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JP2023155559A - 駆動装置および駆動方法 - Google Patents

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Abstract

【解決手段】スイッチング素子の温度に応じた温度検出信号を出力する温度検出回路と、スイッチング素子のオン期間中のタイミングにおいて、スイッチング素子に流れる電流に応じた電流検出信号をサンプリングする電流検出回路と、スイッチング素子の制御端子に供給する駆動電流を、温度検出信号および電流検出信号に応じて調整する駆動回路とを備える駆動装置を提供する。駆動回路は、電流検出信号が同じである場合に、スイッチング素子の温度がより低いことを示す温度検出信号に応じて駆動電流をより小さくしてよい。駆動回路は、温度検出信号が同じである場合に、主電流がより小さいことを示す電流検出信号に応じて駆動電流をより小さくしてよい。【選択図】図1

Description

本発明は、駆動装置および駆動方法に関する。
特許文献1には、「パワー半導体スイッチング素子の動作温度の検出を、常時行うのではなく、外部の制御回路からの制御信号に応じたタイミングで行うようにした。所定のタイミング、例えばパワー半導体スイッチング素子がオフするタイミングで動作温度を検出するようにしたことで、常時動作温度を検出する場合と比較して、パワー半導体スイッチング素子のスイッチングノイズの影響が少なくなる。従って、パワー半導体スイッチング素子のスイッチングノイズの影響を低減して当該パワー半導体スイッチング素子を駆動する電流の大きさを変更可能になる」(段落0009)と記載されている。
特許文献2には、「この発明に係る半導体装置は、要約すれば、負荷を駆動する出力トランジスタのスイッチング速度を低速から高速に切換えるしきい値を、温度に応じて更新するものである。高温状態になると、そのしきい値を低くする」(段落0023)、および「この発明に係る半導体装置は、出力負荷を駆動するスイッチング素子の動作温度を検出する温度センサと、この温度センサの検出出力に従ってスイッチング素子のスイッチング速度を切換えるしきい値を変更するゲート制御回路とを備える。このゲート制御回路は、温度センサの検出出力が、温度上昇を示すときにそのしきい値を低下する」(段落0024)と記載されている。
特許文献3には、「この請求項1の発明は、負荷電流が所定値以下の場合、ゲート抵抗値を大きくしてノイズ発生を低減し、負荷電流が所定値を超える場合でかつ、素子温度が所定温度を超える場合、ゲート抵抗を小さくすることにより、スイッチング損失が低減され熱破壊が防止される」(段落0018)と記載されている。
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2019-110677号公報
[特許文献2] 特開2008-182835号公報
[特許文献2] 特開2003-274672号公報
スイッチング素子の温度およびスイッチング素子に流れる電流に応じてスイッチング損失およびスイッチングノイズを効果的に低減する駆動方式の実現が望まれる。
本発明の第1の態様においては、駆動装置を提供する。駆動装置は、スイッチング素子の温度に応じた温度検出信号を出力する温度検出回路を備えてよい。駆動装置は、スイッチング素子のオン期間中のタイミングにおいて、スイッチング素子に流れる主電流に応じた電流検出信号をサンプリングする電流検出回路を備えてよい。駆動装置は、スイッチング素子の制御端子に供給する駆動電流を、温度検出信号および電流検出信号に応じて調整する駆動回路を備えてよい。
駆動回路は、電流検出信号が同じである場合に、スイッチング素子の温度がより低いことを示す温度検出信号に応じて駆動電流をより小さくしてよい。
駆動回路は、温度検出信号が同じである場合に、主電流がより小さいことを示す電流検出信号に応じて駆動電流をより小さくしてよい。
駆動回路は、温度検出信号により示される温度が複数の温度範囲のうちの第1温度範囲に含まれることに応じて、駆動電流の大きさを、電流検出信号の値によらず第1温度範囲に対応付けられた大きさに設定してよい。駆動回路は、温度検出信号により示される温度が複数の温度範囲のうちの第2温度範囲に含まれることに応じて、駆動電流の大きさを、電流検出信号の値に応じて調整してよい。
第2温度範囲は、複数の温度範囲のうち温度が最も低い温度範囲であり、第1温度範囲は、複数の温度範囲のうち温度が最も低い温度範囲以外の温度範囲であってよい。
駆動回路は、駆動電流の大きさを、複数の温度範囲のうち温度検出信号により示される温度が含まれる温度範囲、および複数の電流範囲のうち電流検出信号により示される電流値が含まれる電流範囲の組合せに対応付けられた大きさに設定してよい。
駆動回路は、供給される電流を増幅した駆動電流を出力するカレントミラー回路を有してよい。駆動回路は、温度検出信号および電流検出信号に応じた制御電圧を出力する電圧出力回路を有してよい。駆動回路は、制御電圧に応じた電流をカレントミラー回路に供給する電流制御回路を有してよい。
駆動回路は、供給される電流を増幅した駆動電流を出力するカレントミラー回路を有してよい。駆動回路は、温度検出信号および電流検出信号に応じた電流をカレントミラー回路に供給する電流制御回路を有してよい。
駆動回路は、供給される電流を増幅した駆動電流を出力するカレントミラー回路を有してよい。駆動回路は、温度検出信号および電流検出信号に応じてカレントミラー回路の増幅率を設定する増幅率設定回路を有してよい。
本発明の第2の態様においては、駆動方法を提供する。駆動方法は、温度検出回路が、スイッチング素子の温度に応じた温度検出信号を出力することを備えてよい。駆動方法は、電流検出回路が、スイッチング素子に流れる主電流に応じた電流検出信号を出力することを備えてよい。駆動方法は、駆動回路が、スイッチング素子の制御端子に供給する駆動電流を、温度検出信号および電流検出信号に応じて調整することを備えてよい。
なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
本実施形態に係る装置5の構成を示す。 本実施形態に係る温度検出回路130の構成を示す。 本実施形態に係る温度検出回路130への入力と温度の関係を示す。 本実施形態に係る温度検出回路130の入出力を示す。 本実施形態に係る電流検出回路140の構成を示す。 本実施形態に係る電圧出力回路160の構成を示す。 本実施形態に係る電圧出力回路160の入出力を示す。 本実施形態に係るスイッチング回路170の構成を示す。 本実施形態に係る装置5の、低電流領域におけるノイズ低減効果を示す。 本実施形態に係る装置5の、中・大電流領域における損失低減効果を示す。 本実施形態に係る装置5の、温度に応じたスイッチング速度を示す。 本実施形態に係る装置5の、温度に応じた損失低減効果を示す。 本実施形態の第1変形例に係る電圧出力回路1300の構成を示す。 本実施形態の第1変形例に係る電圧出力回路1300の入出力を示す。 本実施形態の第2変形例に係る装置1500の構成を示す。 本実施形態の第2変形例に係るスイッチング回路1570の構成を示す。 本実施形態の第3変形例に係るスイッチング回路1700の構成を示す。 本実施形態の第3変形例に係るデコーダ回路1710の入出力を示す。 本実施形態の第4変形例に係る電圧出力回路1900の構成を示す。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図1は、本実施形態に係る装置5の構成を示す。装置5は、駆動素子10と、駆動装置100とを備える。
装置5は、スイッチング素子15と、温度センサ40とを有する。スイッチング素子15は、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)またはMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)等の半導体スイッチ素子である。スイッチング素子15は、より高速にスイッチング可能なSiC-IGBTまたはSiC-MOSFETであってよい。スイッチング素子15は、第1主端子および第2主端子と、第1主端子および第2主端子の間の接続状態を制御する制御端子とを有する。スイッチング素子15は、第1主端子および第2主端子としてコレクタ(図中「C」)およびエミッタ(図中「E」)を有し、制御端子としてゲート(図中「G」)を有する。スイッチング素子15がMOSFETである場合、スイッチング素子15は、第1主端子および第2主端子としてドレインおよびソースを有し、制御端子としてゲートを有する。本実施形態においては、説明の便宜上、スイッチング素子15がIGBTである場合について示す。
スイッチング素子15は、主電流を流すメインセルとしての主スイッチング素子20と、センス電流を流す電流センスセルとしてのセンススイッチング素子30とを含み、コレクタ-エミッタ間にメインセルが接続され、コレクタ-センスエミッタ間に電流センスセルが接続され、スイッチング素子15のゲートがメインセルおよび電流センスセルの両方のゲートに接続された構成をとる。電流センスセルは、メインセルに対して1/1000未満等の面積比に設定され、定常状態において主電流に対して面積比に応じた比率(例えば1/1000)のセンス電流を流す。
温度センサ40は、スイッチング素子15の近傍に配置され、スイッチング素子15の温度を検出する。本実施形態においては、温度センサ40は、一例としてサーマル・ダイオードを用いる。これに代えて、温度センサ40は、他の種類の温度センサであってよい。
駆動装置100は、電源110と、入力バッファ120と、温度検出回路130と、電流検出回路140と、駆動回路150とを有する。電源110は、例えば電圧レギュレータである。電源110は、外部から入力される電源電圧VCCを、駆動装置100の内部で使用する電源電圧VDDに変換する。
入力バッファ120は、外部から入力される制御信号INを増幅して、制御信号OUTOFFとして出力する。制御信号OUTOFFは、論理H(ハイ)の場合にスイッチング素子15を切断状態とし、論理L(ロー)の場合にスイッチング素子15を接続状態とすることを指示する信号である。
温度検出回路130は、駆動素子10内の温度センサ40に接続される。温度検出回路130は、温度センサ40の検出値OTを入力して、スイッチング素子15の温度に応じた温度検出信号(例えば図中のTL/TM/TH)を出力する。
電流検出回路140は、スイッチング素子15のセンス端子SE(センススイッチング素子30のエミッタ端子)および入力バッファ120に接続される。電流検出回路140は、スイッチング素子15のセンス端子SEに流れる電流に応じた検出値OCを入力して、スイッチング素子15に流れる電流に応じた電流検出信号(例えば図中のILOW)を出力する。本実施形態に係る電流検出回路140は、スイッチング素子15のオン期間中のタイミングにおいて、スイッチング素子15に流れる電流に応じた電流検出信号をサンプリングして、スイッチング素子15のオン期間の終了のタイミングでサンプリングした結果を出力する。
駆動回路150は、入力バッファ120、温度検出回路130、および電流検出回路140に接続される。駆動回路150は、制御信号OUTOFFに応じてスイッチング素子15の制御端子G(ゲート)を駆動することにより、スイッチング素子15のオンオフを切り替える。ここで、駆動回路150は、スイッチング素子15の制御端子Gに供給する駆動電流を、温度検出信号および電流検出信号に応じて調整することにより、スイッチング素子15のスイッチング速度を変更可能である。
駆動回路150は、電圧出力回路160と、スイッチング回路170とを含む。電圧出力回路160は、温度検出回路130および電流検出回路140に接続される。電圧出力回路160は、温度検出回路130からの温度検出信号TL/TM/THおよび電流検出回路140からの電流検出信号ILOWに応じた制御電圧IDREFを出力する。
スイッチング回路170は、入力バッファ120および電圧出力回路160に接続される。スイッチング回路170は、入力バッファ120からの制御信号OUTOFFに応じた駆動信号OUTをスイッチング素子15へと出力することにより、スイッチング素子15の制御端子Gを駆動する。スイッチング回路170は、制御端子Gの駆動時に制御端子Gに供給する駆動電流を、制御電圧IDREFに応じて調整する。
図2は、本実施形態に係る温度検出回路130の構成を示す。温度検出回路130は、1または複数のコンパレータ200-1~2(「コンパレータ200」とも示す。)、1または複数のタイマ210-1~2(「タイマ210」とも示す。)、デコーダ220、およびその他の回路素子を含む。電源電圧VCCと温度センサ40(図中の「検出値OT」)との間に接続された定電流源は、温度センサ40に定電流を流す。これにより、温度センサ40は、スイッチング素子15の温度に応じた電圧を検出値OTとして発生させる。RC積分回路等の平滑化フィルタは、検出値OTを平滑化する。
1または複数のコンパレータ200は、検出値OTを、複数の電圧範囲に分類する。本図の例において、コンパレータ200-1~2は、検出値OTを、電圧閾値VROTH以下(温度≧T2)、電圧閾値VROTHを超え電圧閾値VROTM以下(T1≦温度<T2)、電圧閾値VROTM超過(温度<T1)に分類し、分類結果を示す信号OTHENおよびOTMENを出力する。デコーダ220は、信号OTHENおよびOTMENをデコードして、スイッチング素子15の温度を複数の温度範囲に分類した温度検出信号TL/TM/THとして出力する。
図3は、本実施形態に係る温度検出回路130への入力と温度の関係を示す。本実施形態においては、温度センサ40は、サーマル・ダイオードにより実現される。サーマル・ダイオードは、温度が上昇するほど電圧降下が小さくなるので、温度センサ40は、スイッチング素子15の温度が上昇するほど低い電圧の検出値OTを出力する。図2の電圧閾値VROTMは、スイッチング素子15の温度が温度閾値T1となる場合の検出値OTの電圧に設定される。図2の電圧閾値VROTHは、スイッチング素子15の温度が温度閾値T2(T2>T1)となる場合の検出値OTの電圧に設定される。
図4は、本実施形態に係る温度検出回路130の入出力を示す。コンパレータ200-1は、検出値OTが電圧閾値VRTOH以下(温度≧T2)の場合に論理1、電圧閾値VRTOHを超える(温度<T2)場合に論理0となる信号OTHENを出力する。コンパレータ200-2は、検出値OTが電圧閾値VRTOM以下(温度≧T1)の場合に論理1、電圧閾値VRTOMを超える(温度<T1)場合に論理0となる信号OTMENを出力する。デコーダ220は、このような信号OTHENおよびOTMENをデコードして、温度<T1の場合に温度検出信号TLを論理1、T1≦温度<T2の場合に温度検出信号TMを論理1、T2≦温度の場合に温度検出信号THを論理1とする。
図5は、本実施形態に係る電流検出回路140の構成を示す。電流検出回路140は、センス抵抗Rsensと、コンパレータ500と、フリップフロップ510とを含む。センス抵抗Rsensは、スイッチング素子15のセンス端子と基準電位(本図の例においては接地電位)との間に接続され、スイッチング素子15に流れる電流に比例するセンス電流を流す。これにより、検出値OCは、スイッチング素子15に流れる電流に応じた電圧値となる。
コンパレータ500は、検出値OCと閾値電圧VDVDTとを比較する。コンパレータ500は、検出値OCが閾値電圧VDVDT未満の場合(スイッチング素子15に流れる電流<I1)ILOWに論理1を出力し、検出値OCが閾値電圧VDVDT以上の場合(スイッチング素子15に流れる電流≧I1)に論理0を出力する。コンパレータ500が出力する信号は、スイッチング素子15に流れる電流に応じた電流検出信号の一例である。
フリップフロップ510は、スイッチング素子15のオン期間中のタイミングにおいて、スイッチング素子15に流れる電流に応じた電流検出信号をサンプリングする。本図において、フリップフロップ510は、制御信号OUTOFFが立ち上がるタイミングで電流検出信号をラッチする。これにより、フリップフロップ510は、スイッチング素子15がオンである定常状態の末尾のタイミングで、スイッチング素子15に流れる電流に応じた電流検出信号をサンプリングすることができる。フリップフロップ510は、サンプリングした電流検出信号をILOWとして出力する。
図6は、本実施形態に係る電圧出力回路160の構成を示す。電圧出力回路160は、複数の抵抗R1~5および複数のスイッチSW1~4からなる可変抵抗回路と、デコーダ回路600とを含む。複数の抵抗R1~5は、電源電圧VDDと基準電位(本図の例においては接地電位)との間に直列に接続され、電源電圧VDDを分圧する。複数のスイッチSW1~4のそれぞれは、複数の抵抗R1~5の各抵抗間と、電圧出力回路160の出力との間に接続される。デコーダ回路600は、温度検出信号TL/TM/THおよび電流検出信号ILOWをデコードして、スイッチSW1~4のそれぞれをオンオフする信号を出力する。
図7は、本実施形態に係る電圧出力回路160の入出力を示す。デコーダ回路600は、温度検出信号TH=1(論理1)の場合(温度≧T2の場合)に、図6のスイッチSW1をオンとする。このとき、デコーダ回路600は、スイッチSW2~4をオフとする。これにより、電圧出力回路160は、抵抗R1およびR2の間の電圧V1を制御電圧IDREFとして出力する。
デコーダ回路600は、温度検出信号TM=1(T1≦温度<T2の場合)の場合に、図6のスイッチSW2をオンとする。このとき、デコーダ回路600は、スイッチSW1、3、4をオフとする。これにより、電圧出力回路160は、抵抗R2およびR3の間の電圧V2(<V1)を制御電圧IDREFとして出力する。
デコーダ回路600は、温度検出信号TL=1かつ電流検出信号ILOW=0(温度<T1かつ電流検出信号ILOWが示す電流≧I1の場合)の場合に、図6のスイッチSW3をオンとする。このとき、デコーダ回路600は、スイッチSW1、2、4をオフとする。これにより、電圧出力回路160は、抵抗R3およびR4の間の電圧V3(<V2)を制御電圧IDREFとして出力する。
デコーダ回路600は、温度検出信号TL=1かつ電流検出信号ILOW=1の場合(温度<T1かつ電流検出信号ILOWが示す電流<I1の場合)に、図6のスイッチSW4をオンとする。このとき、デコーダ回路600は、スイッチSW1~3をオフとする。これにより、電圧出力回路160は、抵抗R4およびR5の間の電圧V4(<V3)を制御電圧IDREFとして出力する。
図8は、本実施形態に係るスイッチング回路170の構成を示す。スイッチング回路170は、MOSFET800と、MOSFET810と、MOSFET820と、MOSFET830と、抵抗840と、差動増幅回路850と、MOSFET860とを含む。MOSFET800およびMOSFET810は、MOSFET800に供給される電流i1(MOSFET800のDS間電流)をa倍に増幅した駆動電流i1×aをスイッチング素子15の制御端子Gへと出力するカレントミラー回路として機能する。MOSFET800は、ソースが電源電圧VCCに接続され、ゲートおよびドレイン間が接続される。MOSFET810は、ソースが電源電圧VCCに接続され、ゲートがMOSFET800のゲートに接続され、ドレインがスイッチング回路170の出力としてスイッチング素子15の制御端子Gに接続される。
MOSFET820は、電源電圧VCCおよび基準電位PGND(スイッチング素子15のエミッタ電位)の間にMOSFET810と直列に接続され、ゲートに入力バッファ120からの制御信号OUTOFFを入力する。MOSFET820は、制御信号OUTOFFが0である場合にオフとなる。この場合、MOSFET810は、駆動電流をスイッチング素子15の制御端子Gへと出力する。MOSFET820は、制御信号OUTOFFが1である場合にオンとなり、スイッチング素子15の制御端子Gを基準電位PGNDへと接続してスイッチング素子15をオフとする。
MOSFET830、抵抗840、および差動増幅回路850は、電圧出力回路160からの制御電圧IDREFに応じた電流を、MOSFET800およびMOSFET810によるカレントミラー回路に供給する電流制御回路である。MOSFET830および抵抗840は、MOSFET800のドレインおよび基準電位PGNDの間に直列に接続される。差動増幅回路850は、正側端子に制御電圧IDREFを入力し、負側端子にMOSFET830および抵抗840の間の電圧を入力する。差動増幅回路850の出力端子は、MOSFET830のゲートに接続される。差動増幅回路850は、制御信号OUTOFFが0である場合に、MOSFET830および抵抗840の間の電位が制御電圧IDREFの電位となるようにMOSFET830を制御する。これにより、抵抗840は、制御信号OUTOFFが0である場合に、制御電圧IDREFを抵抗840の抵抗値で割った電流値となる電流i1をMOSFET800、MOSFET830、および抵抗840の経路に流す。
MOSFET860は、MOSFET830のゲートおよび基準電位PGND間に接続され、制御信号OUTOFFをゲートに入力する。MOSFET860は、制御信号OUTOFFが0の場合にオフとなる。MOSFET860は、制御信号OUTOFFが1の場合にオンとなり、MOSFET830を強制的にオフとしてMOSFET800に電流を流さないようにする(電流i1=0)。
以上に示したスイッチング回路170は、制御電圧OUTOFFが0である場合に、制御電圧IDREFに応じた電流をカレントミラー回路により増幅した駆動電流をスイッチング素子15に供給してスイッチング素子15をオンとすることができる。また、制御電圧OUTOFFが1である場合に、スイッチング素子15の制御端子Gを基準電位PGNDとすることにより、スイッチング素子15をオフとすることができる。
図9は、温度<T1である場合について、本実施形態に係る装置5の、低電流領域におけるノイズ低減効果を示す。駆動回路150は、温度検出回路130からの温度検出信号TLが論理1でTM及びTHが同じ論理0である場合に、スイッチング素子15に流れる主電流がより小さいことを示す電流検出信号ILOWに応じて駆動電流をより小さくする。
より具体的には、スイッチング素子15のオン期間中にサンプリングされた電流検出信号ILOWが0である場合、スイッチング素子15は、オン期間中にI1以上の電流を流す(図中、中・大電流領域)。電流検出信号ILOWが1である場合、スイッチング素子15は、オン期間中にI1未満の電流を流す(図中、低電流領域)。駆動装置100は、スイッチング素子15がオン期間中にI1未満の電流を流すような低電流領域で使用されている場合には、制御電圧IDREFを電圧V3からV4に低下させることにより、スイッチング素子15に供給する駆動電流を低下させる。
このようにして、駆動装置100は、スイッチング素子15が低電流領域で使用されている場合には、中・大電流領域で使用されている場合と比較してスイッチング素子15のスイッチング速度dv/dtを低下させる。これにより、駆動装置100は、スイッチング素子15のスイッチング速度を低下させない場合(図中破線)と比較してノイズを低減することができる。
図10は、温度<T1である場合について、本実施形態に係る装置5の、中・大電流領域における損失低減効果を示す。温度<T1である場合において、駆動回路150は、スイッチング素子15がオン期間中にI1未満の電流を流す低電流領域で使用されている場合には、制御電圧IDREFを電圧V4とする。ここで、駆動電流が同じである場合に、スイッチング素子15は、オン期間中にI1以上の電流を流す中・大電流領域で使用されると、低電流領域で使用される場合と比較してスイッチング損失Eonが大きくなる。
本実施形態において、駆動回路150は、スイッチング素子15がオン期間中にI1以上の電流を流す中・大電流領域で使用されている場合には、制御電圧IDREFを電圧V3とし、スイッチング素子15に供給する駆動電流を上昇させる。これにより、駆動回路150は、スイッチング素子15のスイッチング損失を低減することができる。
図11は、本実施形態に係る装置5の、温度に応じたスイッチング速度を示す。スイッチング素子15は、温度が上昇するにつれて、スイッチング速度dv/dtが低下し、これに伴ってノイズが低下する(図中破線)。本実施形態おいて、駆動回路150は、温度センサ40の検出値OTが閾値VROTMを超える状態から閾値VROTM以下へと切り替わる点(温度<T1(TL=1)から温度≧T1(TM=1)へと切り替わる点)で、制御電圧IDREFをV3またはV4からV2へと上昇させてスイッチング素子15の駆動電流を増加させる。また、駆動回路150は、温度センサ40の検出値OTが閾値VROTHを超える状態から閾値VROTH以下へと切り替わる点(温度<T2(TM=1)から温度≧T2(TH=1)へと切り替わる点)で、制御電圧IDDREFをV2からV1へと上昇させてスイッチング素子15の駆動電流を増加させる。
このようにして、電流検出信号ILOWが同じである場合に、駆動回路150は、スイッチング素子15の温度がより低いことを示す温度検出信号TL/TM/THに応じて駆動電流をより小さくし、スイッチング素子15の温度がより高いことを示す温度検出信号TL/TM/THに応じて駆動電流をより大きくする。これに伴い、駆動回路150は、温度の上昇に伴うスイッチング素子15のスイッチング速度dv/dtの低下を抑える。
図12は、本実施形態に係る装置5の、温度に応じた損失低減効果を示す。スイッチング素子15は、温度が上昇するにつれてスイッチング速度dv/dtが低下し、これに伴ってスイッチング損失が増加する(図中破線)。図11に関連して示したように、駆動回路150は、スイッチング素子15の温度がより高温度検出信号TL/TM/THに応じて駆動電流をより大きくし、スイッチング速度dv/dtを上昇させる。これにより、駆動回路150は、温度の上昇に伴うスイッチング素子15のスイッチング損失を低減させることができる。
以上に示した駆動装置100は、閾値電圧VRTOHおよびVRTOM、並びに、電圧V1~V4等のパラメータが使用目的に応じて適切に設定されれば、スイッチング素子15の温度およびオン期間にスイッチング素子15に流れる電流に応じてスイッチング素子15のスイッチング損失およびスイッチングノイズを適切に低減することができる。
本実施形態において、駆動装置100は、温度検出信号TL/TM/THにより示される温度が複数の温度範囲(例えば温度<T1、T1≦温度<T2、温度≧T2)のうちの第1温度範囲(例えばT1≦温度<T2)に含まれることに応じて、駆動電流の大きさを、電流検出信号ILOWの値によらず第1温度範囲に対応付けられた大きさに設定することができる。また、駆動装置100は、温度検出信号により示される温度が複数の温度範囲のうちの第2温度範囲(例えば温度<T1)に含まれることに応じて、駆動電流の大きさを、電流検出信号ILOWの値に応じて調整することができる。例えば、スイッチング素子15がオン期間中に比較的大きな電流を流したことに応じて、スイッチング素子15の温度が特定の温度閾値以上となるような使用環境においては、少なくとも1つの温度範囲においては電流検出信号の値によらずに駆動電流の大きさを設定することにより駆動電流の大きさの種類を減らすことができる。
本実施形態においては、このような第2温度範囲は、複数の温度範囲のうち温度が最も低い温度範囲(温度<T1)であり、第1温度範囲は、複数の温度範囲のうち温度が最も低い温度範囲以外の温度範囲(T1≦温度<T2、温度≧T2)である。例えば、スイッチング素子15が、オン期間中に比較的大きな電流(電流≧I1)を流すと温度≧T1となるような使用形態等においては、温度が最も低い温度範囲のみに電流検出信号ILOWに応じて駆動電流の大きさを制御することで、駆動電流の大きさの種類を減らすことができる。
図13は、本実施形態の第1変形例に係る電圧出力回路1300の構成を示す。本変形例においては、図1の装置5中の電圧出力回路160に代えて、電圧出力回路1300を用いる。装置5内の他の構成要素は図1~5および8と同様であるから、以下相違点を除き説明を省略する。
電圧出力回路1300は、複数の抵抗R1~7および複数のスイッチSW1~6からなる可変抵抗回路と、デコーダ回路1310とを含む。複数の抵抗R1~7は、電源電圧VDDと基準電位(本図の例においては接地電位)との間に直列に接続され、電源電圧VDDを分圧する。複数のスイッチSW1~6のそれぞれは、複数の抵抗R1~7の各抵抗間と、電圧出力回路1300の出力との間に接続される。デコーダ回路1310は、温度検出信号TL/TM/THおよび電流検出信号ILOWをデコードして、スイッチSW1~6のそれぞれをオンオフする信号を出力する。
図14は、本実施形態の第1変形例に係る電圧出力回路1300の入出力を示す。本変形例において、電圧出力回路1300は、制御電圧IDREFを、複数の温度範囲のうち温度検出信号TL/TM/THにより示される温度が含まれる温度範囲、および複数の電流範囲のうち電流検出信号ILOWにより示される電流値が含まれる電流範囲の組合せに対応付けられた大きさに設定し、これによってスイッチング素子15の駆動電流の大きさをこれらの温度範囲および電流範囲の組合せに対応付けられた大きさに設定する。本図に示すように、電圧出力回路1300は、全ての温度範囲において、電流検出信号ILOWにより示される電流値が複数の電流範囲のうちのいずれに含まれるかに応じて、制御電圧IDREFを変更してよい。
図13のデコーダ回路1310は、温度検出信号TH=1(温度≧T2)の場合に、電流検出信号ILOW=0であればスイッチSW1をオンとして制御電圧IDREFを電圧V1とし、電流検出信号ILOW=1であればスイッチSW2をオンとして制御電圧IDREFを電圧V2とする。デコーダ回路1310は、温度検出信号TM=1(T1≦温度<T2)の場合に、電流検出信号ILOW=0であればスイッチSW3をオンとして制御電圧IDREFを電圧V3とし、電流検出信号ILOW=1であればスイッチSW4をオンとして制御電圧IDREFを電圧V4とする。デコーダ回路1310は、温度検出信号TL=1(温度<T1)の場合に、電流検出信号ILOW=0であればスイッチSW5をオンとして制御電圧IDREFを電圧V5とし、電流検出信号ILOW=1であればスイッチSW6をオンとして制御電圧IDREFを電圧V6とする。
本変形例においては、駆動装置100は、温度範囲および電流範囲の各組合せに対してスイッチング素子15の駆動電流の大きさを設定することができる。これにより、駆動装置100は、スイッチング素子15の温度およびオン期間にスイッチング素子15に流れる電流の大きさに応じて、駆動電流の大きさをより柔軟に調整可能とすることができる。
図15は、本実施形態の第2変形例に係る装置1500の構成を示す。装置1500は、図1の駆動回路150に代えて、駆動回路1550を用いる。装置1500内の、図1と同一の符号を付した他の構成要素は図1~5と同様であるから、以下相違点を除き説明を省略する。
駆動回路1550は、電圧出力回路1560と、スイッチング回路1570とを含む。電圧出力回路1560は、定電圧の参照電圧IDREFを出力する。スイッチング回路1570は、参照電圧IDREF、温度検出信号TL/TM/TH、および電流検出信号ILOWを入力する。スイッチング回路1570は、スイッチング素子15の制御端子Gに供給する駆動電流を、温度検出信号TL/TM/THおよび電流検出信号ILOWに応じて調整することにより、スイッチング素子15のスイッチング速度を変更する。
図16は、本実施形態の第2変形例に係るスイッチング回路1570の構成を示す。スイッチング回路1570は、MOSFET800と、MOSFET810と、MOSFET820と、MOSFET830と、可変抵抗1640と、差動増幅回路850と、MOSFET860と、デコーダ回路1600とを含む。MOSFET800およびMOSFET810は、図8に示したMOSFET800およびMOSFET810と同様に、MOSFET800に供給される電流を増幅した駆動電流を出力するカレントミラー回路として機能する。MOSFET820は、図8のMOSFET820と同様である。
MOSFET830、可変抵抗1640、差動増幅回路850、およびデコーダ回路1600は、温度検出信号TL/TM/THおよび電流検出信号ILOWに応じた電流を、MOSFET800およびMOSFET810によるカレントミラー回路に供給する電流制御回路である。MOSFET830および可変抵抗1640は、MOSFET800のドレインおよび基準電位PGNDの間に直列に接続される。
可変抵抗1640は、複数の抵抗R1~4および複数のスイッチSW1~4を含む。複数の抵抗R1~4は、基準電位(本図の例においては接地電位)とMOSFET830のソースとの間に直列に接続され、MOSFET830のソース電圧を分圧する。複数のスイッチSW1~4のそれぞれは、複数の抵抗R1~4の各抵抗におけるMOSFET830側の端部と、差動増幅回路850の負側端子との間に接続される。
差動増幅回路850は、正側端子に参照電圧IDREFを入力する。また、差動増幅回路850は、負側端子に、MOSFET830のソース電圧を複数の抵抗R1~4で分圧した複数の電圧V1~4のうち、複数のスイッチSW1~4により選択された電圧を入力する。差動増幅回路850の出力端子は、MOSFET830のゲートに接続される。
デコーダ回路1600は、温度検出信号TL/TM/THおよび電流検出信号ILOWをデコードして、スイッチSW1~4のそれぞれをオンオフする信号を出力する。デコーダ回路1600の動作は、図6~7に示したデコーダ回路600と同様である。デコーダ回路1600は、温度検出信号TH=1(論理1)の場合(温度≧T2の場合)に、図16のスイッチSW1をオンとする。このとき、デコーダ回路1600は、スイッチSW2~4をオフとする。これにより、可変抵抗1640は、抵抗R1およびR2の間の電圧V1をフィードバック電圧IVDとして差動増幅回路850の負側端子に供給する。この場合、差動増幅回路850は、電圧V1が参照電圧IDREFとなるようにMOSFET830を制御する。この結果、電流制御回路は、電流IDREF/R1をカレントミラー回路に供給する。
デコーダ回路1600は、温度検出信号TM=1の場合(T1≦温度<T2の場合)に、図16のスイッチSW2をオンとする。このとき、デコーダ回路1600は、スイッチSW1、3、4をオフとする。これにより、可変抵抗1640は、抵抗R2およびR3の間の電圧V2をフィードバック電圧IVDとして差動増幅回路850の負側端子に供給する。この場合、差動増幅回路850は、電圧V2が参照電圧IDREFとなるようにMOSFET830を制御する。この結果、電流制御回路は、電流IDREF/(R1+R2)をカレントミラー回路に供給する。
デコーダ回路1600は、温度検出信号TL=1の場合(温度<T1の場合)において、電流検出信号ILOW=0(電流≧I1)の場合には、図16のスイッチSW3をオンとする。このとき、デコーダ回路1600は、スイッチSW1、2、4をオフとする。これにより、可変抵抗1640は、抵抗R3およびR4の間の電圧V3をフィードバック電圧IVDとして差動増幅回路850の負側端子に供給する。この場合、差動増幅回路850は、電圧V3が参照電圧IDREFとなるようにMOSFET830を制御する。この結果、電流制御回路は、電流IDREF/(R1+R2+R3)をカレントミラー回路に供給する。
デコーダ回路1600は、温度検出信号TL=1の場合(温度<T1の場合)において、電流検出信号ILOW=1(電流<I1)の場合には、図16のスイッチSW4をオンとする。このとき、デコーダ回路1600は、スイッチSW1~3をオフとする。これにより、可変抵抗1640は、抵抗R4およびMOSFET830のソースの間の電圧V4をフィードバック電圧IVDとして差動増幅回路850の負側端子に供給する。この場合、差動増幅回路850は、電圧V4が参照電圧IDREFとなるようにMOSFET830を制御する。この結果、電流制御回路は、電流IDREF/(R1+R2+R3+R4)をカレントミラー回路に供給する。MOSFET860は、図8のMOSFET860と同様である。
本変形例に係るスイッチング回路1570によれば、電圧出力回路160によって温度検出信号および電流検出信号に応じた制御電圧IDREFを生成するのに代えて、MOSFET830および基準電位PGNDの間に可変抵抗1640を設けることにより、温度検出信号および電流検出信号に応じてスイッチング素子15の駆動電流を制御することができる。
図17は、本実施形態の第3変形例に係るスイッチング回路1700の構成を示す。スイッチング回路1700は、図15のスイッチング回路1570の代わりに用いられてよい。本図における、図8と同一の符号を付した構成要素は図8と同様であるから、以下相違点を除き説明を省略する。
スイッチング回路1700は、MOSFET800と、複数のMOSFET810-1~4(以下「MOSFET810」とも示す。)と、スイッチSW1a~4aと、スイッチSW1b~4bと、MOSFET820と、MOSFET830と、抵抗840と、差動増幅回路850と、MOSFET860と、デコーダ回路1710とを含む。MOSFET800と、複数のMOSFET810-1~4と、スイッチSW1a~4aと、スイッチSW1b~4bとは、MOSFET800に供給される電流を増幅した駆動電流を出力するカレントミラー回路として機能する。MOSFET800は、ソースが電源電圧VCCに接続され、ゲートおよびドレイン間が接続される。MOSFET810-1~4のそれぞれは、ゲートがスイッチSW1b~4bのそれぞれを介して電源電圧VCCに接続され、ゲートがスイッチSW1a~4aのそれぞれを介してMOSFET800のゲートに接続され、ドレインがスイッチング回路170の出力としてスイッチング素子15の制御端子Gに接続される。スイッチSW1a~4aのそれぞれは、信号D0~3のそれぞれが論理1の場合にオンとなり、信号D0~3のそれぞれが論理0の場合にオフとなる。スイッチSW1b~4bのそれぞれは、信号D0~3のそれぞれが論理0の場合にオンとなり、信号D0~3のそれぞれが論理1の場合にオフとなる。
各MOSFET810は、信号D0~3のうちの対応する信号が論理1である場合に、図8のMOSFET810と同様に、MOSFET800に流れる電流を増幅してスイッチング素子15の制御端子Gへと出力する。各MOSFET810は、信号D0~3のうちの対応する入力が論理0である場合にはオフとなり、電流を流さない。これにより、複数のMOSFET810を含むカレントミラー回路は、信号D0~3の値に応じて電流増幅率が可変である。
MOSFET820、MOSFET830、抵抗840、差動増幅回路850、およびMOSFET860は、図8における同一符号の構成要素と同様である。なお、本変形例においては、差動増幅回路850は、定電圧の参照電圧IDREFを入力する。
デコーダ回路1710は、温度検出信号TL/TM/THおよび電流検出信号ILOWに応じてカレントミラー回路の増幅率を設定する増幅率設定回路として機能する。デコーダ回路1710は、温度検出信号TL/TM/THおよび電流検出信号ILOWをデコードして、スイッチSW1a~4aおよびスイッチSW1b~4bのそれぞれをオンオフする信号D0~3を出力する。
図18は、本実施形態の第3変形例に係るデコーダ回路1710の入出力を示す。デコーダ回路1710は、温度検出信号TH=1(論理1)の場合(温度≧T2の場合)に、信号D0~3を論理1とする。これにより、スイッチSW1a~4aはオン、スイッチSW1b~4bはオフとなり、MOSFET810-1~4は、MOSFET800に流れる電流を増幅する。したがって、カレントミラー回路の電流増幅率は、MOSFET810-1~4のそれぞれの電流増幅率の合計となる。
デコーダ回路1710は、温度検出信号TM=1(T1≦温度<T2の場合)の場合に、信号D0~2を論理1とし、信号D3を論理0とする。これにより、スイッチSW1a~3aはオン、スイッチSW4aはオフ、スイッチSW1b~3bはオフ、スイッチSW4bはオンとなり、MOSFET810-1~3は、MOSFET800に流れる電流を増幅する。したがって、カレントミラー回路の電流増幅率は、MOSFET810-1~3のそれぞれの電流増幅率の合計となる。
デコーダ回路1710は、温度検出信号TL=1かつ電流検出信号ILOW=0(温度<T1かつ電流検出信号ILOWが示す電流≧I1の場合)の場合に、信号D0~1を論理1とし、信号D2~3を論理0とする。これにより、スイッチSW1a~2aはオン、スイッチSW3a~4aはオフ、スイッチSW1b~2bはオフ、スイッチSW3b~4bはオンとなり、MOSFET810-1~2は、MOSFET800に流れる電流を増幅する。したがって、カレントミラー回路の電流増幅率は、MOSFET810-1~2のそれぞれの電流増幅率の合計となる。
デコーダ回路1710は、温度検出信号TL=1かつ電流検出信号ILOW=1の場合(温度<T1かつ電流検出信号ILOWが示す電流<I1の場合)に、信号D0を論理1とし、信号D1~3を論理0とする。これにより、スイッチSW1aはオン、スイッチSW2a~4aはオフ、スイッチSW1bはオフ、スイッチSW2b~4bはオンとなり、MOSFET810-1は、MOSFET800に流れる電流を増幅する。したがって、カレントミラー回路の電流増幅率は、MOSFET810-1の電流増幅率と同じとなる。
本変形例に係るスイッチング回路1570によれば、図1の電圧出力回路160によって温度検出信号および電流検出信号に応じた制御電圧IDREFを生成するのに代えて、MOSFET800および複数のMOSFET810を含むカレントミラー回路を用いることにより、温度検出信号および電流検出信号に応じてスイッチング素子15の駆動電流を制御することができる。
なお、本図の例においては、デコーダ回路1710は、信号D0を常に論理1とする。このような制御を行なう場合には、スイッチング回路1700は、スイッチSW1a~bを有さずMOSFET810-1のゲートがMOSFET800のゲートに接続された構成を採ってもよい。また、デコーダ回路1710は、信号D0を出力する回路部分を有しなくてもよい。
図19は、本実施形態の第4変形例に係る電圧出力回路1900の構成を示す。本変形例においては、図1および図6に示した装置5中の電圧出力回路160に代えて、電圧出力回路1900を用いる。装置5内の他の構成要素は図1~5および8と同様であるから、以下相違点を除き説明を省略する。
本変形例に係る電圧出力回路1900は、温度検出信号TL/TM/THおよび電流検出信号ILOWに応じて電圧出力回路1900が出力する制御電圧IDREFを、予め指定されるトリミング信号TR[7:0]によって予め設定可能とする。トリミング信号TR[7:0]は、駆動装置100の外部から入力されてよく、駆動装置100内のレジスタ等に設定されてもよい。
電圧出力回路1900は、複数の抵抗R1~17、複数のセレクタ1910-1~4(「セレクタ1910」とも示す.)、および複数のスイッチSW1~4からなる可変抵抗回路と、デコーダ回路1920とを含む。複数の抵抗R1~17は、電源電圧VDDと基準電位(本図の例においては接地電位)との間に直列に接続され、電源電圧VDDを分圧する。セレクタ1910-1は、抵抗R1~5における各抵抗間に接続され、トリミング信号TR[7:0]のうちのTR[7:6]の値に応じて、抵抗R1~5における各抵抗間の電圧のうち、いずれを電圧V1として出力するかを切替える。例えば、セレクタ1910-1は、TR[7:6]=0b00(2進数の0)である場合に抵抗R1およびR2の間の電圧を電圧V1として出力してよい。セレクタ1910-1は、TR[5:4]=0b01(2進数の1)である場合に抵抗R2およびR3の間の電圧を電圧V1として出力してよい。セレクタ1910-1は、TR[7:6]=0b10(2進数の2)である場合に抵抗R3およびR4の間の電圧を電圧V1として出力してよい。セレクタ1910-1は、TR[7:6]=0b11(2進数の0)である場合に抵抗R4およびR5の間の電圧を電圧V1として出力してよい。
セレクタ1910-2は、抵抗R5~R9における各抵抗間に接続され、トリミング信号TR[7:0]のうちのTR[5:4]の値に応じて、抵抗R5~9における各抵抗間の電圧のうち、いずれを電圧V2として出力するかを切替える。セレクタ1910-3は、抵抗R9~R13における各抵抗間に接続され、トリミング信号TR[7:0]のうちのTR[3:2]の値に応じて、抵抗R9~13における各抵抗間の電圧のうち、いずれを電圧V3として出力するかを切替える。セレクタ1910-4は、抵抗R13~R17における各抵抗間に接続され、トリミング信号TR[7:0]のうちのTR[1:0]の値に応じて、抵抗R13~17における各抵抗間の電圧のうち、いずれを電圧V4として出力するかを切替える。
複数のスイッチSW1~4のそれぞれは、複数の電圧V1~4のいずれを制御電圧IDREFとして出力するかを切替える。デコーダ回路1920は、温度検出信号TL/TM/THおよび電流検出信号ILOWをデコードして、スイッチSW1~4のそれぞれをオンオフする信号を出力する。電圧出力回路1900の入出力は、図7に示した電圧出力回路160の入出力と同様である。
本変形例に係る電圧出力回路1900によれば、温度検出信号TL/TM/THおよび電流検出信号ILOWに応じてスイッチング回路170に供給する制御電圧IDREFを、駆動装置100の製造後に調整可能とすることができる。
以上に示した各実施形態および各変形例においては、駆動装置100は、駆動装置100からスイッチング素子15へと供給する駆動信号OUTにおける、スイッチング素子15をターンオンさせるための駆動電流(駆動装置100からスイッチング素子15の制御端子Gへと流れる駆動電流)の大きさを、温度検出信号および電流検出信号に応じて調整する。これに代えて、またはこれに加えて、駆動装置100は、駆動装置100からスイッチング素子15へと供給する駆動信号OUTにおける、スイッチング素子15をターンオフさせるための駆動電流(スイッチング素子15の制御端子Gから駆動装置100へと流れる駆動電流)の大きさを、温度検出信号および電流検出信号に応じて調整してもよい。
このような駆動装置100は、例えば、図8のスイッチング回路170におけるMOSFET820に代えて、制御信号OUTOFFが0の場合にオフとなり、制御信号OUTOFFが1の場合には温度検出信号および電流検出信号に応じた電流を増幅した駆動電流をスイッチング素子15の制御端子Gから引き込むカレントミラー回路の出力段MOSFETを設ける等により実現することができる。
以上に示した各実施形態および各変形例においては、温度検出信号は、スイッチング素子15の温度が3つの温度範囲のうちのいずれに含まれるかを示す。これに代えて、温度検出信号は、スイッチング素子15の温度が2以上の任意の数の温度範囲のうちのいずれに含まれるかを示すものであってもよく、スイッチング素子15の温度に応じた連続値を示すものであってもよい。また、以上に示した各実施形態および各変形例においては、電流検出信号は、オン期間中にスイッチング素子15に流れる電流が2つの電流範囲のうちのいずれに含まれるかを示す。これに代えて、電流検出信号は、オン期間中にスイッチング素子15に流れる電流が2以上の任意の数の電流範囲のうちのいずれに含まれるかを示すものであってもよく、スイッチング素子15に流れる電流に応じた連続値を示すものであってもよい。駆動回路150または駆動回路1550は、温度検出信号および電流検出信号の取り得る値の組合せに応じてスイッチング素子15の駆動電流の大きさを調整してよい。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
5 装置、10 駆動素子、15 スイッチング素子、20 主スイッチング素子、30 センススイッチング素子、40 温度センサ、100 駆動装置、110 電源、120 入力バッファ、130 温度検出回路、140 電流検出回路、150 駆動回路、160 電圧出力回路、170 スイッチング回路、200-1~2 コンパレータ、210-1~2 タイマ、220 デコーダ、500 コンパレータ、510 フリップフロップ、600 デコーダ回路、800 MOSFET、810-1~4 MOSFET、820 MOSFET、830 MOSFET、840 抵抗、850 差動増幅回路、860 MOSFET、1300 電圧出力回路、1310 デコーダ回路、1500 装置、1550 駆動回路、1560 電圧出力回路、1570 スイッチング回路、1600 デコーダ回路、1640 可変抵抗、1700 スイッチング回路、1710 デコーダ回路、1900 電圧出力回路、1910-1~4 セレクタ、1920 デコーダ回路

Claims (10)

  1. スイッチング素子の温度に応じた温度検出信号を出力する温度検出回路と、
    前記スイッチング素子のオン期間中のタイミングにおいて、前記スイッチング素子に流れる主電流に応じた電流検出信号をサンプリングする電流検出回路と、
    前記スイッチング素子の制御端子に供給する駆動電流を、前記温度検出信号および前記電流検出信号に応じて調整する駆動回路と
    を備える駆動装置。
  2. 前記駆動回路は、前記スイッチング素子の温度がより低いことを示す前記温度検出信号に応じて前記駆動電流をより小さくする請求項1に記載の駆動装置。
  3. 前記駆動回路は、前記主電流がより小さいことを示す前記電流検出信号に応じて前記駆動電流をより小さくする請求項2に記載の駆動装置。
  4. 前記駆動回路は、
    前記温度検出信号により示される温度が複数の温度範囲のうちの第1温度範囲に含まれることに応じて、前記駆動電流の大きさを、前記電流検出信号の値によらず前記第1温度範囲に対応付けられた大きさに設定し、
    前記温度検出信号により示される温度が前記複数の温度範囲のうちの第2温度範囲に含まれることに応じて、前記駆動電流の大きさを、前記電流検出信号の値に応じて調整する
    請求項3に記載の駆動装置。
  5. 前記第2温度範囲は、前記複数の温度範囲のうち温度が最も低い温度範囲であり、前記第1温度範囲は、前記複数の温度範囲のうち温度が最も低い温度範囲以外の温度範囲である請求項4に記載の駆動装置。
  6. 前記駆動回路は、前記駆動電流の大きさを、複数の温度範囲のうち前記温度検出信号により示される温度が含まれる温度範囲、および複数の電流範囲のうち前記電流検出信号により示される電流値が含まれる電流範囲の組合せに対応付けられた大きさに設定する請求項3に記載の駆動装置。
  7. 前記駆動回路は、
    供給される電流を増幅した前記駆動電流を出力するカレントミラー回路と、
    前記温度検出信号および前記電流検出信号に応じた制御電圧を出力する電圧出力回路と、
    前記制御電圧に応じた電流を前記カレントミラー回路に供給する電流制御回路と
    を有する請求項1から6のいずれか一項に記載の駆動装置。
  8. 前記駆動回路は、
    供給される電流を増幅した前記駆動電流を出力するカレントミラー回路と、
    前記温度検出信号および前記電流検出信号に応じた電流を前記カレントミラー回路に供給する電流制御回路と
    を有する請求項1から6のいずれか一項に記載の駆動装置。
  9. 前記駆動回路は、
    供給される電流を増幅した前記駆動電流を出力するカレントミラー回路と、
    前記温度検出信号および前記電流検出信号に応じて前記カレントミラー回路の増幅率を設定する増幅率設定回路と
    を有する請求項1から6のいずれか一項に記載の駆動装置。
  10. 温度検出回路が、スイッチング素子の温度に応じた温度検出信号を出力することと、
    電流検出回路が、前記スイッチング素子に流れる主電流に応じた電流検出信号を出力することと、
    駆動回路が、前記スイッチング素子の制御端子に供給する駆動電流を、前記温度検出信号および前記電流検出信号に応じて調整することと
    を備える駆動方法。
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