JP2019195166A - 通過帯域幅を維持しながらのフィルタ遷移帯域における周波数温度係数の改善 - Google Patents

Abstract

【課題】送信帯域及び受信帯域間のバンドギャップが狭くかつ通過帯域が広い遠隔通信システムにおいて、通過帯域幅を犠牲にすることなしにフィルタ遷移帯域でのＴＣＦの改善を図る。【解決手段】電子フィルタは、圧電基板１０５に配置された、入力ポートと出力ポートとの間に電気的の直列接続された複数の直列腕弾性波共振器Ｒ１、Ｒ３Ａ、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ９と、電気的に並列接続されて第１側が当該複数の直列腕弾性波共振器それぞれの間に電気的に接続され、かつ、第２側がグランドに電気的に接続された複数の並列腕弾性波共振器Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８と、当該複数の直列腕弾性波共振器の一つ又は当該複数の並列腕弾性波共振器の一つの一方に電気的に並列接続されて周波数温度係数（ＴＣＦ）が、電気的に並列接続された弾性波共振器のＴＣＦよりも低い少なくとも一つの付加弾性波共振器Ｒ３Ｂとを含む。【選択図】図１Ａ

Description

例えば携帯電話機のような情報通信デバイスの分野において、新たな通信規格での送信周波数帯域と受信周波数帯域との間のバンドギャップが狭くなる一方、利用可能な割り当て帯域幅のすべてを利用したいという要望が増えている。異なる規格で使用される周波数帯域間のバンドギャップもまた、さらに狭くなっている。例えば、ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）バンド７（別名ＩＭＴ−Ｅ）において、送信チャンネルが２、５００ＭＨｚ〜２、５７０ＭＨＺの周波数を占め、受信チャンネルが２、６２０ＭＨｚ〜２、６９０ＭＨｚの周波数を占める。ＬＴＥバンド７が利用する周波数帯域とＷｉＦｉ帯域（２、４００ＭＨｚ〜２、４８３ＭＨｚ）との間には、わずかに０．７％程度のバンドギャップしか存在しない。このような狭い間隔の周波数帯域で動作するデバイスからの信号同士の干渉を回避するべく、かかるデバイスにおいて利用されるＲＦフィルタによって、例えば異なる温度においてのような、異なる動作条件下でも有意に動くことのない程度に良好に画定された鋭い境界を有する周波数帯域を画定することが、益々重要になってきている。

ここに開示される一側面によれば、電子フィルタが与えられる。電子フィルタは、入力ポートと出力ポートとの間に電気的に直列接続された複数の直列腕弾性波共振器と、電気的に並列接続されて第１側が当該複数の直列腕弾性波共振器それぞれの間に電気的に接続されかつ第２側がグランドに電気的に接続された複数の並列腕弾性波共振器と、当該複数の直列アーム弾性波共振器の一つ又は当該複数の並列腕弾性波共振器の一つの一方に電気的に並列接続されて周波数温度係数（ＴＣＦ）が、前記電気的に並列接続された弾性波共振器のＴＣＦよりも低い少なくとも一つの付加弾性波共振器とを含む。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの付加弾性波共振器は、複数の直列腕弾性波共振器の一つに電気的に並列接続されてフィルタの通過帯域の高側エッジを上回る共振周波数を有する。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの付加弾性波共振器は、複数の並列腕弾性波共振器の一つに電気的に並列接続されてフィルタの通過帯域の低側エッジよりも低い共振周波数を有する。

いくつかの実施形態において、複数の直列腕弾性波共振器、複数の並列腕弾性波共振器、及び少なくとも一つの付加弾性波共振器は、バルク弾性波（ＢＡＷ）共振器である。

いくつかの実施形態において、複数の直列腕弾性波共振器、複数の並列腕弾性波共振器、及び少なくとも一つの付加弾性波共振器は、圧電基板上に配置されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を有する弾性表面波（ＳＡＷ）共振器である。複数の直列腕弾性波共振器、複数の並列腕弾性波共振器、及び少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）によって覆われ、少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極は、複数の直列腕弾性波共振器のＩＤＴ電極及び複数の並列腕弾性波共振器のＩＤＴ電極よりも厚いＳｉＯ_２層によって覆われる。少なくとも一つの付加弾性波共振器は、複数の直列腕弾性波共振器の第１のものに電気的に並列接続された第１付加弾性波共振器と、複数の直列腕弾性波共振器の第２のものに電気的に並列接続された第２付加弾性波共振器とを含んでよい。第１付加弾性波共振器及び第２付加弾性波共振器はそれぞれが、複数の直列腕弾性波共振器の第１のもの及び複数の直列腕弾性波共振器の第２のものよりも低いＴＣＦを有してよい。第１付加弾性波共振器及び第２付加弾性波共振器は一方のみが、複数の直列腕弾性波共振器の第１のもの及び複数の直列腕弾性波共振器の第２のものよりも低いＴＣＦを有してよい。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの付加弾性波共振器が、複数の並列腕弾性波共振器の第１のものに電気的に並列接続された第１付加弾性波共振器と、複数の並列腕弾性波共振器の第２のものに電気的に並列接続された第２付加弾性波共振器とを含む。第１付加弾性波共振器及び第２付加弾性波共振器はそれぞれが、複数の並列腕弾性波共振器の第１のもの及び複数の並列腕弾性波共振器の第２のものよりも低いＴＣＦを有してよい。第１付加弾性波共振器及び第２付加弾性波共振器は一方のみが、複数の並列腕弾性波共振器の第１のもの及び複数の並列腕弾性波共振器の第２のものよりも低いＴＣＦを有してよい。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの付加弾性波共振器は、複数の直列腕弾性波共振器の一つに電気的に並列接続され、複数の直列腕弾性波共振器の少なくとも一つの複数のＩＤＴ電極が、複数の並列腕弾性波共振器の複数のＩＤＴ電極よりも薄いＳｉＯ_２層によって覆われる。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの付加弾性波共振器は、複数の並列腕弾性波共振器の一つに電気的に並列接続され、複数の並列腕弾性波共振器の少なくとも一つの複数のＩＤＴ電極が、複数の直列腕弾性波共振器の複数のＩＤＴ電極よりも薄いＳｉＯ_２層によって覆われる。

いくつかの実施形態において、フィルタはさらに、複数の直列腕弾性波共振器のＩＤＴ電極、複数の並列腕弾性波共振器のＩＤＴ電極、及び少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極のそれぞれの上のＳｉＯ_２を覆う一層の窒化シリコンを含む。

いくつかの実施形態において、複数の直列腕弾性波共振器のＩＤＴ電極と複数の並列腕弾性波共振器のＩＤＴ電極とは、少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極よりも大きなピッチを有する。

いくつかの実施形態において、フィルタは無線周波数フィルタである。フィルタは、第５世代無線周波数回路に含まれてよい。フィルタは、電子デバイスモジュールに含まれてよい。フィルタは、送受信モジュールに含まれてよい。電子デバイスモジュールは、無線周波数デバイスモジュールとしてよい。フィルタは、電子デバイスに含まれてよい。

他側面によれば、電子フィルタを形成する方法が与えられる。方法は、入力ポートと出力ポートとの間に電気的の直列接続された複数の直列腕弾性波共振器を形成することと、電気的に並列接続されて第１側が当該複数の直列腕弾性波共振器それぞれの間に電気的に接続されかつ第２側がグランドに電気的に接続された複数の並列腕弾性波共振器を形成することと、当該複数の直列腕弾性波共振器の一つ又は当該複数の並列腕弾性波共振器の一つの一方に電気的に並列接続されて周波数温度係数（ＴＣＦ）が、電気的に並列接続された弾性波共振器のＴＣＦよりも低い少なくとも一つの付加弾性波共振器を形成することとを含む。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの付加弾性波共振器を形成することは、当該少なくとも一つの付加弾性波共振器を、複数の直列腕弾性波共振器の一つに電気的に並列接続することと、当該少なくとも一つの付加弾性波共振器を、フィルタの通過帯域の低側エッジよりも低い共振周波数を有するように形成することとを含む。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの付加弾性波共振器を形成することは、当該少なくとも一つの付加弾性波共振器を、複数の並列腕弾性波共振器の一つに電気的に並列接続することと、当該少なくとも一つの付加弾性波共振器を、フィルタの通過帯域の高側エッジを上回る共振周波数を有するように形成することとを含む。

いくつかの実施形態において、複数の直列腕弾性波共振器、複数の並列腕弾性波共振器、及び少なくとも一つの付加弾性波共振器は、圧電基板上に配置されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を有する弾性表面波（ＳＡＷ）共振器であり、方法はさらに、複数の直列腕弾性波共振器、複数の並列腕弾性波共振器、及び少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極上に二酸化ケイ素膜を堆積させることを含む。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極上に二酸化ケイ素膜を堆積させることは、少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極上に、複数の直列腕弾性波共振器、及び複数の並列腕弾性波共振器上の二酸化ケイ素膜よりも厚い二酸化ケイ素膜を形成することを含む。

いくつかの実施形態において、方法はさらに、複数の直列腕弾性波共振器上に、複数の並列腕弾性波共振器上に形成される二酸化ケイ素の膜よりも薄い二酸化ケイ素の膜を形成することを含む。

縮尺どおりに描かれることを意図しない添付図面を参照して、少なくとも一つの実施形態の様々な側面が以下に説明される。図面は、様々な側面及び実施形態を例示してそのさらなる理解を与えるべく含まれ、本明細書に組み入れられかつその一部をなすが、本発明の制限を画定するものとして意図されるわけではない。図面において、様々な図面に例示される同一又はほぼ同一のコンポーネントは、同じ番号によって代表される。明確性を目的として、すべての図面においてすべてのコンポーネントが標識されるわけではないこともあり得る。

電子フィルタの模式的な図である。 図１Ａの電子フィルタの一部分の断面図である。 図１Ａの電子フィルタの代替実施形態の一部分の断面図である。 図１Ａのフィルタの通過帯域の低側エッジにおける周波数温度係数の効果を、代替設計と比較して例示する。 他の電子フィルタの模式的な図である。 図１Ａの電子フィルタの一部分の断面図である。 図２Ａのフィルタの通過帯域の高側エッジにおける周波数温度係数の効果を、代替設計と比較して例示する。 他の電子フィルタの模式的な図である。 他の電子フィルタの模式的な図である。 他の電子フィルタの模式的な図である。 図５Ａの電子フィルタの一部分の断面図である。 他の電子フィルタの模式的な図である。 図６Ａの電子フィルタの一部分の断面図である。 他の電子フィルタの模式的な図である。 図７Ａのフィルタの通過帯域の幅を、代替設計と比較して例示する。 他の電子フィルタの模式的な図である。 他の電子フィルタの模式的な図である。 他の電子フィルタの模式的な図である。 図１０Ａの電子フィルタの一部分の断面図である。 他の電子フィルタの模式的な図である。 図１１Ａの電子フィルタの一部分の断面図である。 ここに開示のフィルタが実装され得るフロントエンドモジュールのブロック図である。 ここに開示のフィルタが実装され得る無線デバイスのブロック図である。

ここに開示の側面及び実施形態は、動作温度に関して安定した鋭いエッジを有する周波数通過帯域を示すとともに低い周波数温度係数（ＴＣＦ）を示す無線通信デバイス用のフィルタ構造体と、これを製造する方法とを含む。かかるフィルタにより、狭い送信周波数帯域及び受信周波数帯域間のバンドギャップが狭い通信規格のもとでも、又は他の規格周波数帯域を利用するデバイスの動作帯域との間隔が密な通信規格のもとでも、無線デバイスの動作が容易となる。ここに開示の側面及び実施形態は、送信帯域及び受信帯域間のバンドギャップが狭くかつ通過帯域が広い遠隔通信システムを実現するべく、通過帯域幅を犠牲にすることなしにフィルタ遷移帯域でのＴＣＦの改善を示す。ここに開示の側面及び実施形態は、フィルタ通過帯域の高側エッジ及び低側エッジ双方においてＴＣＦの改善を与える。特定の実施形態が、フィルタ通過帯域エッジのＴＣＦをチューニングするべく誘電体コーティング厚さが選択される弾性波素子を含むラダーフィルタ構造体を含む。

ここに開示の側面及び実施形態は、例えばＬｉＮｂＯ_３又はＬｉＴａＯ_３のような圧電基板上に構築されて直列共振器及び並列共振器を含むラダー構造体を示すＲＦフィルタを含む。共振器は、弾性表面波（ＳＡＷ）共振器を含み得る。これは、例えばＳｉＯ_２のような誘電膜、又は、例えばＳｉＯ_２及びＳｉ_３Ｎ_４のような誘電膜の組み合わせにより覆われた噛み合わされたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含む。すべての共振器上に共通誘電体厚さを有する同様のフィルタと比較して、フィルタにおける異なる共振器上の単数又は複数の誘電膜の厚さは、フィルタ通過帯域のエッジの向上したＴＣＦを与えるべく異ならせることができる。ここに開示の側面及び実施形態は、主にＳＡＷ共振器を参照して記載されるが、ここに開示の概念は、バルク弾性波（ＢＡＷ）共振器を含むＲＦフィルタに対しても同等に適用することができる。

第１実施形態が図１Ａ〜１Ｄに例示される。図１Ａのフィルタは、入力ポート（ＩＮ）と出力ポート（ＯＵＴ）との間において圧電基板１０５上に配置された複数の弾性波共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ３Ｂ、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９を含む。圧電基板は、例えばＬｉＮｂＯ_３又はＬｉＴａＯ_３を含んでよい。共振器Ｒ１、Ｒ３Ａ、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９は、入力ポートと出力ポートとの間に直列に接続される。共振器Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８は、共振器Ｒ１、Ｒ３Ａ、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９とグランドとの間に並列に接続される。付加直列共振器Ｒ３Ｂが、共振器Ｒ３Ａに並列に設けられる。共振器Ｒ３Ｂは、フィルタの通過帯域の低側エッジよりも低い共振周波数を有する。共振器Ｒ３Ｂは、フィルタにおける他の共振器よりも低いＴＣＦを有する。

弾性波共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ３Ｂ、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９それぞれが、ＳｉＯ_２膜により覆われたＩＤＴ電極を含むＳＡＷ共振器である。共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９それぞれのＩＤＴ電極は、第１厚さを有するＳｉＯ_２膜により覆われる。第１厚さは、例えば、約２０％〜約４０％のＩＤＴ電極ピッチｈ_ＳｉＯ２／λに正規化された厚さである。図１Ｂに例示のように、共振器Ｒ３ＢのＩＤＴ電極１１５を覆うＳｉＯ_２膜１１０の正規化された厚さは、他の共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のＩＤＴ電極１１５を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さとは異なる。共振器Ｒ３ＢのＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さは、他の共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さよりも、例えば、約１％〜約２５％大きくなり得る。共振器Ｒ３ＢのＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さが、他の共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さよりも約１％〜約２５％大きいと記載することにより、他の共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さｈ_ＳｉＯ２／λが、例えば２０％の場合、共振器Ｒ３ＢのＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さｈ_ＳｉＯ２／λは、約２１％〜約４５％となり得る。一般に、ＳｉＯ_２膜厚さが厚いほど、ＳＡＷ共振器における弾性波の音速は低くなる。厚いＳｉＯ_２膜を補償するべく、共振器Ｒ３ＢのＩＤＴ電極のピッチを、共振器Ｒ３Ｂの共振周波数がフィルタの通過帯域の低側エッジよりも低くなるように低減することができる。

図１Ａのフィルタ、及びここに開示の他のフィルタの作製方法において、フィルタの各共振器のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜１１０は、最初に、各共振器を覆うように一定厚さで堆積され、次に、異なる共振器を覆う所望の異なるＳｉＯ_２膜厚を与えるべく選択的にエッチングされる。

いくつかの実施形態において、図１Ｃに例示のようにＳｉＯ_２膜１１０は、周波数トリミング及び環境保護を与えるべく、他の誘電体１２０の膜によって覆われる。誘電膜１２０は、例えば窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）としてよい。誘電膜１２０は、約０．２％〜約３％の正規化された厚さｈ_{Ｓｉ３Ｎ４}／λを有してよい。いくつかの実施形態において、誘電膜１２０は、図１Ｃに例示のように平坦化される。他実施形態において、誘電膜１２０の上側表面は、ＳｉＯ_２膜１１０のステップ形状の輪郭に一致してよい。他実施形態において、誘電膜１２０は、ＳｉＯ_２膜とＳｉ_３Ｎ_４膜との間に又はＳｉ_３Ｎ_４膜の上方に配置された例えば酸窒化ケイ素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）又はＳｉＯ_ｘＮ_ｙ膜及びＳｉ_３Ｎ_４膜とＳｉＯ_ｘＮ_ｙ膜との組み合わせのような代替材料を含み得る。理解されることだが、例えばＳｉ_３Ｎ_４膜のような第２誘電膜１２０は、ここに開示の実施形態のいずれかのＳｉＯ_２膜を覆うように配置することができる。簡潔性を目的として、この第２誘電膜１２０は、他の開示実施形態において例示しない。

図１Ａのフィルタにおいて共振器Ｒ３ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることにより、フィルタの通過帯域の低側エッジのＴＣＦが改善される。図１Ｄに例示のように、図１のフィルタにおいて共振器Ｒ３ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることにより、フィルタの通過帯域の低側エッジの、温度に伴う周波数シフトが低減される。フィルタの通過帯域の低側スカートの勾配もまた、フィルタにおいて共振器Ｒ３ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることに起因して、改善する（増加させる）ことができる。第２実施形態が図２Ａ〜２Ｃに例示される。図２Ａのフィルタは、入力ポート（ＩＮ）と出力ポート（ＯＵＴ）との間において圧電基板１０５上に配置された複数の弾性波共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４Ａ、Ｒ４Ｂ、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９を含む。圧電基板は、例えばＬｉＮｂＯ_３又はＬｉＴａＯ_３を含んでよい。共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９は、入力ポートと出力ポートとの間に直列に接続される。共振器Ｒ２、Ｒ４Ａ、Ｒ６及びＲ８は、共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９とグランドとの間に並列に接続される。付加並列共振器Ｒ４Ｂが、共振器Ｒ４Ａに並列に設けられる。共振器Ｒ４Ｂは、フィルタの通過帯域の高側エッジを上回る共振周波数を有する。共振器Ｒ４Ｂは、フィルタにおける他の共振器よりも低いＴＣＦを有する。

弾性波共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４Ａ、Ｒ４Ｂ、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９それぞれが、ＳｉＯ_２膜により覆われたＩＤＴ電極を含むＳＡＷ共振器である。共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４Ａ、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９それぞれのＩＤＴ電極は、第１厚さを有するＳｉＯ_２膜により覆われる。第１厚さは、例えば、約２０％〜約４０％のＩＤＴ電極ピッチｈ_ＳｉＯ２／λに正規化された厚さである。図２Ｂに例示のように、共振器Ｒ４ＢのＩＤＴ電極１１５を覆うＳｉＯ_２膜１１０の正規化された厚さは、他の共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４Ａ、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のＩＤＴ電極１１５を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さとは異なる。共振器Ｒ４ＢのＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さは、他の共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さよりも、例えば、約１％〜約２５％大きくなり得る。一般に、ＳｉＯ_２膜厚さが厚いほど、ＳＡＷ共振器における弾性波の音速は低くなる。厚いＳｉＯ_２膜を補償するべく、共振器Ｒ４ＢのＩＤＴ電極のピッチを、共振器Ｒ４Ｂの共振周波数がフィルタ通過帯域の高側エッジと直列共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９の反共振周波数との間に位置特定されるように低減することができる。

図２Ａのフィルタにおいて共振器Ｒ４ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることにより、フィルタの通過帯域の高側エッジのＴＣＦが改善される。図２Ｃに例示のように、図２Ａのフィルタにおいて共振器Ｒ４ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることにより、フィルタの通過帯域の高側エッジの、温度に伴う周波数シフトが低減される。フィルタの通過帯域の高側スカートの勾配もまた、フィルタにおいて共振器Ｒ４ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることに起因して、改善する（増加させる）ことができる。

第３実施形態が図３に例示される。図３のフィルタは、入力ポート（ＩＮ）と出力ポート（ＯＵＴ）との間において圧電基板１０５上に配置された複数の弾性波共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ３Ｂ、Ｒ４、Ｒ５Ａ、Ｒ５Ｂ、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９を含む。圧電基板は、例えばＬｉＮｂＯ_３又はＬｉＴａＯ_３を含んでよい。共振器Ｒ１、Ｒ３Ａ、Ｒ５Ａ、Ｒ７及びＲ９は、入力ポートと出力ポートとの間に直列に接続される。共振器Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８は、共振器Ｒ１、Ｒ３Ａ、Ｒ５Ａ、Ｒ７及びＲ９とグランドとの間に並列に接続される。２つの付加直列共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５Ｂが、共振器Ｒ３Ａ及びＲ５Ａそれぞれに並列に設けられる。共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５Ｂは、フィルタの通過帯域の低側エッジよりも低い共振周波数を有する。共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５Ｂは、フィルタにおける他の共振器よりも低いＴＣＦを有する。

弾性波共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ３Ｂ、Ｒ４、Ｒ５Ａ、Ｒ５Ｂ、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９それぞれが、ＳｉＯ_２膜により覆われたＩＤＴ電極を含むＳＡＷ共振器である。共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ４、Ｒ５Ａ、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９それぞれのＩＤＴ電極は、第１厚さを有するＳｉＯ_２膜により覆われる。第１厚さは、例えば、約２０％〜約４０％のＩＤＴ電極ピッチｈ_ＳｉＯ２／λに正規化された厚さである。共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５ＢのＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さは、他の共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ４、Ｒ５Ａ、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さとは異なる。共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５ＢのＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さは、他の共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ４、Ｒ５Ａ、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さよりも、例えば、約１％〜約２５％大きくなり得る。一般に、ＳｉＯ_２膜厚さが厚いほど、ＳＡＷ共振器における弾性波の音速は低くなる。厚いＳｉＯ_２膜を補償するべく、共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５ＢのＩＤＴ電極のピッチを、共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５Ｂの共振周波数がフィルタの通過帯域の低側エッジよりも低くなるように低減することができる。

図３のフィルタにおいて共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることにより、フィルタの通過帯域の低側エッジのＴＣＦが改善される。図３のフィルタにおいて共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることにより、フィルタの通過帯域の低側エッジの、温度に伴う周波数シフトが低減される。

第４実施形態が図４に例示される。この実施形態は、図３のものと同様であるが、共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ４、Ｒ５Ａ、Ｒ５Ｂ、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９それぞれのＳｉＯ_２膜厚さが同じである点が異なる。共振器Ｒ３ＢのＳｉＯ_２膜厚は、他の共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３Ａ、Ｒ４、Ｒ５Ａ、Ｒ５Ｂ、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さよりも、例えば、約１％〜約２５％大きくなり得る。共振器Ｒ３Ｂは、フィルタの通過帯域の低側エッジよりも低い共振周波数を有する。共振器Ｒ３Ｂは、フィルタにおける他の共振器よりも低いＴＣＦを有する。共振器Ｒ５ＢのＩＤＴ電極ピッチは、並列共振器Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８のものと同様としてよい。共振器Ｒ３ＢのＩＤＴ電極ピッチは、共振器Ｒ３Ｂがフィルタの通過帯域の低側エッジよりも低い共振周波数を有するように、並列共振器Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８のものと比べて低減することができる。

図４のフィルタにおいて共振器Ｒ３ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることにより、フィルタの通過帯域の低側エッジのＴＣＦが改善される。図４のフィルタにおいて共振器Ｒ３ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることにより、フィルタの通過帯域の低側エッジの、温度に伴う周波数シフトが低減される。さらに、図４の実施形態において、並列腕共振器と、直列腕共振器に並列に付加された大きなＳｉＯ_２厚さを有する共振器Ｒ３ＢとのＴＣＦの差異に起因して生じる高温でのフライバックを低減することができる。「フライバック」とは、この用語がここに使用されているとおり、帯域外阻止レベルの隆起若しくはスパイク又は上昇を言及する。このレベルは典型的に、周波数の通過帯域から離れるように上昇（悪化）する。

第５実施形態が図５Ａ及び図５Ｂに例示される。この実施形態は、図３に例示される実施形態と同様であるが、図５Ｂに例示されるように、直列腕共振器Ｒ３Ａ及びＲ５Ａそれぞれに対して並列に付加された共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５ＢのＩＤＴ電極１１５Ａの線幅が、互いに実質同一となり得る他の共振器のＩＤＴ電極１１５の線幅と比べて低減されている。共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５ＢのＩＤＴ電極１１５Ａの線幅は、フィルタを形成するすべての共振器の中で最小である。共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５ＢのＩＤＴ電極１１５Ａの低減された線幅により共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５ＢのＴＣＦが低減され得るので、これらの共振器のＳｉＯ_２膜厚が増加する程度を、他の共振器と比べて減らして、図３に例示される実施形態と同等の性能を達成することができる。共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５ＢのＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の厚さは、共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５ＢのＩＤＴ電極を、フィルタにおける他の共振器のＩＤＴ電極と比べてどの程度薄くするかに応じて、フィルタにおける他の共振器のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の厚さよりも約０％（差異なし）〜約２５％大きくすることができる。図５Ａ及び図５Ｂの実施形態において直列腕共振器Ｒ３Ａ及びＲ５Ａに並列に付加された共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５Ｂに対してＩＤＴ電極線幅を低減することは、図１Ａ〜１Ｄ、図３及び図４に例示される実施形態に対しても適用可能である。他実施形態において、共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５Ｂの一方のみの、例えば共振器Ｒ３Ｂのみの、ＩＤＴ電極の線幅が、互いに実質同一となり得る他の共振器のＩＤＴ電極１１５の線幅と比べて低減される。

第６実施形態が図６Ａ及び図６Ｂに例示される。この実施形態は、図１Ａ〜１Ｄ、図３、図４、又は図５Ａ及び図５Ｂに例示される実施形態の特徴のいずれかを含み得る。付加的に、直列共振器Ｒ１、Ｒ３Ａ、Ｒ５Ａ、Ｒ７及びＲ９のＳｉＯ_２膜１１０Ａの厚さが、残りの共振器のＳｉＯ_２膜の厚さと比べて低減される。直列腕共振器Ｒ３Ａ及びＲ５Ａに並列に付加された共振器Ｒ３Ｂ及びＲ５Ｂは、最も厚いＳｉＯ_２膜１１０Ｃを有し、並列共振器Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８は、中程度のＳｉＯ_２膜１１０Ｂ厚さを有し、直列共振器Ｒ１、Ｒ３Ａ、Ｒ５Ａ、Ｒ７及びＲ９は、並列共振器Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８のものと比べて例えば約５％〜約５０％だけ低減されたＳｉＯ_２膜１１０Ａ厚さを有してよい。図６Ａ及び図６Ｂに例示される実施形態は、フィルタの通過帯域の低側エッジの温度に伴う周波数シフトを低減する点で、図１Ａ〜１Ｄ、図３、図４、又は図５Ａ及び図５Ｂに例示される実施形態と同様の利益を与えるとともに、付加的に広い通過帯域を与えることができる。例えば、図７Ａに例示されるフィルタにおいて、直列腕共振器ＲＢ１、ＲＢ３、ＲＢ５のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の厚さは、並列共振器ＲＢ２、ＲＢ４、ＲＢ６、ＲＢ８、及び付加直列腕共振器ＲＢ７のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の厚さと比べて低減されていた。図７Ａのフィルタの通過帯域は、図７Ｂに例示されるように増加した。図７Ｂは、図７Ａのものと同様であるがすべての共振器が同様のＳｉＯ_２膜の厚さを有するフィルタの通過帯域の曲線と、図７Ａの修正されたフィルタの通過帯域の曲線とを含む。なお、図６Ａにより示される様々な実施形態においては共振器Ｒ３Ｂの線幅を、いくつかの例においてはＲ３Ｂ及びＲ５Ｂ双方の線幅を、図５Ｂを参照して記載されるように低減することができる。

第８実施形態が図８に例示される。図８のフィルタは、入力ポート（ＩＮ）と出力ポート（ＯＵＴ）との間において圧電基板１０５上に配置された複数の弾性波共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４Ａ、Ｒ４Ｂ、Ｒ５、Ｒ６Ａ、Ｒ６Ｂ、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９を含む。圧電基板は、例えばＬｉＮｂＯ_３又はＬｉＴａＯ_３を含んでよい。共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９は、入力ポートと出力ポートとの間に直列に接続される。共振器Ｒ２、Ｒ４Ａ、Ｒ６Ａ及びＲ８は、共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９とグランドとの間に並列に接続される。付加並列共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６Ｂが、共振器Ｒ４Ａ及びＲ６Ａそれぞれに並列に設けられる。共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６Ｂは、フィルタ通過帯域の高側エッジを上回りかつ直列共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９の反共振周波数を下回る共振周波数を有する。共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６Ｂは、フィルタにおける他の共振器よりも低いＴＣＦを有する。

弾性波共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４Ａ、Ｒ４Ｂ、Ｒ５、Ｒ６Ａ、Ｒ６Ｂ、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９それぞれが、ＳｉＯ_２膜により覆われたＩＤＴ電極を含むＳＡＷ共振器である。共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４Ａ、Ｒ５、Ｒ６Ａ、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９それぞれのＩＤＴ電極は、第１厚さを有するＳｉＯ_２膜により覆われる。第１厚さは、例えば、約２０％〜約４０％のＩＤＴ電極ピッチｈ_ＳｉＯ２／λに正規化された厚さである。共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６ＢのＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さは、他の共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４Ａ、Ｒ５、Ｒ６Ａ、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さとは異なる。共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６ＢのＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さは、他の共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４Ａ、Ｒ５、Ｒ６Ａ、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さよりも、例えば、約１％〜約２５％大きくなり得る。一般に、ＳｉＯ_２膜厚さが厚いほど、ＳＡＷ共振器における弾性波の音速は低くなる。厚いＳｉＯ_２膜を補償するべく、共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６ＢのＩＤＴ電極のピッチを、共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６Ｂの共振周波数がフィルタの通過帯域の高側エッジを上回るように低減することができる。

図８のフィルタにおいて共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることにより、フィルタの通過帯域の高側エッジのＴＣＦが改善される。図８のフィルタにおいて共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることにより、フィルタの通過帯域の高側エッジの、温度に伴う周波数シフトが低減される。

第９実施形態が図９に例示される。この実施形態は、図８のものと同様であるが、共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４Ａ、Ｒ５、Ｒ６Ａ、Ｒ６Ｂ、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９それぞれのＳｉＯ_２膜厚さが同じである点が異なる。共振器Ｒ４ＢのＳｉＯ_２膜厚は、他の共振器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４Ａ、Ｒ５、Ｒ６Ａ、Ｒ６Ｂ、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の正規化された厚さよりも、例えば、約１％〜約２５％大きくなり得る。共振器Ｒ４Ｂは、直列腕共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９の共振周波数と同様の共振周波数を有する。共振器Ｒ４Ｂは、フィルタにおける他の共振器よりも低いＴＣＦを有する。共振器Ｒ６ＢのＩＤＴ電極ピッチは、直列腕共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９のものと同様としてよい。共振器Ｒ４ＢのＩＤＴ電極ピッチは、直列腕共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９のものと比べて減少し得る。その結果、共振器Ｒ４Ｂは、フィルタ通過帯域の高側エッジを上回りかつ直列腕共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９の反共振周波数を下回る共振周波数を有する。

図９のフィルタにおいて共振器Ｒ４ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることにより、フィルタの通過帯域の高側エッジのＴＣＦが改善される。図９のフィルタにおいて共振器Ｒ３ＢのＩＤＴ電極上に、残りの共振器上のものよりも厚いＳｉＯ_２膜を設けることにより、フィルタの通過帯域の高側エッジの、温度に伴う周波数シフトが低減される。さらに、図９の実施形態において、直列腕共振器と、並列腕共振器Ｒ４Ａに並列に付加された大きなＳｉＯ_２厚さを有する共振器Ｒ４ＢとのＴＣＦの差異に起因して生じる低温でのフライバックを低減することができる。

第１０実施形態が図１０Ａ及び図１０Ｂに例示される。この実施形態は、図８に例示される実施形態と同様であるが、図１０Ｂに例示されるように、並列腕共振器Ｒ４Ａ及びＲ６Ａそれぞれに対して並列に付加された共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６ＢのＩＤＴ電極１１５Ｂの線幅が、互いに実質同一となり得る他の共振器のＩＤＴ電極１１５の線幅と比べて低減されている。共振器Ｒ４Ｂ及びＲ４ＢのＩＤＴ電極１１５Ｂの線幅は、フィルタを形成するすべての共振器の中で最小である。共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６ＢのＩＤＴ電極１１５Ｂの低減された線幅により共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６ＢのＴＣＦが低減され得るので、これらの共振器のＳｉＯ_２膜厚が増加する程度を、他の共振器と比べて減らして、図８に例示される実施形態と同等の性能を達成することができる。共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６ＢのＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の厚さは、共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６ＢのＩＤＴ電極を、フィルタにおける他の共振器のＩＤＴ電極と比べてどの程度薄くするかに応じて、フィルタにおける他の共振器のＩＤＴ電極を覆うＳｉＯ_２膜の厚さよりも約０％（差異なし）〜約２５％大きくすることができる。図１０Ａ及び図１０Ｂの実施形態において並列腕共振器Ｒ４Ａ及びＲ６Ａに並列に付加された共振器Ｒ４Ｂ及びＲ６Ｂに対してＩＤＴ電極線幅を低減することは、図２Ａ〜２Ｃ、図８及び図９に例示される実施形態に対しても適用可能である。

第１１実施形態が図１１Ａ及び図１１Ｂに例示される。この実施形態は、図２Ａ〜２Ｃ、図８、図９、又は図１０Ａ及び図１０Ｂに例示される実施形態の特徴のいずれかを含み得る。付加的に、並列共振器Ｒ２、Ｒ４Ａ、Ｒ６Ａ及びＲ８のＳｉＯ_２膜１１０Ｄの厚さは、直列腕共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９並びに並列腕共振器Ｒ６ＢのＳｉＯ_２膜の厚さと比べて低減される。並列腕共振器Ｒ４Ａに並列に付加された共振器Ｒ４Ｂが最も厚いＳｉＯ_２膜１１０Ｆを有し、直列腕共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９と並列腕共振器Ｒ６Ｂとが中程度のＳｉＯ_２膜１１０Ｅの厚さを有し、並列共振器Ｒ２、Ｒ４Ａ、Ｒ６Ａ及びＲ８が、直列腕共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９並びに並列腕共振器Ｒ６Ｂと比べて、例えば約５％〜約５０％だけ低減されたＳｉＯ_２膜１１０Ｄ厚さを有し得る。図１１Ａ及び図１１Ｂに例示される実施形態は、フィルタの通過帯域の高側エッジの温度に伴う周波数シフトを低減する点で、図２Ａ〜２Ｃ、図８、図９、又は図１０Ａ及び図１０Ｂに例示される実施形態と同様の利益を与えるとともに、付加的に広い通過帯域を与えることができる。

上で参照された実施形態のいずれかに例示されたフィルタは、広範囲の電子デバイスにおいて使用することができる。図１２を参照すると、例えば無線通信デバイス（例えば携帯電話機）のような電子デバイスにおいて使用できるフロントエンドモジュール２００の一例のブロック図が例示される。フロントエンドモジュール２００は、共通ノード２１２、入力ノード２１４及び出力ノード２１６を有するアンテナデュプレクサ２１０を含む。
アンテナ３１０は共通ノード２１２に接続される。フロントエンドモジュール２００はさらに、デュプレクサ２１０の入力ノード２１４に接続された送信器回路２３２と、デュプレクサ２１０の出力ノード２１６に接続された受信器回路２３４とを含む。送信器回路２３２は、アンテナ３１０を介した送信のための信号を生成し、受信器回路２３４は、アンテナ３１０を介して信号を受信し、受信した信号を処理することができる。いくつかの実施形態において、受信器回路及び送信器回路は、図１２に示されるように別個のコンポーネントとして実装されるが、他実施形態においてはこれらのコンポーネントは、共通送受信器回路又はモジュールに一体化され得る。当業者にわかることだが、フロントエンドモジュール２００は、図１２に例示されない他のコンポーネント（スイッチ、電磁結合器、増幅器、プロセッサ等を含むがこれらに限られない）を含んでよい。

アンテナデュプレクサ２１０は、入力ノード２１４と共通ノード２１２との間に接続された一つ以上の送信フィルタ２２２と、共通ノード２１２と出力ノード２１６との間に接続された一つ以上の受信フィルタ２２４とを含み得る。送信フィルタの通過帯域は、受信フィルタの通過帯域と異なる。送信フィルタ２２２及び受信フィルタ２２４はそれぞれが、ここに開示の一実施形態のフィルタを含み得る。インダクタ又は他の整合コンポーネント２４０を、共通ノード２１２に接続してよい。

所定の例において、送信フィルタ２２２又は受信フィルタ２２４において使用される弾性波素子は、単数の圧電基板上に配置される。この構造により、各フィルタの周波数応答時の温度変化の効果が低減され、特に、温度変化に起因する通過特性又は減衰特性の劣化が低減される。これは、各弾性波素子が、環境温度の変化に応答して同様に変化するからである。加えて、この配列により、送信フィルタ２２２又は受信フィルタ２２４が小さなサイズとなることが許容される。

図１３は、図１２に示されるアンテナデュプレクサ２１０を含む無線デバイス３００の一例のブロック図である。無線デバイス３００は、セルラー電話機、スマートフォン、タブレット、モデム、通信ネットワーク、又は音声若しくはデータ通信用に構成された任意の他の携帯若しくは非携帯デバイス構成としてよい。無線デバイス３００は、アンテナ３１０から信号を受信及び送信することができる。無線デバイスは、図１２を参照して上述されたものと同様のフロントエンドモジュール２００’の一実施形態を含む。フロントエンドモジュール２００’は、上述したデュプレクサ２１０を含む。図１３に示される例において、フロントエンドモジュール２００’はさらに、アンテナスイッチ２５０を含む。これは、例えば送信モード及び受信モードのような、異なる周波数帯域又はモード間の切り替えをするべく構成することができる。図１３に例示される例において、アンテナスイッチ２５０は、デュプレクサ２１０とアンテナ３１０との間に位置決めされるが、他例においてデュプレクサ２１０は、アンテナスイッチ２５０とアンテナ３１０との間に位置決めしてもよい。他例において、アンテナスイッチ２５０とデュプレクサ２１０とは一体化して単数のコンポーネントにすることができる。

フロントエンドモジュール２００’は、送信のために信号を生成して受信した信号を処理するべく構成された送受信器２３０を含む。送受信器２３０は、図１２の例に示されるように、デュプレクサ２１０の入力ノード２１４に接続され得る送信器回路２３２と、デュプレクサ２１０の出力ノード２１６に接続され得る受信器回路２３４とを含み得る。

送信器回路２３２による送信のために生成された信号は、送受信器２３０からの生成信号を増幅する電力増幅器（ＰＡ）モジュール２６０によって受信される。電力増幅器モジュール２６０は、一つ以上の電力増幅器を含み得る。電力増幅器モジュール２６０は、多様なＲＦ又は他の周波数帯域の送信信号を増幅するべく使用することができる。例えば、電力増幅器モジュール２６０は、無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）信号又は任意の他の適切なパルス信号の送信に役立つように電力増幅器の出力をパルスにするべく使用されるイネーブル信号を受信することができる。電力増幅器モジュール２６０は、例えばＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ）（登録商標）信号、ＣＤＭＡ（ｃｏｄｅ ｄｉｖｉｓｉｏｎ ｍｕｌｔｉｐｌｅ ａｃｃｅｓｓ）信号、Ｗ−ＣＤＭＡ信号、ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）信号、又はＥＤＧＥ信号を含む様々なタイプの信号のいずれかを増幅するべく構成することができる。所定の実施形態において、電力増幅器モジュール２６０及びスイッチ等を含む関連コンポーネントは、例えば高電子移動度トランジスタ（ｐＨＥＭＴ）又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＢｉＦＥＴ）を使用するヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上に作製し、又は相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）電界効果トランジスタを使用するシリコン基板上に作製することができる。

依然として図１３を参照すると、フロントエンドモジュール２００’はさらに、低雑音増幅器モジュール２７０を含み得る。これは、アンテナ３１０からの受信信号を増幅してその増幅信号を、送受信器２３０の受信器回路２３４に与える。

図１３の無線デバイス３００はさらに、送受信器２３０に接続されて無線デバイス３００の動作のために電力を管理する電力管理サブシステム３２０を含む。電力管理システム３２０はまた、無線デバイス３００のベース帯域サブシステム３３０及び様々な他のコンポーネントの動作を制御することもできる。電力管理システム３２０は、無線デバイス３００の様々なコンポーネントのために電力を供給する電池（図示せず）を含み、又はこれに接続され得る。電力管理システム３２０はさらに、例えば信号の送信を制御することができる一つ以上のプロセッサ又は制御器を含み得る。一実施形態において、ベース帯域サブシステム３３０は、ユーザに与えられ又はユーザから受け取る音声及び／又はデータの様々な入力及び出力を容易にするユーザインタフェイス３４０に接続される。ベース帯域サブシステム３３０はまた、無線デバイスの動作を容易にし及び／又はユーザのための情報記憶を与えるデータ及び／又は命令を記憶するように構成されたメモリ３５０に接続することもできる。

ＳＡＷ共振器を含むここに開示のデバイスは、３ＧＨｚ以上の周波数、例えば８００ＭＨｚ〜２．５ＧＨｚの周波数で動作し得る。ＢＡＷ共振器を含むここに開示のデバイスは、５ＧＨｚ以上の周波数で動作し、例えば、１ｍｍから１０ｍｍの範囲にある波長を有する周波数で動作し得る。ここに開示のフィルタ、モジュール及びデバイスは、第５世代（５Ｇ）のデバイス又は回路において利用することができる。

少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が上述されたが、当業者には様々な変形例、修正例及び改善例が容易に想到されることがわかる。そのような変形例、修正例及び改善例は、本開示の一部であることが意図され、さらに本発明の範囲内に存在することが意図される。なお、ここに開示の方法及び装置は、アプリケーションにおいて、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構造の詳細及びコンポーネントの配列に限られない。方法及び装置は、他の実施形態に実装すること、及び様々な態様で実施又は実装することができる。特定の実施形態の例が、例示目的のみでここに与えられ、限定となることは意図されない。ここに開示のいずれかの実施形態の一つ以上の特徴を、任意の他の実施形態のいずれか一つ以上の特徴に対して付加又は置換することができる。また、ここで使用される表現及び用語は、説明を目的とし、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」及びこれらのバリエーションの使用は、その後に列挙される項目及びその均等物並びに追加の項目を包囲することを意味する。「又は」及び「若しくは」への言及は、「又は」及び「若しくは」を使用して記載されるいずれの用語も、記載される項目の単数、一つを超えるもの、及びすべてのいずれも示し得るように、包括的に解釈され得る。前、後、左右、頂底、上下、及び垂直水平への言及はいずれも、記載の便宜を意図しており、本システム及び方法又はこれらのコンポーネントをいずれか一つの位置的又は空間的配向に限定することを意図しない。したがって、上記の説明及び図面は単なる例示にすぎない。

Claims (28)

1. 電子フィルタであって、
   入力ポートと出力ポートとの間に電気的に直列接続された複数の直列腕弾性波共振器と、
   電気的に並列接続されて第１側が前記複数の直列腕弾性波共振器それぞれの間に電気的に接続されかつ第２側がグランドに電気的に接続された複数の並列腕弾性波共振器と、
   前記複数の直列腕弾性波共振器の一つ又は前記複数の並列腕弾性波共振器の一つの一方に電気的に並列接続されて周波数温度係数（ＴＣＦ）が、前記電気的に並列接続された弾性波共振器のＴＣＦよりも低い少なくとも一つの付加弾性波共振器と
   を含むフィルタ。
2. 前記少なくとも一つの付加弾性波共振器は、前記複数の直列腕弾性波共振器の一つに電気的に並列接続されて前記フィルタの通過帯域の高側エッジを上回る共振周波数を有する請求項１のフィルタ。
3. 前記少なくとも一つの付加弾性波共振器は、前記複数の並列腕弾性波共振器の一つに電気的に並列接続されて前記フィルタの通過帯域の低側エッジよりも低い共振周波数を有する請求項１のフィルタ。
4. 前記複数の直列腕弾性波共振器、前記複数の並列腕弾性波共振器、及び前記少なくとも一つの付加弾性波共振器は、バルク弾性波（ＢＡＷ）共振器である請求項１〜３のいずれか一項のフィルタ。
5. 前記複数の直列腕弾性波共振器、前記複数の並列腕弾性波共振器、及び前記少なくとも一つの付加弾性波共振器は、圧電基板上に配置されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を有する弾性表面波（ＳＡＷ）共振器である請求項１〜３のいずれか一項のフィルタ。
6. 前記複数の直列腕弾性波共振器、前記複数の並列腕弾性波共振器、及び前記少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）によって覆われ、前記少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極は、前記複数の直列腕弾性波共振器のＩＤＴ電極及び前記複数の並列腕弾性波共振器のＩＤＴ電極よりも厚いＳｉＯ_２層によって覆われる請求項５のフィルタ。
7. 前記少なくとも一つの付加弾性波共振器は、
   前記複数の直列腕弾性波共振器の第１のものに電気的に並列接続された第１付加弾性波共振器と、
   前記複数の直列腕弾性波共振器の第２のものに電気的に並列接続された第２付加弾性波共振器と
   を含む請求項６のフィルタ。
8. 前記第１付加弾性波共振器及び前記第２付加弾性波共振器はそれぞれが、前記複数の直列腕弾性波共振器の第１のもの及び前記複数の直列腕弾性波共振器の第２のものよりも低いＴＣＦを有する請求項７のフィルタ。
9. 前記第１付加弾性波共振器及び前記第２付加弾性波共振器の一方のみが、前記複数の直列腕弾性波共振器の第１のもの及び前記複数の直列腕弾性波共振器の第２のものよりも低いＴＣＦを有する請求項７のフィルタ。
10. 前記少なくとも一つの付加弾性波共振器は、
    前記複数の並列腕弾性波共振器の第１のものに電気的に並列接続された第１付加弾性波共振器と、
    前記複数の並列腕弾性波共振器の第２のものに電気的に並列接続された第２付加弾性波共振器と
    を含む請求項６のフィルタ。
11. 前記第１付加弾性波共振器及び前記第２付加弾性波共振器はそれぞれが、前記複数の並列腕弾性波共振器の第１のもの及び前記複数の並列腕弾性波共振器の第２のものよりも低いＴＣＦを有する請求項１０のフィルタ。
12. 前記第１付加弾性波共振器及び前記第２付加弾性波共振器の一方のみが、前記複数の並列腕弾性波共振器の第１のもの及び前記複数の並列腕弾性波共振器の第２のものよりも低いＴＣＦを有する請求項１０のフィルタ。
13. 前記少なくとも一つの付加弾性波共振器は、前記複数の直列腕弾性波共振器の一つに電気的に並列接続され、前記複数の直列腕弾性波共振器の少なくとも一つの複数のＩＤＴ電極が、前記複数の並列腕弾性波共振器の複数のＩＤＴ電極よりも薄いＳｉＯ_２層によって覆われる請求項６のフィルタ。
14. 前記少なくとも一つの付加弾性波共振器は、前記複数の並列腕弾性波共振器の一つに電気的に並列接続され、前記複数の並列腕弾性波共振器の少なくとも一つの複数のＩＤＴ電極が、前記複数の直列腕弾性波共振器の複数のＩＤＴ電極よりも薄いＳｉＯ_２層によって覆われる請求項６のフィルタ。
15. 前記複数の直列腕弾性波共振器のＩＤＴ電極、前記複数の並列腕弾性波共振器のＩＤＴ電極、及び前記少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極のそれぞれの上のＳｉＯ_２を覆う一層の窒化シリコンをさらに含む請求項６のフィルタ。
16. 前記複数の直列腕弾性波共振器のＩＤＴ電極及び前記複数の並列腕弾性波共振器のＩＤＴ電極は、前記少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極よりも大きなピッチを有する請求項５のフィルタ。
17. 前記フィルタは無線周波数フィルタである請求項１〜１６のいずれか一項のフィルタ。
18. 第５世代無線周波数回路に含まれる請求項１から１７のいずれか一項のフィルタ。
19. 電子デバイスモジュールに含まれる請求項１〜１８のいずれか一項のフィルタ。
20. 送受信モジュールに含まれる請求項１９のフィルタ。
21. 前記電子デバイスモジュールは無線周波数デバイスモジュールである請求項１９のフィルタ。
22. 電子デバイスに含まれる請求項２１のフィルタ。
23. 電子フィルタを形成する方法であって、
    入力ポートと出力ポートとの間に電気的に直列接続された複数の直列腕弾性波共振器を形成することと、
    電気的に並列接続されて第１側が前記複数の直列腕弾性波共振器それぞれの間に電気的に接続されかつ第２側がグランドに電気的に接続された複数の並列腕弾性波共振器を形成することと、
    前記複数の直列腕弾性波共振器の一つ又は前記複数の並列腕弾性波共振器の一つの一方に電気的に並列接続されて周波数温度係数（ＴＣＦ）が、前記電気的に並列接続された弾性波共振器のＴＣＦよりも低い少なくとも一つの付加弾性波共振器を形成することと
    を含む方法。
24. 前記少なくとも一つの付加弾性波共振器を形成することは、
    前記少なくとも一つの付加弾性波共振器を、前記複数の直列腕弾性波共振器の一つに電気的に並列接続することと、
    前記少なくとも一つの付加弾性波共振器を、前記フィルタの通過帯域の低側エッジよりも低い共振周波数を有するように形成することと
    を含む請求項２３の方法。
25. 前記少なくとも一つの付加弾性波共振器を形成することは、
    前記少なくとも一つの付加弾性波共振器を、前記複数の並列腕弾性波共振器の一つに電気的に並列接続することと、
    前記少なくとも一つの付加弾性波共振器を、前記フィルタの通過帯域の高側エッジを上回る共振周波数を有するように形成することと
    を含む請求項２３の方法。
26. 前記複数の直列腕弾性波共振器、前記複数の並列腕弾性波共振器、及び前記少なくとも一つの付加弾性波共振器は、圧電基板上に配置されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を有する弾性表面波（ＳＡＷ）共振器であり、
    前記方法はさらに、前記複数の直列腕弾性波共振器、前記複数の並列腕弾性波共振器、及び前記少なくとも一つの付加弾性波共振器のそれぞれのＩＤＴ電極上に二酸化ケイ素膜を堆積させることを含む請求項２３の方法。
27. 前記少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極上に二酸化ケイ素膜を堆積させることは、前記少なくとも一つの付加弾性波共振器のＩＤＴ電極上に、前記複数の直列腕弾性波共振器及び前記複数の並列腕弾性波共振器上の二酸化ケイ素膜よりも厚い二酸化ケイ素膜を形成することを含む請求項２６の方法。
28. 前記複数の直列腕弾性波共振器上に、前記複数の並列腕弾性波共振器上に形成される二酸化ケイ素の膜よりも薄い二酸化ケイ素の膜を形成することをさらに含む請求項２７の方法。
    

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