[go: up one dir, main page]

JP2022150155A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2022150155A
JP2022150155A JP2021052627A JP2021052627A JP2022150155A JP 2022150155 A JP2022150155 A JP 2022150155A JP 2021052627 A JP2021052627 A JP 2021052627A JP 2021052627 A JP2021052627 A JP 2021052627A JP 2022150155 A JP2022150155 A JP 2022150155A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
optical axis
emitting device
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021052627A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7636666B2 (ja
Inventor
創一郎 三浦
Soichiro Miura
卓弥 橋本
Takuya Hashimoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2021052627A priority Critical patent/JP7636666B2/ja
Priority to US17/703,165 priority patent/US20220311204A1/en
Publication of JP2022150155A publication Critical patent/JP2022150155A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7636666B2 publication Critical patent/JP7636666B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/01Head-up displays
    • G02B27/017Head mounted
    • G02B27/0172Head mounted characterised by optical features
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/1006Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths
    • G02B27/102Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths for generating a colour image from monochromatic image signal sources
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/14Beam splitting or combining systems operating by reflection only
    • G02B27/141Beam splitting or combining systems operating by reflection only using dichroic mirrors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/14Beam splitting or combining systems operating by reflection only
    • G02B27/145Beam splitting or combining systems operating by reflection only having sequential partially reflecting surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02255Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • H01S5/4056Edge-emitting structures emitting light in more than one direction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4075Beam steering
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/01Head-up displays
    • G02B27/0101Head-up displays characterised by optical features
    • G02B2027/0112Head-up displays characterised by optical features comprising device for genereting colour display
    • G02B2027/0114Head-up displays characterised by optical features comprising device for genereting colour display comprising dichroic elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0078Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for frequency filtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02253Out-coupling of light using lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345Wire-bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0239Combinations of electrical or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06825Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
    • H01S5/4093Red, green and blue [RGB] generated directly by laser action or by a combination of laser action with nonlinear frequency conversion
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Figure 2022150155000001
【課題】小型の発光装置を提供する。
【解決手段】本開示の発光装置は、第1光軸に沿って第1の光を出射する第1光出射面を有する第1発光素子と、前記第1光出射面に平行であり前記第1発光素子を通る仮想平面が通過する位置であって、前記第1発光素子から前記第1光軸に垂直な第1方向に離れた位置に配置され、相対的に前記第1光軸から前記第1方向の反対である第2方向に傾いた第2光軸に沿って第2の光を出射する第2光出射面を有する第2発光素子と、前記仮想平面が通過する位置であって、前記第1発光素子から前記第2方向に離れた位置に配置され、相対的に前記第1光軸から前記第1方向に傾いた第3光軸に沿って第3の光を出射する第3光出射面を有する第3発光素子と、を備える。
【選択図】図6A

Description

本開示は、発光装置に関する。
それぞれが中心波長の異なる光を出射する複数の発光素子を備える発光装置が開発されている。特許文献1には、複数の半導体レーザ素子と、各半導体レーザ素子から出射されたレーザ光が通過するコリメートレンズと、が配置される発光装置が開示されている。また、この発光装置は、発振波長が異なる複数の半導体レーザ素子のそれぞれから選択的に出射されるレーザ光をCD又はDVDに集光させる光ピックアップ装置である。また、この発光装置では、焦点位置のずれを補正するように複数の半導体レーザ素子を配置する位置が調整されている。
特開2001-291259号公報
複数の発光素子を備える発光装置の小型化が求められている。
本開示の発光装置は、ある実施形態において、第1光軸に沿って第1の光を出射する第1光出射面を有する第1発光素子と、前記第1光出射面に平行であり前記第1発光素子を通る仮想平面が通過する位置であって、前記第1発光素子から前記第1光軸に垂直な第1方向に離れた位置に配置され、相対的に前記第1光軸から前記第1方向の反対である第2方向に傾いた第2光軸に沿って第2の光を出射する第2光出射面を有する第2発光素子と、前記仮想平面が通過する位置であって、前記第1発光素子から前記第2方向に離れた位置に配置され、相対的に前記第1光軸から前記第1方向に傾いた第3光軸に沿って第3の光を出射する第3光出射面を有する第3発光素子と、を備える。
本開示による発光装置によれば、複数の発光素子を平行に配置した場合に比べ、複数の発光素子から出射される光の、レンズ部材の入射面における入射点を互いに接近させることができるため、発光装置の小型化を可能にする。
図1は、第1実施形態及び第2実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図2は、第1実施形態に係る発光装置からパッケージのキャップを除いた斜視図である。 図3は、第1実施形態に係る発光装置からパッケージのキャップを除いた上面図である。 図4は、図1のIV-IV断面線における発光装置の断面図である。 図5は、第1実施形態に係るパッケージの内部の上面拡大図である。 図6Aは、複数の発光素子のそれぞれの光軸と、各発光素子から光軸に沿って出射される光を模式的に示す上面図である。 図6Bは、複数の発光素子のそれぞれの光軸の角度を模式的に示す上面図である。 図7Aは、第1の光、第2の光、及び第3の光の出射点の位置関係を模式的に示す図である。 図7Bは、レンズ部材の入射面における第1の光、第2の光、及び第3の光の入射点の位置関係を模式的に示す図である。 図8は、第2実施形態に係る発光装置からパッケージのキャップを除いた斜視図である。 図9Aは、第2実施形態において、複数の発光素子が搭載されるサブマウントの形状の例を示す上面図である。 図9Bは、第2実施形態において、複数の発光素子20のそれぞれの出射点の配置関係の例を示す上面図である 図10は、第3実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図11は、第3実施形態に係る発光装置からパッケージのキャップを除いた上面図である。 図12は、第4実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図13は、第4実施形態に係る発光装置から蓋部材を除いた状態の斜視図である。 図14は、第4実施形態に係る発光装置から第2キャップ及び蓋部材を除いた状態の斜視図である。 図15は、第4実施形態に係る発光装置から第2キャップ及び蓋部材を除いた状態の上面図である。 図16は、第4実施形態に係る発光装置が備える基板の斜視図である。 図17は、第4実施形態に係る発光装置に関し、図15のXVII-XVII断面線における発光装置の断面図である。 図18は、第4実施形態に係る発光装置から第2キャップ及び蓋部材を除いた状態を蓋部材側からみた側面図である。 図19は、第5実施形態に係る発光装置に関し、図15のXVII-XVII断面線における発光装置の断面図である。 図20は、第5実施形態に係る発光装置が備える基板の斜視図である。 図21は、本開示の実施形態に係る発光装置を備えるヘッドマウントディスプレイの模式的な側面図である。
本明細書又は特許請求の範囲において、三角形、四角形などの多角形は、数学的に厳密な意味の多角形に限定されず、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含むものとする。また、多角形の隅(辺の端)に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”に含まれる。
多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”には加工された部分も含まれる。部分的な加工のない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。
本明細書又は特許請求の範囲において、ある名称によって特定される要素が複数あり、それぞれの要素を区別して表現する場合に、要素のそれぞれの頭に“第1”、“第2”などの序数詞を付記することがある。例えば、請求項では「発光素子が基板上に配されている」と記載されている場合、明細書中において「第1発光素子と第2発光素子とが基板上に配列されている」と記載されることがある。第1”及び“第2”の序数詞は、単に2個の発光素子を区別するために使用されている。これらの序数詞の順序に特別の意味はない。同一の序数詞が付された要素名が、明細書と特許請求の範囲との間で、同一の要素を指さない場合がある。例えば、明細書において“第1発光素子”、“第2発光素子”、“第3発光素子”の用語で特定される要素が記載されている場合、特許請求の範囲における“第1発光素子”及び“第2発光素子”が、明細書における“第1発光素子”及び“第3発光素子”に相当することがある。また、特許請求の範囲に記載された請求項1において、“第1発光素子”の用語が使用され、“第2発光素子”の用語が使用されていない場合、請求項1に係る発明は、1個の発光素子を備えていればよく、その発光素子は、明細書中の“第1発光素子”に限定されず、“第2発光素子”又は“第3発光素子”であり得る。
本明細書又は特許請求の範囲において、特定の方向又は位置を示す用語(例えば、「上」、「下」、「右」、「左」、「前」、「後」及びそれらの用語を含む別の用語)を用いる場合がある。それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置をわかり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品、製造装置等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。
図面に示される要素又は部材の寸法、寸法比率、形状、配置間隔等は、わかり易さのために誇張されている場合がある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略することがある。
以下に、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。実施形態は、本発明の技術思想が具体化されたものではあるが、本発明を限定するものではない。実施形態の説明で示される数値、形状、材料、ステップ、そのステップの順序などは、あくまでも一例であり、技術的に矛盾が生じない限りにおいて種々の改変が可能である。以下の説明において、同一の名称、符号によって特定される要素は、同一又は同種の要素であり、それらの要素について重複した説明を省略することがある。
<第1実施形態>
第1実施形態に係る発光装置100を説明する。図1から図7Bは、発光装置100の例示的な一形態を説明するための図面である。図1は、発光装置100の斜視図である。図2は、発光装置100からパッケージ10のキャップ16を除いた状態の斜視図である。図3は、図2と同様の状態の上面図である。図4は、図1のIV-IV断面線における断面図である。図5は、パッケージ10の内部の上面拡大図である。図6Aは、複数の発光素子20のそれぞれの光軸と、各発光素子20から光軸に沿って出射される光を模式的に示す上面図である。図6Bは、複数の発光素子のそれぞれの光軸の角度を模式的に示す上面図である。図7Aは、レンズ部材40の入射面における第1の光、第2の光、及び第3の光の入射点の位置関係を模式的に示す図である。図7Bは、レンズ部材40の出射面における第1の光、第2の光、及び第3の光の出射点の位置関係を模式的に示す図である。
発光装置100は、パッケージ10、1又は複数の発光素子20、1以上のサブマウント30、レンズ部材40、1又は複数の保護素子60A、温度測定素子60B、複数の配線70、及び、基板90を含む複数の構成要素を備える。また、発光装置100は、複数の発光素子20を備え得る。また、発光装置100は、複数の保護素子60Aを備え得る。
図示される発光装置100の例では、パッケージ10の内部の空間に、3つの発光素子20、サブマウント30、3つの保護素子60A、温度測定素子60B、及び、複数の配線70が配されている。また、3つの発光素子20から出射された光は、それぞれ、パッケージ10から外部に出射された後、レンズ部材40に入射する。また、3つの発光素子20から出射された光は、レンズ部材40によってコリメートされる。
まず、各構成要素について説明する。
(パッケージ10)
パッケージ10は、実装面11Mが含まれる基部11と、側壁部12と、を有する。上面視で、パッケージ10の外形は矩形である。パッケージ10の外形は、矩形である必要はなく、例えば、四角形以外の多角形や円形などであってもよい。
実装面11Mは平面であり、実装面11Mには、発光装置100が備える1以上の構成要素が配される。側壁部12は、実装面11Mを囲い、実装面11Mよりも上方に延びる。実装面11Mに配置された1以上の構成要素は、側壁部12に囲まれる。また、パッケージ10はさらに、上面部を有する。上面部は、実装面11Mよりも上方で、側壁部12と接続する。実装面11Mに配された1以上の構成要素の直上には、上面部が位置する。
パッケージ10は、電気的な接続を図るための複数の配線領域14を有する。複数の配線領域14は、実装面11Mに設けられる。なお、図3及び図5では、各配線領域14にハッチングを施している。複数の配線領域14は、基部11の内部を通るビアホールを介して、基部11の下面(実装面11Mと反対側の面)に設けられた配線領域と電気的に接続され得る。配線領域14に電気的に接続される配線領域は、基部11の下面に限らず、パッケージ10の他の外表面(上面又は外側面)に設けられてもよい。
パッケージ10は、光取出面10Aを有する。光取出面10Aは、側壁部12を構成する1又は複数の外側面のうちの1つとすることができる。光取出面10Aは、実装面11Mに対して直立する。光取出面10Aは、実装面11Mに平行な平面に対して垂直になり得る。なお、ここでの垂直は、±5度以内の差を含む。光取出面10Aは、実装面11Mに平行な平面に対して傾斜していてもよい。
光取出面10Aの少なくとも一部の領域は透光性を有している。この透光性を有する領域を透光性領域13と呼ぶものとする(符号13は図4を参照)。ここで「透光性を有する」というときは、そこに入射する主要な光の透過率が80%以上であるという性質を満たすことを意味するものとする。透光性領域13は、パッケージ10の複数の外側面に跨っていてもよい。
なお、パッケージ10において透光性を有する領域は、透光性領域13に限らなくてよい。例えば、光取出面10Aとは異なる面において、透光性領域13とは離隔されて、透光性を有する領域が設けられてもよい。パッケージ10は、非透光性の領域(透光性を有していない領域)を有していてもよい。
図示されるパッケージ10の例では、側壁部12の複数の外側面のうちの1面のみが光取出面10Aである。パッケージ10は矩形の外形に対応する4つの外側面を有し、4面全てが透光性を有している。
パッケージ10は、基板15と、基板15に固定されるキャップ16と、で構成することができる。なお、他の構成要素をさらに備えていてもよい。基板15は基部11を有しており、キャップ16は側壁部12及び上面部を有している。基板15は、平板形状である。キャップ16は、窪みを有した凹形状である。キャップ16の外形は、上面視で矩形である。キャップ16の外形は矩形である必要はなく、例えば、四角形以外の多角形や円形などであってもよい。
基板15にキャップ16を接合し、パッケージ10の内部空間が形成される。基板15の実装面11Mには、周辺領域11Pが設けられる。周辺領域11Pは、実装面11Mにおいて他の構成要素が配される領域の周囲に設けられる。複数の配線領域14は、周辺領域11Pに囲まれる。キャップ16は、基板15の周辺領域11Pに接合される。周辺領域11Pには接合のための金属膜が配され得る。パッケージ10の内部空間は、封止された空間となる。パッケージ10の内部空間は、気密された状態にある。
キャップ16は、例えば、透光性材料によって形成することができる。キャップ16の側壁部12のみが透光性材料で形成されてもよい。例えば、上面部は非透光性材料で形成されてもよい。
基板15は、セラミックを主材料として形成することができる。基板15の主材料となるセラミックには、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素などが挙げられる。基板15は、複数の金属ビアを内部に有するセラミック基板から形成され得る。複数の配線領域14は、金属などの導電体から形成され、パターニングされた金属膜とすることができる。
キャップ16は、例えば、ガラス、プラスチック、石英などの透光性材料から、成形又はエッチングなどの加工技術を利用して作製することが可能である。キャップ16は、異なる材料を主材料に用いて上面部と側壁部12を形成し、これらを接合して形成してもよい。例えば、上面部は単結晶又は多結晶シリコンを主材料とし、側面部はガラスを主材料とすることができる。
なお、パッケージ10の内部空間は、基板15とキャップ16のように、実装面11Mを有する平板形状の部材と凹形状の部材とによって形成される方法に限らない。例えば、実装面11Mを有する凹形状の部材と平板形状の部材とによってパッケージ10の内部空間を形成してもよい。また例えば、一方に実装面11Mを有する2つの凹形状の部材によってパッケージ10の内部空間を形成してもよい。
以降では、基板15と基板90を区別するため、それぞれ第1基板15、第2基板90と称することがある。
(発光素子20)
発光素子20の例は、半導体レーザ素子である。発光素子20は、上面視で長方形の外形を有し得る。発光素子20が端面出射型の半導体レーザ素子である場合、この長方形の2つの短辺のうちの一辺と交わる側面が、光の出射端面(光出射面23)である。発光素子20は、光出射面23から光を出射する。この例において、発光素子20の上面及び下面は、光出射面23よりも面積が大きい。発光素子20は、端面出射型の半導体レーザ素子に限られず、面発光型の半導体レーザ素子、又は発光ダイオード(LED)であってもよい。なお、図示される発光装置100の例では、発光素子20として端面出射型の半導体レーザ素子が採用されている。
発光素子20は、例えば、1つのエミッタを有するシングルエミッタ素子である。なお、発光素子20は、2つ以上のエミッタを有するマルチエミッタ素子であってもよい。発光素子20が複数のエミッタを有する半導体レーザ素子の場合、発光素子20の上面又は下面の一方に1つの共通電極を、他方にそれぞれのエミッタに対応する電極を設けることができる。
発光素子20の光出射面23から出射される光は、拡がりを有する発散光である。なお、発散光でなくてもよい。発光素子20が半導体レーザ素子の場合、半導体レーザ素子から出射される光(レーザ光)は、光出射面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン(以下、「FFP」という。)を形成する。FFPとは、光出射面から離れた位置における出射光の形状や光強度分布である。
FFPの楕円形状の中心を通る光、言い換えると、FFPの光強度分布においてピーク強度の光を、光軸を進む光、と呼ぶものとする。また、光軸を進む光の光路を、その光の光軸、と呼ぶものとする。また、FFPの光強度分布において、ピーク強度値に対して1/e以上の強度を有する光を、「主要部分」の光と呼ぶものとする。
半導体レーザ素子である発光素子20から出射される光のFFPの楕円形状において、楕円の短径方向を「遅軸方向」、長径方向を「速軸方向」というものとする。半導体レーザ素子を構成する、活性層を含んだ複数の層は、速軸方向に積層され得る。
FFPの光強度分布に基づき、光強度分布のピーク強度値に対する1/eの強度に相当する角度を、その半導体レーザ素子の光の拡がり角とする。半導体レーザ素子から出射された主要部分の光は、この拡がり角で拡がる発散光といえる。速軸方向における光の拡がり角を垂直方向の拡がり角、遅軸方向における光の拡がり角を平行方向の拡がり角という場合がある。
発光素子20として、例えば、青色の光を出射する発光素子、緑色の光を出射する発光素子、又は、赤色の光を出射する発光素子を採用することができる。また、これら以外の光を出射する発光素子を採用してもよい。
ここで、青色の光は、その発光ピーク波長が420nm~494nmの範囲内にある光をいうものとする。緑色の光は、その発光ピーク波長が495nm~570nmの範囲内にある光をいうものとする。赤色の光は、その発光ピーク波長が605nm~750nmの範囲内にある光をいうものとする。
青色の光を発する半導体レーザ素子、又は、緑色の光を発する半導体レーザ素子として、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体としては、例えば、GaN、InGaN、及びAlGaNを用いることができる。赤色の光を発する半導体レーザ素子として、InAlGaP系やGaInP系、GaAs系やAlGaAs系の半導体を含むものが挙げられる。
(サブマウント30)
サブマウント30は、2つの接合面を有し、直方体の形状で構成される。一方の接合面の反対側に他方の接合面が設けられる。2つの接合面の間の距離が他の対向する2面の間の距離よりも小さい。サブマウント30の形状は直方体に限らなくてよい。サブマウント30は、例えば、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用いて形成することができる。接合面には、接合のための金属膜が設けられている。
(レンズ部材40)
レンズ部材40は、1又は複数のレンズ面を有して形成される。また、レンズ部材40は、入射光をコリメートする。例えば、1又は複数のレンズ面は、焦点位置から発散する光を屈折によってコリメート光に変換してレンズ部材40から出射するように設計される。レンズ面は、球面又は非球面である。レンズ部材40の光入射側の表面及び/又は光出射側の表面にレンズ面は形成される。図示されるレンズ部材40の例において、光入射側に凹レンズ面が形成され、光出射側に凸レンズ面が形成されている。なお、光入射側の表面に、複数のレンズ面が形成されてもよく、レンズ部材40は、光入射側の表面に1又は複数のレンズ面を形成し得る。また、光出射側の表面に複数のレンズ面が形成されてもよく、レンズ部材40は、光出射側の表面に1又は複数のレンズ面を形成し得る。
レンズ部材40は、透光性を有する材料、例えばガラス又はプラスチックから形成され得る。レンズ部材40の光が透過しない部分の形状は任意であるが、他の構成要素に固定され得る形状を有していることが好ましい。図示されるレンズ部材40の例において、レンズ部材40は、光軸が下面に平行な方向に延びるように配されるとき、平坦な下面を有しており、この下面が接合面として機能し得る。
(保護素子60A)
保護素子60Aは、特定の素子(例えば発光素子20)に過剰な電流が流れて破壊されてしまうことを防ぐための回路要素である。保護素子60Aの典型例は、ツェナーダイオードなどの定電圧ダイオードである。ツェナーダイオードとしては、Siダイオードを採用できる。
(温度測定素子60B)
温度測定素子60Bは、周辺の温度を測定するための温度センサとして利用される素子である。温度測定素子60Bとしては、例えば、サーミスタを用いることができる。
(配線70)
配線70は、両端を接合部とする線状の形状を有する導電体から構成される。言い換えると、配線70は、線状部分の両端に、他の構成要素と接合する接合部を有する。配線70は、例えば、金属のワイヤである。金属の例は、金、アルミニウム、銀、銅などを含む。
(第2基板90)
第2基板90は、実装面90Mを有する。第2基板90は、複数の配線領域を有している。複数の配線領域は、実装面90M上に設けることができる。第2基板の配線領域は、第2基板90の内部を通り、第2基板90の下面(実装面90Mと反対側の面)に設けられた配線領域と電気的に接続される。第2基板90の上面(実装面90M)に位置する配線領域と電気的に接続される配線領域は、第2基板90の下面に限らず、第2基板90のその他の外表面(上面及び外側面)に設けることができる。
第2基板90は、セラミックを主材料として形成することができる。第2基板90に用いられるセラミックの例は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素などを含む。
第2基板90は、セラミックよりも放熱性に優れた材料(熱伝導率の高い材料)から形成された部分を含んでいることが好ましい。第2基板90の例において、第2基板90は、内部に埋め込まれた熱伝導部材を有していてもよい。この熱伝導部材は、第2基板90の上面から下面まで貫通する開口部を埋めている。熱伝導部材は、第1基板15の下面に対向する領域に設けられている。熱伝導部材は、例えば、金属から形成され得る。熱伝導部材の形状は任意である。
第2基板90は、発光装置100の構成要素を支持し、これらの構成要素に含まれる電子部品と電気的に接続し得る構造を有している。第2基板90は、発光装置100の構成要素以外の要素、電子部品又は光学部品を支持していてもよい。
(発光装置100)
次に、発光装置100について説明する。
発光装置100において、1又は複数の発光素子20は、パッケージ10の内部空間に配される。例えば、パッケージ10の内部空間が気密封止された状態であれば、発光素子20の集塵による品質劣化が抑制され得る。このような封止構造は、例えば発光素子20が半導体レーザ素子である場合に好ましい構造である。なお、発光素子20は、必ずしも封止された内部空間に配されなくてもよい。
1又は複数の発光素子20は、実装面11Mに配される。1又は複数の発光素子20は、側壁部12に向けて光を出射する。1又は複数の発光素子20の光出射面23から出射された光はそれぞれ、光取出面10Aの透光性領域13から出射される。
図示される発光装置100において、複数の発光素子20が実装面11Mに配されている。複数の発光素子20は、互いにピーク波長の異なる光を出射する。複数の発光素子20は、互いに異なる色の光を出射する。複数の発光素子20は、第1発光素子20a、第2発光素子20b、及び第3発光素子20cを含む。第1発光素子20aが中央に位置し、この両隣に第2発光素子20b及び第3発光素子20cが位置している。
1又は複数の発光素子20は、光出射面23が光取出面10Aの方を向くようにして並べて配置される。1又は複数の発光素子20から出射される光軸を進む光は、光取出面10Aから実装面11Mと平行な方向に進む。ここでの平行は、±3度以内の差を含む。光取出面10Aは、発光素子20から出射される光が進む光軸に対して垂直である。光取出面10Aは、1又は複数の発光素子20から出射される光が進む光軸に対して垂直でなくてもよい。
図示される発光装置100において、光取出面10Aは、第1発光素子20aから出射される光(以下、第1の光22aと呼ぶ。)が進む光軸(以下、第1光軸21aと呼ぶ。)に対して垂直である。なお、第1の光22a及び第1光軸21aは、図6Aに例示されている。
次に、図6A及び図6Bを参照し、レンズ部材40との関係で、複数の発光素子20の配置の例をより詳細に説明する。第1発光素子20aは、第1光軸21aに沿って第1の光22aを出射する第1光出射面23aを有する。第1光軸21aは、レンズ部材40の光軸に平行であることが望ましく、レンズ部材40の光軸に一致していることがなお望ましい。図示される例では、第1光軸21aは、レンズ部材40の光軸に一致している。本開示において、2つの光軸が一致しているとは、2つの光軸が平行であり、2つの光軸の中心間距離が0.1mm以下であることと定義する。第1の光22aは、第1光軸21aに沿って進むとき、第1光軸21aに直交する方向に拡がっていく。
第2発光素子20bは、第1発光素子20aの第1光出射面23aに平行で、かつ、第1発光素子20aを通る仮想平面VRが通過する位置に配置される。より詳細には、第2発光素子20bは、仮想平面VRが通過する位置であって、第1発光素子20aから第1光軸21aに垂直な第1方向S1に離れた位置に配置される。第2発光素子20bは、相対的に第1光軸21aから第1方向S1の反対である第2方向S2に傾いた光軸(以下、第2光軸21bと呼ぶ。)に沿って光(以下、第2の光22bと呼ぶ。)を出射する第2光出射面23bを有する。第2の光22bは、第2光軸21bに沿って進むとき、第2光軸21bに直交する方向に拡がっていく。
第3発光素子20cは、仮想平面VRが通過する位置であって、第1発光素子20aから第1光軸21aに垂直な第2方向S2(第1方向S2とは反平行の方向)に離れた位置に配置される。第3発光素子20cは、相対的に第1光軸21aから第1方向S1に傾いた光軸(以下、第3光軸21cと呼ぶ。)に沿って光(以下、第3の光22cと呼ぶ。)を出射する第3光出射面23cを有する。第3の光22cは、第3光軸21cに沿って進むとき、第3光軸21cに直交する方向に拡がっていく。
図6Aには、第1光出射面23aにおいて第1光軸21aに沿って進む第1の光22aが出射される第1出射点24a、第2光出射面23bにおいて第2光軸21bに沿って進む第2の光22bが出射される第2出射点24b、及び、第3光出射面23cにおいて第3光軸21cに沿って進む第3の光22cが出射される第3出射点24cが示されている。この例において、第1出射点24a、第2出射点24b、及び第3出射点24cのそれぞれと仮想平面VRとの距離は、略等しい。後述するように、本開示の発光装置は、この例に限定されない。
図6Bには、第1光軸21aに平行であって、第2出射点24bから延びる仮想直線212が記載されている。この仮想直線212と第2光軸21bとの間の角度θ2は、第1光軸21aに対する第2光軸21bの傾きを規定する。角度θ2は、上面視において、第1光軸21aの方向を基準として反時計周りの回転(実装面11Mに平行な面内の回転)を「正」の回転とし、時計回りの回転を「負」の回転とした場合に、負の値を有している。角度θ2の絶対値(|θ2|)は、0度超30度以下の範囲にある。角度θ2の絶対値の好ましい範囲は、例えば3度以上15度以下である。
図6Bには、第1光軸21aに平行であって、第3出射点24cから延びる仮想直線213が記載されている。この仮想直線213と第3光軸21cとの間の角度θ3は、第1光軸21aに対する第3光軸21cの傾きを規定する。上述の定義により、角度θ3は、正の値を有している。角度θ3の値(角度θ3の絶対値|θ3|に等しい)は、0度超30度以下の範囲にある。角度θ3の好ましい範囲は、例えば3度以上15度以下である。
角度θ2の絶対値と角度θ3の絶対値との差は、0度以上5度以下の範囲にある。図示される発光装置100において、角度θ2の絶対値と角度θ3の絶対値とは等しい。つまり、差は0度である。なお、ここでの等しいは、1度以内の差を含む。第1出射点24aから第2出射点24bまでの距離d2は、第1出射点24aから第3出射点24cまでの距離d3に等しい。なお、ここでの等しいは、50μm以内の差を含む。また、距離d2と距離d3は必ずしも等しくなくてよいが、距離d2と距離d3との差は、300μm以内に収めることが好ましい。距離の差が小さい方が角度差も小さくなり、レンズ部材40などによる光学制御がしやすくなる。。第2光軸21bと第3光軸21cは、第1光軸21aに関して対称な関係または概略的に対称な関係にある。第1出射点24a、第2出射点24b、及び第3出射点24cのそれぞれから仮想平面VRまでの距離が等しい。なお、ここでの等しいは、20μm以内の差を含む。第2光出射面23bからレンズ部材40の光入射面42までの距離L2は、第3光出射面23cからレンズ部材40の光入射面42までの距離L3に略等しい。なお、後述するように、3つの発光素子20の配置によっては、角度θ2の絶対値と角度θ3の絶対値とが異なっていてもよい。
第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cのそれぞれのピーク波長を、第1ピーク波長、第2ピーク波長、及び第3ピーク波長と呼ぶものとする。発光装置100において、第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cは、それぞれ、赤色の光、緑色の光、及び、青色の光から選択される互いに異なる色の光とすることができる。
一例として、第1発光素子20aは緑色の第1の光22aを放射し、第1発光素子20aの両隣に配置される2つの発光素子20b、20cは、それぞれ、赤色の第2の光22bと青色の第3の光22cを放射する。このように3つの発光素子20をRGBの3色の光で構成する形態は、例えば、カラー画像表示の用途に採用され得る。なお、各発光素子20が発する光の色は、これに限らず、また、可視光に限られない。
発光装置100において、第1光軸21aに沿って進む第1の光22aと、第2光軸21bに沿って進む第2の光22bは、上面視で、レンズ部材40の入射面42から出射面44までの間の光路において交差する。第1光軸21aに沿って進む第1の光22aと、第3光軸21cに沿って進む第3の光22cは、上面視で、レンズ部材40の入射面42から出射面44までの間の光路において交差する。第2光軸21bに沿って進む第2の光22bと、第3光軸21cに沿って進む第3の光22cは、上面視で、レンズ部材40の入射面42から出射面44までの間の光路において交差する。
レンズ部材40の入射面42において、第1光軸21aに沿って進む第1の光22aが入射する第1入射点25a、第2光軸21bに沿って進む第2の光22bが入射する第2入射点25b、及び、第3光軸21cに沿って進む第3の光22cが入射する第3入射点25cは、第1光出射面23aにおいて第1光軸21aに沿って進む第1の光22aが出射される第1出射点24a、第2光出射面23bにおいて第2光軸21bに沿って進む第2の光22bが出射される第2出射点24b、及び、第3光出射面23cにおいて第3光軸21cに沿って進む第3の光22cが出射される第3出射点24cよりも、互いに近づいている。
図7Aに示される例において、第1出射点24a、第2出射点24b、及び第3出射点24cの間で最も離れている出射点の間隔は、距離dOUTである。距離dOUTは、上述した距離d2と距離d3との和である。一方、図7Bに示される例において、第1入射点25a、第2入射点25b、及び第3入射点25cの間で最も離れている入射点の間隔は、距離dINである。本実施形態によれば、距離dINを距離dOUTよりも短くすることが可能になる。距離dINは、例えば0μm以上500μm以下の大きさを有している。また、距離dINは、距離dOUTよりも短ければよく、最小値は、例えば0μmであってもよい。ここで、dIN=0μmとなるのは、第1入射点25a、第2入射点25b、及び第3入射点25cのすべての位置が一点に集まっていることを意味している。距離dINは、距離dOUTの半分以下であり得る。距離dOUTは、例えば0μm以上1000μm以下の大きさを有している。
このように、距離dINを短くすることの効果は、異なる位置に配置された複数の発光素子20から出射されたそれぞれの光の入射点をレンズ部材40の光軸に近づけることを可能にする。光軸に近付けることで、光学制御の精度を向上させることができる。例えば、一般に、光の入射点がレンズ部材40の光軸から外れると、球面収差の影響を受けやすくなる。本実施形態によれば、複数の発光素子20から出射されたそれぞれの光の入射点をレンズ部材40の光軸に一致又は近づけることが可能になる。また、、距離dINを短くすることにより、本実施形態の発光装置を光源としてカラー画像を形成する場合、色ごとに画素ずれを低減することが可能になる。
なお、図7Aの例では、第1出射点24a、第2出射点24b、及び第3出射点24cの縦方向における位置(実装面11Mからの高さ)が等しく記載されているが、本開示の実施形態は、この例に限定されない。同様に、図7Bの例では、第1入射点25a、第2入射点25b、及び第3入射点25cの縦方向における位置が等しく記載されているが、本開示の実施形態は、この例に限定されない。
発光装置100において、1以上のサブマウント30の上に、1又は複数の発光素子20が配置される。サブマウント30は、一方の接合面で発光素子20と接合し、反対側の他方の接合面で実装面11Mに接合する。なお、1又は複数の発光素子20は、サブマウント30を介さずに直接に実装面11Mに配されてもよい。図示される発光装置100の例では、1つのサブマウント30に複数の発光素子20が配置されている。
発光装置100において、1又は複数の保護素子60Aは、パッケージ10の内部に配される。各保護素子60Aは、実装面11Mに配される。各保護素子60Aは、互いに異なる配線領域14に配される。保護素子60Aにより、発光素子20は保護される。図示される発光装置100の例では、複数の発光素子20に対して、1対1の関係で、複数の保護素子60Aが設けられる。
発光装置100において、温度測定素子60Bは、パッケージ10の内部に配される。温度測定素子60Bは、実装面11Mに配される。温度測定素子60Bは、保護素子60Aが配されていない配線領域14に配される。温度測定素子60Bは、発光素子20の温度を測定する目的で発光装置100に設けられる。
発光装置100において、配線70は、上面視で、発光素子20の光出射面23に平行な直線を境界にして、発光素子20の側(発光素子20の光出射面23とは反対側の面を含む側)で、パッケージ10の配線領域14と接合する。これにより、配線70が光の光路上に侵入することを回避しやすくなる。
発光装置100において、パッケージ10は、第2基板90に配される。パッケージ10の下面が第2基板90の実装面90Mに実装されて、パッケージ10は第2基板90に支持される。パッケージ10の下面は、第1基板15の下面でもあり得る。
発光素子20、保護素子60A、及び、温度測定素子60Bのそれぞれは、配線領域14を介して、第2基板90と電気的に接続する。またさらに、第2基板90の複数の配線領域を介して、発光装置100の外部の回路に電気的に接続され得る。
発光装置100において、第2基板90は、上面視で、第1方向S1に平行な方向の長さよりも、第1方向S1に垂直な方向の長さの方が大きい。また、第2基板90の長辺の長さは、短辺の長さの1.5倍以上3倍以下であり得る。詳細は後述されるが、発光装置100を、図21に示すようにしてヘッドマウントディスプレイ600に実装するときには、第1方向S1及び第2方向S2に平行な方向の長さが短い方が好ましい。
以降では、第1基板15の実装面11Mと第2基板90の実装面90Mを区別するため、それぞれ第1実装面11M、第2実装面90Mと称することがある。
発光装置100において、レンズ部材40は、第2基板90に配される。レンズ部材40が第2実装面90Mに実装されて、レンズ部材40は第2基板90に支持される。なお、レンズ部材40は、第1基板15に実装されてもよい。図示される発光装置100を参考にすると、例えば、第1基板15を第2基板90と同じ大きさにし、レンズ部材40が配置される位置まで拡張すれば、第1基板15の上にレンズ部材40を実装することができる。
レンズ部材40は、パッケージ10の外側に配置される。そのため、レンズ部材40は、側壁部12に囲まれていない。レンズ部材40をパッケージ10の内部空間に配置しないことで、パッケージ10の高さ方向(第1実装面11Mに垂直な方向)の大きさを抑え、発光装置100の小型化に寄与し得る。
レンズ部材40には、1又は複数の発光素子20から出射され、光取出面10Aからパッケージ10の外部へと出射された光が入射する。レンズ部材40には、1又は複数の発光素子20から出射された光の主要部分がすべて入射する。またさらに、レンズ部材40には、1又は複数の発光素子20から出射された光の主要部分以外の部分も入射し得る。
1又は複数の発光素子20から出射され、透光性領域13からパッケージ10の外部へと出射された光は、レンズ部材40に入射し、1のレンズ面から出射される。レンズ部材40の入射面に入射した1又は複数の発光素子20からの光は、コリメートされた光となってレンズ部材40の出射面から出射される。レンズ部材40の入射面に入射した1又は複数の発光素子20からの光は、速軸方向にコリメートされた光となってレンズ部材40の出射面から出射される。1つのレンズ面によって複数の発光素子20からの光をコリメートすることで、各発光素子20の間隔を狭めることができ、発光装置100の小型化に寄与し得る。
レンズ部材40の下面は、第1実装面11Mを含む平面よりも下方にある。光取出面10Aから出射された主要部分の光の一部は、レンズ部材40の入射面よりも光取出面10Aに近い位置で、第1実装面11Mを含む平面よりも下方を通過する。パッケージ10及びレンズ部材40を第2基板90に接合することで、レンズ部材40の下面を、第1実装面11Mよりも低い位置に配することができ、第1実装面11Mを含む平面よりも低い位置を進む光をレンズ部材40に入射させることができる。
レンズ部材40において光が出射されるレンズ面の光軸と、光取出面10Aから取り出される光の光軸とは、基部11の第1実装面11Mから同じ高さにある。レンズ部材40において光が出射されるレンズ面の光軸は、前述した第1方向S1及び第2方向S2に垂直である。
図示される発光装置100の例では、複数の発光素子20から出射された光は、少なくとも速軸方向(第1実装面11Mに垂直な方向)がコリメートされたコリメート光となってレンズ部材40から出射される。レンズ部材40は、第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cをコリメートする1つのレンズ面を有する。この例において、第1の光22aの光軸(第1光軸21a)は、レンズ部材40の光軸に一致している。
<第2実施形態>
第2実施形態に係る発光装置200を説明する。発光装置200の斜視図は、発光装置100の斜視図と同様に、図1によって示される。図8は、発光装置200からパッケージ10のキャップ16を除いた状態の斜視図である。図9Aは、複数の発光素子20が搭載されるサブマウントの形状の例を示す上面図である。図9Bは、複数の発光素子20のそれぞれの出射点の配置関係の例を示す上面図である。
発光装置200は、発光装置100と同様に、パッケージ10、1又は複数の発光素子20、1以上のサブマウント30、レンズ部材40、1又は複数の保護素子60A、温度測定素子60B、複数の配線70、及び、基板90を含む複数の構成要素を備える。
発光装置200におけるサブマウント30は、上面30Tと交わる側面31を有している。サブマウント30は、この側面31以外に、側面32、33、34を有している。図示される例において、サブマウント30の上面は頂角が90度ではない平行四辺形であり、対向する位置にある側面31と側面33とは平行であり、対向する位置にある側面32と側面34も平行である。サブマウントの上面の形状は、平行四辺形である必要はなく、ひし形、台形、不等辺多角形などであってもよい。サブマウントの上面の形状が平行四辺形である場合、サブマウントをサブマウント基材から個片化するときにサブマウント基材を効率的に使用して材料コストの無断な上昇を抑えることができる。
第1発光素子20a、第2発光素子20b、及び第3発光素子20cは、第1光出射面23aにおいて第1光軸21aに沿って進む第1の光22aが出射される第1出射点24a、第2光出射面23bにおいて第2光軸21bに沿って進む第2の光22bが出射される第2出射点24b、及び、第3光出射面23cにおいて第3光軸21cに沿って進む第3の光22cが出射される第3出射点24cが、サブマウント30の上面30Tと側面31との境界に位置する外縁30Eから突き出るように配置されている。
上面視において、第1光軸21aの方向と、外縁30Eが延びる方向とは、90°以外の角度で交差している。言い換えると、サブマウント30が有す4つの側面31、32、33、34のうち、レンズ部材40に対向する側面31は、第1光軸21aの方向に直交していない。上面視において、第1光軸21aに垂直な線Nに対する側面31の傾斜角度θeの絶対値は、0度よりも大きく、例えば45度以下である。
本実施形態では、図9Bに示されるように、仮想平面VRから第1発光素子20aの第1出射点24aまでの距離Z1は、仮想平面VRから第2発光素子20bの第2出射点24bまでの距離Z2よりも長い。また、仮想平面VRから第1発光素子20aの第1出射点24aまでの距離Z1は、仮想平面VRから第3発光素子20cの第3出射点24cまでの距離Z3よりも短い。
第1出射点24a、第2出射点24b、及び第3出射点24cのそれぞれが、サブマウント30の上面30Tと側面31との境界に位置する外縁30Eからレンズ部材40の側に突出しているため、各出射点24a、24b、24cから出射されて拡がる光の一部がサブマウント30にあたること(ケラレ)を防止できる。サブマウント30の側面31からの各出射点24a、24b、24cの突出距離が長くなるほど、各発光素子20a、20b、20cとサブマウント30との接触面積が縮小する。この接触面積が大きいほど、発光素子20a、20b、20cで発生した熱を、サブマウント30を介して、外部に伝導させやすいため、接触面積は大きいことが好ましい。したがって、サブマウント30の上面30Tと側面31との境界に位置する外縁30Eからの各出射点24a、24b、24cの突出距離は、例えば0μm以上50μm以下の範囲内に設定され得る。
図9A及び図9Bに示される例では、レンズ部材40の光入射面42から第1出射点24aまでの距離は、レンズ部材40の光入射面42から第2出射点24bまでの距離とは異なり、かつ、レンズ部材40の光入射面42から第3出射点24cまでの距離とも異なる。本実施形態によれば、レンズ部材40の焦点距離が光の波長に応じて異なる場合において、それぞれの焦点距離にあわせて第1出射点24a、第2出射点24b、及び第3出射点24cのそれぞれを配置することが可能である。ある例において、上記の距離Z1と距離Z2との差異は、例えば5μm以上60μm以下の範囲内に設定され得る。また、離Z1と距離Z3との差異は、例えば5μm以上60μm以下の範囲内に設定され得る。
このように、レンズ部材40の光軸の方向における第1出射点24a、第2出射点24b、及び第3出射点24cの位置が異なる場合は、第2光軸21bの、第1光軸21aからの傾き(角度θ2)の絶対値と、第3光軸21cの、第1光軸21aからの傾き(角度θ3)の絶対値との差は、0度であってもよいが、0度超であることが好ましい。距離d2と距離d3とが等しい場合、角度θ2の絶対値と角度θ3の絶対値と異なる値にすることにより、第1光軸21a、第2光軸21b、及び第3光軸21cを「同じ位置」で交差させることが可能になる。なお、距離d2と距離d3とが異なる場合であっても、角度θ2の絶対値と角度θ3の絶対値のそれぞれを調節することにより、第1光軸21a、第2光軸21b、及び第3光軸21cを「同じ位置」で交差させることが可能になる。
このように、第1光軸21a、第2光軸21b、及び第3光軸21cの傾きの関係を規定する角度θ2の絶対値と角度θ3の絶対値は、それぞれの光軸に沿って進む光のピーク波長で決まるレンズ部材40の焦点距離などのレンズ特性に応じた値をとり得る。
本実施形態の発光装置200によれば、第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cのレンズ部材40に入射する位置を互いに近づけるとともに、各光出射点の位置を調整してレンズ部材40による色収差を低減することが可能になる。その結果、発光装置200を光源として用いるディスプレイでは、結像面における各色の画素のぼやけを抑制しやすくなる。
<第3実施形態>
第3実施形態に係る発光装置300を説明する。図10及び図11は、発光装置300の例示的な一形態を説明するための図面である。図10は、発光装置300の斜視図である。図11は、発光装置300からパッケージのキャップを除いた上面図である。
発光装置300は、発光装置100と同様の構成要素を備え、さらに、レンズ部材40を透過した第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cのそれぞれの光軸21a、21b、21cを平行、好ましくは同軸にすることが可能な光制御ユニット50を備えている。
光制御ユニット50は、入射する第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cを、互いの光軸が平行であり少なくとも一部の光を互いに重なった状態に制御して、出射する。光制御ユニット50は、互いに平行ではない光軸に沿って進んできた第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cを、互いに光軸が平行な光軸に沿って進むように、第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cを制御する。図示される例において、光制御ユニット50は、複数の光学部材(図中の符号55a、55b、56、57)を備える。光制御ユニット50は、複数の光学部材によって、選択的な反射、及び、選択的な透過を組み合わせた光学制御を行い、互いの光軸を平行に揃えることができる。また、光制御ユニット50によれば、第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cを同軸光にして出射させることが可能になる。
光制御ユニット50は、レンズ部材40を通った第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cが入射し、第1光軸21a、第2光軸21b、及び第3光軸21cが平行な第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cを出射するように構成されている。
発光装置300において、第1光軸21aに沿って進む第1の光22aと、第2光軸21bに沿って進む第2の光22bは、上面視で、レンズ部材40の出射面44に到達する光路長よりも長い光路長で交差する。第1光軸21aに沿って進む第1の光22aと、第3光軸21cに沿って進む第3の光22cは、上面視で、レンズ部材40の出射面44に到達する光路長よりも長い光路長で交差する。第2光軸21bに沿って進む第2の光22bと、第3光軸21cに沿って進む第3の光22cは、上面視で、レンズ部材40の出射面44に到達する光路長よりも長い光路長で交差する。
発光装置100において、第1光軸21aに沿って進む第1の光22aと、第2光軸21bに沿って進む第2の光22bは、上面視で、レンズ部材40の出射点から光制御ユニット50の入射点までの間の光路において交差する。第1光軸21aに沿って進む第1の光22aと、第3光軸21cに沿って進む第3の光22cは、上面視で、レンズ部材40の入射点から光制御ユニット50の出射点までの間の光路において交差する。第2光軸21bに沿って進む第2の光22bと、第3光軸21cに沿って進む第3の光22cは、上面視で、レンズ部材40の入射点から光制御ユニット50の出射点までの間の光路において交差する。
第1発光素子20aから第1方向S1に離れた位置に配される第2発光素子20bの第2光軸21bに沿って進む第2の光22bは、第1光軸21aから第2方向S2に離れた位置で光制御ユニット50に入射する。また、第1発光素子20aから第2方向S2に離れた位置に配される第3発光素子20cの第3光軸21cに沿って進む第3の光22cは、第1光軸21aから第1方向S1に離れた位置で光制御ユニット50に入射する。
上面視においてレンズ部材40と光制御ユニット50の間に複数の光の光軸の交差位置を設けることにより、レンズ部材40を通過する前に交差させる場合よりも、光制御ユニット50に入射するときの2つの光の光軸間距離を狭めることができる。
このような、上面視において互いに交差する光軸を進む光が、本実施形態では、それぞれ異なるピーク波長を有している。このため、波長に応じて異なる反射特性又は透過特性を有する複数の面を配置して、光軸の方向を平行にしている。
このような機能を発揮する光制御ユニット50の構成は特に限定されないが、例えば、図示されるように、それぞれが平板形状を有する複数の光学部材を備える。図示される発光装置300の例において、光制御ユニット50は、2つの第1光学部材55a、55b、第2光学部材56、及び、第3光学部材57を備えている。
光制御ユニット50に入射する複数の光は、それぞれピーク波長の異なる光である。またあるいは、光制御ユニット50に入射する複数の光は、それぞれ異なる色の光である。複数の光学部材によって、複数の光に対して選択的に光学制御を行う複数の領域(光制御領域)を形成する。
光制御領域は、光学部材の表面、好ましくは平坦かつ平滑な表面に、形成され得る。例えば、可視光を透過するガラス又はプラスチックなどの透明材料から形成される光学部材の透明な本体の表面(主面)に、例えばスパッタリングなどの薄膜堆積技術によって誘電体多層膜を堆積して形成され得る。光学部材は、例えば、ダイクロイックミラーによって構成され得る。
発光装置300において、光制御ユニット50は、第2基板90に配される。光制御ユニット50が第2実装面90Mに実装されて、光制御ユニット50は第2実装面90Mに支持される。なお、光制御ユニット50は、第1基板15に実装されてもよい。
光制御ユニット50には、複数の発光素子20から出射された光が入射する。光制御ユニット50には、互いに光軸が平行ではない複数の光が入射する。光制御ユニット50には、レンズ部材40を通過して、コリメートされた光が入射する。
光制御ユニット50の複数の光制御領域は、上面視で、第1光軸21aに平行な直線に対して傾斜する。この傾斜の角度は、例えば、35°以上70°以下の範囲に設定され得る。
光制御ユニット50の複数の光学部材(55a、55b、56、57)は、上面視で、第1光軸21aに対して斜めの方向に並べて配置される。図示される例において、隣り合う2つの光学部材は、上面視で、一方の光学部材が有する光制御領域を通り、かつ光制御領域に平行な直線上に他方の光学部材は配置されておらず、また、他方の光学部材が有する光制御領域を通る仮想的な直線上に一方の光学部材は配置されていない、という関係を満たす。光制御領域を形成する全ての光学部材を対象に、この関係は満たされる。同じような形状の複数の光学部材を並べて配置することで実装がしやすくなる。
図示される発光装置300の例では、レンズ部材40の1つのレンズ面を通過した第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cが光制御ユニット50に入射する。光制御ユニット50は、4つの光学部材55a、55b、56、57を備え、光制御ユニット50からは、互いに光軸が平行な第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cが出射される。
光制御ユニット50は、2つの第1光学部材55a、55bと、第2光学部材56と、第3光学部材57とを備える。2つの第1光学部材55a、55bによって少なくとも4つの光制御領域が形成される。ここでは、4つの光制御領域をそれぞれ、第1領域51と、第2領域52と、第3領域53と、第4領域54と呼んで区別するものとする。
2つの第1光学部材55a、55bはそれぞれ、レンズ部材40の方を向く第1面と、その反対側の面である第2面と、を有する。2つの第1光学部材55a、55bの第1面及び第2面に、4つの光制御領域が設けられている。
第1光学部材55aの第1面に第3領域53が形成され、第2面に第1領域51が形成されている。第2領域52及び第4領域54は、同一の第1光学部材55bの異なる面に設けられている。第1光学部材55bの第1面に第2領域52が形成され、第2面に第4領域54が形成されている。
第2光学部材56は反射面56Mを有する。第3光学部材57は反射面57Mを有する。反射面56Mと反射面57Mは、2つの第1光学部材55a、55bを挟んで互いに向かい合うような配置関係になっている。2つの第1光学部材55a、55bは、第2光学部材56の反射面56Mを含む平面と、第3光学部材57の反射面57Mを含む平面と、の間に配置される。
第1領域51は、第1の光21aを反射し、第3の光21cを透過させる。第2領域52は、第1の光21aを反射し、第2の光21bを透過させる。第3領域53は、第2の光21bを反射し、第1の光21aを透過させ、第3の光21cを透過させる。第4領域54は、第3の光21cを反射し、第1の光21aを透過させ、第2の光21bを透過させる。反射面56Mは、第2の光21bを反射する。反射面57Mは、第3の光21cを反射する。
光制御ユニット50の上記の構成例は、あくまでも一例であり、光制御ユニット50は他の構成を備え得る。レンズ部材40を透過した光の光軸を光の色に応じて制御する光制御ユニットを採用することにより、発光装置の例えばディスプレイの光源として使用するとき、ディスプレイに用いられる種々の光学系の光軸に対するアライメントが容易になる。
<第4実施形態>
第4実施形態に係る発光装置400を説明する。図12から図18は、発光装置400の例示的な一形態を説明するための図面である。図12は、発光装置400の斜視図である。図13は、発光装置400から蓋部材を除いた斜視図である。図14は、図13の状態から第2キャップを除いた状態における発光装置400の斜視図であり、図15は、図13の状態から第2キャップ及び蓋部材を除いた状態の発光装置400の上面図である。図16は、発光装置400が備える基板の斜視図である。図17は、図15のXVII-XVII断面線における断面図である。図18は、図14の状態を蓋部材側からみた側面図である。
本実施形態における発光装置400は、これまで説明してきた各実施形態における第1基板15及び第2基板90に代えて、段形状を有する基板1590を採用する点が異なる。また、発光装置400は、1又は複数の発光素子20を囲み、かつ、レンズ部材40は囲わないキャップ16(以下、第1キャップ16と呼ぶ。)に加えて、パッケージ10、レンズ部材40、及び光制御ユニット50を囲うキャップ96(以下、第2キャップ96と呼ぶ。)を備える。またさらに、発光装置400は、蓋部材91を備える。
(基板1590)
基板1590は、第1上面15A及び第2上面90Aを有する。第1上面15Aは、第1実装面11Mが設けられる面であり、第2上面は第2実装面90Mが設けられる面である。既に他の実施形態で説明したように、第1実装面11Mには、1又は複数の発光素子20が配置され、第2実装面90Mには、レンズ部材40及び光制御ユニット50が配置される。第1上面15Aは、第2上面90Aよりも上方に設けられる。
上面視で、基板1590の外形は矩形である。この矩形は、短辺と長辺を有する。上面視で、第2上面90Aは、第1上面15Aによって囲まれる。第1上面15Aは、一部分を除いて、第2上面90Aを囲む。第1上面15Aによって囲まれない一部分には、蓋部材91が設けられる部分が含まれる。図示される発光装置400では、蓋部材91が設けられる部分を除いて、第2上面90Aは第1上面15Aに囲まれる。蓋部材91が設けられる部分は、第2上面90Aを挟んで、発光素子20が配置される側とは反対側に設けられる。
蓋部材91が設けられる部分は、側面視で、凹形状となっている。凹形状の上方の上面が第1上面15Aとなり、下方の上面が第2上面90Aとなる。この凹形状における第2上面90Aの長さは、同じ方向の基板1590の長さの1/2以下である。この凹形状における第2上面90Aは、側面視で、基板1590の第2上面90Aに平行な方向の幅の中心を通り、第2上面90Aに垂直な方向に延びる仮想的な直線が通過しない位置に設けられる。簡易的に表現すると、凹形状を形成する基板1590側面の中央よりも片側に寄った位置に凹形状は設けられる。
基板1590では、第1実装面11Mに設けられた複数の配線領域14は、基板1590の内部を通るビアホールを介して、基部1590の下面に設けられた配線領域と電気的に接続され得る。
基板1590は、基板15あるいは基板90と同様の材料から形成することができる。例えば、基板1590は、セラミックを主材料として形成することができる。基板1590は、光を遮光する遮光性材料から形成することができる。基板1590は、遮光性のセラミックを主材料として形成することができる。
(第2キャップ96)
第2キャップ96は、基板1590の第1上面15Aと接合する。第2キャップ96は、側面視で、凹形状を有し、この凹形状は、基板1590の凹形状に対応する位置に設けられる。基板1590と第2キャップ96が接合されることで、それぞれの凹形状によって画定される開口が形成される。
第2キャップ96は、光を遮光する遮光性材料から形成することができる。例えば、第2キャップ96は、ガラスから第2キャップ96の形状を作り、その表面に遮光膜を設けることで作ることができる。
(蓋部材91)
蓋部材91は透光性を有する。蓋部材91は平板形状である。蓋部材91は、基板1590及び第2キャップ96に接合される。蓋部材91は、基板1590と第2キャップ96とが接合して画定された開口を覆う。蓋部材91が接合されることで、レンズ部材40が配置される空間を、閉空間とすることがっできる。
(発光装置400)
次に、発光装置400について説明する。
基板1590と、第1キャップ16とによって、1又は複数の発光素子20が配置される空間は封止される。これにより、発光素子20を囲うパッケージ構造が形成される。また、基板1590と、第2キャップ96とによって、1又は複数の発光素子20を囲うパッケージ構造、レンズ部材40、及び光制御ユニット50が配置される空間が囲まれる。但し、光制御ユニット50から出射された光が外部へと出射されるように、開口に蓋部材91が接合される。
側面視で、光制御ユニット50から出射される第1の光22aの第1光軸21a、第2の光22bの第2光軸21b、及び第3の光22cの第3光軸21cは、蓋部材91が設けられる開口に含まれる。側面視で、光制御ユニット50から出射される第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cのそれぞれの主要部分は、蓋部材91が設けられる開口に含まれる。第1の光22a、第2の光22b、及び第3の光22cは、蓋部材91から出射される。
側面視で、蓋部材91から最も遠い位置に配置される発光素子20の光の出射点は、蓋部材91が設けられる開口に含まれない。例えば、第2発光素子20bが、蓋部材91から最も遠い位置に配置される発光素子20となり得る。これにより、不要な箇所から光が漏れることを抑制することができる。なお、側面視で、第1発光素子20aの光の出射点が、蓋部材91が設けられる開口に含まれないようにすることもできる。
<第5実施形態>
第5実施形態に係る発光装置500を説明する。図19は、発光装置500の例示的な一形態を説明するための図面である。図19は、発光装置500の断面図である。この断面図における発光装置500の断面位置は、第4実施形態の図17に対応する。図20は、発光装置500が備える基板1590の斜視図である。
発光装置500は、基板1590において、第1実装面11Mと、周辺領域11Pとが、異なる平面上に設けられている点で、第4実施形態の基板1590と異なる。発光装置500の基板1590は、周辺領域11Pが設けられる上面よりも、第1実装面11Mが設けられる上面の方が下方にある。周辺領域11Pが設けられる上面は、第2キャップ96が接合される接合面でもある。よって、第4実施形態との整合から、周辺領域11Pが設けられる上面を、第1上面15Aとする。発光装置500の基板1590において、第1実装面11Mが設けられる上面を、第3上面15Bとする。
第3上面15Bは、上面視で、第1上面15Aに囲まれる。第3上面15Bは、第1上面15Aよりも50μm以上500μm以下だけ、下方に位置する。第3上面15Bよりも第1上面15Aを上方に設けることにより、配線領域14を、周辺領域11Pの直下にまで拡張することができ、第3上面15Bに露出する配線領域14の大きさを抑えることができる。このことは、発光装置の小型化に寄与することができる。
サブマウント30の上下方向の長さ(厚さ)は、第1上面15Aと第3上面15Bの差よりも大きい。サブマウント30の厚さは、第1上面15Aと第3上面15Bの差よりもさらに200μm以上1000μm以下の範囲で大きい。これにより、発光素子20から出射された主要部分の光が第1上面15Aに照射されないように、発光点の高さを上げることができる。
<ヘッドマウントディスプレイ>
図21は、本開示の実施形態に係る発光装置100(200、300、400、500)を備えるヘッドマウントディスプレイ600の構成例を模式的に示す側面図である。以下、発光装置100を例に説明するが、ヘッドマウントディスプレイ600は、発光装置100の代わりに、発光装置200、300、400、500のいずれを備えていてもよい。このヘッドマウントディスプレイ600は、テンプル650と、テンプル650に接続された導波路660とを備えている。導波路660は、例えば回折格子などの光出射領域を有している。導波路660に入射したレーザ光は、導波路660の光出射領域からユーザの目の網膜に向けて出射され得る。
テンプル650の一端が、導波路660側、言い換えれば、ユーザの顔側に位置しており、テンプル650の他端が、導波路660の反対側、言い換えれば、ユーザの耳側に位置している。図21では、このテンプル650の両端方向がレンズ部材40の光軸の方向に平行である。ヘッドマウントディスプレイ600を装着したユーザに基づけば、レンズ部材40の光軸の方向は、側面視において、ユーザの耳から目へと向かう方向(又はその逆方向)にほぼ平行である。
図21に示されるヘッドマウントディスプレイ600の例において、発光装置100はテンプル650の内側で支持されている。図21では、発光装置100が側面に見えるように記載されているが、実際には発光装置100の外観は外部から視認されない状態にある。発光装置100の第1方向S1及び第2方向S2に平行な方向におけるサイズは、例えば3mm以上15mm以下であり、テンプル650の延伸方向(図21における第1方向S1及び第2方向S2に垂直な方向1D)におけるサイズよりも小さい。
発光装置100におけるレンズ部材の光軸の方向と、ヘッドマウントディスプレイ600のテンプルが延びる方向とが平行になるように、発光装置100がヘッドマウントディスプレイ600に実装されることが好ましい。レンズ部材の光軸に垂直な方向に小型化された発光装置100によって、テンプル650の幅を小さくできる。また、図示されるように、テンプル650の長さは、ユーザの目から耳までの距離を確保する長さを有しているため、発光装置100におけるレンズ部材の光軸の方向のサイズは、ある程度小さければ、それ以上小さくなったとしてもヘッドマウントディスプレイ600の小型化には寄与しない。
この実施形態では、発光装置100から、第1の光、第2の光、及び第3の光の各コリメートビームが狭い領域から同軸上に出射され得る。第1の光、第2の光、及び第3の光は、それぞれ、赤色、緑色及び青色のいずれかの色のレーザビームである。各色のレーザビームは、例えばマイクロミラーなどのMEMS素子によってスキャンされ、導波路660内を進み、やがてユーザの網膜上に像を形成する。カラー画像の表示は、フィールドシーケンシャル方式で行われてもよい。その場合、第1の光、第2の光、及び第3の光は、順次、出射される。第1の光、第2の光、及び第3の光の強度をモニターするため、それぞれの光に対してフォトダイオードなどの光検出器が利用され得る。光検出器は、発光装置100の外部に配されていてもよいし、内部に配されていてもよい。また、光検出器は、発光装置100のパッケージ10の内部に配されていてもよい。
なお、網膜上に像を形成する方式の場合、高解像度にするためにはビームの網膜上の集光スポットをなるべく小さくすることが好ましい。この観点からすると、レンズ部材の焦点距離は長い方が好ましい。一方で、焦点距離を長くすると、光の広がりのため、レンズ部材40のレンズ面に入射しない光が増えて、光の損失が多くなることも起こり得る。レーザ光の場合、遅軸方向よりも速軸方向の方が光の拡がりが大きいため、速軸方向の方が損失の影響を受けやすい。
また、レーザ光の形状は、ニアフィールドパターンにおいては、遅軸方向の方が速軸方向よりも大きくなる。そのため、遅軸及び速軸の焦点距離が同じレンズでコリメートすると、網膜上の集光スポットは遅軸方向に大きくなる。
そこで、レンズ部材40のレンズ面を、遅軸方向の焦点距離が速軸方向の焦点距離よりも長くなるように設計するのが好ましい。これにより、レーザ光の損失を増やすことなく、遅軸方向の集光スポットの大きさを小さくすることができる。
以上、本発明に係る実施形態を説明してきたが、本発明に係る発光装置は、実施形態の発光装置に厳密に限定されるものではない。つまり、本発明は、実施形態により開示された発光装置の外形や構造に限定されなければ実現できないものではない。例えば、保護素子を有しない発光装置であってもよい。また、全ての構成要素を必要十分に備えることを必須とせずに適用され得るものである。例えば、特許請求の範囲に、実施形態により開示された発光装置の構成要素の一部が記載されていなかった場合、その一部の構成要素については、代替、省略、形状の変形、材料の変更などの当業者による設計の自由度を認め、その上で特許請求の範囲に記載された発明が適用されることを特定するものである。
各実施形態に係る発光装置は、ヘッドマウントディスプレイ、プロジェクタ、照明、ディスプレイ等に使用することができる。
10パッケージ
10A 光取出面
11 基部
11M 実装面
11P 周辺領域
12 側壁部
13 透光性領域
14 配線領域
15 基板(第1基板)
16 キャップ
17 金属層
20 発光素子
20a 第1発光素子
20b 第2発光素子
20c 第3発光素子
30 サブマウント
40 レンズ部材
50 光制御ユニット
51 第1領域
52 第2領域
53 第3領域
54 第4領域
55a 第1光学部材
55b 第1光学部材
56 第2光学部材
57 第3光学部材
60A 保護素子
60B 温度測定素子
70 配線
90 基板(第2基板)
100 発光装置(第1実施形態)
200 発光装置(第2実施形態)
300 発光装置(第3実施形態)
400 発光装置(第4実施形態)
500 発光装置(第5実施形態)
600 ヘッドマウントディスプレイ

Claims (12)

  1. 第1光軸に沿って第1の光を出射する第1光出射面を有する第1発光素子と、
    前記第1光出射面に平行であり前記第1発光素子を通る仮想平面が通過する位置であって、前記第1発光素子から前記第1光軸に垂直な第1方向に離れた位置に配置され、相対的に前記第1光軸から前記第1方向の反対である第2方向に傾いた第2光軸に沿って第2の光を出射する第2光出射面を有する第2発光素子と、
    前記仮想平面が通過する位置であって、前記第1発光素子から前記第2方向に離れた位置に配置され、相対的に前記第1光軸から前記第1方向に傾いた第3光軸に沿って第3の光を出射する第3光出射面を有する第3発光素子と、
    を備える発光装置。
  2. 前記第1発光素子、第2発光素子、及び、第3発光素子から出射された前記第1の光、第2の光、及び、第3の光が入射する入射面を有するレンズ部材をさらに備え、
    前記レンズ部材の前記入射面において、前記第1光軸に沿って進む前記第1の光が入射する第1入射点、前記第2光軸に沿って進む前記第2の光が入射する第2入射点、及び、前記第3光軸に沿って進む前記第3の光が入射する第3入射点は、前記第1光出射面において前記第1光軸に沿って進む前記第1の光が出射される第1出射点、前記第2光出射面において前記第2光軸に沿って進む前記第2の光が出射される第2出射点、及び、前記第3光出射面において前記第3光軸に沿って進む前記第3の光が出射される第3出射点よりも、互いに近付いている、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記レンズ部材は、前記第1の光、第2の光、及び、第3の光が出射する1のレンズ面を有する、請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記第2光軸の、前記第1光軸からの傾きは、0度超30度以下の範囲にあり、
    前記第3光軸の、前記第1光軸からの傾きは、0度超30度以下の範囲にある、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 前記第2光軸の、前記第1光軸からの傾きの絶対値と、前記第3光軸の、前記第1光軸からの傾きの絶対値と、の差は、0度以上5度以下の範囲にある、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 前記第2光軸の、前記第1光軸からの傾きの絶対値と、前記第3光軸の、前記第1光軸からの傾きの絶対値との差は、0度以上5度以下の範囲にある、請求項4に記載の発光装置。
  7. 前記レンズ部材を通った前記第1の光、第2の光、及び第3の光が入射し、前記第1光軸、第2光軸、及び第3光軸が平行な前記第1の光、第2の光、及び第3の光を出射する光制御ユニットを備える、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 前記第2光軸に沿って進む前記第2の光は、前記第1光軸から前記第2方向に離れた位置で前記光制御ユニットに入射し、
    前記第3光軸に沿って進む第3の光は、前記第1光軸から前記第1方向に離れた位置で前記光制御ユニットに入射する、請求項7に記載の発光装置。
  9. 前記第1発光素子、第2発光素子、及び、第3発光素子が載置されるサブマウントをさらに備える請求項1乃至8のいずれか一項に記載の発光装置。
  10. 前記サブマウントは、上面と交わる側面を有し、
    前記第1発光素子、第2発光素子、及び第3発光素子は、前記第1光出射面において前記第1光軸に沿って進む前記第1の光が出射される第1出射点、前記第2光出射面において前記第2光軸に沿って進む前記第2の光が出射される第2出射点、及び、前記第3光出射面において前記第3光軸に沿って進む前記第3の光が出射される第3出射点が、前記サブマウントの前記上面と前記側面との境界に位置する外縁から突き出るように配置され、
    上面視において、前記第1光軸方向と、前記外縁が延びる方向とは90°以外の角度で交差する、請求項9に記載の発光装置。
  11. 前記サブマウントの前記上面は頂角が90度ではない平行四辺形である、請求項10に記載の発光装置。
  12. 前記第1発光素子、第2発光素子、及び第3発光素子は、半導体レーザ素子である、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の発光装置。
JP2021052627A 2021-03-26 2021-03-26 発光装置 Active JP7636666B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021052627A JP7636666B2 (ja) 2021-03-26 2021-03-26 発光装置
US17/703,165 US20220311204A1 (en) 2021-03-26 2022-03-24 Light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021052627A JP7636666B2 (ja) 2021-03-26 2021-03-26 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022150155A true JP2022150155A (ja) 2022-10-07
JP7636666B2 JP7636666B2 (ja) 2025-02-27

Family

ID=83363780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021052627A Active JP7636666B2 (ja) 2021-03-26 2021-03-26 発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220311204A1 (ja)
JP (1) JP7636666B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102023108783A1 (de) * 2023-04-05 2024-10-10 Ams-Osram International Gmbh Halbleiterlaservorrichtung und verfahren zur herstellung einer halbleiterlaservorrichtung

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001044574A (ja) 1999-07-30 2001-02-16 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ装置
JP2002057411A (ja) 2000-08-09 2002-02-22 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ装置および光ピックアップ
JP2002094168A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Toshiba Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
US7085440B2 (en) * 2001-07-02 2006-08-01 The Furukawa Electric Co., Ltd Semiconductor laser module and optical amplifier
JP2004128045A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toshiba Corp ファイバレーザ装置
JP2004304111A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Sharp Corp 多波長レーザ装置
US6796480B1 (en) * 2003-04-03 2004-09-28 Spectra-Physics Reliability of heat sink mounted laser diode bars
JP2006053116A (ja) 2004-08-13 2006-02-23 Sei Tsunezo 複数レーザービーム結合する光学系構造
JP5162955B2 (ja) 2007-05-10 2013-03-13 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP2016020935A (ja) 2014-07-11 2016-02-04 株式会社リコー レーザー装置
CN205004612U (zh) 2015-09-10 2016-01-27 广州市普东医疗科技有限公司 简约三路钬激光器

Also Published As

Publication number Publication date
US20220311204A1 (en) 2022-09-29
JP7636666B2 (ja) 2025-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12308606B2 (en) Light emitting device
JP7698227B2 (ja) 発光装置
JP2020136386A (ja) 発光装置、及び、光学装置
US20220344896A1 (en) Light-emitting device
JP7636666B2 (ja) 発光装置
JP2024160395A (ja) 発光装置
WO2022064938A1 (ja) 発光装置及びその製造方法
US20240079513A1 (en) Light emitting device
JP2023135554A (ja) 発光装置
JP2022101471A (ja) 発光装置
WO2023276794A1 (ja) 発光装置
JP7560781B2 (ja) 発光装置
JP2023078017A (ja) 発光装置
US12224387B2 (en) Light emitting device
US12055752B2 (en) Light-emitting device and light-emitting module
JP2023078037A (ja) 発光装置
JP2022167789A (ja) 発光装置
TW202522056A (zh) 光波導基板、電子元件收納用封裝、電子模組、及電子裝置
JP2024021375A (ja) 発光装置
JP2025029031A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240227

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20241001

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20241122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20250114

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20250127

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7636666

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150