JP2021143288A - シンチレータ、放射線検知器、及び放射線画像システム - Google Patents
シンチレータ、放射線検知器、及び放射線画像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021143288A JP2021143288A JP2020043102A JP2020043102A JP2021143288A JP 2021143288 A JP2021143288 A JP 2021143288A JP 2020043102 A JP2020043102 A JP 2020043102A JP 2020043102 A JP2020043102 A JP 2020043102A JP 2021143288 A JP2021143288 A JP 2021143288A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- radiation
- powder
- less
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 34
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 33
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 20
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 14
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 12
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000003991 Rietveld refinement Methods 0.000 claims description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 2
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 2
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 2
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000002600 positron emission tomography Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000005231 Edge Defined Film Fed Growth Methods 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100021025 Regulator of G-protein signaling 19 Human genes 0.000 description 1
- 101710148108 Regulator of G-protein signaling 19 Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N alumane;yttrium Chemical compound [AlH3].[Y] PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000278 gas antisolvent technique Methods 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- -1 inorganic acid salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003625 skull Anatomy 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
【課題】受光器に適した発光ピーク波長を有し、DTが短く、かつ発光量を改善したシンチレータ材料を提供することを課題とする。【解決手段】下記一般式(1)を満たすシンチレータを含むシンチレータ材料を用いて、課題を解決する。(A1—a−bM1aM2b)x(Al1−cM3c)yOz・・・(1)(式(1)中、AはGd、Y、Lu及びLaからなる群より選択される少なくとも一種を含み、M1はAと異なる賦活元素を表し、M2はA、M1と異なる元素であってCa、Sr、Ba、Y、La、Sm、Gd、Dy、Ho、Luからなる群より選択される少なくとも一種を含み、M3は少なくともGa、Sc又はInを含み、x、y、z、a、b、cはそれぞれ独立に0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.5、2≦z≦4、0<a≦0.5、0≦b≦0.9、0<c≦0.8を満たす。)【選択図】 図1
Description
本発明は、放射線を光に変換するシンチレータ材料、及びこのシンチレータ材料を用いた放射線検知器、並びに放射線画像システムに関する。
放射線検査装置は、被写体にγ線、X線、中性子線等の放射線を照射し、透過した放射線を直接または間接的に電気信号に変換し、画像化等を行う装置である。放射線検査装置は、非破壊検査用検出器、資源探査用検出器、高エネルギー物理用検出器などの非破壊検査用の検査装置、又は医用画像処理装置などの診断装置など、様々な分野及び態様で使用されている。
中でも医療分野においては、被写体の放射線被爆量を低減するため、少ない照射量でより明るく、鮮明な画像を得られる放射線検出器が求められている。
現在の医療診断分野においてX線CTは根幹をなす需要な役割を担っている。現行のX線CTは、エネルギー積分型CTであり、一定時間電荷を蓄積した後に電流値として読み出すために、エネルギー情報が獲得できない。ゆえに、得られる画像はモノクロ画像で、CT値(線減弱係数)が同じ物質の弁別が出来ない。更に、1回の測定で10mSVものX線を浴び、被爆の問題も存在する。一方の次世代X線CTとして期待されているのが、フォトンカウンティングCT(PCCT)であり、フォトンカウンティングによりエネルギー情報を獲得でき、エネルギー弁別が可能になる。また、マルチピクセルフォトンカウンタ(MPPC)を受光器として使うことにより1回の撮影の被ばく量を0.1mSVと大幅に減らすことができる。しかしながら、高精細な画像を得るために、107〜8/counts/s/mm2のカウントレートが必要であり、この逆数である10〜100nsという高速の蛍光寿命(シンチレーションディケイタイム、以下単にDTと記載することもある)が要求される。
放射線検知器は、放射線を光に変換するシンチレータと、シンチレータから放出された光を電気信号に変換するCCDやフォトディテクタ(PD)、アバランシェフォトダイオード(APD), マルチピクセルフォトンカウンタ(MPPC)等の受光器とを含む。
X線、γ線などの放射線を光に変換するシンチレータ材料は、代表的なものとして、Gd2O2S:Pr3+、Ce3+(GOS)、CsI:Tl+、Lu2SiO5:Ce3+(LSO)、(Lu、Y)2SiO5:Ce3+(LYSO)、Gd3(Al、Ga)5O12(GAGG)、Gemstone(商標)などが知られている。
これらの材料はいずれも十分な発光量(10000MeV以上)を示し、放射線阻止能も十分に高い。なお、Lu含有原料は高価である。
これらの材料はいずれも十分な発光量(10000MeV以上)を示し、放射線阻止能も十分に高い。なお、Lu含有原料は高価である。
近年医療分野においては、MPPCを使用することで被写体の被爆量を大幅に低減するフォトンカウンティングCTが注目されている。フォトンカウンティングCTにおいては、高精細な画像を得かつ照射量を減らすために、非常に短いDTを示すシンチレータ材料が求められているが、上述した従来のシンチレータ材料のDTはいずれも30ns以上であるため、より短いDTを示すシンチレータ材料が求められている。また、Luを用いたものは高価であるため、安価に製造できるシンチレータ材料が求められている。
こうした中、医療用途のシンチレータ材料として、YAlO3で表されるイットリウム・アルミニウム・ペロブスカイト(YAP)が試されている。このシンチレータのDTは25ns前後である(非特許文献1)。
しかし、YAPはイットリウム(Y)が軽い元素であるため化合物全体の有効原子番号Zeffは32程度と低く、X線阻止能が低い。十分なX線阻止能を得るためにはシンチレータブロックを大型化せざるを得ず、散乱により効率が低下するなどの課題があった。
しかし、YAPはイットリウム(Y)が軽い元素であるため化合物全体の有効原子番号Zeffは32程度と低く、X線阻止能が低い。十分なX線阻止能を得るためにはシンチレータブロックを大型化せざるを得ず、散乱により効率が低下するなどの課題があった。
これに対し、YAPの賦活元素を変更した組成の材料を用い、またはX線阻止能の高いルテチウム(Lu)とY若しくはGdを併用した(Lu/Y)AlO3(LYAP)及び(Lu/Gd)AlO3(LGAP)を用いる試みも報告されており、これらのシンチレータは高い発光量を実現している(特許文献1)。
また、YAPにおいてYの一部をGdに置換した組成(Y/GAP)、及び賦活元素を2種以上(PrとTb)用いる手法を組み合わせ、DTを7〜11nsに短縮したシンチレータに関する報告もなされている(特許文献2)。
しかし、特許文献、非特許文献に記載されたDTの短いシンチレータは、発光ピーク波長が記載されているものについてはいずれも発光ピーク波長が230〜285nmであり、MPPC等の受光器の高量子効率から大きく外れている。また、両文献にはDTが25ns以下と短く、かつ発光ピーク波長が長いシンチレータを得ることについて何ら記載が無い。
また、YAPにおいてYの一部をGdに置換した組成(Y/GAP)、及び賦活元素を2種以上(PrとTb)用いる手法を組み合わせ、DTを7〜11nsに短縮したシンチレータに関する報告もなされている(特許文献2)。
しかし、特許文献、非特許文献に記載されたDTの短いシンチレータは、発光ピーク波長が記載されているものについてはいずれも発光ピーク波長が230〜285nmであり、MPPC等の受光器の高量子効率から大きく外れている。また、両文献にはDTが25ns以下と短く、かつ発光ピーク波長が長いシンチレータを得ることについて何ら記載が無い。
IEEE TransaCTions on Nuclear Science, 47:860−864, 2000.
以上挙げた通り、PCCT等に適用可能な、短いDTを示す従来のシンチレータ材料は、発光ピーク波長が一般に長くても350nm程度であり、該波長帯の光はCCDやMPPC等の受光器において効率よく電気信号に変換されないため、放射線検知器に利用した際に総合的な検出効率が低いという課題があった。また、YAPおよびGAPは発光量がそれぞれ18000Ph/MeV、9000Ph/MeV程度と低く、より高い発光量を示すシンチレータ材料が求められている。
すなわち、本発明が解決しようとする課題は、DTが短く、高い発光量を示し、かつ発光ピーク波長の長いシンチレータ材料を提供することにある。
本発明者は上記課題に鑑み鋭意検討した結果、GAPのAlの一部を別元素で置換したシンチレータを用いることで上記課題を解決できることを見出し、本発明の完成に至った。
本発明は、1実施形態において、以下の内容を含む。
[1]:一般式(1)を満たす組成のシンチレータを含む、シンチレータ。
(A1―a−bM1 aM2 b)x(Al1−cM3 c)yOz ・・・(1)
(式(1)中、AはGd、Y、Lu及びLaからなる群より選択される少なくとも一種を含み、M1はAと異なる賦活元素を表し、M2はA、M1と異なる元素であってCa、Sr、Ba、Y、La、Sm、Gd、Dy、Ho、Luからなる群より選択される少なくとも一種を含み、M3は少なくともGa、Sc又はInを含み、x、y、z、a、b、cはそれぞれ独立に0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.5、2≦z≦4、0<a≦0.5、0≦b≦0.9、0<c≦0.8を満たす。)
[2]:一般式(1)において、M1がCe、Pr,Tbのいずれか1つ以上を含む、[1]に記載のシンチレータ。
[3]:一般式(1)において、0.0001≦a≦0.2である、[1]又は[2]に記載のシンチレータ。
[4]:一般式(1)において、0.1≦c≦0.5である、[1]から[3]のいずれか1つに記載のシンチレータ。
[5]:一般式(1)において、M3がGaまたはScを含む、[1]から[4]のいずれか1つに記載のシンチレータ。
[6]:Cs137−放射線で励起した際の蛍光寿命(DT)が25ns以下である、[1]から[5]のいずれか1つに記載のシンチレータ。
[7]:発光ピーク波長が363nm以上である、[1]から[6]のいずれか1つに記載のシンチレータ。
[8]:粉末X線回折ピークに対しリートベルト解析を行った際に、ペロブスカイト相の割合が50質量%以上である、[1]から[7]のいずれか1つに記載のシンチレータ。
[9]:[1]から[8]のいずれか1つに記載されたシンチレータ材料を含む、放射線検知器。
[10]:[9]に記載の放射線検知器を含む、放射線検査装置。
[11]:少なくとも以下のステップを含む、[1]から[8]いずれか1つに記載のシンチレータ材料の製造方法;
a)原料を混合するステップ、
b)混合した原料を含む粉末または成形体を800℃以上2000℃以下、0.01MPa以上1000MPa以下、1時間以上24時間以下の条件で焼成するステップ。
[12]:さらに、下記のステップc)またはd)を含む、[11]に記載のシンチレータ材料の製造方法。
c)得られた焼結体を粉砕して粉末を得るステップ、
d)得られた焼結体を溶融し、得られた融液から単結晶を成長させるステップ。
[13]:少なくとも下記のステップを含む、[1]から[8]のいずれか1つに記載のシンチレータ材料の製造方法。
e)下記e−1)又はe−2)を含むステップ;
e−1)各原料を混合した後、原料混合物を溶融して融液を得るステップ、
e−2)各原料を溶融させた上で、得られた融液を混合して融液を得るステップ、
f)e)で得られた融液から単結晶を成長させるステップ。
本発明は、1実施形態において、以下の内容を含む。
[1]:一般式(1)を満たす組成のシンチレータを含む、シンチレータ。
(A1―a−bM1 aM2 b)x(Al1−cM3 c)yOz ・・・(1)
(式(1)中、AはGd、Y、Lu及びLaからなる群より選択される少なくとも一種を含み、M1はAと異なる賦活元素を表し、M2はA、M1と異なる元素であってCa、Sr、Ba、Y、La、Sm、Gd、Dy、Ho、Luからなる群より選択される少なくとも一種を含み、M3は少なくともGa、Sc又はInを含み、x、y、z、a、b、cはそれぞれ独立に0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.5、2≦z≦4、0<a≦0.5、0≦b≦0.9、0<c≦0.8を満たす。)
[2]:一般式(1)において、M1がCe、Pr,Tbのいずれか1つ以上を含む、[1]に記載のシンチレータ。
[3]:一般式(1)において、0.0001≦a≦0.2である、[1]又は[2]に記載のシンチレータ。
[4]:一般式(1)において、0.1≦c≦0.5である、[1]から[3]のいずれか1つに記載のシンチレータ。
[5]:一般式(1)において、M3がGaまたはScを含む、[1]から[4]のいずれか1つに記載のシンチレータ。
[6]:Cs137−放射線で励起した際の蛍光寿命(DT)が25ns以下である、[1]から[5]のいずれか1つに記載のシンチレータ。
[7]:発光ピーク波長が363nm以上である、[1]から[6]のいずれか1つに記載のシンチレータ。
[8]:粉末X線回折ピークに対しリートベルト解析を行った際に、ペロブスカイト相の割合が50質量%以上である、[1]から[7]のいずれか1つに記載のシンチレータ。
[9]:[1]から[8]のいずれか1つに記載されたシンチレータ材料を含む、放射線検知器。
[10]:[9]に記載の放射線検知器を含む、放射線検査装置。
[11]:少なくとも以下のステップを含む、[1]から[8]いずれか1つに記載のシンチレータ材料の製造方法;
a)原料を混合するステップ、
b)混合した原料を含む粉末または成形体を800℃以上2000℃以下、0.01MPa以上1000MPa以下、1時間以上24時間以下の条件で焼成するステップ。
[12]:さらに、下記のステップc)またはd)を含む、[11]に記載のシンチレータ材料の製造方法。
c)得られた焼結体を粉砕して粉末を得るステップ、
d)得られた焼結体を溶融し、得られた融液から単結晶を成長させるステップ。
[13]:少なくとも下記のステップを含む、[1]から[8]のいずれか1つに記載のシンチレータ材料の製造方法。
e)下記e−1)又はe−2)を含むステップ;
e−1)各原料を混合した後、原料混合物を溶融して融液を得るステップ、
e−2)各原料を溶融させた上で、得られた融液を混合して融液を得るステップ、
f)e)で得られた融液から単結晶を成長させるステップ。
本発明は、DTが短く、高い発光量を示し、かつ発光ピーク波長の長いシンチレータ材料を提供できる。
また、前記シンチレータ材料を用いることで、少ない線量で、感度良く放射線を検知する放射線検知器並びに検査装置を提供することができる。
以下、本発明の実施形態を例示するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の本質を損ねない範囲で変更を加えることができる。
本発明に係るシンチレータ(以下、単に「シンチレータ」と記載する場合もある)は、下記式(1)を満たす。
(A1―a−bM1 aM2 b)x(Al1−cM3 c)yOz ・・・(1)
(式(1)中、AはGd、Y、Lu及びLaからなる群より選択される少なくとも一種を含み、M1はAと異なる賦活元素を表し、M2はA、M1と異なる元素であってCa、Sr、Ba、Y、La、Sm、Gd、Dy、Ho、Luからなる群より選択される少なくとも一種を含み、M3は少なくともGa、Sc又はInを含み、x、y、z、a、b、cはそれぞれ独立に0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.5、2≦z≦4、0<a≦0.5、0≦b≦0.9、0<c≦0.8を満たす。)
(A1―a−bM1 aM2 b)x(Al1−cM3 c)yOz ・・・(1)
(式(1)中、AはGd、Y、Lu及びLaからなる群より選択される少なくとも一種を含み、M1はAと異なる賦活元素を表し、M2はA、M1と異なる元素であってCa、Sr、Ba、Y、La、Sm、Gd、Dy、Ho、Luからなる群より選択される少なくとも一種を含み、M3は少なくともGa、Sc又はInを含み、x、y、z、a、b、cはそれぞれ独立に0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.5、2≦z≦4、0<a≦0.5、0≦b≦0.9、0<c≦0.8を満たす。)
前記一般式(1)中、Aは好ましくはGdを含む。安価で原子番号の大きいGdを用いることで、シンチレータのX線阻止能を高め、シンチレータブロックを小型化することができ、散乱低減による発光量の増加が可能となり、更に、安価に製造可能なシンチレータを得ることができる。
前記一般式(1)中、M1は賦活元素を表し、例えば希土類元素を用いることができる。短いDTと高い発光量を得る観点から好ましくはCe、Pr、Tb、Euの内少なくとも1つ以上を含み、長い発光ピーク波長を示し、かつDTの短いシンチレータを得る観点から、より好ましくはCeを含む。M1の含有量を示すaは、下限は特に制限されないが通常0.000001以上、好ましくは0.00001以上、より好ましくは0.0001以上、特に好ましくは0.001以上であり、通常0.7以下、好ましくは0.5以下、より好ましくは0.3以下、さらに好ましくは0.2以下、特に好ましくは0.1以下、殊更に好ましくは0.06以下である。
前記一般式(1)中、Aは上述した元素のみで用いても良く、他の元素で置換されていても良い。M2は該置換元素を表し、シンチレータがM2を含む場合、M2は例えばアルカリ土類元素、希土類元素などを用いることができる。好ましくはCa、Sr、Ba、Y、La、Sm、Gd、Dy、Ho、Luの内少なくとも1つ以上を含む。M2の含有量を示すbは通常0.9以下であり、好ましくは0.7以下、より好ましくは0.6以下、さらに好ましくは0.5以下、特に好ましくは0.4以下であり、下限は特に制限されず、使用する場合は少なければ少ないほど好ましい。M2を適切な種類および含有量で用いることで、発光ピーク波長が長く、DTが短く、発光量の高いシンチレータを得ることができる。
前記一般式(1)中、M3はGa,Sc,In等を含んでいてよく、好ましくはGa又はScを含み、より好ましくはGaを含む。M3の含有量を示すcは通常0.8以下であり、好ましくは0.7以下、より好ましくは0.5以下、さらに好ましくは0.4以下、特に好ましくは0.35以下である。下限は特に制限されないが、通常0.00001以上であり、好ましくは0.001以上、より好ましくは0.05以上、さらに好ましくは0.1以上である。適切な量のM3を含有することで、発光量が大幅に改善するとともに、発光ピーク波長が長波長側にシフトする効果を得られる。なお、M3がGa、Sc、Inである時、シンチレータをそれぞれGAGP、GASP、GAIPと記載する場合がある。
前記一般式(1)中、xはシンチレータ全体におけるA、M1及びM2のモル比の合計を表し、xは通常0.5以上、好ましくは0.7以上、より好ましくは0.9以上であり、通常1.5以下、好ましくは1.3以下、より好ましくは1.1以下である。yはシンチレータ全体におけるAl及びM3のモル比の合計を示し、yは通常0.5以上、好ましくは0.7以上、より好ましくは0.9以上であり、通常1.5以下、好ましくは1.3以下、より好ましくは1.1以下である。zはシンチレータ全体における酸素(O)のモル比を表し、zは通常2以上、好ましくは2.5以上、より好ましくは2.7以上、通常4以下、好ましくは3.5以下、より好ましくは3.3以下である。x、y、zが適切な範囲にあることで、好ましい結晶構造を取ることができる。
シンチレータの結晶構造は特に限定されないが、ガーネット、パイロクロア、ペロブスカイトなどでよく、好ましくは、ペロブスカイト相の割合が一定以上を占める。前記ペロブスカイト相の割合(相含有率)は通常40質量%以上であり、好ましくは50質量%以上、より好ましくは70質量%以上、さらに好ましくは75質量%以上、特に好ましくは80%以上、殊更に好ましくは85質量%以上、最も好ましくは90質量%以上であり、上限は特に制限されず、100%であってもよい。当該領域のペロブスカイト相の割合が十分に高く、ペロブスカイト相が主成分であることで、他の相の割合に関わらず、ペロブスカイト相の特性が支配的となり、高い発光量と共に、非常に短いDTを示すシンチレータ材料を得ることができる。
なお、前記結晶構造および各結晶構造相の相含有率は、粉末状のシンチレータを用いて粉末X線回折ピークを測定して相を同定した後、得られた粉末X線回折ピークに対し、各相のピークを用いてリートベルト解析を行うことで、求めることができる。なお、シンチレータが粉末以外の形状である場合は、粉砕して粉末を得た後に前記粉末X線回析ピーク測定を行うことができる。
なお、前記結晶構造および各結晶構造相の相含有率は、粉末状のシンチレータを用いて粉末X線回折ピークを測定して相を同定した後、得られた粉末X線回折ピークに対し、各相のピークを用いてリートベルト解析を行うことで、求めることができる。なお、シンチレータが粉末以外の形状である場合は、粉砕して粉末を得た後に前記粉末X線回析ピーク測定を行うことができる。
シンチレータの有効原子番号Zeffは、通常40以上であり、好ましくは45以上、より好ましくは50以上、さらに好ましくは55以上である。Zeffが高いことで高いX線阻止能を示すシンチレータ材料を提供できる。
シンチレータは、電離放射線の照射により励起され、発光する。発光スペクトルにおいて最も発光が強く、波形上でピークとなる波長(発光ピーク波長)は通常350nm以上であり、好ましくは360nm以上、より好ましくは363nm以上、さらに好ましくは365nm以上、特に好ましくは370nm以上であり、通常700nm以下、好ましくは600nm以下である。電離放射線としてはX線、γ線、α線、中性子線等が挙げられる。発光ピーク波長がこの範囲にあることで、受光器にて効率的に電気信号に変換される光を放出できるシンチレータを得ることができる。発光ピーク波長を測定するに当たっては放射線照射、または紫外線照射などを用いることができる。本明細書においては、後述する実施例の方法で光励起を行い、励起効率の高い励起波長における発光スペクトルを観察し、該スペクトルにおけるピーク波長をシンチレータの発光ピーク波長として評価した。
本発明に係るシンチレータの蛍光寿命(シンチレーションディケイタイム、DT)は通常30ns以下、好ましくは25ns以下、より好ましくは20ns以下、さらに好ましくは15ns以下である。下限は特に制限されないが、通常1ns以上である。受光器にMPPCを用いる場合、好ましくは10ns以上である。DTがこの範囲に在ることで、時間分解能の高い放射線変換を可能にするシンチレータを提供できる。
DTの測定方法を例示する。シンチレータに対して放射線を照射し、シンチレータが放出した光を受光器で電荷へと変換した後、オシロスコープを用いてシグナルを出力する。シンチレータに対して放射線の照射を止めた時間をt=0とすると、シグナル強度は放射線照射を止めた後、通常、時間経過に伴い指数関数的に減衰する。本明細書では、前記方法で出力されるシグナルをシグナル強度と時間を軸にプロットし、二次の指数関数を用いたフィッティングを行い、シグナル強度と時間の関係を表す式を導き出す。前記式からシグナル強度が最大強度の1/eに減衰する時間tを算出し、当該時間tを蛍光寿命(DT)とする。
DTの測定方法を例示する。シンチレータに対して放射線を照射し、シンチレータが放出した光を受光器で電荷へと変換した後、オシロスコープを用いてシグナルを出力する。シンチレータに対して放射線の照射を止めた時間をt=0とすると、シグナル強度は放射線照射を止めた後、通常、時間経過に伴い指数関数的に減衰する。本明細書では、前記方法で出力されるシグナルをシグナル強度と時間を軸にプロットし、二次の指数関数を用いたフィッティングを行い、シグナル強度と時間の関係を表す式を導き出す。前記式からシグナル強度が最大強度の1/eに減衰する時間tを算出し、当該時間tを蛍光寿命(DT)とする。
シンチレータからの蛍光がDTの異なる複数の成分を有する場合、前記プロットは複数の成分に相当する波形が合成されたものとなるが、前記フィッティングを行うことで各成分を分解して把握することができる。本明細書においては便宜上、各成分をDTが短いものから順に1st成分、2nd成分、・・と呼称する。
また、各成分について、前記シグナル強度と時間を軸にしたプロットにおいてシグナル強度を時間で積分した値を求め、各成分の積分値の合計を100%とした時の各成分の積分値を、該成分の相対率として評価することができる。
また、各成分について、前記シグナル強度と時間を軸にしたプロットにおいてシグナル強度を時間で積分した値を求め、各成分の積分値の合計を100%とした時の各成分の積分値を、該成分の相対率として評価することができる。
本発明にかかるシンチレータの発光量は通常10,000Ph/MeV以上、より好ましくは20,000Ph/MeV以上である。
本発明に係るシンチレータにX線を照射し、発光強度が最大値になった時間から20ms後の発光強度(以下、残光強度と記載することもある)は、発光強度の最大値を1として通常2000ppm以下、好ましくは1500ppm以下、より好ましくは1000ppm以下であり、下限値は特に制限されず、小さければ小さいほど好ましい。また、40ms後の発光強度(残光強度)は、発光強度の最大値を1として通常600ppm以下、好ましくは500ppm以下、より好ましくは400ppm以下、さらに好ましくは300ppm以下、特に好ましくは200ppm以下であり、下限値は特に制限されず、小さければ小さいほど好ましい。残光強度が十分低いと、より時間分解能が高く、かつ鮮鋭な放射線画像を提供するシンチレータを得ることができる。なお、発光強度は、実施例に記載のフォトンカウンティングの手法で求めることができる。
以下、本発明に係るシンチレータに用いる原料について例示する。
用いる原料は本発明に係るシンチレータが得られる限り特に制限はないが、例えば各々の構成原子の酸化物、ハロゲン化物、無機酸塩などを用いることができる。例えばGd、Y、Lu、La、Al、Ga、Scに関しては、それぞれGd2O3、Y2O3、Lu2O3、La2O3あるいはLa(OH)3、Al2O3、Ga2O3、Sc2O3などを用いることができる。各原料の純度は通常90質量%以上、好ましくは99質量%以上であり、上限は特に制限されない。Oは各元素の酸化物に含まれるO原子を用いてもよい。
また、原料の態様は、本発明に係るシンチレータが得られる限り特に制限されないが、例えば粉末状の物を用いることができる。
用いる原料は本発明に係るシンチレータが得られる限り特に制限はないが、例えば各々の構成原子の酸化物、ハロゲン化物、無機酸塩などを用いることができる。例えばGd、Y、Lu、La、Al、Ga、Scに関しては、それぞれGd2O3、Y2O3、Lu2O3、La2O3あるいはLa(OH)3、Al2O3、Ga2O3、Sc2O3などを用いることができる。各原料の純度は通常90質量%以上、好ましくは99質量%以上であり、上限は特に制限されない。Oは各元素の酸化物に含まれるO原子を用いてもよい。
また、原料の態様は、本発明に係るシンチレータが得られる限り特に制限されないが、例えば粉末状の物を用いることができる。
次に、本発明に係るシンチレータを製造する方法を例示する。目的とする組成が得られるように原料を秤量し、十分混合したのち、耐熱容器に設置した後、所定温度、雰囲気下で焼成することで所望の粉末を得ることができる。焼成後に、欠陥除去、酸素欠損への酸素充填又はCeの価数調整を目的として、アニールを行うこともある。
<原料の混合工程>
原料を混合する方法は特に限定はされず、一般的に用いられている方法が適用可能であり、乾式混合法、湿式混合法のいずれであってもよい。
乾式混合法としては、例えば、ボールミルなどを用いた混合が挙げられる。乳鉢と乳棒を使用して混合してもよい。
湿式混合法としては、例えば、原料に水等の溶媒又は有機溶媒を加え、乳鉢と乳棒を用いて混合し分散溶液又はスラリーの状態とした上で、噴霧乾燥、加熱乾燥又は自然乾燥等により乾燥させる方法が挙げられる。有機溶媒は特に制限されないが、例えばアセトン、エタノールなどを用いることができる。
原料を混合する方法は特に限定はされず、一般的に用いられている方法が適用可能であり、乾式混合法、湿式混合法のいずれであってもよい。
乾式混合法としては、例えば、ボールミルなどを用いた混合が挙げられる。乳鉢と乳棒を使用して混合してもよい。
湿式混合法としては、例えば、原料に水等の溶媒又は有機溶媒を加え、乳鉢と乳棒を用いて混合し分散溶液又はスラリーの状態とした上で、噴霧乾燥、加熱乾燥又は自然乾燥等により乾燥させる方法が挙げられる。有機溶媒は特に制限されないが、例えばアセトン、エタノールなどを用いることができる。
<焼成工程>
原料混合物は、通常粉末状で得られる(混合粉末)。前記混合物は、粉末のまま焼成することもできる。または、粉末を成形した後に、得られた成形体を焼成する方法でもよい。本明細書においては便宜上、粉末のまま焼成した場合に得られる物を焼成粉末、焼成前に成形を行った後、成形体を焼成して得られる物を焼結体と呼ぶ。
本工程で得られた焼成粉末は、焼結体を得るために利用してもよく、そのまま完成したシンチレータとして利用することもできる。または、単結晶育成の出発原料としても利用できる。
粉末を焼成する前に成形する場合、成形方法は特に制限されないが、例えば油圧プレスと金型を用いた一軸成型、冷間等方圧加圧法(CIP)などを用いることができる。成形を行うことで、粉末の粒子同士の接触面積が増し、高い密度の焼成体を得ることができる。
原料混合物は、通常粉末状で得られる(混合粉末)。前記混合物は、粉末のまま焼成することもできる。または、粉末を成形した後に、得られた成形体を焼成する方法でもよい。本明細書においては便宜上、粉末のまま焼成した場合に得られる物を焼成粉末、焼成前に成形を行った後、成形体を焼成して得られる物を焼結体と呼ぶ。
本工程で得られた焼成粉末は、焼結体を得るために利用してもよく、そのまま完成したシンチレータとして利用することもできる。または、単結晶育成の出発原料としても利用できる。
粉末を焼成する前に成形する場合、成形方法は特に制限されないが、例えば油圧プレスと金型を用いた一軸成型、冷間等方圧加圧法(CIP)などを用いることができる。成形を行うことで、粉末の粒子同士の接触面積が増し、高い密度の焼成体を得ることができる。
焼成の温度、圧力及び時間については、本発明に係るシンチレータが得られる限り特に制限はなく、混合した各原料が充分に反応する温度、時間とすることが好ましいが、温度は通常800℃以上、好ましくは1000℃以上、より1200℃以上であり、通常2000℃以下、好ましくは1800℃以下、より好ましくは1600℃以下である。また、圧力は通常0.01MPa以上、1000MPa以下である。また、時間は通常1時間以上、好ましくは2時間以上であり、通常24時間以下、好ましくは18時間以下である。合成の温度が低すぎ、或いは時間が短すぎる場合は合成が十分に進まず、逆に合成の温度が高すぎ、或いは時間が長すぎる場合は好ましくない反応が起き、或いは酸素など蒸発しやすい元素が脱離する場合がある。
焼成時の雰囲気については、本発明に係るシンチレータが得られる限り特に制限はないが、材料、反応容器及び炉材などの安定性を考慮し、適宜適した雰囲気下で焼成を行うことが好ましい。例えば大気中雰囲気、アルゴン雰囲気、窒素雰囲気が挙げられる。焼成に用いる耐熱容器の材料は特に制限されないが、原料およびシンチレータ材料と反応しない不活性な材質のものが好ましい。例えばアルミナ、BN、Moなどを用いることができる。
<アニール工程>
本発明に係る焼成粉末を得るにあたっては、焼成後に欠陥修復や酸素欠損への酸素充填、賦活元素の価数調整の目的でアニールを行ってもよい。アニール工程における温度、圧力、雰囲気などの諸条件は、本発明に係るシンチレータが得られる限り特に制限はないが、温度は通常500℃以上、好ましくは600℃以上、より好ましくは700℃以上であり、通常2000℃以下、好ましくは1800℃以下、より好ましくはで1600℃以下である。圧力は通常0.01MPa以上1000MPa以下である。雰囲気は特に制限されず、例えば大気を用いることもでき、窒素、アルゴンなどの不活性ガスを用いることもでき、各種元素を混合したガスを用いることもできる。酸素欠損への酸素充填の観点から、好ましくは酸素を含む。本工程を経ることで欠陥による光吸収を低減することができる。
本発明に係る焼成粉末を得るにあたっては、焼成後に欠陥修復や酸素欠損への酸素充填、賦活元素の価数調整の目的でアニールを行ってもよい。アニール工程における温度、圧力、雰囲気などの諸条件は、本発明に係るシンチレータが得られる限り特に制限はないが、温度は通常500℃以上、好ましくは600℃以上、より好ましくは700℃以上であり、通常2000℃以下、好ましくは1800℃以下、より好ましくはで1600℃以下である。圧力は通常0.01MPa以上1000MPa以下である。雰囲気は特に制限されず、例えば大気を用いることもでき、窒素、アルゴンなどの不活性ガスを用いることもでき、各種元素を混合したガスを用いることもできる。酸素欠損への酸素充填の観点から、好ましくは酸素を含む。本工程を経ることで欠陥による光吸収を低減することができる。
シンチレータを単結晶として得る場合は、例えば上記焼成により得られた焼成粉末、又は前記焼結体を粉砕して得られた粉末を加熱により溶融し、融液から単結晶を成長させることで得ることができる。単結晶作製時の容器や雰囲気は、焼結体の製造と同様の観点で適宜選択することができる。または、焼成工程を経ずに、各出発原料を加熱により溶融した上で混合し、或いは各出発原料を混合した上で加熱により溶融することで融液を作製し、前記融液を用いて単結晶を成長させることで得ることもできる。単結晶を成長させる方法には特に制限はなく、一般的なチョクラルスキー法、ブリッジマン法、マイクロ引下げ法、EFG法、ゾーンメルト法、Fz法、スカルメルト法などを用いることができる。融点を下げる目的では、フラックス法などを用いることもできる。大型の結晶を成長させる場合は、チョクラルスキー法、ブリッジマン法が好ましい。
本発明に係るシンチレータを粉末として得る場合、方法は特に制限されないが、例えば上記焼成により得られた焼成粉末をそのまま粉末状のシンチレータとして使用してもよく、成形後に焼成して得られた焼結体を粉砕して得てもよい。
シンチレータは、シンチレータが放出する光を電気信号へと変換する受光器と組み合わせることで、放射線検知器としての使用が可能となる。放射線検知器の用途に用いる際、シンチレータは、粉末、焼結体、単結晶のいずれの形態でもよい。放射線検知器において使用される受光器としては、光電子増倍管(PMT)、フォトダイオード(PD)またはアバランシェフォトダイオード(APD)、マルチピクセルフォトンカウンタ(MPPC)(別名:シリコンフォトマルチプライヤー(Si−PM))を用いたものが挙げられる。
さらに、これらの放射線検知器を備えることで、放射線検査システムまたは検査装置としても使用可能である。放射線検査装置としては、非破壊検査用検出器、資源探査用検出器、高エネルギー物理用検出器などの非破壊検査用の検査装置、又は医用画像処理装置などの診断装置が挙げられる。医用画像処理装置の例としては、X線CTやPET(陽電子放射断層撮影)、SPECT(単一光子放射断層撮影)といった装置が挙げられる。X線CTは、既存のX線CTからデュアルエナジーCTへ発展して、次世代のCTとしてフォトンカウンティングCTが期待されている。
シンチレータの形態には特に制限がなく、粉末、焼結体、単結晶のいずれでもよく、各々の用途、目的に合わせた形態が好ましい。例えば、X線CT装置では単結晶、または、焼結体のブロックが考えられる。
以下、本発明について、実施例により詳細に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。
<実施例1〜7><比較例1>
Gd2O3(純度99.99質量%)、Al2O3(純度99.99質量%)、Ga2O3(純度99.99質量%)、Sc2O3(純度99.99質量%)、CeO2(純度99.99質量%)を原料に用い、Gd、Ce、Al、Ga、Sc各元素のモル比が下記表1の通りになる様に、粉末状の各原料をエタノール中で混合した。得られた粉末状の原料混合物を100MPaで一軸加圧プレスしてペレット状に成形した。成形体を大気下、常圧、1500℃、4hの条件で焼成して焼結体を得た。その後、乳鉢と乳棒にて焼結体を粉砕し、粉末状のシンチレータサンプル(以下、粉末サンプルと記載することもある)を得た。
Gd2O3(純度99.99質量%)、Al2O3(純度99.99質量%)、Ga2O3(純度99.99質量%)、Sc2O3(純度99.99質量%)、CeO2(純度99.99質量%)を原料に用い、Gd、Ce、Al、Ga、Sc各元素のモル比が下記表1の通りになる様に、粉末状の各原料をエタノール中で混合した。得られた粉末状の原料混合物を100MPaで一軸加圧プレスしてペレット状に成形した。成形体を大気下、常圧、1500℃、4hの条件で焼成して焼結体を得た。その後、乳鉢と乳棒にて焼結体を粉砕し、粉末状のシンチレータサンプル(以下、粉末サンプルと記載することもある)を得た。
<有効原子番号Zeffの算出方法>
x=1、y=1、z=3として、表1における元素比におけるZeffを算出した。算出においては、下記式(3)で表される化合物のZeffを、下記式(4)及び式(5)に基づき、係数k=4として算出した。なお、下記各式および式の説明において、”*”は左右の値の積算を行うことを意味する記号である。
結果を表1に示す。
x=1、y=1、z=3として、表1における元素比におけるZeffを算出した。算出においては、下記式(3)で表される化合物のZeffを、下記式(4)及び式(5)に基づき、係数k=4として算出した。なお、下記各式および式の説明において、”*”は左右の値の積算を行うことを意味する記号である。
結果を表1に示す。
AaBbCcDd・・・(3)
(式中、A,B,C,Dはそれぞれ化合物を構成する第1の元素から第4の元素を示し、a、b、c、dはそれぞれ、化合物における元素A、B、C、Dのモル比を示す。この式では構成元素が4種の例を示したが、構成元素が3種以下又は5種以上の化合物に関しても、異なるアルファベットを用いて同様に記載することができる。また、A,B,C,D等の代わりに化合物に含まれる任意の元素をM、a,b,c,d等の代わりに前記M元素のモル比をmで示すこともできる。)
(式中、A,B,C,Dはそれぞれ化合物を構成する第1の元素から第4の元素を示し、a、b、c、dはそれぞれ、化合物における元素A、B、C、Dのモル比を示す。この式では構成元素が4種の例を示したが、構成元素が3種以下又は5種以上の化合物に関しても、異なるアルファベットを用いて同様に記載することができる。また、A,B,C,D等の代わりに化合物に含まれる任意の元素をM、a,b,c,d等の代わりに前記M元素のモル比をmで示すこともできる。)
wm=X(M)*m/Σ(X(M)*m)・・・(4)
(式(4)中、Mは式(3)で表される化合物における任意の元素M、mは前記元素Mのモル比mを示し、X(M)は元素Mの原子量を示す。また、Σ(X(M)*m)とは、式(3)で表される化合物に含まれる全ての元素Mにおける(X(M)*m)の値を合計することを示す。)例えば化合物がAaBbCcDdで表されるとき、wa={(Aの原子量)*a}/{(Aの原子量)*a+(Bの原子量)*b+(Cの原子量)*c+(Dの原子量)*d }である。
(式(4)中、Mは式(3)で表される化合物における任意の元素M、mは前記元素Mのモル比mを示し、X(M)は元素Mの原子量を示す。また、Σ(X(M)*m)とは、式(3)で表される化合物に含まれる全ての元素Mにおける(X(M)*m)の値を合計することを示す。)例えば化合物がAaBbCcDdで表されるとき、wa={(Aの原子量)*a}/{(Aの原子量)*a+(Bの原子量)*b+(Cの原子量)*c+(Dの原子量)*d }である。
Zeff=[Σ{wm*(ZM)k}](1/K)・・・(5)
(式(5)中、wmは式(3)で表される任意の元素Mに対する式(4)で表されるwmを示す。また、ZMは前記元素Mの原子番号を示す。また、Σ[wm*ZM^k]とは、式(3)で表される化合物に含まれる全ての元素Mに対する[wm*ZM^k]の値を合計することを意味する。
(式(5)中、wmは式(3)で表される任意の元素Mに対する式(4)で表されるwmを示す。また、ZMは前記元素Mの原子番号を示す。また、Σ[wm*ZM^k]とは、式(3)で表される化合物に含まれる全ての元素Mに対する[wm*ZM^k]の値を合計することを意味する。
<X線励起時発光強度の測定>
粉末サンプル200mgをΦ14.8mm、負荷さ8mmの合成石英製シャーレの底に均等に敷き詰めた後、粉末サンプルに対してパルスX線を照射し、フォトンカウンティングの手法で発光強度を測定した。具体的には、X線管球(タングステン)に100kV, 0.5mAを印加することによりX線を発生させた。粉末サンプルにX線を照射後、光電子増倍管H13126で発生した微弱光を検出し、浜松ホトニクスC12918インターフェイスを使ってモニタリングした。後述する比較例1の粉末サンプルの発光量を1として、各実施例に係る粉末サンプルの相対的な発光強度を求めた。結果を表1に示す。
粉末サンプル200mgをΦ14.8mm、負荷さ8mmの合成石英製シャーレの底に均等に敷き詰めた後、粉末サンプルに対してパルスX線を照射し、フォトンカウンティングの手法で発光強度を測定した。具体的には、X線管球(タングステン)に100kV, 0.5mAを印加することによりX線を発生させた。粉末サンプルにX線を照射後、光電子増倍管H13126で発生した微弱光を検出し、浜松ホトニクスC12918インターフェイスを使ってモニタリングした。後述する比較例1の粉末サンプルの発光量を1として、各実施例に係る粉末サンプルの相対的な発光強度を求めた。結果を表1に示す。
<残光強度>
医療用小型・軽量ポータブルX線撮影装置PORTAをX線源とし、100kV、20mAs、16mGy/sの条件でX線を粉末サンプルに照射し、20ms及び40ms後の発光強度(残光強度)を評価した。結果を表3に示す。
医療用小型・軽量ポータブルX線撮影装置PORTAをX線源とし、100kV、20mAs、16mGy/sの条件でX線を粉末サンプルに照射し、20ms及び40ms後の発光強度(残光強度)を評価した。結果を表3に示す。
<発光ピーク波長の測定>
F−7000(日立製作所)分光器を用い、粉末サンプルに対して220〜500nmの光を照射し、発光スペクトルおよび励起スペクトルを観察し、発光ピーク波長を求めた。結果を表1および図1〜3に示す。
図1〜3において点線は各シンチレータの励起スペクトルを、実線は290nmの光を吸収した際の発光スペクトルを示す。例えば、em371nmとは、点線で示す励起スペクトルを示した時の発光ピーク波長が371nmであることを意味し、例えばex290nmとは、実線で示した発光スペクトルが、波長290nmの光で励起されたものであることを意味する。
F−7000(日立製作所)分光器を用い、粉末サンプルに対して220〜500nmの光を照射し、発光スペクトルおよび励起スペクトルを観察し、発光ピーク波長を求めた。結果を表1および図1〜3に示す。
図1〜3において点線は各シンチレータの励起スペクトルを、実線は290nmの光を吸収した際の発光スペクトルを示す。例えば、em371nmとは、点線で示す励起スペクトルを示した時の発光ピーク波長が371nmであることを意味し、例えばex290nmとは、実線で示した発光スペクトルが、波長290nmの光で励起されたものであることを意味する。
<蛍光寿命(DT)>
得られた粉末サンプルを数十秒間、常温で油圧プレスにより100MPa下で一軸成型により圧粉状のペレットに加工した後、大気下、常圧下、1000℃、2時間の条件で再度焼結し、焼結体サンプルを得た。得られた焼結体サンプルを用いて、ガンマ線励起時の蛍光寿命(DT)を評価した。信越化学工業社製オプトシールを用い、浜松ホトニクス社製H7195光電子増倍管に焼結体サンプルを密着させた。Cs−137を励起源として前記焼結体サンプルにγ線を照射し、テクトロニクス社製MSO54 5−BW−1000オシロスコープを用い、γ線照射時および照射後の蛍光に基づくシグナル強度を測定した。前記シグナル強度に基づき、二次の指数関数を用いてフィッティングすることで複数の成分を分離し、各成分の蛍光寿命(DT)を算出した。
その結果、各焼結体サンプルの蛍光は、DTの異なる2成分から成ることが分かったため、先述の方法で2成分の相対率を求めた。結果を表2に示す。DTの短い成分を1st成分、長い成分を2nd成分とし、1st成分を各シンチレータのDTとして評価した。
得られた粉末サンプルを数十秒間、常温で油圧プレスにより100MPa下で一軸成型により圧粉状のペレットに加工した後、大気下、常圧下、1000℃、2時間の条件で再度焼結し、焼結体サンプルを得た。得られた焼結体サンプルを用いて、ガンマ線励起時の蛍光寿命(DT)を評価した。信越化学工業社製オプトシールを用い、浜松ホトニクス社製H7195光電子増倍管に焼結体サンプルを密着させた。Cs−137を励起源として前記焼結体サンプルにγ線を照射し、テクトロニクス社製MSO54 5−BW−1000オシロスコープを用い、γ線照射時および照射後の蛍光に基づくシグナル強度を測定した。前記シグナル強度に基づき、二次の指数関数を用いてフィッティングすることで複数の成分を分離し、各成分の蛍光寿命(DT)を算出した。
その結果、各焼結体サンプルの蛍光は、DTの異なる2成分から成ることが分かったため、先述の方法で2成分の相対率を求めた。結果を表2に示す。DTの短い成分を1st成分、長い成分を2nd成分とし、1st成分を各シンチレータのDTとして評価した。
<結晶構造と割合の特定>
得られた粉末サンプルの粉末X線回折ピークを測定し、相を同定した。その結果、得られたシンチレータはGdAl(Ga)O3(GA(G)P、ペロブスカイト)相、Gd4Al2O9相、Gd3Al2Ga3O12(GAGG、ガーネット)相の3相から構成されることがわかった。得られた粉末X線回折ピークに対し、前記3相のピークを用いてリートベルト解析を行い、各相の相含有率(質量%)を求めた。結果を表2に示す。
得られた粉末サンプルの粉末X線回折ピークを測定し、相を同定した。その結果、得られたシンチレータはGdAl(Ga)O3(GA(G)P、ペロブスカイト)相、Gd4Al2O9相、Gd3Al2Ga3O12(GAGG、ガーネット)相の3相から構成されることがわかった。得られた粉末X線回折ピークに対し、前記3相のピークを用いてリートベルト解析を行い、各相の相含有率(質量%)を求めた。結果を表2に示す。
<実施例8〜15>
各元素の原料混合時のモル比を表4に示す通りにした以外は、実施例1と同様にしてシンチレータサンプルを得た。原料混合時のモル比から計算上のZeffを求めた。また、得られた各シンチレータサンプルについて、実施例1と同様に発光強度を測定した。結果を表4に示す。
各元素の原料混合時のモル比を表4に示す通りにした以外は、実施例1と同様にしてシンチレータサンプルを得た。原料混合時のモル比から計算上のZeffを求めた。また、得られた各シンチレータサンプルについて、実施例1と同様に発光強度を測定した。結果を表4に示す。
実施例に係るシンチレータの計算上のZeffはいずれも57〜58と高く、結晶相は主にペロブスカイト相を示した。また、ペロブスカイト相以外の相の含有率に関わらず、20ns以下と非常に短いDTを示した。また、実施例1から7に示されるように、実施例に係るシンチレータはAlサイトの元素を一部他の元素に置換することで、前記置換を行っていない比較例1に比べ、発光強度が飛躍的に向上したほか、発光ピーク波長が比較例1の361nmと比べ、Gaを用いた場合は最大371nm、Scを用いた場合は373nmまで長波長側にシフトした。
なお、受光器にMPPCを用いる場合シンチレータのDTは10ns以上であることが好ましいが、実施例に係るシンチレータはいずれもこの条件を満たすものであった。
なお、受光器にMPPCを用いる場合シンチレータのDTは10ns以上であることが好ましいが、実施例に係るシンチレータはいずれもこの条件を満たすものであった。
以上に示す通り、本発明は、DTが短く、発光量が高く、かつ発光ピーク波長が長いシンチレータ材料を提供できる。
また、本発明は上記の特性を満たすシンチレータを用いることで、線量が低く感度の高い放射線検知器ならびに放射線検査装置を提供できる。
Claims (13)
- 一般式(1)を満たす組成のシンチレータを含む、シンチレータ。
(A1―a−bM1 aM2 b)x(Al1−cM3 c)yOz ・・・(1)
(式(1)中、AはGd、Y、Lu及びLaからなる群より選択される少なくとも一種を含み、M1はAと異なる賦活元素を表し、M2はA、M1と異なる元素であってCa、Sr、Ba、Y、La、Sm、Gd、Dy、Ho、Luからなる群より選択される少なくとも一種を含み、M3は少なくともGa、Sc又はInを含み、x、y、z、a、b、cはそれぞれ独立に0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.5、2≦z≦4、0<a≦0.5、0≦b≦0.9、0<c≦0.8を満たす。) - 一般式(1)において、M1がCe、Pr,Tbのいずれか1つ以上を含む、請求項1に記載のシンチレータ。
- 一般式(1)において、0.0001≦a≦0.2である、請求項1又は2に記載のシンチレータ。
- 一般式(1)において、0.1≦c≦0.5である、請求項1から3のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 一般式(1)において、M3がGaまたはScを含む、請求項1から4のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- Cs137−放射線で励起した際の蛍光寿命(DT)が25ns以下である、請求項1から5のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 発光ピーク波長が363nm以上である、請求項1から6のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 粉末X線回折ピークに対しリートベルト解析を行った際に、ペロブスカイト相の割合が50質量%以上である、請求項1から7のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 請求項1から8のいずれか1項に記載されたシンチレータ材料を含む、放射線検知器。
- 請求項9に記載の放射線検知器を含む、放射線検査装置。
- 少なくとも以下のステップを含む、請求項1から8のいずれか1項に記載のシンチレータ材料の製造方法;
a)原料を混合するステップ、
b)混合した原料を含む粉末または成形体を800℃以上2000℃以下、0.01MPa以上1000MPa以下、1時間以上24時間以下の条件で焼成するステップ。 - さらに、下記のステップc)またはd)を含む請求項11に記載のシンチレータ材料の製造方法。
c)得られた焼結体を粉砕して粉末を得るステップ、
d)得られた焼結体を溶融し、得られた融液から単結晶を成長させるステップ。 - 少なくとも下記のステップを含む、請求項1から8のいずれか1項に記載のシンチレータ材料の製造方法。
e)下記e−1)又はe−2)を含むステップ;
e−1)各原料を混合した後、原料混合物を溶融して融液を得るステップ、
e−2)各原料を溶融させた上で、得られた融液を混合して融液を得るステップ、
f)e)で得られた融液から単結晶を成長させるステップ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020043102A JP2021143288A (ja) | 2020-03-12 | 2020-03-12 | シンチレータ、放射線検知器、及び放射線画像システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020043102A JP2021143288A (ja) | 2020-03-12 | 2020-03-12 | シンチレータ、放射線検知器、及び放射線画像システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021143288A true JP2021143288A (ja) | 2021-09-24 |
Family
ID=77765981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020043102A Pending JP2021143288A (ja) | 2020-03-12 | 2020-03-12 | シンチレータ、放射線検知器、及び放射線画像システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2021143288A (ja) |
-
2020
- 2020-03-12 JP JP2020043102A patent/JP2021143288A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8431042B2 (en) | Solid state scintillator material, solid state scintillator, radiation detector, and radiation inspection apparatus | |
DK2671940T3 (en) | Single crystal of garnet type to a scintillator, and a radiation detector using the same | |
Shah et al. | CeBr/sub 3/scintillators for gamma-ray spectroscopy | |
JP5112589B2 (ja) | シンチレータ結晶、その製造方法及びその適用 | |
EP1043383B2 (en) | Phosphors, and radiation detectors and x-ray ct unit made by using the same | |
Shah et al. | LuI/sub 3: Ce-a new scintillator for gamma ray spectroscopy | |
US20150021485A1 (en) | Solid scintillator, radiation detector, and radiation examination device | |
Cherepy et al. | Performance of europium-doped strontium iodide, transparent ceramics and bismuth-loaded polymer scintillators | |
JP5022600B2 (ja) | セラミックシンチレータとそれを用いた放射線検出器および放射線検査装置 | |
JP4683719B2 (ja) | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにx線ct装置 | |
JP2001004753A (ja) | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにx線ct装置 | |
CN100412157C (zh) | 一种x射线激发的掺杂稀土离子的钨酸盐闪烁发光材料及其制备方法 | |
CN112745845A (zh) | 用于正电子发射断层摄影(pet)的基于立方石榴石组合物的陶瓷闪烁体 | |
JP4521929B2 (ja) | 蛍光体及びそれを用いた放射線検出器及びx線ct装置 | |
Ogawa et al. | Photoluminescence and scintillation properties of Ce-doped Sr2Al2SiO7 crystals | |
JP2013043960A (ja) | シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器 | |
JP6776671B2 (ja) | 蛍光材料、セラミックシンチレータおよび放射線検出器、並びに蛍光材料の製造方法 | |
JP2013040274A (ja) | シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器 | |
JP2021143288A (ja) | シンチレータ、放射線検知器、及び放射線画像システム | |
JP5572049B2 (ja) | 固体シンチレータ用材料、固体シンチレータ、およびそれを用いた放射線検出器並びに放射線検査装置 | |
Hull et al. | Ce-doped single crystal and ceramic garnet for gamma-ray detection | |
WO2022202500A1 (ja) | シンチレータおよび放射線検出器 | |
US20100127176A1 (en) | Scintillator materials which absorb high-energy, and related methods and devices | |
JP7302706B2 (ja) | セラミックシンチレータおよび放射線検出器 | |
Cherepy et al. | Barium iodide single-crystal scintillator detectors |