから露出することにより検査パッド１１６として機能する。端子配線１４０－１および端子配線１４０－２は、単層または積層構造を有することができる。端子配線１４０－１および端子配線１４０－２には、例えば、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）の三層構造、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の五層構造、Ｍｏ、Ａｌ、Ｍｏ、ＩＴＯの四層構造を用いることができる。

コンタクトパッド１６２の上に、絶縁層１４２に設けることができる。絶縁層１４２は、段差部１３６－１と段差部１３６－２との間に位置する。絶縁層１４２は、コンタクトパッド１６２の端部を覆う。絶縁層１４２は、後述する平坦化層１７４Ｈと同様に形成することができ、平坦化層１７４Ｈと同じ材料を用いることができる。

層間膜１６０および信号線１７２の上に、表示領域１０４において、平坦化層１７４を設けることができる。さらに、周辺領域１０６における層間膜１６０の上に、段差部１３６－１および段差部１３６－２が設けられる。段差部１３６－１および段差部１３６－２は、表示領域１０４に位置する画素１０８と周辺領域１０６に位置する実装パッド１１４との間に配置される。段差部１３６－１は、画素１０８と段差部１３６－２との間に配置される。段差部１３６－２は、層間膜１６０の上に配線１３８－１と重なりを有して設けられる。段差部１３６－２は、段差部１３６－１と実装パッド１１４との間に配置される。

段差部１３６－１は、表示領域１０４を囲むように設けられる。段差部１３６－１は、積層構造で構成することができる。段差部１３６－１は、例えば、図４に示すように平坦化層１７４Ｄ１および絶縁膜１７０の積層構造で構成される。段差部１３６－１の膜厚または端面視における高さは、平坦化層１７４Ｄ１および絶縁膜１７０の膜厚の合計となる。段差部１３６－１における平坦化層１７４Ｄ１は、平坦化層１７４が表示領域１０４の外周に沿って除去されることにより形成することができる。また、この除去により形成される平坦化層１７４Ｄ１は、基板１０２上に段差を形成する。段差を形成した平坦化層１７４Ｄ１上に絶縁膜１７０が積層され、段差部１３６－１が形成される。このように、積層された膜の合計を膜厚または高さとする段差部１３６－１は、基板１０２上の他の構造物と比べ高い構造物となる。したがって、段差部１３６－１は、後述する表示領域１０４を覆う第１有機絶縁層１８０を、表示領域１０４内に留めることができる。

段差部１３６－２は、段差部１３６－１を囲むように設けられる。段差部１３６－２は、段差部１３６－１と同様に形成することができる。段差部１３６－２は、例えば図４に示すように、平坦化層１７４Ｄ２および絶縁膜１７０の積層により構成することができる。平坦化層１７４Ｄ２は、平坦化層１７４により形成することができる。また、平坦化層１７４の外周に沿って形成される平坦化層１７４Ｄ２は、基板１０２上に段差を形成する。段差を形成した平坦化層１７４Ｄ１上に絶縁膜１７０が積層され、段差部１３６－２が形成される。このように段差部１３６－２が形成されることで、オーバーコート層１６８を段差部１３６－２内に留めることができる。これにより、実装パッド１１４はオーバーコート層１６８に覆われていないため、オーバーコート層１６８の除去工程なしに円滑にＣＯＦ等の駆動用ＩＣと接続することができる。

さらに、段差部１３６－２と連続する平坦化層１７４Ｈを配線１３８の上に設けることができる。平坦化層１７４Ｈは、段差部１３６－２と同時に形成することができる。例えば、段差部１３６－２を形成する膜のうち平坦化層１７４を端子配線１４０－１の上まで設け、段差部１３６－２に相当する平坦化層１７４上には、フルトーンマスクを配置し、平坦化層１７４の端部から端子配線１４０－１上まではハーフトーンマスクを配置し露光を行い、現像および焼成することで平坦化層１７４Ｈを形成することができる。ハーフトーンマスクとは、フルトーンマスクに比べ光透過率が不均一であり光透過率が低いフォトマスクである。

ここで、平坦化層１７４Ｈの下に配置される端子配線１４０－１は、上述したように、平坦化層１７４Ｈから露出する部分を有し、これを実装パッド１１４として用いられる端子電極とすることができる。また、平坦化層１７４Ｈの下に配置される端子配線１４０－２も同様に、上述したように、平坦化層１７４Ｈから露出する部分を有し、これを検査パッド１１６として用いられる端子電極とすることができる。

端子配線１４０－１および端子配線１４０－２に用いる材料としては、信号線１７２や配線１３８と同様の材料を用いることができる。また、平坦化層１７４、および絶縁膜１７０には、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む感光性の有機樹脂材料を用いることができ、有機絶縁層として機能することができる。さらに、絶縁層１１３および絶縁層１１５は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などを含む感光性の有機樹脂材料を用いることができる。

さらに、平坦化層１７４の上に絶縁膜１７０を設けることができる。図４では、絶縁膜１７０の形状を詳細に示していないが、絶縁膜１７０は隔壁層およびスペーサ１７０Ｓの機能を有する構造物を有することができる。隔壁は、画素１０８を定義する機能を有し、スペーサ１７０Ｓは、画素１０８の発光素子１１０Ｅの作成工程、例えば蒸着工程で用いられるファインマスクを支える機能を有することができる。隔壁層は、画素１０８に設けられる発光素子１１０Ｅの電極端部を覆うように配置される。スペーサ１７０Ｓは、隔壁層上に配置することができる。

隔壁層およびスペーサ１７０Ｓは、絶縁膜１７０から形成することができる。例えば、樹脂膜を平坦化層１７４上に形成し、フルトーンマスクとハーフトーンマスクを含むＳＰＣマスクを用いて絶縁膜１７０から膜厚の厚いスペーサ１７０Ｓと膜厚の薄い隔壁層とをつくり分けることができる。スペーサ１７０Ｓおよび隔壁層は、絶縁膜１７０に用いられるエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの有機樹脂材料を用いることができる。

絶縁膜１７０の上、および平面視における段差部１３６－１および段差部１３６－２に囲まれた領域に、封止層１６６が設けられる。封止層１６６は、複数の絶縁層を有し、それぞれに異なる機能を設けることができる。例えば、図４に示すように、封止層１６６は、第１無機絶縁層１７８、第１有機絶縁層１８０、第２無機絶縁層１８２を有する。

段差部１３６－１および段差部１３６－２に囲まれる領域には、表示領域１０４は含まれ、画素１０８に有機ＥＬ素子が用いられる場合、第１無機絶縁層１７８がその領域を覆うことによって有機ＥＬ素子への不純物の侵入を抑制することができる。第１無機絶縁層１７８には、例えば、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。

第１無機絶縁層１７８の上であり、平面視における段差部１３６－１に囲まれる領域において、第１有機絶縁層１８０が設けられる。第１有機絶縁層１８０は、平坦化層１１１または段差部１３６－１を超えないように、段差部１３６－１に沿って設けられる。また、第１有機絶縁層１８０は、画素１０８の上を平坦化することができ、また画素１０８に発光素子１１０Ｅが設けられる場合、発光素子１１０Ｅを不純物から保護することができる。第１有機絶縁層１８０には、絶縁膜１７０と同様の材料を用いることができる。

第１有機絶縁層１８０の上であり、平面視における段差部１３６－１および段差部１３６－２に囲まれる領域において、第２無機絶縁層１８２を設けることができる。第２無機絶縁層１８２は、第１有機絶縁層の外側の領域で第１無機絶縁層１７８と接触する。これにより、第１無機絶縁層１７８と第２無機絶縁層１８２は、段差部１３６－１を覆い、段差部１３６－１の外側に延びる。このような構造とすることで、第１無機絶縁層１７８と第２無機絶縁層１８２とは、第１有機絶縁層１８０を封止することができる。第２無機絶縁層１８２は、例えば、窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。

上述した第１有機絶縁層１８０および第２無機絶縁層１８２などの複数の異なる種類の膜は、画素１０８の上の平坦化および画素１０８に設けられる発光素子１１０Ｅの不純物からの保護を行うことができるため、表示領域１０４において、画素１０８の上にタッチセンサ１１２等の構造物を設けることができる。

第２無機絶縁層１８２の上に、表示領域１０４において、センサ電極１２６を設けることができる。センサ電極１２６は、金属材料を用いて形成することができる。金属材料は、例えば、モリブデン、アルミニウムの金属（０価の金属）が挙げられる。センサ電極１２６は、積層構造を用いることができ、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉの積層構造、Ｍｏ、Ａｌ、Ｍｏの積層構造を用いることができる。

また、封止層１６６の上に、センサ電極１２６と接続するセンサ配線１２０が設けられる。具体的には、封止層１６６の第２無機絶縁層１８２の上に、センサ配線１２０が設けられる。センサ配線１２０は、段差部１３６－１と段差部１３６－２との間に位置するコンタクトパッド１６２を介して配線１３８－１と接続するために段差部１３６－１を乗り越え、コンタクトパッド１６２まで延びている。センサ配線１２０は、センサ電極１２６と同様の材料を用いることができる。

さらに、センサ電極１２６およびセンサ配線１２０の上に、それらを覆うようにオーバーコート層１６８が設けられる。また、オーバーコート層１６８は、コンタクトホール１３５の上まで延伸して設けられる。オーバーコート層１６８は、平面視における段差部１３６－２に囲まれる領域に設けられる。オーバーコート層１６８は、第１有機絶縁層１８０と同様の材料を用いることができる。

オーバーコート層１６８の上に、対向基板１１８を設けることができる。図４において、対向基板１１８は、オーバーコート層１６８と重なるように配置される例を示したが、基板１０２の上に設けられる構造物の上に配置されればよい。対向基板１１８は、偏光板の機能を有するフィルムやガラス等を用いることができる。また、対向基板１１８は、基板１０２の上に設けられる構造物、例えば画素１０８やタッチセンサ１１２等を保護する機能を有する。さらに、対向基板１１８と基板１０２を貼り合わせる際には、対向基板１１８と基板１０２との間に接着層１６９を用いて貼り合わせることができる。接着層１６９には接着剤を用いることができる。接着剤には、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）のような対向基板１１８の材料に近い屈折率を持った接着剤を用いることができる。そのような接着剤を基板１０２上の構造物に直面する面に加工することで、対向基板１１８と基板１０２との間に接着層１６９を用いて貼り合わせることができる。

１－３－３．センサ電極
図５Ａを参照し、タッチセンサ１１２に用いられるセンサ電極１２６について説明する。図５Ａは、本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の配置を模式的に示す図であり、図１に示す破線で囲んだ部分３００であり、複数のセンサブロック１２４－１、センサブロック１２４－３、センサブロック１２４－１４、およびセンサブロック１２４－１６の一部を拡大した図である。

センサ電極１２６は線状であり、連続した線状パターンにより形成される。センサ電極１２６は、センサブロック１２４内で連続し、電気的にフローティング状態となるパターンを含まないことが好ましい。図５Ａに示される例では、センサ電極１２６－１は、センサブロック１２４－１に配置され、センサブロック１２４－１内で連続している。線状のセンサ電極１２６－３は、センサブロック１２４－３に配置され、センサブロック１２４－３内で連続している。センサ電極１２６－１６は、センサブロック１２４－１６に配置され、センサブロック１２４－１６内で連続している。センサ電極１２６－１４は、センサブロック１２４－１４に配置され、センサブロック１２４－１４内で連続している。

異なるセンサブロック１２４に配置されるセンサ電極１２６は、互いに離隔し、接続されていない。図５Ａに示される例では、それぞれのセンサブロック１２４－１、センサブロック１２４－３、センサブロック１２４－１４、およびセンサブロック１２４－１６に配置されているセンサ電極１２６－１、センサ電極１２６－３、センサ電極１２６－１４、およびセンサ電極１２６－１６は互いに離隔し、連続していない。隣接するセンサブロック１２４－１とセンサブロック１２４－３に配置されるセンサ電極１２６－１とセンサ電極１２６－３は、センサブロック１２４－１とセンサブロック１２４－３の間において離隔している。隣接するセンサブロック１２４－１とセンサブロック１２４－１６に配置されるセンサ電極１２６－１とセンサ電極１２６－１６は、センサブロック１２４－１とセンサブロック１２４－１６の間において離隔している。隣接するセンサブロック１２４－３とセンサブロック１２４－１４に配置されるセンサ電極１２６－３とセンサ電極１２６－１４は、センサブロック１２４－３とセンサブロック１２４－１４の間において離隔している。隣接するセンサブロック１２４－１６とセンサブロック１２４－１４に配置されるセンサ電極１２６－１６とセンサ電極１２６－１４は、センサブロック１２４－１６とセンサブロック１２４－１４の間において離隔している。

センサ電極１２６は、互いに離隔する他のセンサブロック１２４に配置されるセンサ電極１２６とともに、センサブロック１２４の境界に面する画素１０８の外周を囲むことができる。図５Ａに示される例では、複数の画素１０８Ｂは、センサブロック１２４－１とセンサブロック１２４－１６との境界１２４Ｂに面する。複数の画素１０８Ｂの外周は、センサブロック１２４－１とセンサブロック１２４－１６に配置されるセンサ電極１２６によって囲まれる。このとき、センサブロック１２４－１６に配置されるセンサ電極１２６は、センサブロック１２４－１に向けて端部を有する。センサブロック１２４－１に配置されるセンサ電極１２６－１は、センサブロック１２４－１６に対し連続する部分を有する。センサブロック１２４の境界に面する画素１０８Ｂは、連続するセンサ電極１２６に囲まれず、これにより、センサブロック１２４間のセンサ電極１２６は、離隔している。

センサ電極１２６は、画素１０８における切断部１８４の位置が、複数の画素１０８に繰り返し同じ位置に設けることができる。図５Ａに示される例では、画素１０８内の切断部１８４－１および切断部１８４－２の位置は、複数のセンサブロック１２４において繰り返されている。

次に、図５Ｂを参照し、センサ電極１２６の構成について説明をする。図５Ｂは、本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の構成を模式的に示す図である。図５Ｂは、図５Ａに示す破線で囲んだ部分３２０を拡大して示す。

センサ電極１２６は、線状の細いパターンで形成され、少なくとも一つの画素１０８の外周を囲む。センサ電極１２６は、センサブロック１２４において、複数の画素１０８の境界に沿って延在する。センサ電極１２６はさらに、複数の副画素１１０の境界に沿って延在する。センサ電極１２６は、複数の副画素１１０の境界に沿って延在するセンサ電極１２６Ｓと複数の副画素１１０の境界に沿って延在するセンサ電極１２６Ｂを含む。センサ電極１２６Ｓとセンサ電極１２６Ｂは、少なくとも一部分において接続され、連続する。

図５Ｂに示す例では、センサ電極１２６Ｓは、画素１０８の外周を囲み、画素１０８－１と画素１０８－２の境界に沿って延在している。センサ電極１２６Ｂは、副画素１１０－１、副画素１１０－２、および副画素１１０－３の境界に沿って延在している。センサ電極１２６は、センサ電極１２６Ｓとセンサ電極１２６Ｂから構成され、センサ電極１２６Ｓとセンサ電極１２６Ｂは各画素１０８において一部が接続され、連続している。

センサ電極１２６は、複数の画素１０８と重畳するように配置されているが、画素１０８の外周を囲み、副画素１１０の境界に沿って配置されることにより、画素１０８にアイコン等の画像を表示させつつ、タッチセンサ１１２によりタッチの有無をセンシングすることができる。

センサ電極１２６は、複数の副画素１１０の境界に少なくとも一つの切断部１８４を有する。少なくとも一つの切断部１８４は、隣接する副画素１１０の境界に位置する。切断部１８４は、画素１０８の外周を囲むセンサ電極１２６の内縁に沿って位置することが好ましい。切断部１８４は、センサ電極１２６Ｓとセンサ電極Ｂとの境界部に位置することが好ましい。図５Ａおよび図５Ｂに示される例では、副画素１１０－１と副画素－２は隣接し、センサ電極１２６は、副画素１１０－１と副画素１１０－２との境界に切断部１８４－１を有する。切断部１８４－１は、画素１０８の外周を囲むセンサ電極１２６Ｓの内縁に沿って位置する。切断部１８４－１は、センサ電極１２６Ｓとセンサ電極１２６Ｂとの境界部に位置する。

少なくとも一つの切断部１８４は、複数の切断部１８４を含んでもよい。センサ電極１２６は、上述した切断部１８４－１の他に複数の切断部１８４を有することができる。センサ電極１２６は、複数の副画素１１０のそれぞれの境界に沿って切断部１８４を有することができる。

図５Ｂに示される例では、画素１０８には、３つの副画素１１０－１、副画素１１０－２、および副画素１１０－３を有する。副画素－２および副画素－３の面積より大きい面積を有する副画素１１０－１は、副画素－２および副画素－３と隣接し、さらに副画素－２と副画素－３は隣接する。上述したように、センサ配線１２０は、副画素１１０－１と副画素－２との境界に切断部－１を有する。センサ電極１２６はさらに、副画素１１０－１と副画素－３との境界に切断部－２を有する。切断部－２は、切断部－１と同様に、画素１０８の外周を囲むセンサ電極１２６の内縁に沿って位置する。切断部１８４－２は、センサ電極１２６Ｓとセンサ電極Ｂとの境界部に位置する。切断部１８４－１と切断部１８４－２の位置は、副画素１１０－１からみて副画素１１０－２と副画素１１０－３において同じ方向である。

表示装置１０では、センサ電極１２６が画素１０８の外周を囲み、複数の副画素１１０の境界に沿って延在し、複数の副画素１１０の境界に少なくとも一つの切断部１８４－１を有することにより、センサ電極１２６の上に設けられるオーバーコート層１６８はセンサ電極１２６が囲む領域に流れ込み易くなる。このオーバーコート層１６８の流れ込みにより、オーバーコート層１６８はセンサ電極１２６を十分に覆うことができ、オーバーコート層１６８のセンサ電極１２６対する被覆状態を改善することができる。このため、本実施形態を適用することで、見栄えが良く信頼性を改善した表示装置を提供することができる。

さらに、表示装置１０では、切断部１８４の位置が画素１０８毎に異ならず、同じ位置に繰り返し配置されることにより、表示装置１０の見栄えが均一となる。また、面積が異なる複数の副画素１１０において、面積が大きい副画素１１０と面積が小さい副画素１１０との間に切断部１８４を設けることで、よりオーバーコート層１６８のセンサ電極１２６に対する被覆状態が改善され、上下方向（Ｘ方向）の視覚特性がより良好となる。このため、本実施形態を適用することで、見栄えが良く信頼性を改善した表示装置を提供することができる。

２．変形例
２－１．変形例１
表示装置１０の構造は上述した構造に限られない。例えば、図６Ａに示すように、画素１０８の外周を囲むセンサ電極１２６に切断部１８４－３を設けてもよい。図６Ａは、本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の配置を模式的に示す図であり、図４Ｂと同様に複数のセンサブロック１２４に設けられるセンサ電極１２６を拡大した図である。図６Ｂは、図６Ａに示す破線で囲んだ部分３４０であり、複数の画素１０８を囲むセンサ電極１２６を拡大した図を示す。

副画素１１０－１と副画素－２の間の切断部１８４－１に加え、さらに画素１０８を囲むセンサ電極１２６Ｓに切断部１８４－３を設けることができる。切断部１８４－３は、画素１０８の外周を囲むセンサ電極１２６Ｓを切断することができる。切断部１８４－３は、隣接する画素１０８の間に位置することができる。切断部１８４－３は、隣接する画素１０８の間において、上述した隣接する画素１０８とは異なる隣接する画素１０８に近い位置に配置することができる。切断部１８４－３は、隣接する画素１０８と共有する異なるセンサ電極１２６の境界部に位置することができる。切断部１８４－３は、副画素１１０－３と隣接する画素１０８の副画素１１０－１との間に位置する。切断部１８４－３は、画素１０８－１の副画素１１０－３と画素１０８－１と隣接する画素１０８－２の副画素１１０－１との間に位置することができる。

図６に示される例では、切断部１８４－３は、画素１０８－１と画素１０８－２の間のセンサ電極１２６に設けられる。切断部１８４－３は、隣接する画素１０８－２との間おいて、隣接する画素１０８－３に近い位置に配置される。画素１０８－１の外周を囲むセンサ電極１２６Ｓは、隣接する画素１０８－２の外周を囲むセンサ電極１２６Ｓと共有する１２６ＳＨ－１を有し、隣接する画素１０８－３の外周を囲むセンサ電極１２６Ｓと共有する１２６ＳＨ－２を有する。切断部１８４－３は、共有部１２６ＳＨ－１と共有部１２６ＳＨ－２との境界部に位置する。切断部１８４－３は、画素１０８－１の副画素１１０－３と隣接する画素１０８－２の副画素１１０－１との間に位置する。

２－２．変形例２
また、表示装置１０の構造は上述した構造に限られず、例えば、図７に示すように、副画素１１０の配列をストライプ配列とし、図８Ａに示すように、複数の切断部１８４をセンサ電極１２６に設けることができる。図７は、本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配置を模式的に示す図であり、表示領域１０４に配置される複数の画素１０８を示す。図８Ａは、本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の配置を模式的に示す図であり、図１に示す破線で囲んだ部分３００であり、複数のセンサブロック１２４－１、センサブロック１２４－３、センサブロック１２４－１４、およびセンサブロック１２４－１６の一部を拡大した上面図である。図８Ｂは、本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の構成を模式的に示す図であり、図８Ａに示す破線で囲んだ複数の画素１０８を囲む部分３６０を示し、センサ電極１２６を拡大した図を示す。

表示装置１０は、図７に示すように、複数の副画素１１０をスライプ配列に配置することができる。副画素１１０－１は、副画素１１０－２と隣接し、副画素１１０－２は副画素１１０－３と隣接する。副画素１１０－２は、副画素１１０－１と副画素１１０－３の間に配置される。

センサ電極１２６は、画素１０８の外周を囲み、スライプ配列に配置された複数の副画素１１０の境界に沿って形成することができる。センサ電極１２６は、複数の切断部１８４を有することができる。複数の切断部１８４は、センサ電極１２６において、隣接する副画素１１０間の位置することができる。切断部１８４は、画素の外周を囲むセンサ電極１２６の内縁に沿って位置することができる。複数の切断部１８４は、上記位置に加え、互いに最も近い位置に配置することが好ましい。

図８Ａおよび図８Ｂに示される例では、切断部１８４－１は、センサ電極１２６において、副画素１１０－１と副画素１１０－２との間に位置する。切断部１８４－４は、副画素１１０－２と副画素１１０－３との間に位置する。切断部１８４－１と切断部１８４－４は、センサ電極１２６Ｓとセンサ電極１２６Ｂとの境界部において、互いに最も近い位置に配置されている。切断部１８４－１は、センサ電極１２６Ｓと副画素１１０－１と副画素１１０－２との間のセンサ電極１２６Ｂとの境界部に位置し、切断部１８４－４は、センサ電極１２６Ｓと副画素１１０－２と副画素１１０－３との間のセンサ電極１２６Ｂとの境界部において、切断部１８４－１に近い方に位置する。

２－３．変形例３
さらに、表示装置１０の構造は上述した構造に限られず、例えば、図９に示すように副画素１１０－１～副画素１１０－３をダイヤモンド配列に配置し、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、複数の切断部１８４をセンサ電極１２６に設けることができる。図９は、本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配置を模式的に示す図であり、表示領域１０４に配置される複数の画素１０８を示す。図１０Ａは、本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の配置を模式的に示す図であり、複数のセンサブロック１２４－１、センサブロック１２４－３、センサブロック１２４－１４、およびセンサブロック１２４－１６の部分３００を拡大した図を示す。図１０Ｂは、本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の構成を模式的に示す図であり、センサ電極１２６をさらに拡大した図を示す。

表示装置１０は、図９に示すように、複数の副画素１１０をダイヤモンド配列に配置することができる。副画素１１０－１は、副画素１１０－２と隣接し、副画素１１０－２は、副画素１１０－３と隣接することができる。副画素１１０－１のダイヤ形状の対角線と副画素１１０－３のダイヤ形状の対角線は、一直線１１０Ｌ上に揃うことができる。各副画素１１０に対応して発光素子１１０Ｅを設けることができ、ペンタイル配列に配置してもよい。

センサ電極１２６は、画素１０８の外周を囲み、ダイヤモンド配列に配置された複数の副画素１１０の境界に沿って形成することができる。センサ電極１２６は、複数の切断部１８４を有することができる。複数の切断部１８４は、センサ電極１２６において、隣接する副画素１１０間の位置することができる。切断部１８４は、画素１０８の外周を囲むセンサ電極１２６の内縁に沿って位置することができる。切断部１８４は、センサ電極１２６Ｓとセンサ電極１２６Ｂとの境界部に位置することができる。

センサ電極１２６は、複数のセンサブロック１２４に跨って配置される画素１０８Ｃの外周を、互いに離隔され他のセンサブロック１２４に配置されるセンサ電極１２６とともに囲んでもよい。図１０Ａに示される例では、画素１０８Ｃは、センサブロック１２４－１、センサブロック１２４－３、センサブロック１２４－１４、およびセンサブロック１２４－１６に跨って配置されている。画素１０８Ｃの外周は、センサブロック１２４－１、センサブロック１２４－３、センサブロック１２４－１４、センサブロック１２４－１６のそれぞれに配置されるセンサ電極１２６によって囲まれている。

画素１０８Ｃの外周を囲むセンサ電極１２６において、センサブロック１２４－１４に配置されるセンサ電極１２６－１４は、センサブロック１２４－１６に延伸する部分１２６－１４Ｐを有することができる。延伸する部分１２６－１４Ｐは、センサ電極１２６－１６と離隔し、センサブロック１２４－１４に配置されるセンサ電極１２６－１４と連続している。画素１０８Ｃがセンサブロック１２４の境界に配置される場合、複数のセンサブロック１２４に配置されるセンサ電極１２６は、少なくとも一つのセンサ電極１２６と連続する。

次に、図１０Ｂを参照し、センサ電極１２６の構成について説明をする。図１０Ｂは、本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の構成を模式的に示す図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示す破線で囲んだ部分３８０を示し、複数の画素１０８を囲むセンサ電極１２６を拡大した図を示す。

センサ電極１２６は、画素１０８の外周を囲み、ダイヤモンド配列に配置された複数の副画素１１０の境界に沿って形成することができる。センサ電極１２６は、複数の切断部１８４を有することができる。複数の切断部１８４は、センサ電極１２６において、隣接する副画素１１０間の位置することができる。切断部１８４は、画素の外周を囲むセンサ電極１２６の内縁に沿って位置することができる。複数の切断部１８４は、上記位置に加え、互いに最も遠い位置に配置することが好ましい。隣接する副画素１１０との間に複数の切断部１８４が配置される副画素１１０において、複数の切断部１８４は対角線上に配置することができる。

図１０Ａおよび図１０Ｂに示される例では、副画素１１０－２は、副画素１１０－１および副画素１１０－３との間に切断部１８４－１と切断部１８４－５とをそれぞれ有する。切断部１８４－１と切断部１８４－５は、センサ電極１２６Ｓとセンサ電極１２６Ｂとの境界部において、互いに最も遠い位置に配置されている。切断部１８４－１と切断部１８４－５は、副画素１１０－２の対角上に位置している。

２－４．変形例４
または、表示装置１０の構造は上述した構造に限られず、例えば、図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、画素１０８に４つ以上の副画素１１０を設け、複数の切断部１８４をセンサ電極１２６に設けることができる。図１１Ａは、本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の配置を模式的に示す図である。図１１Ａは、図1に示す破線で囲んだ部分４００を示し、複数のセンサブロック１２４－１、センサブロック１２４－３、センサブロック１２４－１４、およびセンサブロック１２４－１６の一部を拡大した上面図である。複数のセンサブロック１２４－１、センサブロック１２４－３、センサブロック１２４－１４、およびセンサブロック１２４－１６の部分４００を拡大した図を示す。図１１Ｂは、本発明の一実施形態に係る表示装置のセンサ電極の構成を模式的に示す図であり、センサ電極１２６をさらに拡大した図を示す。

表示装置１０は、一つの画素に４つ以上の副画素１１０を設け、副画素１１０－１は、副画素１１０－２および副画素１１０－４と隣接し、副画素１１０－３は、副画素１１０－２および副画素１１０－４と隣接することができる。副画素１１０－１と副画素１１０－３は対角線上に配置され、副画素１１０－２と副画素１１０－４は、対角線上に配置することができる。各副画素１１０に対応して発光素子１１０Ｅを設けることができ、ペンタイル配列に配置してもよい。

センサ電極１２６は、センサブロック１２４の境界に一部が達する画素１０８Ｎの外周において、他のセンサブロック１２４に向かって切断部をさらに有することができる。この切断部により、センサブロック１２４－１４に配置されるセンサ電極１２６とセンサブロック１２４－３に配置されるセンサ電極１２６は離隔することができる。

図１１Ａに示される例では、センサブロック１２４－１４に位置する画素１０８Ｎがセンサブロック１２４－３との境界に一部が達している。センサブロック１２４－１４に配置されるセンサ電極１２６は、画素１０８Ｎの外周において、センサブロック１２４－３に向かって切断部を有する。

センサ電極１２６はさらに、副画素１１０－３と副画素１１０－４との間に切断部１８４－６を設けることができる。図１１Ｂに示すように、切断部１８４－６は、画素の外周を囲むセンサ電極１２６の内縁に沿って位置することができる。切断部１８４－６は、センサ電極１２６Ｓとセンサ電極１２６Ｂとの境界部に位置することができる。

本発明の実施形態として上述した変形例を含む実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。変形例を含む実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１０：表示装置、１０２：基板、１０４：表示領域、１０４Ｅ：発光素子１１０Ｅ－Ｂ：発光素子１１０Ｅ－Ｇ：発光素子１１０Ｅ－Ｒ：発光素子、１０６：周辺領域、１０８：画素、１０８－１：画素、１０８－２：画素、１０８－３：画素、１０８Ｂ：画素、１０８Ｃ：画素、１０８Ｎ：画素、１１０：副画素、１１０－１：副画素、１１０－２：副画素、１１０－３：副画素、１１０－４：副画素、１１０Ｅ：発光素子、１１０Ｅ－Ｂ：発光素子、１１０Ｅ－Ｒ：発光素子、１１１：平坦化層、１１２：タッチセンサ、１１３：絶縁層、１１４：実装パッド、１１５：絶縁層、１１６：検査パッド、１１８：対向基板、１２０：センサ配線、１２０－１：センサ配線、１２０－１４：センサ配線、１２０－１６：センサ配線、１２０－３：センサ配線、１２２：配線、１２４：センサブロック、１２４－１：センサブロック、１２４－１４：センサブロック、１２４－１６：センサブロック、１２４－３：センサブロック、１２４Ｂ：境界、１２６：センサ電極、１２６－１：センサ電極、１２６－１４：センサ電極、１２６－１６：センサ電極、１２６－３：センサ電極、１２６Ｂ：センサ電極、１２６Ｓ：センサ電極、１２６ＳＨ－１：共有部、１２６ＳＨ－２：共有部、１３５：コンタクトホール、１３６－１：段差部、１３６－２：段差部、１３８：配線、１３８－１：配線、１３８－２：配線、１４０－１：端子配線、１４０－２：端子配線、１４２：絶縁層、１５４：絶縁層、１５６：下地膜、１５８：絶縁膜、１６０：層間膜、１６２：コンタクトパッド、１６６：封止層、１６８：オーバーコート層、１６９：接着層、１７０：絶縁膜、１７０Ｓ：スペーサ、１７２：信号線、１７４：平坦化層、１７４Ｄ１：平坦化層、１７４Ｄ２：平坦化層、１７４Ｈ：平坦化層、１７８：第１無機絶縁層、１８０：第１有機絶縁層、１８２：第２無機絶縁層、１８４：切断部、１８４－１：切断部、１８４－２：切断部、１８４－３：切断部、１８４－４：切断部、１８４－５：切断部、１８４－６：切断部、２００：画素回路、２１０：選択トランジスタ、２１２：ゲート線、２１４：データ線、２２０：駆動トランジスタ、２２２：アノード電源線、２２４：カソード電源線、２３０：キャパシタ、３００：部分、３２０：部分、３４０：部分、３６０：部分、３８０：部分、４００：部分

Claims (16)

1. 複数の副画素を含む少なくとも一つの画素と、
   前記複数の副画素の境界に沿って延在し、前記少なくとも一つの画素の外周を囲む線状のセンサ電極と、を有し、
   前記センサ電極は、前記複数の副画素の境界に少なくとも一つの切断部を有する、
   表示装置。
2. 前記センサ電極は、前記複数の副画素の境界に沿って延在する第１センサ電極と、前記少なくとも一つの画素の外周を囲み前記第１センサ電極から連続する第２センサ電極と、を含み、
   前記切断部は、前記第１センサ電極の前記第２センサ電極との境界部に位置する、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記少なくとも一つの画素は、第１方向、前記第１方向に交差する第２方向に配列された複数の画素からなり、
   前記センサ電極は、複数のセンサ電極を含み、
   前記複数のセンサ電極は、それぞれ異なる前記複数の画素と重畳する複数のセンサブロックに配置され、
   前記複数のセンサ電極は、前記複数のセンサブロック内で連続し、隣接するセンサブロック間で離隔している、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記複数の副画素は、第１副画素、前記第１副画素と隣接する第２副画素、および前記第２副画素と隣接する第３副画素を含み、
   前記少なくとも一つの切断部は、前記第１副画素と前記第２副画素との境界であり、前記少なくとも一つの画素の外周を囲むセンサ電極の内縁沿って位置する第１切断部を含む、
   請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１副画素は、前記第３副画素と隣接し、
   前記少なくとも一つの切断部は、前記第１副画素と前記第３副画素との境界に第２切断部をさらに含む、
   請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第２切断部は、前記少なくとも一つの画素の外周を囲むセンサ電極の内縁に沿って位置する、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１副画素は、前記第２副画素および前記第３副画素より大きい面積を有する、
   請求項４に記載の表示装置。
8. 前記少なくとも一つの画素は、隣接する第１画素と第２画素を含み、
   前記センサ電極は、前記第１画素と前記第２画素との間に第３切断部を含み、
   前記第３切断部は、前記画素の外周を囲む前記センサ電極を切断する、
   請求項４に記載の表示装置。
9. 前記第３切断部は、前記第１画素の第３副画素と前記第２画素の第１副画素の間に位置する、
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記第２副画素は、前記第１副画素と前記第３副画素の間に位置し、
    前記少なくとも一つの切断部は、前記センサ電極において前記第２副画素と前記第３副画素の間に第４切断部を含む、
    請求項４に記載の表示装置。
11. 前記第１切断部および前記第４切断部は、前記少なくとも一つの画素の外周を囲むセンサ電極の内縁に沿って位置する、
    請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記第１副画素のダイヤ形状の対角線と前記第３副画素のダイヤ形状の対角線は、一直線上に揃う、
    請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記少なくとも一つの画素は、第１方向、前記第１方向に交差する第２方向に配列された複数の画素を含み、
    前記複数のセンサ電極は、前記複数の画素と重畳する第１センサブロック、第２センサブロック、第３センサブロック、および第４センサブロックにそれぞれ配置され、
    前記第１センサブロックは、前記第２センサブロックおよび前記第４センサブロックと隣接し、
    前記第３センサブロックは、前記第２センサブロックおよび前記第４センサブロックと隣接し、
    前記複数の画素は、前記第１センサブロック、前記第２センサブロック、前記第３センサブロック、および前記第４センサブロックに跨って配置される画素を含み、
    前記画素の外周を囲むセンサ電極は、前記第１センサブロック、前記第２センサブロック、および前記第４センサブロックにおいて離隔し、
    前記画素の外周を囲むセンサ電極は、前記第３センサブロックおよび前記第４センサブロックにおいて連続する部分を含み、前記連続する部分は、前記第４センサブロックに配置されるセンサ電極と連続する、
    請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記複数の副画素は、前記第３副画素と隣接する第４副画素をさらに含み、
    前記少なくとも一つの切断部は、前記センサ電極において前記第３副画素と前記第４副画素との境界に第５切断部を含む、
    請求項１０に記載の表示装置。
15. 前記第５切断部は、前記少なくとも一つの画素の外周を囲むセンサ電極の内縁に沿って位置する、
    請求項１４に記載の表示装置。
16. 前記センサ電極は、金属材料で形成される、
    請求項１に記載の表示装置。

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