[go: up one dir, main page]

JP2019215251A - Radiation detection module, radiation detector, and manufacturing method of radiation detection module - Google Patents

Radiation detection module, radiation detector, and manufacturing method of radiation detection module Download PDF

Info

Publication number
JP2019215251A
JP2019215251A JP2018112559A JP2018112559A JP2019215251A JP 2019215251 A JP2019215251 A JP 2019215251A JP 2018112559 A JP2018112559 A JP 2018112559A JP 2018112559 A JP2018112559 A JP 2018112559A JP 2019215251 A JP2019215251 A JP 2019215251A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
moisture
scintillator
detection module
proof
radiation detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018112559A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
槙子 紺野
Makiko Konno
槙子 紺野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd
Original Assignee
Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd filed Critical Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd
Priority to JP2018112559A priority Critical patent/JP2019215251A/en
Publication of JP2019215251A publication Critical patent/JP2019215251A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

To provide a radiation detection module which improves reliability of a moisture-proof part and is easy to manufacture, and to provide a radiation detector, and a manufacturing method of the radiation detection module.SOLUTION: A radiation detection module according to an embodiment includes: an array substrate having a substrate, and a plurality of photoelectric conversion parts arranged on one surface side of the substrate; a scintillator which is arranged on the plurality of photoelectric conversion parts, in order to convert radiation to fluorescence; and a moisture-proof part having a sheet-like shape to cover the scintillator. The moisture-proof part includes: a protection part containing resin as a main component; and a barrier part which is arranged on a surface on the scintillator side of the protection part, and contains at least either metal or an inorganic material.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明の実施形態は、放射線検出モジュール、放射線検出器、および放射線検出モジュールの製造方法に関する。   Embodiments described herein relate generally to a radiation detection module, a radiation detector, and a method for manufacturing a radiation detection module.

放射線検出器の一例にX線検出器がある。X線検出器には、X線を可視光すなわち蛍光に変換するシンチレータと、蛍光を信号電荷に変換する複数の光電変換部を有するアレイ基板と、が設けられている。また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータの上に反射層を設ける場合もある。
ここで、水分などに起因する解像度特性の劣化を抑制するために、シンチレータと反射層は、外部雰囲気から隔離する必要がある。特に、シンチレータが、CsI(ヨウ化セシウム):Tl(タリウム)やCsI:Na(ナトリウム)などからなる場合には、水分などによる解像度特性の劣化が大きくなるおそれがある。
An example of the radiation detector is an X-ray detector. The X-ray detector is provided with a scintillator for converting X-rays into visible light, ie, fluorescence, and an array substrate having a plurality of photoelectric conversion units for converting fluorescence into signal charges. In addition, a reflective layer may be provided on the scintillator in order to increase the efficiency of using fluorescence and improve sensitivity characteristics.
Here, it is necessary to isolate the scintillator and the reflective layer from the external atmosphere in order to suppress the deterioration of the resolution characteristics due to moisture and the like. In particular, when the scintillator is made of CsI (cesium iodide): Tl (thallium), CsI: Na (sodium), or the like, the degradation of resolution characteristics due to moisture or the like may increase.

そのため、高い防湿性能を得られる構造として、シンチレータと反射層をアルミニウムなどの金属からなるハット形状の防湿部で覆い、防湿部のつば(鍔)部をアレイ基板と接着する技術が提案されている。ところが、ハット形状の防湿部に外力が加わると、金属からなる防湿部にピンホールが発生したり、つば部が剥がれたりするおそれがある。また、金属からなる防湿部の熱膨張率と、樹脂からなる接着部分の熱膨張率との差により、接着部分に亀裂が生じたり、剥離が生じたりするおそれがある。
すなわち、防湿部の信頼性が低下するおそれがある。
また、シンチレータと反射層を樹脂で覆い、樹脂の上に金属膜や無機材料膜を成膜して防湿部を形成する技術が提案されている。ところが、成膜により防湿部を形成すると、アレイ基板を成膜装置に搬入搬出する必要がある。そのため、製造工程が煩雑となったり、製造コストが増大したりするおそれがある。また、アレイ基板には薄膜トランジスタや光電変換素子を有する光電変換部が設けられているので、アレイ基板の搬送中や成膜中に、光電変換部が静電気により損傷するおそれがある。
そこで、防湿部の信頼性を向上させることができ、且つ製造が容易な放射線検出モジュール、放射線検出器、および放射線検出モジュールの製造方法の開発が望まれていた。
Therefore, as a structure capable of obtaining high moisture-proof performance, a technique has been proposed in which the scintillator and the reflective layer are covered with a hat-shaped moisture-proof portion made of a metal such as aluminum, and the brim (flange) portion of the moisture-proof portion is bonded to the array substrate. . However, when an external force is applied to the hat-shaped moisture-proof part, a pinhole may be generated in the moisture-proof part made of metal, or the brim part may be peeled off. Further, there is a possibility that cracks or peeling may occur in the bonded portion due to a difference between the thermal expansion coefficient of the moisture-proof portion made of metal and the thermal expansion coefficient of the bonded portion made of resin.
That is, the reliability of the moisture-proof part may be reduced.
Further, a technique has been proposed in which a scintillator and a reflective layer are covered with a resin, and a metal film or an inorganic material film is formed on the resin to form a moisture-proof portion. However, when the moisture-proof portion is formed by film formation, it is necessary to carry the array substrate into and out of the film formation apparatus. Therefore, the manufacturing process may be complicated or the manufacturing cost may increase. In addition, since the array substrate is provided with a photoelectric conversion unit having a thin film transistor and a photoelectric conversion element, the photoelectric conversion unit may be damaged by static electricity during transportation or film formation of the array substrate.
Therefore, development of a radiation detection module, a radiation detector, and a method of manufacturing a radiation detection module that can improve the reliability of the moisture-proof portion and that is easy to produce has been desired.

特開2009−128023号公報JP 2009-128023 A 特開2015−1397号公報JP-A-2013-1397

本発明が解決しようとする課題は、防湿部の信頼性を向上させることができ、且つ製造が容易な放射線検出モジュール、放射線検出器、および放射線検出モジュールの製造方法を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a radiation detection module, a radiation detector, and a method for manufacturing a radiation detection module that can improve the reliability of the moisture-proof portion and are easy to manufacture.

実施形態に係る放射線検出モジュールは、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた複数の光電変換部と、を有するアレイ基板と、前記複数の光電変換部の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータと、シート状を呈し、前記シンチレータを覆う防湿部と、を備えている。前記防湿部は、樹脂を主成分として含む保護部と、前記保護部の前記シンチレータ側の面に設けられ、金属および無機材料の少なくともいずれかを含むバリア部と、を有する。   The radiation detection module according to the embodiment, a substrate, a plurality of photoelectric conversion units provided on one surface side of the substrate, an array substrate having a, provided on the plurality of photoelectric conversion units, provided with a radiation The scintillator includes a scintillator that converts the fluorescent light into fluorescent light and a moisture-proof portion that has a sheet shape and covers the scintillator. The moisture-proof part includes a protection part containing a resin as a main component, and a barrier part provided on a surface of the protection part on the scintillator side and containing at least one of a metal and an inorganic material.

本実施の形態に係るX線検出器を例示するための模式斜視図である。It is a schematic perspective view for illustrating the X-ray detector concerning this embodiment. X線検出モジュールを例示するための模式断面図である。It is a schematic cross section for illustrating an X-ray detection module. X線検出器のブロック図である。It is a block diagram of an X-ray detector.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、X線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてX線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「X線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
また、以下に例示をするX線検出器1は、放射線画像であるX線画像を検出するX線平面センサである。X線検出器1は、例えば、一般医療などに用いることができる。ただし、X線検出器1の用途は、一般医療に限定されるわけではない。
Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
Further, the radiation detector according to the embodiment of the present invention can be applied to various radiations such as γ-rays in addition to X-rays. Here, as an example, a case where X-rays are used as a typical radiation will be described. Therefore, by replacing “X-ray” in the following embodiments with “other radiation”, the present invention can be applied to other radiation.
The X-ray detector 1 exemplified below is an X-ray flat sensor that detects an X-ray image that is a radiation image. The X-ray detector 1 can be used, for example, for general medical care. However, the use of the X-ray detector 1 is not limited to general medical care.

(X線検出器1およびX線検出モジュール10)
図1は、本実施の形態に係るX線検出器1を例示するための模式斜視図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図1においては、保護層2f、反射層6、接合部7、および防湿部8などを省いて描いている。
図2は、X線検出モジュール10を例示するための模式断面図である。
図3は、X線検出器1のブロック図である。
(X-ray detector 1 and X-ray detection module 10)
FIG. 1 is a schematic perspective view illustrating the X-ray detector 1 according to the present embodiment.
In FIG. 1, the protective layer 2f, the reflective layer 6, the bonding part 7, the moisture-proof part 8, and the like are omitted in order to avoid complication.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating the X-ray detection module 10.
FIG. 3 is a block diagram of the X-ray detector 1.

図1および図2に示すように、X線検出器1には、X線検出モジュール10、および回路基板11が設けられている。また、X線検出器1には、図示しない筐体を設けることができる。筐体の内部には、X線検出モジュール10、および回路基板11を設けることができる。例えば、筐体の内部に板状の支持板を設け、支持板のX線の入射側の面にはX線検出モジュール10を設け、支持板のX線の入射側とは反対側の面には回路基板11を設けることができる。   As shown in FIGS. 1 and 2, the X-ray detector 1 includes an X-ray detection module 10 and a circuit board 11. The X-ray detector 1 can be provided with a housing (not shown). The X-ray detection module 10 and the circuit board 11 can be provided inside the housing. For example, a plate-like support plate is provided inside the housing, an X-ray detection module 10 is provided on the surface of the support plate on the X-ray incident side, and the X-ray detection module 10 is provided on the surface of the support plate on the side opposite to the X-ray incident side. Can be provided with a circuit board 11.

X線検出モジュール10には、アレイ基板2、シンチレータ5、反射層6、接合部7、および防湿部8が設けられている。
アレイ基板2は、基板2a、光電変換部2b、制御ライン(又はゲートライン)2c1、データライン(又はシグナルライン)2c2、配線パッド2d1、配線パッド2d2および保護層2fを有する。
なお、光電変換部2b、制御ライン2c1、およびデータライン2c2の数などは例示をしたものに限定されるわけではない。
The X-ray detection module 10 is provided with an array substrate 2, a scintillator 5, a reflection layer 6, a bonding part 7, and a moisture-proof part 8.
The array substrate 2 has a substrate 2a, a photoelectric conversion unit 2b, a control line (or gate line) 2c1, a data line (or signal line) 2c2, a wiring pad 2d1, a wiring pad 2d2, and a protective layer 2f.
Note that the numbers of the photoelectric conversion units 2b, the control lines 2c1, and the data lines 2c2 are not limited to those illustrated.

基板2aは、板状を呈し、無アルカリガラスなどのガラスから形成されている。基板2aの平面形状は、四角形とすることができる。基板2aの厚みは、例えば、0.7mm程度とすることができる。
光電変換部2bは、基板2aの一方の面側に複数設けられている。
光電変換部2bは、矩形状を呈し、制御ライン2c1とデータライン2c2とにより画された領域に設けられている。複数の光電変換部2bは、マトリクス状に並べられている。なお、1つの光電変換部2bは、X線画像の1つの画素(pixel)に対応する。
The substrate 2a has a plate shape and is made of glass such as non-alkali glass. The planar shape of the substrate 2a can be a quadrangle. The thickness of the substrate 2a can be, for example, about 0.7 mm.
The plurality of photoelectric conversion units 2b are provided on one surface side of the substrate 2a.
The photoelectric conversion unit 2b has a rectangular shape and is provided in an area defined by the control line 2c1 and the data line 2c2. The plurality of photoelectric conversion units 2b are arranged in a matrix. One photoelectric conversion unit 2b corresponds to one pixel of the X-ray image.

複数の光電変換部2bのそれぞれには、光電変換素子2b1と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)2b2が設けられている。
また、光電変換素子2b1において変換した信号電荷を蓄積する蓄積キャパシタを設けることができる。蓄積キャパシタは、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ2b2の下に設けることができる。ただし、光電変換素子2b1の容量によっては、光電変換素子2b1が蓄積キャパシタを兼ねることができる。
Each of the plurality of photoelectric conversion units 2b is provided with a photoelectric conversion element 2b1 and a thin film transistor (TFT) 2b2 as a switching element.
Further, a storage capacitor for storing the signal charges converted in the photoelectric conversion element 2b1 can be provided. The storage capacitor has, for example, a rectangular flat plate shape and can be provided below each thin film transistor 2b2. However, depending on the capacitance of the photoelectric conversion element 2b1, the photoelectric conversion element 2b1 can also serve as a storage capacitor.

光電変換素子2b1は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
薄膜トランジスタ2b2は、蓄積キャパシタへの電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ2b2は、ゲート電極2b2a、ドレイン電極2b2b及びソース電極2b2cを有している。薄膜トランジスタ2b2のゲート電極2b2aは、対応する制御ライン2c1と電気的に接続される。薄膜トランジスタ2b2のドレイン電極2b2bは、対応するデータライン2c2と電気的に接続される。薄膜トランジスタ2b2のソース電極2b2cは、対応する光電変換素子2b1と蓄積キャパシタとに電気的に接続される。また、光電変換素子2b1のアノード側と蓄積キャパシタは、グランドに接続することができる。
The photoelectric conversion element 2b1 can be, for example, a photodiode or the like.
The thin film transistor 2b2 performs switching of charge accumulation and discharge to the storage capacitor. The thin film transistor 2b2 has a gate electrode 2b2a, a drain electrode 2b2b, and a source electrode 2b2c. Gate electrode 2b2a of thin film transistor 2b2 is electrically connected to corresponding control line 2c1. The drain electrode 2b2b of the thin film transistor 2b2 is electrically connected to the corresponding data line 2c2. Source electrode 2b2c of thin film transistor 2b2 is electrically connected to corresponding photoelectric conversion element 2b1 and storage capacitor. Further, the anode side of the photoelectric conversion element 2b1 and the storage capacitor can be connected to the ground.

制御ライン2c1は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。制御ライン2c1は、例えば、行方向に延びている。
1つの制御ライン2c1は、基板2aの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド2d1のうちの1つと電気的に接続されている。1つの配線パッド2d1には、フレキシブルプリント基板2e1に設けられた複数の配線のうちの1つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板2e1に設けられた複数の配線の他端は、回路基板11に設けられた読み出し回路11aとそれぞれ電気的に接続されている。
A plurality of control lines 2c1 are provided in parallel with each other at predetermined intervals. The control line 2c1 extends, for example, in the row direction.
One control line 2c1 is electrically connected to one of the plurality of wiring pads 2d1 provided near the periphery of the substrate 2a. One of a plurality of wirings provided on the flexible printed board 2e1 is electrically connected to one wiring pad 2d1. The other ends of the plurality of wirings provided on the flexible printed board 2e1 are electrically connected to the readout circuit 11a provided on the circuit board 11, respectively.

データライン2c2は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。データライン2c2は、例えば、行方向に直交する列方向に延びている。
1つのデータライン2c2は、基板2aの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド2d2のうちの1つと電気的に接続されている。1つの配線パッド2d2には、フレキシブルプリント基板2e2に設けられた複数の配線のうちの1つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板2e2に設けられた複数の配線の他端は、回路基板11に設けられた信号検出回路11bとそれぞれ電気的に接続されている。
制御ライン2c1、およびデータライン2c2は、例えば、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。
A plurality of data lines 2c2 are provided in parallel with each other at a predetermined interval. The data line 2c2 extends, for example, in a column direction orthogonal to the row direction.
One data line 2c2 is electrically connected to one of a plurality of wiring pads 2d2 provided near the periphery of the substrate 2a. One of a plurality of wires provided on the flexible printed board 2e2 is electrically connected to one wiring pad 2d2. The other ends of the plurality of wires provided on the flexible printed board 2e2 are electrically connected to the signal detection circuits 11b provided on the circuit board 11, respectively.
The control line 2c1 and the data line 2c2 can be formed using, for example, a low-resistance metal such as aluminum or chromium.

保護層2fは、第1層2f1および第2層2f2を有する。第1層2f1は、光電変換部2b、制御ライン2c1、およびデータライン2c2を覆っている。第2層2f2は、第1層2f1の上に設けられている。
第1層2f1および第2層2f2は、絶縁性材料から形成することができる。絶縁性材料は、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂などとすることができる。
The protection layer 2f has a first layer 2f1 and a second layer 2f2. The first layer 2f1 covers the photoelectric conversion unit 2b, the control line 2c1, and the data line 2c2. The second layer 2f2 is provided on the first layer 2f1.
The first layer 2f1 and the second layer 2f2 can be formed from an insulating material. The insulating material can be, for example, an oxide insulating material, a nitride insulating material, an oxynitride insulating material, a resin, or the like.

シンチレータ5は、複数の光電変換部2bの上に設けられ、入射するX線を可視光すなわち蛍光に変換する。シンチレータ5は、基板2a上の複数の光電変換部2bが設けられた領域(有効画素領域A)を覆うように設けられている。
シンチレータ5は、例えば、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、ヨウ化ナトリウム(NaI):タリウム(Tl)、あるいは臭化セシウム(CsBr):ユーロピウム(Eu)などを用いて形成することができる。シンチレータ5は、真空蒸着法を用いて形成することができる。真空蒸着法を用いてシンチレータ5を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ5が形成される。シンチレータ5の厚みは、例えば、600μm程度とすることができる。
The scintillator 5 is provided on the plurality of photoelectric conversion units 2b and converts incident X-rays into visible light, that is, fluorescence. The scintillator 5 is provided so as to cover a region (effective pixel region A) on the substrate 2a where the plurality of photoelectric conversion units 2b are provided.
The scintillator 5 can be formed using, for example, cesium iodide (CsI): thallium (Tl), sodium iodide (NaI): thallium (Tl), or cesium bromide (CsBr): europium (Eu). it can. The scintillator 5 can be formed using a vacuum deposition method. If the scintillator 5 is formed using a vacuum deposition method, the scintillator 5 composed of an aggregate of a plurality of columnar crystals is formed. The thickness of the scintillator 5 can be, for example, about 600 μm.

なお、真空蒸着法を用いてシンチレータ5を形成する際には、開口を有するマスクが用いられる。この場合、アレイ基板2上の開口に対峙する位置(有効画素領域Aの上)にシンチレータ5が形成される。また、蒸着による膜は、マスクの表面にも形成される。そして、マスクの開口の近傍においては、膜は、開口の内部に徐々に張り出すように成長する。開口の内部に膜が張り出すと、開口の近傍において、アレイ基板2への蒸着が抑制される。そのため、図1および図2に示すように、シンチレータ5の周縁近傍は、外側になるに従い厚みが漸減している。   When forming the scintillator 5 by using the vacuum evaporation method, a mask having an opening is used. In this case, the scintillator 5 is formed at a position facing the opening on the array substrate 2 (on the effective pixel area A). Further, a film formed by vapor deposition is also formed on the surface of the mask. Then, in the vicinity of the opening of the mask, the film grows so as to gradually project inside the opening. When the film overhangs inside the opening, vapor deposition on the array substrate 2 is suppressed in the vicinity of the opening. Therefore, as shown in FIGS. 1 and 2, the thickness near the periphery of the scintillator 5 gradually decreases toward the outside.

また、シンチレータ5は、例えば、テルビウム賦活硫酸化ガドリニウム(GdS/Tb、又はGOS)などを用いて形成することもできる。この場合、複数の光電変換部2bごとに四角柱状のシンチレータ5が設けられるように、マトリクス状の溝部を設けることができる。 Further, the scintillator 5 can be formed using, for example, terbium-activated gadolinium sulfate (Gd 2 O 2 S / Tb or GOS). In this case, a matrix-shaped groove can be provided so that the square-column-shaped scintillator 5 is provided for each of the plurality of photoelectric conversion units 2b.

反射層6は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられている。すなわち、反射層6は、シンチレータ5において生じた蛍光のうち、光電変換部2bが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部2bに向かうようにする。
ただし、反射層6は、必ずしも必要ではなく、X線検出モジュール10に求められる感度特性などに応じて設けるようにすればよい。
以下においては、一例として、反射層6が設けられている場合を説明する。
The reflection layer 6 is provided to increase the efficiency of using fluorescent light and improve the sensitivity characteristics. That is, the reflection layer 6 reflects the light of the fluorescent light generated in the scintillator 5 that is directed to the side opposite to the side where the photoelectric conversion unit 2b is provided, and directs the light toward the photoelectric conversion unit 2b.
However, the reflective layer 6 is not always necessary, and may be provided according to the sensitivity characteristics required of the X-ray detection module 10 and the like.
Hereinafter, a case where the reflective layer 6 is provided will be described as an example.

反射層6は、シンチレータ5のX線の入射側に設けられている。反射層6は、少なくともシンチレータ5の上面5aを覆っている。反射層6は、シンチレータ5の側面5bをさらに覆うこともできる。
例えば、酸化チタン(TiO)などからなる光散乱性粒子と、樹脂と、溶媒とを混合した材料をシンチレータ5上に塗布し、これを乾燥することで反射層6を形成することができる。
また、例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ5上に成膜することで反射層6を形成することができる。
また、例えば、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなるシートや、光散乱性粒子を含む樹脂シートなどをシンチレータ5上に接合することで反射層6とすることもできる。
The reflection layer 6 is provided on the X-ray incident side of the scintillator 5. The reflection layer 6 covers at least the upper surface 5a of the scintillator 5. The reflection layer 6 can further cover the side surface 5b of the scintillator 5.
For example, the reflective layer 6 can be formed by applying a material obtained by mixing light scattering particles made of titanium oxide (TiO 2 ), a resin, and a solvent onto the scintillator 5 and drying the material.
Further, for example, the reflective layer 6 can be formed by forming a layer made of a metal having a high light reflectance such as a silver alloy or aluminum on the scintillator 5.
Further, for example, a sheet made of a metal having a high light reflectance such as a silver alloy or aluminum or a resin sheet containing light-scattering particles may be joined to the scintillator 5 to form the reflection layer 6.

接合部7は、防湿部8と反射層6(シンチレータ5)との間に設けられている。この場合、接合部7は、少なくともシンチレータ5の側面5bの側に設けることができる。ただし、接合部7が、シンチレータ5の上面5aの側、および側面5bの側に設けられていれば、防湿部8の接合強度および密着性を向上させることができる。   The bonding part 7 is provided between the moisture-proof part 8 and the reflection layer 6 (scintillator 5). In this case, the joint 7 can be provided at least on the side of the side surface 5 b of the scintillator 5. However, if the bonding portion 7 is provided on the upper surface 5a side and the side surface 5b side of the scintillator 5, the bonding strength and adhesion of the moistureproof portion 8 can be improved.

接合部7は、例えば、接着剤が硬化することで形成されたものとすることができる。
また、接合部7は、例えば、粘着性を有するシートとすることができる。接合部7は、例えば、両面テープなどとすることができる。接合部7は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、およびゴムの少なくとも1種を含むものとすることができる。ただし、接合部7の材料は例示をしたものに限定されるわけではない。
The joint 7 can be formed, for example, by curing an adhesive.
Further, the joint 7 can be, for example, a sheet having adhesiveness. The joint 7 can be, for example, a double-sided tape. The joint 7 can include, for example, at least one of an epoxy resin, an acrylic resin, and rubber. However, the material of the joint 7 is not limited to the illustrated one.

なお、接着剤が硬化することで形成された接合部7とすれば、接着剤の一部がシンチレータ5の柱状結晶同士の間に入り込み光学特性が変化してしまうおそれがある。これに対し、接合部7が粘着性を有するシートであれば、接合部7がシンチレータ5の柱状結晶同士の間に入り込むのを抑制することができる。そのため、接合部7は、粘着性を有するシートとすることが好ましい。   If the bonding portion 7 is formed by curing the adhesive, a part of the adhesive may enter between the columnar crystals of the scintillator 5 to change the optical characteristics. On the other hand, if the bonding portion 7 is an adhesive sheet, it is possible to suppress the bonding portion 7 from entering between the columnar crystals of the scintillator 5. Therefore, it is preferable that the bonding portion 7 be a sheet having adhesiveness.

また、後述するように、シート状の防湿部8が接合部7を介して接合される。そのため、接合部7の剥離強度および剪断強度が所定の値以上であれば、防湿部8とシンチレータ5などとを密着させることが容易となる。また、防湿部8が剥離するのを抑制することができる。
本発明者の得た知見によれば、接合部7の剥離強度および剪断強度は、1N/mm以上とすることが好ましい。なお、剥離強度は、JIS Z 0237:2009に準じて測定することができる。剪断強度は、JIS K 6850:1999に準じて測定することができる。
Further, as described later, the sheet-shaped moisture-proof portion 8 is joined via the joining portion 7. Therefore, if the peel strength and the shear strength of the joint 7 are equal to or more than the predetermined values, it becomes easy to make the moisture-proof part 8 and the scintillator 5 adhere to each other. In addition, it is possible to prevent the moisture-proof part 8 from peeling off.
According to the knowledge obtained by the inventor, the peel strength and the shear strength of the joint 7 are preferably set to 1 N / mm 2 or more. The peel strength can be measured according to JIS Z 0237: 2009. The shear strength can be measured according to JIS K 6850: 1999.

防湿部8は、シート状を呈し、シンチレータ5および反射層6を覆っている。防湿部8は、シンチレータ5の形状に倣うように設けられている。防湿部8は、保護部8aとバリア部8bを有する。
保護部8aは、例えば、樹脂を主成分として含むものとすることができる。保護部8aは、例えば、樹脂シートなどとすることができる。樹脂は、ある程度の剛性を有するものであれば特に限定はない。樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などとすることができる。
The moistureproof part 8 has a sheet shape and covers the scintillator 5 and the reflective layer 6. The moisture-proof part 8 is provided so as to follow the shape of the scintillator 5. The moisture-proof part 8 has a protection part 8a and a barrier part 8b.
The protection portion 8a may include, for example, a resin as a main component. The protection section 8a can be, for example, a resin sheet or the like. The resin is not particularly limited as long as it has a certain degree of rigidity. The resin can be, for example, an epoxy resin, an acrylic resin, or the like.

バリア部8bは、保護部8aのシンチレータ5側の面に設けられている。バリア部8bは、金属および無機材料の少なくともいずれかを含む。バリア部8bは、例えば、シート状の保護部8aの上に、金属および無機材料の少なくともいずれかを含む膜を成膜することで形成することができる。金属は、例えば、アルミニウムやアルミニウム合金などとすることができる。無機材料は、例えば、酸化シリコンや酸化アルミニウムなどの酸化物、窒化シリコンなどの窒化物、酸窒化シリコンなどの酸窒化物などとすることができる。なお、金属や無機材料は例示をしたものに限定されるわけではない。
バリア部8bの形成は、例えば、スパッタリング法やPVD(Physical Vapor Deposition)法などの物理的気相成長法、またはCVD(Chemical Vapor Deposition)法などの化学的気相成長法を用いて行うことができる。
The barrier section 8b is provided on the surface of the protection section 8a on the scintillator 5 side. The barrier section 8b includes at least one of a metal and an inorganic material. The barrier section 8b can be formed, for example, by forming a film containing at least one of a metal and an inorganic material on the sheet-like protection section 8a. The metal can be, for example, aluminum or an aluminum alloy. Examples of the inorganic material include oxides such as silicon oxide and aluminum oxide, nitrides such as silicon nitride, and oxynitrides such as silicon oxynitride. In addition, the metal and the inorganic material are not limited to those illustrated.
The barrier portion 8b can be formed by using, for example, a physical vapor deposition method such as a sputtering method or a PVD (Physical Vapor Deposition) method, or a chemical vapor deposition method such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. it can.

ここで、高分子材料である樹脂は、分子鎖間にある隙間が元々大きく、熱運動によりさらに隙間が大きくなる。そのため、樹脂を主成分として含む保護部8aは水蒸気に対するバリア性が低いので、保護部8aのみで防湿部を構成すると、シンチレータ5および反射層6を水蒸気から保護できなくなるおそれがある。   Here, in the resin that is a polymer material, the gap between the molecular chains is originally large, and the gap is further increased by thermal motion. Therefore, since the protective portion 8a containing resin as a main component has a low barrier property against water vapor, if the moisture proof portion is constituted only by the protective portion 8a, the scintillator 5 and the reflective layer 6 may not be protected from water vapor.

一方、金属や無機材料は、金属原子、酸素、窒素、炭素、シリコンなどの結合により構成されている。そのため、金属や無機材料には、水蒸気を透過させる隙間がほとんど存在しないので、高い防湿性能を有する。しかしながら、金属や無機材料は、樹脂に比べて剛性が高い。そのため、バリア部8bのみで防湿部を構成する場合には、シンチレータ5および反射層6の形状に合わせて、防湿部を予め成形しておく必要がある。例えば、アルミニウムなどの金属からなるハット形状の防湿部とする必要がある。しかしながら、防湿部を予め成形すると、製造工程が煩雑となったり、製造コストが増大したりするおそれがある。また、ハット形状の防湿部に外力が加わると、防湿部にピンホールが発生したり、つば部が剥がれたりするおそれがある。また、ハット形状の防湿部の熱膨張率と、樹脂からなる接着部分の熱膨張率との差により、接着部分に亀裂が生じたり、剥離が生じたりするおそれがある。この場合、金属などからなるバリア部8bのみで防湿部を構成し、且つ防湿部の厚みを薄くすればシート状の防湿部としても、防湿部がシンチレータ5および反射層6の形状に倣うようにすることができる。ところが、防湿部の厚みを薄くすれば、ピンホールが発生しやすくなる。   On the other hand, metals and inorganic materials are composed of bonds of metal atoms, oxygen, nitrogen, carbon, silicon, and the like. Therefore, the metal or the inorganic material has little moisture-permeable gap, and thus has high moisture-proof performance. However, metals and inorganic materials have higher rigidity than resins. Therefore, when the moisture-proof part is configured only by the barrier part 8b, it is necessary to form the moisture-proof part in advance according to the shapes of the scintillator 5 and the reflective layer 6. For example, it is necessary to provide a hat-shaped moisture-proof portion made of a metal such as aluminum. However, if the moisture-proof part is formed in advance, the manufacturing process may be complicated and the manufacturing cost may increase. Further, when an external force is applied to the hat-shaped moisture-proof part, a pinhole may be generated in the moisture-proof part or the brim part may be peeled off. Further, there is a possibility that a crack or peeling may occur in the bonded portion due to a difference between a thermal expansion coefficient of the hat-shaped moisture-proof portion and a thermal expansion coefficient of the bonded portion made of resin. In this case, the moisture-proof portion is constituted only by the barrier portion 8b made of metal or the like, and if the thickness of the moisture-proof portion is reduced, the moisture-proof portion follows the shape of the scintillator 5 and the reflective layer 6 even in the form of a sheet-like moisture-proof portion. can do. However, when the thickness of the moisture-proof portion is reduced, pinholes are easily generated.

本実施の形態に係る防湿部8には、保護部8aとバリア部8bが設けられているので、バリア部8bにより水蒸気の透過を抑制し、保護部8aによりバリア部8bの保護を図ることができる。この場合、バリア部8bは、保護部8aのシンチレータ5側の面に設けられているので、外力がバリア部8bに直接加わるのを抑制することができる。そのため、バリア部8bの厚みを薄くしても、ピンホールの発生を抑制することができる。
また、保護部8aは、金属や無機材料よりも剛性が低い樹脂を主成分として含むので、保護部8aの厚みをある程度厚くしても柔軟性を維持することができる。そのため、防湿部8がシンチレータ5および反射層6の形状に倣うようにするのが容易となる。例えば、シート状の防湿部8を、シンチレータ5および反射層6に被せるようにして接合することができる。
本実施の形態に係るX線検出モジュール10とすれば、防湿部8の信頼性を向上させることができ、且つ製造を容易とすることができる。
Since the moisture-proof part 8 according to the present embodiment is provided with the protective part 8a and the barrier part 8b, it is possible to suppress the transmission of water vapor by the barrier part 8b and to protect the barrier part 8b by the protective part 8a. it can. In this case, since the barrier portion 8b is provided on the surface of the protection portion 8a on the scintillator 5 side, it is possible to suppress external force from being directly applied to the barrier portion 8b. Therefore, even if the thickness of the barrier portion 8b is reduced, the occurrence of pinholes can be suppressed.
In addition, since the protection portion 8a contains, as a main component, a resin having lower rigidity than a metal or an inorganic material, flexibility can be maintained even if the thickness of the protection portion 8a is increased to some extent. Therefore, it becomes easy for the moisture-proof portion 8 to follow the shapes of the scintillator 5 and the reflective layer 6. For example, the sheet-shaped moisture-proof portion 8 can be joined so as to cover the scintillator 5 and the reflective layer 6.
With the X-ray detection module 10 according to the present embodiment, the reliability of the moisture-proof part 8 can be improved, and the manufacture can be facilitated.

なお、防湿部8の厚みを薄くしすぎると外力に対する耐性が低くなりピンホールなどが発生しやすくなる。防湿部8の厚みを厚くしすぎると、シンチレータ5および反射層6の形状に防湿部8を倣わせるのが困難となる。本発明者の得た知見によれば、防湿部8の厚みは、50μm以上、100μm以下とすることが好ましい。この場合、成膜の際にピンホールなどの欠陥が生じなければ、バリア部8bの厚みは、薄くすることが好ましい。バリア部8bの厚みは、例えば、保護部8aの厚み以下とすることができる。厚みが保護部8aの厚み以下のバリア部8bが設けられていれば、温度が40℃、湿度が90%の環境下において、防湿部8の水蒸気透過度が0.1g/(m・24h)以下となるようにすることができる。なお、水蒸気透過度は、JIS K 7129:2008に準じて測定することができる。 If the thickness of the moisture-proof portion 8 is too thin, the resistance to external force is reduced, and pinholes and the like are easily generated. If the thickness of the moisture-proof part 8 is too thick, it becomes difficult to make the shape of the scintillator 5 and the reflective layer 6 conform to the moisture-proof part 8. According to the knowledge obtained by the inventor, it is preferable that the thickness of the moisture-proof portion 8 be 50 μm or more and 100 μm or less. In this case, if a defect such as a pinhole does not occur during the film formation, the thickness of the barrier portion 8b is preferably reduced. The thickness of the barrier portion 8b can be, for example, equal to or less than the thickness of the protection portion 8a. If the thickness is less of a barrier portion 8b thickness of the protective portion 8a is provided, temperature of 40 ° C., humidity under 90% environment, the water vapor transmission rate of the moisture-proof portion 8 is 0.1g / (m 2 · 24h ) Can be as follows: The water vapor permeability can be measured according to JIS K 7129: 2008.

また、防湿部8は、接合部7を介してシンチレータ5および反射層6に接合される。そのため、シンチレータ5および反射層6の表面に凹凸があったとしても、凹凸が防湿部8に転写されるのを抑制することができる。
また、防湿部8は、シンチレータ5および反射層6に接合される。この場合、図2に示すように、防湿部8とアレイ基板2とが接触する部分の寸法は、防湿部8の厚み寸法程度とすることができる。すなわち、シンチレータ5の周囲に設けられる接合領域を小さくすることができる。そのため、X線検出モジュール10の小型化が容易となる。
Further, the moisture-proof part 8 is joined to the scintillator 5 and the reflection layer 6 via the joint part 7. Therefore, even if there are irregularities on the surfaces of the scintillator 5 and the reflective layer 6, it is possible to prevent the irregularities from being transferred to the moisture-proof portion 8.
Further, the moisture-proof part 8 is joined to the scintillator 5 and the reflection layer 6. In this case, as shown in FIG. 2, the size of the portion where the moisture-proof part 8 and the array substrate 2 are in contact can be about the thickness of the moisture-proof part 8. That is, the joining area provided around the scintillator 5 can be reduced. Therefore, the size of the X-ray detection module 10 can be easily reduced.

図1に示すように、回路基板11は、アレイ基板2の、シンチレータ5が設けられる側とは反対側に設けられている。回路基板11は、X線検出モジュール10(アレイ基板2)と電気的に接続されている。
図3に示すように、回路基板11には、読み出し回路11aおよび信号検出回路11bが設けられている。なお、これらの回路を1つの基板に設けることもできるし、これらの回路を複数の基板に分けて設けることもできる。
As shown in FIG. 1, the circuit board 11 is provided on the side of the array substrate 2 opposite to the side on which the scintillator 5 is provided. The circuit board 11 is electrically connected to the X-ray detection module 10 (array board 2).
As shown in FIG. 3, the circuit board 11 is provided with a readout circuit 11a and a signal detection circuit 11b. Note that these circuits can be provided over one substrate, or these circuits can be provided over a plurality of substrates.

読み出し回路11aは、薄膜トランジスタ2b2のオン状態とオフ状態を切り替える。 読み出し回路11aは、複数のゲートドライバ11aaと行選択回路11abとを有する。
行選択回路11abには、X線検出器1の外部に設けられた図示しない画像処理部などから制御信号S1が入力される。行選択回路11abは、X線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ11aaに制御信号S1を入力する。
ゲートドライバ11aaは、対応する制御ライン2c1に制御信号S1を入力する。
例えば、読み出し回路11aは、フレキシブルプリント基板2e1を介して、制御信号S1を各制御ライン2c1毎に順次入力する。制御ライン2c1に入力された制御信号S1により薄膜トランジスタ2b2がオン状態となり、蓄積キャパシタからの電荷(画像データ信号S2)が受信できるようになる。
The read circuit 11a switches between the on state and the off state of the thin film transistor 2b2. The read circuit 11a has a plurality of gate drivers 11aa and a row selection circuit 11ab.
A control signal S1 is input to the row selection circuit 11ab from an image processing unit (not shown) provided outside the X-ray detector 1. The row selection circuit 11ab inputs the control signal S1 to the corresponding gate driver 11aa according to the scanning direction of the X-ray image.
The gate driver 11aa inputs the control signal S1 to the corresponding control line 2c1.
For example, the readout circuit 11a sequentially inputs the control signal S1 for each control line 2c1 via the flexible printed circuit board 2e1. The thin film transistor 2b2 is turned on by the control signal S1 input to the control line 2c1, and the charge (image data signal S2) from the storage capacitor can be received.

信号検出回路11bは、複数の積分アンプ11ba、複数の選択回路11bb、および複数のADコンバータ11bcを有している。
1つの積分アンプ11baは、1つのデータライン2c2と電気的に接続されている。積分アンプ11baは、光電変換部2bからの画像データ信号S2を順次受信する。そして、積分アンプ11baは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を選択回路11bbへ出力する。この様にすれば、所定の時間内にデータライン2c2を流れる電流の値(電荷量)を電圧値に変換することが可能となる。すなわち、積分アンプ11baは、シンチレータ5において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換する。
The signal detection circuit 11b has a plurality of integration amplifiers 11ba, a plurality of selection circuits 11bb, and a plurality of AD converters 11bc.
One integration amplifier 11ba is electrically connected to one data line 2c2. The integration amplifier 11ba sequentially receives the image data signal S2 from the photoelectric conversion unit 2b. Then, the integration amplifier 11ba integrates the current flowing within a certain time, and outputs a voltage corresponding to the integrated value to the selection circuit 11bb. This makes it possible to convert the value of the current (charge amount) flowing through the data line 2c2 within a predetermined time into a voltage value. That is, the integration amplifier 11ba converts image data information corresponding to the intensity distribution of the fluorescence generated in the scintillator 5 into potential information.

選択回路11bbは、読み出しを行う積分アンプ11baを選択し、電位情報へと変換された画像データ信号S2を順次読み出す。
ADコンバータ11bcは、読み出された画像データ信号S2をデジタル信号に順次変換する。デジタル信号に変換された画像データ信号S2は、配線を介して画像処理部に入力される。なお、デジタル信号に変換された画像データ信号S2は、無線により画像処理部に送信されるようにしてもよい。
The selection circuit 11bb selects the integration amplifier 11ba for reading, and sequentially reads the image data signal S2 converted into the potential information.
The AD converter 11bc sequentially converts the read image data signal S2 into a digital signal. The image data signal S2 converted into a digital signal is input to the image processing unit via the wiring. Note that the image data signal S2 converted into a digital signal may be transmitted to the image processing unit wirelessly.

画像処理部は、デジタル信号に変換された画像データ信号S2に基づいてX線画像を構成する。なお、画像処理部は、回路基板11と一体化することもできる。   The image processing unit forms an X-ray image based on the image data signal S2 converted into a digital signal. Note that the image processing unit may be integrated with the circuit board 11.

(X線検出モジュール10の製造方法、およびX線検出器1の製造方法)
まず、基板2aの上に、制御ライン2c1、データライン2c2、配線パッド2d1、配線パッド2d2、光電変換部2b、および保護層2fなどを順次形成してアレイ基板2を製造する。アレイ基板2は、例えば、半導体製造プロセスを用いて製造することができる。なお、アレイ基板2の製造には既知の技術を適用することができるので詳細な説明は省略する。
(Manufacturing method of X-ray detection module 10 and manufacturing method of X-ray detector 1)
First, a control line 2c1, a data line 2c2, a wiring pad 2d1, a wiring pad 2d2, a photoelectric conversion unit 2b, a protective layer 2f, and the like are sequentially formed on the substrate 2a to manufacture the array substrate 2. The array substrate 2 can be manufactured using, for example, a semiconductor manufacturing process. In addition, since a known technique can be applied to the manufacture of the array substrate 2, a detailed description thereof will be omitted.

次に、基板2a上の有効画素領域Aを覆うようにシンチレータ5を形成する。
例えば、シンチレータ5は、真空蒸着法を用いて形成することができる。真空蒸着法を用いてシンチレータ5を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ5が形成される。シンチレータ5の厚みは、X線検出器1に求められるDQE特性、感度特性、解像度特性などに応じて適宜変更することができる。シンチレータ5の厚みは、例えば、600μm程度とすることができる。
Next, the scintillator 5 is formed so as to cover the effective pixel area A on the substrate 2a.
For example, the scintillator 5 can be formed using a vacuum evaporation method. If the scintillator 5 is formed using a vacuum deposition method, the scintillator 5 composed of an aggregate of a plurality of columnar crystals is formed. The thickness of the scintillator 5 can be appropriately changed according to DQE characteristics, sensitivity characteristics, resolution characteristics, and the like required for the X-ray detector 1. The thickness of the scintillator 5 can be, for example, about 600 μm.

また、発光物質とバインダ材とを混合し、混合された材料を有効画素領域Aを覆うように塗布し、これを焼成し、焼成された材料にマトリクス状の溝部を形成して複数の光電変換部2bごとに四角柱状のシンチレータ5が設けられるようにしてもよい。   Further, a luminescent substance and a binder material are mixed, the mixed material is applied so as to cover the effective pixel area A, and the resultant is baked. A matrix-shaped groove is formed in the baked material to form a plurality of photoelectric conversion elements. The rectangular column-shaped scintillator 5 may be provided for each part 2b.

次に、シンチレータ5の上に反射層6を形成する。
例えば、反射層6は、複数の光散乱性粒子、樹脂、および溶媒を混合した塗布液をシンチレータ5上に塗布し、これを乾燥させることで形成することができる。
Next, the reflection layer 6 is formed on the scintillator 5.
For example, the reflective layer 6 can be formed by applying a coating liquid in which a plurality of light scattering particles, a resin, and a solvent are mixed on the scintillator 5 and drying the coating liquid.

また、防湿部8を形成する。
例えば、シート状の保護部8aの一方の面にバリア部8bを形成することで、防湿部8を形成する。例えば、樹脂シートの一方の面に、金属および無機材料の少なくともいずれかを含む膜を成膜することで、防湿部8を形成する。樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などとすることができる。金属は、例えば、アルミニウムやアルミニウム合金などとすることができる。無機材料は、例えば、酸化シリコンや酸化アルミニウムなどの酸化物、窒化シリコンなどの窒化物、酸窒化シリコンなどの酸窒化物などとすることができる。なお、樹脂、金属、無機材料は例示をしたものに限定されるわけではない。
成膜は、物理的気相成長法または化学的気相成長法を用いて行うことができる。
防湿部8の厚みは、50μm以上、100μm以下とすることができる。
Further, a moisture-proof portion 8 is formed.
For example, the moisture-proof part 8 is formed by forming the barrier part 8b on one surface of the sheet-like protective part 8a. For example, the moisture-proof portion 8 is formed by forming a film containing at least one of a metal and an inorganic material on one surface of the resin sheet. The resin can be, for example, an epoxy resin, an acrylic resin, or the like. The metal can be, for example, aluminum or an aluminum alloy. Examples of the inorganic material include oxides such as silicon oxide and aluminum oxide, nitrides such as silicon nitride, and oxynitrides such as silicon oxynitride. The resin, metal, and inorganic material are not limited to those described above.
Film formation can be performed using a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method.
The thickness of the moisture-proof part 8 can be 50 μm or more and 100 μm or less.

次に、接合部7を介して、シンチレータ5および反射層6を覆うようにシート状の防湿部8を接合する。前述したように、シンチレータ5の厚みは600μm程度である。そのため、防湿部8の厚みが100μm以下であれば、シート状の防湿部8をシンチレータ5および反射層6に被せた際に、シンチレータ5および反射層6の形状に防湿部8を倣わせることができる。
以上の様にして、X線検出モジュール10を製造することができる。
Next, the sheet-shaped moisture-proof part 8 is joined via the joint part 7 so as to cover the scintillator 5 and the reflective layer 6. As described above, the thickness of the scintillator 5 is about 600 μm. Therefore, when the thickness of the moisture-proof part 8 is 100 μm or less, when the sheet-like moisture-proof part 8 is put on the scintillator 5 and the reflective layer 6, the moisture-proof part 8 is made to follow the shape of the scintillator 5 and the reflective layer 6. Can be.
As described above, the X-ray detection module 10 can be manufactured.

次に、フレキシブルプリント基板2e1、2e2を介して、アレイ基板2と回路基板11を電気的に接続する。
その他、回路部品などを適宜実装する。
Next, the array board 2 and the circuit board 11 are electrically connected via the flexible printed boards 2e1 and 2e2.
In addition, circuit components and the like are appropriately mounted.

次に、図示しない筐体の内部にアレイ基板2、回路基板11などを格納する。
そして、必要に応じて、光電変換素子2b1の異常の有無や電気的な接続の異常の有無を確認する電気試験、X線画像試験などを行う。
以上のようにして、X線検出器1を製造することができる。
なお、製品の防湿信頼性や温度環境の変化に対する信頼性を確認するために、高温高湿試験、冷熱サイクル試験などを実施することもできる。
Next, the array substrate 2, the circuit substrate 11, and the like are stored inside a casing (not shown).
Then, as necessary, an electric test, an X-ray image test, and the like for confirming whether or not there is an abnormality in the photoelectric conversion element 2b1 and whether or not there is an abnormality in electrical connection are performed.
As described above, the X-ray detector 1 can be manufactured.
In addition, a high-temperature / high-humidity test, a cooling / heating cycle test, and the like can be performed to confirm the moisture-proof reliability of the product and the reliability against changes in the temperature environment.

以上に説明したように、本実施の形態に係るX線検出モジュール10の製造方法は以下の工程を含むことができる。
アレイ基板2に設けられた複数の光電変換部2bの上に、X線を蛍光に変換するシンチレータ5を形成する工程。
樹脂を主成分として含む保護部8aと、保護部8aの一方の面に設けられ、金属および無機材料の少なくともいずれかを含むバリア部8bと、を有するシート状の防湿部8を形成する工程。
防湿部8のバリア部8bが設けられた側をシンチレータ5側にして、シート状の防湿部8をシンチレータ5に被せる工程。
また、防湿部8を形成する工程において、物理的気相成長法または化学的気相成長法を用いて、シート状を呈する保護部8aの一方の面にバリア部8bを形成することができる。
なお、各工程の内容は、前述したものと同様とすることができるので詳細な説明は省略する。
As described above, the method for manufacturing X-ray detection module 10 according to the present embodiment can include the following steps.
A step of forming a scintillator 5 for converting X-rays into fluorescence on a plurality of photoelectric conversion units 2b provided on the array substrate 2.
A step of forming a sheet-shaped moisture-proof portion 8 having a protection portion 8a containing a resin as a main component and a barrier portion 8b provided on one surface of the protection portion 8a and containing at least one of a metal and an inorganic material.
A step of covering the scintillator 5 with the sheet-shaped moisture-proof section 8 with the side of the moisture-proof section 8 where the barrier section 8b is provided facing the scintillator 5 side.
Further, in the step of forming the moisture-proof part 8, the barrier part 8b can be formed on one surface of the sheet-like protective part 8a by using a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method.
Since the contents of each step can be the same as those described above, detailed description will be omitted.

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。   While some embodiments of the present invention have been described above, these embodiments have been presented by way of example only, and are not intended to limit the scope of the inventions. These new embodiments can be implemented in other various forms, and various omissions, replacements, changes, and the like can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and equivalents thereof. The above-described embodiments can be implemented in combination with each other.

1 X線検出器、2 アレイ基板、2a 基板、2b 光電変換部、2b1 光電変換素子、5 シンチレータ、6 反射層、7 接合部、8 防湿部、8a 保護部、8b バリア部、10 X線検出モジュール、11 回路基板   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 X-ray detector, 2 array substrate, 2a substrate, 2b photoelectric conversion part, 2b1 photoelectric conversion element, 5 scintillator, 6 reflection layer, 7 bonding part, 8 moisture-proof part, 8a protection part, 8b barrier part, 10 X-ray detection Module, 11 circuit board

Claims (9)

基板と、前記基板の一方の面側に設けられた複数の光電変換部と、を有するアレイ基板と、
前記複数の光電変換部の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータと、
シート状を呈し、前記シンチレータを覆う防湿部と、
を備え、
前記防湿部は、樹脂を主成分として含む保護部と、前記保護部の前記シンチレータ側の面に設けられ、金属および無機材料の少なくともいずれかを含むバリア部と、を有する放射線検出モジュール。
A substrate, and an array substrate having a plurality of photoelectric conversion units provided on one surface side of the substrate,
A scintillator provided on the plurality of photoelectric conversion units and converting radiation into fluorescence,
A moisture-proof part which has a sheet shape and covers the scintillator,
With
The radiation detection module, wherein the moisture proof unit includes a protection unit including a resin as a main component, and a barrier unit provided on a surface of the protection unit on the scintillator side and including at least one of a metal and an inorganic material.
前記防湿部の厚みは、50μm以上、100μm以下である請求項1記載の放射線検出モジュール。   The radiation detection module according to claim 1, wherein a thickness of the moisture-proof portion is 50 μm or more and 100 μm or less. 前記防湿部は、前記シンチレータの形状に倣うように設けられている請求項1または2に記載の放射線検出モジュール。   The radiation detection module according to claim 1, wherein the moistureproof part is provided so as to follow the shape of the scintillator. 前記防湿部と、前記シンチレータとの間に設けられた接合部をさらに備え、
前記接合部の剥離強度および剪断強度は、1N/mm以上である請求項1〜3のいずれか1つに記載の放射線検出モジュール。
The moisture-proof portion, further comprising a bonding portion provided between the scintillator,
Peel strength and shear strength of the joint, the radiation detection module according to any one of claims 1 to 3 is 1N / mm 2 or more.
前記接合部は、粘着性を有するシートである請求項4記載の放射線検出モジュール。   The radiation detection module according to claim 4, wherein the joint is a sheet having an adhesive property. 温度が40℃、湿度が90%の環境下において、前記防湿部の水蒸気透過度は、0.1g/(m・24h)以下である請求項1〜5のいずれか1つに記載の放射線検出モジュール。 Temperature 40 ° C., the humidity is under 90% of environment, the water vapor permeability of the moisture-proof unit, the radiation according to any one of claims 1 to 5 is 0.1g / (m 2 · 24h) or less Detection module. 請求項1〜6のいずれか1つに記載の放射線検出モジュールと、
前記放射線検出モジュールと電気的に接続された回路基板と、
を備えた放射線検出器。
A radiation detection module according to any one of claims 1 to 6,
A circuit board electrically connected to the radiation detection module,
Radiation detector equipped with.
アレイ基板に設けられた複数の光電変換部の上に、放射線を蛍光に変換するシンチレータを形成する工程と、
樹脂を主成分として含む保護部と、前記保護部の一方の面に設けられ、金属および無機材料の少なくともいずれかを含むバリア部と、を有するシート状の防湿部を形成する工程と、
前記防湿部のバリア部が設けられた側を前記シンチレータ側にして、前記シート状の防湿部を前記シンチレータに被せる工程と、
を備えた放射線検出モジュールの製造方法。
A step of forming a scintillator for converting radiation into fluorescence on a plurality of photoelectric conversion units provided on the array substrate,
A step of forming a sheet-shaped moisture-proof part having a protective part containing a resin as a main component and a barrier part provided on one surface of the protective part and containing at least one of a metal and an inorganic material,
A step in which the side on which the barrier section of the moisture-proof section is provided is the scintillator side, and a step of covering the sheet-like moisture-proof section on the scintillator,
The manufacturing method of the radiation detection module provided with.
前記防湿部を形成する工程において、
物理的気相成長法または化学的気相成長法を用いて、シート状を呈する前記保護部の一方の面に前記バリア部を形成する請求項8記載の放射線検出モジュールの製造方法。
In the step of forming the moisture-proof portion,
9. The method for manufacturing a radiation detection module according to claim 8, wherein the barrier section is formed on one surface of the sheet-like protective section by using a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method.
JP2018112559A 2018-06-13 2018-06-13 Radiation detection module, radiation detector, and manufacturing method of radiation detection module Pending JP2019215251A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018112559A JP2019215251A (en) 2018-06-13 2018-06-13 Radiation detection module, radiation detector, and manufacturing method of radiation detection module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018112559A JP2019215251A (en) 2018-06-13 2018-06-13 Radiation detection module, radiation detector, and manufacturing method of radiation detection module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019215251A true JP2019215251A (en) 2019-12-19

Family

ID=68918610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018112559A Pending JP2019215251A (en) 2018-06-13 2018-06-13 Radiation detection module, radiation detector, and manufacturing method of radiation detection module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2019215251A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101885016B1 (en) Radiation detector and method for manufacturing same
EP3244236B1 (en) Radiation detector and manufacturing method therefor
CN104241199A (en) Manufacturing method for radioactive ray detector and radioactive ray detector
JP2015021898A (en) Radiation detector and manufacturing method of the same
JP2010286447A (en) Radiation detector, and method for manufacturing the same
JP2017090090A (en) Radiation detector and manufacturing method of the same
US20200400843A1 (en) Radiation detection panel, radiation detector, and method for manufacturing radiation detection panel
JP2012156204A (en) Radiation detector and method of manufacturing the same
JP6948815B2 (en) Radiation detector
JP2017111082A (en) Radiation detector and manufacturing method of the same
JP2019215251A (en) Radiation detection module, radiation detector, and manufacturing method of radiation detection module
JP2014059246A (en) Radiation detector and method for manufacturing the same
JP2017078648A (en) Radiation detector
JP6818617B2 (en) Radiation detectors, radiation detector manufacturing equipment, and radiation detector manufacturing methods
JP2022081177A (en) Radiation detection panel
JP6673600B2 (en) Radiation detector and manufacturing method thereof
US12169261B2 (en) Radiation detection module, radiation detector, and method for manufacturing radiation detection module
JP2020056667A (en) Radiation detection module, radiation detector, and method for manufacturing radiation detection module
JP6968668B2 (en) Radiation detection module and radiation detector
JP2020109365A (en) Radiation detection module and radiation detector
JP2020085620A (en) Radiation detection module, radiation detector, and manufacturing method for radiation detection module
JP2020041948A (en) Radiation detection module, radiation detector, and method for manufacturing radiation detector
JP2020169879A (en) Radiation detection module and radiation detector
JP2021189101A (en) Radiation detection module and radiation detector
JP2017040622A (en) Radiation detector and manufacturing method of same