JP2011171345A - Light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
【課題】発光装置の周壁体による光の反射量を向上させることで、発光装置のLED搭載表面に対向する方向の発光量を増加させることができるとともに色温度特性を向上でき、小型化及び加工が容易な発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電極12を有する基板11と、前記基板上に搭載された発光素子13と、基板の発光素子搭載面上に設けられ、発光素子を収容するキャビティを基板とともに画定する周壁体14Aと、を有し、前記周壁体は、光反射性を有する粒子を内部に分散させた樹脂で形成されている。
【選択図】図1By improving the amount of light reflected by the peripheral wall of the light emitting device, the amount of light emitted in the direction facing the LED mounting surface of the light emitting device can be increased and the color temperature characteristics can be improved, and the size and processing can be reduced. Provided are a light emitting device and a method for manufacturing the same.
A substrate having an electrode, a light emitting element mounted on the substrate, a peripheral wall body provided on a light emitting element mounting surface of the substrate, and defining a cavity for housing the light emitting element together with the substrate. The peripheral wall body is formed of a resin in which particles having light reflectivity are dispersed.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、発光装置及びその製造方法に関し、特に発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)を有する発光装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a light emitting device having a light emitting diode (LED) and a manufacturing method thereof.
従来、良好な加工性及びコスト面の観点から、プリント基板を加工した発光装置が製造されている。このような発光装置では、はんだ実装において瞬間的にではあるが例えば、260℃程度の温度に晒されることから、耐熱性が良好で熱膨張の小さいガラスエポキシ基板が使用されている。従来の発光装置においては、スルーホール等を利用して基板表裏面に回路(電極パターン層)を形成した基板に、LED素子が搭載されている基板面と対向する方向に放射される光(放射光)の取り出し効率を向上させるために、円形や四角形にくり抜かれた開口部を有する基板を貼り合わせ、これをマトリクス状に切断することによって周壁体を有する発光装置が製造されていた。 Conventionally, a light emitting device obtained by processing a printed circuit board has been manufactured from the viewpoint of good processability and cost. In such a light emitting device, a glass epoxy substrate having good heat resistance and low thermal expansion is used because it is exposed to a temperature of about 260 ° C. instantaneously in solder mounting. In a conventional light emitting device, light (radiation) radiated in a direction opposite to the substrate surface on which the LED element is mounted on a substrate on which a circuit (electrode pattern layer) is formed on the front and back surfaces of the substrate using through holes or the like. In order to improve the light extraction efficiency, a light emitting device having a peripheral wall has been manufactured by bonding a substrate having an opening cut into a circle or a rectangle and cutting the substrate into a matrix.
このような周壁体を有する従来の発光装置としては、発光体としてLED素子を使用し、樹脂と、樹脂表面に形成された金属反射層とからなっている周壁体を有する発光装置が知られている(特許文献1)。 As a conventional light-emitting device having such a peripheral wall body, a light-emitting device using a LED element as a light-emitting body and having a peripheral wall body made of a resin and a metal reflective layer formed on the resin surface is known. (Patent Document 1).
また、発光体にLED素子を使用し、周壁体にガラス織布に反射性粒子を含有している樹脂を含浸させて形成したガラスエポキシ基板を使用している発光装置も知られている。 There is also known a light emitting device using a glass epoxy substrate formed by impregnating a peripheral wall with a resin containing reflective particles in a glass woven fabric using an LED element.
しかし、金属反射層を備えた周壁体を有している発光装置においては、発光装置を小型化した際に、金属反射膜とLED素子が搭載されている基板表面の配線との間の絶縁確保が困難となり、発光装置の小型化の障害となっていた。また、金属反射膜と周壁体によって囲まれたキャビティ内に注入される封止樹脂との界面で剥離が生じたり、温度変化によって封止樹脂にクラックが入り、ボンディングワイヤが切断される等の問題が生じたりして製造時の歩留まりが悪化していた。 However, in a light emitting device having a peripheral wall with a metal reflective layer, when the light emitting device is downsized, insulation between the metal reflective film and the wiring on the substrate surface on which the LED element is mounted is ensured. This makes it difficult to reduce the size of the light emitting device. In addition, there are problems such as peeling at the interface between the metal reflective film and the sealing resin injected into the cavity surrounded by the peripheral wall, or cracks in the sealing resin due to temperature changes, and the bonding wire is cut. Or the production yield deteriorated.
また、ガラスエポキシ基板からなる周壁体を有している発光装置においては、周壁体の側部に露出したガラス繊維を通じて光が基板と平行方向に導かれることで光が外部に漏出してしまい、発光装置のLED素子が搭載されている面に対向する方向に放射される光の取り出し効率が低下してしまうという問題がある。この光漏れは、発光装置を小型化するためにキャビティ構造体の周辺壁部の厚さを薄くするほど顕著となり、発光装置の小型化の障害となっていた。また、このような周壁体を有する発光装置の製造においては、ダイシングの際に強固なガラス繊維を切断する必要が有り、当該ガラス繊維の切断が製造時の加工性を低下させる要因となっていた。 Further, in the light emitting device having a peripheral wall made of a glass epoxy substrate, light is leaked to the outside by being guided in a direction parallel to the substrate through the glass fiber exposed to the side of the peripheral wall, There exists a problem that the extraction efficiency of the light radiated | emitted in the direction facing the surface where the LED element of the light-emitting device is mounted will fall. This light leakage becomes more prominent as the thickness of the peripheral wall portion of the cavity structure is reduced in order to reduce the size of the light emitting device, which has been an obstacle to downsizing of the light emitting device. Further, in the manufacture of a light emitting device having such a peripheral wall body, it is necessary to cut strong glass fibers at the time of dicing, and the cutting of the glass fibers has been a factor of reducing workability at the time of manufacture. .
本発明は、上記した点に鑑みてなされたものであり、光取り出し効率の高い発光装置を提供することを目的とする。また、小型化が容易であり、製造時の加工容易性及び歩留まりを向上させることが可能な発光装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described points, and an object thereof is to provide a light-emitting device with high light extraction efficiency. It is another object of the present invention to provide a light-emitting device that can be easily downsized and can improve processability and yield during manufacturing, and a method for manufacturing the light-emitting device.
本発明の発光装置は、電極を有する基板と、基板上に搭載された発光素子と、基板の発光素子搭載面上に設けられ、発光素子を収容するキャビティを基板とともに画定する周壁体と、を有し、上記周壁体は、光反射性を有する粒子を内部に分散させた樹脂で形成されていることを特徴とする。 A light-emitting device of the present invention includes a substrate having an electrode, a light-emitting element mounted on the substrate, and a peripheral wall body that is provided on the light-emitting element mounting surface of the substrate and defines a cavity that accommodates the light-emitting element together with the substrate. And the peripheral wall body is formed of a resin in which particles having light reflectivity are dispersed.
また、本発明の発光装置を製造する方法は、電極が形成された基板に、基板のLED素子搭載面とともにキャビティを形成するキャビティ構造体を設けるステップと、キャビティ内で露出している基板表面に発光素子を搭載するステップと、を含み、上記キャビティ構造体は、光反射性を有する粒子を内部に分散させた樹脂で形成されていることを特徴とする。 The method of manufacturing the light emitting device of the present invention includes a step of providing a cavity structure that forms a cavity together with an LED element mounting surface of a substrate on a substrate on which an electrode is formed, and a substrate surface exposed in the cavity. Mounting the light emitting element, wherein the cavity structure is formed of a resin in which particles having light reflectivity are dispersed.
本発明の発光装置及び発光装置の製造方法によれば、発光装置の周壁体による光の反射量を向上させることで、発光装置のLED搭載表面に対向する方向の発光量を増加させることができる。また、小型化及び加工が容易な発光装置を実現可能である。 According to the light emitting device and the method for manufacturing the light emitting device of the present invention, it is possible to increase the amount of light emitted in the direction facing the LED mounting surface of the light emitting device by improving the amount of light reflected by the peripheral wall of the light emitting device. . In addition, a light emitting device that can be easily downsized and processed can be realized.
図1は、本発明の実施例1のLED素子を発光素子として用いた発光装置の断面図であり、図2は、本発明の実施例1の発光装置の光放射面から見た平面図である。なお、図1は、図2のA−A線に沿った断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device using the LED element of Example 1 of the present invention as a light emitting element, and FIG. 2 is a plan view seen from the light emitting surface of the light emitting device of Example 1 of the present invention. is there. 1 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
図1及び図2に示すように、発光装置10は、基板11と、電極12と、LED素子13と、周壁体14Aと、封止樹脂15と、を備えている。基板11上には電極12が形成され、LED素子13は基板11上にダイボンディングにより搭載され、電極12とボンディングワイヤ16によって電気的に接続されている。周壁体14Aは、基板11上に設けられ、周壁体14Aと基板11とによってLED素子13を露出させるキャビティ(凹部)17が画定され(図3)、キャビティ17には封止樹脂15が充填されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
基板11は、厚さ0.1mmのガラスエポキシ基板であり、複数のスルーホールを有する。ガラスエポキシ基板は、ガラス繊維を布状に編んだガラス織布に、エポキシ樹脂を含浸させて構成される。電極12は、基板11に形成されており、LED素子13の搭載面は、Cu箔/Cuメッキ/Niメッキ/Agメッキが形成されている。また、LED素子13の搭載面と反対側の面には、Cu箔/Cuメッキ/Niメッキ/Agメッキ/Auメッキが形成されており、スルーホール内にはCuメッキが形成されている。
The
LED素子13は、基板11上の所定位置に樹脂系接着剤やはんだ等によって固定載置されている。LED素子13は、例えば、青色LED素子である。また、LED素子13は、ボンディングワイヤ16によって基板11上の電極12に接続されている。
The
周壁体14Aは、キャビティ17がLED素子13を露出させるように、エポキシ接着剤によって基板11上に固定されている。後述するように、周壁体14Aは、光反射性粒子が分散されたエポキシ樹脂により形成されている。
The
封止樹脂15は、周壁体14A及び基板11によって画定されたキャビティ17内にLED素子13を埋設するように設けられている。封止樹脂15は、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)蛍光体を分散させた有機変性シリコーン硬化樹脂からなっている。なお、封止樹脂15は、エポキシ樹脂またはウレタン樹脂等の他の光透過性樹脂でもよく、YAG蛍光体以外の他の蛍光体や散乱材を含有してもよい。
The sealing
次に、図3及び図4を参照して、図1及び図2に示す発光装置10の製造方法について詳細に説明する。図3(a)−(d)は、発光装置10の製造方法の各工程を示す断面図である。図4は、当該製造方法の1工程(図3(b))を示す平面図である。すなわち、図4のB−B線に沿った断面図が図3(b)である。
Next, with reference to FIG. 3 and FIG. 4, the manufacturing method of the light-
発光装置10の製造においては、まず図3(a)に示すように、表面に電極12が形成された平板状のガラスエポキシ基板11を用意して、開口部を有する平板状のキャビティ構造体14を接着剤(図示せず)により基板11上に貼り合わせた。キャビティ構造体14は、酸化チタンや硫酸バリウム粒子等からなる光反射性粒子を分散させたエポキシ樹脂により形成された枠体である。また、エポキシ樹脂には、熱膨張を抑制するためのガラス粒子も分散されている。尚、周壁体14Aには、ガラス繊維(繊維状のガラス)は混合されていない。また、接着剤には、エポキシ樹脂に酸化チタン等を混合したものを使用した。なお、光反射性粒子は、一様に分散されているのが反射性の観点から好ましい。より詳細には、キャビティ構造体14は、長辺の長さL1が1.8mm、短辺の長さL2が1.4mmの長方形であるキャビティ17を、基板11とともに形成する周壁体14Aからなる枠体である。また、キャビティ構造体14のLED素子13が搭載される表面に対して垂直な方向の厚さH1は0.4mmである。本実施例では、キャビティ17は、マトリクス状(図では3行3列)に配列されている。図4に示すように、また、キャビティ周囲を囲む周壁体14Aを形成する壁部は、キャビティ構造体14の最外部における厚さW1が0.1mmであり、キャビティ17の各々の間の厚さW2が0.3mmである。
In the manufacture of the
次に、図3(b)に示すように、キャビティ17内の露出した基板11上に、一辺の長さが0.9mm、厚さ170μmの青色LED素子13を、1つのキャビティ17に対して1個、コレットを用いて載置してダイボンディングし、LED素子13と電極12とボンディングワイヤ16によるワイヤボンディングによって電気的に接続した。なお、キャビティ17内には、2つ以上のLED素子を配しても良い。
Next, as shown in FIG. 3 (b), a
次に、図3(c)に示すように、蛍光体を含む封止樹脂15を、ディスペンス法等により、LED素子13が埋設されるようにキャビティ17に充填した。次に、基板全体を150℃の炉内に投入し、5時間加熱して封止樹脂15を硬化させた。封止樹脂15は、YAG蛍光体を含む有機変性シリコーン樹脂であり、有機変性シリコーンに対するYAG蛍光体の割合は、22wt%とした。なお、封止樹脂15は、エポキシ樹脂またはウレタン樹脂等の他の光透過性樹脂からなっていても良く、光透過性樹脂が、YAG蛍光体以外の他の蛍光体や散乱材を含有していてもよい。また、封止樹脂15は、硬化後のショアA硬さが70以上または硬化後のショアD硬さが50以上であるのが好ましい。
最後に、図3(d)に示すようにLED素子13が搭載された基板を所定の大きさに切断した。切断方法は、通常のダイシング手法を使用した。完成した発光装置10を発光面から見た上面図が図2である。完成した発光装置10の寸法は、長辺L3が2.0mm、短辺L4が1.6mm、電極及び接着剤の厚さを含めた厚さH2は0.7mmであった。
Next, as shown in FIG. 3C, a sealing
Finally, as shown in FIG. 3D, the substrate on which the
本発明の発光装置10の効果を確認するために形成した比較例の発光装置20について以下に説明する。比較例の発光装置20は、本発明の実施例1のキャビティ構造体を使用せずに、図5に示すようにガラス織布に反射性粒子を含有している樹脂を含浸させて形成した周壁体21を用いた点を除いては、上記実施例と同様とした。周壁体21は、ガラス織布層21A及び反射性粒子含有樹脂層21Bを有する。
A comparative light-emitting
すなわち、比較例の発光装置20は、LED素子への給電のための電極を有するガラスエポキシ基板上に、ガラス織布に酸化チタン粒子や硫酸バリウム粒子等を含有する樹脂を含浸させた周壁体21を有し、周壁体21がガラス織布層21A及び反射性粒子含有樹脂層21Bを有している。なお、周壁体の形状や大きさ等、その他の点は実施例1と同じである。また、実施例1に使用されたのと同一の構造及び特性を有するLED素子が、実施例1と同じ位置にダイボンディングされており、キャビティ内が実施例1と同一の材料からなる封止樹脂によってLED素子を埋設せしめるように充填されている。また、実施例1及び比較例の発光装置の封止樹脂内の蛍光体量はいずれも22wt%とした。
That is, in the
なお、実施例1の発光装置10の周壁体及び比較例の発光装置20の周壁体22の反射性粒子含有樹脂層の反射率に有意な差が無いことも確認した。すなわち、基板のLED素子搭載面に平行な周壁体14A及び周壁体21の主面(反射性粒子含有樹脂層21B)の反射率には、400nmから700nmの間の波長範囲において有意な差が無いことを測定により確認した。
In addition, it confirmed that there was no significant difference in the reflectance of the reflective particle containing resin layer of the surrounding wall body of the light-emitting
実施例1及び比較例の発光装置を発光させた際の比較結果を表1に示す。なお、LED素子の発光輝度が同一となる駆動電流によって実施例1及び比較例のそれぞれのLED素子を駆動した。なお、20個のサンプルについて測定し、その平均値で示している。 Table 1 shows a comparison result when the light emitting devices of Example 1 and the comparative example were caused to emit light. In addition, each LED element of Example 1 and a comparative example was driven with the drive current from which the light emission luminance of an LED element becomes the same. In addition, it measured about 20 samples and has shown by the average value.
表1は、実施例1及び比較例の発光装置の放射面(素子搭載面)からの放射光の光度(カンデラ、cd)、相関色温度(ケルビン、K)及び全光束(ルーメン、lm)を比較して示している。 Table 1 shows the luminous intensity (candela, cd), correlated color temperature (Kelvin, K), and total luminous flux (lumen, lm) from the radiation surface (element mounting surface) of the light emitting devices of Example 1 and Comparative Example. Shown in comparison.
表1に示すように、実施例1の発光装置の光度(IE)及び全光束(LE)は、比較例の光度(IC)及び全光束(TC)に比べて1.07倍(すなわち7%の増加)であった。比較例の発光装置においては、LED素子からの放射光がガラス織布層21Aによって横方向(放射面に水平な方向)に導波されて失われるため光度及び全光束が小さい。さらに、比較例の発光装置より実施例1の発光装置の方が黄色みの強い発光が得られた。これは、実施例1においては、周壁体によって反射されるLED放射光成分が増加していることを意味している。すなわち、周壁体による反射成分がさらに封止樹脂内を通過して、放射面から放射されるため、封止樹脂内における光路長が長く黄色みの強い光の成分が増加していることを意味している。
As shown in Table 1, the luminous intensity (IE) and the total luminous flux (LE) of the light emitting device of Example 1 are 1.07 times (that is, 7%) compared with the luminous intensity (IC) and the total luminous flux (TC) of the comparative example. Increase). In the light emitting device of the comparative example, since the emitted light from the LED element is lost by being guided in the lateral direction (direction parallel to the radiation surface) by the glass woven
そこで、比較例の発光装置の色温度を、比較例の封止樹脂に含まれるYAG蛍光体の量を増加させることにより、実施例1と同様の色温度になるように調整して再度比較実験を行った。その実験結果を表2に示す。 Therefore, the color temperature of the light emitting device of the comparative example was adjusted to the same color temperature as in Example 1 by increasing the amount of the YAG phosphor contained in the sealing resin of the comparative example, and again the comparative experiment. Went. The experimental results are shown in Table 2.
表2は、実施例1及び比較例の発光装置の封止樹脂内の蛍光体濃度(重量%、wt%)放射面(素子搭載面)からの放射光の光度(cd)を比較して示している。相関色温度(K)も参考として示している。 Table 2 compares the phosphor concentration (wt%, wt%) in the sealing resin of the light emitting device of Example 1 and the comparative example, and the luminous intensity (cd) of the emitted light from the emitting surface (element mounting surface). ing. Correlated color temperature (K) is also shown for reference.
表2に示すように、実施例1の発光装置は、比較例に発光装置に比べて、同様の色温度を得るための蛍光体の量を約8%減らすことができ、かつ約5%の光度増加を達成することができた。 As shown in Table 2, the light emitting device of Example 1 can reduce the amount of phosphor for obtaining the same color temperature by about 8% and about 5% compared to the light emitting device of the comparative example. An increase in luminous intensity could be achieved.
本発明の発光装置においては、LED素子から放射される光を反射させるための周壁体を、光反射性粒子を分散させた樹脂によって形成している。これにより、従来の発光装置よりも、小型化時の絶縁性が高くかつ歩留まりの高い発光装置を実現することができる。また、周壁体を貫通して失われる光を減少させることができるので、従来の発光装置よりも発光装置の発光効率を増加させることができる。また、周壁体に反射されて蛍光体を含有した封止樹脂内における光路長が長い光の量の割合が増加するため、従来の発光装置よりも少ない蛍光体で発光色(色温度)の調整が可能である。さらに、本発明の発光装置の製造においては、光反射性粒子を分散させた樹脂からなるキャビティ構造体を用いているため、加工が高精度にでき、かつ容易である。例えば、従来のガラス織布を用いた発光装置の場合のように、キャビティ形成やダイシングの際に強固なガラス繊維を切断する必要がない。 In the light emitting device of the present invention, the peripheral wall body for reflecting the light emitted from the LED element is formed of a resin in which light reflecting particles are dispersed. Accordingly, it is possible to realize a light-emitting device with higher insulation and higher yield than conventional light-emitting devices. In addition, since light lost through the peripheral wall body can be reduced, the light emission efficiency of the light emitting device can be increased as compared with the conventional light emitting device. Moreover, since the ratio of the amount of light having a long optical path length in the sealing resin containing the phosphor reflected by the peripheral wall body increases, the emission color (color temperature) can be adjusted with less phosphor than the conventional light emitting device. Is possible. Furthermore, in the manufacture of the light emitting device of the present invention, since a cavity structure made of a resin in which light reflecting particles are dispersed is used, processing can be performed with high precision and is easy. For example, unlike a conventional light emitting device using a glass woven fabric, it is not necessary to cut a strong glass fiber during cavity formation or dicing.
なお、実施例1においては、基板11にガラスエポキシ基板を用いたが、他の樹脂基板またはセラミック基板等を用いてもよい。また、実施例1においては、LED素子13と電極12との電気的接続はワイヤボンディング接続を用いたが、LED素子13の裏面にバンプを設け、フリップチップ接続を行ってもよい。また、LED素子13の発光波長は、上記実施例に記載の波長に限らない。この場合、発光素子の発光波長に応じて、好適な光反射率が得られるように適宜光反射性粒子の材料等を選択すればよい。また、キャビティの形状は、長方形としたが、円形等任意の形状とすることが可能である。また、上記実施例においては、3行3列の9個の発光装置を1枚の基板から製造する場合を例に示したが、これに限らない。さらに、上述した実施例における種々の数値、寸法、材料等は、例示に過ぎず、使用される発光素子等に応じて、適宜選択することができる。
In the first embodiment, a glass epoxy substrate is used as the
10 発光装置
11 基板
12 電極
13 LED素子
14 キャビティ構造体
14A 周壁体
15 封止樹脂
16 ボンディングワイヤ
17 キャビティ
20 比較例の発光装置
21 比較例の周壁体
21A ガラス織布層
21B 反射性粒子含有樹脂層
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記基板上に搭載された発光素子と、
前記基板の発光素子搭載面上に設けられ、前記発光素子を収容するキャビティを前記基板とともに画定する周壁体と、を有し、
前記周壁体は、光反射性を有する粒子を内部に分散させた樹脂で形成されていることを特徴とする発光装置。 A substrate having electrodes;
A light emitting device mounted on the substrate;
A peripheral wall provided on a light emitting element mounting surface of the substrate, and defining a cavity for housing the light emitting element together with the substrate;
The light emitting device, wherein the peripheral wall body is formed of a resin in which particles having light reflectivity are dispersed.
電極が形成された基板に、前記基板のLED素子搭載面とともにキャビティを形成するキャビティ構造体を設けるステップと、
前記キャビティ内で露出している基板表面に発光素子を搭載するステップと、を含み、
前記キャビティ構造体は、光反射性を有する粒子を内部に分散させた樹脂で形成されていることを特徴とする方法。 A method for manufacturing a light emitting device, comprising:
Providing a substrate on which an electrode is formed with a cavity structure that forms a cavity together with an LED element mounting surface of the substrate;
Mounting a light emitting element on a substrate surface exposed in the cavity, and
The method is characterized in that the cavity structure is formed of a resin in which particles having light reflectivity are dispersed.
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