JP2021107534A - ポリイミドフィルム及びその製造方法並びにフレキシブルデバイス - Google Patents
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Description
例えば、有機EL装置は、一般に支持基材であるガラス基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、更にその上に電極、発光層及び電極を順次形成し、これらをガラス基板や多層薄膜等で気密封止して作られる。また、タッチパネルは、第1の電極が形成された第1のガラス基板と、第2の電極が形成された第2のガラス基板とを絶縁層(誘電層)を介して接合した構成となっている。
特許文献2は、含フッ素ポリイミド前駆体溶液を無機基板上に流延し、乾燥およびイミド化して得られるポリイミドフィルムと無機基板とからなる積層体であって、全光線透過率が高く、アウトガスが少ない(0.3%以下)ものを開示する。ここで、アウトガスは300℃における熱重量減少率である。
なお、特許文献2において、アウトガスを低減するためには、イミド化の際の加熱温度を上げることが有効であるが、ポリイミドの結晶性や着色等により、ヘイズの上昇や、全光線透過率の低下の傾向があり、特に最高温度が400℃を超えるとポリイミドの結晶化などにより白化が顕著となる旨を開示している。逆に、透明性の低下や着色の抑制のため比較的緩やかな温度で加熱するとアウトガスの低減が出来なくなるという、イミド化が十分に進まずポリイミドの機械的強度が不足する傾向がある旨を開示している。つまり、耐熱性と透明性の両立はトレードオフの関係にあるといえる。ここで、透明性を損なうことなくアウトガスを低減する有効な方法として、加熱温度と加熱時間を適切に設定する必要がある旨を開示している。しかし、上記の結晶性や着色等の問題が示唆されていることもあって、400℃を超える高い温度領域における耐熱性については検討されていない。
なお、アウトガスの成分の一つにポリイミドフィルム中の残存溶剤が挙げられる。残存溶剤が過剰に存在すると、フレキシブルデバイスの製造工程において、ポリイミドフィルムとバリア層との間の剥離の原因になるおそれがある。
つまり、特許文献2〜5に開示のポリイミドは、フレキシブルOLED向けTFT基板の製造工程、フレキシブルLCD向けTFT基板及びCF基板の製造工程等、高温で熱処理をするため極めて高い耐熱性を要求する用途・プロセスへの適用という観点では、耐熱性は十分であるとはいえない。
残存溶剤が500ppm以下であり、
黄色度が15以下であると共に引張伸度が15%以上であり、尚且つ420℃で30分加熱後の黄色度が20以下であると共にその引張伸度が13%以上であることを特徴とするポリイミドフィルムである。
一例として、本発明のポリイミドフィルムは、原料のジアミンとテトラカルボン酸二無水物(以下、単に「酸二無水物」ともいう。)とを、溶媒の存在下で重合し、ポリアミド酸溶液とした後、これを支持基材上に塗布し、熱処理によりイミド化することによって製造することができる。または、ポリイミドの溶液を支持基材上に塗布し、熱処理により乾燥することによって製造することができる。
ポリイミドフィルムの分子量は、原料のジアミンと酸二無水物のモル比を変化させることで主に制御可能であるが、そのモル比は、0.980〜1.025まで調整することができる。重量平均分子量(Mw)の範囲としては、80,000から800,000の範囲に調整することが望ましい。
なお、イミド化の工程における最高温度以外の条件、例えば昇温速度については、ポリアミド酸溶液に含まれる有機溶媒の性質や量、ポリアミド酸の構造によって適宜調整できる。
なお、最高温度で再配列された分子構造を安定化させるために、最高温度から室温に降温するときには、徐々に時間をかけて降温させることが好ましい。3時間以上かけて室温に戻すことは好ましい。
なお、本発明のポリイミドフィルムについては、好ましくは平均厚みが5〜50μmである。より好ましい下限値は7μmである。一方、より好ましい上限値は30μmであり、さらに好ましくは20μmである。平均厚みの測定は、例えば、後述の方法に従うことがよい。当該YIについては、フィルム厚さ10μmに換算した場合のYIとして、上記範囲を満たすものであることが好ましい。
上記公知の酸二無水物由来の構造単位としては、好ましくは、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、ナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,6,7−テトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,6−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テトラクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−テトラクロロナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’’,4,4’’−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’’,3,3’’−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’’,4’’−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)−プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−プロパン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3.4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ペリレン−2,3,8,9−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−4,5,10,11−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−5,6,11,12−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,7,8−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,6,7−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、(トリフルオロメチル)ピロメリット酸二無水物、ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸二無水物、ジ(ヘプタフルオロプロピル)ピロメリット酸二無水物、ペンタフルオロエチルピロメリット酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシビフェニル二無水物、2,2’,5,5’−テトラキス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシビフェニル二無水物、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシベンゾフェノン二無水物、トリフルオロメチルベンゼン二無水物が挙げられる。
先ず、本発明のポリイミドフィルム上に、水分と酸素の透湿を阻止できるようにガスバリア層を設ける。次に、このガスバリア層の上面に、薄膜トランジスタ(TFT)を含む回路構成層を形成する。有機EL表示装置においては、薄膜トランジスタとして動作速度が速いLTPS−TFTが主に選択される。この回路構成層には、その上面にマトリックス状に複数配置された画素領域のそれぞれに対して、例えばITO(Indium Tin Oxide)の透明導電膜からなるアノード電極を形成する。更に、アノード電極の上面には有機EL発光層を形成し、この発光層の上面にはカソード電極を形成する。このカソード電極は各画素領域に共通に形成される。そして、このカソード電極の面を被うようにして、再度ガスバリア層を形成し、更に最表面には、表面保護のため封止基板を設置する。封止基板のカソード電極側の面にも水分や酸素の透湿を阻止するガスバリア層を積層しておくことが信頼性の観点から望ましい。なお、有機EL発光層は、正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層等の多層膜(アノード電極−発光層−カソード電極)で形成されるが、有機EL発光層は水分や酸素により劣化するため真空蒸着で形成され、電極形成も含めて真空中で連続形成されるのが一般的である。
本発明のポリイミドフィルム上に、縦横に2つの電極列(第1と第2の電極)を設け、指が画面に触れた時の電極の静電容量変化を測定することにより、接触位置を精密に検出できる。具体的な構造としては、第1の電極が形成された第1の基板と、第2の電極が形成された第2基板とを、絶縁層(誘電層)を介して接合した構成とする。薄型化、軽量化、フレキシブル化のためには、電極を形成する基板を従来のガラス基板から屈曲性のある樹脂基板に置き換えることで実現できる。また、第1の電極と第2の電極を1つの基板上に形成して、更なる薄型化、軽量化も進められている。
・TFMB:2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル
・AI:5-アミノ-2-(4-アミノフェニル)ベンゾイミダゾール
・4,4’-DAPE:4,4’-ジアミノジフェニルエーテル
(酸二無水物)
・PMDA:ピロメリット酸二無水物
・6FDA:2,2’−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物
・ODPA:4,4’−オキシジフタル酸二無水物
・CBDA:1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物
・BPDA:3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物
(溶剤)
・NMP:N−メチル−2−ピロリドン
ポリイミドフィルム(50mm×50mm)をSHIMADZU UV−3600分光光度計にて、500nmにおける光透過率(T500)とb*を求めた。
また、下式(I)で表される計算式に基づいてYI(黄色度)を算出した。なお、当該T500、b*、及びYIは、室温(23℃)の測定値である。加熱後のYIについても同様である。
YI=100×(1.2879X−1.0592Z)/Y (I)
X, Y, Zは試験片の三刺激値であり、JIS Z 8722に規定されている。
下式(II)で表される、フィルム厚み10μmに換算した黄色度〔YI(10)〕を、上記の式(I)のYIを用いて算出する。
YI(10)=YI*10/厚み (II)
3mm×15mmのサイズのポリイミドフィルムを、熱機械分析(TMA/SS6100)装置にて30mNの荷重を加えながら一定の昇温速度(5℃/min)で30℃から350℃まで昇温し、次いで、一定の昇温速度(10℃/min)で350℃から50℃まで降温し、次いで、一定の昇温速度(5℃/min)で50℃から450℃までに昇温し、それから、一定の昇温速度(10℃/min)で450℃から50℃まで降温し、2段階目昇温時のTMAと温度の変曲点からガラス転移温度を算出した。450℃まで昇温させても、変曲点が検出されなかったものは、>450℃と表した。
3mm×15mmのサイズのポリイミドフィルムを、熱機械分析(TMA/SS6100)装置にて30mNの荷重を加えながら一定の昇温速度(5℃/min)で30℃から350℃まで昇温し、次いで、一定の昇温速度(10℃/min)で350℃から50℃まで降温し、次いで、一定の昇温速度(5℃/min)で50℃から450℃までに昇温し、それから、一定の昇温速度(10℃/min)で450℃から50℃まで降温し、2段階目の降温時(350℃⇒100℃)におけるポリイミドフィルムの伸び量(線膨張)から熱膨張係数を測定した。
ポリイミドフィルム(10mm×15mm)の試験片を準備し、テンシロン万能試験機(オリエンテック株式会社製、RTA−250)を用い、引張速度10mm/minでIPC-TM-650, 2.4.19に準じて引張試験を行い、引張伸度と引張強度を算出した。
硬化したポリイミドフィルムを約0.5mg、20℃/minの速度で昇温し、空気中350℃で1時間加熱時に発生したNMP溶剤ガスを捕集し、GC−MSにて定量測定した。熱分解炉はフロンティア・ラボ社製のPY-2020iDを用い、GC−MSについては、Agilent Technologies社製のガスクロマトグラフ質量分析計を使い、カラムはAgilent Technologies社製のDB-WAXであった。
窒素気流下で、100mlのセパラブルフラスコの中に、表1の組成の通り、ジアミンをNMPに溶解させ、次いで、酸二無水物を加えた。この溶液を、45℃で2時間加熱し、内容物を溶解させ、その後、溶液を30℃で50時間攪拌を続けて重合反応を行い、高重合度のポリイミド(PI)前駆体溶液A(粘稠な溶液)を得た。
合成例1と同様に、表1の組成の通りに、合成例2〜7を行い、高重合度のポリイミド(PI)前駆体溶液B〜G(粘稠な溶液)を得た。
合成例1で得られたポリイミド前駆体溶液Aに、溶剤NMPを加えて、粘度が4000cPになるように希釈した上で、ガラス基板(コーニング製イーグルXG、サイズ=150mm×150mm、厚み=0.5mm)上に、スピンコーターを用いて、硬化後のポリイミド厚みが10μm程度になるように塗布した。続いて、100℃で15分間加熱を行った。そして、表2に示すように、窒素雰囲気(酸素濃度:3%以下)中で、一定の昇温速度(4℃/min)で室温から435℃まで昇温させ、それから435〜420℃の間で30分間保持し、4時間以上かけて室温に戻して、ガラス基板上に150mm×150mmのポリイミド層(ポリイミドフィルムA−1Fに相当)を形成し、ポリイミド積層体A−1を得た。なお、表2に示すイミド化最高温度、及び30分間の保持温度については、フィルム自体の温度を測定した値である。他の実施例及び比較例も同様である。
ポリイミド前駆体溶液Aをポリイミド前駆体溶液B〜Fのいずれかに代えた他は、実施例1と同様にして操作を行い、表2に示すイミド化最高温度とした上で、当該イミド化最高温度から15℃低い温度領域で30分間保持し(ただし、比較例1は保持時間無し)、それぞれのポリイミド積層体B−2〜F−5、D−1’〜E−5’を得た。
合成例1で得られたポリイミド前駆体溶液Aに、溶剤NMPを加えて、粘度が4000cPになるように希釈した上で、ガラス基板(コーニング製イーグルXG、サイズ=150mm×150mm、厚み=0.5mm)上に、スピンコーターを用いて、硬化後のポリイミド厚みが10μm程度になるように塗布した。続いて、100℃で15分間加熱を行った。そして、表2に示すように、窒素雰囲気(酸素濃度:100ppm以下)中で、一定の昇温速度(4℃/min)で室温から425℃まで昇温させ、425〜430℃の間で30分間保持し、続いて、一定の昇温速度(4℃/min)で450℃まで昇温し、その温度で13分保持し、それから5時間以上かけて100℃に戻して、空気を導入し、室温に戻ってから、サンプルを窒素オーブンから取り出した。ガラス基板上に150mm×150mmのポリイミド層(ポリイミドフィルムA−6Fに相当)を形成し、ポリイミド積層体A−6を得た。なお、ここに記載する温度、および表2に示すイミド化最高温度については、フィルム自体の温度を測定した値である。
硬化条件として、一定の昇温速度(4℃/min)で室温から415℃まで昇温させ、405〜415℃の間で30分間保持し、続いて、一定の昇温速度(4℃/min)で465℃まで昇温し、450℃〜465℃の間で30分間保持した。硬化条件以外については、実施例6と同様に行い、ポリイミド積層体A−7を得た。
硬化条件として、一定の昇温速度(4℃/min)で室温から395℃まで昇温させ、380〜395℃の間で30分間保持し、続いて、一定の昇温速度(4℃/min)で425℃まで昇温し、410℃〜425℃の間で30分間保持した。硬化条件以外については、実施例6と同様に行い、ポリイミド積層体A−8を得た。
硬化条件として、一定の昇温速度(2℃/min)で室温から155℃まで昇温させ、155℃で30分間保持し、続いて、一定の昇温速度(3℃/min)で305℃まで昇温し、300℃〜305℃の間で20分間保持し、更に、一定の昇温速度(7℃/min)で415℃まで昇温し、400℃〜415℃の間で30分間保持した。硬化条件以外に、実施例6と同様に行い、ポリイミド積層体A−9を得た。
ポリイミド前駆体溶液Aをポリイミド前駆体溶液Gに代えて、硬化後のポリイミド厚みが6.5μm程度になるように塗布し、ほかの操作は実施例8と同様に行い、ポリイミド積層体G−10を得た。
一方、表2に示したとおり、本発明の製造条件を満たさない比較例1〜比較例5に係るポリイミドフィルムからなるものは、残存溶剤が多いものもあり、それはTFT製造工程の中でポリイミドフィルムは膨れが発生し、バリア層は部分的に剥離が発生した。また、引張伸度が小さいものは、最後の工程において、レーザーリフトオフ剥離の際に、ポリイミドが破れた。また、YIが15以上のものや420℃/30分加熱後のYIが20以上のものは、透明性が劣り、ディスプレイは着色となり、光学効果がよくなかった。
Claims (7)
- ポリイミド構造中にフッ素原子及びエーテル基を有するポリイミドフィルムであって、
残存溶剤が500ppm以下であり、
黄色度が15以下であると共に引張伸度が15%以上であり、尚且つ420℃で30分加熱後の黄色度が20以下であると共にその引張伸度が13%以上
であることを特徴とするポリイミドフィルム。 - 平均厚みが5〜50μmであり、
厚さ10μmのフィルムに換算した際の黄色度が15以下であり、また、420℃で30分加熱後における厚さ10μmのフィルムに換算した際の黄色度が20以下であることを特徴とする、請求項1に記載のポリイミドフィルム。 - ガラス転移点温度が400℃以上である、請求項1又は2に記載のポリイミドフィルム。
- エーテル基を有するジアミン由来の構造単位及び/又はエーテル基を有するテトラカルボン酸二無水物由来の構造単位の合計が、ジアミン由来の構造単位及びテトラカルボン酸二無水物由来の構造単位の合計に対して10モル%以上である、請求項1〜3のいずれかに記載のポリイミドフィルム。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のポリイミドフィルムの表面に、機能層が積層されてなることを特徴とする、フレキシブルデバイス。
- ポリアミド酸構造中にフッ素原子とエーテル基とを有するポリアミド酸溶液を用いて、当該ポリアミド酸溶液を、硬化後のポリイミドの平均厚みが5〜50μmになるように支持基材上に塗布後、最高温度が390〜470℃となるように熱処理してイミド化を行い、ポリイミドフィルムを形成することを特徴とする、ポリイミドフィルムの製造方法。
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