JP2021051277A - カメラモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】磁気センサにより、磁石の移動方向に関わらず高い検出精度で磁石の位置を検出する。【解決手段】カメラモジュールは、レンズと、レンズを含む移動体に取り付けられた第１の磁石及び第２の磁石と、第１の磁石の近傍に配置され、第１の磁石を第１の方向に移動させるコイル部と、第２の磁石の近傍に配置され、第１の方向を検知方向として第２の磁石の位置を検知する磁気センサと、を備える。【選択図】図１

Description

本開示は、カメラモジュールに関する。

近年、ＣＣＤやＣＭＯＳ等の固体撮像素子を有するモバイルカメラを搭載する携帯電話等の端末が多数存在しており、モバイルカメラに適用される光学系において、瞬時に高精度な位置検出を行うことが可能な位置検出機構が求められている。このような要求に対応するために、磁石の移動方向と平行な方向に２つの磁気センサを並べて配置することで、磁石の位置を検出する位置検出装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

実用新案登録第３１８９３６５号

しかしながら、例えば特許文献１に示す位置検出装置では、２つの磁気センサが並ぶ方向と垂直な方向へ磁石が移動した場合には、磁石の移動（磁石の位置）を検出することが検出できない。
そこで、本開示は、このような事情に鑑みてなされたものであって、磁石、コイルおよび磁気センサの配置自由度が高く、かつ高い検出精度で磁石の位置を検出することが可能なカメラモジュールを提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、本開示の一態様に係るカメラモジュールは、レンズと、レンズを含む移動体に取り付けられた第１の磁石及び第２の磁石と、第１の磁石の近傍に配置され、第１の磁石を第１の方向に移動させるコイル部と、第２の磁石の近傍に配置され、第１の方向を検知方向として第２の磁石の位置を検知する磁気センサと、を備えることを特徴とする。

また、本開示の他の態様に係るカメラモジュールは、レンズと、レンズを有する移動体に取り付けられた磁石と、磁石の近傍に配置され、一方向に沿って互いに離間し、かつ巻回軸がそれぞれ一方向と垂直な方向を向くように配置されて、磁石を一方向と垂直な方向に移動させる２つのコイルを有するコイル部と、磁石の一方向における位置を検知する磁気センサと、磁気センサに対して、２つのコイルがそれぞれ逆極性の磁場を発生するようにコイル部を駆動するドライバと、を備えることを特徴とする。

本開示の一態様によれば、磁石の移動方向に関わらず、高い検出精度で磁石の位置を検出することが可能となる。

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本開示の第一実施形態に係るカメラモジュールの一構成例を模式的に示す外観斜視図及び平面図である。 図１に示すカメラモジュールの一構成例を示す横断面図である。 本開示の第一実施形態に係るカメラモジュールの磁石、コイル及び磁気センサの配置を示す断面模式図である。 図４（Ａ）は、基準位置からの磁石の距離と、２つの磁電変換素子に印加される磁束との関係を示すグラフであり、図４（Ｂ）は、基準位置からの磁石の距離と、２つの磁気センサに印加される磁束の和磁束と差磁束の関係とを示すグラフである。 本開示の第一実施形態に係るカメラモジュールを説明するための回路ブロック図である。 本開示の第一実施形態に係るカメラモジュールをより詳細に説明するための回路ブロック図である。 本開示の第一実施形態に係るカメラモジュールの一変形例を模式的に示す外観斜視図である。 本開示の第二実施形態に係るカメラモジュールの一構成例を模式的に示す外観斜視図である。 本開示の第二実施形態に係るカメラモジュールの磁石、コイル及び磁気センサの配置を示す断面模式図である。 図１０（Ａ）は、基準位置からの磁石の距離と、２つの磁気センサに印加される磁束との関係を示すグラフであり、図１０（Ｂ）は、基準位置からの磁石の距離と、２つの磁電変換素子に印加される磁束の和磁束と差磁束の関係とを示すグラフである。 本開示の第二実施形態に係るカメラモジュールにおける効果を説明するための模式図である。 本開示の他の実施形態に係るカメラモジュールを説明するための回路ブロック図である。 本開示の他の実施形態に係るカメラモジュールを説明するための回路ブロック図である。 本開示の他の実施形態に係るカメラモジュールを説明するための回路ブロック図である。

以下の詳細な説明では、本開示の実施形態の完全な理解を提供するように多くの特定の具体的な構成について記載されている。しかしながら、このような特定の具体的な構成に限定されることなく他の実施態様が実施できることは明らかである。また、以下の実施形態は、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、実施形態で説明されている特徴的な構成の組み合わせの全てを含むものである。
また、以下の説明における「左右」や「上下」の方向は、単に説明の便宜上の定義であって、本開示の技術的思想を限定するものではない。よって、例えば、紙面を９０度回転すれば「左右」と「上下」とは交換して読まれ、紙面を１８０度回転すれば「左」が「右」に、「右」が「左」になることは勿論である。

以下、図面を参照して、本開示の第一実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一部分には同一符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。

１．第一実施形態
本開示の第一実施形態に係るカメラモジュールについて、図１から図６を用いて説明する。本実施形態によるカメラモジュール１００は、カメラ機能付電子機器に備えられている。本実施形態におけるカメラ機能付電子機器は、例えばスマートフォンなどの携帯電話機器、デジタルカメラ及びデジタルムービーなどである。

［カメラモジュールの構成］
図１（Ａ）は、カメラ機能付電子機器に備えられたカメラモジュール１００の概略構成を示す斜視図であり、図１（Ｂ）はカメラモジュール１００の平面図である。図２は、図１（Ａ）に示すカメラモジュール１００のＩＩ−ＩＩ断面を示す横断面図である。図１（Ａ）及び図２では、理解を容易にするため、磁気センサＳｘを含むデバイス１１０ｘ及び磁気センサＳｙを含むデバイス１１０ｙが取り付けられた筐体４の図示は省略されている。デバイス１１０ｘは、磁気センサＳｘと、コイルＣｘに印加する電流を制御するドライバ１２０ｘと、を備えている。また、デバイス１１０ｙは、磁気センサＳｙと、コイルＣｙに印加する電流を制御するドライバ１２０ｙとを備えている。磁気センサＳｘ，Ｓｙ、ドライバ１２０ｘ，１２０ｙ及び筐体４の詳細は後述する。また、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）には、説明の便宜上、カメラモジュール１００に対応付けられたＸＹＺ直交座標系が図示されている。

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、カメラモジュール１００は、薄板長方形状の移動体であるレンズホルダ２１と、レンズホルダ２１の中央に形成された貫通孔に取り付けられたレンズ２２とを有している。また、カメラモジュール１００は、レンズ２２の下部に、回路基板に電気的に接続されたＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像素子（不図示）を有していてもよい。
図１（Ｂ）に示すように、レンズホルダ２１は、カメラ機能付電子機器に備えられた筐体４のホルダ取付部４１に設けられている。レンズホルダ２１は、ホルダ取付部４１において、筐体４に対して移動可能に設けられている。

カメラモジュール１００は、レンズホルダ２１の周囲の少なくとも一部に設けられた磁石Ｍを有している。磁石Ｍは、磁石ＭｘおよびＭｙで構成されている。磁石Ｍｘ、磁石Ｍｙは、レンズホルダ２１の側面に取り付けられている。磁石Ｍｙは、磁石Ｍｘが配置されたレンズホルダ２１の側面に直交する側面に配置されている。

図１（Ｂ）に示すように、デバイス１１０ｘ，１１０ｙは、筐体４に取り付けられている。
デバイス１１０ｘは、磁石Ｍｙに対向配置されており、デバイス１１０ｘの周囲には、磁石Ｍｙに対向配置されたコイルＣｙが設けられている。デバイス１１０ｙは、磁石Ｍｘに対向配置されており、デバイス１１０ｙの周囲には、磁石Ｍｘに対向配置されたコイルＣｘが設けられている。
コイルＣｘには、デバイス１１０ｘが検出する磁石Ｍｙの位置検出信号に応じてデバイス１１０ｘから出力された駆動信号Ｓｄｘに基づく電流が供給される。コイルＣｙには、デバイス１１０ｙが検出する磁石Ｍｘの位置検出信号に応じてデバイス１１０ｙから出力された駆動信号Ｓｄｙに基づく電流が供給される。

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、レンズホルダ２１の基準位置（設計値）において、レンズ２２の光軸方向にＸＹＺ直交座標系のＺ軸方向が対応付けられている。また、レンズホルダ２１の基準位置において、レンズ２２の光軸方向に直交する平面にＸＹ座標平面が対応付けられている。本実施形態では、コイルＣｘによって磁石Ｍｘが動かされる方向である第１の方向として、レンズ２２の光軸と垂直な方向（本実施形態においてはＸ軸方向）が対応付けられている。また、コイルＣｙによって磁石Ｍｙが動かされる方向である第２の方向として、レンズ２２の光軸方向と、第１の方向（Ｘ軸方向）とに垂直なＹ軸方向が対応付けられている。

すなわち、コイルＣｘと磁石Ｍｘとが並ぶ方向にＸ軸方向が対応付けられている。換言すると、Ｘ軸方向は、磁石Ｍｙの長辺が延在する方向に対応付けられている。コイルＣｘ側から磁石Ｍｘ側（レンズ２２側）に向かう方向がＸ軸の正方向である。さらに、コイルＣｙと磁石Ｍｙとが並ぶ方向にＹ軸方向が対応付けられている。換言すると、Ｙ軸方向は、磁石Ｍｘの長辺が延在する方向に対応付けられている。磁石Ｍｙ側（レンズ２２側）からコイルＣｙ側に向かう方向がＹ軸の正方向である。

［カメラモジュールの動作］
本実施形態のカメラモジュール１００では、レンズホルダ２１に取り付けられた磁石Ｍｘ及び磁石Ｍｙの位置を検出することにより、レンズ２２の位置を特定する。磁石Ｍｘの位置は、磁石Ｍｘと対向して設けられた磁気センサＳｙにより検出される。磁石Ｍｙの位置は、磁石Ｍｙと対向して設けられた磁気センサＳｘにより検出される。磁石Ｍｘ及び磁石Ｍｙの位置検出方法については後述する。

本実施形態のカメラモジュール１００では、磁石Ｍｘと近接して配置されたコイルＣｘ又は磁石Ｍｙと近接して配置されたコイルＣｙに駆動電流を印加することにより、磁石Ｍｘ又は磁石Ｍｙを移動させる。例えば、コイルＣｘに駆動電流を印加することによりコイルＣｘの周りに磁場を発生させ、磁場の向きに応じて磁石ＭｘをＸ軸の正方向又は負方向に移動させることができる。同様に、コイルＣｙに駆動電流を印加することにより、磁石ＭｙをＹ軸の正方向又は負方向に移動させることができる。
以下、カメラモジュール１００の各部について詳細に説明する。

（磁気センサ）
磁気センサＳｘは、磁石Ｍｙの近傍に配置され、Ｘ軸方向を検知方向としてＸ軸方向における磁石Ｍｙの位置を検知するセンサである。また、磁気センサＳｙは、磁石Ｍｘの近傍に配置され、Ｙ軸方向を検知方向としてＹ軸方向における磁石Ｍｘの位置を検知するセンサである。磁気センサＳｘ、Ｓｙは、感磁軸の方向がＸ軸（第一の方向）、Ｙ軸（第二の方向）とそれぞれ垂直になるように配置されている。
図１（Ｂ）に示すように、磁気センサＳｘ及び磁気センサＳｙは、筐体４に取り付けられている。なお、磁気センサＳｘ及び磁気センサＳｙはホルダ取付部４１に取り付けられていてもよい。磁気センサＳｙ（第一の磁気センサの一例）は、磁石Ｍｘに対向配置されている。磁石ＭｘがＹ軸方向に移動することによる磁場の変化により、磁気センサＳｙの出力電圧が変化する。磁気センサＳｘ（第二の磁気センサの一例）は、磁石Ｍｙに対向配置されている。磁石ＭｙがＸ軸方向に移動することによる磁場の変化により、磁気センサＳｘの出力電圧が変化する。

図３は、磁石Ｍｘ、コイルＣｘ及び磁気センサＳｙの位置関係を詳細に示す断面図である。図３では、理解を容易にするため、磁気センサＳｙのみを図示し、磁気センサＳｙを含むデバイス１１０ｙと、磁気センサＳｙとともにデバイス１１０ｙに含まれるドライバ１２０ｙとの図示を省略する。
図３に示すように、磁気センサＳｙは、Ｙ軸方向（第２の方向の一例）に沿って配置された二つの磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２を有している。磁気センサＳｙにおいて、磁電変換素子ＨＥｙ２は、磁電変換素子ＨＥｙ１に対してＹ軸方向の正の方向に配置されている。磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２は、磁石ＭｘがＹ軸方向に移動した際に磁電変換素子ＨＥｙ１が出力する磁場検出信号Ｙ１の変化量の符号と、磁電変換素子ＨＥｙ２が出力する磁場検出信号Ｙ２の変化量の符号とが、互いに逆符号となるように配置されている。
同様に、磁気センサＳｘは、Ｘ軸方向（第１の方向の一例）に沿って配置された二つの磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２（不図示）を有している。磁気センサＳｘにおいて、磁電変換素子ＨＥｘ２は、磁電変換素子ＨＥｘ１に対してＸ軸方向の正の方向に配置されている。磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２は、磁石ＭｙがＸ軸方向に移動した際に磁電変換素子ＨＥｘ１が出力する磁場検出信号Ｘ１の変化量の符号と、磁電変換素子ＨＥｘ２が出力する磁場検出信号Ｘ２の変化量の符号とが、互いに逆符号となるように配置されている。

図４（Ａ）は、磁石Ｍｘの位置（基準位置からの磁石Ｍｘの距離）と、磁気センサＳｙの磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２の出力との関係を示すグラフである。図４（Ａ）において、基準位置からの磁石Ｍｘの距離が正の場合、磁石Ｍｘは、基準位置よりもＹ軸方向の負の方向に位置しているものとする。
ここで、図４（Ａ）中、磁電変換素子ＨＥｙ１が出力する磁場検出信号Ｙ１を破線で示し、磁電変換素子ＨＥｙ２が出力する磁場検出信号Ｙ２を点線で示す。図４（Ｂ）中、磁場検出信号Ｙ１と磁場検出信号Ｙ２との和信号（Ｙ１＋Ｙ２）を点線で示し、磁場検出信号Ｙ１と磁場検出信号Ｙ２との差信号（Ｙ１−Ｙ２）を鎖線で示す。図４（Ｂ）に示すように、和信号（Ｙ１＋Ｙ２）は、磁石Ｍｘの位置に関わらず略一定となる。一方、図４（Ｂ）に示すように、差信号（Ｙ１−Ｙ２）は、磁石Ｍｘの位置に応じて変化する。このため、磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２を本実施形態の配置とすることにより、和信号（Ｙ１＋Ｙ２）に対する差信号（Ｙ１−Ｙ２）の比（すなわち（Ｙ１−Ｙ２）／（Ｙ１＋Ｙ２））に基づいて、磁石Ｍｘの位置を示す位置検出信号を得ることができる。なお、位置検出信号は上記和信号に対する差信号の比に相当する信号に基づいて得ることもできる。例えば、磁場検出信号Ｙ２に対する磁場検出信号Ｙ１の比信号（Ｙ１／Ｙ２）を用いて、｛（Ｙ１／Ｙ２）−１｝／｛（Ｙ１／Ｙ２）＋１｝に基づいて磁石Ｍｘの位置を示す位置検出信号を得ることもできる。

また、磁石Ｍｙ、磁気センサＳｘ（磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２）、コイル部Ｃｙを図３における磁石Ｍｘ、磁気センサＳｙ（磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２）、コイル部Ｃｘと同様の配置としてもよい。この場合、磁電変換素子ＨＥｘ１の出力Ｘ１、磁電変換素子ＨＥｘ２の出力Ｘ２の和信号（Ｘ１＋Ｘ２）は、磁石Ｍｙの位置に関わらず略一定となる。一方、差信号（Ｘ１−Ｘ２）は、磁石Ｍｙの位置に応じて変化する。このため、磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２を本実施形態の配置とすることにより、和信号（Ｘ１＋Ｘ２）に対する差信号（Ｘ１−Ｘ２）の比（すなわち（Ｘ１−Ｘ２）／（Ｘ１＋Ｘ２））に基づいて、磁石Ｍｙの位置を示す位置検出信号を得ることができる。
なお、位置検出信号は、上述の和信号に対する差信号の比に相当する信号に基づいて得ることもできる。例えば、磁場検出信号Ｘ２に対する磁場検出信号Ｘ１の比信号（Ｘ１／Ｘ２）を用いて、｛（Ｘ１／Ｘ２）−１｝／｛（Ｘ１／Ｘ２）＋１｝に基づいて磁石Ｍｙの位置を示す位置検出信号を得ることもできる。
磁気センサＳｘ、Ｓｙは、例えば、磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２、ＨＥｙ１、ＨＥｙ２としてホール素子を用いたホールセンサを用いることができる。また、磁気センサＳｘ、Ｓｙは、例えば磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２、ＨＥｙ１、ＨＥｙ２として磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を用いた磁気抵抗（ＭＲ）センサ等であっても良い。

（磁石）
磁石Ｍｘ、磁石Ｍｙは、薄板直方体形状を有しており、互いに略同等の大きさに形成されている。磁石Ｍｘ、Ｍｙは、１つのＮ極と１つのＳ極を有する二極の永久磁石である。磁石Ｍｘ、磁石Ｍｙは、レンズホルダ２１の周囲の少なくとも一部に取り付けられている。磁石Ｍｘは、コイルＣｘによってＸ軸方向に動かされ、磁石Ｍｘの移動に対応してレンズ２２がＸ軸方向に動かされる。また、磁石Ｍｘは、磁石ＭｙがＹ軸方向に動かされることによってＹ軸方向に移動する。磁石Ｍｙは、コイルＣｙによってＹ軸方向に動かされ、磁石Ｍｙの移動に対応してレンズ２２がＹ軸方向に動かされる。また、磁石Ｍｙは、磁石ＭｘがＸ軸方向に動かされることによってＸ軸方向に移動する。

磁石Ｍｘは、磁気センサＳｙ内で二つの磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２が並んで配置されている方向に垂直な方向にＮ極とＳ極とが分布した二極磁石である。また、磁石Ｍｙは、磁気センサＳｘ内で二つの磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２が並んで配置されている方向に垂直な方向にＮ極とＳ極とが分布している。すなわち、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）では、磁石Ｍｘは、Ｓ極をレンズホルダ２１側に分布させ、Ｎ極を磁気センサＳｙ側に分布させて形成されている。また、磁石Ｍｙは、Ｓ極をレンズホルダ２１側に分布させ、Ｎ極が磁気センサＳｘ側に分布させて配置されている。

図３に示すように、磁石Ｍｘは、磁気センサＳｙが有する二つの磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２に対して、それぞれ同じ磁極（図３ではＮ極）が対向するように配置されている。また、磁石Ｍｙは、磁気センサＳｘが有する二つの磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２に対して、それぞれ同じ磁極（図１ではＮ極）が対向するように磁石Ｍｙが配置されている。

（コイル）
図１（Ｂ）に示すように、コイルＣｘ及びコイルＣｙは、筐体４に取り付けられている。コイルＣｘは、磁石Ｍｘの近傍に配置され、電流が供給されることにより磁場を発生し、磁石ＭｘをＸ軸方向に移動させる。コイルＣｘは、コイルＣｘの周囲に生じた磁束の向きに応じて、磁石ＭｘをＸ軸方向の正方向又は負方向に移動させる。コイルＣｙは、磁石Ｍｙの近傍に配置され、電流が供給されることにより磁場を発生し、磁石ＭｙをＹ軸方向に移動させる。コイルＣｙは、コイルＣｙの周囲に生じた磁束の向きに応じて、磁石ＭｙをＹ軸方向の正方向又は負方向に移動させる。すなわち、コイルＣｙは、磁石Ｍｙを、磁石Ｍｘとは異なる方向に移動させることができる。

コイルＣｘは、磁気センサＳｙの周囲に、磁石Ｍｘと対向配置されて設けられている。コイルＣｘには、磁気センサＳｘが検出する検出信号（磁石ＭｙのＸ軸方向における位置を示す信号）に基づく電流が供給される。すなわち、コイルＣｘには、磁石ＭｙのＸ軸方向における位置に基づいて、磁石ＭｘをＸ軸方向の目標位置に動かすための電流が供給される。
コイルＣｙは、磁気センサＳｘの周囲に、磁石Ｍｙと対向配置されて設けられている。コイルＣｙには、磁気センサＳｙが検出する検出信号（磁石ＭｘのＹ軸方向における位置を示す信号）に基づく電流が供給される。すなわち、コイルＣｙには、磁石ＭｘのＹ軸方向における位置に基づいて、磁石ＭｙをＹ軸方向の目標位置に動かすための電流が供給される。
これにより、コイルＣｘは、磁気センサＳｘによって検出された磁石ＭｙのＸ軸方向における位置に基づいて、Ｘ軸方向に磁石Ｍｘを移動させる。また、コイルＣｙは、磁気センサＳｙによって検出された磁石ＭｘのＹ軸方向における位置に基づいて、Ｙ軸方向に磁石Ｍｙを移動させる。

（デバイス）
図５は、磁気センサＳｙと、レンズ２２をＹ軸方向の目標位置に移動させるドライバ１２０ｙとを有するデバイス１１０ｙの一構成例を示すブロック図である。デバイス１１０ｙは、磁気センサＳｙと、ドライバ１２０ｙを構成する各部（位置検出信号出力部１３０ｙ、制御信号出力部１４０ｙ及び駆動信号出力部１５０ｙ）の少なくとも一つとが一体化されて形成されている。デバイス１１０ｙは、例えば、磁気センサＳｙとドライバ１２０ｙとが一枚の基板内又は基板上に作り込まれたモノリシックＩＣや、一基板上に磁気センサＳｙとドライバ１２０ｙとが接続されたハイブリッドＩＣであっても良い。また、デバイス１１０ｙは、例えば、磁気センサＳｙとドライバ１２０ｙとが一つのパッケージ内に一体化されていてもよい。デバイス１１０ｙの一例としては、例えばホールＩＣや磁気抵抗（ＭＲ）ＩＣが挙げられる。

以下、図５を参照して、ドライバ１２０ｙの動作について説明する。ドライバ１２０ｙは、磁気センサＳｙで検出したＹ軸方向における磁石Ｍｘの位置に基づいて、コイルＣｙを制御する。ドライバ１２０ｙは、コイルＣｙを制御して磁石Ｍｙを動かすことで、レンズ２２をＹ軸方向における目標位置に移動させる。なお、ドライバ１２０ｙの制御の理解を容易にするため、図５には、ドライバ１２０ｙを含むデバイス１１０ｙ以外のレンズ２２、磁石Ｍｘ，Ｍｙ及びコイルＣｙを記載している。

ドライバ１２０ｙは、磁石ＭｘのＹ軸方向の位置を検出する位置検出信号出力部１３０ｙと、コイルＣｙを駆動する駆動信号出力部１５０ｙと、駆動信号出力部１５０ｙを制御する制御信号出力部１４０ｙと、を有している。
また、カメラモジュール１００は、図５中図示しないデバイス１１０ｘを備えている。デバイス１１０ｘは、磁気センサＳｘと、レンズ２２をＸ軸方向の目標位置に移動させるドライバ１２０ｘとを有する。ドライバ１２０ｘは、位置検出信号出力部１３０ｘ、制御信号出力部１４０ｘ及び駆動信号出力部１５０ｘを備えている。デバイス１１０ｘは、磁気センサＳｘと、ドライバ１２０ｘを構成する各部（位置検出信号出力部１３０ｘ、制御信号出力部１４０ｘ及び駆動信号出力部１５０ｘ）の少なくとも一つとが一体化されて形成されている。
以下、ドライバ１２０の各部について詳細に説明する。図６では、デバイス１１０ｘ及び１１０ｙ、ドライバ１２０ｘ及び１２０ｙ、並びに位置検出信号出力部１３０ｘ及び１３０ｙのそれぞれを区別せずに、デバイス１１０、ドライバ１２０及び位置検出信号出力部１３０として説明する。なお、磁気センサＳｙについては説明を省略する。

（位置検出信号出力部）
位置検出信号出力部１３０は、磁気センサＳｙの二つの磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２からそれぞれ出力された磁場検出信号Ｙ１、Ｙ２に基づいて磁石ＭｘのＹ軸方向の位置を検出する。磁石ＭｘのＹ軸方向の位置は、磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２がそれぞれ出力する二つの磁場検出信号Ｙ１、Ｙ２の和信号、差信号及び比信号の少なくとも一つに基づいて検出される。
図６に示すように、位置検出信号出力部１３０は、演算部１３２と、検出部１３８とを有している。また、図６に示すように、磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２は電源８０と接続され、駆動電流又は駆動電圧が印加される。位置検出信号出力部１３０は、磁場検出信号Ｙ１、Ｙ２をＡＤ変換するＡＤ変換部（不図示）を有していてもよい。ＡＤ変換部は、例えば演算部１３２内に設けられる。

演算部１３２は、加算器１３６ａ及び減算器１３６ｂを有している。演算部１３２は、二つの磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２がそれぞれ出力する二つの磁場検出信号Ｙ１、Ｙ２を加算器１３６ａに入力し、磁場検出信号Ｙ１、Ｙ２の和信号（Ｙ１＋Ｙ２）を検出部１３８に出力する。また、演算部１３２は、磁場検出信号Ｙ１、Ｙ２を減算器１３６ｂに入力し、磁場検出信号Ｙ１、Ｙ２の差信号（Ｙ１−Ｙ２）を検出部１３８に出力する。

検出部１３８は、例えば和信号（Ｙ１＋Ｙ２）に対する差信号（Ｙ１−Ｙ２）の比｛（Ｙ１−Ｙ２）／（Ｙ１＋Ｙ２）｝を位置検出信号Ｓｐ（Ｓｐｙ）として制御信号出力部１４０に出力する。上述したように、和信号（Ｙ１＋Ｙ２）は、磁石Ｍｘの位置に関わらず略一定の値となる（図４（Ｂ）参照）。このため、（Ｙ１−Ｙ２）／（Ｙ１＋Ｙ２）で示される位置検出信号Ｓｐｙは、磁石Ｍｘの位置（磁石Ｍｘの基準位置に対する相対位置）に応じて変化する信号となる。

（制御信号出力部）
制御信号出力部１４０は、駆動信号出力部１５０を制御する制御信号Ｓｃ（Ｓｃｙ）を出力する。制御信号出力部１４０は、位置検出信号出力部１３０から入力された磁石ＭｘのＹ軸方向の位置を示す位置検出信号Ｓｐ（Ｓｐｙ）と、磁石Ｍｙ（レンズ２２）のＹ軸方向の目標位置を示す目標位置信号Ｓｔｐ（Ｓｔｐｙ）とに基づいて、制御信号Ｓｃ（Ｓｃｙ）を出力する。制御信号出力部１４０は、例えば、目標位置信号Ｓｔｐと位置検出信号Ｓｐとの差分から、Ｙ軸方向における目標位置までの磁石Ｍｙの移動量を算出する。制御信号出力部１４０は、当該移動量に対応する制御信号Ｓｃを駆動信号出力部１５０に出力する。また、制御信号出力部１４０は、ＰＩＤ制御（Proportional-Integral-Derivative Controller）を用いて制御信号Ｓｃを駆動信号出力部１５０に出力してもよい。

（駆動信号出力部）
駆動信号出力部１５０は、制御信号出力部１４０から入力された制御信号Ｓｃ（Ｓｃｙ）に基づき、駆動信号Ｓｄ（Ｓｄｙ）をコイルＣｙに出力する。駆動信号Ｓｄ（Ｓｄｙ）は、コイルＣｙに駆動電流を流すための信号である。駆動信号出力部１５０は、駆動信号Ｓｄ（Ｓｄｙ）により所定の駆動電流をコイルＣｙに流してコイルＣｙの周りに磁場を発生させ、磁石ＭｙをＹ軸方向に所定量移動させる。これにより、駆動信号出力部１５０は、互いに離間して配置された磁石Ｍｘ，Ｍｙが取り付けられたレンズ２２（レンズホルダ２１）を、Ｙ軸方向に移動させる。

以上、磁気センサＳｙの検出結果に基づきコイルＣｙを駆動するドライバ１２０について説明したが、磁気センサＳｘで検出した磁石Ｍｙの位置に基づいてコイルＣｘを駆動するドライバ（不図示）についても同様に動作する。

［変形例］
（１）変形例１
本実施形態に示すカメラモジュール１００は、例えば図７に示すように構成されていても良い。すなわち、カメラモジュール１００は、コイルＣｙ、デバイス１１０ｘ、磁気センサＳｘ及び磁石Ｍｙのそれぞれに代えて、二つのコイルＣｙ１、Ｃｙ２、デバイス１１０ｘ１，１１０ｘ２、磁気センサＳｘ１、Ｓｘ２及び磁石Ｍｙ１、Ｍｙ２（デバイス１１０ｘ２、磁気センサＳｘ２は図示せず）を有していても良い。この場合、デバイス１１０ｙは、磁気センサＳｙでの磁石Ｍｘの位置検出結果に応じてドライバ１２０ｙからコイルＣｙ１及びＣｙ２の双方に対して駆動信号Ｓｄｙを出力して、コイルＣｙ１及びＣｙ２に電流を印加する。また、デバイス１１０ｘ１、１１０ｘ２は、磁気センサＳｘ１、Ｓｘ２での磁石Ｍｙ１、Ｍｙ２の位置検出結果に応じて、ドライバ１２０ｘ１、１２０ｘ２のそれぞれからコイルＣｘに対して駆動信号Ｓｄｘを出力して、コイルＣｘに電流を印加する。図７において、駆動信号Ｓｄｘ、Ｓｄｙの出力を矢印で模式的に示している。
また、カメラモジュール１００は、コイルＣｘ、デバイス１１０ｙ、磁気センサＳｙ及び磁石Ｍｘのそれぞれに代えて、二つのコイルＣｘ１、Ｃｘ２、デバイス１１０ｙ１，１１０ｙ２、磁気センサＳｙ１、Ｓｙ２及び磁石Ｍｘ１、Ｍｘ２を有していても良い。

（２）変形例２
本実施形態に示すカメラモジュール１００は、第１の方向をレンズ２２の光軸と平行な方向（すなわちＺ軸方向）とし、第２の方向を光軸と垂直な方向（すなわち、Ｘ軸方向又はＹ軸方向）としてもよい。この場合、レンズ２２（レンズホルダ２１）の下部にコイルＣｚ、磁気センサＳｚ及び磁石Ｍｚを配置することにより、Ｚ軸方向の磁石Ｍｚの移動を検出することができる。

（３）変形例３
本実施形態に示すカメラモジュール１００は、レンズ２２のＸ軸方向又はＹ軸方向への移動を検知し、検知結果に応じてコイルＣｘ、Ｃｙを駆動することによりレンズ２２の位置を制御する機能を有するが、このような構成には限られない。例えば、カメラモジュール１００は、レンズ２２をＺ軸方向に移動させることが可能な図示しないコイルＣｚと磁石Ｍｚとをさらに、備え、レンズ２２のＺ軸方向への移動を検知し、検知結果に応じてレンズ２２のＺ軸方向の位置を制御する機能を有していてもよい。

この場合、磁石Ｍｚは、レンズホルダ２１を挟んで磁石Ｍｘに対向配置されている。磁石Ｍｚは、筐体４に設けられたホルダ取付部４１内でレンズホルダ２１が動いても、デバイス１１０ｚとの間隔が一定に保たれるようにホルダ取付部４１内に設けられている。磁石Ｍｚは、レンズホルダ２１の外側に配置されている。磁石Ｍｚとレンズホルダ２１とは、互いに独立して可動するようになっている。
コイルＣｚを駆動するデバイス１１０ｚ（不図示）は、筐体４に取り付けられている。デバイス１１０ｚの周囲には、磁石Ｍｚに対向配置されたコイルＣｚが設けられている。コイルＣｚには、デバイス１１０ｚが検出する検出信号に基づく電流が供給される。
これにより、カメラモジュール１００は、レンズ２２のＸ−Ｙ平面内でのブレの補正のみでなく、レンズ２２のＺ軸方向へのブレの補正や焦点の補正を行うことが可能となる。

（４）変形例４
本実施形態に示すカメラモジュール１００は、変形例３と同様に、Ｘ軸方向又はＹ軸方向へのレンズ２２の位置を制御する機能に加えて、Ｚ軸方向へのレンズ２２の位置を制御する機能を有していてもよい。
変形例４のカメラモジュール１００は、例えば、３つの磁石Ｍｘ，Ｍｙ及びＭｚ、３つのコイルＣｘ，Ｃｙ及びＣｚ及び３つのデバイス１１０ｘ、１１０ｙ及び１１０ｚを有している。このようなカメラモジュール１００では、磁石Ｍｘ，Ｍｙ及びＭｚがレンズホルダ２１に取り付けられており、磁石Ｍｘ，Ｍｙ及びＭｚの近傍にはコイルＣｘ，Ｃｙ及びＣｚがそれぞれ配置されている。デバイス１１０ｘは、例えば、コイルＣｙ又はＣｚの近傍に配置され、デバイス１１０ｙは、例えば、コイルＣｚ又はＣｘの近傍に配置され、デバイス１１０ｚは、例えば、コイルＣｘ又はＣｙの近傍に配置される。

デバイス１１０ｘが有する磁気センサＳｘは、Ｘ軸方向を検知方向として磁石Ｍｙの位置を検知する。デバイス１１０ｙが有する磁気センサＳｙは、Ｙ軸方向を検知方向として磁石Ｍｚの位置を検知する。デバイス１１０ｚが有する磁気センサＳｚは、Ｚ軸方向を検知方向として磁石Ｍｘの位置を検知する。
コイルＣｘは、ドライバ１２０ｘからの駆動信号によって駆動されて磁石Ｍｘを第１の方向であるＸ軸方向に移動させる。コイルＣｙは、ドライバ１２０ｙからの駆動信号によって駆動されて磁石Ｍｙを第２の方向であるＹ軸方向に移動させる。コイルＣｚは、ドライバ１２０ｚからの駆動信号によって駆動されて磁石Ｍｚを第３の方向であるＺ軸方向に移動させる。

すなわち、変形例４のカメラモジュール１００は、移動体に取り付けられた第１の磁石、第２の磁石及び第３の磁石を有している。コイル部は、第１の磁石を第１の方向に移動させる第１のコイル部と、第２の磁石を第１の方向と異なる第２の方向に移動させる第２のコイル部と、第３の磁石を第１の方向および第２の方向のいずれとも異なる第３の方向に移動させる第３のコイル部と、有している。また、磁気センサは、第３の方向を検知方向として第１の磁石の位置を検知する第１の磁気センサと、第１の方向を検知方向として第２の磁石の位置を検知する第２の磁気センサと、第２の方向を検知方向として第３の磁石の位置を検知する第３の磁気センサと、を有している。

このようなカメラモジュール１００では、磁気センサＳｘ、Ｓｙ及びＳｚがそれぞれレンズ２２をＸ，Ｙ及びＺ軸方向に移動させるためのコイルＣｘ，Ｃｙ及びＣｚからの漏れ磁場の影響を受けにくくなる。このため、レンズ２２の移動方向に関わらずより高い検出精度でレンズ２２の位置を検出することができる。

（５）変形例５
変形例５のカメラモジュール１００は、例えば、２つの磁石Ｍｘ，Ｍｙｚ、３つのコイルＣｘ，Ｃｙ及びＣｚ及び３つのデバイス１１０ｘ、１１０ｙ及び１１０ｚを有している。磁石Ｍｙｚは、コイルＣｙ及びＣｚの双方の近傍に配置される磁石であり、変形例４に記載の磁石Ｍｙ、Ｍｚの双方の機能を有する磁石である点で変形例４と相違する。

コイルＣｘは、磁石Ｍｘの近傍に配置され、磁石ＭｘをＸ軸方向（第１の方向の一例）に移動させる。コイルＣｙは、磁石Ｍｙｚの近傍に配置され、磁石ＭｙｚをＹ軸方向（第２の方向の一例）に移動させる。コイルＣｚは、磁石Ｍｙｚの近傍に配置され、磁石ＭｙｚをＺ軸方向（第３の方向の一例）に移動させる。
すなわち、変形例５のカメラモジュール１００は、移動体に取り付けられた第１の磁石及び第２の磁石を有している。コイル部は、第１の磁石を第１の方向に移動させる第１のコイル部と、第２の磁石を第２の方向に移動させる第２のコイル部と、第２の磁石を第１の方向および第２の方向のいずれとも異なる第３の方向に移動させる第３のコイル部とを有している。また、磁気センサは、第３の方向を検知方向として第１の磁石の位置を検知する第１の磁気センサをさらに有する。

［第一実施形態の効果］
第一実施形態に係るカメラモジュール１００では、以下の効果を有する。（１）磁電変換素子と対向して配置された磁石が２つの磁電変換素子が並ぶ方向と垂直な方向へ移動した場合であっても、磁石の移動（磁石の位置）を高い検出精度で検出することができる。

２．第二実施形態
本開示の第二実施形態に係るカメラモジュールについて、図６を参照しつつ図８から図１１を用いて説明する。本実施形態によるカメラモジュール２００は、第一実施形態に係るカメラモジュール１００よりもさらに高い検出精度で磁石の位置を検出することが可能となる。
第一実施形態に係るカメラモジュール１００は、コイルＣｘ、Ｃｙの中心に磁気センサＳｙ、Ｓｘがそれぞれ配置されている。このため、磁気センサＳｙ、Ｓｘは、磁石Ｍｘ、Ｍｙによって生じる磁場のみでなく、コイルＣｘ、Ｃｙに電流が流れることによって発生する磁場をも検出する。第二実施形態に係るカメラモジュール２００は、コイルＣｘ、Ｃｙに電流が流れることによって発生する磁場の検出を抑制し、より高い検出精度で磁石の位置を検出する。

［カメラモジュールの構成］
図８に示すように、カメラモジュール２００は、四極の磁石Ｍ’（Ｍｘ’、Ｍｙ’）と、コイルＣｘ１，Ｃｘ２及びＣｙ１，Ｃｙ２と、デバイス１１０ｘ，１１０ｙとを備えている。デバイス１１０ｘは、磁気センサＳｘと、ドライバ１２０ｘとを有し、ドライバ１２０ｘから出力される駆動信号Ｓｄｘ（図８中矢印で示す）により、コイルＣｘ１，Ｃｘ２に電流を印加する。デバイス１１０ｙは、磁気センサＳｙと、ドライバ１２０ｙとを有し、ドライバ１２０ｙから出力される駆動信号Ｓｄｙ（図８中矢印で示す）により、コイルＣｙ１，Ｃｙ２に電流を印加する。磁気センサＳｙを有するデバイス１１０ｙは、２つのコイルＣｘ１，Ｃｘ２の間に配置される。また、磁気センサＳｘを有するデバイス１１０ｘは、２つのコイルＣｙ１，Ｃｙ２の間に配置される。
磁石Ｍｘ’は、後述するように、磁気センサＳｙが有する二つの磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２に対して、それぞれ異なる磁極が対向するように配置されている。すなわち、図８に示すように、磁気センサＳｙは磁石Ｍｘ’のＳ極及びＮ極の双方と対向するように配置されている。また、磁石Ｍｙ’は、磁気センサＳｘが有する二つの磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２に対して、それぞれ異なる磁極が対向するように配置されている。すなわち、図８に示すように、磁気センサＳｘは磁石Ｍｙ’のＳ極及びＮ極の双方と対向するように配置されている。
以下、カメラモジュール２００の各部について詳細に説明する。

（磁気センサ）
図９は、磁石Ｍｘ’コイル部Ｃｘ１，Ｃｘ２及び磁気センサＳｙの位置関係を詳細に示す断面図である。図９では、理解を容易にするため、磁気センサＳｙのみを図示し、磁気センサＳｙを含むデバイス１１０ｙと、磁気センサＳｙとともにデバイス１１０ｙに含まれるドライバ１２０ｙとの図示を省略する。
図９に示すように、磁気センサＳｙは、Ｙ軸方向（第２の方向の一例）に沿って配置された二つの磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２を有している。同様に、磁気センサＳｘは、Ｘ軸方向（第１の方向の一例）に沿って配置された二つの磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２（不図示）を有している。
磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２は、磁石Ｍｘ’がＹ軸方向に移動した際に磁電変換素子ＨＥｙ１が出力する磁場検出信号Ｙ１の変化量の符号と、磁電変換素子ＨＥｙ２が出力する磁場検出信号Ｙ２の変化量の符号とが、互いに同符号となるように配置されている点で、第一実施形態の磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２と相違する。

図１０（Ａ）は、磁石Ｍｘ’の位置（基準位置からの磁石Ｍｘ’の距離）と、磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２に印加される磁場との関係を示すグラフである。図１０（Ａ）において、基準位置からの磁石Ｍｘ’の距離が正の場合、磁石Ｍｘ’は、基準位置よりもＹ軸方向の負の方向に位置している。
ここで、図１０（Ａ）中、磁電変換素子ＨＥｙ１が出力する磁場検出信号Ｙ１を破線で示し、磁電変換素子ＨＥｙ２が出力する磁場検出信号Ｙ２を点線で示す。図１０（Ｂ）中、磁場検出信号Ｙ１と磁場検出信号Ｙ２との和信号（Ｙ１＋Ｙ２）を点線で示し、磁場検出信号Ｙ１と磁場検出信号Ｙ２との差信号（Ｙ１−Ｙ２）を破線で示す。図１０（Ｂ）に示すように、差信号（Ｙ１−Ｙ２）は、磁石Ｍｘ’の位置に関わらず略一定となる。一方、図１０（Ｂ）に示すように、和信号（Ｙ１＋Ｙ２）は、磁石Ｍｘ’の位置に応じて変化する。このため、磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２を本実施形態の配置とすることにより、差信号（Ｙ１−Ｙ２）に対する和信号（Ｙ１＋Ｙ２）の比（すなわち（Ｙ１＋Ｙ２）／（Ｙ１−Ｙ２））に基づいて、磁石Ｍｘ’の位置を示す位置検出信号を得ることができる。
なお、位置検出信号は上記差信号に対する和信号の比に相当する信号に基づいて得ることもできる。例えば、磁場検出信号Ｙ２に対する磁場検出信号Ｙ１の比信号（Ｙ１／Ｙ２）を用いて、｛（Ｙ１／Ｙ２）＋１｝／｛（Ｙ１／Ｙ２）−１｝に基づいて磁石Ｍｘ’の位置を示す位置検出信号を得ることもできる。

また、磁石Ｍｙ’、磁気センサＳｘ（磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２）、コイルＣｙ１，Ｃｙ２を図９における磁石Ｍｘ’、磁気センサＳｙ（磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２）、コイルＣｘ１、Ｃｘ２と同様の配置としてもよい。この場合、磁電変換素子ＨＥｘ１の出力Ｘ１、磁電変換素子ＨＥｘ２の出力Ｘ２の差信号（Ｘ１−Ｘ２）は、磁石Ｍｙ’の位置に関わらず略一定となる。一方、和信号（Ｘ１＋Ｘ２）は、磁石Ｍｙ’の位置に応じて変化する。このため、磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２を本実施形態の配置とすることにより、差信号（Ｘ１−Ｘ２）に対する和信号（Ｘ１＋Ｘ２）の比（すなわち（Ｘ１＋Ｘ２）／（Ｘ１−Ｘ２））に基づいて、磁石Ｍｙ’の位置を示す位置検出信号を得ることができる。
なお、位置検出信号は上記差信号に対する和信号の比に相当する信号に基づいて得ることもできる。例えば、磁場検出信号Ｘ２に対する磁場検出信号Ｘ１の比信号（Ｘ１／Ｘ２）を用いて、｛（Ｘ１／Ｘ２）＋１｝／｛（Ｘ１／Ｘ２）−１｝に基づいて磁石Ｍｙ’の位置を示す位置検出信号を得ることもできる。

（磁石）
磁石Ｍｘ’、Ｍｙ’は、２つのＮ極と２つのＳ極を有する四極の永久磁石である。磁石Ｍｘ’は、磁気センサＳｙ内で二つの磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２が並んで配置されている方向に垂直な方向にＮ極とＳ極とが分布し、かつ磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２が並んで配置されている方向に平行な方向にＮ極とＳ極とが分布した四極磁石である。また、磁石Ｍｙ’は、磁気センサＳｘ内で二つの磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２が並んで配置されている方向に垂直な方向にＮ極とＳ極とが分布し、磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２が並んで配置されている方向に水平な方向にＮ極とＳ極とが分布した四極磁石である。なお、磁石Ｍｘ’、Ｍｙ’は、四極磁石に限られたものではなく、四極以外の多極の磁石であっても良い。

上述したように、磁石Ｍｘ’は、磁気センサＳｙが有する二つの磁電変換素子ＨＥｙ１、ＨＥｙ２に対して、それぞれ異なる磁極が対向するように配置されている。磁石Ｍｙ’は、磁気センサＳｘが有する二つの磁電変換素子ＨＥｘ１、ＨＥｘ２に対して、それぞれ異なる磁極が対向するように配置されている。

（コイル）
２つのコイルＣｘ１，Ｃｘ２は、Ｙ軸方向に沿って互いに離間して配置されており、２つのコイルＣｙ１，Ｃｙ２は、Ｘ軸方向に沿って互いに離間して配置されている。
コイルＣｘ１，Ｃｘ２は、電流が供給されることにより磁場を発生し、磁石Ｍｘ’をＸ軸方向に移動させる。コイルＣｙ１、Ｃｙ２は、電流が供給されることにより磁場を発生し、磁石Ｍｙ’をＹ軸方向に移動させる。すなわち、コイルＣｙは、磁石Ｍｙ’を、磁石Ｍｘ’とは異なる方向に移動させることができる。

図１１は、磁気センサＳｙに対してコイルＣｘ１，Ｃｘ２が発生する磁場について説明する断面図である。図１１では、理解を容易にするため、磁気センサＳｙのみを図示し、デバイス１１０ｙ及びドライバ１２０ｙの図示を省略する。
図１１に示すように、コイルＣｘ１，Ｃｘ２は、磁気センサＳｙに対してそれぞれ逆極性の磁場を発生するように構成されている。コイルＣｘ１，Ｃｘ２は、磁気センサＳｙに対してできるだけ等しい大きさの磁場を発生させることが好ましい。これにより、磁気センサＳｙの位置において、コイルＣｘ１に電流が流れることによって発生する磁場と、コイルＣｘ２に電流が流れることによって発生する磁場とがキャンセルされる。このため、磁気センサＳｙは、コイルＣｘ１、Ｃｘ２からの磁場の影響が低減され、磁石Ｍｘ’の位置を高い精度で示す信号を出力することができる。
コイルＣｘ１，Ｃｘ２に磁気センサＳｙに対してそれぞれ逆極性の磁場を発生させるために、コイルＣｘ１，Ｃｘ２は、以下のいずれかの構成とされる。（ｉ）コイルＣｘ１，Ｃｘ２は、導体の巻方向が同一であり、逆方向の電流が印加される（図１１参照）。（ｉｉ）コイルＣｘ１，Ｃｘ２は、導体の巻方向が逆方向であり、同一方向の電流が印加される。

コイルＣｙ１，Ｃｙ２についても同様に、磁気センサＳｘに対してそれぞれ逆極性の磁場を発生するように構成されている。このため、磁気センサＳｘの位置において、コイルＣｙ１、Ｃｙ２からの磁場の影響を低減することができる。
コイルＣｙ１，Ｃｙ２に磁気センサＳｘに対してそれぞれ逆極性の磁場を発生させるために、コイルＣｙ１，Ｃｙ２は、上述の（ｉ）（ｉｉ）と同様の構成とされる。

（位置検出信号出力部）
第二実施形態にかかる位置検出信号出力部１３０について、図６を参照して説明する。図６に示すように、位置検出信号出力部１３０は、演算部１３２と、検出部１３８とを有している。第二実施形態に係る位置検出信号出力部１３０は、差信号（Ｙ１−Ｙ２）に対する和信号（Ｙ１＋Ｙ２）の比に基づいて位置検出信号Ｓｐ（Ｓｐｙ）を出力する点で、第一実施形態に係る位置検出信号出力部１３０と相違する。
検出部１３８は、例えば差信号（Ｙ１−Ｙ２）に対する和信号（Ｙ１＋Ｙ２）の比｛（Ｙ１＋Ｙ２）／（Ｙ１−Ｙ２）｝を位置検出信号Ｓｐｙとして制御信号出力部１４０に出力する。上述したように、本実施形態において、差信号（Ｙ１−Ｙ２）は、磁石Ｍｘ’の位置に関わらず略一定の値となる（図１０（Ｂ）参照）。このため、（Ｙ１＋Ｙ２）／（Ｙ１−Ｙ２）で示される位置検出信号Ｓｐｙは、磁石Ｍｘ’の位置（磁石Ｍｘ’の基準位置に対する相対位置）に応じて変化する信号となる。

［第二実施形態の効果］
第二実施形態に係るカメラモジュール２００では、第一実施形態における効果（１）に加えて、以下の効果を有する。（２）第二実施形態のカメラモジュール２００では、隣接して配置された２つのコイルと、２つのコイルの間に配置され、２つの磁電変換素子を有する磁気センサとを有している。また、カメラモジュール２００では、磁石が、磁気センサが有する２つの磁電変換素子に対して、それぞれ異なる磁極が対向するように配置されている。２つのコイルは、磁気センサに対してそれぞれ逆極性の磁場を発生するように構成されている。
これにより、磁気センサの位置において、２つのコイルからの磁場の影響を低減することができる。

３．他の実施形態
以下、本開示の他の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
第一実施形態及び第二実施形態では、位置検出信号出力部１３０において、磁場検出信号Ｙ１、Ｙ２の和信号（Ｙ１＋Ｙ２）と差信号（Ｙ１−Ｙ２）との比を位置検出信号Ｓｐとして出力していたが、これに代えて、位置検出信号出力部１３０では以下のような演算を行っても良い。

（他の実施形態の第一の例）
図１２（Ａ）は、他の実施形態の第一の例を示すブロック図である。図１２（Ａ）に示す位置検出信号出力部２３０は、演算部１３２の代わりに演算部２３２を有し、検出部１３８の代わりに検出部２３８を有する点で、図６に示す位置検出信号出力部１３０と相違する。位置検出信号出力部２３０は、第一実施形態のカメラモジュール１００に適用することができる。

位置検出信号出力部２３０は、演算部２３２と検出部２３８とを有している。
演算部２３２は、磁電変換素子ＨＥｙ１に接続された増幅部２３４ａと、磁電変換素子ＨＥｙ２に接続された増幅部２３４ｂとを有している。増幅部２３４ａ、２３４ｂでは、加算器２３６ｂで算出された増幅部２３４ａの出力信号と増幅部２３４ｂの出力信号との和信号（Ｙ１＋Ｙ２）が一定となるように係数（増幅率）が演算される。演算部２３２は、減算器２３６ａで演算された増幅率αで制御された増幅部２３４ａの出力信号αＹ１と増幅部２３４ｂの出力信号αＹ２との差信号α（Ｙ１−Ｙ２）を検出部２３８に出力する。
検出部２３８は、演算部２３２の出力（差信号α（Ｙ１−Ｙ２））に基づいて、磁石Ｍｘの位置を検出する。また、検出部２３８は、磁石Ｍｘの位置検出信号Ｓｐｙを、位置検出信号Ｓｐｙとして制御信号出力部１４０に出力する。位置検出信号Ｓｐｙは、例えばＹ軸方向における磁石Ｍｘの基準位置からの相対位置を示す。

図１２（Ａ）に記載の位置検出信号出力部２３０は、第二実施形態のカメラモジュール２００に適用する場合、位置検出信号出力部３３０に置き換えられる。
図１２（Ｂ）に示す位置検出信号出力部３３０は、演算部１３２の代わりに演算部３３２を有し、検出部１３８の代わりに検出部３３８を有する点で、図６に示す位置検出信号出力部１３０と相違する。

位置検出信号出力部３３０は、演算部３３２と検出部３３８とを有している。
演算部３３２は、磁電変換素子ＨＥｙ１に接続された増幅部３３４ａと、磁電変換素子ＨＥｙ２に接続された増幅部３３４ｂとを有している。増幅部３３４ａ、３３４ｂでは、減算器３３６ｂで算出された増幅部３３４ａの出力信号と増幅部３３４ｂの出力信号との差信号（Ｙ１−Ｙ２）が一定となるように係数（増幅率）が演算される。演算部３３２は、加算器３３６ａで演算された増幅率αで制御された増幅部３３４ａの出力信号αＹ１と増幅部３３４ｂの出力信号αＹ２との和信号α（Ｙ１＋Ｙ２）を検出部３３８に出力する。
検出部３３８は、演算部３３２の出力（和信号α（Ｙ１＋Ｙ２））に基づいて、磁石Ｍｘの位置を検出する。また、検出部３３８は、磁石Ｍｘの位置検出信号Ｓｐｙを、位置検出信号Ｓｐｙとして制御信号出力部１４０に出力する。位置検出信号Ｓｐｙは、例えばＹ軸方向における磁石Ｍｘの基準位置からの相対位置を示す。

（他の実施形態の第二の例）
図１３（Ａ）は、他の実施形態の第二の例を示すブロック図である。図１３（Ａ）に示す位置検出信号出力部４３０は、演算部１３２の代わりに演算部４３２を有し、検出部１３８の代わりに検出部４３８を有する点で、図６に示す位置検出信号出力部１３０と相違する。位置検出信号出力部４３０は、第一実施形態のカメラモジュール１００に適用することができる。

位置検出信号出力部４３０は、演算部４３２と検出部４３８とを有している。
演算部４３２は、加算器４３６ｂで算出された磁電変換素子ＨＥｙ１からの出力Ｙ１と磁電変換素子ＨＥｙ２からの出力Ｙ２との和信号（Ｙ１＋Ｙ２）を増幅率演算部４３５に入力する。増幅率演算部４３５では、和信号（Ｙ１＋Ｙ２）が一定となるような係数（増幅率）を演算する。増幅部４３４では、増幅率演算部４３５から入力された増幅率βを、減算器４３６ａで演算した磁電変換素子ＨＥｙ１からの出力Ｙ１と磁電変換素子ＨＥｙ２からの出力Ｙ２との差信号（Ｙ１−Ｙ２）に掛け合わせる演算を行う。演算部４３２は、演算結果として増幅率βと差信号（Ｙ１−Ｙ２）との積β（Ｙ１−Ｙ２）を検出部４３８に出力する。
検出部４３８は、演算部４３２の出力に基づいて、磁石Ｍｘの位置を検出する。また、検出部４３８は、磁石Ｍｘの位置検出信号Ｓｐｙを制御信号出力部１４０に出力する。位置検出信号Ｓｐｙは、例えばＹ軸方向における磁石Ｍｘの基準位置からの相対位置を示す。

図１３（Ａ）に記載の位置検出信号出力部４３０は、第二実施形態のカメラモジュール２００に適用する場合、図１３（Ｂ）に記載の位置検出信号出力部５３０に置き換えられる。
位置検出信号出力部５３０は、演算部５３２と検出部５３８とを有している。
演算部５３２は、減算器５３６ｂで算出された磁電変換素子ＨＥｙ１からの出力Ｙ１と磁電変換素子ＨＥｙ２からの出力Ｙ２との差信号（Ｙ１−Ｙ２）を増幅率演算部５３５に入力する。増幅率演算部５３５では、差信号（Ｙ１−Ｙ２）が一定となるような係数（増幅率）を演算する。増幅部５３４では、増幅率演算部５３５から入力された増幅率βを、加算器５３６ａで演算した磁電変換素子ＨＥｙ１からの出力Ｙ１と磁電変換素子ＨＥｙ２からの出力Ｙ２との和信号（Ｙ１＋Ｙ２）に掛け合わせる演算を行う。演算部５３２は、演算結果として増幅率βと和信号（Ｙ１＋Ｙ２）との積β（Ｙ１＋Ｙ２）を検出部５３８に出力する。
検出部５３８は、演算部５３２の出力に基づいて、磁石Ｍｘの位置を検出する。また、検出部５３８は、磁石Ｍｘの位置検出信号Ｓｐｙを制御信号出力部１４０に出力する。位置検出信号Ｓｐｙは、例えばＹ軸方向における磁石Ｍｘの基準位置からの相対位置を示す。

（他の実施形態の第三の例）
図１４（Ａ）は、他の実施形態の第三の例を示すブロック図である。図１４（Ａ）に示す位置検出信号出力部６３０は、演算部１３２の代わりに演算部６３２を有し、検出部１３８の代わりに検出部６３８を有する点で、図６に示す位置検出信号出力部１３０と相違する。位置検出信号出力部６３０は、第一実施形態のカメラモジュール１００に適用することができる。

位置検出信号出力部６３０は、演算部６３２と検出部６３８とを有している。
演算部６３２は、加算器６３６ｂで算出された磁電変換素子ＨＥｙ１からの出力Ｙ１と磁電変換素子ＨＥｙ２からの出力Ｙ２との和信号（Ｙ１＋Ｙ２）が一定となるように、磁気センサＳｙの出力値を演算する。演算部６３２は、演算結果に基づき電源８０を制御して、和信号（Ｙ１＋Ｙ２）が一定となるように磁気センサＳｙを駆動する。

位置検出信号出力部６３０は、磁気センサＳｙの和信号（Ｙ１＋Ｙ２）が一定となるように、磁気センサＳｙの駆動電圧又は駆動電流を制御する磁気センサ駆動制御部（不図示）を有していてもよい。電源８０が磁気センサ駆動制御部によって制御されることにより、磁気センサの駆動電圧又は駆動電流が制御される。
検出部６３８は、補正された磁気センサＳｙからの出力値Ｙ１，Ｙ２に基づいて減算器６３６ａで演算された差信号（Ｙ１−Ｙ２）に基づいて、磁石Ｍｘの位置を検出する。また、検出部６３８は、磁石Ｍｘの位置検出信号Ｓｐｙを制御信号出力部１４０に出力する。位置検出信号Ｓｐｙは、例えばＹ軸方向における磁石Ｍｘの基準位置からの相対位置を示す。

図１４（Ａ）に記載の位置検出信号出力部６３０は、第二実施形態のカメラモジュール２００に適用する場合、図１４（Ｂ）に記載の位置検出信号出力部７３０に置き換えられる。
位置検出信号出力部７３０は、演算部７３２と検出部７３８とを有している。
演算部７３２は、減算器７３６ｂで算出された磁電変換素子ＨＥｙ１からの出力Ｙ１と磁電変換素子ＨＥｙ２からの出力Ｙ２との差信号（Ｙ１−Ｙ２）が一定となるように、磁気センサの出力値を演算する。演算部７３２は、演算結果に基づき電源８０を制御して、差信号（Ｙ１−Ｙ２）が一定となるように磁気センサＳｙを駆動する。

位置検出信号出力部７３０は、磁気センサＳｙの差信号（Ｙ１−Ｙ２）が一定となるように、磁気センサＳｙへの入力値を制御しても良い。この場合、位置検出信号出力部７３０は、磁気センサＳｙの駆動電圧又は駆動電流を制御する磁気センサ駆動制御部（不図示）を有していてもよい。電源８０が磁気センサ駆動制御部によって制御されることにより、磁気センサＳｙの駆動電圧又は駆動電流が制御される。
検出部７３８は、補正された磁気センサＳｙからの出力値Ｙ１，Ｙ２に基づいて加算器７３６ａで演算された和信号（Ｙ１＋Ｙ２）に基づいて、磁石Ｍｘの位置を検出する。また、検出部７３８は、磁石Ｍｘの位置検出信号Ｓｐｙを制御信号出力部１４０に出力する。位置検出信号Ｓｐｙは、例えばＹ軸方向における磁石Ｍｘの基準位置からの相対位置を示す。

以上、他の実施形態の第一から第三の例における位置検出信号出力部の構成についてそれぞれ説明したが、各例において、磁気センサＳｘからの出力Ｘ１、Ｘ２を用いて同様の処理を行っても良いことは言うまでもない。

以上、本開示の実施形態を説明したが、上記実施形態は、本開示の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本開示の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を特定するものでない。本開示の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

４ 筐体
２１ レンズホルダ
２２ レンズ
４１ ホルダ取付部
８０ 電源
１００，２００ カメラモジュール
１１０，１１０ｘ，１１０ｙ デバイス
１２０，１２０ｘ，１２０ｙ ドライバ
１３０ 位置検出信号出力部
１４０ 制御信号出力部
１５０ 駆動信号出力部
Ｓｘ，Ｓｙ 磁気センサ
ＨＥｘ１、ＨＥｘ２、ＨＥｙ１、ＨＥｙ２ 磁電変換素子
Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｘ’，Ｍｙ’ 磁石
Ｃｘ、Ｃｘ１，Ｃｘ２，Ｃｙ、Ｃｙ１，Ｃｙ２ コイル

Claims (20)

1. レンズと、
   前記レンズを有する移動体に取り付けられた第１の磁石及び第２の磁石と、
   前記第１の磁石の近傍に配置され、前記第１の磁石を第１の方向に移動させるコイル部と、
   前記第２の磁石の近傍に配置され、前記第１の方向を検知方向として前記第２の磁石の位置を検知する磁気センサと、
   を備えるカメラモジュール。
2. 前記磁気センサによって検出された前記第２の磁石の位置に基づいて、前記コイル部を駆動して前記第１の磁石を移動させるドライバと、
   を備える
   請求項１に記載のカメラモジュール。
3. 前記コイル部は、
   前記第１の磁石の近傍に配置され、前記第１の磁石を前記第１の方向に移動させる第１のコイル部と、
   前記第２の磁石の近傍に配置され、前記第２の磁石を前記第１の方向と異なる第２の方向に移動させる第２のコイル部と、を有し、
   前記磁気センサは、
   前記第２の磁石の近傍に配置され、前記第１の方向を検知方向として前記第２の磁石の位置を検知する第１の磁気センサと、
   前記第１の磁石の近傍に配置され、前記第２の方向を検知方向として前記第１の磁石の位置を検知する第２の磁気センサと、を有する
   請求項２に記載のカメラモジュール。
4. 前記ドライバは、
   前記第２の磁気センサによって検出された前記第２の磁石の位置に基づいて、前記第１のコイル部を駆動して前記第１の磁石を移動させる第１のドライバと、
   前記第１の磁気センサによって検出された前記第１の磁石の位置に基づいて、前記第２のコイル部を駆動して前記第２の磁石を移動させる第２のドライバと、を有する
   請求項３に記載のカメラモジュール。
5. 前記第１の方向は、前記レンズの光軸と垂直な方向であり、
   前記第２の方向は、前記光軸と、前記第１の方向とに垂直な方向である
   請求項３又は４に記載のカメラモジュール。
6. 前記第１の方向は、前記レンズの光軸と平行な方向であり、
   前記第２の方向は、前記光軸と垂直な方向である
   請求項３又は４に記載のカメラモジュール。
7. 前記第１の磁気センサは、前記第２の方向に沿って配置された二つの磁電変換素子を有し、
   前記二つの磁電変換素子がそれぞれ出力する二つの磁場検出信号の和信号、差信号及び比信号の少なくとも一つに基づいて、前記第１の磁石の位置を示す第１の位置検出信号を出力する第１の位置検出信号出力部をさらに備える
   請求項３から６のいずれか１項に記載のカメラモジュール。
8. 前記第２の磁気センサは、前記第１の方向に沿って配置された二つの磁電変換素子を有し、
   前記二つの磁電変換素子がそれぞれ出力する二つの磁場検出信号の和信号、差信号及び比信号の少なくとも一つに基づいて、前記第２の磁石の位置を示す第２の位置検出信号を出力する第２の位置検出信号出力部をさらに備える
   請求項３から７のいずれか１項に記載のカメラモジュール。
9. 前記第１の磁気センサが有する前記二つの磁電変換素子に対して、それぞれ同じ磁極が対向するように前記第１の磁石が配置されており、
   前記第１の位置検出信号出力部は、前記和信号に対する前記差信号の比に基づいて前記第１の位置検出信号を出力する
   請求項７に記載のカメラモジュール。
10. 前記第２の磁気センサが有する前記二つの磁電変換素子に対して、それぞれ同じ磁極が対向するように前記第２の磁石が配置されており、
    前記第２の位置検出信号出力部は、前記和信号に対する前記差信号の比に基づいて前記第２の位置検出信号を出力する
    請求項８に記載のカメラモジュール。
11. 前記第１の磁石及び前記第２の磁石は、前記二つの磁電変換素子が並んで配置されている方向に垂直な方向にＮ極とＳ極とが分布している二極磁石である
    請求項９又は１０に記載のカメラモジュール。
12. 前記第１の磁気センサが有する前記二つの磁電変換素子に対して、それぞれ異なる磁極が対向するように前記第１の磁石が配置されており、
    前記第１の位置検出信号出力部は、前記差信号に対する前記和信号の比に基づいて前記第１の位置検出信号を出力する
    請求項７に記載のカメラモジュール。
13. 前記第２の磁気センサが有する前記二つの磁電変換素子に対して、それぞれ異なる磁極が対向するように前記第２の磁石が配置されており、
    前記第２の位置検出信号出力部は、前記差信号に対する前記和信号の比に基づいて前記第２の位置検出信号を出力する
    請求項８に記載のカメラモジュール。
14. 前記第１の磁石及び前記第２の磁石は、前記二つの磁電変換素子が並んで配置されている方向に垂直な方向にＮ極とＳ極とが分布し、かつ前記二つの磁電変換素子が並んで配置されている方向に平行な方向にＮ極とＳ極とが分布している多極磁石である
    請求項１２又は１３に記載のカメラモジュール。
15. 前記第１のコイル部は、２つのコイルからなり、
    前記２つのコイルは、前記第２の方向に沿って互いに離間し、かつ前記２つのコイルの巻回軸がそれぞれ前記第２の方向と垂直な方向を向くように配置され、
    前記第１の磁気センサは、前記２つのコイルの間に配置され、
    前記２つのコイルは、前記第１の磁気センサに対してそれぞれ逆極性の磁場を発生する
    請求項９から１１のいずれか１項に記載のカメラモジュール。
16. 前記第２のコイル部は、２つのコイルからなり、
    前記２つのコイルは、前記第１の方向に沿って互いに離間し、かつ前記２つのコイルの巻回軸がそれぞれ前記第１の方向と垂直な方向を向くように配置され、
    前記第２の磁気センサは、前記２つのコイルの間に配置され、
    前記２つのコイルは、前記第２の磁気センサに対してそれぞれ逆極性の磁場を発生する
    請求項９から１１及び１５のいずれか１項に記載のカメラモジュール。
17. レンズと、
    前記レンズを有する移動体に取り付けられた磁石と、
    前記磁石の近傍に配置され、一方向に沿って互いに離間し、かつ巻回軸がそれぞれ前記一方向と垂直な方向を向くように配置されて、前記磁石を前記一方向と垂直な方向に移動させる２つのコイルを有するコイル部と、
    前記磁石の前記一方向における位置を検知する磁気センサと、
    前記磁気センサに対して、前記２つのコイルがそれぞれ逆極性の磁場を発生するように前記コイル部を駆動するドライバと、
    を備えるカメラモジュール。
18. 前記２つのコイルは、互いに導体の巻方向が同一であり、
    前記ドライバは、前記２つのコイルに対して互いに逆方向の電流を印加する
    請求項１７に記載のカメラモジュール。
19. 前記２つのコイルは、互いに導体の巻方向が逆方向であり、
    前記ドライバは、前記２つのコイルに対して互いに同一方向の電流を印加する
    請求項１７に記載のカメラモジュール。
20. 前記レンズの下部に、回路基板に電気的に接続された撮像素子を備える
    請求項１から１９のいずれか1項に記載のカメラモジュール。

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