JP2021097131A

JP2021097131A - ドライフィルムレジスト、及び、プリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JP2021097131A
Application number: JP2019227177A
Authority: JP
Inventors: 啓司渡辺; Keiji Watanabe; 元通小野; Motomichi Ono; 徹也信時; Tetsuya Nobutoki; 奨士大竹; Shoji Otake
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2019-12-17
Filing date: 2019-12-17
Publication date: 2021-06-24

Abstract

【課題】ファインピッチな導体層を形成できるドライフィルムレジストの提供【解決手段】実施形態のドライフィルムレジスト１０では、ベース材１６に接している状態の絶縁層の第１面Ｆｆの算術平均表面粗さＲａは、１．１〜１．２μｍであり、表面が粗い。絶縁層１４を無電解めっき膜に接着させる際に、表面の粗い絶縁層１４と無電解めっき膜との間に気泡が残らず、絶縁層１４と無電解めっき膜との密着性が高くなる。【選択図】図１

Description

本発明は、めっきレジストパターンを形成するためのドライフィルムレジスト、及び、該ドライフィルムレジストを用いるプリント配線板の製造方法に関する。

特許文献１は、基板にラミネートしてソルダーレジスト、樹脂層を形成するためのドライフィルムを開示している。特許文献１では、ドライフィルムの表面粗さを０．１〜１．２μｍにすることで、ドライフィルムと基板との密着性を高くしている。

特開２０１６−８６０００号公報

[特許文献１の課題]
特許文献１では、基板に接着するソルダーレジスト、樹脂層を形成するためのドライフィルムに関して開示しており、シード層に接着させめっきレジストパターンを形成するためのドライフィルムレジストに関して何ら言及されていない。

本発明に係るドライフィルムレジストは、シード層に貼られる第１面と前記第１面と反対の第２面とを有する絶縁層と、前記絶縁層の第１面に接するベース材と、前記絶縁層の第２面に接する保護フィルムと、から成る。そして、前記ベース材に接している状態の前記絶縁層の第１面の算術平均表面粗さＲａは、１．１〜１．２μｍである。

本発明のプリント配線板の製造方法は、樹脂絶縁層上に無電解銅めっき膜を形成することと、ドライフィルムレジストを構成する絶縁層と前記絶縁層上の保護フィルムとを粗面を有するベース材から剥がし、前記絶縁層を前記無電解銅めっき膜上に接触させることと、所定温度まで加熱しながら真空ラミネートにより加圧し、前記絶縁層を前記無電解銅めっき膜に接着させることと、前記保護フィルムを剥離することと、を有する。そして、前記ベース材に接している状態の前記絶縁層の算術平均表面粗さＲａは、１．１〜１．２μｍである。

[実施形態の効果]
本発明の実施形態のドライフィルムレジストによれば、ベース材に接している状態の絶縁層の第１面の算術平均表面粗さＲａは、１．１〜１．２μｍであり、粗い。絶縁層をシード層に接着させる際に、表面の粗い絶縁層とシード層との間に気泡が残らず、絶縁層とシード層との密着性が高くなる。ファインピッチな細線を形成するための細いめっきレジストが気泡の残りによりシード層から剥離することが無いので、実施形態のドライフィルムレジストは、ファインピッチな導体回路（細線）を形成することができる。

本発明の実施形態のプリント配線板の製造方法によれば、ベース材に接している状態の絶縁層の第１面の算術平均表面粗さＲａは、１．１〜１．２μｍであり、粗い。絶縁層を無電解銅めっき膜に接着させる際に、真空ラミネートにより加圧することで表面の粗い絶縁層と無電解銅めっき膜との間に気泡が残らず、絶縁層と無電解銅めっき膜との密着性が高くなる。ファインピッチな細線を形成するための細いめっきレジストが気泡の残りにより無電解銅めっき膜から剥離することが無いので、実施形態の製造方法は、ファインピッチな導体回路（細線）を形成することができる。

本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造工程図実施形態のプリント配線板の製造工程図図３（Ａ）は実施形態のドライフィルムレジストの模式図であり、図３（Ｂ）は参考例のドライフィルムレジストの模式図である。

図３（Ａ）は、実施形態のドライフィルムレジスト１０の模式図である。
ドライフィルムレジスト１０は、シード層に貼られる粗化された第１面Ｆｆと第１面Ｆｆと反対の第２面Ｓｓとを有する絶縁層１４と、絶縁層１４の第１面Ｆｆに接するベース材１６と、絶縁層１４の第２面Ｓｓに接する保護フィルム１２と、から成る。絶縁層１４は露光、現像によりめっきレジストパターンを形成する光硬化性樹脂から成る。ベース材１６に接している状態の絶縁層１４の第１面Ｆｆの算術平均表面粗さＲａは、１．１〜１．２μｍであり、相対的に粗い。ベース材１６は、フィラー１６ａを有する樹脂１６ｂから成る。フィラー１６ａの平均粒子径は、０．５μｍ〜３．０μｍである。フィラー１６ａによりベース材１６の絶縁層１４の第１面Ｆｆ側の面に凹凸が形成され、ベース材１６の凹凸が転写されることで、ベース材１６に接している状態の絶縁層１４の第１面Ｆｆの算術平均表面粗さＲａが１．１〜１．２μｍに調整される。保護フィルム１２はＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムである。保護フィルム１２は、ベース材１６から剥離された絶縁層１４を支持する機能を有する。

実施形態のドライフィルムレジスト１０によれば、ベース材１６に接している状態の絶縁層の第１面Ｆｆの算術平均表面粗さＲａは、１．１〜１．２μｍであり、粗い。絶縁層１４を図示されないシード層に接着させる際に、表面の粗い絶縁層１４とシード層との間に気泡が残らず、絶縁層１４とシード層との密着性が高くなる。ファインピッチな細線を形成するための細いめっきレジストが気泡の残りによりシード層から剥離することが無いので、実施形態のドライフィルムレジスト１０はファインピッチな導体回路（細線）を形成することができる。

図３（Ｂ）は、参考例（従来品）のドライフィルムレジスト１１０の模式図である。
ドライフィルムレジスト１１０は、第１面Ｆｆと第２面Ｓｓとを有する絶縁層１１４と、絶縁層１１４の第１面Ｆｆに接するベース材１１６と、絶縁層１１４の第２面Ｓｓに接する保護フィルム１１２と、から成る。ベース材１１６に接している状態の絶縁層１１４の第１面Ｆｆの算術平均表面粗さＲａは、０．４〜０．５μｍである。ベース材１１６は、フィラー１１６ａを有する樹脂１１６ｂから成る。フィラー１１６ａの平均粒子径は、実施形態のフィラー１６ａの平均粒子径よりも小さい。

参考例のドライフィルムレジスト１１０では、ベース材１１６に接している状態の絶縁層１１４の第１面Ｆｆの算術平均表面粗さＲａは、０．４〜０．５μｍであり、表面の凹凸が小さい。絶縁層１１４を図示されないシード層に接着させる際に、気泡が抜けず、絶縁層１１４とシード層との間に気泡が残る。ファインピッチな細線を形成するための細いめっきレジスト膜が気泡の残りによりシード層から剥離し、参考例のドライフィルムレジスト１１０では、ファインピッチな導体回路（細線）を形成することができない。

[製造方法]
図１、図２に実施形態のプリント配線板の製造方法が示される。
主面Ｆと主面Ｆとの反対面の副面Ｓとを有する樹脂絶縁層５０には、副面Ｓに第２導体層３４が形成されている（図１（Ａ））。樹脂絶縁層５０に、レーザで第２導体層３４に至る開口５１が形成される（図１（Ｂ））。樹脂絶縁層の表面、及び、開口５１内に無電解銅めっき膜（シード層）５２が形成される（図１（Ｃ））。無電解銅めっき膜５２の算術平均表面粗さＲａは０．０５μｍ〜０．５μｍである。

図３（Ａ）中に示されるドライフィルムレジスト１０で、絶縁層１４と絶縁層１４上の保護フィルム１２とがベース材１６から剥がされ、絶縁層１４が無電解銅めっき膜５２上に接触させられる（図１（Ｄ））。実施形態の製造方法では、図３（Ａ）に示される絶縁層１４は、第１面Ｆｆの算術平均表面粗さＲａが１．１〜１．２μｍである。温度６０゜−１００゜Ｃまで加熱されながら真空ラミネートにより保護フィルム１２が加圧され、絶縁層１４と無電解銅めっき膜５２との間の気泡を抜きながら、絶縁層１４が無電解銅めっき膜５２に接着される（図１（Ｅ））。実施形態の絶縁層１４は、第１面Ｆｆの算術平均表面粗さＲａは、１．１〜１．２μｍであり、参考例の絶縁層１１４のＲａが０．４〜０．５μｍであるのに対して表面が粗い。実施形態の製造方法は、真空ラミネートにおいて、表面の粗い絶縁層１４と無電解銅めっき膜５２との間の気泡を抜くことができる。

保護フィルム１２が絶縁層１４から剥離される（図２（Ａ））。絶縁層が露光、現像されることで、無電解めっき膜５２上に所定パターンのめっきレジスト５６が形成される（図２（Ｂ））電解銅めっきにより電解めっき膜５４が形成され、開口５１内にビア導体６０が形成されると共に、樹脂絶縁層５０の上側に第１導体層５８が形成される（図２（Ｃ））。めっきレジストが除去される（図２（Ｄ））。電解めっき膜５４から露出する無電解めっき膜５２がエッチングで除去され、プリント配線板１００が完成する（図２（Ｅ））。

実施形態のプリント配線板の製造方法によれば、絶縁層１４は、第１面Ｆｆの算術平均表面粗さＲａは、１．１〜１．２μｍであり、表面が粗い。絶縁層１４を無電解銅めっき膜５２に接着させる際に、真空ラミネートにより加圧することで絶縁層１４と無電解銅めっき膜５２との間に気泡が残らず、絶縁層１４と無電解銅めっき膜５２との密着性が高くなる。ファインピッチな細線を形成するための細いめっきレジスト５６が気泡の残りにより無電解銅めっき膜５２から剥離することが無いので、実施形態の製造方法では、ファインピッチな第１導体層５８を形成することができる。

１０ドライフィルムレジスト
１２保護フィルム
１４絶縁層
１６ベース材
５０樹脂絶縁層
５２無電解めっき膜
５４電解めっき膜
５６めっきレジスト
５８第１導体層
１００プリント配線板

Claims

シード層に貼られる第１面と前記第１面と反対の第２面とを有する絶縁層と、
前記絶縁層の第１面に接するベース材と、
前記絶縁層の第２面に接する保護フィルムと、から成るドライフィルムレジストであって、
前記ベース材に接している状態の前記絶縁層の第１面の算術平均表面粗さＲａは、１．１〜１．２μｍである。
請求項１のドライフィルムレジストであって、
前記ベース材は、フィラーを有する樹脂から成り、
前記フィラーの平均粒子径は、０．５μｍ〜３．０μｍである。
請求項１又は請求項２のドライフィルムレジストであって、
前記保護フィルムはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムである。
請求項１〜請求項３のいずれか１のドライフィルムレジストであって、
前記絶縁層は光硬化性樹脂から成る。
樹脂絶縁層上に無電解銅めっき膜を形成することと、
ドライフィルムレジストを構成する絶縁層と前記絶縁層上の保護フィルムとを粗面を有するベース材から剥がし、前記絶縁層を前記無電解銅めっき膜上に接触させることと、
所定温度まで加熱しながら真空ラミネートにより加圧し、前記絶縁層を前記無電解銅めっき膜に接着させることと、
前記保護フィルムを剥離することと、を有するプリント配線板の製造方法であって、
前記ベース材に接している状態の前記絶縁層の算術平均表面粗さＲａは、１．１〜１．２μｍである。
請求項５のプリント配線板の製造方法であって、
前記保護フィルムを剥離した前記絶縁層を露光、現像してめっきレジストパターンを形成することと、
電解めっきにより、前記めっきレジストパターンから露出する前記無電解銅めっき膜上に電解めっき膜を形成することと、
前記めっきレジストパターンを剥離することと、
前記電解めっき膜から露出する前記無電解銅めっき膜を剥離し、前記電解めっき膜と前記無電解銅めっき膜とからなる導体回路を形成することと、を有する。
請求項５又は請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
前記無電解銅めっき膜の算術平均表面粗さＲａは０．０５μｍ〜０．５μｍである。