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JP2020092251A - Light-emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents

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JP2020092251A JP2019162884A JP2019162884A JP2020092251A JP 2020092251 A JP2020092251 A JP 2020092251A JP 2019162884 A JP2019162884 A JP 2019162884A JP 2019162884 A JP2019162884 A JP 2019162884A JP 2020092251 A JP2020092251 A JP 2020092251A
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Abstract

To provide a light-emitting device having better light extraction and better adhesion, and a method of manufacturing the same.SOLUTION: A light-emitting device 10 includes: a base body 20; a light-emitting element 40; a resin frame 50; and a first resin 30 located inside the resin frame 50 to cover a part of side surfaces of the light-emitting element 40, a part of an inner side surface of the resin frame 50, and the upper surface of the base body 20, the first resin containing a reflective material. The first resin 30 includes a reflective material layer 32 that contains the reflective material, and a resin layer 31 that is located on an upper surface of the reflective material layer 32 and does not contain the reflective material. In the reflective material layer 32, the reflective material is arranged to cover the upper surface of the base body 20, and the upper surface of the resin layer 31, as seen in cross section, includes a flat region 31A and a sloped region 31B where a height h1 from the upper surface of the base body 20 is gradually elevated as the upper surface of the resin layer approaches the inner side surface of the resin frame 50.SELECTED DRAWING: Figure 1C

Description

本開示は、発光装置及びその製造方法に関するものである。 The present disclosure relates to a light emitting device and a method for manufacturing the same.

発光ダイオードまたはレーザーダイオードのような発光素子を用いた発光装置は、室内照明等の一般照明、車載用光源、液晶ディスプレイのバックライト等を含む多くの分野で用いられている。これらの発光装置で求められる性能は日増しに高まっており、さらなる信頼性の向上が要求されている。 A light emitting device using a light emitting element such as a light emitting diode or a laser diode is used in many fields including general lighting such as indoor lighting, an in-vehicle light source, a backlight of a liquid crystal display, and the like. The performance required for these light emitting devices is increasing day by day, and further improvement in reliability is required.

発光装置としては、リードの上面に載置された発光素子と、発光素子を囲むようにリードの上面に設けられた枠体と、枠体側面と発光素子側面とを覆う反射部材と、を備える発光装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。 The light emitting device includes a light emitting element mounted on the upper surface of the lead, a frame body provided on the upper surface of the lead so as to surround the light emitting element, and a reflecting member that covers the side surface of the frame body and the side surface of the light emitting element. A light emitting device is known (for example, refer to Patent Document 1).

特開2016−072412号公報JP, 2016-072412, A

しかしながら、発光装置においては、用途が広がるにつれて、光取出し性をさらに向上させることと、反射部材の枠体及びリードに対する密着性をさらに向上させることが求められるようになってきている。
そこで、本開示に係る実施形態は、光取出し性及び密着性に優れた発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
However, in the light emitting device, as the applications are expanded, it is required to further improve the light extraction property and further improve the adhesion of the reflection member to the frame body and the leads.
Therefore, it is an object of the embodiment according to the present disclosure to provide a light emitting device having excellent light extraction properties and adhesion, and a method for manufacturing the same.

上記課題を解決するために、本開示の実施形態に係る発光装置は、第1リードと第2リードとが樹脂部材により支持された基体と、前記基体の上面に載置された発光素子と、前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に設けられた樹脂枠と、前記樹脂枠の内側に設けられ、前記発光素子の側面の一部と前記樹脂枠の内側面の一部と前記基体の上面とを覆う、反射材を含有する第1樹脂と、を備え、前記第1樹脂は、前記反射材を含有する反射材層と、前記反射材層の上面に設けられ前記反射材を含有しない樹脂層と、を有し、前記反射材層は、前記基体の上面を覆うように前記反射材が配置され、前記樹脂層の上面は、断面視において、平坦領域と、前記基体の上面からの高さが前記樹脂枠の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域と、を有する。 In order to solve the above problems, a light emitting device according to an embodiment of the present disclosure includes a base body in which a first lead and a second lead are supported by a resin member, and a light emitting element mounted on an upper surface of the base body. A resin frame provided on an upper surface of the base so as to surround the light emitting element, a part of a side surface of the light emitting element, a part of an inner side surface of the resin frame, and the base provided on the inside of the resin frame. A first resin containing a reflecting material, the first resin covering the upper surface of the reflecting material, the first resin containing the reflecting material, and the first resin containing the reflecting material provided on the upper surface of the reflecting material layer. And a resin layer that does not exist, the reflector is arranged so that the reflector covers the upper surface of the base, and the upper surface of the resin layer has a flat region and a top surface of the base in a cross-sectional view. Has an inclined region whose height increases toward the inner surface of the resin frame.

上記課題を解決するために、本開示の実施形態に係る発光装置は、母材と、前記母材の上面に形成された配線層とを有する基体と、前記基体の上面に載置された発光素子と、前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に設けられた樹脂枠と、前記樹脂枠の内側に設けられ、前記発光素子の側面の一部と前記樹脂枠の内側面の一部と前記基体の上面とを覆う、反射材を含有する第1樹脂と、を備え、前記第1樹脂は、前記反射材を含有する反射材層と、前記反射材層の上面に設けられ前記反射材を含有しない樹脂層と、を有し、前記反射材層は、前記基体の上面を覆うように前記反射材が配置され、前記樹脂層の上面は、断面視において、平坦領域と、前記基体の上面からの高さが前記樹脂枠の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域と、を有する。 In order to solve the above problems, a light emitting device according to an embodiment of the present disclosure provides a base material having a base material, a wiring layer formed on an upper surface of the base material, and light emission placed on the upper surface of the base material. An element, a resin frame provided on the upper surface of the base so as to surround the light emitting element, a part of a side surface of the light emitting element and a part of an inner side surface of the resin frame, the resin frame being provided inside the resin frame. And a first resin containing a reflective material, the first resin covering the upper surface of the base and the reflective material layer containing the reflective material, and the first resin provided on the upper surface of the reflective material layer. A resin layer containing no material, the reflecting material layer is arranged such that the reflecting material covers the upper surface of the base body, and the upper surface of the resin layer has a flat region in a cross-sectional view and the base body. And an inclined region whose height from the upper surface increases as it approaches the inner side surface of the resin frame.

本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、基体の上面に発光素子を載置する第1工程と、前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に樹脂枠を形成する第2工程と、前記樹脂枠の内側に反射材を含有する第1樹脂を注入して、前記第1樹脂が前記発光素子の側面の一部と前記樹脂枠の内側面の一部と前記基体の上面とを覆うようにする第3工程と、前記基体に公転による遠心力をかけ、前記第1樹脂を、前記反射材を含有する反射材層と、前記反射材を含有しない樹脂層と、に分離する第4工程と、を含む。 A method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present disclosure includes a first step of mounting a light emitting element on an upper surface of a base body and a second step of forming a resin frame on the upper surface of the base body so as to surround the light emitting element. And injecting a first resin containing a reflecting material into the inside of the resin frame so that the first resin forms a part of a side surface of the light emitting element, a part of an inner side surface of the resin frame, and an upper surface of the base body. And a centrifugal force by revolving the base to separate the first resin into a reflective material layer containing the reflective material and a resin layer not containing the reflective material. And a fourth step.

本開示の実施形態に係る発光装置及びその製造方法によれば、光取出し性及び発光装置の各部材の密着性に優れた発光装置を得ることができる。 According to the light emitting device and the method for manufacturing the same according to the embodiment of the present disclosure, it is possible to obtain a light emitting device that is excellent in light extraction properties and adhesion of each member of the light emitting device.

第1実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment. 図1AのIB−IB線における断面図である。It is sectional drawing in the IB-IB line of FIG. 1A. 図1Bを部分的に拡大した断面図である。It is sectional drawing which partially expanded FIG. 1B. 第1実施形態に係る発光装置において、樹脂枠及び第1樹脂を省略して描いた平面図である。FIG. 3 is a plan view of the light emitting device according to the first embodiment with the resin frame and the first resin omitted. 第1実施形態に係る発光装置において、第1樹脂を省略して描いた平面図である。FIG. 3 is a plan view of the light emitting device according to the first embodiment with the first resin omitted. 第1実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。4 is a flowchart showing a flow of a method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. 図2のVA−VA線における断面図であって、第1実施形態に係る発光装置の製造方法の第1工程において発光素子を載置した基体を模式的に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line VA-VA in FIG. 2, and is a cross-sectional view schematically showing the base body on which the light emitting element is mounted in the first step of the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. 図3のVB−VB線における断面図であって、第1実施形態に係る発光装置の製造方法の第2工程において樹脂枠を形成した基体を模式的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VB-VB of FIG. 3, and is a cross-sectional view schematically showing a base body on which a resin frame is formed in the second step of the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. 第1実施形態に係る発光装置の製造方法の第3工程において第1樹脂を注入した基体を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the base|substrate which inject|poured the 1st resin in the 3rd process of the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る発光装置の製造方法の第4工程において第1樹脂を樹脂層と反射材層とに分離する方法を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the method of isolate|separating a 1st resin into a resin layer and a reflective material layer in the 4th process of the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the light-emitting device which concerns on 2nd Embodiment typically. 第2実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。6 is a flowchart showing a flow of a method for manufacturing a light emitting device according to a second embodiment. 第3実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the structure of the light-emitting device which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the light-emitting device which concerns on 3rd Embodiment. 図8BのVIIIC−VIIIC線における断面を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section in the VIIIC-VIIIC line of FIG. 8B typically.

実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさ、位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一機能もしくは同質の部材を示しており詳細説明を適宜省略する。 Embodiments will be described below with reference to the drawings. However, the following embodiments are examples of the light emitting device for embodying the technical idea of the present embodiment, and are not limited to the following. Further, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the components described in the embodiments are not intended to limit the scope of the present invention thereto, unless there is a specific description, and are merely illustrative examples. Nothing more. Note that the size, positional relationship, etc. of the members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation. In the following description, the same names and reference numerals indicate members having the same function or the same quality, and detailed description thereof will be appropriately omitted.

[第1実施形態]
<発光装置>
はじめに、第1実施形態に係る発光装置について説明する。
図1Aは、第1実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図1Bは、図1AのIB−IB線における断面図である。図1Cは、図1Bを部分的に拡大した断面図である。図2は、第1実施形態に係る発光装置において、樹脂枠及び第1樹脂を省略して描いた平面図である。図3は、第1実施形態に係る発光装置において、第1樹脂を省略して描いた平面図である。
[First Embodiment]
<Light emitting device>
First, the light emitting device according to the first embodiment will be described.
FIG. 1A is a plan view schematically showing the configuration of the light emitting device according to the first embodiment. 1B is a cross-sectional view taken along the line IB-IB in FIG. 1A. FIG. 1C is a partially enlarged cross-sectional view of FIG. 1B. FIG. 2 is a plan view of the light emitting device according to the first embodiment with the resin frame and the first resin omitted. FIG. 3 is a plan view of the light emitting device according to the first embodiment with the first resin omitted.

図1A〜図1Cに示すように、発光装置10は、第1リード20Aと第2リード20Bとが樹脂部材20Cにより支持された基体20と、基体20の上面に載置された発光素子40と、発光素子40を囲むように、基体20の上面に設けられた樹脂枠50と、樹脂枠50の内側に設けられ、発光素子40の側面の一部と樹脂枠50の内側面の一部と基体20の上面とを覆う、反射材を含有する第1樹脂30と、を備え、第1樹脂30は、反射材を含有する反射材層32と、反射材層32の上面に設けられ反射材を含有しない樹脂層31と、を有し、反射材層32は、基体20の上面を覆うように反射材が配置され、樹脂層31の上面は、断面視において、平坦領域31Aと、基体20の上面からの高さh1が樹脂枠50の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域31Bと、を有する。以下、各構成について説明する。 As shown in FIGS. 1A to 1C, a light emitting device 10 includes a base body 20 in which a first lead 20A and a second lead 20B are supported by a resin member 20C, and a light emitting element 40 placed on the upper surface of the base body 20. A resin frame 50 provided on the upper surface of the base 20 so as to surround the light emitting element 40, a part of a side surface of the light emitting element 40 and a part of an inner side surface of the resin frame 50, which are provided inside the resin frame 50. A first resin 30 containing a reflective material, which covers the upper surface of the base body 20. The first resin 30 includes a reflective material layer 32 containing the reflective material, and a reflective material provided on the upper surface of the reflective material layer 32. And a resin layer 31 that does not include a reflective material layer 32. The reflective material layer 32 has a reflective material disposed so as to cover the upper surface of the base body 20, and the upper surface of the resin layer 31 has a flat region 31A and a base body 20 in cross section. The height h1 from the upper surface of the inclined region 31B increases as it approaches the inner side surface of the resin frame 50. Hereinafter, each configuration will be described.

(基体)
図2に示すように、基体20は、第1リード20Aと、第2リード20Bと、第1リード20Aと第2リード20Bとを離間した状態で支持する樹脂部材20Cと、を有している。
第1リード20Aは、例えば、基体20の中央にほぼ多角形に形成され発光素子40を載置する載置部21Aと、基体20の一端側に配置される端子部23Aと、載置部21Aと端子部23Aとを接続する接続部22Aと、を有している。接続部22Aの幅W22は、載置部21Aの幅W21及び端子部23Aの幅W23よりも狭くなっている。端子部23Aの幅W23は、載置部21Aの幅W21よりも広く基体20と同等となっている。なお、接続部22Aは、発光素子40のワイヤ60が接続する領域を有する。ここで、第1リード20A及び第2リード20Bにおいて、幅とは、載置部21Aの中心と接続部22Aの中心とを結ぶ直線に対し直交する方向の最大長さをいう。
また、載置部21Aは、ほぼ八角形に形成されている。そして、載置部21Aは、接続部22Aの幅W22と同じ長さの第1辺21A1と、第1辺21A1に平行でかつ対向する第2辺21A2と、第1辺21A1及び第2辺21A2に直交する第3辺21A3と、第1辺21A1及び第2辺21A2に直交し第3辺21A3と対向する第4辺21A4と、第1辺21A1と第3辺21A3とを結ぶ傾斜した第5辺21A5と、第1辺21A1と第4辺21A4とを結ぶ傾斜した第6辺21A6と、第2辺21A2と第3辺21A3とを結ぶ傾斜した第7辺21A7と、第2辺21A2と第4辺21A4とを結ぶ傾斜した第8辺21A8と、を有している。さらに、載置部21Aは、第3辺21A3及び第4辺21A4に辺から突出して形成された凸部を有している。
(Base)
As shown in FIG. 2, the base body 20 has a first lead 20A, a second lead 20B, and a resin member 20C that supports the first lead 20A and the second lead 20B in a separated state. ..
The first lead 20A is, for example, a mounting portion 21A which is formed in a substantially polygonal shape in the center of the base body 20 and on which the light emitting element 40 is mounted, a terminal portion 23A arranged on one end side of the base body 20, and a mounting portion 21A. And a connecting portion 22A that connects the terminal portion 23A with the terminal portion 23A. The width W22 of the connecting portion 22A is smaller than the width W21 of the placing portion 21A and the width W23 of the terminal portion 23A. The width W23 of the terminal portion 23A is wider than the width W21 of the mounting portion 21A and is equal to the base body 20. The connecting portion 22A has a region to which the wire 60 of the light emitting element 40 is connected. Here, in the first lead 20A and the second lead 20B, the width means the maximum length in a direction orthogonal to a straight line connecting the center of the mounting portion 21A and the center of the connecting portion 22A.
The mounting portion 21A is formed into a substantially octagonal shape. Then, the mounting portion 21A has a first side 21A1 having the same length as the width W22 of the connecting portion 22A, a second side 21A2 parallel to and facing the first side 21A1, and a first side 21A1 and a second side 21A2. And a fourth side 21A4 orthogonal to the first side 21A1 and the second side 21A2 and facing the third side 21A3, and an inclined fifth connecting the first side 21A1 and the third side 21A3. The side 21A5, the inclined sixth side 21A6 connecting the first side 21A1 and the fourth side 21A4, the inclined seventh side 21A7 connecting the second side 21A2 and the third side 21A3, the second side 21A2 and the And an inclined eighth side 21A8 connecting the four sides 21A4. Further, the mounting portion 21A has convex portions formed on the third side 21A3 and the fourth side 21A4 so as to project from the side.

第2リード20Bは、載置部21Aの第2辺21A2と第6辺21A6及び第7辺21A7との間隔がほぼ一定となる形状で配置されている。また、第2リード20Bは、端子部23Aの幅W23とほぼ同じ幅を有し、長手方向の一端部と他端部が載置部21A側に屈曲して面積が広くなるように接続端部20B1、20B2等が形成されている。一方の接続端部20B1は、保護素子80を載置する領域を有している。また、他方の接続端部20B2は、発光素子40のワイヤ60を接続する領域を有している。 The second lead 20B is arranged in such a shape that the intervals between the second side 21A2 and the sixth side 21A6 and the seventh side 21A7 of the mounting portion 21A are substantially constant. The second lead 20B has a width substantially the same as the width W23 of the terminal portion 23A, and one end portion and the other end portion in the longitudinal direction are bent toward the mounting portion 21A side so that the connecting end portion is widened. 20B1, 20B2, etc. are formed. One connection end portion 20B1 has a region on which the protection element 80 is placed. The other connection end portion 20B2 has a region to which the wire 60 of the light emitting element 40 is connected.

平面視において、第1リード20Aの面積が第2リード20Bの面積より大きい方か好ましい。第1リード20Aの載置部21Aの上面には発光素子40が載置されるので、第1リード20Aの載置部21Aの面積が大きいことで、発光素子40で発生した熱を第1リード20Aに伝導しやすくなる。これにより、発光素子40の温度上昇を抑制できるので発光装置10の信頼性を向上できる。 In plan view, the area of the first lead 20A is preferably larger than the area of the second lead 20B. Since the light emitting element 40 is mounted on the upper surface of the mounting portion 21A of the first lead 20A, the heat generated by the light emitting element 40 is generated by the first lead due to the large area of the mounting portion 21A of the first lead 20A. It becomes easy to conduct to 20A. Thereby, the temperature rise of the light emitting element 40 can be suppressed, so that the reliability of the light emitting device 10 can be improved.

第1リード20A及び/又は第2リード20Bの端部は凹部あるいは凸部を備えることが好ましい。第1リード20A及び/又は第2リード20Bと、樹脂部材20Cと、が接触する箇所に凹部あるいは凸部を備えることで、第1リード20A及び/又は第2リード20Bと、樹脂部材20Cと、の接触面積を大きくすることができる。これにより、第1リード20A及び/又は第2リード20Bと樹脂部材20Cとの密着性を向上させることができる。 It is preferable that the end portions of the first lead 20A and/or the second lead 20B have a concave portion or a convex portion. By providing the first lead 20A and/or the second lead 20B and the resin member 20C with a concave portion or a convex portion at a position where the resin member 20C contacts, the first lead 20A and/or the second lead 20B and the resin member 20C, The contact area can be increased. Thereby, the adhesiveness between the first lead 20A and/or the second lead 20B and the resin member 20C can be improved.

第1リード20A及び第2リード20Bは、発光素子40等の電子部品に外部電源からの電圧を印加するために用いられる。第1リード20A及び第2リード20Bは、熱伝導率の比較的大きな材料で形成することが好ましい。例えば、200W/(m・K)程度以上の熱伝導率を有している材料を用いることにより、発光素子40で発生した熱を第1リード20Aに伝導しやすくなる。 The first lead 20A and the second lead 20B are used to apply a voltage from an external power source to electronic components such as the light emitting element 40. The first lead 20A and the second lead 20B are preferably made of a material having a relatively high thermal conductivity. For example, by using a material having a thermal conductivity of about 200 W/(m·K) or more, it becomes easy to conduct the heat generated in the light emitting element 40 to the first lead 20A.

第1リード20A及び第2リード20Bは、打ち抜き加工や切断加工等が容易な強度の高い材料で形成されることが好ましい。例えば、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅等の単層又は積層体を基材とすることができる。なお、この積層体の金属層は、第1リード20A及び第2リード20Bの全面に設けられてもよいし、部分的に設けられてもよい。また、片方のリードのみに設けられてもよい。 It is preferable that the first lead 20A and the second lead 20B are formed of a material having high strength that is easy to punch and cut. For example, a single layer or a laminated body of a metal such as copper, aluminum, gold, silver, tungsten, iron, nickel or an alloy thereof, phosphor bronze, copper containing iron or the like can be used as the base material. The metal layer of this laminated body may be provided on the entire surfaces of the first lead 20A and the second lead 20B, or may be provided partially. Further, it may be provided only on one of the leads.

第1リード20A及び第2リード20Bは、表面に反射膜を備えていてもよい。反射膜は、アルミニウム、銅、金等の1又は2以上の金属を用いることができる。特に、反射膜に銀を用いることが好ましい。このようにすることで、発光装置10の光取り出し効率を向上させることができる。 The first lead 20A and the second lead 20B may have a reflective film on their surfaces. For the reflective film, one or more metals such as aluminum, copper and gold can be used. In particular, it is preferable to use silver for the reflective film. By doing so, the light extraction efficiency of the light emitting device 10 can be improved.

第1リード20A及び第2リード20Bに反射膜を形成する方法は、めっき法、蒸着法、スパッタ法、イオンビームアシスト蒸着法等の種々の方法が挙げられる。その膜厚は、発光素子40からの光を有効に反射させることができる膜厚であればよく、例えば20nm〜10μm程度であり、50nm〜5μm程度が好ましく、100nm〜3μm程度がより好ましい。なお、第1リード20A及び第2リード20Bの厚み及び形状は、当該分野で公知の範囲において適宜設定することができる。 As a method of forming the reflective film on the first lead 20A and the second lead 20B, various methods such as a plating method, a vapor deposition method, a sputtering method, an ion beam assisted vapor deposition method and the like can be mentioned. The film thickness may be any film thickness that can effectively reflect the light from the light emitting element 40, and is, for example, about 20 nm to 10 μm, preferably about 50 nm to 5 μm, and more preferably about 100 nm to 3 μm. The thickness and shape of the first lead 20A and the second lead 20B can be appropriately set within the range known in the art.

樹脂部材20Cは、第1リード20Aの周りと、第2リード20Bと第1リード20Aとの間と、第2リード20Bの一端部と他端部の周りとに設けられて、第1リード20Aと第2リード20Bとを支持する。この樹脂部材20Cは、例えば、端子部23Aと載置部21Aの2つの傾斜した第5辺21A5及び第6辺21A6との間の接続部22Aから離れるにしたがって間隔が広くなった領域(樹脂注入部)から成形樹脂を注入して、第1リード20Aの周りと、第2リード20Bと第1リード20Aとの間と、第2リード20Bの一端部と他端部の周りとに成形樹脂を充填することにより形成される。このように、樹脂注入部から成形樹脂を注入することにより、樹脂注入部から離れた、例えば、第2リード20Bと第1リード20Aとの間の領域にも容易に成形樹脂を充填することができる。また、第1リード20Aの載置部21Aの形状をほぼ多角形とし、角の部分に傾斜した第5辺21A5、第6辺21A6、第7辺21A7及び第8辺21A8を設けているので、第1リード20Aの周りと、第2リード20Bと第1リード20Aとの間と、第2リード20Bの一端部と他端部の周りとに成形樹脂を導きやすくなる。 The resin member 20C is provided around the first lead 20A, between the second lead 20B and the first lead 20A, and around one end and the other end of the second lead 20B. And the second lead 20B. The resin member 20C is, for example, a region (a resin injection area) in which the distance becomes wider as the distance from the connecting portion 22A between the terminal portion 23A and the two inclined fifth sides 21A5 and the sixth side 21A6 of the mounting portion 21A increases. Molding resin is injected into the periphery of the first lead 20A, between the second lead 20B and the first lead 20A, and around one end and the other end of the second lead 20B. It is formed by filling. In this way, by injecting the molding resin from the resin injecting portion, it is possible to easily fill the molding resin in a region apart from the resin injecting portion, for example, between the second lead 20B and the first lead 20A. it can. Further, since the mounting portion 21A of the first lead 20A has a substantially polygonal shape and the fifth side 21A5, the sixth side 21A6, the seventh side 21A7 and the eighth side 21A8 which are inclined at the corners are provided, It is easy to guide the molding resin around the first lead 20A, between the second lead 20B and the first lead 20A, and around one end and the other end of the second lead 20B.

樹脂部材20Cの材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、BTレジン、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ナイロン樹脂、不飽和ポリエステル等が挙げられる。これらの樹脂材料に、当該分野で公知の着色剤、充填材、強化繊維等を含有させてもよい。着色剤として、酸化チタン、酸化亜鉛等の白色のフィラーを用いると発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。また、これらの樹脂材料に、熱放射係数の大きいカーボンブラック等の黒色フィラーを含有させることにより、発光素子40からの熱を効率的に逃がすことができる。充填材としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等が挙げられる。強化繊維としては、ガラス、珪酸カルシウム、チタン酸カリウム等が挙げられる。 Examples of the material of the resin member 20C include epoxy resin, silicone resin, BT resin, polyamide resin, polyimide resin, nylon resin, unsaturated polyester and the like. These resin materials may contain colorants, fillers, reinforcing fibers and the like known in the art. When a white filler such as titanium oxide or zinc oxide is used as the colorant, the light extraction efficiency of the light emitting device can be improved. Further, by containing a black filler such as carbon black having a large thermal radiation coefficient in these resin materials, heat from the light emitting element 40 can be efficiently released. Examples of the filler include silicon oxide and aluminum oxide. Examples of the reinforcing fiber include glass, calcium silicate, potassium titanate and the like.

(発光素子40)
発光素子40は、第1リード20Aの載置部21Aの上面に載置される。発光素子40は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、上面に発光面を有する。発光素子40は、基体20側に配置されるサファイア等からなる素子基板41と、素子基板41に設けられた窒化物半導体等から構成される半導体層42と、を備えることが好ましい。発光素子40の発光波長は、可視域(380〜780nm)を含め、窒化物半導体の組成により、紫外域から赤外域まで選択することができる。例えば、ピーク波長430〜490nmの発光素子40では、窒化物半導体として、InXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等を用いることができる。また、発光素子40はサブマウントを介して第1リード20Aの上面に配置されてもよい。
(Light emitting element 40)
The light emitting element 40 is mounted on the upper surface of the mounting portion 21A of the first lead 20A. The light emitting element 40 is a semiconductor element that emits light by applying a voltage, and has a light emitting surface on the upper surface. The light emitting element 40 preferably includes an element substrate 41 made of sapphire or the like arranged on the base 20 side, and a semiconductor layer 42 provided on the element substrate 41 and made of a nitride semiconductor or the like. The emission wavelength of the light emitting device 40 can be selected from the ultraviolet region to the infrared region depending on the composition of the nitride semiconductor, including the visible region (380 to 780 nm). For example, the light emitting element 40 of the peak wavelength 430 to 490 nm, it can be used as a nitride semiconductor, In X Al Y Ga 1- XY N (0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) and the like. Further, the light emitting element 40 may be arranged on the upper surface of the first lead 20A via the submount.

発光素子40の形状は、上面視で、三角形、四角形、六角形等の多角形、又はこれらに近似する形状等、任意の形状でよい。また、発光素子40は、同じ面側にn電極43及びp電極44が形成された片面電極の構成、あるいは、n電極43とp電極44が異なる2つの面(例えば上面と下面)に各々形成された両面電極の構成であってもよい。発光素子40のn電極43とp電極44は、それぞれワイヤ60を介して第1リード20Aと第2リード20Bとに接続される。なお、発光素子40のn電極43とp電極44は、それぞれ第2リード20Bと第1リード20Aとに直接接続される構成であってもよい。ワイヤ60には、金、アルミニウム、銅、銀等の導電性に優れた金属材料を用いることができる。 The shape of the light emitting element 40 may be any shape such as a triangle, a quadrangle, a polygon such as a hexagon, or a shape similar to these in a top view. Further, the light emitting element 40 has a single-sided electrode structure in which the n-electrode 43 and the p-electrode 44 are formed on the same surface, or the n-electrode 43 and the p-electrode 44 are formed on two different surfaces (for example, the upper surface and the lower surface). It may have a double-sided electrode structure. The n-electrode 43 and the p-electrode 44 of the light emitting element 40 are connected to the first lead 20A and the second lead 20B via the wires 60, respectively. The n electrode 43 and the p electrode 44 of the light emitting element 40 may be directly connected to the second lead 20B and the first lead 20A, respectively. For the wire 60, a metal material having excellent conductivity such as gold, aluminum, copper or silver can be used.

発光素子40が片面電極の場合は、第1リード20Aの上面にフェイスアップ実装される。フェイスアップ実装とは、発光素子40の電極形成面と反対側の面を基体20に向けて実装する形態である。発光素子40と第1リード20Aの接合部材は、絶縁性の接合部材でも導電性の接合部材でもよく、公知の接合部材を用いることができる。例えば、絶縁性の接合部材としてはエポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はこれらの変性樹脂等が挙げられ、導電性の接合部材としては銀、金、パラジウム等の導電性ペーストや、Au−Sn共晶等の半田、低融点金属等のろう材等が挙げられる。
発光素子40が両面電極の場合は、発光素子40と第1リード20Aとの接合部材として、導電性の接合部材であればよく公知の接合部材を用いてよい。例えば、導電性の接合部材としては銀、金、パラジウム等の導電性ペーストや、Au−Sn共晶等の半田、低融点金属等のろう材等が挙げられる。
When the light emitting element 40 is a single-sided electrode, it is mounted face-up on the upper surface of the first lead 20A. The face-up mounting is a mode in which the surface of the light emitting element 40 opposite to the electrode forming surface is mounted on the base body 20. The joint member between the light emitting element 40 and the first lead 20A may be an insulating joint member or a conductive joint member, and a known joint member can be used. For example, the insulating joining member may be an epoxy resin, a silicone resin or a modified resin thereof, and the electrically conductive joining member may be a conductive paste such as silver, gold or palladium, or an Au—Sn eutectic. Examples thereof include solder and brazing material such as low melting point metal.
When the light emitting element 40 is a double-sided electrode, a known joining member may be used as the joining member between the light emitting element 40 and the first lead 20A as long as it is a conductive joining member. For example, as the conductive joining member, a conductive paste such as silver, gold, or palladium, a solder such as Au—Sn eutectic, a brazing material such as a low melting point metal, or the like can be given.

(樹脂枠)
図3に示すように、樹脂枠50は、発光素子40を囲むように、基体20の上面に設けられた環状の枠体である。樹脂枠50の内縁と外縁の形状は、上面視において円形状、楕円形状、正方形、六角形、八角形等の多角形状、多角形状の角部を面取りした形状等、様々な形状にしてもよい。樹脂枠50が発光素子40を囲むように設けられるため、樹脂枠50の内側に設けられる第1樹脂30となる未硬化状態の原料を樹脂枠50の内側に止めることができる。樹脂枠50は、樹脂枠50の元となる未硬化の原料を、樹脂枠50を形成したい領域に配置し、当該原料を硬化させることにより形成される。
(Resin frame)
As shown in FIG. 3, the resin frame 50 is an annular frame body provided on the upper surface of the base 20 so as to surround the light emitting element 40. The shape of the inner edge and the outer edge of the resin frame 50 may be various shapes such as a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape such as a square shape, a hexagonal shape, an octagonal shape, and a chamfered corner portion of the polygonal shape in a top view. .. Since the resin frame 50 is provided so as to surround the light emitting element 40, the uncured raw material serving as the first resin 30 provided inside the resin frame 50 can be stopped inside the resin frame 50. The resin frame 50 is formed by arranging an uncured raw material, which is a source of the resin frame 50, in a region where the resin frame 50 is to be formed, and curing the raw material.

樹脂枠50は、第1リード20Aと樹脂部材20Cとの連結部を覆うように、すなわち、樹脂枠50の内側に第1リード20Aの載置部21Aのみが露出し、樹脂部材20Cが露出しないように設けられることが好ましい。樹脂枠50の内側に樹脂部材20Cが露出しないため、樹脂部材20Cに含有される黒色フィラー等で第1樹脂30を透過した光が吸収されることがない。その結果、第1樹脂30を透過した光が載置部21Aの上面で反射され、発光装置10の光取出し性が向上する。
また、樹脂枠50の断面径D(図3参照)の大きさは、樹脂枠50の内側には第1リード20Aの載置部21Aが露出し、樹脂枠50の外側には第1リード20A及び第2リード20Bの一部と樹脂部材20Cの一部とが露出するように、適宜設定される。
The resin frame 50 covers the connecting portion between the first lead 20A and the resin member 20C, that is, only the mounting portion 21A of the first lead 20A is exposed inside the resin frame 50, and the resin member 20C is not exposed. It is preferable to be provided as follows. Since the resin member 20C is not exposed inside the resin frame 50, light transmitted through the first resin 30 is not absorbed by the black filler or the like contained in the resin member 20C. As a result, the light transmitted through the first resin 30 is reflected on the upper surface of the mounting portion 21A, and the light extraction property of the light emitting device 10 is improved.
The cross-sectional diameter D (see FIG. 3) of the resin frame 50 is such that the mounting portion 21A of the first lead 20A is exposed inside the resin frame 50 and the first lead 20A is outside the resin frame 50. Also, it is appropriately set so that a part of the second lead 20B and a part of the resin member 20C are exposed.

樹脂枠50の断面形状(図1C参照)は、樹脂枠50の内側に未硬化状態の第1樹脂30を止めることができれば、部分円を含む円形状、部分楕円を含む楕円形状、矩形形状等の様々な形状を有することができる。樹脂枠50の断面形状は、樹脂枠50の内側面が発光素子40に対面する側が凸となり、この凸の頂点、すなわち樹脂枠50の最も内側の点Pを有する湾曲形状を有する部分円を含む円形状が好ましい。樹脂枠50の断面形状が部分円の頂点Pを含む円形状であることによって、樹脂枠50の下部に反射材を含有する第1樹脂30の反射材層32が形成される。
そして、反射材層32は、樹脂枠50の頂点Pの下側に入り込んだ状態となる。その結果、発光素子40からの光が樹脂枠50の下部に潜り込む光を反射材層32によって光取出し方向である上方に反射されるため、発光装置10の光取出し性が向上する。
The cross-sectional shape of the resin frame 50 (see FIG. 1C) is a circular shape including a partial circle, an elliptical shape including a partial ellipse, a rectangular shape, etc., if the first resin 30 in an uncured state can be stopped inside the resin frame 50. Can have various shapes. The cross-sectional shape of the resin frame 50 includes a partial circle having a curved shape in which the inner side surface of the resin frame 50 faces the light emitting element 40 and is convex, and the apex of this convex, that is, the innermost point P of the resin frame 50. A circular shape is preferable. Since the cross-sectional shape of the resin frame 50 is a circular shape including the apex P of the partial circle, the reflector layer 32 of the first resin 30 containing the reflector is formed below the resin frame 50.
Then, the reflective material layer 32 is in a state of entering the lower side of the apex P of the resin frame 50. As a result, the light from the light emitting element 40 that dips into the lower portion of the resin frame 50 is reflected upward by the reflecting material layer 32, which is the light extraction direction, and thus the light extraction performance of the light emitting device 10 is improved.

樹脂枠50の材料としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、BTレジンやPPAやシリコーン樹脂などが挙げられる。特に、樹脂枠50の材料としては、耐光性に優れたシリコーン樹脂が好ましい。樹脂枠50は、樹脂枠50の母体となる母材樹脂が、第1樹脂30の母材樹脂と同一材料であることが好ましい。これにより、樹脂枠50と第1樹脂30との密着性が向上する。 Examples of the material of the resin frame 50 include phenol resin, epoxy resin, BT resin, PPA and silicone resin. In particular, as the material of the resin frame 50, a silicone resin having excellent light resistance is preferable. In the resin frame 50, it is preferable that the base material resin that is the base material of the resin frame 50 is the same material as the base material resin of the first resin 30. This improves the adhesion between the resin frame 50 and the first resin 30.

樹脂枠50は、母材樹脂に、発光素子40からの光を吸収しにくく、かつ、母材樹脂よりも屈折率の大きい反射材等の粉末を分散することで、効率よく発光素子40からの光を反射させることができる。反射部材としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。樹脂枠50は、発光素子40からの光に対する反射率が60%以上、好ましくは70%以上の部材である。このようにすることで、樹脂枠50に達した光が樹脂枠50に吸収されにくくなり、発光装置10の光取出し性が向上する。 The resin frame 50 efficiently disperses powder such as a reflecting material having a larger refractive index than that of the base material resin into the base material resin so that the light from the light emitting element 40 is not easily absorbed. It can reflect light. As the reflecting member, for example, titanium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, or magnesium oxide can be used. In particular, titanium oxide is preferable because it is relatively stable against moisture and has a high refractive index. The resin frame 50 is a member having a reflectance of 60% or more, preferably 70% or more, with respect to the light from the light emitting element 40. By doing so, the light reaching the resin frame 50 is less likely to be absorbed by the resin frame 50, and the light extraction property of the light emitting device 10 is improved.

(第1樹脂)
第1樹脂30は、樹脂枠50の内側、すなわち樹脂枠50で囲まれた領域に設けられ、発光素子40の側面の一部と樹脂枠50の内側面の一部と基体20の上面とを覆う、反射材を含有する樹脂層である。第1樹脂30が発光素子40の側面の一部を覆い、側面全体を覆っていないため、発光素子40から側方に出射された光が遮られることがなく、発光装置10の光取出し性が向上する。第1樹脂30が樹脂枠50の側面の一部を覆うため、第1樹脂30と樹脂枠50との密着性が向上する。
(First resin)
The first resin 30 is provided inside the resin frame 50, that is, in a region surrounded by the resin frame 50, and forms a part of a side surface of the light emitting element 40, a part of an inner side surface of the resin frame 50, and an upper surface of the base body 20. It is a resin layer which covers and contains a reflective material. Since the first resin 30 covers a part of the side surface of the light emitting element 40 and does not cover the entire side surface, the light emitted laterally from the light emitting element 40 is not blocked and the light extraction property of the light emitting device 10 is reduced. improves. Since the first resin 30 covers a part of the side surface of the resin frame 50, the adhesion between the first resin 30 and the resin frame 50 is improved.

第1樹脂30は、反射材を含有する反射材層32と、反射材層32の上面に設けられ反射材を含有しない、すなわち第1樹脂30の母体となる母材樹脂のみから構成される樹脂層31と、を有する。なお、反射材層32は、樹脂層31内に反射材が沈降して形成されたもので、樹脂層31との間に界面が存在するものではない。したがって、第1樹脂30は、樹脂層31と反射材層32という2つの部材からなるものではない。また、便宜上、反射層32における樹脂層31と区分けされる部分を「反射層32の上面」と表現する場合もある。 The first resin 30 is a resin that is composed only of a reflective material layer 32 that contains a reflective material, and a base material resin that is provided on the upper surface of the reflective material layer 32 and does not contain a reflective material, that is, a base material resin that is a base of the first resin 30. And a layer 31. The reflecting material layer 32 is formed by sinking the reflecting material in the resin layer 31, and does not have an interface with the resin layer 31. Therefore, the first resin 30 does not consist of two members, the resin layer 31 and the reflector layer 32. Further, for convenience, the portion of the reflective layer 32 that is separated from the resin layer 31 may be referred to as the “upper surface of the reflective layer 32”.

反射材層32は、樹脂枠50と発光素子40との間で基体20の上面を覆うように反射材が配置される。これにより、第1樹脂30と基体20との接合が、金属粒子からなる反射材と、金属材料からなる基体20の第1リード20Aとの接合となるため、第1樹脂30と基体20との密着性が向上する。また、基体20を構成する第1リード20Aの表面がAgメッキされている場合には、Agメッキ層が反射材層32で覆われることで、Agの硫化が抑制される。 In the reflective material layer 32, a reflective material is arranged so as to cover the upper surface of the base body 20 between the resin frame 50 and the light emitting element 40. As a result, the first resin 30 and the base body 20 are bonded to each other by the reflecting material made of metal particles and the first lead 20A of the base body 20 made of a metal material, so that the first resin 30 and the base body 20 are bonded to each other. Adhesion is improved. Further, when the surface of the first lead 20A forming the base 20 is Ag-plated, the Ag-plated layer is covered with the reflective material layer 32, so that sulfuration of Ag is suppressed.

樹脂層31は、その上面が、断面視において、平坦領域31Aと、基体20の上面からの樹脂枠50側の高さh1が樹脂枠50の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域31Bと、を有する。好ましくは、樹脂層31の樹脂枠50側の全側面と樹脂枠50の内側面とが接する。また、樹脂層31は、その上面が、断面視において、基体20の上面からの発光素子40側の高さh2が発光素子40の側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域31Bも有することが好ましい。 In the cross-sectional view, the resin layer 31 has a flat area 31A and an inclined area 31B in which the height h1 on the resin frame 50 side from the upper surface of the base body 20 increases as the inner surface of the resin frame 50 approaches. Have. Preferably, the entire side surface of the resin layer 31 on the resin frame 50 side is in contact with the inner side surface of the resin frame 50. Further, it is preferable that the upper surface of the resin layer 31 also has an inclined region 31</b>B in which the height h<b>2 on the light emitting element 40 side from the upper surface of the base body 20 becomes higher as it approaches the side surface of the light emitting element 40 in a cross-sectional view.

第1樹脂30では、樹脂層31の上面が樹脂枠50側に傾斜領域31Bを有し、樹脂層31の樹脂枠50側の側面全体が樹脂枠50の内側面に接するため、樹脂枠50と樹脂層31との接触面積が増加して、樹脂枠50と第1樹脂30との密着性が向上する。また、第1樹脂30では、樹脂層31の上面が発光素子40側に傾斜領域31Bを有するため、発光素子40と樹脂層31との接触面積が増加して、発光素子40と第1樹脂30との密着性が向上する。また、樹脂枠50側及び発光素子40側の傾斜領域31Bは、湾曲形状であることが好ましい。傾斜領域31Bが湾曲形状であると、応力が集中する部分がなく、密着性がより向上する。
樹脂層31の基体20からの高さh1は、樹脂層31の基体20からの高さh2よりも高いことが好ましい。これにより、樹脂枠50と樹脂層31との接触面積がさらに増加するため、樹脂枠50と第1樹脂30との密着性がさらに向上する。
樹脂層31の樹脂枠50側の傾斜領域31Bの傾斜具合は、傾斜角度30〜60度であることが好ましい。また、発光素子40側の傾斜領域31Bの傾斜具合についても同様である。傾斜領域31Bの傾斜具合が前記であると、第1樹脂30と樹脂枠50あるいは発光素子40との接触面積が増加するため、密着性が向上する。
In the first resin 30, the upper surface of the resin layer 31 has the inclined region 31B on the resin frame 50 side, and the entire side surface of the resin layer 31 on the resin frame 50 side is in contact with the inner side surface of the resin frame 50. The contact area with the resin layer 31 is increased, and the adhesion between the resin frame 50 and the first resin 30 is improved. Further, in the first resin 30, since the upper surface of the resin layer 31 has the inclined region 31B on the light emitting element 40 side, the contact area between the light emitting element 40 and the resin layer 31 increases, and the light emitting element 40 and the first resin 30. The adhesion with is improved. Further, the inclined regions 31B on the resin frame 50 side and the light emitting element 40 side are preferably curved. When the inclined region 31B has a curved shape, there is no portion where stress concentrates, and the adhesiveness is further improved.
The height h1 of the resin layer 31 from the base body 20 is preferably higher than the height h2 of the resin layer 31 from the base body 20. As a result, the contact area between the resin frame 50 and the resin layer 31 is further increased, and thus the adhesion between the resin frame 50 and the first resin 30 is further improved.
The inclination degree of the inclined region 31B of the resin layer 31 on the resin frame 50 side is preferably an inclination angle of 30 to 60 degrees. The same applies to the degree of inclination of the inclined region 31B on the light emitting element 40 side. When the inclination degree of the inclined region 31B is as described above, the contact area between the first resin 30 and the resin frame 50 or the light emitting element 40 is increased, so that the adhesion is improved.

反射材層32は、その上面が、断面視において平坦であることが好ましい。すなわち、反射材層32の上面が、基体20の上面に沿って、一定の厚みになっていることが好ましい。反射材層32は、樹脂枠50との密着性に劣る反射材を含有する。一方、樹脂層31は、母体が樹脂で構成されているため、樹脂枠50との密着性に優れている。したがって、反射材層32の上面が平坦であると、反射材層32が樹脂枠50の頂点Pよりも下で部分円と基体20の上面との間に入り込んだ状態となる。その結果、反射材層32の端部が樹脂枠50の下部に入り込んで、反射材層32が剥離しにくくなる。また、反射材層32の上面が断面視において平坦であれば、反射材層32の上面が樹脂層31の上面と同様に樹脂枠50の内側面側に近づくにつれて高くなる構成と比べて、反射材層32が樹脂枠50と接する面積を少なくできる。そのため、樹脂層31は、樹脂枠50と接する面積を大きくすることができるので、第1樹脂30と樹脂枠50との密着性が向上する。 The upper surface of the reflective material layer 32 is preferably flat in a sectional view. That is, it is preferable that the upper surface of the reflector layer 32 has a constant thickness along the upper surface of the base body 20. The reflective material layer 32 contains a reflective material having poor adhesion to the resin frame 50. On the other hand, since the base of the resin layer 31 is made of resin, the resin layer 31 has excellent adhesion to the resin frame 50. Therefore, when the upper surface of the reflective material layer 32 is flat, the reflective material layer 32 enters between the partial circle and the upper surface of the base body 20 below the apex P of the resin frame 50. As a result, the end portion of the reflective material layer 32 enters the lower portion of the resin frame 50, and the reflective material layer 32 is less likely to peel off. Further, if the upper surface of the reflective material layer 32 is flat in a sectional view, the reflective surface becomes higher as the upper surface of the reflective material layer 32 gets closer to the inner side surface of the resin frame 50 like the upper surface of the resin layer 31. The area where the material layer 32 contacts the resin frame 50 can be reduced. Therefore, since the resin layer 31 can increase the area in contact with the resin frame 50, the adhesion between the first resin 30 and the resin frame 50 is improved.

発光素子40が基体20側に配置される素子基板41と素子基板41に設けられた半導体層42とを備える際には、発光素子40の側面を覆う第1樹脂30の上面、すなわち発光素子40側の傾斜領域31Bの上面は、基体20からの高さh2が半導体層42の下面よりも低いことが好ましい。これにより、発光素子40から側方に出射された光が遮られることがないため、発光装置10の光取出し性がさらに向上する。 When the light emitting element 40 includes the element substrate 41 arranged on the base 20 side and the semiconductor layer 42 provided on the element substrate 41, the upper surface of the first resin 30 covering the side surface of the light emitting element 40, that is, the light emitting element 40. The height h2 of the upper surface of the side inclined region 31B from the base 20 is preferably lower than the lower surface of the semiconductor layer 42. As a result, the light emitted laterally from the light emitting element 40 is not blocked, so that the light extraction properties of the light emitting device 10 are further improved.

樹脂枠50の内側面が発光素子40に対面する側に凸となる湾曲形状を有する際には、樹脂枠50の内側面を覆う第1樹脂30の傾斜領域31Bの上面は、基体20からの高さh1が湾曲形状の頂点Pよりも低いことが好ましい。これにより、第1樹脂30の基体20からの浮き上がりを抑制できるため、第1樹脂30と基体20との密着性がさらに向上する。 When the inner surface of the resin frame 50 has a curved shape that is convex toward the side facing the light emitting element 40, the upper surface of the inclined region 31</b>B of the first resin 30 that covers the inner surface of the resin frame 50 is located above the base body 20. The height h1 is preferably lower than the apex P of the curved shape. As a result, the lifting of the first resin 30 from the base 20 can be suppressed, so that the adhesion between the first resin 30 and the base 20 is further improved.

第1樹脂30は、母材樹脂に反射材を含有させた樹脂層である。母材樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、BTレジンやPPAやシリコーン樹脂などが挙げられる。特に、母材樹脂としては、耐光性に優れたシリコーン樹脂が好ましい。樹脂枠50および第1樹脂30は、第1樹脂30の母体となる母材樹脂が、樹脂枠50の母材樹脂と同一材料であることが好ましい。これにより、樹脂枠50と第1樹脂30との密着性が向上する。 The first resin 30 is a resin layer in which a base material resin contains a reflective material. Examples of the base material resin include phenol resin, epoxy resin, BT resin, PPA, and silicone resin. In particular, the base material resin is preferably a silicone resin having excellent light resistance. For the resin frame 50 and the first resin 30, it is preferable that the base resin that is the base of the first resin 30 is the same material as the base resin of the resin frame 50. This improves the adhesion between the resin frame 50 and the first resin 30.

第1樹脂30は、母材樹脂に、発光素子40からの光を吸収されにくく、かつ、母材樹脂よりも屈折率の大きい反射材等の粉末を分散することで、効率よく発光素子40からの光を反射させることができる。反射材としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。反射材は、発光素子40からの光に対する反射率が60%以上、好ましくは70%以上の材料である。このようにすることで、第1樹脂30に達した光が第1樹脂30に吸収されにくくなり、発光装置10の光取出し性が向上する。 The first resin 30 efficiently disperses powder such as a reflective material having a larger refractive index than that of the base material resin in the base material resin so that the light from the light emitting element 40 is not absorbed. The light of can be reflected. As the reflecting material, for example, titanium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, or magnesium oxide can be used. In particular, titanium oxide is preferable because it is relatively stable against moisture and has a high refractive index. The reflective material is a material having a reflectance of 60% or more, preferably 70% or more, with respect to the light from the light emitting element 40. By doing so, the light reaching the first resin 30 is less likely to be absorbed by the first resin 30, and the light extraction property of the light emitting device 10 is improved.

発光装置10の説明は、1つの発光素子40を含む発光装置10について説明した。しかしながら、実施形態の発光装置10では、複数の発光素子40を用い、その複数の発光素子40を一括して囲むように樹脂枠50を形成してもよい。また、図1Aに示すように、実施形態の発光装置10は、保護素子80を備えてもよい。
保護素子80は、例えば、発光素子40に逆方向の電圧が印加されたときに、逆方向に流れる電流を阻止したり、発光素子40の動作電圧よりも高い順方向の電圧が印加されたときに、発光素子40に過電流が流れるのを阻止したりする。保護素子80としては、保護回路や静電保護素子が挙げられ、具体的には、ツェナーダイオードが利用できる。
In the description of the light emitting device 10, the light emitting device 10 including one light emitting element 40 has been described. However, in the light emitting device 10 of the embodiment, a plurality of light emitting elements 40 may be used and the resin frame 50 may be formed so as to collectively surround the plurality of light emitting elements 40. Further, as shown in FIG. 1A, the light emitting device 10 of the embodiment may include a protection element 80.
The protection element 80 blocks a current flowing in the reverse direction when a reverse voltage is applied to the light emitting element 40, or when a forward voltage higher than the operating voltage of the light emitting element 40 is applied, for example. In addition, it prevents an overcurrent from flowing through the light emitting element 40. Examples of the protection element 80 include a protection circuit and an electrostatic protection element, and specifically, a Zener diode can be used.

発光装置10では、反射材を含有する第1樹脂30を備えることにより、発光素子40から側方に出射される光が反射材で光取出し方向である上方に反射されるため、光取出し性が向上する。そして、第1樹脂30が発光素子40の側面の一部を覆うことにより、発光素子40から出射される光が遮られることがないため、光取出し性がさらに向上する。また、第1樹脂30が反射材層32を有し、その反射材層32により反射材が基体の上面を覆うように配置されることにより、反射材層32と基体20とが金属間接合となり、反射材層32が基体20に対して介在層的な役割を果たすため、第1樹脂30と基体20との密着性が向上する。さらに、第1樹脂30が樹脂層31を有し、その樹脂層31の上面が傾斜領域31Bを有することにより、樹脂層31と樹脂枠50の内側面との接触面積が増加するため、第1樹脂30と樹脂枠50との密着性が向上する。 In the light emitting device 10, since the light emitted from the light emitting element 40 to the side is reflected upward in the light extraction direction by providing the first resin 30 containing the reflection material, the light extraction performance is improved. improves. Since the first resin 30 covers a part of the side surface of the light emitting element 40, the light emitted from the light emitting element 40 is not blocked, so that the light extraction property is further improved. Further, the first resin 30 has the reflecting material layer 32, and the reflecting material is arranged by the reflecting material layer 32 so as to cover the upper surface of the base body, so that the reflecting material layer 32 and the base body 20 are metal-metal bonded. Since the reflector layer 32 plays a role of an intervening layer with respect to the base body 20, the adhesion between the first resin 30 and the base body 20 is improved. Further, since the first resin 30 has the resin layer 31 and the upper surface of the resin layer 31 has the inclined region 31B, the contact area between the resin layer 31 and the inner side surface of the resin frame 50 increases, so The adhesion between the resin 30 and the resin frame 50 is improved.

<発光装置の製造方法>
次に、第1実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
図4は、第1実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。図5Aは、図2のVA−VA線における断面図であって、第1実施形態に係る発光装置の製造方法の第1工程において発光素子を載置した基体を模式的に示す断面図である。図5Bは、図3のVB−VB線における断面図であって、第1実施形態に係る発光装置の製造方法の第2工程において樹脂枠を形成した基体を模式的に示す断面図である。図5Cは、第1実施形態に係る発光装置の製造方法の第3工程において第1樹脂を注入した基体を模式的に示す断面図である。図5Dは、第1実施形態に係る発光装置の製造方法の第4工程において第1樹脂を樹脂層と反射材層とに分離する方法を模式的に示す断面図である。
<Method of manufacturing light emitting device>
Next, a method of manufacturing the light emitting device according to the first embodiment will be described.
FIG. 4 is a flowchart showing the flow of the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. FIG. 5A is a cross-sectional view taken along the line VA-VA in FIG. 2, and is a cross-sectional view schematically showing the base body on which the light emitting element is mounted in the first step of the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. .. FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line VB-VB of FIG. 3, and is a cross-sectional view schematically showing the base body on which the resin frame is formed in the second step of the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. FIG. 5C is a cross-sectional view schematically showing the base body into which the first resin has been injected in the third step of the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. FIG. 5D is a cross-sectional view schematically showing a method of separating the first resin into a resin layer and a reflective material layer in the fourth step of the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment.

図4、図5A〜図5Dに示すように、発光装置10の製造方法は、第1リード20Aと第2リード20Bとが樹脂部材20Cにより支持された基体20の上面に発光素子40を載置する第1工程S1と、発光素子40を囲むように、基体20の上面に樹脂枠50を形成する第2工程S2と、第1樹脂30が発光素子40の側面の一部と樹脂枠50の内側面の一部と基体20の上面とを覆うように、樹脂枠50の内側に、反射材を含有する第1樹脂30を注入する第3工程S3と、基体20に公転による遠心力をかけ、第1樹脂30を、反射材を含有する反射材層32と、反射材を含有しない樹脂層31と、に分離する第4工程S4と、を含む。 As shown in FIGS. 4 and 5A to 5D, in the method for manufacturing the light emitting device 10, the light emitting element 40 is mounted on the upper surface of the base body 20 in which the first lead 20A and the second lead 20B are supported by the resin member 20C. And a second step S2 of forming a resin frame 50 on the upper surface of the base 20 so as to surround the light emitting element 40, and the first resin 30 forms a part of the side surface of the light emitting element 40 and the resin frame 50. A third step S3 of injecting the first resin 30 containing a reflecting material into the inside of the resin frame 50 so as to cover a part of the inner side surface and the upper surface of the base body 20, and a centrifugal force due to revolution is applied to the base body 20. And a fourth step S4 of separating the first resin 30 into a reflective material layer 32 containing a reflective material and a resin layer 31 not containing a reflective material.

(第1工程)
図5Aに示すように、第1工程S1は、第1リード20Aと第2リード20Bとが樹脂部材20Cに支持された基体20の上面に発光素子40を載置する工程である。好ましくは、第1リード20Aの載置部21Aに発光素子40を載置する。
第1工程S1では、発光素子40の基体20への搭載は公知の方法で行い、公知の接合部材を用いて、発光素子40の素子基板41側の下面と基体20の上面とを接合する。次に、発光素子40のn電極43を、ワイヤ60を介して第1リード20Aに電気的に接続する。また、図示しないが、発光素子40のp電極44を、ワイヤ60を介して第2リード20Bに電気的に接続する。なお、図示しない保護素子80を、ワイヤ60を介して第1リード20Aに電気的に接続してもよい。ワイヤボンディングの方法としては、ボールボンディング、ウェッジボンディング等の公知の方法を用いてもよい。
(First step)
As shown in FIG. 5A, the first step S1 is a step of placing the light emitting element 40 on the upper surface of the base body 20 in which the first lead 20A and the second lead 20B are supported by the resin member 20C. Preferably, the light emitting element 40 is mounted on the mounting portion 21A of the first lead 20A.
In the first step S1, the light emitting element 40 is mounted on the base body 20 by a known method, and the lower surface of the light emitting element 40 on the element substrate 41 side and the upper surface of the base body 20 are bonded using a known bonding member. Next, the n electrode 43 of the light emitting element 40 is electrically connected to the first lead 20A via the wire 60. Although not shown, the p electrode 44 of the light emitting element 40 is electrically connected to the second lead 20B via the wire 60. The protection element 80 (not shown) may be electrically connected to the first lead 20A via the wire 60. As a wire bonding method, a known method such as ball bonding or wedge bonding may be used.

(第2工程)
図5Bに示すように、第2工程S2は、発光素子40を囲むように、基体20の上面に樹脂枠50を形成する工程である。第2工程S2では、樹脂枠50の母体となる母材樹脂を未硬化の状態で、基体20の上面の樹脂枠50を形成したい領域に公知の方法で配置し、母材樹脂を硬化させることにより樹脂枠50を形成する。なお、樹脂枠50が、硬化後に枠の形状になるように、母材樹脂の粘度は予め調整されている。
(Second step)
As shown in FIG. 5B, the second step S2 is a step of forming the resin frame 50 on the upper surface of the base 20 so as to surround the light emitting element 40. In the second step S2, the base material resin, which is the base material of the resin frame 50, is placed in an uncured state on the upper surface of the base body 20 in a region where the resin frame 50 is to be formed by a known method, and the base material resin is cured. Thus, the resin frame 50 is formed. The viscosity of the base material resin is adjusted in advance so that the resin frame 50 has a frame shape after being cured.

(第3工程)
図5Cに示すように、第3工程S3は、第1樹脂30が発光素子40の側面の一部と樹脂枠50の内側面の一部と基体20の上面とを覆うように、樹脂枠50の内側に、反射材を含有する第1樹脂30を注入する工程である。
第3工程S3では、第1樹脂30の母体となる母材樹脂を未硬化状態で樹脂枠50の内側にポッティングやスプレー等で注入する。この母材樹脂の注入量は、発光素子40の半導体層に到達しないように調整される。その後、次の第4工程を行った後に母材樹脂を硬化させる。また、第3工程S3では、未硬化状態の母材樹脂を樹脂枠50の内側に注入する際、ノズル90を樹脂枠50の直上に配置し、未硬化状態の母材樹脂が樹脂枠50の内側面に沿って基体20の上面及び発光素子40の側面に流れるように注入することが好ましい。なお、未硬化状態の母材樹脂の注入は、基体20の上面の中央から行ってもよい。
(Third step)
As shown in FIG. 5C, in the third step S3, the resin frame 50 is formed so that the first resin 30 covers a part of the side surface of the light emitting element 40, a part of the inner side surface of the resin frame 50, and the upper surface of the base body 20. Is a step of injecting the first resin 30 containing the reflecting material into the inside of the.
In the third step S3, the base material resin that is the base material of the first resin 30 is injected into the inside of the resin frame 50 in an uncured state by potting, spraying, or the like. The injection amount of the base material resin is adjusted so as not to reach the semiconductor layer of the light emitting element 40. After that, the base material resin is cured after performing the following fourth step. In addition, in the third step S3, when injecting the uncured base material resin into the inside of the resin frame 50, the nozzle 90 is arranged directly above the resin frame 50, and the uncured base material resin is stored in the resin frame 50. It is preferable to inject so as to flow along the inner side surface to the upper surface of the substrate 20 and the side surface of the light emitting element 40. The injection of the uncured base material resin may be performed from the center of the upper surface of the base body 20.

このように母材樹脂を樹脂枠50側から注入すると、基体20の上面と、樹脂枠50の内側面及び発光素子40の側面との母材樹脂に対する濡れ性の違いにより、母材樹脂の上面に、樹脂枠50の内側面及び発光素子40の側面に対して這い上がる傾斜領域31Bが、基体20の直上に形成される平坦領域31Aの両側、すなわち樹脂枠50側及び発光素子40側に形成される。樹脂枠50の内側面及び発光素子40の側面は、金属表面である基体20すなわち第1リード20Aの上面に比べると光沢度等の違いにより濡れ性は高い。また、未硬化状態の母材樹脂を注入する前に、樹脂枠50の内側面を有機溶剤で浸しておくこともできる。予め樹脂枠50の内側面を有機溶剤で浸しておくことで、傾斜領域31Bの這い上がりを促進することができる。なお、傾斜領域31Bの形状等は、注入する母材樹脂の粘度等により調整する。 When the base material resin is injected from the resin frame 50 side in this way, the upper surface of the base material resin is different due to the difference in wettability with respect to the base material resin between the upper surface of the base body 20 and the inner side surfaces of the resin frame 50 and the side surfaces of the light emitting element 40. In addition, the inclined regions 31B that creep up with respect to the inner surface of the resin frame 50 and the side surfaces of the light emitting element 40 are formed on both sides of the flat region 31A formed immediately above the base 20, that is, on the resin frame 50 side and the light emitting element 40 side. To be done. The inner side surface of the resin frame 50 and the side surface of the light emitting element 40 have higher wettability than the upper surface of the base body 20 which is a metal surface, that is, the first lead 20A due to a difference in glossiness and the like. Further, the inner side surface of the resin frame 50 may be dipped in an organic solvent before injecting the uncured base material resin. By preliminarily immersing the inner surface of the resin frame 50 with the organic solvent, the creeping up of the inclined region 31B can be promoted. The shape and the like of the inclined region 31B is adjusted by the viscosity and the like of the base material resin to be injected.

(第4工程)
図5Dに示すように、第4工程S4は、基体20に公転による遠心力をかけ、第1樹脂30を、反射材を含有する反射材層32と、反射材を含有しない樹脂層31と、に分離する工程である。
第4工程S4では、基体20の上面側に回転軸Sを有するように、基体20を公転させる。基体20の上面が内側になるような回転軸Sで遠心力をかける。基体20の上面側の回転軸Sは、基体20の上面に対し平行であり、樹脂枠50を横切る方向であり、かつ、基体20の上方に位置する。基体20の公転により、第1樹脂30に含有されている反射材が基体20の上面側に強制的に沈降される。すなわち、反射材が基体20の上面を覆うように層状に配置される。なお、また、反射材層32の上面の形状は、回転速度等により決定される遠心力の大きさ等により調整することができ、反射材層32の上面は、平坦であることが好ましい。なお、第4工程S4では、公転方向への回転の後、基体20の長さ方向の中心に垂直な方向に回転軸を有するように、自転方向に基体20を回転させてもよい。この自転方向の回転により、樹脂層31の傾斜領域31Bの基体20からの高さh1、h2(図1C参照)をより高く形成できる。
また、傾斜領域31Bの這い上がりは、第4工程S4後に第1樹脂30を硬化する時にも生じる。
(Fourth step)
As shown in FIG. 5D, in the fourth step S4, a centrifugal force due to revolution is applied to the base body 20, and the first resin 30 is provided with a reflecting material layer 32 containing a reflecting material, a resin layer 31 not containing the reflecting material, It is a step of separating into.
In the fourth step S4, the substrate 20 is revolved so that the upper surface of the substrate 20 has the rotation axis S. Centrifugal force is applied to the rotation axis S so that the upper surface of the base body 20 is located inside. The rotation axis S on the upper surface side of the base body 20 is parallel to the upper surface of the base body 20, crosses the resin frame 50, and is located above the base body 20. Due to the revolution of the base 20, the reflecting material contained in the first resin 30 is forcibly settled on the upper surface side of the base 20. That is, the reflective material is arranged in layers so as to cover the upper surface of the base body 20. The shape of the upper surface of the reflective material layer 32 can be adjusted by the magnitude of centrifugal force determined by the rotation speed and the like, and the upper surface of the reflective material layer 32 is preferably flat. In the fourth step S4, the base body 20 may be rotated in the rotation direction so that the base body 20 has a rotation axis in a direction perpendicular to the center of the length direction of the base body 20 after the rotation in the revolution direction. By this rotation in the rotation direction, the heights h1 and h2 (see FIG. 1C) of the inclined region 31B of the resin layer 31 from the base body 20 can be formed higher.
Further, the rising of the inclined region 31B also occurs when the first resin 30 is cured after the fourth step S4.

発光装置10の製造方法では、第1樹脂30を注入する第3工程S3と、第1樹脂30を反射材層32と樹脂層31とに分離する第4工程S4とを行うことにより、樹脂枠50の内側面の一部を覆う傾斜領域31Bを覆う樹脂層31と、基体20の上面を覆うように反射材が配置された反射材層32と、有する第1樹脂30を形成できるため、光取出し性及び密着性に優れた発光装置10が製造できる。以下、各工程について説明する。
[第2実施形態]
<発光装置>
はじめに、第2実施形態に係る発光装置ついて説明する。図6は、第2実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。なお、第1実施形態に係る発光装置と同一構成については、同一符号を付して、説明を省略する。
In the method of manufacturing the light emitting device 10, the resin frame is formed by performing the third step S3 of injecting the first resin 30 and the fourth step S4 of separating the first resin 30 into the reflective material layer 32 and the resin layer 31. Since the first resin 30 having the resin layer 31 that covers the inclined region 31</b>B that covers a part of the inner side surface of the reflector 50 and the reflector layer 32 that has the reflector disposed so as to cover the upper surface of the base body 20 can be formed. It is possible to manufacture the light emitting device 10 having excellent take-out property and adhesion. Hereinafter, each step will be described.
[Second Embodiment]
<Light emitting device>
First, the light emitting device according to the second embodiment will be described. FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the light emitting device according to the second embodiment. The same components as those of the light emitting device according to the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

発光装置10Aは、前記発光装置10と同一構成に加えて、発光素子40の上面と第1樹脂30の上面とを覆う第2樹脂70をさらに備える。また、発光装置10Aは、第2樹脂70が蛍光体を含有することが好ましい。 10 A of light-emitting devices are provided with the 2nd resin 70 which covers the upper surface of the light emitting element 40 and the upper surface of the 1st resin 30 in addition to the same structure as the said light-emitting device 10. Further, in the light emitting device 10A, the second resin 70 preferably contains a phosphor.

(第2樹脂70)
第2樹脂70は、発光素子40の半導体層42の上面と、第1樹脂30の樹脂層31の上面を覆う樹脂層で、断面視において樹脂枠50の高さを超えない高さで樹脂枠50の内側面に接するように設けられている。
第2樹脂70の材料としては、透光性を有する樹脂材料又はガラス材料等を用いることができる。特に、第2樹脂70の材料に樹脂材料を用いることが好ましい。第1樹脂30及び樹脂枠50がそれぞれ樹脂材料を含有しているので、第2樹脂70も樹脂材料であることで、第2樹脂70と第1樹脂30との密着性、及び、第2樹脂70と樹脂枠50との密着性を向上させることができる。第2樹脂70の樹脂材料としては、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの変性樹脂やこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等を用いることができる。特に、第2樹脂70の材料としては耐光性に優れたジメチル系シリコーン樹脂、フェニル系シリコーン樹脂が好ましい。第2樹脂70は、蛍光体を含むことが好ましく、光拡散剤を含んでもよい。また、第2樹脂70が蛍光体を含有する場合には、第2樹脂70の上面形状は、発光効率を考慮して、蛍光体と発光素子40との距離が近くなるように中央が下に向かって湾曲する形状が好ましい。
(Second resin 70)
The second resin 70 is a resin layer that covers the upper surface of the semiconductor layer 42 of the light emitting element 40 and the upper surface of the resin layer 31 of the first resin 30, and has a height that does not exceed the height of the resin frame 50 in a sectional view. It is provided so as to contact the inner surface of 50.
As the material of the second resin 70, a resin material having a light-transmitting property, a glass material, or the like can be used. In particular, it is preferable to use a resin material as the material of the second resin 70. Since the first resin 30 and the resin frame 50 each contain a resin material, the second resin 70 is also a resin material, so that the adhesion between the second resin 70 and the first resin 30 and the second resin The adhesion between 70 and the resin frame 50 can be improved. As the resin material of the second resin 70, a polycarbonate resin, an epoxy resin, a phenol resin, a silicone resin, an acrylic resin, a polymethylpentene resin, a polynorbornene resin, or a modified resin thereof or a hybrid resin containing at least one of these resins is used. Etc. can be used. In particular, as the material of the second resin 70, a dimethyl-based silicone resin and a phenyl-based silicone resin having excellent light resistance are preferable. The second resin 70 preferably contains a phosphor and may contain a light diffusing agent. When the second resin 70 contains a phosphor, the shape of the upper surface of the second resin 70 is such that the center is downward so that the distance between the phosphor and the light emitting element 40 is close in consideration of light emission efficiency. A curved shape is preferable.

(蛍光体)
蛍光体としては、発光素子40からの光で励起して、発光素子40から出射あるいは第1樹脂30で反射した光の波長を変換可能な蛍光体の粒子が使用される。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG:Ce)、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(LAG:Ce)、ユウロピウムおよび/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体(CaO−Al23−SiO2:Eu,Cr)、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体((Sr,Ba)2SiO4:Eu)、βサイアロン蛍光体、CASN系蛍光体、SCASN系蛍光体等の窒化物系蛍光体;KSF系蛍光体等のフッ化物系蛍光体、硫化物系蛍光体、塩化物系蛍光体、ケイ酸塩系蛍光体、リン酸塩系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な波長の発光装置10を製造することができる。
(Phosphor)
As the phosphor, particles of a phosphor that can be excited by light from the light emitting element 40 and convert the wavelength of light emitted from the light emitting element 40 or reflected by the first resin 30 are used. For example, as a phosphor that can be excited by a blue light emitting element or an ultraviolet light emitting element, a cerium-activated yttrium-aluminum-garnet-based phosphor (YAG:Ce), a cerium-activated lutetium-aluminum-garnet-based phosphor (LAG: Ce), europium and / or chromium activated nitrogen containing calcium aluminosilicate-based phosphor (CaO-Al 2 O 3 -SiO 2: Eu, Cr), activated with europium silicate phosphor (( Sr,Ba) 2 SiO 4 :Eu), β-sialon phosphors, CASN-based phosphors, nitride-based phosphors such as SCASN-based phosphors; fluoride-based phosphors such as KSF-based phosphors, sulfide-based phosphors , Chloride-based phosphors, silicate-based phosphors, phosphate-based phosphors, quantum dot phosphors, and the like. By combining these phosphors with a blue light emitting element or an ultraviolet light emitting element, the light emitting device 10 with various wavelengths can be manufactured.

(光拡散剤)
光拡散剤の材料として、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。
(Light diffuser)
As the material of the light diffusing agent, titanium oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, silicon oxide or the like can be used. In particular, titanium oxide is preferable because it is relatively stable against moisture and has a high refractive index.

発光装置10Aでは、第2樹脂70を備えることにより、発光装置10Aへ外部から塵埃等が混入することを抑制でき、信頼性が向上する。また、発光装置10Aでは、第2樹脂70が蛍光体を含有することにより、発光素子40から出射あるいは第1樹脂30で反射された光の波長を変換できるため、取出し光の色調を調整できる。特に、第1樹脂30が傾斜領域31Bを有する際には、第2樹脂70の蛍光体と発光素子40との距離が近くなるので、発光効率が向上する。さらに、樹脂枠50の断面形状が湾曲形状で樹脂層31が樹脂枠50の頂点Pの直下まで形成される場合には、第2樹脂70の蛍光体が樹脂枠50の下部に入り込むことがないため、取出し光の発光効率が向上する。 By providing the second resin 70 in the light emitting device 10A, it is possible to prevent dust and the like from entering the light emitting device 10A from the outside, and improve reliability. Further, in the light emitting device 10A, since the second resin 70 contains the phosphor, the wavelength of the light emitted from the light emitting element 40 or reflected by the first resin 30 can be converted, so that the color tone of the extracted light can be adjusted. In particular, when the first resin 30 has the inclined region 31B, the distance between the phosphor of the second resin 70 and the light emitting element 40 becomes short, so that the luminous efficiency is improved. Further, when the resin frame 50 has a curved cross-sectional shape and the resin layer 31 is formed right below the apex P of the resin frame 50, the phosphor of the second resin 70 does not enter the lower portion of the resin frame 50. Therefore, the emission efficiency of the extracted light is improved.

<発光装置の製造方法>
次に、第2実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図7は、第2実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。なお、第1実施形態に係る発光装置の製造方法と同一の工程については、第1実施形態と同一の符号を付して、これらの説明を省略する。
<Method of manufacturing light emitting device>
Next, a method of manufacturing the light emitting device according to the second embodiment will be described. FIG. 7 is a flowchart showing the flow of the method for manufacturing the light emitting device according to the second embodiment. Note that the same steps as those in the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and description thereof will be omitted.

発光装置10Aの製造方法は、発光装置10の製造方法と同一工程S1〜S4に加えて、第2樹脂を注入する第5工程S5をさらに含む。発光装置10Aの製造方法では、第5工程S5を含むことにより、発光装置10Aの信頼性、及び、取出し光の色調調整性が向上する。 The manufacturing method of the light emitting device 10A further includes a fifth step S5 of injecting the second resin, in addition to the same steps S1 to S4 as those of the manufacturing method of the light emitting device 10. In the method for manufacturing the light emitting device 10A, by including the fifth step S5, the reliability of the light emitting device 10A and the color tone adjustability of the extracted light are improved.

(第5工程)
第5工程S5は、第2樹脂70が発光素子40の上面、及び、第1樹脂30の樹脂層31の上面を覆うように樹脂枠50の内側に第2樹脂70を注入する工程である。好ましくは、第2樹脂70を樹脂枠50の内側面と第2樹脂70が接するように注入する。第2樹脂70の注入方法は、第1樹脂30と同様にポッティングやスプレー等によって行う。
なお、第2樹脂70は、一例として、中央が下に向かって湾曲するように形成することとして説明したが、一様に同じ高さとなるように形成してもよい。また、第2樹脂70は、第2樹脂70が発光素子40の直上で高くなるように中央が上に向かって湾曲するように形成してもよい。
(Fifth step)
The fifth step S5 is a step of injecting the second resin 70 inside the resin frame 50 so that the second resin 70 covers the upper surface of the light emitting element 40 and the upper surface of the resin layer 31 of the first resin 30. Preferably, the second resin 70 is injected so that the inner surface of the resin frame 50 contacts the second resin 70. The method of injecting the second resin 70 is performed by potting, spraying or the like as in the case of the first resin 30.
Although the second resin 70 is described as being formed so that the center thereof is curved downward, as an example, the second resin 70 may be formed to have the same height. Further, the second resin 70 may be formed such that the center thereof is curved upward so that the second resin 70 becomes higher directly above the light emitting element 40.

[第3実施形態]
<発光装置>
次に、第3実施形態に係る発光装置ついて説明する。図8Aは、第3実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。図8Bは、第3実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図8Cは、図8BのVIIIC−VIIIC線における断面を模式的に示す断面図である。
発光装置10Bは、母材201と、母材201の上面に形成された配線層202とを有する基体200と、基体200の上面に載置された発光素子40と、発光素子40を囲むように、基体200の上面に設けられた樹脂枠50と、樹脂枠50の内側に設けられ、発光素子40の側面の一部と樹脂枠50の内側面の一部と基体200の上面とを覆う、反射材を含有する第1樹脂30と、を備えている。そして、第1樹脂30は、反射材を含有する反射材層32と、反射材層32の上面に設けられ反射材を含有しない樹脂層31と、を有している。さらに、反射材層32は、基体200の上面を覆うように反射材が配置され、樹脂層31の上面は、断面視において、平坦領域31Aと、基体200の上面からの高さが樹脂枠50の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域31Bと、を有している。
この発光装置10Bは、基本的には発光装置10と同じ構成を備えており、基体200の構成が異なるので、異なる部分を主に説明し、その他の既に説明した部分は適宜省略する。
[Third Embodiment]
<Light emitting device>
Next, the light emitting device according to the third embodiment will be described. FIG. 8A is a perspective view schematically showing the configuration of the light emitting device according to the third embodiment. FIG. 8B is a plan view schematically showing the configuration of the light emitting device according to the third embodiment. FIG. 8C is a sectional view schematically showing a section taken along line VIIIC-VIIIC of FIG. 8B.
The light emitting device 10B includes a base material 200 having a base material 201 and a wiring layer 202 formed on the top surface of the base material 201, a light emitting element 40 mounted on the top surface of the base material 200, and surrounding the light emitting element 40. A resin frame 50 provided on the upper surface of the base body 200, a part of the side surface of the light emitting element 40, a part of the inner side surface of the resin frame 50, and the upper surface of the base body 200, which are provided inside the resin frame 50. A first resin 30 containing a reflective material. The first resin 30 has a reflective material layer 32 containing a reflective material, and a resin layer 31 provided on the upper surface of the reflective material layer 32 and containing no reflective material. Further, in the reflector layer 32, a reflector is arranged so as to cover the upper surface of the base body 200, and the upper surface of the resin layer 31 has a flat region 31A and a height from the upper surface of the base body 200 in the resin frame 50 in a cross-sectional view. And an inclined region 31B that becomes higher toward the inner surface of the.
The light emitting device 10B basically has the same configuration as the light emitting device 10, and the configuration of the base body 200 is different. Therefore, different parts will be mainly described, and other already described parts will be appropriately omitted.

基体200は、セラミック等により形成される母材201と、この母材の上面に形成された配線層202とを有している。そして、発光素子40は、は、基体200の中央の載置領域に整列して配置されている。発光素子40の周りには、配線層202が形成されると共に、樹脂枠50が配線層202の円形に形成された部分を覆うように設けられている。
母材201は、絶縁部材で板状に形成されている。ここでは、母材201は、放熱性が高い材料を用いるのが好ましく、さらに、高い遮光性や基材強度を備える材料であることがより好ましい。具体的には、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどのセラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン(bismaleimide triazine resin)、ポリフタルアミド(PPA)などの樹脂、金属(アルミニウムや銅など)、さらに、樹脂と金属又はセラミックスとで構成される複合材などが挙げられる。また、透過性が高い材料を母材201として使用する場合には、遮光性を備えるように公知の遮光材料を含有させる。
The base body 200 has a base material 201 formed of ceramic or the like, and a wiring layer 202 formed on the upper surface of the base material. The light emitting elements 40 are arranged in alignment with the mounting area at the center of the base body 200. A wiring layer 202 is formed around the light emitting element 40, and a resin frame 50 is provided so as to cover a circular portion of the wiring layer 202.
The base material 201 is formed of an insulating member in a plate shape. Here, the base material 201 is preferably a material having a high heat dissipation property, and more preferably a material having a high light-shielding property and substrate strength. Specifically, ceramics such as alumina, aluminum nitride and mullite, phenol resin, epoxy resin, polyimide resin, resin such as BT resin (bismaleimide triazine resin) and polyphthalamide (PPA), metal (aluminum, copper, etc.), Further, a composite material composed of a resin and a metal or a ceramic may be mentioned. When a material having high transparency is used as the base material 201, a known light shielding material is contained so as to have a light shielding property.

配線層202は、複数の発光素子40が配置される配置領域を環状に囲うと共に、外部との電気的な接続を行うアノード側の正極パッド配線電極202A1と、カソード側の負極パッド配線電極202B1とを有するように母材201上に形成されている。正極パッド配線電極202A1及び負極パッド配線電極202B1は、矩形に形成され外部からの電気的な接続がされやすいように配線面積を他の配線部分よりも広くなるように形成されている。そして、正極パッド配線電極202A1には、延出配線202A2が連続して形成され、さらに、延出配線202A2に連続して円弧状に第1接続配線202A3が形成されている。同様に、負極パッド配線電極202B1には、延出配線202B2が連続して形成され、さらに、延出配線202B2に連続して円弧状に第2接続配線202B3が形成されている。そして、第1接続配線202A3及び第2接続配線202B3は、その他の円弧状に形成された複数の第3接続配線202C1〜202C4と断続的に円環状に配置されている。第3接続配線202C1〜202C4は、円弧状の配線を4か所に、ここでは形成している。この第3接続配線202C1〜202C4は、第1接続配線202A3及び第2接続配線202B3と併せて全体として断続的な円環状の配線となればよく、第1接続配線202A3及び第2接続配線202B3の円弧形状の長さによっては、一つが形成されることや全く形成されない状態であっても構わない。配線層202(正極パット配線電極202A1、延出配線202A2、第1接続配線202A3、負極パット配線電極202B1、延出配線202B2、第2接続配線202B3、第3接続配線202C1〜202C4)は、例えば、Cu,Ag,Au,Al,Pt,Ti,W,Pd,Fe,Niなどの金属又はこれらを含む合金などを用いて形成することができる。このような配線は、印刷、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成することができる。なお、母材201が金属の場合、母材201と配線層202の間にガラエポ等の絶縁層を形成するようにしてもよい。 The wiring layer 202 surrounds an arrangement region in which the plurality of light emitting elements 40 are arranged in a ring shape, and has a positive electrode pad wiring electrode 202A1 on the anode side and a negative electrode pad wiring electrode 202B1 on the cathode side that electrically connect to the outside. Are formed on the base material 201 so as to have The positive electrode pad wiring electrode 202A1 and the negative electrode pad wiring electrode 202B1 are formed in a rectangular shape and have a wiring area larger than that of other wiring portions so as to be easily electrically connected from the outside. Then, the extension wiring 202A2 is continuously formed on the positive electrode pad wiring electrode 202A1, and further, the first connection wiring 202A3 is formed in an arc shape continuously from the extension wiring 202A2. Similarly, the extended wiring 202B2 is continuously formed on the negative electrode pad wiring electrode 202B1, and the second connection wiring 202B3 is formed in an arc shape continuously from the extended wiring 202B2. Then, the first connection wiring 202A3 and the second connection wiring 202B3 are intermittently arranged in an annular shape with a plurality of other third connection wirings 202C1 to 202C4 formed in an arc shape. The third connection wirings 202C1 to 202C4 are formed in four arc-shaped wirings here. The third connection wirings 202C1 to 202C4 may be an intermittent wiring as a whole together with the first connection wiring 202A3 and the second connection wiring 202B3, and the first connection wiring 202A3 and the second connection wiring 202B3. Depending on the length of the arc shape, one may be formed or a state in which none is formed. The wiring layer 202 (the positive electrode pad wiring electrode 202A1, the extended wiring 202A2, the first connection wiring 202A3, the negative electrode pad wiring electrode 202B1, the extended wiring 202B2, the second connection wiring 202B3, the third connection wirings 202C1 to 202C4) is, for example, It can be formed using a metal such as Cu, Ag, Au, Al, Pt, Ti, W, Pd, Fe or Ni, or an alloy containing these. Such wiring can be formed by printing, electrolytic plating, electroless plating, vapor deposition, sputtering or the like. When the base material 201 is a metal, an insulating layer such as glass epoxy may be formed between the base material 201 and the wiring layer 202.

樹脂枠50は、第1接続配線202A3、第2接続配線202B3及び第3接続配線202C1〜202C4の上面を覆い円環状に形成されている。この樹脂枠50は、既に説明したものと同じ構成及び材質で形成されている。
第1樹脂30は、樹脂枠50の内側、すなわち樹脂枠50で囲まれた領域に設けられ、発光素子40の側面の一部と樹脂枠50の内側面の一部と基体200の上面とを覆う、反射材を含有する樹脂層である。この第1樹脂30も既に説明した構成及び材質で形成されている。
また、発光素子40は、基体200の樹脂枠50内に複数が設置され、ワイヤにより第1配線電極202A3、第2配線電極202B3あるいは第3配線電極202C1〜202C4のいずれかに接続されている。
さらに、基体200の上面には、カソードとアノードと区別するための電極識別マークM10を形成する共に、樹脂枠50を設けるときの目安となる複数の目安マークM11を形成しても構わない。
なお、その他の構成、例えば、第2樹脂70が発光素子40と第1樹脂30を樹脂枠50内において覆うように設けられてもよいこと等、すでに説明した構成と同等である。
このように形成された発光装置10Bは、既に説明した発光装置10、10Aと同等の効果を奏する。
The resin frame 50 is formed in an annular shape and covers the upper surfaces of the first connection wiring 202A3, the second connection wiring 202B3, and the third connection wirings 202C1 to 202C4. The resin frame 50 has the same structure and material as those already described.
The first resin 30 is provided inside the resin frame 50, that is, in a region surrounded by the resin frame 50, and forms a part of a side surface of the light emitting element 40, a part of an inner side surface of the resin frame 50, and an upper surface of the base body 200. It is a resin layer which covers and contains a reflective material. The first resin 30 is also formed with the structure and material already described.
A plurality of light emitting elements 40 are installed in the resin frame 50 of the base body 200, and are connected to any of the first wiring electrode 202A3, the second wiring electrode 202B3, or the third wiring electrodes 202C1 to 202C4 by a wire.
Furthermore, on the upper surface of the base body 200, an electrode identification mark M10 for distinguishing between the cathode and the anode may be formed, and a plurality of reference marks M11 to be a reference when the resin frame 50 is provided may be formed.
Note that other configurations, for example, the second resin 70 may be provided so as to cover the light emitting element 40 and the first resin 30 in the resin frame 50, are the same as the configurations already described.
The light emitting device 10B thus formed has the same effects as the light emitting devices 10 and 10A described above.

<発光装置の製造方法>
つぎに発光装置10Bの製造方法について説明する。なお、発光装置10Bは、図4で既に説明した製造方法と同等の製造工程により製造されることになる。
発光装置10Bの製造方法は、基体200の上面に発光素子40を載置する第1工程S1と、発光素子40を囲むように、基体200の上面において、第1接続配線202A3、第2接続配線202B3及び第3接続配線202C1〜202C4の上面を円環状に覆うように樹脂枠50を形成する第2工程S2と、樹脂枠50の内側面に反射材を含有する第1樹脂30を注入して、第1樹脂30が発光素子40の側面の一部と樹脂枠50の内側面の一部と基体200の上面とを覆うようにする第3工程と、基体200に公転による遠心力をかけ、第1樹脂30を、反射材を含有する反射材層32と、反射材を含有しない樹脂層31と、に分離する第4工程S4と、を含むように形成される。なお、発光素子40を載置する第1工程では、発光素子40、第1接続配線202A3、第2接続配線202B3及び第3接続配線202C1〜202C4が電気的に接続できるようにワイヤを介して接続されることになる。そして、各工程は、既に説明した各工程と同等の作業を行うため、説明を省略する。
<Method of manufacturing light emitting device>
Next, a method of manufacturing the light emitting device 10B will be described. The light emitting device 10B is manufactured by the same manufacturing process as the manufacturing method already described with reference to FIG.
The manufacturing method of the light emitting device 10B includes a first step S1 of mounting the light emitting element 40 on the upper surface of the base body 200, and a first connection wiring 202A3 and a second connection wiring on the upper surface of the base body 200 so as to surround the light emitting element 40. The second step S2 of forming the resin frame 50 so as to cover the upper surfaces of the 202B3 and the third connection wirings 202C1 to 202C4 in an annular shape, and injecting the first resin 30 containing the reflecting material into the inner side surface of the resin frame 50. A third step in which the first resin 30 covers a part of the side surface of the light emitting element 40, a part of the inner side surface of the resin frame 50, and the upper surface of the base body 200, and a centrifugal force due to revolution is applied to the base body 200. It is formed so as to include a fourth step S4 of separating the first resin 30 into a reflective material layer 32 containing a reflective material and a resin layer 31 not containing the reflective material. In the first step of mounting the light emitting element 40, the light emitting element 40, the first connection wiring 202A3, the second connection wiring 202B3, and the third connection wirings 202C1 to 202C4 are connected via wires so that they can be electrically connected. Will be done. Then, since each step performs the same operation as each step already described, the description thereof will be omitted.

前記した実施形態では、発明を実施するための形態をより具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。 In the above-described embodiment, the mode for carrying out the invention was described more specifically, but the gist of the present invention is not limited to these descriptions, and based on the description of the claims of the present invention. It must be widely interpreted. Further, it goes without saying that various changes and modifications based on these descriptions are also included in the spirit of the present invention.

10,10A、10B 発光装置
20,200 基体
20A 第1リード
21A 載置部
21A1 第1辺
21A2 第2辺
21A3 第3辺
21A4 第4辺
21A5 第5辺
21A6 第6辺
21A7 第7辺
21A8 第8辺
22A 接続部
23A 端子部
20B 第2リード
20C 樹脂部材
30 第1樹脂
31 樹脂層
31A 平坦領域
31B 傾斜領域
32 反射材層
40 発光素子
41 素子基板
42 半導体層
43 n電極
44 p電極
50 樹脂枠
60 ワイヤ
70 第2樹脂
80 保護素子
201 母材
202 配線層
S1 第1工程
S2 第2工程
S3 第3工程
S4 第4工程
S5 第5工程
10, 10A, 10B Light emitting device 20, 200 Base 20A First lead 21A Mounting portion 21A1 First side 21A2 Second side 21A3 Third side 21A4 Fourth side 21A5 Fifth side 21A6 Sixth side 21A7 Seventh side 21A8 Eighth Side 22A Connection portion 23A Terminal portion 20B Second lead 20C Resin member 30 First resin 31 Resin layer 31A Flat area 31B Slope area 32 Reflective material layer 40 Light emitting element 41 Element substrate 42 Semiconductor layer 43 n electrode 44 p electrode 50 Resin frame 60 Wire 70 Second resin 80 Protective element 201 Base material 202 Wiring layer S1 First step S2 Second step S3 Third step S4 Fourth step S5 Fifth step

Claims (13)

第1リードと第2リードとが樹脂部材により支持された基体と、
前記基体の上面に載置された発光素子と、
前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に設けられた樹脂枠と、
前記樹脂枠の内側に設けられ、前記発光素子の側面の一部と前記樹脂枠の内側面の一部と前記基体の上面とを覆う、反射材を含有する第1樹脂と、を備え、
前記第1樹脂は、前記反射材を含有する反射材層と、前記反射材層の上面に設けられ前記反射材を含有しない樹脂層と、を有し、
前記反射材層は、前記基体の上面を覆うように前記反射材が配置され、
前記樹脂層の上面は、断面視において、平坦領域と、前記基体の上面からの高さが前記樹脂枠の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域と、を有する発光装置。
A base body in which the first lead and the second lead are supported by a resin member,
A light emitting element mounted on the upper surface of the base;
A resin frame provided on the upper surface of the base so as to surround the light emitting element,
A first resin that is provided inside the resin frame and covers a part of a side surface of the light emitting element, a part of an inner side surface of the resin frame, and an upper surface of the base body;
The first resin has a reflective material layer containing the reflective material, and a resin layer provided on the upper surface of the reflective material layer and not containing the reflective material,
The reflective material layer is arranged such that the reflective material covers the upper surface of the base.
A light emitting device having an upper surface of the resin layer, in a cross-sectional view, having a flat area and an inclined area whose height from the upper surface of the base body increases as the height approaches the inner side surface of the resin frame.
母材と、前記母材の上面に形成された配線層とを有する基体と、
前記基体の上面に載置された発光素子と、
前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に設けられた樹脂枠と、
前記樹脂枠の内側に設けられ、前記発光素子の側面の一部と前記樹脂枠の内側面の一部と前記基体の上面とを覆う、反射材を含有する第1樹脂と、を備え、
前記第1樹脂は、前記反射材を含有する反射材層と、前記反射材層の上面に設けられ前記反射材を含有しない樹脂層と、を有し、
前記反射材層は、前記基体の上面を覆うように前記反射材が配置され、
前記樹脂層の上面は、断面視において、平坦領域と、前記基体の上面からの高さが前記樹脂枠の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域と、を有する発光装置。
A base having a base material and a wiring layer formed on the upper surface of the base material;
A light emitting element mounted on the upper surface of the base;
A resin frame provided on the upper surface of the base so as to surround the light emitting element,
A first resin that is provided inside the resin frame and covers a part of a side surface of the light emitting element, a part of an inner side surface of the resin frame, and an upper surface of the base body;
The first resin has a reflective material layer containing the reflective material, and a resin layer provided on the upper surface of the reflective material layer and not containing the reflective material,
The reflective material layer is arranged such that the reflective material covers the upper surface of the base.
A light emitting device having an upper surface of the resin layer, in a cross-sectional view, having a flat area and an inclined area whose height from the upper surface of the base body increases as the height approaches the inner side surface of the resin frame.
前記樹脂層の前記樹脂枠側の側面全体が前記樹脂枠と接する請求項1又は請求項2に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the entire side surface of the resin layer on the resin frame side is in contact with the resin frame. 前記発光素子は、前記基体側に配置される素子基板と、前記素子基板に設けられた半導体層と、を備え、
前記発光素子の側面を覆う前記第1樹脂の上面は、断面視において前記基体からの高さが前記半導体層の下面の高さよりも低い請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。
The light emitting element includes an element substrate arranged on the base side, and a semiconductor layer provided on the element substrate,
The upper surface of the first resin that covers the side surface of the light emitting element has a height from the base that is lower than a height of a lower surface of the semiconductor layer in cross-section, according to any one of claims 1 to 3. Light emitting device.
前記発光素子の上面と前記第1樹脂の上面とを覆う第2樹脂と、をさらに備える請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, further comprising: a second resin that covers an upper surface of the light emitting element and an upper surface of the first resin. 前記第2樹脂は、蛍光体を含有する請求項5に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 5, wherein the second resin contains a phosphor. 前記発光素子は、前記第1リードの上面に載置され、
前記樹脂枠は、前記第1リードと前記樹脂部材の連結部を覆うように設けられた請求項1に記載の発光装置。
The light emitting device is mounted on the upper surface of the first lead,
The light emitting device according to claim 1, wherein the resin frame is provided so as to cover a connecting portion between the first lead and the resin member.
前記反射材は、酸化チタンである請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the reflective material is titanium oxide. 前記樹脂枠と前記第1樹脂とは、同一材料の母材樹脂を含有する請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the resin frame and the first resin contain a base material resin of the same material. 前記樹脂枠の内側面は、断面視において、前記発光素子に対面する側に凸となる湾曲形状を有する請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein an inner side surface of the resin frame has a curved shape that is convex toward a side facing the light emitting element in a cross-sectional view. 前記樹脂枠の内側面を覆う前記第1樹脂の上面は、断面視において、前記基体の上面からの高さが前記湾曲形状の頂点の位置よりも低い請求項10に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 10, wherein an upper surface of the first resin covering an inner side surface of the resin frame has a height from an upper surface of the base body lower than a position of an apex of the curved shape in a cross-sectional view. 基体の上面に発光素子を載置する第1工程と、
前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に樹脂枠を形成する第2工程と、
前記樹脂枠の内側に反射材を含有する第1樹脂を注入して、前記第1樹脂が前記発光素子の側面の一部と前記樹脂枠の内側面の一部と前記基体の上面とを覆うようにする第3工程と、
前記基体に公転による遠心力をかけ、前記第1樹脂を、前記反射材を含有する反射材層と、前記反射材を含有しない樹脂層と、に分離する第4工程と、を含む発光装置の製造方法。
A first step of mounting the light emitting element on the upper surface of the substrate,
A second step of forming a resin frame on the upper surface of the base so as to surround the light emitting element;
A first resin containing a reflecting material is injected into the inside of the resin frame, and the first resin covers a part of a side surface of the light emitting element, a part of an inner side surface of the resin frame, and an upper surface of the base. And the third step,
A fourth step of applying a centrifugal force to the substrate by revolution to separate the first resin into a reflective material layer containing the reflective material and a resin layer not containing the reflective material. Production method.
前記第4工程の後に、前記発光素子の上面と前記樹脂層の上面に第2樹脂を注入する第5工程をさらに含む請求項12に記載の発光装置の製造方法。 13. The method of manufacturing a light emitting device according to claim 12, further comprising a fifth step of injecting a second resin on the upper surface of the light emitting element and the upper surface of the resin layer after the fourth step.
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