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JP2024081068A - 銅層付フィルム - Google Patents

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智宏 竹安
Tomohiro Takeyasu
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Nitto Denko Corp
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Abstract

Figure 2024081068000001
【課題】銅層付フィルムを効率よく製造するとともにその銅層表面の変色を抑制するのに適した銅層付フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の銅層付フィルムの製造方法は、ロールトゥロール方式でワークフィルムを搬送しながら銅層付フィルムXを製造する方法であって、成膜工程S2と、加熱工程S3と、巻取り工程S4とを含む。成膜工程S2では、ワークフィルム上に銅層を成膜する。加熱工程S3では、加熱温度50℃以上の加熱処理によって銅層の表面を酸化する。巻取り工程S4では、加熱工程後にワークフィルムを巻き取る。成膜工程S2、加熱工程S3および巻取り工程S4において、ワークフィルムは真空下で搬送される。
【選択図】図1

Description

本発明は、銅層付フィルムに関する。
表面に銅層を有するフィルム(銅層付フィルム)は、例えば、電波送受信用のアンテナフィルム、誘電泳動処理用の電極パターン付フィルム、および電磁波シールドフィルムの製造に用いられる。銅層付フィルムは、例えば、基材フィルムと、当該基材フィルム上の銅層とを備える。銅層付フィルムの銅層をパターニングしてアンテナコイルを形成することにより、アンテナフィルムを製造できる。銅層付フィルムの銅層をパターニングして電極パターンを形成することにより、電極パターン付フィルムを製造できる。このような銅層付フィルムに関する技術については、例えば、下記の特許文献1に記載されている。
特開2018-176565号公報
特許文献1には、銅層付フィルムのバッチ式の製造方法が記載されている。その製造方法では、バッチ式真空蒸着装置が用いられる。具体的には、バッチ式真空蒸着装置内に基材フィルムが設置された後、真空蒸着法によって基材フィルム上に銅層が成膜される。
このようなバッチ式の製造方法と比較して、ロールトゥロール方式の製造方法は、銅層付フィルムを効率よく製造できる。従来のロールトゥロール方式で銅層付フィルムを製造する場合、真空下において、基材フィルムを搬送しつつ当該基材フィルム上に銅層を成膜し、銅層付きの基材フィルムを巻き取ることが、考えられる。このような製造方法によると、ロール状の銅層付フィルム(銅層付フィルムロール)が得られる。
銅層付フィルムロールは、それが用いられるまで、大気下で搬送・保管される。しかしながら、銅層付フィルムロールでは、銅層付フィルムのロール幅方向の両端縁およびその近傍において、大気下での搬送・保管中に銅層表面に変色が生じる。この変色が生じる理由については、次のように推定される。
上述のロールトゥロール方式の製造方法において、真空下で銅層付フィルムが巻き取られて銅層付フィルムロールが形成された時点では、ロール径方向に隣り合う銅層付フィルム間は、ロール幅方向の全体にわたって真空状態にある。そのような銅層付フィルムロールが大気下に置かれた場合、ロール径方向に隣り合う銅層付フィルム間において、ロール幅方向の各端縁とその近傍に大気が流入する。これにより、銅層付フィルム間は、大気の流入によって酸素濃度が上昇した端部領域と、それよりも内部の内部領域(酸素濃度は低い)とに分かれる。そして、端部領域の銅層表面と内部領域の銅層表面との間に、電位差が生じる(酸素濃淡電池の形成)。この電位差により、端部領域の銅層表面において酸化反応が進行し、当該表面が変色する(酸化反応は、電位差がない場合よりも速く進行する)。
本発明は、銅層付フィルムを効率よく製造するとともにその銅層表面の変色を抑制するのに適した銅層付フィルムの製造方法を提供する。
本発明[1]は、ロールトゥロール方式でワークフィルムを搬送しながら銅層付フィルムを製造する方法であって、ワークフィルム上に銅層を成膜する成膜工程と、加熱温度50℃以上の加熱処理によって前記銅層の表面を酸化する加熱工程と、前記加熱工程後に前記ワークフィルムを巻き取る巻取り工程とを含み、前記成膜工程、前記加熱工程および前記巻取り工程において、前記ワークフィルムは真空下で搬送される、銅層付フィルムの製造方法を含む。
本発明[2]は、前記加熱温度は、前記成膜工程での成膜温度より高い、上記[1]に記載の銅層付フィルムの製造方法を含む。
本発明[3]は、前記成膜工程では、スパッタリング法によって前記銅層を成膜する、上記[1]または[2]に記載の銅層付フィルムの製造方法を含む。
本発明[4]は、前記成膜工程での成膜温度は-20℃以上80℃以下である、上記[1]から[3]のいずれか一つに記載の銅層付フィルムの製造方法を含む。
本発明の銅層付フィルムの製造方法は、上記のように、ロールトゥロール方式の製造方法である。当該製造方法は、銅層付フィルムを効率よく製造するのに適する。また、本発明の銅層付フィルムの製造方法は、上記のように、真空下でワークフィルムを搬送しながらの、成膜工程と加熱工程と巻取り工程とを、この順で含む。成膜工程で形成された銅層の表面は、加熱工程での50℃以上の加熱処理によって酸化され、その後の巻取り工程で、ワークフィルム(銅層付フィルム)が巻き取られる。これにより、銅層付フィルムロールが得られる。真空下で銅層付フィルムが巻き取られる前に、50℃以上の加熱処理によって銅層の表面が酸化されることは、銅層付フィルムロールが大気下に置かれた後の銅層表面における上述の電位差(端部領域の銅層表面と内部領域の銅層表面との間の電位差)を抑制するのに適し、従って、銅層表面の変色を抑制するのに適する。
本発明の銅層付フィルムの製造方法の一実施形態の工程図である。 本発明によって製造される銅層付フィルムの一例の断面模式図である。 銅層付フィルムにおいて銅層がパターニングされた場合を表す。
本発明の一実施形態としての銅層付フィルムの製造方法は、図1に示すように、用意工程S1と、成膜工程S2と、加熱工程S3と、巻取り工程S4とを含む。この製造方法により、図2Bに示す銅層付フィルムXが製造される。銅層付フィルムXは、基材フィルム10と、当該基材フィルム10の厚さ方向Hの一方側に配置された銅層20とを備える。銅層付フィルムXは、厚さ方向Hと直交する方向(面方向)に広がる。銅層付フィルムXは、例えば、導電パターン付フィルムを作製するための積層フィルムである。導電パターン付フィルムとしては、例えば、誘電泳動処理用の電極パターン付基材フィルム、および、電波送受信用のアンテナフィルム(導電パターンとしてアンテナコイルを有する)が挙げられる。銅層付フィルムXは、電磁波シールドフィルムであってもよい。
まず、用意工程S1では、図2Aに示すように、長尺の基材フィルム10を用意する。基材フィルム10は、第1面11と、当該第1面11とは反対側の第2面12とを有する。基材フィルム10の長さは、例えば50m以上であり、また、例えば10000m以下である。基材フィルム10の幅は、例えば40cm以上であり、また、例えば200cm以下である。
基材フィルム10は、例えば、可撓性を有する透明な樹脂フィルムである。基材フィルム10の材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、およびポリスチレン樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、およびポリエチレンナフタレートが挙げられる。ポリオレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、およびシクロオレフィンポリマーが挙げられる。アクリル樹脂としては、例えばポリメタクリレートが挙げられる。基材フィルム10の材料は、透明性および強度の観点から、好ましくはポリエステル樹脂であり、より好ましくはPETである。
基材フィルム10は、樹脂フィルムの片面または両面に硬化樹脂層(図示略)が形成された多層構造を有してもよい。硬化樹脂層は、例えば、銅層付フィルムXのロールにおけるフィルム間のブロッキング(貼り付き)を抑制するためのアンチブロッキング層である。硬化樹脂層は、硬化性樹脂組成物の硬化物である。硬化性樹脂組成物は、本実施形態では、硬化性樹脂と粒子(アンチブロッキング粒子)とを含有する。すなわち、硬化樹脂層は、硬化性樹脂と粒子とを含有する。
硬化性樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、アクリル樹脂(アクリルウレタン樹脂を除く)、ウレタン樹脂(アクリルウレタン樹脂を除く)、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、およびメラミン樹脂が挙げられる。これら硬化性樹脂は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。硬化樹脂層の高硬度の確保の観点からは、硬化性樹脂としては、好ましくは、アクリルウレタン樹脂およびアクリル樹脂からなる群より選択される少なくとも一つが用いられる。また、硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型樹脂および熱硬化型樹脂が挙げられる。高温加熱せずに硬化可能であるために銅層付フィルムXの製造効率向上に役立つ観点から、硬化性樹脂としては、紫外線硬化型樹脂が好ましい。
粒子としては、例えば、無機酸化物粒子および有機粒子が挙げられる。無機酸化物粒子の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化カドミウム、および酸化アンチモンが挙げられる。有機粒子の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル・スチレン共重合体、ベンゾグアナミン、メラミン、およびポリカーボネートが挙げられる。粒子としては、好ましくは無機酸化物粒子が用いられ、より好ましくは、シリカ粒子および/またはジルコニア粒子が用いられる。
硬化樹脂層の厚さは、同層のアンチブロッキング性を確保する観点から、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.3μm以上、更に好ましくは0.5μm以上、特に好ましくは0.8μm以上である。硬化樹脂層の厚さは、硬化樹脂層の透明性を確保する観点からは、好ましくは10μm以下、より好ましくは5μm以下、更に好ましくは3μm以下である。
硬化樹脂層は、例えば、次のようして形成できる。まず、上述の硬化性樹脂および粒子と、溶剤とを含有する硬化性樹脂組成物のワニスを調製する。溶剤としては、例えば、酢酸エチル、トルエンおよびメチルイソブチルケトンが挙げられる。次に、当該硬化性樹脂組成物を樹脂フィルム上に塗布して塗膜を形成する。硬化性樹脂組成物が紫外線硬化型樹脂を含有する場合には、次に、紫外線照射によって塗膜を硬化させる。硬化性樹脂組成物が熱硬化型樹脂を含有する場合には、加熱によって前記塗膜を硬化させる。
本製造方法では、次に、真空下においてロールトゥロール方式で基材フィルム10(ワークフィルム)を搬送しながら、成膜工程S2と、加熱工程S3と、巻取り工程S4とを順次に実施する。成膜工程S2から巻取り工程S4までの一連の製造ラインは、途中で大気開放されることなく、真空下でのプロセスが継続される。真空下とは、7.0Pa以下の減圧雰囲気下を意味する。成膜工程S2から巻取り工程S4までを連続的に実施するためには、例えば、繰出し室と、第1プロセス室と、第2プロセス室と、巻取り室とを備えるスパッタリング装置を使用する。繰出し室、第1プロセス室、第2プロセス室および巻取り室は、この順で配置され、且つ連通している。繰出し室は、繰出しローラを備える。第1プロセス室は、スパッタ成膜室であり、成膜ローラと、当該成膜ローラに対向配置されたカソードとを備える。第2プロセス室は、加熱ローラを備える。巻取り室は、巻取りローラを備える。ワークフィルムの搬送速度(走行速度)は、製造効率の確保の観点から、好ましくは2.0m/分以上、より好ましくは4.0m/分以上、更に好ましくは5.0m/分以上である。ワークフィルムの搬送速度は、成膜工程S2において銅層20を厚さ精度よく形成する観点から、好ましくは10.0m/分以下、より好ましくは8.0m/分以下、更に好ましくは7.0m/分以下である。
成膜工程S2では、図2Bに示すように、ワークフィルムとしての基材フィルム10上に銅層20を形成する。具体的には、スパッタリング法により、基材フィルム10の第2面12上にCuを成膜して銅層20を形成する(銅層20は第2面12に接する)。この銅層20は、スパッタ膜である。スパッタリング法によると、基材フィルム10に対する密着性が高い銅層20を高い成膜速度で形成できる。
スパッタリング法では、第1プロセス室内に不活性ガスを導入しつつ、成膜ローラによって基材フィルム10を搬送し、第1プロセス室内のカソード上に配置されたターゲットにマイナスの電圧を印加する。これにより、グロー放電を発生させてガス原子をイオン化し、当該ガスイオンを高速でターゲット表面に衝突させ、ターゲット表面からターゲット材料を弾き出し、弾き出たターゲット材料を、基材フィルム10上に堆積させる。ターゲットの材料は、Cuである。CuターゲットのCu純度は、例えば90質量%以上、好ましくは95質量%以上であり、また、例えば100質量%以下である。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、例えば、DC電源、AC電源、MF電源、およびRF電源が挙げられる。電源としては、DC電源とRF電源とを併用してもよい。
第1プロセス室内の気圧は、形成される銅層20の低抵抗化の観点から、好ましくは6.0Pa以下、より好ましくは3.0Pa以下、更に好ましくは2.0Pa以下、一層好ましくは1.0Pa以下である。
成膜工程S2での成膜温度T(成膜ローラによって温度調整される基材フィルム10の温度)は、基材フィルムの搬送不良(同フィルムにおけるシワの発生等)を抑制する観点から、好ましくは-20℃以上、より好ましくは-10℃以上、更に好ましくは0℃以上である。成膜温度Tは、基材フィルムからのアウトガスに起因する膜質変化を抑制する観点から、好ましくは80℃以下、より好ましくは60℃以下、更に好ましくは40℃以下である。
銅層20の厚さは、銅層20の低抵抗化の観点から、好ましくは10nm以上、より好ましくは20nm以上、更に好ましくは30nm以上、特に好ましくは50nm以上である。銅層20の厚さは、銅層付フィルムXの反りの抑制の観点から、好ましくは1000nm以下、より好ましくは500nm以下、更に好ましくは300nm以下、特に好ましくは200nm以下である。
加熱工程S3では、成膜工程S2後のワークフィルムを加熱処理する。具体的には、ワークフィルム(銅層20付きの基材フィルム10)の基材フィルム10側(銅層20とは反対側)に接する加熱ローラにより、ワークフィルムを、搬送しつつ、加熱温度(T)50℃以上で加熱処理する。これにより、銅層20の表面を酸化する。
銅層20表面の酸化皮膜の厚さは、銅層20表面の後述の変色抑制の観点から、好ましくは0nm超、より好ましくは1.0nm以上、更に好ましくは2.0nm以上である。銅層20表面の酸化皮膜の厚さは、銅層付フィルムXの製造効率の観点から、好ましくは20nm以下、より好ましくは10nm以下、更に好ましくは5nm以下である。酸化皮膜の厚さは、銅層20の厚さの、例えば0%超であり、例えば20%以下である。
加熱工程S3での加熱温度Tは、銅層20表面を十分に酸化する観点から、好ましくは60℃以上、より好ましくは70℃以上、更に好ましくは80℃以上、一層好ましくは90℃以上である。加熱温度Tは、基材フィルム10への熱負荷の抑制の観点から、好ましくは200℃以下、より好ましくは150℃以下、更に好ましくは120℃以下である。加熱温度Tは、銅層20付き基材フィルムの搬送不良(同フィルムにおけるシワの発生等)を抑制する観点から、成膜工程S2での上記の成膜温度Tより高いのが好ましい。加熱温度Tが成膜温度Tより高い場合、温度の差T-Tは、好ましくは30℃以上、より好ましくは70℃以上であり、また、好ましくは200℃以下、より好ましくは150℃以下である。
第2プロセス室内の気圧は、好ましくは6.0Pa以下、より好ましくは3.0Pa以下、更に好ましくは2.0Pa以下、一層好ましくは1.0Pa以下である。第2プロセス室内の気圧は、好ましくは1.0×10-5Pa以上、より好ましくは1.0×10-4Pa以上、更に好ましくは1.0×10-3Pa以上である。第2プロセス室内の気圧は、第1プロセス室内の気圧と同じであってもよい。
巻取り工程S4では、加熱工程S3後のワークフィルム(銅層20付きの基材フィルム10)を、巻取り室の巻取りローラによって巻き取る。巻取り室内の気圧は、好ましくは6.0Pa以下、より好ましくは3.0Pa以下、更に好ましくは2.0Pa以下、一層好ましくは1.0Pa以下である。巻取り室内の気圧は、好ましくは1.0×10-5Pa以上、より好ましくは1.0×10-4Pa以上、更に好ましくは1.0×10-3Pa以上である。巻取り室内の気圧は、第2プロセス室内の気圧と同じであってもよく、また、第1プロセス室内の気圧と同じであってもよい。
以上のようにして、ロール状の銅層付フィルムXを製造できる。本製造方法は、上述の工程(用意工程S1,成膜工程S2,加熱工程S3,巻取り工程S4)の間には、所定の前処理工程および後処理工程などの付加的な工程を含んでもい。その場合においても、成膜工程S2から巻取り工程S4までの一連の製造ラインでは、途中で大気開放されることなく、真空下でのプロセスが継続される。
銅層付フィルムXの全光線透過率(JIS K 7375-2008)は、銅層付フィルムXの透明性を確保する観点から、好ましくは80%以上、より好ましくは90%以上、更に好ましくは95%以上である。銅層付フィルムXの全光線透過率は、例えば100%以下である。
銅層付フィルムXでは、図3に示すように、銅層20をパターニングすることによって導電パターン20’を形成できる。所定のエッチングマスクを介して銅層20をエッチング処理することにより、銅層20をパターニングできる。導電パターン20’としては、例えば、誘電泳動処理用の電極パターン、および、アンテナフィルムのアンテナコイルが挙げられる。
銅層付フィルムの製造方法では、上述のように、長尺の基材フィルム10(ワークフィルム)に対して成膜工程S2から巻取り工程S4までがロールトゥロール方式で連続して実施される。このような製造方法は、銅層付フィルムXを効率よく製造するのに適する。
また、銅層付フィルムの製造方法は、上述のように、真空下でワークフィルムを搬送しながらの、成膜工程S2と加熱工程S3と巻取り工程S4とを、この順で含む。成膜工程S2で形成された銅層20の表面は、加熱工程S3での50℃以上の加熱処理によって酸化され、その後の巻取り工程S4で、ワークフィルム(銅層付フィルムX)が巻き取られる。これにより、銅層付フィルムXのロールが得られる。真空下で銅層付フィルムXが巻き取られる前に、50℃以上の加熱処理によって銅層20の表面が酸化されることは、銅層付フィルムXのロールが大気下に置かれた後の銅層20表面における上述の電位差(端部領域の銅層表面と内部領域の銅層表面との間の電位差)を抑制するのに適し、従って、銅層20表面の変色を抑制するのに適する。具体的には、後記の実施例および比較例を以って示すとおりである。
以上のように、銅層付フィルムの製造方法は、銅層付フィルムXを効率よく製造するとともに、その銅層20表面の変色を抑制するのに適する。
本発明について、以下に実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は、実施例に限定されない。また、以下に記載されている配合量(含有量)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上述の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合量(含有量)、物性値、パラメータなどの上限(「以下」または「未満」として定義されている数値)または下限(「以上」または「超える」として定義されている数値)に代替できる。
〔実施例1〕
まず、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(品名「ルミラー U483」,長さ200m,幅100cm,厚さ125μm,東レ製)を基材フィルムとして用意した(用意工程)。
次に、真空下においてロールトゥロール方式でワークフィルムを搬送しながら、成膜工程と、加熱工程と、巻取り工程とを順次に実施した。本工程では、ロールトゥロール方式のスパッタリング装置(DCマグネトロンスパッタリング装置)を使用した。同装置は、繰出し室と、第1プロセス室と、第2プロセス室と、巻取り室とを備える。繰出し室、第1プロセス室、第2プロセス室および巻取り室は、この順で配置され、且つ連通している。繰出し室は、繰出しローラを備える。繰出しローラには、ワークフィルムとして上述の基材フィルムのロールをセットした。第1プロセス室は、スパッタ成膜室であり、成膜ローラと、当該成膜ローラに対向配置されたカソードとを備える。第2プロセス室は、加熱ローラを備える。巻取り室は、巻取りローラを備える。繰出し室から巻取り室までロールトゥロール方式でワークフィルムを搬送させながら、第1プロセス室において成膜プロセスを実施し、その後の第2プロセス室で加熱処理を実施した。ワークフィルムの走行速度は6.0m/分とした。
成膜工程では、スパッタリング法により、ワークフィルムとしての基材フィルム上に、厚さ100nmの銅層を形成した。スパッタ成膜の条件は、次のとおりである。
スパッタリング装置内の到達真空度が0.9×10-4Paに至るまで装置内を真空排気した後、第1プロセス室内にスパッタリングガスとしてのArを導入し、第1プロセス室内の気圧を0.3×10-1Paとした。ターゲットとしては、銅ターゲットを用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、DC電源を用いた。DC電源の出力は11kWとした。成膜温度(銅層が積層される基材フィルムの温度)は40℃とした。
加熱工程では、ワークフィルム(銅層付フィルム)における銅層とは反対側に接する加熱ローラ(直径1000mm)により、ワークフィルムを送りつつ加熱処理した。加熱温度は60℃とした。第2プロセス室内の気圧は0.4×10-4Paとした。これにより、銅層の表面を酸化した。
その後の巻取り工程では、巻取り室の巻取りローラによってワークフィルム(銅層付フィルム)を巻き取った。巻取り室内の気圧は0.4×10-4Paとした。
以上のようにして、実施例1の銅層付フィルム(長さ200m)のロールを作製した。実施例1の銅層付フィルムは、基材フィルム(厚さ125μm)と、銅層(厚さ100nm)とが順に積層された積層構造を有する。
〔実施例2〕
加熱工程での加熱温度を80℃としたこと以外は、実施例1の銅層付フィルムのロールと同様にして、実施例2の銅層付フィルム(長さ200m)のロールを作製した。
〔実施例3〕
加熱工程での加熱温度を150℃としたこと以外は、実施例1の銅層付フィルムのロールと同様にして、実施例3の銅層付フィルム(長さ200m)のロールを作製した。
〔比較例1〕
加熱工程での加熱温度を40℃としたこと以外は、実施例1の銅層付フィルムのロールと同様にして、比較例1の銅層付フィルム(長さ200m)のロールを作製した。
〈変色の評価〉
実施例1~3および比較例1の各銅層付フィルムについて、銅層表面の変色の有無を調べた。具体的には、次のとおりである。
まず、銅層付フィルム(長さ200m)のロールを、巻き出すことなく、大気下で1週間、保管した。保管温度は30℃とした。保管後、銅層付フィルムのロールから、50mの長さ、銅層付フィルムを繰り出した。そして、銅層付フィルムにおける繰出し先端から49~50mの領域の銅層表面を観察した。銅層表面における、フィルム幅方向の端部領域(両端)の変色(内部領域との色の違い)の有無を、観察結果として表1に示す。
Figure 2024081068000002
X 銅層付フィルム
H 厚さ方向
10 基材フィルム
11 第1面
12 第2面
20 銅層

Claims (4)

  1. ロールトゥロール方式でワークフィルムを搬送しながら銅層付フィルムを製造する方法であって、
    ワークフィルム上に銅層を成膜する成膜工程と、
    加熱温度50℃以上の加熱処理によって前記銅層の表面を酸化する加熱工程と、
    前記加熱工程後に前記ワークフィルムを巻き取る巻取り工程とを含み、
    前記成膜工程、前記加熱工程および前記巻取り工程において、前記ワークフィルムは真空下で搬送される、銅層付フィルムの製造方法。
  2. 前記加熱温度は、前記成膜工程での成膜温度より高い、請求項1に記載の銅層付フィルムの製造方法。
  3. 前記成膜工程では、スパッタリング法によって前記銅層を成膜する、請求項1に記載の銅層付フィルムの製造方法。
  4. 前記成膜工程での成膜温度は-20℃以上80℃以下である、請求項1から3のいずれか一つに記載の銅層付フィルムの製造方法。
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