JP2024067275A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ビアホールの周囲に位置する絶縁層にクラックが発生しにくい配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本配線基板の製造方法は、第１配線層を被覆する、フィラーを含有する第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層に、レーザ加工法により前記第１配線層を露出するビアホールを形成する工程と、前記第１絶縁層に、熱処理、プラズマ処理、及びデスミア処理をこの順番で施す工程と、前記デスミア処理後に、前記第１絶縁層の上面に形成された配線パターン及び前記ビアホール内に形成されたビア配線を含む第２配線層を形成する工程と、を有する。【選択図】図３

Description

本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。

配線基板を製造する際に、配線層を被覆する絶縁層を形成し、配線層を露出するビアホールをレーザ加工法により絶縁層に形成する場合がある。ビアホールを形成する際にビアホール内に絶縁層の樹脂残渣が生じる場合があるが、樹脂残渣は絶縁層上に他の配線層を形成する際に導通不良等の要因になる。そこで、樹脂残渣を除去するためにデスミア処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。

特開２００２－５０６０３号公報

しかしながら、レーザ加工法により絶縁層にビアホールを形成する際に、ビアホールの周囲に位置する絶縁層の上面にも熱エネルギーが加わるため、絶縁層の上面に近い表面側に熱による応力が残留する。この応力がデスミア処理により開放されると、ビアホールの周囲に位置する絶縁層にクラックが発生する場合がある。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、ビアホールの周囲に位置する絶縁層にクラックが発生しにくい配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

本配線基板の製造方法は、第１配線層を被覆する、フィラーを含有する第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層に、レーザ加工法により前記第１配線層を露出するビアホールを形成する工程と、前記第１絶縁層に、熱処理、プラズマ処理、及びデスミア処理をこの順番で施す工程と、前記デスミア処理後に、前記第１絶縁層の上面に形成された配線パターン及び前記ビアホール内に形成されたビア配線を含む第２配線層を形成する工程と、を有する。

開示の技術によれば、ビアホールの周囲に位置する絶縁層にクラックが発生しにくい配線基板の製造方法を提供できる。

本実施形態に係る配線基板を例示する部分断面図である。 本実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 本実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 本実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。 比較例に係る配線基板の製造工程の一部について説明する図である。 デスミア処理後の絶縁層の上面のＳＥＭ写真である。 粗度とピール強度との比較結果を示す図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

［配線基板の構造］
図１は、本実施形態に係る配線基板を例示する部分断面図である。図１を参照すると、配線基板１は、絶縁層１０と、配線層２０と、絶縁層３０と、配線層４０と、ソルダーレジスト層５０とを有している。配線基板１は、コアレスであってもよいし、コア有りであってもよい。なお、ソルダーレジスト層５０は必要に応じて設けることができる。

なお、本実施形態では、便宜上、配線基板１の絶縁層３０側を上側、絶縁層１０側を下側とする。又、各部位の絶縁層３０側の面を上面、絶縁層１０側の面を下面とする。ただし、配線基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物を絶縁層３０の上面３０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を絶縁層３０の上面３０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

絶縁層１０は、例えば、多層配線の層間絶縁層として、ビルドアップ工法を用いて形成することができる絶縁層である。従って、絶縁層１０の下層として他の配線層や他の絶縁層が積層されていてもよい。この場合、絶縁層１０や他の絶縁層に適宜ビアホールを設け、ビアホールに設けられたビア配線を介して配線層同士を接続することができる。

絶縁層１０の材料としては、例えば、非感光性（熱硬化性樹脂）のエポキシ系絶縁樹脂やポリイミド系絶縁樹脂等を用いることができる。あるいは、絶縁層１０の材料として、例えば、感光性のエポキシ系絶縁樹脂やアクリル系絶縁樹脂等を用いてもよい。絶縁層１０は、ガラスクロス等の補強材を有していても構わない。又、絶縁層１０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１０の厚さは、例えば１０μｍ～５０μｍ程度とすることができる。

配線層２０は、絶縁層１０上に形成されている。配線層２０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層２０の厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。配線層２０は、複数の金属層の積層構造であってもよい。

絶縁層３０は、絶縁層１０上に、配線層２０の上面と側面とを被覆するように形成されている。絶縁層３０の材料としては、絶縁層１０と同様の絶縁樹脂を用いることができる。絶縁層３０の厚さは、例えば、絶縁層１０と同様とすることができる。絶縁層３０は、フィラーを含有している。絶縁層３０が含有するフィラーは、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）である。絶縁層３０が含有するフィラーは、カオリン（Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_５（ＯＨ_４）、タルク（Ｍｇ_３Ｓｉ_４Ｏ_１０（ＯＨ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等であってもよい。フィラーの粒径は、例えば、最小粒径０．１μｍ、最大粒径５μｍ、平均粒径０．５～２μｍ程度とすることができる。また、一部のフィラーは中空状のものを用いてもよい。

フィラーの含有量は、例えば、７０重量％以上とすることができる。フィラーの含有量を７０重量％以上とすることにより、絶縁層３０の誘電正接を低減することが可能となり、電気的損失の小さな絶縁層を実現することができる。また、フィラーの含有量を７０重量％以上とすることにより、絶縁層３０の熱膨張係数を配線層２０や配線層４０を構成する銅（Ｃｕ）等の熱膨張係数（１７ｐｐｍ／℃程度）に近づけることが可能となり、配線基板１に生ずる反りを低減することができる。

絶縁層３０の上面３０ａの粗度は、算術平均粗さＲａで２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることが好ましい。算術平均粗さＲａがこのような範囲であると、配線浮き等が生じにくくなり、絶縁層３０の上面３０ａに安定して配線層の形成が可能となる。また、アンカー効果により、絶縁層３０と配線層４０との密着性を向上できる。

配線層４０は、絶縁層３０の一方の側に形成されており、配線層２０と電気的に接続されている。配線層４０は、絶縁層３０の上面３０ａに形成された配線パターン、及び絶縁層３０を貫通し配線層２０の上面を露出するビアホール３０ｘ内に形成されたビア配線を含んで構成されている。絶縁層３０の上面３０ａに形成された配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２０と電気的に接続されている。なお、配線パターンは、外部接続用のパッドを含んでもよい。

ビアホール３０ｘは、配線層４０が形成される側の上部開口径が配線層２０の上面が露出する側の下部開口径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール３０ｘの上部開口径は、例えば、３０μｍ～８０μｍ程度とすることができる。配線層４０を構成する配線パターンの厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。

配線層４０のピール強度は、３００ｇｆ／ｃｍ以上であることが好ましい。ピール強度が３００ｇｆ／ｃｍ以上であると、配線層４０と絶縁層３０との間に十分な密着性が得られる。

ソルダーレジスト層５０は、絶縁層３０の上面３０ａに形成されている。ソルダーレジスト層５０は、開口部５０ｘを有し、開口部５０ｘ内に配線層４０の一部が露出している。開口部５０ｘの平面形状は、例えば、円形とすることができる。開口部５０ｘの直径は、接続対象（半導体チップやマザーボード等）に合わせて任意に設計できる。

ソルダーレジスト層５０の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層５０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。開口部５０ｘ内に露出する配線層４０には、必要に応じて、はんだボール等の外部接続端子が形成される。

なお、開口部５０ｘ内に露出する配線層４０の上面に表面処理層（図示せず）を形成してもよい。表面処理層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。又、開口部５０ｘ内に露出する配線層４０の上面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施して表面処理層を形成してもよい。

［配線基板の製造方法］
次に、本実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２～図４は、本実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、本実施形態では、単品の配線基板を形成する工程を示すが、配線基板となる複数の部分を作製後、個片化して各配線基板とする工程としてもよい。

まず、図２（ａ）に示す工程では、絶縁層１０を準備し、絶縁層１０の上面に周知のスパッタ法やめっき法等により配線層２０を形成する。

次に、図２（ｂ）に示す工程では、絶縁層１０上に、配線層２０を被覆する絶縁層３０を形成する。絶縁層３０は、フィラーを含有する。フィラーの含有量は、例えば、７０重量％以上とすることができる。具体的には、例えば、絶縁層３０として熱硬化性を有するフィルム状のエポキシ系絶縁樹脂を準備し、配線層２０を被覆するように絶縁層１０の上面にラミネートする。そして、ラミネートした絶縁層３０を押圧しつつ、絶縁層３０を硬化温度以上に加熱して硬化させる。

あるいは、絶縁層３０の材料として、例えば、熱硬化性を有する液状又はペースト状のエポキシ系絶縁樹脂を準備し、配線層２０を被覆するように絶縁層１０の上面にスピンコート法等により塗布する。そして、塗布した絶縁樹脂を硬化温度以上に加熱して硬化させ、絶縁層３０を形成する。

絶縁層３０の上面３０ａには、保護膜１００が配置されていることが好ましい。保護膜１００としては、例えば、ポリエチレンテレフレートフィルムや、ポリエチレンナフタレートフィルム等が挙げられる。絶縁層３０の上面３０ａと保護膜１００との間に、剥離可能な粘着層を設けてもよい。以降は、保護膜１００が配置されている場合を例にして説明する。

次に、図２（ｃ）に示す工程では、絶縁層３０に、絶縁層３０を貫通し配線層２０の上面を露出するビアホール３０ｘを形成する。ビアホール３０ｘは、例えば、ＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。すなわち、保護膜１００を介して絶縁層３０にレーザ光を照射して熱エネルギーを加え、絶縁層３０を構成する樹脂を熱破壊して、ビアホール３０ｘを形成する。このとき、ビアホール３０ｘの周囲に位置する絶縁層３０の上面３０ａにも熱エネルギーが加わるため、絶縁層３０の上面３０ａに近い表面側に熱による応力が残留する。なお、応力の残留は、保護膜１００の有無とは無関係である。

レーザ加工法により形成したビアホール３０ｘは、配線層４０が形成される側の上部開口径が配線層２０の上面が露出する側の下部開口径よりも大きい逆円錐台状の凹部となる。絶縁層３０の上面３０ａに保護膜１００が配置されると、照射するレーザのパワーを強くできる。そのため、保護膜１００が配置されない場合と比べて、上部開口径に対する下部開口径の比率を高くすることができる。また、絶縁層３０の上面３０ａに保護膜１００が配置されると、絶縁層３０の上面３０ａに異物等が付着することを抑制できる。

次に、図２（ｄ）に示す工程では、保護膜１００を除去し、絶縁層３０の上面３０ａを露出する。保護膜１００は、例えば、機械的に剥離することにより除去することができる。

次に、図３（ａ）に示す工程では、絶縁層３０の全体に対して熱処理を施す。熱処理は、８０℃以上１５０℃以下の温度で２０分以上８０分以下の時間行うことが好ましい。熱処理は、１００℃以上１３０℃以下の温度で３０分以上６０分以下の時間行うことがより好ましい。このような比較的低温で所定時間以上熱処理を施すことにより、レーザ加工時に生じた絶縁層３０に残留する応力を開放することができる。なお、熱処理の時間を８０分以下とすることにより、ビアホール３０ｘ内に存在する樹脂の残渣が硬くなり過ぎることを抑制できる。そのため、後述のデスミア処理を容易に行うことができる。なお、図３（ａ）～図３（ｃ）は、図２（ｄ）のＡ部の拡大図であり、３０ｆはフィラーを示している。

なお、熱処理工程を設けないと、レーザ加工時に生じた絶縁層３０に残留する応力を開放することができない。応力が残存した状態でデスミア処理を施した場合、絶縁層３０の上面３０ａ付近に残存する応力がエッチング時に開放され、ビアホール３０ｘの周囲にクラックが発生するおそれが高くなる。応力開放時のストレスによるクラックは樹脂が脆い状態ほど発生し易い。絶縁層３０のフィラー含有量が多いほど、樹脂成分が少なくなるため脆い状態になりやすい。そのため、絶縁層３０が７０重量％以上のフィラーを含有する場合に、特に熱処理工程を設ける技術的意義が大きくなる。なお、１０分以下程度の短時間の熱処理ではレーザ加工時に生じた絶縁層３０に残留する応力を開放することはできない。

次に、図３（ｂ）に示す工程では、絶縁層３０の全体に対してプラズマ処理を施す。プラズマ処理には、例えば、酸素（Ｏ_２）と四フッ化メタン（ＣＦ_４）とを混合したガスを用いることができる。プラズマ処理においてＯ_２を含むガスを用いることにより、樹脂を分解しやすくすることができる。また、プラズマ処理においてＯ_２を含むガスを用いることにより、フィラー３０ｆの表面が酸化されて、親水性を高めることができる。そのため、後述のデスミア処理で用いるエッチング液が絶縁層３０の上面３０ａに均一に広がることができ、上面３０ａの均一な粗化が可能となる。

プラズマ処理により、絶縁層３０の上面３０ａ側に位置する樹脂が選択的にエッチングされ、絶縁層３０の下面に対する上面３０ａの位置が下がる。図３（ｂ）の破線は、プラズマ処理で削られた部分を示している。プラズマ処理でエッチングされた部分の樹脂の厚さは、例えば、１μｍ～２μｍ程度である。なお、フィラー３０ｆは、プラズマ処理でエッチングされないため、絶縁層３０の上面３０ａはフィラー３０ｆがリッチな表面となる。なお、プラズマ処理には、Ａｒガスを用いてもよい。

次に、図３（ｃ）に示す工程では、絶縁層３０の全体に対してデスミア処理を施す。これにより、ビアホール３０ｘの底部に露出する配線層２０の上面に付着した絶縁層３０の樹脂残渣を除去することでき、かつ絶縁層３０の上面３０ａを粗面とすることができる。デスミア処理後の絶縁層３０の上面３０ａの粗度は、算術平均粗さＲａで２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下とすることができる。

デスミア処理は、ウェットエッチング工程を含む。デスミア処理は、ウェットエッチング工程の前に膨潤工程を含んでもよい。膨潤工程では、ビアホール３０ｘを含む絶縁層３０を膨潤液に所定時間浸漬する。これにより、エッチング工程において樹脂残渣を除去し易くすることができる。また、絶縁層３０を膨潤させることにより、エッチング工程を経て得られる絶縁層３０と、その後に形成される配線層４０との密着性を高めることができる。膨潤工程の後にウェットエッチング工程を行ことができる。ウェットエッチング工程では、例えば、過マンガン酸ナトリウムや過マンガン酸カリウム等のエッチング液を用いることができる。ウェットエッチング工程の後に、還元剤液による後処理（中和処理）を行なうことが好ましい。

なお、プラズマ処理のみでも樹脂残渣をある程度は除去できるが、デスミア処理を行うことにより、より確実に樹脂残渣を除去することができる。特に、絶縁層３０が厚いほどビアホール３０ｘが深くなるため、絶縁層３０の上面３０ａからビアホール３０ｘの底面（配線層２０の上面）までの距離が長くなり、プラズマのエネルギーが届きにくくなる。そのため、プラズマ処理のみではなく、プラズマ処理に加えてデスミア処理の工程を行うことで、絶縁層３０が厚い場合であっても、ビアホール３０ｘの底面の樹脂残渣をより確実に除去することができる。

次に、図４（ａ）に示す工程では、絶縁層３０の一方の側に配線層４０を形成する。配線層４０は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。具体的には、まず、無電解めっき法又はスパッタ法により、ビアホール３０ｘの底部に露出した配線層２０の上面、ビアホール３０ｘの内壁面、絶縁層３０の上面３０ａにシード層を連続的に形成する。次に、シード層上に配線層４０に対応する開口部を備えたレジスト層を形成する。そして、シード層を給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層の開口部に電解めっき層を形成する。

その後、レジスト層を除去し、電解めっき層をマスクにして、電解めっき層に覆われていない部分のシード層をエッチングにより除去する。これにより、シード層上に電解めっき層が積層された配線層４０が形成される。配線層４０は、絶縁層３０の上面３０ａに形成された配線パターン、及び絶縁層３０を貫通し配線層２０の上面を露出するビアホール３０ｘ内に形成されたビア配線を含んで構成される。配線層４０を形成する工程後の配線層４０のピール強度は、３００ｇｆ／ｃｍ以上とすることができる。

シード層としては、例えば、チタン層と銅層がこの順番で積層された積層膜を用いることができる。電解めっき層としては、例えば、銅層を用いることができる。シード層の厚さは、例えば、０．２μｍ～１．０μｍ程度とすることができる。絶縁層３０の上面３０ａ上に位置する電解めっき層の厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。

次に、図４（ｂ）に示す工程では、絶縁層３０上に開口部５０ｘを備えたソルダーレジスト層５０を形成する。ソルダーレジスト層５０は、例えば、液状又はペースト状の感光性のエポキシ系絶縁樹脂やアクリル系絶縁樹脂を、配線層４０を被覆するように絶縁層３０の上面３０ａにスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で塗布することにより形成できる。あるいは、例えば、フィルム状の感光性のエポキシ系絶縁樹脂やアクリル系絶縁樹脂を、配線層４０を被覆するように絶縁層３０の上面３０ａにラミネートすることにより形成してもよい。

次に、ソルダーレジスト層５０を露光及び現像することで、ソルダーレジスト層５０に配線層４０の上面の一部を露出する開口部５０ｘを形成する（フォトリソグラフィ法）。なお、開口部５０ｘは、レーザ加工法やブラスト処理により形成してもよい。その場合には、ソルダーレジスト層５０に感光性の材料を用いなくてもよい。

なお、この工程において、開口部５０ｘの底部に露出する配線層４０の上面に、例えば無電解めっき法等により前述の金属層を形成してもよい。また、金属層の形成に代えて、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施してもよい。以上の工程により、配線基板１を得ることができる。

このように、配線基板１の製造工程は、熱処理工程と、プラズマ処理工程と、デスミア工程とを含む。前述のように、熱処理を行うことにより、レーザ加工時にビアホール３０ｘの周囲に位置する絶縁層３０に生じた応力を開放できるため、ビアホール３０ｘの周囲に位置する絶縁層３０にクラックが発生しにくくすることができる。ここでは、熱処理工程の後にプラズマ処理工程を設ける技術的意義について、比較例を示しながら説明する。

図５は、比較例に係る配線基板の製造工程の一部について説明する図である。比較例に係る配線基板の製造工程は、図２（ａ）～図３（ａ）までは、配線基板１の製造工程と同じである。

図５（ａ）は、熱処理後の絶縁層３０の上面３０ａ付近の様子を示している。図５（ａ）において、Ｒ１は樹脂リッチな領域、Ｒ２は樹脂リッチでない領域を示している。熱処理によって絶縁層３０を構成する樹脂の硬化が進むとともに、表面側に樹脂が片寄る状態となった樹脂リッチな領域Ｒ１と、そうでない樹脂リッチでない領域Ｒ２が生じる。このままデスミア処理をすると、領域Ｒ１は、表層の樹脂成分のみがエッチングされるだけで、わずかなフィラーしか露出されず、粗化されにくい。これに対して、領域Ｒ２は、エッチングに伴って樹脂表面から脱落するフィラーが多くなり、粗化されやすい。すなわち、樹脂リッチな領域Ｒ１は粗化されにくい状態であり、樹脂リッチでない領域Ｒ２は粗化されやすい状態である。

図５（ａ）の工程で熱処理を行った後、図５（ｂ）に示す工程では、デスミア処理を行う。つまり、比較例に係る配線基板の製造工程では、熱処理とデスミア処理との間にプラズマ処理を行わない。上記のように、熱処理によって硬化が進んだ樹脂成分が厚い領域Ｒ１は、デスミア処理だけでは十分に削れない。そのため、領域Ｒ１ではフィラーの露出が少なく、フィラーの脱落に伴う表面の凹凸（粗度）が低くなる。すなわち、デスミア処理により、絶縁層３０の上面３０ａに粗化状態の不均一（粗化ムラ）が発生する。絶縁層３０の上面３０ａの粗度は、算術平均粗さＲａで５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下程度の範囲内でばらつく。絶縁層３０の上面３０ａに粗化ムラが発生すると、絶縁層３０の上面３０ａに形成される配線層４０の配線パターンやパッドに電気的ショートの原因となる形成不具合が発生し、配線基板の接続信頼性が低下する。

これに対して、配線基板１の製造工程では、熱処理とデスミア処理との間にプラズマ処理を行う。プラズマ処理により、絶縁層３０の上面３０ａ側に位置する樹脂が選択的にエッチングされる。すなわち、熱処理により生じた粗化されやすさが異なる領域がエッチングにより除去され、絶縁層３０の上面３０ａの粗化されやすさの状態は領域によらず均一に近づく。

この状態でデスミア処理を行うことで、絶縁層３０の上面３０ａは粗化されるが、プラズマ処理を行わない比較例と比べて、領域Ｒ１と領域Ｒ２においてデスミア処理によって露出するフィラーの差が少なくなる。そのため、絶縁層３０の上面３０ａの粗度のばらつきを低減することができる。絶縁層３０の上面３０ａの粗度は、算術平均粗さＲａで２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下程度の範囲内に収まる。絶縁層３０の上面３０ａの粗度のばらつきが低減されたことにより、絶縁層３０の上面３０ａに形成される配線層４０の配線パターンやパッドに電気的ショートの原因となる形成不具合が発生しにくくなり、配線基板１の接続信頼性を向上することができる。また、絶縁層３０の上面３０ａの粗度のばらつきが低減されたことにより、ピール強度を向上することができる。

次に、比較例に係る配線基板と同様にプラズマ処理を行わずにデスミア処理を行った配線基板Ｘと、プラズマ処理を行った後にデスミア処理を行った配線基板１をそれぞれ複数個作製し、絶縁層３０の上面３０ａの粗度と配線層４０のピール強度とを比較した。絶縁層３０の上面３０ａの粗度は、光干渉方式による非接触測定をすることにより求めた。配線層４０のピール強度は、ＪＩＳ Ｃ６４８１に準じ、幅１ｃｍの配線層４０を引き上げ速度が５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で絶縁層３０の上面３０ａに対して垂直方向に引っ張り、配線層４０を絶縁層３０から引き剥がすために必要な力（ｇｆ／ｃｍ）を測定した。

図６は、デスミア処理後の絶縁層の上面のＳＥＭ写真である。図６（ａ）は比較例に係る配線基板のＳＥＭ写真であり、破線で囲まれた領域は破線で囲まれていない領域よりも樹脂が多いことがわかる。すなわち、絶縁層３０の上面３０ａに粗化ムラが発生している。これに対し、図６（ｂ）は配線基板１のＳＥＭ写真であり、樹脂が多い領域は視られず、図６（ａ）よりも絶縁層３０の上面３０ａの粗度のばらつきが低減されたことが確認できる。

図７は、粗度とピール強度との比較結果を示す図である。図７（ａ）は、配線基板Ｘと配線基板１のＲａのデータを比較している。配線基板Ｘは配線基板１と比べてＲａの値が小さく、Ｒａの値のばらつきが大きいことがわかる。具体的には、配線基板ＸのＲａは、１２０ｎｍから３２０ｎｍ程度の範囲でばらついている。これに対して、配線基板１では、２７０ｎｍから３１０ｎｍ程度の範囲に収まっており、配線基板Ｘとの違いは歴然である。なお、図７（ａ）に示した結果は、図６に示した結果と一致する。

図７（ｂ）は、配線基板Ｘと配線基板１のピール強度のデータを比較している。配線基板１は、配線基板１と比べてピール強度が大きいことがわかる。具体的には、配線基板Ｘのピール強度は、２３０ｇｆ／ｃｍから３８０ｇｆ／ｃｍ程度の範囲である。これに対して、配線基板１では、３３０ｇｆ／ｃｍから４５０ｇｆ／ｃｍ程度の範囲であり、配線基板Ｘと比べて平均値で８０ｇｆ／ｃｍ程度ピール強度が向上している。

以上、好ましい実施形態について詳説したが、上述した実施形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

１ 配線基板
１０，３０ 絶縁層
２０，４０ 配線層
３０ａ 上面
３０ｆ フィラー
３０ｘ ビアホール
５０ ソルダーレジスト層
５０ｘ 開口部

Claims (10)

1. 第１配線層を被覆する、フィラーを含有する第１絶縁層を形成する工程と、
   前記第１絶縁層に、レーザ加工法により前記第１配線層を露出するビアホールを形成する工程と、
   前記第１絶縁層に、熱処理、プラズマ処理、及びデスミア処理をこの順番で施す工程と、
   前記デスミア処理後に、前記第１絶縁層の上面に形成された配線パターン及び前記ビアホール内に形成されたビア配線を含む第２配線層を形成する工程と、を有する、配線基板の製造方法。
2. 前記デスミア処理後の前記第１絶縁層の上面の粗度は、算術平均粗さＲａで２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記第２配線層を形成する工程後の前記第２配線層のピール強度は、３００ｇｆ／ｃｍ以上である、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記第１絶縁層は、前記フィラーを７０重量％以上含有している、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記プラズマ処理には、酸素と四フッ化メタンとを混合したガスを用いる、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記熱処理は、８０℃以上１５０℃以下の温度で２０分以上８０分以下の時間行う、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
7. 前記デスミア処理は、ウェットエッチング工程を含む、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
8. 前記第１絶縁層の上面に保護膜が配置され、
   前記ビアホールを形成する工程では、前記保護膜を介してレーザ光を照射して前記ビアホールを形成し、
   前記熱処理の前に前記保護膜を除去する、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
9. 第１配線層と、
   前記第１配線層を被覆する第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上面に形成された配線パターン、及び前記第１絶縁層を貫通し前記第１配線層を露出するビアホール内に形成されたビア配線を含む第２配線層と、を有し、
   前記第１絶縁層は、フィラーを含有し、
   前記第１絶縁層の上面の粗度は、算術平均粗さＲａで２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であり、
   前記第２配線層のピール強度は、３００ｇｆ／ｃｍ以上である、配線基板。
10. 前記第１絶縁層は、前記フィラーを７０重量％以上含有している、請求項９に記載の配線基板。

Images