JP2019190957A - レーザ照射されたニッケル膜の検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ照射されたニッケル膜を検査するための新規で有用な技術を提供する。
【解決手段】本明細書は、レーザ照射されたニッケル膜を検査する方法を開示する。この検査方法は、レーザ照射されたニッケル膜の表面を還元性ガス雰囲気下において還元する還元工程と、還元工程後、ニッケル膜の表面を窒素雰囲気下において２５０℃以上に加熱する加熱工程と、加熱工程後、ニッケル膜の表面を測色する測色工程と、測色工程による測色結果に基づいて、ニッケル膜の表面の状態を判断する判断工程とを備える。
【選択図】図７

Description

本明細書が開示する技術は、レーザ照射されたニッケル膜の検査方法に関する。

特許文献１には、半導体装置の製造方法が開示されている。この半導体装置の製造方法は、導体部材に設けられたニッケル膜に、レーザを照射する工程を備えている。このレーザを照射する工程では、導体部材のニッケル膜上に微細な凹凸形状が形成される。ニッケル膜の微細な凹凸形状は、アンカー効果によって、導体部材とその導体部材に接触する封止材料との密着性を向上させる。

特開２０１７−１９１８０７号公報

ニッケル膜にレーザを照射するときは、加工パラメータを適切に設定する必要がある。レーザのパワーや照射時間といった加工パラメータが不適切であると、ニッケル膜上に微細な凹凸形状が正しく形成されない。加工パラメータを正しく設定するためには、レーザ照射された後のニッケル膜を検査することによって、使用した加工パラメータの良否を判断する必要がある。しかしながら、ニッケル膜上に形成された微細な凹凸形状を直接的に観察しても、その良否を客観的に判断することは難しい。そこで、一つの方法としては、ニッケル膜に形成されたレーザ痕の寸法を測定し、そこからニッケル膜の加工状態を推定することが考えられる。しかしながら、ニッケル膜に形成された多数のレーザ痕をそれぞれ測定する必要があり、多くの時間が必要とされる。他の方法としては、ニッケル膜の水濡れ性を検査して、そこからニッケル膜の加工状態を推定することが考えられる。しかしながら、ニッケル膜を水で濡らす必要があるので、検査後の導体部材を製品に使用することはできなくなる。上記課題を鑑みて、本明細書では、レーザ照射されたニッケル膜を検査するための新規で有用な技術を提供する。

本明細書は、レーザ照射されたニッケル膜を検査する方法を開示する。この検査方法は、レーザ照射されたニッケル膜の表面を還元性ガス雰囲気下において還元する還元工程と、還元工程後、ニッケル膜の表面を窒素雰囲気下において２５０℃以上に加熱する加熱工程と、加熱工程後、ニッケル膜の表面を測色する測色工程と、測色工程による測色結果に基づいて、ニッケル膜の表面の状態を判断する判断工程とを備える。

上記した検査方法では、還元されたニッケル膜の表面を、窒素雰囲気下において２５０℃以上に加熱する。このとき、ニッケル膜の表面に微細な凹凸形状が形成されていれば、ニッケル膜の表面において窒化反応が生じ、ニッケル膜上に窒化ニッケルが生成される。ニッケル膜上に窒化ニッケルが生成されると、ニッケル膜の表面の色が変化する。それに対して、ニッケル膜の表面に微細な凹凸形状が形成されていないと、窒化反応が十分に進行せず、ニッケル膜の変色も起こり難い。従って、その加熱工程後に、ニッケル膜の表面を測色することによって、レーザ照射されたニッケル膜の表面の状態を判断することが可能となる。これにより、レーザ痕の寸法計測や、水濡れ性の試験を必要とすることなく、ニッケル膜の検査を実施することができる。

レーザ照射工程を示す模式図。 レーザ照射されたニッケル膜１２の上面図。 ニッケル膜１２の表面１２ａを還元性ガス雰囲気下において還元する工程（還元工程Ｓ１２）を示す模式図。 ニッケル膜１２の表面１２ａを窒素雰囲気下において加熱する工程（加熱工程Ｓ１４）を示す模式図。 加熱工程Ｓ１４後のニッケル膜１２の上面図であり、図５（Ａ）は窒化ニッケルが生成し、ニッケル膜１２の表面１２ａが変色する状態を示し、図５（Ｂ）は、窒化反応が十分に進行せず、ニッケル膜１２の表面１２ａが変色しない状態を示す。 加熱工程Ｓ１４において、加熱温度に応じて変化するニッケル膜１２の表面１２ａのＲ値を示すグラフ。 Ｒ値に基づいて、ニッケル膜１２の表面状態を判断する工程を説明するグラフ。 Ｂ値に基づいて、ニッケル膜１２の表面状態を判断する工程を説明するグラフ。 実施例１のレーザ照射されたニッケル膜１２の検査方法を示すフローチャート。

本技術の一実施形態において、測色工程による測色結果が、少なくとも赤成分を示す指標を含んでもよい。この場合、判断工程では、その赤成分を示す指標に基づいて、ニッケル膜の表面の状態、例えば、レーザ照射によるニッケル膜の加工状態を判断してもよい。その場合、一例ではあるが、赤みの測色結果が所定の基準値を下回るときに、レーザ照射によるニッケル膜の加工状態が不良であると判断してもよい。ニッケル膜の表面に微細な凹凸形状が形成されていると、ニッケル膜の表面を測色したときに、赤成分を示す指標の値が上昇することが、発明者らによって確認されている。従って、赤成分を示す指標に基づいて、ニッケル膜の表面の状態を判断することにより、レーザ照射されたニッケル膜を客観的に評価することができる。

上記に代えて、又は加えて、測色工程による測色結果が、少なくとも青成分を示す指標を含んでもよい。この場合、判断工程では、その青成分を示す指標に基づいて、ニッケル膜の表面の状態、例えば、レーザ照射によるニッケル膜の加工状態を判断してもよい。その場合に、一例ではあるが、判断工程では、青みの測色結果が所定の基準値を上回るときに、レーザ照射によるニッケル膜の加工状態が不良であると判断してもよい。ニッケル膜の表面に微細な凹凸形状が形成されていると、ニッケル膜の表面を測色したときに、青成分を示す指標の値が低下することが、発明者らによって確認されている。従って、青成分を示す指標に基づいて、ニッケル膜の表面の状態を判断することによっても、レーザ照射されたニッケル膜を客観的に評価することができる。

本技術の一実施形態において、判断工程では、青成分を示す指標に基づいて、ニッケル膜の清浄度を判断してもよい。詳しくは、青成分を示す指標に基づいて、ニッケル膜への有機系化合物の付着の有無を判断してもよい。その場合、一例ではあるが、青成分を示す指標が所定の基準値を上回るときに、ニッケル膜に有機系化合物の付着が有ると判断してもよい。ニッケル膜に有機系化合物の汚れが付着していると、ニッケル膜は、付着した有機系化合物と窒化物との化学反応により青色に変色する。このため、ニッケル膜の清浄度（詳しくは有機化合物の有無）についても、青成分を示す指標に基づいて判断することができる。

図面を参照して、本実施例の検査方法の説明をする。この検査方法では、レーザ照射されたニッケル膜１２を検査する。レーザ照射されるニッケル膜１２は、導体部材１０上に設けられており、例えばスパッタ法などによって形成することができる。導体部材１０は、概して板形状あるいは直方体形状を有しており、例えば銅、アルミニウム又は他の金属といった導体材料で構成されることができる。一例ではあるが、導体部材１０は半導体装置の部品として用いることができ、封止体（例えば樹脂）によって半導体素子と一体にパッケージングされる。

ここで、検査方法の説明に先んじて、図１、図２を参照して、ニッケル膜１２にレーザ照射するレーザ照射工程について説明する。図１に示すように、レーザ照射工程では、ニッケル膜１２の一部又は全体に対して、レーザを照射する（図１中の矢印Ｘ方向）。一例ではあるが、レーザ照射工程では、パルスレーザ装置を利用し、ニッケル膜１２上を走査しながら、スポット状のレーザを断続的に照射してもよい。図１中の矢印Ｙは、レーザの走査方向を示す。このようなレーザ照射により、ニッケル膜１２上に微細な凹凸形状が形成される。この微細な凹凸形状は、例えば、導体部材１０と封止体との密着性を向上させることができる。図２に示すように、レーザ照射工程後のニッケル膜１２を観察すると、レーザ照射されたニッケル膜１２上には、多数のレーザ痕１４が形成されている。一例ではあるが、本実施例におけるレーザ照射工程では、円形状のレーザ痕１４が形成され、その径寸法は、直径約７０マイクロメートル程度である。

このレーザ照射工程において、レーザのパワーや照射時間といった加工パラメータが不適切であると、ニッケル膜１２上に微細な凹凸形状が正しく形成されない。加工パラメータを正しく設定するためには、レーザ照射された後のニッケル膜１２を検査することによって、使用した加工パラメータの良否を判断する必要がある。この点に関して、本実施例の検査方法によると、レーザ照射されたニッケル膜１２の状態を、客観的に評価することができる。以下、本実施例の検査方法について詳細に説明する。

（実施例１）図３−図９を参照して、実施例１のレーザ照射されたニッケル膜１２の検査方法について説明する。ここで、図６、図８には、ニッケル膜１２の測色を３０回繰り返し、得られた平均値がプロットしてある。図９に示すように、検査方法は、還元工程Ｓ１２を備える。還元工程Ｓ１２では、ニッケル膜１２の表面１２ａを還元性ガス雰囲気下において還元する。これにより、先のレーザ照射工程で生成されたニッケル膜１２上の酸化物が除去される。還元工程Ｓ１２の具体的な態様については、特に限定されない。図３に示すように、本実施例では、ニッケル膜１２が形成された導体部材１０をチャンバー１６内に配置し、そのチャンバー１６内に還元性ガスを導入する。還元性ガスには、例えば水素（Ｈ_２）を採用することができる。但し、還元性ガスは、水素に限定されず、一酸化炭素（ＣＯ）、硫化水素（Ｈ_２Ｓ）、二酸化硫黄（ＳＯ_２）、二酸化窒素（ＮＯ_２）等を採用してもよい。一例ではあるが、還元工程Ｓ１２では、必要に応じてニッケル膜１２を加熱してもよい。

図９に示すように、検査方法は、加熱工程Ｓ１４をさらに備える。加熱工程Ｓ１４は、還元工程Ｓ１２の後に実施される。加熱工程Ｓ１４では、ニッケル膜１２の表面１２ａを窒素雰囲気下において加熱する。このとき、ニッケル膜１２の表面１２ａに微細な凹凸形状が形成されていれば、ニッケル膜１２の表面１２ａにおいて窒化反応が生じ、ニッケル膜１２上に窒化ニッケルが生成される。ニッケル膜１２上に窒化ニッケルが生成されると、図５（Ａ）に示すように、ニッケル膜１２の表面１２ａの色が変化する。それに対して、図５（Ｂ）に示すように、ニッケル膜１２の表面１２ａに微細な凹凸形状が形成されていないと、窒化反応が十分に進行せず、ニッケル膜１２の変色は起こり難い。即ち、レーザ照射工程における加工パラメータが不適切であると、加熱工程Ｓ１４においてニッケル膜１２の変色が生じない、又は僅かである。

加熱工程Ｓ１４の具体的な態様については、特に限定されない。本実施例では、図４に示すように、導体部材１０が配置されたチャンバー１６内に窒素を導入し、そのチャンバー１６内の雰囲気を窒素に置換する。窒素雰囲気下に十分に置換された後、導体部材１０のニッケル膜１２を所定の加熱温度に加熱する。加熱工程Ｓ１４では、還元工程Ｓ１２と同じチャンバー１６を使用することができ、それによって、還元工程Ｓ１２と加熱工程Ｓ１４とを一連に実施することができる。但し、加熱工程Ｓ１４では、還元工程Ｓ１２で使用したチャンバー１６とは別のものを使用してもよい。加熱工程Ｓ１４におけるニッケル膜１２の加熱温度は、２５０℃以上であればよい。より好ましくは、ニッケル膜１２の加熱温度は、２８５℃以上であってもよい。より好ましくは、ニッケル膜１２の加熱温度は、３００℃以上であってもよい。本実施例では、ニッケル膜１２の加熱温度を３００℃とし、その温度で数分間維持する。

ここで、図６を参照して、加熱工程Ｓ１４におけるニッケル膜１２の加熱温度と、ニッケル膜１２に生じる変色との関係について説明する。図６の横軸は、加熱工程Ｓ１４における加熱温度を示し、縦軸は、加熱工程Ｓ１４後のニッケル膜１２のＲ値を示す。Ｒ値とは、ＲＧＢ測色系において赤成分の輝度を示す指標である。図６中の実線に示すように、加熱温度が２５０℃未満の範囲では、ニッケル膜１２のＲ値に有意な変化がみらない。一方、加熱温度が２５０℃以上の範囲では、加熱温度が高くなるほど、ニッケル膜１２のＲ値が増大している。特に、加熱温度が２５０℃から２８５℃までの範囲では、加熱温度の上昇に対してＲ値が増大する割合は大きい。そして、加熱温度が２８５℃を超える範囲では、Ｒ値が増大する割合は緩やかになり、３００℃を超える範囲では、Ｒ値の増大が極めて小さくなる。

上記したように、ニッケル膜１２の表面１２ａに微細な凹凸形状が存在すれば、加熱工程Ｓ１４においてニッケル膜１２の表面１２ａに窒化ニッケルが生成され、ニッケル膜１２の表面１２ａの色が変化する。この点に関して、図６に示すグラフによると、加熱温度が２５０℃以上であれば、ニッケル膜１２の表面１２ａにおいて窒化ニッケルが生成され、そのことがニッケル膜１２の表面１２ａの色の変化に現れる。従って、加熱工程Ｓ１４における加熱温度は、２５０℃以上であればよい。特に、加熱温度を２８５℃以上、あるいは３００℃以上とすると、加熱工程Ｓ１４においてニッケル膜１２の表面１２ａの色は大きく変化する。このことから、前述したように、加熱工程Ｓ１４における加熱温度は、２８５℃以上、あるいは、３００℃以上としてもよい。なお、図６中の破線及び△のプロットは、還元工程Ｓ１２を省略した場合の結果を示す。還元工程Ｓ１２を省略した場合、加熱工程Ｓ１４における加熱温度を３００℃以上としても、窒化ニッケルが生成されず、ニッケル膜１２の表面１２ａの色は実質的に変化しない。

図９に示すように、検査方法は、測色工程Ｓ１６をさらに備える。測色工程Ｓ１６は、加熱工程Ｓ１４の後に実施される。測色工程Ｓ１６では、ニッケル膜１２の表面１２ａを測色する。一例ではあるが、この測色工程Ｓ１６では、ニッケル膜１２の表面１２ａを撮影し、その撮影画像からニッケル膜１２の表面１２ａの色を数値化する。即ち、ニッケル膜１２の表面１２ａの色を示す指標を取得する。本実施例では、色を示す指標として、ＲＧＢ表色系で定義されるＲ値、Ｇ値及びＢ値を取得する。Ｒ値は赤成分の輝度を示す指標であり、Ｇ値は緑成分の輝度を示す指標であり、Ｂ値は青成分の輝度を示す指標である。但し、測色工程Ｓ１６で取得する指標は、ＲＧＢ表色系の指標に限られず、例えばＬ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系又はＸＹＺ表色系等といった、他の規格で定義される指標であってもよい。その場合、それらの表色系にそれぞれ対応する測色装置を用いて測色してよい。なお、測色工程Ｓ１６では、少なくともＲ値（又は赤成分を示すその他の指標）を取得すればよい。

図９に示すように、検査方法は、第１判断工程Ｓ１８をさらに備える。第１判断工程Ｓ１８では、測色工程Ｓ１６によるＲ値（赤成分を示す指標）に基づいて、ニッケル膜１２の表面１２ａの状態、特に、レーザ照射によるニッケル膜１２の加工状態を判断する。図７に示すように、加工状態が良好であれば、測定されるＲ値は比較的に大きくなる。一方、レーザパワーが小さい又は過大であったときは、Ｒ値は比較的に小さくなる。これは、ニッケル膜１２の表面１２ａに微細な凹凸が形成されておらず、加熱工程Ｓ１４において色の変化（即ち、窒化ニッケルの生成）が生じなかったことを意味する。従って、所定の基準値Ｓ（Ｒ）を設け、Ｒ値が基準値Ｓ（Ｒ）を上回るときに、レーザ照射によるニッケル膜１２の加工状態が良好である（即ち、微細な凹凸形状が形成されている）と判断することができる。一方で、Ｒ値が基準値Ｓ（Ｒ）を下回るときに、レーザ照射によるニッケル膜１２の加工状態が不良である（即ち、微細な凹凸形状が形成されていない）と判断することができる。このように、Ｒ値（赤成分を示す指標）に基づいて、ニッケル膜１２の表面１２ａの状態を判断することにより、レーザ照射されたニッケル膜１２を客観的に評価することができる。

加えて、図９に示すように、本実施例の検査方法は、第２判断工程Ｓ２０をさらに備える。第２判断工程Ｓ２０は、測色工程Ｓ１６の後に実施されればよく、第１判断工程Ｓ１８との順序は問わない。第２判断工程Ｓ２０では、測色工程Ｓ１６によるＢ値（青成分を示す指標）に基づいて、ニッケル膜１２の表面１２ａの状態、例えば、ニッケル膜１２の清浄度を判断する。詳しくは、第２判断工程Ｓ２０では、Ｂ値に基づいて、ニッケル膜１２への有機系化合物の付着の有無を判断する。ここでいう有機系化合物は、例えば皮脂、ビニル材の離形成分及びテープ材の粘着成分等のことを示す。図８に示すように、ニッケル膜１２に有機系化合物の汚れが付着していると、Ｂ値が比較的に大きくなる。これは、ニッケル膜１２に有機系化合物の汚れが付着していると、ニッケル膜１２は、付着した有機系化合物と窒化物との化学反応により青色に変色するためである。そこで、基準値Ｓ（Ｂ）を設け、Ｂ値が基準値Ｓ（Ｂ）を上回るときに、ニッケル膜１２に有機系化合物の付着が有ると判断する。このため、ニッケル膜１２の清浄度について、Ｂ値（青成分を示す指標）に基づいて判断することができる。但し、第２判断工程Ｓ２０は必ずしも必要とされない。本実施例の場合は、Ｒ値とＢ値とが同時に測色可能であるため、付加的にニッケル膜１２の清浄度も検査することができる。

実施例１の検査方法において、測色工程Ｓ１６での測色結果は少なくとも赤成分を示す指標が含まれる。但し、本明細書に開示される技術は、この赤成分を示す指標に限定されず、加熱工程Ｓ１４における窒化反応によるニッケル膜１２の色を数値化することができればよい。ニッケル膜１２の色を数値化することで、レーザ照射されたニッケル膜１２の表面１２ａの状態を判断することが可能となる。これにより、レーザ痕１４の寸法計測や、水濡れ性の試験を必要とすることなく、ニッケル膜１２の検査を実施することができる。但し、測色する指標は、他の色成分を示す指標にも様々に変更可能であり、他の実施例において以下に説明する。

（実施例２）実施例２のレーザ照射されたニッケル膜１２の検査方法について説明する。実施例２の検査方法は、実施例１に対して、下記の点において異なる。先ず、測色工程Ｓ１６では、ニッケル膜１２の表面１２ａを、少なくとも青成分を示す指標が含まれるような測色をする。また、第１判断工程Ｓ１８では、その青成分を示す指標に基づいて、ニッケル膜１２の表面１２ａの状態、例えばレーザ照射によるニッケル膜１２の加工状態を判断する。他の工程においては、実施例１と同様であるため、その説明は省略する。

本実施例の測色工程Ｓ１６では、加熱工程Ｓ１４後、ニッケル膜１２の表面１２ａを測色する。上記したが、測色工程Ｓ１６では、ニッケル膜１２の表面１２ａを、少なくとも青成分を示す指標が含まれるような測色をする。一例ではあるが、この測色工程Ｓ１６では、ニッケル膜１２の表面１２ａを撮影し、その撮影画像からニッケル膜１２の表面１２ａの色を数値化する。即ち、ニッケル膜１２の表面１２ａの色を示す指標を取得する。本実施例では、色を示す指標として、ＲＧＢ表色系で定義されるＲ値、Ｇ値及びＢ値を取得する。Ｒ値は赤成分の輝度を示す指標であり、Ｇ値は緑成分の輝度を示す指標であり、Ｂ値は青成分の輝度を示す指標である。但し、本実施例の測色工程Ｓ１６で取得する指標は、ＲＧＢ表色系の指標に限られず、例えばＬ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系又はＸＹＺ表色系等といった、他の規格で定義される指標であってもよい。その場合、それらの表色系にそれぞれ対応する測色装置を用いて測色してよい。なお、測色工程Ｓ１６では、少なくともＢ値（又は青成分を示すその他の指標）を取得すればよい。

本実施例の第１判断工程Ｓ１８では、測色工程Ｓ１６によるＢ値（青成分を示す指標）に基づいて、ニッケル膜１２の表面１２ａの状態、特に、レーザ照射によるニッケル膜１２の加工状態を判断する。図８に示すように、加工状態が良好であれば、測定されるＢ値は比較的に小さくなる。一方、レーザパワーが小さい又は過大であったときは、Ｂ値は比較的に大きくなる。これは、ニッケル膜１２の表面１２ａに微細な凹凸が形成されておらず、加熱工程Ｓ１４において色の変化（即ち、窒化ニッケルの生成）が生じなかったことを意味する。従って、所定の基準値Ｓ（Ｂ）を設け、Ｂ値が基準値Ｓ（Ｂ）を下回るときに、レーザ照射によるニッケル膜１２の加工状態が良好である（即ち、微細な凹凸形状が形成されている）と判断することができる。一方で、Ｂ値が基準値Ｓ（Ｂ）を上回るときに、レーザ照射によるニッケル膜１２の加工状態が不良である（即ち、微細な凹凸形状が形成されていない）と判断することができる。このように、Ｂ値（青成分を示す指標）に基づいて、ニッケル膜１２の表面１２ａの状態を判断することにより、レーザ照射されたニッケル膜１２を客観的に評価することができる。

以上、いくつかの具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書又は図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものである。

１０：導体部材
１２：ニッケル膜
１２ａ：ニッケル膜の表面
１４：レーザ痕
１６：チャンバー
Ｓ（Ｒ）：赤成分を示す指標の基準値
Ｓ（Ｂ）：青成分を示す指標の基準値

Claims (10)

1. レーザ照射されたニッケル膜を検査する方法であって、
   レーザ照射された前記ニッケル膜の表面を還元性ガス雰囲気下において還元する還元工程と、
   前記還元工程後、前記ニッケル膜の前記表面を窒素雰囲気下において２５０℃以上に加熱する加熱工程と、
   前記加熱工程後、前記ニッケル膜の前記表面を測色する測色工程と、
   前記測色工程による測色結果に基づいて、前記ニッケル膜の前記表面の状態を判断する判断工程と、
   を備える、検査方法。
2. 前記測色工程による前記測色結果が、少なくとも赤成分を示す指標を含み、
   前記判断工程では、前記赤成分を示す指標に基づいて、前記ニッケル膜の前記表面の状態を判断する、請求項１に記載の検査方法。
3. 前記判断工程では、前記赤成分を示す指標に基づいて、前記レーザ照射による前記ニッケル膜の加工状態を判断する、請求項２に記載の検査方法。
4. 前記判断工程では、前記赤成分を示す指標が所定の基準値を下回るときに、前記レーザ照射による前記ニッケル膜の加工状態が不良であると判断する、請求項３に記載の検査方法。
5. 前記測色工程による前記測色結果が、少なくとも青成分を示す指標を含み、
   前記判断工程では、前記青成分を示す指標に基づいて、前記ニッケル膜の前記表面の状態を判断する、請求項１から４のいずれか一項に記載の検査方法。
6. 前記判断工程では、前記青成分を示す指標に基づいて、前記レーザ照射による前記ニッケル膜の加工状態を判断する、請求項５に記載の検査方法。
7. 前記判断工程では、前記青成分を示す指標が所定の基準値を上回るときに、前記レーザ照射による前記ニッケル膜の前記加工状態が不良であると判断する、請求項６に記載の検査方法。
8. 前記判断工程では、前記青成分を示す指標に基づいて、前記ニッケル膜の清浄度を判断する、請求項５から７のいずれか一項に記載の検査方法。
9. 前記判断工程では、前記青成分を示す指標に基づいて、前記ニッケル膜の有機系化合物の付着の有無を判断する、請求項８に記載の検査方法。
10. 前記判断工程では、前記青成分を示す指標が所定の基準値を上回るときに、前記ニッケル膜に前記有機系化合物の付着が有ると判断する、請求項９に記載の検査方法。

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