JP2020123644A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1つの実施形態においては、上記電子部品の製造方法は、上記被加工体を固定する際、上記支持体と上記被加工体との間に、粘着テープを配置することを含む。
1つの実施形態においては、上記被加工体を固定する際、上記粘着テープが、上記熱剥離層と上記被加工体との間に配置される。
1つの実施形態においては、上記被加工体を分離する際、上記粘着テープが該被加工体に貼着している。
1つの実施形態においては、上記電子部品の製造方法は、上記支持体と上記熱剥離層とを含む積層体Aを形成し、上記被加工体と上記粘着テープとを含む、積層体Bを形成し、該積層体Aの該熱剥離層と、該積層体Bの粘着テープとを貼り合わせて、該被加工体を固定することを含む。
1つの実施形態においては、80℃〜150℃での加熱圧着により、上記積層体Aと上記積層体Bとを貼り合わせる。
1つの実施形態においては、上記被加工体を上記支持体から分離する際の加熱温度が、90℃〜300℃である。
1つの実施形態においては、上記熱剥離層が、熱膨張性微小球を含む。
図1は、本発明の1つの実施形態による電子部品の製造方法を説明する概略図である。本発明の電子部品の製造方法は、支持体100上に固定した被加工体200を加工することを含む。本発明の電子部品の製造方法においては、支持体100と被加工体200との間に少なくとも1層の熱剥離層300を設けて、被加工体200が固定される(図1(a))。被加工体200をこのように固定した後、被加工体200の熱剥離層300とは反対側の面が加工される(図1(b))。被加工体をこのように加工した後、熱剥離層300を加熱して、被加工体200が支持体100から分離される(図1(c))。
B.熱剥離層
上記熱剥離層は、粘着性を付与するための粘着剤、および剥離性を付与するための発泡剤を含む。
上記熱剥離層を構成する粘着剤としては、本発明の効果が得られる限りにおいて、任意の適切な粘着剤が用いられ得る。上記粘着剤としては、例えば、熱可塑性エラストマー、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ビニルアルキルエーテル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ウレタン系樹脂、フッ素化樹脂等をベースポリマー(粘着性樹脂)として含む粘着剤が挙げられる。
上記発泡剤は、加熱により発泡し得る添加剤である。発泡剤としては、本発明の効果が得られる限り、任意の適切な発泡剤が用いられる。代表的には、上記発泡剤として、熱膨張性微小球が用いられ得る。熱膨張性微小球を含む熱剥離層は、加熱されることにより、該熱膨張性微小球が膨張または発泡して粘着面に凹凸が生じ、その結果、粘着力が低下または消失する。
<体積充填率測定方法>
i)熱剥離層をホルダーに固定し、X線CTにより0〜180°に対し1601枚の連続透過像を撮影する。X線CTはZEISS, Xradia 520 Versaを用いて、管電圧40kV、管電流73μA、ピクセルサイズ0.3μm/Pixelで測定する。
ii)得られた全透過像を元に再構成を行って断層像を作成し、解析ソフトImageJ.を用いて三次元再構成像(TIFスタック像)と再構成断面像(3面図)を作成する。
iii) 得られた三次元再構成像(TIFスタック像)について画像処理を施し、熱膨張性微小球の識別を行う。識別結果より、厚さ方向における体積充填率、個々の発泡体の体積、および球相当直径を算出する。
なお、各試料の熱剥離層の厚さはSEM断面観察により測定し、充填率は気泡部分を除いた値を総体積として算出する。
1つの実施形態においては、粘着テープは、基材と、当該基材の少なくとも片側に配置された粘着剤層とを備える。粘着テープは、弾性層等の任意の適切なその他の層をさらに備えていてもよい。
(積層体A(支持体/熱剥離層)の作製)
マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体(a)(SEBS:スチレン部位/エチレン・ブチレン部位(重量比)=30/70、酸価:10(mg−CH3ONa/g)、旭化成ケミカルズ社製、商品名「タフテックM1913」)100重量部と、テルペンフェノール系粘着付与樹脂(ヤスハラケミカルズ社製、商品名「YSポリスターT80」)300重量部と、エポキシ系架橋剤(三菱ガス化学社製、商品名「TETRAD−C」)3重量部と、熱膨張性微小球(松本油脂製薬社製、商品名「マツモトマイクロスフェアF-50D」、発泡開始温度120℃、平均粒子径14μm)150重量部と、リン酸エステル系界面活性剤(東邦化学工業社製、商品名「フォスファノールRL210」、化学式:C22H47O5P、アルキル基の炭素数:18、分子量422.57)5重量部と、溶媒としてのトルエンとを混合して、樹脂組成物(I)を調製した。この樹脂組成物(I)を、セパレータ上に、乾燥後の厚さが50μmとなるように塗布し、乾燥して熱剥離層を形成した。さらに、支持体を80℃に加熱したヒートプレス機上に配置し、当該支持体に、熱剥離層をラミネーターの貼り合わせロールで圧力0.2MPa、速度0.5m/min.の条件で熱ラミネートし、支持体/熱剥離層から構成される積層体Aを得た。
(積層体B(被加工体/粘着テープ)の作製)
マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体(b)(SEBS:スチレン部位/エチレン・ブチレン部位(重量比)=30/70、酸価:10(mg−CH3ONa/g)、旭化成ケミカルズ社製、商品名「タフテックM1913」)100重量部と、テルペンフェノール系粘着付与樹脂(ヤスハラケミカルズ社製、商品名「YSポリスターT80」)50重量部と、エポキシ系架橋剤(三菱ガス化学社製、商品名「TETRAD−C」)3重量部と、リン酸エステル系界面活性剤(東邦化学工業社製、商品名「フォスファノールRL210」、アルキル基の炭素数:18、分子量422.57)3重量部と、溶媒としてのトルエンとを混合して、樹脂組成物(II)を調製した。この樹脂組成物(II)を、PET基材(厚さ:50μm)上に、乾燥後の厚さが30μmとなるように塗布し、乾燥して粘着剤層を形成し、粘着剤層/基材から構成される粘着テープを得た。
900μm、4インチサイズのサファイアウエハを80℃に加熱したヒーター上に配置した後、当該サファイアウエハに、得られた粘着テープをラミネーターの貼り合わせロールで圧力0.2MPa、速度0.5m/min.の条件で熱ラミネートし、被加工体(サファイアウエハ)/粘着テープから構成される積層体Bを得た。
(積層体Aと積層体Bとの貼り合わせ)
積層体Aの熱剥離層と積層体Bの粘着テープの基材とを対向させるようにして、積層体Aと積層体Bとを積層し、90℃に加熱したヒートプレス機で、60kNの圧力で5分間圧着し、熱剥離層/基材/粘着剤層からなる積層体を介して、被加工体(サファイアウエハ)を支持体上で固定した。
(被加工体(サファイアウエハ)の加工)
上記サファイアウエハを、株式会社ディスコ製のグラインダー装置DFG8540を用いて、ウエハ厚みが120μmとなるまで研削した。
(熱剥離層/粘着テープ間での分離)
上記加工後、熱剥離層/基材/粘着剤層からなる積層体を介して、支持体上に固定された被加工体(サファイアウエハ)を、130℃のオーブンに投入し、5分間加熱して、積層体A(支持体/熱剥離層)から、積層体B(被加工体/粘着テープ)を分離した。
(粘着テープの剥離)
上記のようにして分離して得られた積層体Bから粘着テープを剥離した。粘着テープの剥離は、被加工体(サファイアウエハ)を下側にして、80℃に加温したヒータ上に当該粘着テープを配置した後、180°の剥離角度で行った。
(評価)
上記の操作においては、被加工体加工時のサファイアウエハの破損、積層体B(被加工体/粘着テープ)の分離時のサファイアウエハの破損および粘着テープ剥離時のサファイアウエハの破損は生じなかった。
なお、下記の方法で、熱剥離層のSUS304BAに対する25℃におけるせん断接着力を測定したところ、当該せん断接着力は650N/cm2であった。
<せん断接着力の測定方法>
剥離層(サイズ:20mm×20mm)をSUS304BAに貼り付けて固定し、剥離層を挟み込むように別のSUS304BA板をし、該SUS304BA板をヒートプレス機より、80℃、0.3MPaの貼り合わせ条件で、1分間圧着して評価用サンプルを作製した。
当該評価用サンプルについて、25℃の環境温度下で、島津製作所社製の商品名「島津オートグラフAG−120kN」を用い、引張速度50mm/minでチップと水平方向に外力を印加することで得られる荷重-変位曲線から、最大破壊荷重を読み取り、これを25℃環境温度下におけるせん断接着力とした。
(積層体A(支持体/熱剥離層)の作製)
実施例1と同様にして積層体Aを得た。
(積層体B(被加工体/粘着テープ)の作製)
マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体(b)(SEBS:スチレン部位/エチレン・ブチレン部位(重量比)=30/70、酸価:10(mg−CH3ONa/g)、旭化成ケミカルズ社製、商品名「タフテックM1913」)100重量部と、テルペンフェノール系粘着付与樹脂(ヤスハラケミカルズ社製、商品名「YSポリスターT80」)50重量部と、エポキシ系架橋剤(三菱ガス化学社製、商品名「TETRAD−C」)3重量部と、熱膨張性微小球(松本油脂製薬社製、商品名「マツモトマイクロスフェアFN-100SS」、発泡開始温度170℃、平均粒子径14μm)150重量部と、リン酸エステル系界面活性剤(東邦化学工業社製、商品名「フォスファノールRL210」、アルキル基の炭素数:18、分子量422.57)3重量部と、溶媒としてのトルエンとを混合して、樹脂組成物(II’)を調製した。この樹脂組成物(II’)を、PET基材(厚さ:50μm)上に、乾燥後の厚さが30μmとなるように塗布し、乾燥して粘着剤層を形成し、粘着剤層/基材から構成される粘着テープを得た。
900μm、4インチサイズのサファイアウエハを80℃に加熱したヒーター上に配置した後、当該サファイアウエハに、得られた粘着テープをラミネーターの貼り合わせロールで圧力0.2MPa、速度0.5m/min.の条件で熱ラミネートし、被加工体(サファイアウエハ)/粘着テープから構成される積層体Bを得た。
(積層体Aと積層体Bとの貼り合わせ)
実施例1と同様にして積層体Aと積層体Bとを貼り合わせ、熱剥離層/基材/粘着剤層からなる積層体を介して、被加工体(サファイアウエハ)を支持体上で固定した。
(被加工体(サファイアウエハ)の加工)
実施例1と同様にして、サファイアウエハを研削した。
(熱剥離層/粘着テープ間での分離)
実施例1と同様にして、積層体A(支持体/熱剥離層)から、積層体B(被加工体/粘着テープ)を分離した。
(粘着テープの剥離)
上記のようにして分離して得られた積層体Bの粘着テープ側を、ヒーターにより190℃で5分間加熱して、粘着テープを剥離した。
(評価)
上記の操作においては、被加工体加工時のサファイアウエハの破損、積層体B(被加工体/粘着テープ)の分離時のサファイアウエハの破損および粘着テープ剥離時のサファイアウエハの破損は生じなかった。
実施例1で用いたサファイアウエハと同様のサファイアウエハを、固形ワックス(日化精工社製、商品名「シフトワックス582W」)を介して、支持体上に固定した。当該固定は、固形ワックス上にサファイアウエハを配置した後、110℃に加熱したヒートプレス機で、10kNの圧力で5分間圧着することにより行った。
次いで、当該サファイアウエハを、実施例1と同様にして、研削した。
次いで、ヒーターにより120℃で5分間固形ワックスを加熱溶融して、サファイアウエハを支持体から分離した。
上記の操作においては、サファイアウエハを分離する際、当該サファイアウエハの破損が確認された。
実施例1で用いたサファイアウエハと同様のサファイアウエハを、紫外線硬化性アクリル系接着剤(3M社製、商品名「LC−5200」)を介して、支持体上に固定した。当該固定は、紫外線硬化性アクリル系接着剤を介して、支持体上にサファイアウエハを配置した後、常温下で10kNの圧力で5分間圧着した後、紫外線を照射して紫外線硬化性アクリル系接着剤を硬化させることにより行った。
次いで、当該サファイアウエハを、実施例1と同様にして、研削した。
次いで、接着層にUVレーザーを照射し、接着層を脆化させて、サファイアウエハを支持体から分離した。
上記の操作においては、サファイアウエハを分離する際に、当該サファイアウエハの破損が確認された。
200 被加工体
300 熱剥離層
400 粘着テープ
Claims (8)
- 支持体上に固定した被加工体を加工することを含む電子部品の製造方法であって、
該支持体と該被加工体との間に少なくとも1層の熱剥離層を設けて、該被加工体を固定すること、
固定された該被加工体の熱剥離層とは反対側の面を加工すること、および
該加工後に、熱剥離層を加熱して、該被加工体を該支持体から分離することを含む、
電子部品の製造方法。 - 前記被加工体を固定する際、前記支持体と前記被加工体との間に、粘着テープを配置することを含む、請求項1に記載の電子部品の製造方法。
- 前記被加工体を固定する際、前記粘着テープが、前記熱剥離層と前記被加工体との間に配置される、請求項2に記載の電子部品の製造方法。
- 前記被加工体を分離する際、前記粘着テープが該被加工体に貼着している、請求項3に記載の電子部品の製造方法。
- 前記支持体と前記熱剥離層とを含む積層体Aを形成し、
前記被加工体と前記粘着テープとを含む、積層体Bを形成し、
該積層体Aの該熱剥離層と、該積層体Bの粘着テープとを貼り合わせて、
該被加工体を固定することを含む、
請求項2から4のいずれかに記載の電子部品の製造方法。 - 80℃〜150℃での加熱圧着により、前記積層体Aと前記積層体Bとを貼り合わせる、請求項5に記載の電子部品の製造方法。
- 前記被加工体を前記支持体から分離する際の加熱温度が、90℃〜300℃である、請求項1から6のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
- 前記熱剥離層が、熱膨張性微小球を含む、請求項1から7のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
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---|---|---|---|---|
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004300231A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nitto Denko Corp | 熱剥離性両面粘着シート、被着体の加工方法および電子部品 |
JP2013203800A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Nitto Denko Corp | 電子部品切断用加熱剥離型粘着シート及び電子部品加工方法 |
JP2014146829A (ja) * | 2005-11-10 | 2014-08-14 | Renesas Electronics Corp | 半導体チップおよび半導体装置 |
JP2014212292A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-11-13 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法 |
JP2016092333A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-23 | 積水化学工業株式会社 | 研削体の製造方法、及び、被研削体を含む積層体 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004300231A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nitto Denko Corp | 熱剥離性両面粘着シート、被着体の加工方法および電子部品 |
JP2014146829A (ja) * | 2005-11-10 | 2014-08-14 | Renesas Electronics Corp | 半導体チップおよび半導体装置 |
JP2013203800A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Nitto Denko Corp | 電子部品切断用加熱剥離型粘着シート及び電子部品加工方法 |
JP2014212292A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-11-13 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法 |
JP2016092333A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-23 | 積水化学工業株式会社 | 研削体の製造方法、及び、被研削体を含む積層体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023190251A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 株式会社レゾナック | 電子部品加工フィルム及び電子部品加工方法 |
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