JP2022142922A - 電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位に優れる電気光学装置、および電子機器を提供する。【解決手段】電気光学装置は、第１基板２１と、第２基板３１と、第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層５と、を備え、第２基板から入射した光ＬＬが第１基板から出射する電気光学装置であって、液晶層と第１基板との間に配置された画素電極２３と、画素電極と第１基板との間に配置された遮光部２４０と、遮光部と画素電極との間の層に配置され、画素電極と平面視で重なるレンズと、液晶層に対して光の入射側に配置され、液晶層における光の位相差を補償する位相差補償板と、を有し、表示領域Ａ１０では、遮光性の遮光部材が、液晶層と位相差補償板との間に設けられておらず、レンズは、遮光部側に配置された第１層２５１と、画素電極側に配置され、第１層と屈折率が異なる第２層２５２と含む。【選択図】図５

Description

本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。

プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶装置等の電気光学装置が用いられる。液晶装置は、例えば、対向基板と、素子基板と、これら基板の間に配置される液晶層と、を備える。

特許文献１に記載の液晶装置が有する対向基板は、レンズ層と、位相差補償層と、を有している。レンズ層が設けられることにより、光を集光させることができる。位相差補償層が設けられることにより、液晶層によって生じる光の位相差が補償される。

また、特許文献２に記載の液晶装置が有する素子基板は、ＴＦＴ（thin film transistor）と、ＴＦＴと液晶層との間に配置される１層のマイクロレンズと、を有している。また、特許文献２に記載の液晶装置が有する対向基板および素子基板のそれぞれには、遮光層が設けられる。当該遮光層は、画像の表示に寄与する表示領域に配置されている。

特開２０１９－３１５９号公報 特開２０１５－３４８６０号公報

前述のように、特許文献１の液晶装置では、対向基板にレンズ層が設けられている。この構成では、液晶装置に対向基板から光が入射する場合、レンズ層により液晶層で光が集光し、液晶層の一部が劣化するおそれがある。この結果、耐光性の寿命が短くなるおそれがある。

また、前述のように、特許文献２の液晶装置では、対向基板に遮光層が設けられている。この構成では、液晶装置に対向基板から光が入射する場合、対向基板が有する遮光層により光が散乱または回析されてしまう。この結果、コントラストが低下するおそれがある。

また、前述のように、特許文献２の液晶装置では、ＴＦＴと液晶層との間に１層のマイクロレンズが設けられる。しかし、１層のマイクロレンズでは、レンズパワーが充分でない。よって、液晶装置により表示される画像が暗くなってしまうというおそれがある。

本発明の電気光学装置の一態様は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、を備え、前記第２基板から入射した光が前記第１基板から出射する電気光学装置であって、前記液晶層と前記第１基板との間に配置された画素電極と、前記画素電極と前記第１基板との間に配置された遮光部と、前記遮光部と前記画素電極との間の層に配置され、前記画素電極と平面視で重なるレンズと、前記液晶層に対して前記光の入射側に配置され、前記液晶層における前記光の位相差を補償する位相差補償板と、を有し、表示領域では、遮光性の遮光部材が、前記液晶層と前記位相差補償板との間に設けられておらず、前記レンズは、前記遮光部側に配置された第１層と、前記画素電極側に配置され、前記第１層と屈折率が異なる第２層と含む。

本発明の電子機器の一態様は、前述の電気光学装置と、前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有する。

電子機器の一例である投射型表示装置を示す模式図である。 第１実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す断面図である。 図２の対向基板およびシール部材を示す平面図である。 図２の素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 図２に示す表示パネルの概略構成を示す断面図である。 図５に示す素子基板の一部を概略的に示す平面図である。 図５に示す表示パネルの一部を示す図である。 図７に示すレンズの斜視図である。 参考例のレンズの斜視図である。 図７に示す透光層およびレンズ層を模式的に示す図である。 図１０に示す透光層およびレンズ層の各屈折率と透過率との関係を示すグラフである。 図１０に示す遮光部と頂面との間の距離と透過率との関係を示すグラフである。 図１０に示す第１層の厚みと透過率との関係を示すグラフである。 図１０に示す第１層および第２層の各深さと透過率との関係を示すグラフである。 第２実施形態の表示パネルの一部を示す図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．投射型表示装置
図１は、電子機器の一例である投射型表示装置４０００を示す模式図である。図１に示す投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。投射型表示装置４０００は、電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂと、制御部４００５と、照明光学系４００１と、照明装置４００２と、光合成素子４００３と、投射光学系４００４と、を備える。

電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。また、制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。

光合成素子４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成する。光合成素子４００３は、ダイクロイックプリズムを含む。当該ダイクロイックプリズムは、互いに直交して配置される２つのダイクロイック膜を有する。また、投射光学系４００４は、例えば投射レンズを含む。投射光学系４００４は、光合成素子４００３で合成された光を投射面４００６に投射する。これにより、投射面４００６上でフルカラー画像を得ることができる。

以上の投射型表示装置４０００は、後述の電気光学装置１００と、電気光学装置１００を制御する制御部４００５と、を備える。後述の電気光学装置１００を用いることで表示品位の低下が抑制されている。したがって、電気光学装置１００を備えることで、投射型表示装置４０００の表示品位を高めることができる。

２．電気光学装置
２Ａ．第１実施形態
２Ａａ．基本構成
図２は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の概略構成を示す断面図である。図３は、図２の対向基板３およびシール部材４を示す平面図である。なお、図２は、図３のＸ１－Ｘ１断面に相当する。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向に見ることを「平面視」とする。

図２に示す電気光学装置１００は、アクティブマトリクス駆動方式の透過型の液晶装置である。本実施形態の電気光学装置１００は、例えばＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置である。

電気光学装置１００は、表示パネル１と、位相差補償板６と、を有する。表示パネル１は、透光性を有する素子基板２と、透光性を有する対向基板３と、シール部材４と、液晶層５と、を有する。素子基板２、液晶層５、対向基板３および位相差補償板６は、この順にＺ１方向に並ぶ。なお、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、電気光学装置１００の平面視での形状は四角形であるが、例えば円形であってもよい。

本実施形態では、図１の照明装置４００２から出射される光ＬＬは、図２に示すように対向基板３から表示パネル１に入射する。その後、光ＬＬは、液晶層５を透過し、素子基板２から出射される。表示パネル１では、対向基板３に入射した光が素子基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。

素子基板２は、後述の複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）を有する基板である。図３に示すように、素子基板２には、複数の走査線駆動回路１１と信号線駆動回路１２と複数の外部端子１３とが配置される。複数の外部端子１３は、走査線駆動回路１１または信号線駆動回路１２から引き回される図示しない引き回し配線に接続される。

対向基板３は、素子基板２に対向して配置される基板である。シール部材４は、素子基板２と対向基板３との間に配置される。シール部材４は、枠状の部材である。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等で形成される。シール部材４は、素子基板２と対向基板３との間の距離を制御するために、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含む。なお、シール部材４とは別部材のスペーサーを配置することにより、素子基板２と対向基板３との間の距離を制御してもよい。

液晶層５は、素子基板２、対向基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、素子基板２と対向基板３との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層５は、例えば、負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶分子の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。

位相差補償板６は、液晶層５に対して素子基板２とは反対側、光ＬＬの入射側に配置される。図２に示す例では、位相差補償板６は、表示パネル１に対してＺ１方向に配置される。位相差補償板６は、液晶層５における位相差を補償する。位相差補償板６は、板状であり、光ＬＬの光軸に対して傾斜している。位相差補償板６の板面が光ＬＬの光軸に対して斜めに傾いていることで、光軸に対して直交する場合に比べ、前述の位相差をより効果的に補償することができる。なお、位相差補償板６の板面は、光軸に対して直交していてもよい。

図３に示すように、電気光学装置１００は、表示領域Ａ１０と、平面視で表示領域Ａ１０の外側に位置する周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０は、画像を表示する領域である。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む枠状の領域である。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２が配置される。

かかる電気光学装置１００は、例えば、前述の投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブ等の光変調器として機能する。また、電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。

２Ａｂ．素子基板２の電気的な構成
図４は、図２の素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図４に示すように、素子基板２は、複数のトランジスター２４と複数の画素電極２３とｎ本の走査線２４４とｍ本の信号線２４６とｎ本の定電位線２４５とを有する。複数の画素電極２３は「複数の電極」の例示である。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。

トランジスター２４および画素電極２３は、画素Ｐごとに設けられる。各トランジスター２４は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２４は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。各画素電極２３は、対応するトランジスター２４のドレインに電気的に接続される。

ｎ本の走査線２４４のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線２４４はＹ２方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４４のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２４のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４４は、図３に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４４には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

図４に示すｍ本の信号線２４６のそれぞれはＹ２方向に延在し、ｍ本の信号線２４６はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本の信号線２４６のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２４のソースに電気的に接続される。ｍ本の信号線２４６は、図３に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本の信号線２４６には、信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

図４に示すｎ本の走査線２４４とｍ本の信号線２４６とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４４と隣り合う２つの信号線２４６とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。

ｎ本の定電位線２４５のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の定電位線２４５はＹ２方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の定電位線２４５は、ｍ本の信号線２４６およびｎ本の走査線２４４に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各定電位線２４５には、グランド電位等の固定電位が印加される。ｎ本の定電位線２４５は、対応する蓄積容量２４１に電気的に接続される。蓄積容量２４１は、画素電極２３の電位を保持するための容量素子である。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４４が順次選択されると、選択される走査線２４４に接続されるトランジスター２４がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２４６を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４４に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２３に印加される。これにより、画素電極２３と後述する対向基板３が有する対向電極３３との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２４１によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光ＬＬが変調され階調表示が可能となる。

２Ａｃ．表示パネル１の構成
図５は、図２に示す表示パネル１の概略構成を示す断面図である。図６は、図５に示す素子基板２の一部を概略的に示す平面図である。

図５に示すように、表示パネル１の表示領域Ａ１０は、複数の透光領域Ａ１１と、遮光領域Ａ１２と、を有する。各透光領域Ａ１１は、光ＬＬが透過する領域である。図６に示すように、複数の透光領域Ａ１１は、互いに離間し、平面視で行列状に配置される。遮光領域Ａ１２は、平面視で複数の透光領域Ａ１１を囲む格子状の領域である。

２Ａｃ－１．素子基板２
図５に示すように、素子基板２は、第１基板２１と、積層体２２と、透光層２６１と、レンズ層２５と、絶縁層２６２と、複数の画素電極２３と、第１配向膜２９と、を有する。第１基板２１、積層体２２、透光層２６１、レンズ層２５、絶縁層２６２、複数の画素電極２３および第１配向膜２９は、この順にＺ１方向に積層される。なお、前述のように、複数の画素電極２３は「複数の電極」の例示である。また、積層体２２には、複数のトランジスター２４、および遮光性の遮光部２４０が設けられる。「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは１０％以下であることをいう。

第１基板２１は、透光性および絶縁性を有する平板である。第１基板２１は、例えばガラスまたは石英で形成される。図４に示す例では、積層体２２は、絶縁膜２１１、２２２、２２３および２２４を有する。絶縁膜２１１、２２２、２２３および２２４は、画素電極２３に向かってこの順に配置される。絶縁膜２１１、２２２、２２３および２２４のそれぞれは、例えば、熱酸化またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等で成膜される酸化ケイ素膜である。

複数のトランジスター２４および遮光部２４０は、第１基板２１と複数の画素電極２３との間に配置される。具体的には、複数のトランジスター２４および遮光部２４０は、積層体２２の膜間に配置される。なお、図５ではトランジスター２４および遮光部２４０は模式的に図示される。トランジスター２４は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する半導体層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極とを有する。

遮光部２４０は、前述の図３に示す複数の蓄積容量２４１、複数の走査線２４４および複数の信号線２４６等を含む遮光性の膜の集合体である。図５では、複数の信号線２４６が代表して図示される。また、遮光部２４０は、複数の中継電極２４９と、複数の遮光膜２４７と、複数のコンタクト２４８と、を有する。各中継電極２４９は、トランジスター２４のドレインに電気的に接続される。各遮光膜２４７は、トランジスター２４へのＺ１方向からの光の入射を防ぐために設けられる。また、複数のコンタクト２４８は、複数の画素電極２３に１対１で接続される。コンタクト２４８は、画素電極２３と中継電極２４９とを接続する。

また、遮光部２４０は、平面視で複数の透光領域Ａ１１を囲む格子状の遮光領域Ａ１２に配置される。図６に示すように、遮光部２４０の平面視での形状は、複数の透光領域Ａ１１を囲む枠状である。なお、遮光部２４０が有するコンタクト２４８は、遮光領域Ａ１２に配置されるが、コンタクト２４８の一部は、透光領域Ａ１１に位置してもよい。また、コンタクト２４８は、平面視で走査線２４４と重なる領域、又は、信号線２４６と重なる領域に設けても良い。

遮光部２４０が有する蓄積容量２４１、走査線２４４、信号線２４６およびコンタクト２４８等は、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属シリサイド、または金属化合物を用いて形成される。

図５に示すように、透光層２６１は、積層体２２上に配置される。透光層２６１は、絶縁性および透光性を有する。透光層２６１上にはレンズ層２５が配置される。レンズ層２５は、透光性および絶縁性を有しており、光ＬＬを集光させる。レンズ層２５上には、絶縁層２６２が配置される。絶縁層２６２は、透光性および絶縁性を有する。絶縁層２６２は、例えば、レンズ層２５の特性を安定させるために設けられる。なお、絶縁層２６２は、省略してもよい。透光層２６１およびレンズ層２５については後で詳述する。

絶縁層２６２上には、複数の画素電極２３が配置される。複数の画素電極２３は、複数の透光領域Ａ１１に対応して配置される。画素電極２３は、透光領域Ａ１１に１対１で配置される。各画素電極２３は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。各画素電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成される。複数の画素電極２３は、平面視で行列状に配置される。

複数の画素電極２３を覆うように、第１配向膜２９が配置される。第１配向膜２９は、液晶分子を配向させるための膜である。第１配向膜２９の材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。

２Ａｃ－２．対向基板３
図５に示すように、対向基板３は、第２基板３１と、無機絶縁膜３２と、対向電極３３と、第２配向膜３４と、見切り部３５と、を有する。第２基板３１、無機絶縁膜３２、対向電極３３、および第２配向膜３４は、この順にＺ２方向に積層される。

第２基板３１は、透光性および絶縁性を有する平板である。第２基板３１は、例えばガラスまたは石英で形成される。第２基板３１と前述の第１基板２１との間に、液晶層５が配置される。また、無機絶縁膜３２は、透光性および絶縁性を有する。無機絶縁膜３２は、例えば、酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で形成される。

無機絶縁膜３２には、遮光性を有する見切り部３５が配置される。見切り部３５は、平面視で複数の画素電極２３を囲むように図３に示す周辺領域Ａ２０に配置される。見切り部３５の平面視での形状は、枠状である。見切り部３５は、表示領域Ａ１０に入射し得る光ＬＬの一部を遮蔽するために設けられる。見切り部３５は、例えば、タングステン、クロムおよびアルミニウム等の金属、金属シリサイド、または金属化合物で形成される。

対向電極３３は、複数の画素電極２３に対して液晶層５を介して配置される共通電極である。対向電極３３は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。対向電極３３は、複数の画素Ｐで共通に設けられる。対向電極３３は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料で形成される。また、第２配向膜３４は、液晶層５の液晶分子を配向させるための膜である。第２配向膜３４の材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。

かかる対向基板３は、表示領域Ａ１０内に、遮光性を有する遮光部材および光ＬＬを屈折させるレンズ部材が配置されていない。

２Ａｄ．透光層２６１およびレンズ層２５
図７は、図４に示す表示パネル１の一部を示す図である。以下、透光層２６１およびレンズ層２５について詳述する。

図７に示すように、透光層２６１は、複数の湾曲状の凹面２６１１を有する。透光領域Ａ１１ごとに一つの凹面２６１１が設けられる。透光層２６１はレンズ層２５からＺ２方向へ出射した光線の焦点位置を調整する作用がある。透光層２６１の材料は、例えば、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料である。

透光層２６１上には、複数の凹面２６１１の内側を埋めるようにレンズ層２５が配置される。レンズ層２５は、例えば、酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で形成される。レンズ層２５の屈折率は、透光層２６１の屈折率とは異なる。本実施形態では、レンズ層２５の屈折率は、透光層２６１の屈折率よりも大きい。

レンズ層２５は、複数の透光領域Ａ１１に対応して配置される複数のレンズ２５０を有する。複数のレンズ２５０は、レンズ面を含む。当該レンズ面は、透光層２６１の凹面２６１１に接触する湾曲状の凸面である。各レンズ２５０は、絶縁層２６２からＺ２方向に突出する。レンズ２５０は、透光領域Ａ１１ごとに設けられる。レンズ２５０によって光ＬＬを屈折させて集光することにより、トランジスター２４への光ＬＬの入射を抑制することができる。

また、レンズ層２５は、第１層２５１と第２層２５２とを有する。第１層２５１Ａと第２層２５２Ａとは互いに接触する。第１層２５１は、透光層２６１と第２層２５２との間に配置され、透光層２６１と第２層２５２とに接触する。第１層２５１は、透光層２６１の凹面２６１１の形状に沿って形成される。第２層２５２は、第１層２５１に対して透光層２６１と反対側に配置される。本実施形態では、第２層２５２は、第１層２５１と複数の画素電極２３との間に配置される。第２層２５２は、凹面２６１１の内側の領域のうち第１層２５１以外の部分を埋める。また、第１層２５１の屈折率と第２層２５２との屈折率とは、互いに異なる。本実施形態では、第２層２５２の屈折率は、第１層２５１の屈折率よりも高い。なお、第２層２５２の屈折率は、第１層２５１の屈折率よりも低くてもよい。

レンズ層２５と複数の画素電極２３との間には、絶縁層２６２が配置される。絶縁層２６２の材料は、例えば、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料である。なお、絶縁層２６２は、例えば、ＢＳＧ（Borosilicate Glass）等の透光性および吸湿性を有する無機材料で形成された膜を有してもよい。

ここで、前述のように、電気光学装置１００は、第２基板３１から入射した光ＬＬが第１基板２１から出射する。また、電気光学装置１００は、液晶層５に対して第１基板２１とは反対側に配置され、液晶層５における光ＬＬの位相差を補償する位相差補償板６を有する。位相差補償板６を有することで、液晶層５に光ＬＬが入射する前に、光ＬＬは位相差補償板６に入射し、液晶層５のプレチルトによる位相ずれを補償することができる。よって、視野角依存性を低減することができ、正面方向を含む広範囲の方向におけるコントラストの低下を抑制することができる。

さらに、表示領域Ａ１０では、遮光性を有する遮光部材が、液晶層５と位相差補償板６との間に設けられていない。すなわち、対向基板３には、表示領域Ａ１０内に遮光部材が配置されていない。このため、位相差補償板６を透過した光ＬＬが液晶層５に入射する前に、当該遮光部材により散乱または回折するおそれがない。それゆえ、位相差補償板６を用いることによる効果が好適に発揮され、コントラストの低下が抑制される。

また、表示領域Ａ１０では、レンズ部材が、液晶層５と位相差補償板６との間に設けられていない。すなわち、対向基板３には、表示領域Ａ１０内にレンズ部材が配置されていない。このため、位相差補償板６を透過した光ＬＬが、当該レンズ部材によって液晶層５内で集光するおそれがない。それゆえ、集光による液晶層５の劣化が抑制されるので、集光によって耐光性寿命が短くなるおそれがない。特に、高光束のプロジェクターでは、液晶層５に対して光ＬＬの入射側に配置されたレンズ部材により液晶層５に入射する光ＬＬが集光されると、耐光性寿命に悪影響が生じるおそれがある。したがって、レンズ部材を有さない対向基板３を備える電気光学装置１００をプロジェクターに用いることは特に有用である。

また、対向基板３は表示領域Ａ１０においてレンズ部材および遮光部材を備えていないため、対向基板３がこれら部材を備えている場合に比べ、素子基板２と対向基板３との組ずれの影響が少ない。また、素子基板２にレンズ層２５および遮光部２４０の双方が設けられているため、レンズ層２５と遮光部２４０との位置ずれが生じ難い。

また、電気光学装置１００は、液晶層５と第１基板２１との間に配置されるレンズ層２５を有する。このため、レンズ層２５によって、液晶層５を透過した光ＬＬを集光させることができる。また、レンズ層２５は、第１層２５１と、第１層の屈折率と異なる屈折率の第２層２５２と、を有する。このため、レンズ層２５が一層で構成される場合に比べ、レンズパワーをきめ細かく調整できる。よって、遮光部２４０に光ＬＬが入射するおそれが抑制され、第１基板２１を透過する光の量を増加させることができ、同時に投射光学系４００４が有する投射レンズに、光を多く入射させる事ができる。この結果、より明るい画像を得ることができる。

このようなことから、電気光学装置１００によれば、コントラストの低下および耐光性寿命の低下を抑制しつつ、従来よりも明るい画像を表示することができる。よって、表示品位に優れる電気光学装置１００を提供することができる。

図８は、図７に示すレンズ２５０の斜視図である。図８は、複数のレンズ２５０の１つのレンズ２５０を示す図である。図９は、参考例のレンズ２５０ｘの斜視図である。

図８に示すように、レンズ２５０は、平坦な頂面２５８を有する。したがって、複数のレンズ２５０のそれぞれは、平坦な頂面２５８を有する。図７に示すように、頂面２５８は、Ｘ－Ｙ平面に平行である。頂面２５８は、画素電極２３の表面に平行である。図６に示すように、頂面２５８は、平面視でレンズ２５０の中央部に位置する。

一方、図９に示すように、レンズ２５０ｘは、平坦な頂面２５８を有さない。レンズ２５０ｘの曲率が大きくなり過ぎると、電気光学装置１００を透過した光ＬＬを利用し難くなる場合がある。例えば、レンズ２５０ｘの曲率が大きくなり過ぎると、電気光学装置１００を透過する光ＬＬの一部が、図１に示す投射光学系４００４が有する投射レンズに入射されないおそれがある。よって、複数のレンズ２５０の中央部に位置する頂面２５８は、平坦であることが好ましい。なお、レンズ２５０は、平坦な頂面２５８を有さなくてもよい。

また、図６に示すように、頂面２５８は、平面視で透光領域Ａ１１内に存在する。そして、頂面２５８の縁と、遮光部２４０の縁との平面視での最短距離Ｌは、下記式（１）を満足することが好ましい。
Ｌ＞Ｌ０×ｔａｎθ＋ｘ ・・・（１）
式（１）中のｘは、複数のレンズ２５０と遮光部２４０との平面視での位置ずれ誤差である。すなわち、ｘは、レンズ層２５と遮光部２４０との製造上の誤差である。Ｌ０は、図７に示すように、レンズ２５０の頂面２５８と、遮光部２４０のうちで最もレンズ２５０よりに配置された中継電極２４９との間の距離である。また、式（１）中のθは、表示パネル１に入射する入射角度の光ＬＬの光軸に対する最大値である。

式（１）を満足することで、満足していない場合に比べ、コントラストの低下を抑制することができる。また、電気光学装置１００をプロジェクターに用いた場合、図１に示す投射光学系４００４が有する投射レンズのケラレを抑制することができる。なお、最短距離Ｌは、上記式（１）を満足しなくてもよい。

また、図８に示すように、レンズ２５０の稜線２５９は、直線状である。したがって、複数のレンズ２５０のそれぞれの稜線２５９は、直線状である。稜線２５９は、複数のレンズ２５０同士の境界であり、各レンズ２５０の谷部である。一方、図９に示すように、レンズ２５０ｘの稜線２５９ｘは、曲線状である。

図８に示すように、各レンズ２５０の稜線２５９が直線状になるよう複数のレンズ２５０同士を離間させることで、図８に示すレンズ２５０のレンズ面の面積を図９に示すレンズ２５０ｘのレンズ面の面積よりも大きくすることができる。このため、遮光部２４０に入射する光ＬＬを低減しつつ、電気光学装置１００を透過する光ＬＬの量を増加させることができる。

図１０は、図７に示す透光層２６１およびレンズ層２５を模式的に示す図である。前述のように、図１０に示す第２層２５２の屈折率ｎ２は、第１層２５１の屈折率ｎ１よりも高い。このため、屈折率ｎ２が屈折率ｎ１以下である場合に比べ、電気光学装置１００を透過する光ＬＬの量を増加させることができる。すなわち、電気光学装置１００の透過率を高めることができる。よって、より明るい画像を表示することができる。

さらに、透光層２６１の屈折率ｎ０、第１層２５１の屈折率ｎ１、および第２層２５２の屈折率ｎ２は、この順に大きい。すなわち、透光層２６１の屈折率ｎ０、第１層２５１の屈折率ｎ１、および第２層２５２の屈折率ｎ２は、ｎ０＜ｎ１＜ｎ２の関係を満たす。ｎ０＜ｎ１＜ｎ２の関係を満たすことで、満たさない場合に比べ、電気光学装置１００の透過率を高めることができる。

図１１は、図１０に示す透光層２６１およびレンズ層２５の各屈折率と透過率との関係を示すグラフである。グラフの縦軸では、透光層２６１およびレンズ層２５における透過率が上に向かって大きくなる。

図１１に示すように、屈折率ｎ０、ｎ１およびｎ２がｎ０＜ｎ１＜ｎ２の関係を満たす場合、透過率が最も高い。したがって、ｎ０＜ｎ１＜ｎ２の関係を満たすことで、当該関係を満足しない場合に比べ、より明るい画像を表示することができる。

なお、屈折率ｎ０、ｎ１およびｎ２は、ｎ０＜ｎ１＜ｎ２の関係の満たさなくてもよい。例えば、屈折率ｎ０、ｎ１およびｎ２は、ｎ０＜ｎ２＜ｎ１の関係を満たしてもよい。

また、レンズ層２５の材料は、好ましくは酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）である。よって、第１層２５１および第２層２５２の各材料は、好ましくは酸窒化ケイ素である。酸窒化ケイ素をもちいることで、低温でレンズ層２５を成膜することができるので、高屈折率のレンズ層２５を簡単に実現することができる。また、酸窒化ケイ素を用いることで、酸素と窒素との含有比率を調整することにより、第１層２５１の屈折率ｎ１および第２層２５２の屈折率ｎ２を簡単に異ならせることができる。

さらに、透光層２６１の材料は、好ましくは酸窒化ケイ素または酸化ケイ素であり、より好ましくは酸化ケイ素である。酸窒化ケイ素を用いることで、酸素と窒素との含有比率を調整することにより、第１層２５１の屈折率ｎ１、第２層２５２の屈折率ｎ２および透光層２６１の屈折率ｎ０を簡単に異ならせることができる。また、透光層２６１の材料が酸化ケイ素であることで、透光層２６１の屈折率ｎ０を第１層２５１の屈折率ｎ１および第２層２５２の屈折率ｎ２よりも特に簡単に小さくすることができる。

なお、レンズ層２５および透光層２６１の各材料は、例えば酸化アルミニウムまたは樹脂材料等で合ってもよい。

また、前述した画素電極２３と中継電極２４９とを接続するコンタクト２４８は、好ましくは、積層体２２に形成される貫通孔であるコンタクトホールを埋める柱状である。柱状であることで、当該コンタクトホールの壁面に沿って形成される所謂トレンチ状である場合に比べ、コンタクト部の各配置スペースを小さくすることができる。したがって、開口率の低下、すなわち透光領域Ａ１１の面積が小さくなることを抑制することができる。なお、コンタクト２４８は、例えば、トレンチ状でもよい。また、コンタクト２４８は、好ましくはタングステンを含む。タングステンを含むことで、高精細な柱状のコンタクト部を容易に形成することができる。

また、図１０に示す遮光部２４０と頂面２５８との間の距離Ｌ０は、図６に示す複数の透光領域Ａ１１のピッチＰ１１の６０％以下であることが好ましい。ピッチＰ１１は、Ｘ１方向またはＹ１方向に隣接する２つのレンズ２５０の中心Ｏ１同士の距離である。

図１２は、図１０に示す遮光部２４０と頂面２５８との間の距離Ｌ０と透過率との関係を示すグラフである。グラフの横軸では、距離Ｌ０が右に向かって大きくなり飽和する傾向である。また、図１２に示す横軸は、距離Ｌ０がピッチＰ１１の５６％以上７０％以下に相当する範囲を示している。グラフの縦軸では、透光層２６１およびレンズ層２５における透過率が上に向かって大きくなる。

図１２に示すように、距離Ｌ０がピッチＰ１１の５６％以上７０％以下に相当する範囲では、透過率の低下はほぼ見られない。よって、距離Ｌ０が大きくなっても、透光性の低下はほぼ見られない。しかし、距離Ｌ０が厚くなるほど、コンタクト２４８の形成が難しい。したがって、コンタクト２４８を形成し易くするためには、距離Ｌ０は、過度に大きくならないことが好ましい。具体的には、前述のように、距離Ｌ０は、ピッチＰ１１の６０％以下であることが好ましい。ピッチＰ１１の６０％以下であることで、距離Ｌ０がピッチＰ１１の６０％を超える場合に比べ、コンタクト２４８を形成し易く、かつ透光層２６１およびレンズ層２５における透過率を充分に確保することができる。なお、距離Ｌ０がピッチＰ１１の６０％を超える場合、コンタクト２４８を形成するためのコンタクトホールの形成、および当該コンタクトホール内にコンタクト２４８を充填することが難しくなるおそれがある。

また、透過率の向上の観点から、第１層２５１の厚みＤ１は、ピッチＰ１１の３０％以上であることが好ましい。

また、図１０に示す第１層２５１の厚みＤ１は、図６に示す複数の透光領域Ａ１１のピッチＰ１１の２倍以下であることが好ましい。なお、厚みＤ１は、第１層２５１の平均膜厚である。

図１３は、図１０に示す第１層２５１の厚みＤ１と透過率との関係を示すグラフである。グラフの横軸では、厚みＤ１が右に向かって大きくなる。グラフの縦軸では、透光層２６１およびレンズ層２５における透過率が上に向かって大きくなる。

図１３に示すように、第１層２５１の厚みＤ１が厚くなるほど、透過率が大きくなる。しかし、厚みＤ１が厚くなるほど、コンタクト２４８の形成は難しくなる。これらを考慮して、透過率を向上させ、コンタクト２４８の形成を容易にするために、第１層２５１の厚みＤ１は、ピッチＰ１１の２倍以下であることが好ましい。また、透過率の向上の観点から、第１層２５１の厚みＤ１は、ピッチＰ１１の１．０倍以上であることが好ましい。

また、図１０に示す第１層２５１の深さｄ１と第２層２５２の深さｄ２とは、等しいことが好ましい。なお、当該等しいとは、実質的に等しいことを意味し、深さｄ１と深さｄ２との差が±５％以内の差も含む。そして、第１層の深さｄ１および第２層２５２の深さｄ２のそれぞれは、図６に示す複数の透光領域Ａ１１のピッチＰ１１の３０％以上６０％以下であることが好ましい。深さｄ１は、頂面２５８と稜線２５９とのＺ１方向の距離である。深さｄ２は、凹面２６１１の内側における第２層２５２のＺ１方向の長さである。

図１４は、図１０に示す第１層２５１および第２層２５２の各深さと透過率との関係を示すグラフである。グラフの横軸は、深さｄ１またはｄ２を示す。グラフの横軸では、深さｄ１または深さｄ２が右に向かって大きくなる。グラフの縦軸では、透光層２６１およびレンズ層２５における透過率が上に向かって大きくなる。

図１４に示すように、第１層２５１の深さｄ１および第２層２５２の深さｄ２が小さすぎると透過率が低下してしまう。また、第１層２５１の深さｄ１および第２層２５２の深さｄ２が大きすぎても透過率が低下してしまう。深さｄ１およびＤ２と透過率との関係を検討した結果、深さｄ１およびさＤ２は、図６に示す複数の透光領域Ａ１１のピッチＰ１１の３０％以上６０％以下であることが好ましい。当該範囲内であることで、当該範囲外である場合に比べ、透過率の大幅な低下が抑制される。よって、かかる範囲内であることで、範囲外である場合に比べ、透過率の向上を図ることができる。

なお、深さｄ１と深さｄ２とは互いに異なっていてもよい。

また、コンタクト２４８のＺ１方向の長さは、特に限定されないが、図６に示すピッチＰ１１の長さの３倍以下であることが好ましい。３倍以下であることで、３倍を超える場合に比べ、コンタクト２４８の形成が容易である。

２Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１５は、第２実施形態の表示パネル１Ａの一部を示す図である。本実施形態の表示パネル１は、第１実施形態の透光層２６１、レンズ層２５および絶縁層２６２の代わりに、透光層２６１Ａ、レンズ層２５Ａおよび絶縁層２６２Ａを有する。なお、以下では、透光層２６１Ａ、レンズ層２５Ａおよび絶縁層２６２Ａについて、第１実施形態の透光層２６１、レンズ層２５および絶縁層２６２と異なる事項を説明し、同様の事項の説明は適宜省略する。

図１５に示すように、絶縁層２６２Ａは、積層体２２上に配置される。レンズ層２５Ａは、絶縁層２６２Ａ上に配置される。透光層２６１Ａは、レンズ層２５Ａ上に配置され、レンズ層２５Ａに接触している。透光層２６１Ａ上には、複数の画素電極２３が配置される。したがって、遮光部２４０、絶縁層２６２Ａ、レンズ層２５Ａ、透光層２６１Ａおよび複数の画素電極２３は、Ｚ１方向にこの順に配置される。

レンズ層２５Ａは、複数のレンズ２５０Ａを有する。各レンズ２５０Ａは、絶縁層２６２ＡからＺ１方向に突出する。また、レンズ層２５Ａは、第１層２５１Ａと第２層２５２Ａとを有する。第１層２５１Ａは、透光層２６１Ａと第２層２５２Ａとの間に配置され、透光層２６１Ａと第２層２５２Ａとに接触する。第２層２５２Ａは、第１層２５１Ａに対して透光層２６１Ａと反対側に配置される。本実施形態では、第２層２５２Ａは、第１層２５１Ａと遮光部２４０との間に配置される。

また、本実施形態においても第１実施形態と同様に、第１層２５１Ａの屈折率ｎ１と第２層２５２との屈折率ｎ２とは、互いに異なる。具体的には、第２層２５２Ａの屈折率ｎ２は、第１層２５１Ａの屈折率ｎ１よりも高い。さらに、透光層２６１の屈折率ｎ０、第１層２５１の屈折率ｎ１、および第２層２５２の屈折率ｎ２は、ｎ０＜ｎ１＜ｎ２の関係を満たす。ｎ０＜ｎ１＜ｎ２の関係を満たすことで、満たさない場合に比べ、電気光学装置１００の透過率を高めることができる。

また、本実施形態においても第１実施形態と同様に、レンズ層２５Ａの材料は、好ましくは酸窒化ケイ素である。また、透光層２６１Ａの材料は、好ましくは酸窒化ケイ素または酸化ケイ素であり、より好ましくは酸化ケイ素である。

また、本実施形態においても第１実施形態と同様に、図１５に示す遮光部２４０と頂面２５８との間の距離Ｌ０は、図６に示すピッチＰ１１の６０％以下であることが好ましい。また、第１層２５１Ａの厚みＤ１と図６に示すピッチＰ１１との関係、および第１層２５１Ａの深さｄ１および第２層２５２Ａの深さｄ２と図６に示すピッチＰ１１との関係も、第１実施形態と同様である。

以上の第２実施形態によっても、第１実施形態と同様に、コントラストの低下および耐光性寿命の低下を抑制しつつ、従来よりも明るい画像を表示することができる。よって、表示品位に優れる電気光学装置１００を提供することができる。

２．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

前述の各実施形態では、位相差補償板６は、表示パネル１とは別体に設けられている。しかし、位相差補償板６は、例えば対向基板３内に設けられていてもよい。この場合、位相差補償板６は、光ＬＬの光軸に対して傾斜していなくてもよく、光軸に対して直交していてもよい。

前述の各実施形態では、レンズ層２５または２５Ａは、２層構成であるが、３層以上で構成されてもよい。

前述の実施形態では、遮光部２４０と複数の画素電極２３との間にレンズ層２５または２５Ａが配置されている。ただし、レンズ層２５または２５Ａに加えて、第１基板２１と遮光膜２４７との間に他のレンズ層が配置されてもよい。当該他のレンズ層は、例えば、レンズ層２５または２５Ａによって集光した光ＬＬを平行光に近づけ、投射光学系４００４が有する投射レンズに、光を多く入射させるために設けられる。

前述の各実施形態では、トランジスター２４は、ＴＦＴであったが、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）であってもよい。

前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

「電気光学装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。第１実施形態では、素子基板２に画素電極２３が設けられ、対向基板３に対向電極３３が設けられるが、素子基板２または対向基板３のいずれか一方のみに、液晶層５に電界を印加するための電極が設けられてもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＶＡモード以外に、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。

３．その他の電子機器
電気光学装置１００は、前述の投射型表示装置４０００の他に、例えば以下の各種電子機器に用いることができる。

図１６は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図１７は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、電気光学装置１００を制御する制御部２００３または３００２と、を備える。電気光学装置１００は表示品位の低下が抑制されている。したがって、電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００またはスマートフォン３０００の表示品位を高めることができる。

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。

１…表示パネル、１Ａ…表示パネル、１ｂ…電気光学装置、１ｇ…電気光学装置、１ｒ…電気光学装置、２…素子基板、３…対向基板、４…シール部材、５…液晶層、６…位相差補償板、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１３…外部端子、２１…第１基板、２２…積層体、２３…画素電極、２４…トランジスター、２５…レンズ層、２５Ａ…レンズ層、２９…第１配向膜、３１…第２基板、３２…無機絶縁膜、３３…対向電極、３４…第２配向膜、３５…見切り部、１００…電気光学装置、２１１…絶縁膜、２２２…絶縁膜、２２３…絶縁膜、２２４…絶縁膜、２４０…遮光部、２４１…蓄積容量、２４４…走査線、２４５…定電位線、２４６…信号線、２４７…遮光膜、２４８…コンタクト、２４９…中継電極、２５０…レンズ、２５０Ａ…レンズ、２５０ｘ…レンズ、２５１…第１層、２５１Ａ…第１層、２５２…第２層、２５２Ａ…第２層、２５８…頂面、２５９…稜線、２５９ｘ…稜線、２６１…透光層、２６１Ａ…透光層、２６１１…凹面、２６２…絶縁層、２６２Ａ…絶縁層、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…光合成素子、４００４…投射光学系、４００５…制御部、４００６…投射面、Ａ１０…表示領域、Ａ１１…透光領域、Ａ１２…遮光領域、Ａ２０…周辺領域、Ｄ１…厚み、Ｌ…最短距離、Ｌ０…距離、ＬＬ…光、Ｏ１…中心、Ｐ…画素、Ｐ１１…ピッチ、ｄ１…深さ、ｄ２…深さ、ｎ０…屈折率、ｎ１…屈折率、ｎ２…屈折率。

Claims (12)

1. 第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、を備え、前記第２基板から入射した光が前記第１基板から出射する電気光学装置であって、
   前記液晶層と前記第１基板との間に配置された画素電極と、
   前記画素電極と前記第１基板との間に配置された遮光部と、
   前記遮光部と前記画素電極との間の層に配置され、前記画素電極と平面視で重なるレンズと、
   前記液晶層に対して前記光の入射側に配置され、前記液晶層における前記光の位相差を補償する位相差補償板と、を有し、
   表示領域では、遮光性の遮光部材が、前記液晶層と前記位相差補償板との間に設けられておらず、
   前記レンズは、前記遮光部側に配置された第１層と、前記画素電極側に配置され、前記第１層と屈折率が異なる第２層と含む、
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第２層の屈折率は、前記第１層の屈折率よりも高い、請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記レンズの材料は、酸窒化ケイ素である、請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１層に接触する透光性の透光層を、さらに有し、
   前記透光層の屈折率、前記第１層の屈折率、および前記第２層の屈折率は、この順に大きい、請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記レンズは、平坦な頂面を有する、請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記頂面の縁と、前記遮光部の縁との平面視での最短距離Ｌは、下記式（１）を満足する、請求項５に記載の電気光学装置。
   Ｌ＞Ｌ０×ｔａｎθ＋ｘ ・・・（１）
   式（１）中のｘは、前記レンズと前記遮光部との平面視での位置ずれ誤差であり、θは、前記光の光軸に対する入射角度の最大値であり、Ｌ０は、前記頂面と前記遮光部との間の距離である。
7. 前記表示領域は、前記光が透過する複数の透光領域と、平面視で前記複数の透光領域を囲む格子状の遮光領域とを有し、
   前記遮光部と前記頂面との間の距離は、前記複数の透光領域のピッチの６０％以下である、請求項５または６に記載の電気光学装置。
8. 前記表示領域は、前記光が透過する複数の透光領域と、平面視で前記複数の透光領域を囲む格子状の遮光領域とを有し、
   前記第１層の厚みは、前記複数の透光領域のピッチの２倍以下である、請求項１から７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
9. 前記表示領域は、前記光が透過する複数の透光領域と、平面視で前記複数の透光領域を囲む格子状の遮光領域とを有し、
   前記第１層の深さと前記第２層の深さとが互いに等しく、
   前記第１層および前記第２層の各深さは、前記複数の透光領域のピッチの３０％以上６０％以下である、請求項１から８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
10. 前記レンズの稜線は、直線状である、請求項１から９のいずれか１項に記載の電気光学装置。
11. 前記遮光部は、前記画素電極に接続されるコンタクトを有し、
    前記コンタクトは、タングステンを含む柱状である、請求項１から１０のいずれか１項に記載の電気光学装置。
12. 請求項１から１１のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
    前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

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