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JP2019143043A - Polyimide film for forming display device, polyimide laminate, and display device and method for manufacturing the same - Google Patents

Polyimide film for forming display device, polyimide laminate, and display device and method for manufacturing the same Download PDF

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JP2019143043A
JP2019143043A JP2018028511A JP2018028511A JP2019143043A JP 2019143043 A JP2019143043 A JP 2019143043A JP 2018028511 A JP2018028511 A JP 2018028511A JP 2018028511 A JP2018028511 A JP 2018028511A JP 2019143043 A JP2019143043 A JP 2019143043A
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polyimide
polyimide film
thermal expansion
layer
display device
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Japanese (ja)
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直樹 橘高
Naoki Kittaka
直樹 橘高
平石 克文
Katsufumi Hiraishi
克文 平石
伊織 菊池
Iori Kikuchi
伊織 菊池
哲平 西山
Teppei Nishiyama
哲平 西山
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Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
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Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
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Abstract

【課題】 反りが抑制され、且つ、長手方向及び幅方向における熱膨張係数の異方性がない表示装置形成用ポリイミドフィルムを提供する。【解決手段】 単層又は複数層のポリイミド層からなり、(a)厚みが3μm以上50μm以下の範囲内にあること、(b)熱膨張係数が10ppm/K以下であること、(c)23℃、湿度50%下で、20時間調湿後の50mm角のポリイミドフィルムの中央部の凸面が平らな面上に接するように静置し、4角の浮き上がり量の平均値を平均反り量としたとき、平均反り量が10mm以下であること、(d)長手(MD)方向の熱膨張係数(CTE−MD)と、幅(TD)方向の熱膨張係数(CTE−TD)との差が±3ppm/K以下であること、を満たす表示装置形成用ポリイミドフィルム。【選択図】なしPROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polyimide film for forming a display device in which warpage is suppressed and there is no anisotropy of thermal expansion coefficient in the longitudinal direction and the width direction. SOLUTION: It consists of a single layer or a plurality of polyimide layers, (a) the thickness is in the range of 3 μm to 50 μm, (b) the thermal expansion coefficient is 10 ppm / K or less, (c) 23 Keep the convex surface at the center of the polyimide film of 50 mm square after humidity conditioning for 20 hours under the condition of ℃ and humidity of 50%, and keep it in contact with the flat surface. When the average warpage amount is 10 mm or less, (d) the difference between the thermal expansion coefficient (CTE-MD) in the longitudinal (MD) direction and the thermal expansion coefficient (CTE-TD) in the width (TD) direction is A polyimide film for forming a display device that satisfies ± 3 ppm / K or less. [Selection figure] None

Description

本発明は、表示装置を形成する樹脂基板等として有用な表示装置形成用ポリイミドフィルム及びポリイミド積層体並びにこれらを用いる表示装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a polyimide film for forming a display device and a polyimide laminate useful as a resin substrate or the like for forming the display device, a display device using these, and a method for manufacturing the same.

液晶表示装置や有機EL表示装置等の表示装置は、テレビのような大型ディスプレイや、携帯電話、パソコン、スマートフォンなどの小型ディスプレイ等、各種のディスプレイ用途に使用されている。表示装置の代表的なものとして有機EL表示装置があるが、例えば、この有機EL表示装置では、支持基材であるガラス基板上に薄膜トランジスタ(以下、TFT)を形成し、電極、発光層、電極を順次形成し、最後に別途ガラス基板や多層薄膜等で気密封止して作られる。   Display devices such as liquid crystal display devices and organic EL display devices are used for various display applications such as large displays such as televisions and small displays such as mobile phones, personal computers, and smartphones. As a typical display device, there is an organic EL display device. For example, in this organic EL display device, a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) is formed on a glass substrate which is a supporting base, and an electrode, a light emitting layer, and an electrode Are sequentially formed and finally hermetically sealed with a glass substrate or a multilayer thin film.

これらの構成部材は、ガラス基板上に各種の機能層を形成した積層体である。このガラス基板を樹脂基板へと置き換えることにより、従来のガラス基板を用いた構成部材を、薄型化・軽量化・曲面成型・フレキシブル化することができる。これを利用して、フレキシブルディスプレイ等のフレキシブルデバイスを得ることが期待される。一方、樹脂はガラスと比較して寸法安定性、透明性、耐熱性、耐湿性、フィルムの強さ等が劣るため、種々の検討がなされている。   These constituent members are laminates in which various functional layers are formed on a glass substrate. By replacing this glass substrate with a resin substrate, it is possible to make a component using a conventional glass substrate thinner, lighter, curved, and flexible. Using this, it is expected to obtain a flexible device such as a flexible display. On the other hand, since the resin is inferior in dimensional stability, transparency, heat resistance, moisture resistance, film strength and the like as compared with glass, various studies have been made.

特許文献1では、ガラス基材上に第一ポリイミド層と第二ポリイミド層を積層することによって形成した積層体の第二ポリイミド層上にEL素子を形成した後、第一ポリイミド層を分離することによって、第二ポリイミド層からなるポリイミド基材上にEL素子を有する表示装置が提案されている。しかしながら、第一ポリイミド層から分離した後のポリイミド基材における反りについては考慮されておらず、反りの抑制対策についても検討されていない。   In patent document 1, after forming an EL element on the 2nd polyimide layer of the laminated body formed by laminating | stacking a 1st polyimide layer and a 2nd polyimide layer on a glass base material, separating a 1st polyimide layer. Has proposed a display device having an EL element on a polyimide substrate made of a second polyimide layer. However, the warp in the polyimide base material after being separated from the first polyimide layer is not taken into consideration, and measures for suppressing the warp have not been studied.

一方、フレキシブル回路基板などの回路基板材料に関する技術であるが、特許文献2では、ジアミノジフェニルエーテル類及びフェニレンジアミン類を主鎖に有するポリイミドを用いることで、高温処理後のフィルムカールが低減されたポリイミドフィルムが提案されているが、寸法精度は十分なものではない。   On the other hand, although it is a technique regarding circuit board materials, such as a flexible circuit board, in patent document 2, the polyimide by which the film curl after high temperature processing was reduced by using the polyimide which has diamino diphenyl ethers and phenylenediamine in a principal chain is used. Films have been proposed, but the dimensional accuracy is not sufficient.

同様に、回路基板材料に関し、特許文献3では、ポリイミドフィルムの面内リタデーションを制御することによって、高温加工時に寸法変化を低減したポリイミドフィルムが提案されている。   Similarly, regarding a circuit board material, Patent Document 3 proposes a polyimide film in which a dimensional change is reduced during high-temperature processing by controlling in-plane retardation of the polyimide film.

国際公開WO2014/050933号パンフレットInternational Publication WO2014 / 050933 Pamphlet 国際公開WO2006/114901号パンフレットInternational Publication WO2006 / 114901 Pamphlet 特開2017−200759号公報JP 2017-200799 A

本発明の目的は、反りが抑制され、且つ、長手方向及び幅方向における熱膨張係数の異方性がない表示装置形成用ポリイミドフィルムを提供することにある。また、本発明の別の目的は、反りの発生が抑制されて、樹脂基板の分離を容易、且つ、簡便に行えるポリイミド積層体を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a polyimide film for forming a display device, in which warpage is suppressed and there is no anisotropy of the thermal expansion coefficient in the longitudinal direction and the width direction. Another object of the present invention is to provide a polyimide laminate in which the occurrence of warpage is suppressed and the resin substrate can be easily and easily separated.

本発明者らは、鋭意研究の結果、ポリイミドフィルムの厚み及び熱膨張係数の制御によって、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies, the present inventors have found that the above problems can be solved by controlling the thickness and thermal expansion coefficient of the polyimide film, and have completed the present invention.

すなわち、本発明の表示装置形成用ポリイミドフィルムは、単層又は複数層のポリイミド層からなる。そして、本発明の表示装置形成用ポリイミドフィルムは、下記の条件(a)〜(d);
(a)厚みが3μm以上50μm以下の範囲内にあること;
(b)熱膨張係数が10ppm/K以下であること;
(c)23℃、湿度50%下で、20時間調湿後の50mm角のポリイミドフィルムの中央部の凸面が平らな面上に接するように静置し、4角の浮き上がり量の平均値を平均反り量としたとき、平均反り量が10mm以下であること;
(d)長手(MD)方向の熱膨張係数(CTE−MD)と、幅(TD)方向の熱膨張係数(CTE−TD)との差が±3ppm/K以下であること;
を満たすことを特徴とする。
That is, the polyimide film for forming a display device of the present invention comprises a single layer or a plurality of polyimide layers. And the polyimide film for display apparatus formation of this invention has the following conditions (a)-(d);
(A) The thickness is in the range of 3 μm or more and 50 μm or less;
(B) the coefficient of thermal expansion is 10 ppm / K or less;
(C) Standing at a temperature of 23 ° C. and a humidity of 50% so that the convex surface at the center of the polyimide film of 50 mm square after humidity conditioning for 20 hours is in contact with the flat surface, and calculating the average value of the four corners When the average warpage amount is used, the average warpage amount is 10 mm or less;
(D) The difference between the thermal expansion coefficient (CTE-MD) in the longitudinal (MD) direction and the thermal expansion coefficient (CTE-TD) in the width (TD) direction is ± 3 ppm / K or less;
It is characterized by satisfying.

本発明の表示装置形成用ポリイミドフィルムは、前記(a)〜(d)の条件に加え、更に、
(e)面内リタデーション(RO)の値が1nm以上50nm以下の範囲内であること;
を満たすものであってもよい。
In addition to the above conditions (a) to (d), the polyimide film for forming a display device of the present invention,
(E) The value of in-plane retardation (RO) is in the range of 1 nm to 50 nm;
It may satisfy.

本発明の表示装置形成用ポリイミドフィルムは、前記ポリイミド層が、熱膨張係数が最も低い単層の第1のポリイミド層及び該ポリイミド層の片側に積層されている単層若しくは複数層の第2のポリイミド層からなるものであってもよい。そして、前記第1のポリイミド層の熱膨張係数(CTE1)及び第2のポリイミド層の熱膨張係数(CTE2)が、下記の数式(1);
1ppm/K<(CTE2−CTE1)≦10ppm/K ・・・(1)
を満たすものであってもよい。
In the polyimide film for forming a display device of the present invention, the polyimide layer is a single-layer first polyimide layer having the lowest thermal expansion coefficient and a single-layer or multiple-layer second layer laminated on one side of the polyimide layer. It may consist of a polyimide layer. The thermal expansion coefficient (CTE1) of the first polyimide layer and the thermal expansion coefficient (CTE2) of the second polyimide layer are expressed by the following formula (1);
1 ppm / K <(CTE2-CTE1) ≦ 10 ppm / K (1)
It may satisfy.

本発明の表示装置形成用ポリイミドフィルムは、前記第2のポリイミド層が単層であってもよい。   In the polyimide film for forming a display device of the present invention, the second polyimide layer may be a single layer.

本発明のポリイミド積層体は、離型ポリイミドフィルムと、該離型ポリイミドフィルムに直接積層されたポリイミドフィルムと、を備えたポリイミド積層体である。そして、本発明のポリイミド積層体は、前記ポリイミドフィルムが、下記の条件(a)〜(d);
(a)厚みが3μm以上50μm以下の範囲内にあること;
(b)熱膨張係数が10ppm/K以下であること;
(c)23℃、湿度50%下で、20時間調湿後の50mm角のポリイミドフィルムの中央部の凸面が平らな面上に接するように静置し、4角の浮き上がり量の平均値を平均反り量としたとき、平均反り量が10mm以下であること;
(d)長手(MD)方向の熱膨張係数(CTE−MD)と、幅(TD)方向の熱膨張係数(CTE−TD)との差が±3ppm/K以下であること;
を満たすことを特徴とする。
The polyimide laminate of the present invention is a polyimide laminate comprising a release polyimide film and a polyimide film directly laminated on the release polyimide film. And as for the polyimide laminated body of this invention, the said polyimide film has the following conditions (a)-(d);
(A) The thickness is in the range of 3 μm or more and 50 μm or less;
(B) the coefficient of thermal expansion is 10 ppm / K or less;
(C) Standing at a temperature of 23 ° C. and a humidity of 50% so that the convex surface at the center of the polyimide film of 50 mm square after humidity conditioning for 20 hours is in contact with the flat surface, and calculating the average value of the four corners When the average warpage amount is used, the average warpage amount is 10 mm or less;
(D) The difference between the thermal expansion coefficient (CTE-MD) in the longitudinal (MD) direction and the thermal expansion coefficient (CTE-TD) in the width (TD) direction is ± 3 ppm / K or less;
It is characterized by satisfying.

本発明のポリイミド積層体は、前記ポリイミドフィルムが、前記(a)〜(d)の条件に加え、更に、
(e)面内リタデーション(RO)の値が1nm以上50nm以下の範囲内であること;
を満たすものであってもよい。
In the polyimide laminate of the present invention, the polyimide film is in addition to the conditions (a) to (d),
(E) The value of in-plane retardation (RO) is in the range of 1 nm to 50 nm;
It may satisfy.

本発明のポリイミド積層体は、前記ポリイミドフィルムが、単層の第1のポリイミド層及び該第1のポリイミド層の片面に積層されている単層若しくは複数層の第2のポリイミド層からなり、かつ、前記第1のポリイミド層が前記離型ポリイミドフィルムと接する位置にあってもよい。そして、本発明のポリイミド積層体は、前記第1のポリイミド層の熱膨張係数(CTE1)及び第2のポリイミド層の熱膨張係数(CTE2)が、下記の数式(1);
1ppm/K<(CTE2−CTE1)≦10ppm/K ・・・(1)
を満たすものであってもよい。
The polyimide laminate of the present invention comprises a single-layer first polyimide layer and a single layer or a plurality of second polyimide layers laminated on one side of the first polyimide layer, and The first polyimide layer may be in a position in contact with the release polyimide film. The polyimide laminate of the present invention has a thermal expansion coefficient (CTE1) of the first polyimide layer and a thermal expansion coefficient (CTE2) of the second polyimide layer of the following formula (1);
1 ppm / K <(CTE2-CTE1) ≦ 10 ppm / K (1)
It may satisfy.

本発明のポリイミド積層体は、前記第2のポリイミド層が単層であってもよい。   In the polyimide laminate of the present invention, the second polyimide layer may be a single layer.

本発明の表示装置の製造方法は、ポリイミド基材上に表示部を備えた表示装置の製造方法である。そして、本発明の表示装置の製造方法は、上記いずれかに記載のポリイミド積層体と、支持体とを、前記離型ポリイミドフィルム側の表面と前記支持体の一つの表面とが接するように積層する工程と、
前記ポリイミド積層体における前記ポリイミドフィルム上に所定の表示部を形成する工程と、
前記離型ポリイミドフィルムと前記ポリイミドフィルムとを、これらの境界面で分離して、前記ポリイミド基材としての前記ポリイミドフィルム上に前記表示部を備えた表示装置を得る工程と、
を含むことを特徴とする。
The manufacturing method of the display apparatus of this invention is a manufacturing method of the display apparatus provided with the display part on the polyimide base material. And the manufacturing method of the display apparatus of this invention laminated | stacks the polyimide laminated body in any one of the said, and a support body so that the surface by the side of the said release polyimide film and one surface of the said support body may contact | connect. And a process of
Forming a predetermined display part on the polyimide film in the polyimide laminate,
Separating the release polyimide film and the polyimide film at their boundary surfaces, and obtaining a display device including the display unit on the polyimide film as the polyimide substrate;
It is characterized by including.

本発明の表示装置は、上記いずれかに記載の表示装置形成用ポリイミドフィルムからなるポリイミド基材と、
前記ポリイミド基材上に形成された表示部と、
を備えている。
The display device of the present invention, a polyimide base material comprising the polyimide film for forming a display device according to any one of the above,
A display unit formed on the polyimide substrate;
It has.

本発明の表示装置形成用ポリイミドフィルムは、反りが抑制され、低熱膨張性ポリイミドを用いた異方性がないフィルムであることから、これを樹脂基板(ポリイミド基材)として用いる表示装置において、高い寸法安定精度を実現できる。また、本発明の表示装置形成用ポリイミドフィルムは、ハンドリング性に優れ、加工時の寸法変化を低減させることが可能となることから、表示装置を形成するための樹脂基板として好適に用いることができる。   Since the polyimide film for forming a display device of the present invention is a film that is suppressed in warpage and has no anisotropy using a low thermal expansion polyimide, it is high in a display device using this as a resin substrate (polyimide substrate). Dimensional stability accuracy can be realized. Moreover, since the polyimide film for forming a display device of the present invention is excellent in handling properties and can reduce dimensional changes during processing, it can be suitably used as a resin substrate for forming a display device. .

本発明の一実施の形態に係るポリイミド積層体の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the polyimide laminated body which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係る表示装置の製造方法における主要な工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the main processes in the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one embodiment of this invention.

次に、本発明の実施形態について説明する。   Next, an embodiment of the present invention will be described.

[表示装置形成用ポリイミドフィルム]
本発明の一実施の形態に係る表示装置形成用ポリイミドフィルムは、単層又は複数層のポリイミド層からなるポリイミドフィルムであり、下記の条件(a)〜(d)を満たすものである。なお、本明細書では、「表示装置形成用ポリイミドフィルム」と、後述するポリイミド積層体における「ポリイミドフィルム」(ポリイミドフィルム200)を区別しない場合は、単に「ポリイミドフィルム」と記す。
[Polyimide film for display device formation]
The polyimide film for forming a display device according to an embodiment of the present invention is a polyimide film composed of a single layer or a plurality of polyimide layers, and satisfies the following conditions (a) to (d). In the present specification, “polyimide film” is simply referred to as “polyimide film for display device formation” and “polyimide film” (polyimide film 200) in a polyimide laminate to be described later.

(a)厚みが3〜50μmの範囲内にあること。
本実施の形態のポリイミドフィルムの厚みは、熱膨張係数を制御するために、3〜50μmの範囲内、好ましくは10〜30μmの範囲内、より好ましくは15〜25μmの範囲内がよい。本実施の形態のポリイミドフィルムの厚みが、3μm未満であると、電気絶縁性の低下やハンドリング性の低下により製造工程の取扱いが困難となる場合があり、50μmを超えると反りの制御が困難となり、熱膨張係数の増加が生じる傾向になる。
(A) The thickness is in the range of 3 to 50 μm.
In order to control the thermal expansion coefficient, the thickness of the polyimide film of the present embodiment is in the range of 3 to 50 μm, preferably in the range of 10 to 30 μm, more preferably in the range of 15 to 25 μm. If the thickness of the polyimide film of the present embodiment is less than 3 μm, it may be difficult to handle the manufacturing process due to a decrease in electrical insulation and handling, and if it exceeds 50 μm, it becomes difficult to control warpage. The thermal expansion coefficient tends to increase.

(b)熱膨張係数が10ppm/K以下であること。
本実施の形態のポリイミドフィルムの熱膨張係数は、寸法変化を低減する為、10ppm/K以下の範囲、好ましくは7ppm/K以下の範囲がよい。熱膨張係数が10ppm/Kを超えると、本発明のポリイミドフィルムを基材とする表示装置を製造する際、寸法変化が低減されず、表示素子の位置ずれなどの問題が生じることがある。
(B) The coefficient of thermal expansion is 10 ppm / K or less.
The thermal expansion coefficient of the polyimide film of the present embodiment is in the range of 10 ppm / K or less, preferably in the range of 7 ppm / K or less in order to reduce the dimensional change. When the thermal expansion coefficient exceeds 10 ppm / K, a dimensional change is not reduced and a problem such as misalignment of the display element may occur when a display device based on the polyimide film of the present invention is manufactured.

(c)23℃、湿度50%下で、20時間調湿後の50mm角のポリイミドフィルムの中央部の凸面(ここで、「凸面」とは、全体的にゆるやかに屈曲したポリイミドフィルム断片において、屈曲の外周側の面を意味する)が平らな面上に接するように静置し、4角の浮き上がり量の平均値を平均反り量としたとき、平均反り量が10mm以下であること。
本実施の形態のポリイミドフィルムの平均反り量は、本実施の形態のポリイミドフィルムを基材として用いた表示装置を製造する際の、ハンドリング性の向上や、加工時における浮きによる表示素子の位置ずれを防止する為に、10mm以下の範囲、好ましくは5mm以下の範囲がよい。
(C) Convex surface of the central portion of a 50 mm square polyimide film after conditioning for 20 hours at 23 ° C. and a humidity of 50% (here, “convex surface” is a generally gently bent polyimide film fragment, (Meaning the surface on the outer peripheral side of the bend) is placed so as to be in contact with a flat surface, and the average value of the four corners is taken as the average amount of warpage, the average amount of warpage is 10 mm or less.
The average amount of warpage of the polyimide film of the present embodiment is the improvement in handling properties when manufacturing a display device using the polyimide film of the present embodiment as a base material, and the displacement of the display element due to floating during processing In order to prevent this, a range of 10 mm or less, preferably a range of 5 mm or less is good.

(d)長手(MD)方向の熱膨張係数(CTE−MD)と、幅(TD)方向の熱膨張係数(CTE−TD)との差が±3ppm/K以下であること。
本実施の形態のポリイミドフィルムは、本実施の形態のポリイミドフィルムを基材として用いた表示装置を製造する際の、加工時における寸法変化を低減する為、CTE−MDとCTE−TDとの差が±3ppm/K以下の範囲、好ましくは、±1ppm/K以下の範囲がよい。
(D) The difference between the thermal expansion coefficient (CTE-MD) in the longitudinal (MD) direction and the thermal expansion coefficient (CTE-TD) in the width (TD) direction is ± 3 ppm / K or less.
The polyimide film of this embodiment is a difference between CTE-MD and CTE-TD in order to reduce dimensional change during processing when manufacturing a display device using the polyimide film of this embodiment as a base material. Is in the range of ± 3 ppm / K or less, preferably in the range of ± 1 ppm / K or less.

また、本発明の一実施の形態に係るポリイミドフィルムは、好ましくは、上記(a)〜(d)の条件に加え、更に、下記の条件(e)を満たすものがよい。   Moreover, the polyimide film according to an embodiment of the present invention preferably satisfies the following condition (e) in addition to the above conditions (a) to (d).

(e)面内リタデーション(RO)の値が1nm以上50nm以下の範囲内であること。
本実施の形態のポリイミドフィルムは、面内リタデーション(RO)の値が1nm以上50nm以下の範囲内、好ましくは1nm以上20nm以下の範囲内、より好ましくは1nm以上15nm以下の範囲内がよい。
(E) The value of in-plane retardation (RO) is in the range of 1 nm to 50 nm.
The polyimide film of this embodiment has an in-plane retardation (RO) value in the range of 1 nm to 50 nm, preferably in the range of 1 nm to 20 nm, more preferably in the range of 1 nm to 15 nm.

また、本発明の一実施の形態に係るポリイミドフィルムは、好ましくは、複数層のポリイミド層からなるポリイミドフィルムがよい。   In addition, the polyimide film according to an embodiment of the present invention is preferably a polyimide film composed of a plurality of polyimide layers.

本発明の一実施の形態に係るポリイミドフィルムが複数層のポリイミド層からなる場合、ポリイミド層が、熱膨張係数が最も低い単層の第1のポリイミド層及び前記第1のポリイミド層の片側に積層されている単層若しくは複数層の第2のポリイミド層からなり、
前記第1のポリイミド層の熱膨張係数(CTE1)及び第2のポリイミド層の熱膨張係数(CTE2)が、下記の数式(1);
1ppm/K<(CTE2−CTE1)≦10ppm/K ・・・(1)
の範囲内がよい。ポリイミドフィルムの厚さ方向において熱膨張係数を変化させることにより、厚さ方向のリタデーション(ROL)の低下を防止し、平均反り量の低減が可能となる。CTE1とCTE2の差(CTE2−CTE1)は、2ppm/K以上10ppm/K以下の範囲内が好ましく、2ppm/K以上7ppm/K以下の範囲内がより好ましい。
When the polyimide film according to an embodiment of the present invention includes a plurality of polyimide layers, the polyimide layer is laminated on one side of the first polyimide layer having the lowest thermal expansion coefficient and the first polyimide layer. A single polyimide layer or a plurality of second polyimide layers,
The thermal expansion coefficient (CTE1) of the first polyimide layer and the thermal expansion coefficient (CTE2) of the second polyimide layer are expressed by the following formula (1):
1 ppm / K <(CTE2-CTE1) ≦ 10 ppm / K (1)
Within the range is good. By changing the thermal expansion coefficient in the thickness direction of the polyimide film, it is possible to prevent the retardation (ROL) in the thickness direction from decreasing and to reduce the average warpage. The difference between CTE1 and CTE2 (CTE2-CTE1) is preferably in the range of 2 ppm / K to 10 ppm / K, and more preferably in the range of 2 ppm / K to 7 ppm / K.

<ポリイミドフィルムの形態>
本実施の形態のポリイミドフィルムは、上記のとおり、条件(a)から(d)を満たすものであれば特に限定されるものではなく、絶縁樹脂からなるフィルム(シート)であってもよく、銅箔、ガラス板、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルムなどの樹脂シート等の基材に積層された状態の絶縁樹脂のフィルムであってもよい。
<Form of polyimide film>
The polyimide film of the present embodiment is not particularly limited as long as it satisfies the conditions (a) to (d) as described above, and may be a film (sheet) made of an insulating resin. It may be a film of an insulating resin laminated on a substrate such as a resin sheet such as a foil, a glass plate, a polyimide film, a polyamide film, or a polyester film.

<フィラー>
本実施の形態のポリイミドフィルムは、必要に応じて、無機フィラーを含有してもよい。具体的には、例えば二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を混合して用いることができる。
<Filler>
The polyimide film of this Embodiment may contain an inorganic filler as needed. Specific examples include silicon dioxide, aluminum oxide, magnesium oxide, beryllium oxide, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, aluminum fluoride, and calcium fluoride. These may be used alone or in combination of two or more.

<ポリイミド>
本実施の形態のポリイミドフィルムは、ポリイミドからなるポリイミド層を有し、単層又は複数層からなるものである。ここで、ポリイミド層が複数層からなる場合は、熱膨張係数が最も低い単層の第1のポリイミド層及びこの第1のポリイミド層の片側に積層されている単層若しくは複数層からなる第2のポリイミド層を含んでいてもよい。なお、本明細書では、「第1のポリイミド層」と「第2のポリイミド層」を区別しない場合は、単に「ポリイミド層」と記す。
<Polyimide>
The polyimide film of the present embodiment has a polyimide layer made of polyimide and consists of a single layer or a plurality of layers. Here, when the polyimide layer is composed of a plurality of layers, a single first polyimide layer having the lowest thermal expansion coefficient and a second layer composed of a single layer or a plurality of layers laminated on one side of the first polyimide layer. The polyimide layer may be included. In this specification, when the “first polyimide layer” and the “second polyimide layer” are not distinguished, they are simply referred to as “polyimide layer”.

ポリイミド層を構成するポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミンと、を反応させて得られるポリアミド酸をイミド化して得られるものである。従って、本実施の形態のポリイミドフィルムにおいて、ポリイミド層を構成するポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基及びジアミンから誘導されるジアミン残基を含むものである。なお、本発明において、テトラカルボン酸残基とは、テトラカルボン酸二無水物から誘導された4価の基のことを表し、ジアミン残基とは、ジアミン化合物から誘導された2価の基のことを表す。   The polyimide which comprises a polyimide layer is obtained by imidating the polyamic acid obtained by making tetracarboxylic dianhydride and diamine react. Therefore, in the polyimide film of the present embodiment, the polyimide constituting the polyimide layer contains a tetracarboxylic acid residue derived from tetracarboxylic dianhydride and a diamine residue derived from diamine. In the present invention, the tetracarboxylic acid residue means a tetravalent group derived from tetracarboxylic dianhydride, and the diamine residue means a divalent group derived from a diamine compound. Represents that.

以下、酸無水物とジアミンを説明することにより、本実施の形態で用いるポリイミドの具体例が理解される。   Hereinafter, specific examples of polyimide used in the present embodiment will be understood by describing acid anhydrides and diamines.

ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基としては、例えば3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物等から誘導されるテトラカルボン酸残基が好ましく挙げられる。これらの中でも特に、BPDAから誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、BPDA残基ともいう。)は、秩序構造を形成しやすく、高温環境下での面内リタデーション(RO)の変化量を小さくすることができるので特に好ましい。また、BPDA残基は、ポリイミド前駆体のポリアミド酸としてのゲル膜の自己支持性を付与できるが、イミド化後のCTEを増大させる傾向になる。このような観点から、BPDA残基は、ポリイミドに含まれる全テトラカルボン酸残基に対して、好ましくは3〜70モル%の範囲内、より好ましくは5〜60モル%の範囲内がよい。   Examples of tetracarboxylic acid residues contained in polyimide include 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride. Preferred examples include tetracarboxylic acid residues derived from products. Among these, a tetracarboxylic acid residue derived from BPDA (hereinafter also referred to as BPDA residue) tends to form an ordered structure, and the amount of change in in-plane retardation (RO) under a high temperature environment is small. This is particularly preferable. Moreover, although the BPDA residue can provide the self-supporting property of the gel film as the polyamic acid of the polyimide precursor, it tends to increase CTE after imidization. From such a viewpoint, the BPDA residue is preferably in the range of 3 to 70 mol%, more preferably in the range of 5 to 60 mol%, with respect to all tetracarboxylic acid residues contained in the polyimide.

ポリイミドに含まれる上記BPDA残基以外のテトラカルボン酸残基としては、ピロメリット酸二無水物(PMDA)から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、PMDA残基ともいう。)が好ましく挙げられる。PMDA残基は、ポリイミドに含まれる全テトラカルボン酸残基に対して、好ましくは30〜97モル%の範囲内、より好ましくは40〜95モル%の範囲内がよい。PMDA残基は任意であるが、熱膨張係数の制御とガラス転移温度の制御の役割を担う残基である。   Preferred examples of the tetracarboxylic acid residue other than the BPDA residue contained in the polyimide include a tetracarboxylic acid residue derived from pyromellitic dianhydride (PMDA) (hereinafter also referred to as PMDA residue). . The PMDA residue is preferably in the range of 30 to 97 mol%, more preferably in the range of 40 to 95 mol%, based on all tetracarboxylic acid residues contained in the polyimide. Although PMDA residue is arbitrary, it is a residue which plays a role of control of a thermal expansion coefficient and control of a glass transition temperature.

その他のテトラカルボン酸残基としては、例えば、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸無水物、2,3',3,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-、2,3,3',4'-又は3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3',3,4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、3,3'',4,4''-、2,3,3'',4''-又は2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-又は3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,2,7,8-、1,2,6,7-又は1,2,9,10-フェナンスレン-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)テトラフルオロプロパン二無水物、2,3,5,6-シクロヘキサン二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,6-又は2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-(又は1,4,5,8-)テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-(又は2,3,6,7-)テトラカルボン酸二無水物、2,3,8,9-、3,4,9,10-、4,5,10,11-又は5,6,11,12-ペリレン-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4’-ビス(2,3-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルメタン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基が挙げられる。   Other tetracarboxylic acid residues include, for example, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 4,4′-oxydiphthalic anhydride, 2,3 ′, 3,4 ′ -Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3'-, 2,3,3', 4'- or 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2, , 3 ′, 3,4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 3,3 ″, 4,4 ″-, 2,3,3 '', 4 ''-or 2,2 '', 3,3 ''-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) -Propane dianhydride, bis (2,3- or 3.4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1,1- Bis (2,3- or 3,4-dicarbo Xylphenyl) ethane dianhydride, 1,2,7,8-, 1,2,6,7- or 1,2,9,10-phenanthrene-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7- Anthracene tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) tetrafluoropropane dianhydride, 2,3,5,6-cyclohexane dianhydride, 1,2,5,6- Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2, 3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,6- or 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid Dianhydride 2,3,6,7- (or 1,4,5,8-) tetrachloronaphthalene-1,4,5,8- (or 2,3,6,7-) tetracarboxylic acid Nothing 2,3,8,9-, 3,4,9,10-, 4,5,10,11- or 5,6,11,12-perylene-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1 , 2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, thiophene- Tetracarboxylics derived from aromatic tetracarboxylic dianhydrides such as 2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-bis (2,3-dicarboxyphenoxy) diphenylmethane dianhydride An acid residue is mentioned.

ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基において、2,3',3,4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸無水物及び2,3',3,4'-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物のテトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基は、非熱可塑性ポリイミドに含まれる全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、好ましくは20モル部以下、より好ましくは15モル部以下がよい。非熱可塑性ポリイミドに含まれる全テトラカルボン酸残基に対し、これらのテトラカルボン酸残基が20モル部を超えると、分子の配向性が低下し、面内リタデーション(RO)の制御が困難となる。   In tetracarboxylic acid residues contained in polyimide, 2,3 ′, 3,4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 4, Tetracarboxylic acid residues derived from tetracarboxylic dianhydride of 4'-oxydiphthalic anhydride and 2,3 ', 3,4'-diphenyltetracarboxylic dianhydride are included in non-thermoplastic polyimides Preferably it is 20 mol parts or less with respect to 100 mol parts of all the tetracarboxylic acid residues, More preferably, 15 mol parts or less are good. When these tetracarboxylic acid residues exceed 20 mole parts with respect to all tetracarboxylic acid residues contained in the non-thermoplastic polyimide, the orientation of the molecule is lowered, and it is difficult to control in-plane retardation (RO). Become.

本実施の形態のポリイミドフィルムにおいて、ポリイミドに含まれるジアミン残基としては、例えば下記の一般式(A1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基(以下、「A1残基」と記すことがある)が好ましく挙げられる。   In the polyimide film of the present embodiment, the diamine residue contained in the polyimide is, for example, a diamine residue derived from a diamine compound represented by the following general formula (A1) (hereinafter referred to as “A1 residue”). Are preferred).

Figure 2019143043
Figure 2019143043

上記式(A1)において、Yは独立に水素原子、又はハロゲン原子若しくはフェニル基で置換されてもよい炭素数1〜3の1価の炭化水素基、又は炭素数1〜3のアルコキシ基、又はアルケニル基を示し、nは0〜2の整数を示し、p及びqは独立に0〜4の整数を示す。ここで、「独立に」とは、上記式(A1)において、複数の置換基Y、整数p、qが、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。   In the above formula (A1), Y is independently a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom or a phenyl group, or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, or An alkenyl group, n represents an integer of 0 to 2, and p and q independently represent an integer of 0 to 4; Here, “independently” means that in the above formula (A1), a plurality of substituents Y and integers p and q may be the same or different.

A1残基は、秩序構造を形成しやすく分子鎖の面内方向の配向を促進する為、面内リタデーションを抑制することができる。このような観点から、A1残基は、ポリイミドに含まれる全ジアミン残基に対して、好ましくは20モル%以上、より好ましくは50モル%以上、更に好ましくは70〜99モル%の範囲内がよい。   The A1 residue is easy to form an ordered structure and promotes the orientation in the in-plane direction of the molecular chain, so that in-plane retardation can be suppressed. From such a point of view, the A1 residue is preferably 20 mol% or more, more preferably 50 mol% or more, still more preferably in the range of 70 to 99 mol% with respect to all diamine residues contained in the polyimide. Good.

また、A1残基として、例えば下記の一般式(1)で表されるジアミン残基が好ましく挙げられる。   Moreover, as A1 residue, the diamine residue represented, for example by following General formula (1) is mentioned preferably.

Figure 2019143043
Figure 2019143043

上記一般式(1)において、R、Rは、独立して、ハロゲン原子若しくはフェニル基で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキル基、又は炭素数1〜3のアルコキシ基若しくは炭素数2〜3のアルケニル基を示す。 In the general formula (1), R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom or a phenyl group, or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, or An alkenyl group having 2 to 3 carbon atoms is shown.

一般式(1)で表されるジアミン残基は、秩序構造を形成しやすく、特に高温環境下での面内リタデーション(RO)の変化量を有利に抑制することができる。このような観点から、一般式(1)で表されるジアミン残基は、ポリイミドに含まれる全ジアミン残基に対して、好ましくは20モル%以上、より好ましくは50モル%以上、更に好ましくは60〜90モル%の範囲内がよい。   The diamine residue represented by the general formula (1) tends to form an ordered structure, and can particularly advantageously suppress the amount of change in in-plane retardation (RO) under a high temperature environment. From such a viewpoint, the diamine residue represented by the general formula (1) is preferably 20 mol% or more, more preferably 50 mol% or more, and still more preferably based on the total diamine residues contained in the polyimide. The range of 60 to 90 mol% is preferable.

一般式(1)で表されるジアミン残基の好ましい具体例としては、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)、2,2’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−EB)、2,2’−ジエトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(m−EOB)、2,2’−ジプロポキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(m−POB)、2,2’−n−プロピル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−NPB)、2,2’−ジビニル−4,4’−ジアミノビフェニル(VAB)、4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノ-2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)等のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。これらの中でも特に、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)は、秩序構造を形成しやすく、高温環境下での面内リタデーション(RO)の変化量を小さくすることができるので特に好ましい。   Preferable specific examples of the diamine residue represented by the general formula (1) include 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl (m-TB) and 2,2′-diethyl-4,4 ′. -Diaminobiphenyl (m-EB), 2,2'-diethoxy-4,4'-diaminobiphenyl (m-EOB), 2,2'-dipropoxy-4,4'-diaminobiphenyl (m-POB), 2 2,2′-n-propyl-4,4′-diaminobiphenyl (m-NPB), 2,2′-divinyl-4,4′-diaminobiphenyl (VAB), 4,4′-diaminobiphenyl, 4,4 Examples include diamine residues derived from diamine compounds such as' -diamino-2,2'-bis (trifluoromethyl) biphenyl (TFMB). Among these, in particular, 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl (m-TB) tends to form an ordered structure and reduces the amount of change in in-plane retardation (RO) in a high temperature environment. This is particularly preferable.

一般式(1)で表されるジアミン残基以外のジアミン残基としては、p‐フェニレンジアミン(p−PDA)、m‐フェニレンジアミン(m−PDA)等から誘導されるジアミン残基が好ましく挙げられ、より好ましくはp−PDAから誘導されるジアミン残基(以下、PDA残基ともいう。)がよい。PDA残基は、ポリイミドに含まれる全ジアミン残基に対して、好ましくは0〜80モル%の範囲内、より好ましくは0〜50モル%の範囲内がよい。PDA残基は任意であるが、熱膨張係数の制御とガラス転移温度の制御の役割を担う残基である。   Preferred examples of the diamine residue other than the diamine residue represented by the general formula (1) include diamine residues derived from p-phenylenediamine (p-PDA), m-phenylenediamine (m-PDA) and the like. More preferred is a diamine residue derived from p-PDA (hereinafter also referred to as PDA residue). The PDA residue is preferably in the range of 0 to 80 mol%, more preferably in the range of 0 to 50 mol%, based on all diamine residues contained in the polyimide. The PDA residue is optional, but is a residue that plays a role in controlling the thermal expansion coefficient and the glass transition temperature.

なお、本明細書において、「ジアミン化合物」は、末端の二つのアミノ基における水素原子が置換されていてもよく、例えば−NR(ここで、R,Rは、独立にアルキル基などの任意の置換基を意味する)であってもよい。 In the present specification, the “diamine compound” may have a hydrogen atom in two terminal amino groups substituted, for example, —NR 3 R 4 (where R 3 and R 4 are independently alkyl Meaning an arbitrary substituent such as a group).

また、ポリイミドフィルムとした場合の伸度及び折り曲げ耐性等を向上させるため、ポリイミドが、下記の一般式(2)〜(4)で表されるジアミン残基からなる群より選ばれる少なくとも1種のジアミン残基を含むことが好ましい。   Moreover, in order to improve the elongation and bending resistance in the case of a polyimide film, the polyimide is at least one selected from the group consisting of diamine residues represented by the following general formulas (2) to (4). It preferably contains a diamine residue.

Figure 2019143043
Figure 2019143043

上記式(2)において、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、又はハロゲン原子、又は炭素数1〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基、又は炭素数1〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルコキシ基、又は炭素数2〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルケニル基を示し、Xは独立に−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、m及びnは独立に1〜4の整数を示す。 In the above formula (2), R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group that may be substituted with a halogen atom having 1 to 4 carbon atoms, or a halogen atom having 1 to 4 carbon atoms. Or an alkenyl group that may be substituted with a halogen atom having 2 to 4 carbon atoms, and X independently represents —O—, —S—, —CH 2 —, —CH (CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , -CO-, -COO-, -SO 2- , -NH- or -NHCO- represents a divalent group, and m and n are each independently 1 Represents an integer of ~ 4.

Figure 2019143043
Figure 2019143043

上記式(3)において、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、又はハロゲン原子、又は炭素数1〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基、又は炭素数1〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルコキシ基、又は炭素数2〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルケニル基を示し、Xは独立に−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、m、n及びoは独立に1〜4の整数を示す。 In the above formula (3), R 5 , R 6 and R 7 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group which may be substituted with a halogen atom having 1 to 4 carbon atoms, or a carbon number having 1 to 4 Represents an alkoxy group that may be substituted with a halogen atom, or an alkenyl group that may be substituted with a halogen atom having 2 to 4 carbon atoms, and X independently represents —O—, —S—, —CH 2 —, — A divalent group selected from CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —NH— or —NHCO—; o independently represents an integer of 1 to 4.

Figure 2019143043
Figure 2019143043

上記式(4)において、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、又はハロゲン原子、又は炭素数1〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基、又は炭素数1〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルコキシ基、又は炭素数2〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルケニル基を示し、X及びXはそれぞれ独立に単結合、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示すが、X及びXの両方が単結合である場合を除くものとし、m、n、o及びpは独立に1〜4の整数を示す。 In the above formula (4), R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group which may be substituted with a C 1-4 halogen atom, or a carbon number. 1 represents an alkoxy group that may be substituted with 1 to 4 halogen atoms or an alkenyl group that may be substituted with 2 to 4 carbon atoms, and X 1 and X 2 each independently represent a single bond, —O— , —S—, —CH 2 —, —CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —NH— or —NHCO—. A divalent group is shown, except that both X 1 and X 2 are single bonds, and m, n, o and p each independently represent an integer of 1 to 4.

なお、「独立に」とは、上記式(2)から(4)の内の一つにおいて、または(2)から(4)において、複数の連結基X、連結基X、X、複数の置換基R、R、R、R、さらに、整数m、n、o、pが、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。 Note that “independently” means that in one of the above formulas (2) to (4) or (2) to (4), a plurality of linking groups X, linking groups X 1 , X 2 , Means that the substituents R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , and integers m, n, o, and p may be the same or different.

一般式(2)〜(4)で表されるジアミン残基は、屈曲性の部位を有するので、ポリイミドフィルムに柔軟性を付与することができる。ここで、一般式(3)及び(4)で表されるジアミン残基は、ベンゼン環が3個又は4個であるので、熱膨張係数(CTE)の増加を抑制するために、ベンゼン環に結合する末端基はパラ位とすることが好ましい。また、ポリイミドフィルムに柔軟性を付与しながら熱膨張係数(CTE)の増加を抑制する観点から、一般式(2)〜(4)で表されるジアミン残基は、ポリイミドに含まれる全ジアミン残基に対して、好ましくは3〜40モル%の範囲内、より好ましくは3〜30モル%の範囲内がよい。一般式(2)〜(4)で表されるジアミン残基が3モル%未満であると、フィルムとした場合の伸度が低下し、折り曲げ耐性等の低下が生じる。一方、40モル%を超えると、分子の配向性が低下し、低CTE化が困難となる。   Since the diamine residue represented by the general formulas (2) to (4) has a flexible portion, flexibility can be imparted to the polyimide film. Here, since the diamine residue represented by the general formulas (3) and (4) has 3 or 4 benzene rings, the benzene residue is added to the benzene ring in order to suppress an increase in the coefficient of thermal expansion (CTE). The terminal group to be bonded is preferably in the para position. Moreover, from the viewpoint of suppressing an increase in the coefficient of thermal expansion (CTE) while imparting flexibility to the polyimide film, the diamine residues represented by the general formulas (2) to (4) are all diamine residues contained in the polyimide. Preferably it is in the range of 3 to 40 mol%, more preferably in the range of 3 to 30 mol%, based on the group. When the diamine residue represented by the general formulas (2) to (4) is less than 3 mol%, the elongation in the case of a film is lowered, and the bending resistance and the like are lowered. On the other hand, when it exceeds 40 mol%, the orientation of the molecule is lowered and it is difficult to reduce CTE.

一般式(2)において、基R及びRの好ましい例としては、水素原子又は炭素数1〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基、あるいは炭素数1〜3のアルコキシ基若しくは炭素数2〜3のアルケニル基を挙げることができる。また、一般式(2)において、連結基Xの好ましい例としては、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−SO−又は−CO−を挙げることができる。一般式(2)で表されるジアミン残基の好ましい具体例としては、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル(4,4'-DAPE)、3,3'−ジアミノジフェニルエーテル、3,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、3,3'−ジアミノジフェニルメタン、3,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルプロパン、3,3'−ジアミノジフェニルプロパン、3,4'−ジアミノジフェニルプロパン、4,4'−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3'−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4'−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、3,3'−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−ジアミノベンゾフェノン、3,4'−ジアミノベンゾフェノン、3,3'−ジアミノベンゾフェノン等のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。 In the general formula (2), preferred examples of the groups R 5 and R 6 include a hydrogen atom or an alkyl group which may be substituted with a halogen atom having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms or a carbon atom. The alkenyl group of several 2-3 can be mentioned. In the general formula (2), preferred examples of the linking group X include —O—, —S—, —CH 2 —, —CH (CH 3 ) —, —SO 2 — or —CO—. Can do. Preferable specific examples of the diamine residue represented by the general formula (2) include 4,4′-diaminodiphenyl ether (4,4′-DAPE), 3,3′-diaminodiphenyl ether, and 3,4′-diaminodiphenyl ether. 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 3,4'-diaminodiphenyl Propane, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 3,3′-diaminodiphenyl sulfide, 3,4′-diaminodiphenyl sulfide, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 3,3′-diaminodiphenyl sulfone, 4,4 '-Diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, etc. It includes diamine residues derived from a diamine compound.

一般式(3)において、基R、R及びRの好ましい例としては、水素原子又は炭素数1〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基、あるいは炭素数1〜3のアルコキシ基若しくは炭素数2〜3のアルケニル基を挙げることができる。また、一般式(3)において、連結基Xの好ましい例としては、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−SO−又は−CO−を挙げることができる。一般式(3)で表されるジアミン残基の好ましい具体例としては、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−R)、1,4−ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−Q)、ビス(4‐アミノフェノキシ)−2,5−ジ−tert−ブチルベンゼン(DTBAB)、4,4−ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゾフェノン(BAPK)、1,3-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼン1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼン等のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。 In the general formula (3), preferred examples of the groups R 5 , R 6 and R 7 include a hydrogen atom or an alkyl group which may be substituted with a halogen atom having 1 to 4 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms. Group or an alkenyl group having 2 to 3 carbon atoms. In the general formula (3), preferred examples of the linking group X include —O—, —S—, —CH 2 —, —CH (CH 3 ) —, —SO 2 — or —CO—. Can do. Preferable specific examples of the diamine residue represented by the general formula (3) include 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-R), 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene ( TPE-Q), bis (4-aminophenoxy) -2,5-di-tert-butylbenzene (DTBAB), 4,4-bis (4-aminophenoxy) benzophenone (BAPK), 1,3-bis [2 Examples include diamine residues derived from diamine compounds such as-(4-aminophenyl) -2-propyl] benzene 1,4-bis [2- (4-aminophenyl) -2-propyl] benzene.

一般式(4)において、基R、R、R及びRの好ましい例としては、水素原子又は炭素数1〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基、あるいは炭素数1〜3のアルコキシ基若しくは炭素数2〜3のアルケニル基を挙げることができる。また、一般式(4)において、連結基X及びXの好ましい例としては、単結合、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−SO−又は−CO−を挙げることができる。但し、屈曲部位を付与する観点から、連結基X及びXの両方が単結合である場合を除くものとする。一般式(4)で表されるジアミン残基の好ましい具体例としては、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル(BAPB)、2,2’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、2,2’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル(BAPE)、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン等のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。 In the general formula (4), preferred examples of the groups R 5 , R 6 , R 7 and R 8 include a hydrogen atom or an alkyl group which may be substituted with a halogen atom having 1 to 4 carbon atoms, or 1 to 1 carbon atoms. 3 alkoxy groups or alkenyl groups having 2 to 3 carbon atoms. In the general formula (4), preferred examples of the linking groups X 1 and X 2 include a single bond, —O—, —S—, —CH 2 —, —CH (CH 3 ) —, —SO 2 —. Or -CO- can be mentioned. However, from the viewpoint of providing a bent portion, the case where both of the linking groups X 1 and X 2 are single bonds is excluded. Preferable specific examples of the diamine residue represented by the general formula (4) include 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl (BAPB), 2,2′-bis [4- (4-aminophenoxy). ) Phenyl] propane (BAPP), 2,2′-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether (BAPE), bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone and other diamine compounds. Diamine residues.

その他のジアミン残基としては、例えば、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[1-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、9,9-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、2,2−ビス-[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、4,4’-メチレンジ-o-トルイジン、4,4’-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4’-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、3,3’-ジアミノジフェニルエタン、3,3’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメトキシベンジジン、3,3''-ジアミノ-p-テルフェニル、4,4'-[1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、4,4'-[1,3-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン等の芳香族ジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。   Examples of other diamine residues include 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, and bis [4- (3- Aminophenoxy) biphenyl, bis [1- (3-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy)] benzophenone, 9,9-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] fluorene, 2,2-bis- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2, 2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-methylenedi-o-toluidine, 4,4'- Methylenedi-2,6-xylidine, 4,4'-methylene-2,6 -Diethylaniline, 3,3'-diaminodiphenylethane, 3,3'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, 3,3 ''-diamino-p-terphenyl, 4,4 '-[1, 4-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4 '-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, bis (p-aminocyclohexyl) methane, bis (p-β-amino -t-butylphenyl) ether, bis (p-β-methyl-δ-aminopentyl) benzene, p-bis (2-methyl-4-aminopentyl) benzene, p-bis (1,1-dimethyl-5- Aminopentyl) benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,4-bis (β-amino-t-butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2,5- Diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diamino Examples thereof include diamine residues derived from aromatic diamine compounds such as pyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole and piperazine.

ポリイミドにおいて、上記テトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類や、2種以上のテトラカルボン酸残基又はジアミン残基を適用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張係数、貯蔵弾性率、引張弾性率等を制御することができる。また、非熱可塑性ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、面内リタデーション(RO)のばらつきを抑制する観点から、ランダムに存在することが好ましい。   In polyimide, by selecting the types of tetracarboxylic acid residues and diamine residues, and the molar ratios when two or more tetracarboxylic acid residues or diamine residues are applied, the thermal expansion coefficient, storage The elastic modulus, tensile elastic modulus, etc. can be controlled. In addition, in a non-thermoplastic polyimide, when it has a plurality of polyimide structural units, it may exist as a block or randomly, but it is random from the viewpoint of suppressing variation in in-plane retardation (RO). It is preferable that it exists in.

<ポリイミドフィルムの製造方法>
本実施の形態のポリイミドフィルムの製造方法の態様として、例えば、[1]支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥した後、イミド化してポリイミドフィルムを製造する方法、[2]支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥した後、ポリアミド酸のゲルフィルムを支持基材から剥がし、イミド化してポリイミドフィルムを製造する方法がある。また、本実施の形態のポリイミドフィルムは、複数層のポリイミド層からなるポリイミドフィルムである場合、その製造方法の態様としては、例えば[3]支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥することを複数回繰り返した後、イミド化を行う方法(キャスト法)、[4]多層押出により、同時にポリアミド酸を多層に積層した状態で塗布・乾燥した後、イミド化を行う方法(多層押出法)などが挙げられる。
<Manufacturing method of polyimide film>
As an aspect of the manufacturing method of the polyimide film of this embodiment, for example, [1] A method of manufacturing a polyimide film by imidizing after applying and drying a polyamic acid solution on a supporting substrate, [2] supporting group There is a method of producing a polyimide film by applying a polyamic acid solution to a material and drying it, then peeling the polyamic acid gel film from a supporting substrate and imidizing it. Moreover, when the polyimide film of this Embodiment is a polyimide film which consists of a polyimide layer of multiple layers, as an aspect of the manufacturing method, for example, [3] A polyamic acid solution is apply | coated and dried to a support base material. A method of performing imidization after repeating this several times (casting method), [4] A method of performing imidization after applying and drying polyamic acid in multiple layers simultaneously by multilayer extrusion (multilayer extrusion method) ) And the like.

上記[1]の方法は、例えば、次の工程1a〜1c;
(1a)支持基材にポリアミド酸の溶液を塗布し、乾燥させる工程と、
(1b)支持基材上でポリアミド酸を熱処理してイミド化することによりポリイミド層を形成する工程と、
(1c)支持基材とポリイミド層とを分離することによりポリイミドフィルムを得る工程と、
を含むことができる。
The method of [1] is, for example, the following steps 1a to 1c;
(1a) applying a polyamic acid solution to a supporting substrate and drying;
(1b) forming a polyimide layer by heat-treating polyamic acid on a supporting substrate and imidizing;
(1c) a step of obtaining a polyimide film by separating the support substrate and the polyimide layer;
Can be included.

上記[2]の方法は、例えば、次の工程2a〜2c;
(2a)支持基材にポリアミド酸の溶液を塗布し、乾燥させる工程と、
(2b)支持基材とポリアミド酸のゲルフィルムとを分離する工程と、
(2c)ポリアミド酸のゲルフィルムを熱処理してイミド化することによりポリイミドフィルムを得る工程と、
を含むことができる。
The method of [2] is, for example, the following steps 2a to 2c;
(2a) applying a polyamic acid solution to a supporting substrate and drying;
(2b) a step of separating the support substrate and the polyamic acid gel film;
(2c) a step of obtaining a polyimide film by heat-treating the polyamic acid gel film and imidizing;
Can be included.

上記[3]の方法は、上記[1]の方法又は[2]の方法において、工程1a又は工程2aを複数回繰り返し、支持基材上にポリアミド酸の積層構造体を形成する以外は、上記[1]の方法又は[2]の方法と同様に実施できる。   The method [3] is the same as the method [1] or [2] except that the step 1a or the step 2a is repeated a plurality of times to form a polyamic acid laminated structure on the support substrate. It can be carried out in the same manner as the method [1] or [2].

上記[4]の方法は、上記[1]の方法の工程1a、又は[2]の方法の工程2aにおいて、多層押出により、同時にポリアミド酸の積層構造体を塗布し、乾燥させる以外は、上記[1]の方法又は[2]の方法と同様に実施できる。   The method [4] is the same as the method [1] except that in step 1a of the method [2] or step 2a of the method [2], the laminated structure of polyamic acid is simultaneously applied and dried by multilayer extrusion. It can be carried out in the same manner as the method [1] or [2].

本発明で製造されるポリイミドフィルムは、支持基材上でポリアミド酸のイミド化を完結させることが好ましい。ポリアミド酸の樹脂層が支持基材に固定された状態でイミド化されるので、イミド化過程におけるポリイミド層の伸縮変化を抑制して、ポリイミドフィルムの厚みや寸法精度を維持することができる。   It is preferable that the polyimide film manufactured by this invention completes the imidation of a polyamic acid on a support base material. Since the polyamic acid resin layer is imidized in a state of being fixed to the support substrate, it is possible to suppress the expansion and contraction change of the polyimide layer in the imidization process, and to maintain the thickness and dimensional accuracy of the polyimide film.

また、支持基材上のポリアミド酸のゲルフィルムを分離し、ポリアミド酸のゲルフィルムを一軸延伸又は二軸延伸と同時あるいは連続的にイミド化を行う方法によって、面内リタデ−ション(RO)を制御してもよい。この際、ROをより精密に高度に制御するために、延伸操作及びイミド化時の昇温速度、イミド化の完結温度、荷重等の条件を適宜調整することが好ましい。   Further, the polyamic acid gel film on the support substrate is separated, and the polyamic acid gel film is subjected to in-plane retardation (RO) by imidization simultaneously or continuously with uniaxial stretching or biaxial stretching. You may control. At this time, in order to control RO more precisely and highly, it is preferable to appropriately adjust conditions such as the stretching operation and the heating rate during imidization, the imidation completion temperature, and the load.

<ポリイミドの合成>
一般にポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミン化合物を溶媒中で反応させ、ポリアミド酸を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、0〜100℃の範囲内の温度で30分〜24時間撹拌し重合反応させることでポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に5〜30重量%の範囲内、好ましくは10〜20重量%の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、2−ブタノン、ジメチルスホキシド(DMSO)、ヘキサメチルホスホルアミド、N−メチルカプロラクタム、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、クレゾール等が挙げられる。これらの溶媒を2種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶媒の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液の濃度が5〜30重量%程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。
<Synthesis of polyimide>
In general, a polyimide can be produced by reacting a tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound in a solvent to form a polyamic acid and then ring-closing with heating. For example, a precursor of polyimide by dissolving a tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound in an organic solvent in an approximately equimolar amount, and stirring and polymerizing at a temperature in the range of 0 to 100 ° C. for 30 minutes to 24 hours. A polyamic acid is obtained. In the reaction, the reaction components are dissolved so that the precursor to be produced is in the range of 5 to 30% by weight, preferably in the range of 10 to 20% by weight in the organic solvent. Examples of the organic solvent used in the polymerization reaction include N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMAc), N, N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), 2 -Butanone, dimethyl sulfoxide (DMSO), hexamethylphosphoramide, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfate, cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran, diglyme, triglyme, cresol and the like. Two or more of these solvents can be used in combination, and further, aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene can be used in combination. In addition, the amount of such organic solvent used is not particularly limited, but it should be adjusted so that the concentration of the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction is about 5 to 30% by weight. Is preferred.

合成されたポリアミド酸は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリアミド酸は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。ポリアミド酸の溶液の粘度は、500cps〜100,000cpsの範囲内であることが好ましい。この範囲を外れると、コーター等による塗工作業の際にフィルムに厚みムラ、スジ等の不良が発生し易くなる。ポリアミド酸をイミド化させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、80〜400℃の範囲内の温度条件で1〜24時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。   The synthesized polyamic acid is usually advantageously used as a reaction solvent solution, but can be concentrated, diluted or replaced with another organic solvent as necessary. Moreover, since polyamic acid is generally excellent in solvent solubility, it is advantageously used. The viscosity of the polyamic acid solution is preferably in the range of 500 cps to 100,000 cps. If it is out of this range, defects such as uneven thickness and streaks are likely to occur in the film during the coating operation by a coater or the like. The method for imidizing the polyamic acid is not particularly limited, and for example, heat treatment in which heating is performed in the solvent at a temperature within the range of 80 to 400 ° C. for 1 to 24 hours is suitably employed.

[ポリイミド積層体]
本発明の一実施の形態に係るポリイミド積層体300は、例えば図1に示すように、離型ポリイミドフィルム100からなる層と、該離型ポリイミドフィルム100に直接積層されたポリイミドフィルム200からなる層と、を備えている。ポリイミドフィルム200は、例えば表示装置等の電子デバイスにおける樹脂基板(ポリイミド基材)として好適に利用できる。つまり、ポリイミドフィルム200は、例えば電子デバイスにおける樹脂基板若しくは樹脂基材の用途に利用できる。
[Polyimide laminate]
A polyimide laminate 300 according to an embodiment of the present invention includes a layer made of a release polyimide film 100 and a layer made of a polyimide film 200 directly laminated on the release polyimide film 100, as shown in FIG. And. The polyimide film 200 can be suitably used as, for example, a resin substrate (polyimide substrate) in an electronic device such as a display device. That is, the polyimide film 200 can be used for, for example, a resin substrate or a resin base material in an electronic device.

<離型ポリイミドフィルム>
離型ポリイミドフィルム100は、前記のポリイミドフィルム200がその境界面から容易に分離できることが好ましい。好適には、離型ポリイミドフィルム100とポリイミドフィルム200との界面における接着強度が1N/m以上500N/m以下、より好適には2N/m以上300N/m以下、更に好適には10N/m以上200N/m以下であることによって、人の手で容易に剥離できる程度の分離性を備える。
<Release polyimide film>
The release polyimide film 100 is preferably such that the polyimide film 200 can be easily separated from the boundary surface. Preferably, the adhesive strength at the interface between the release polyimide film 100 and the polyimide film 200 is 1 N / m or more and 500 N / m or less, more preferably 2 N / m or more and 300 N / m or less, and even more preferably 10 N / m or more. By being 200 N / m or less, it has a separability enough to be easily peeled off by human hands.

離型ポリイミドフィルム100の熱膨張係数は、反りを抑制するため、25ppm/K以下であることが好ましく、10ppm/K以下であることがより好ましい。また、前記のポリイミドフィルム200の剥離性及び耐熱性の観点から、離型ポリイミドフィルム100のガラス転移温度(Tg)が300℃以上であるのがよい。具体例として、例えば、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とフェニレンジアミンとからなる構造単位を主成分とするポリイミド等が挙げられる。市販品としては、例えば、宇部興産社製のユーピレックス−Sや東レ・デュポン社製のカプトン、東洋紡績社製のゼノマックス等を用いることができる。   The thermal expansion coefficient of the release polyimide film 100 is preferably 25 ppm / K or less and more preferably 10 ppm / K or less in order to suppress warpage. Moreover, from the viewpoint of the peelability and heat resistance of the polyimide film 200, the glass transition temperature (Tg) of the release polyimide film 100 is preferably 300 ° C. or higher. As a specific example, for example, polyimide having a structural unit composed of biphenyltetracarboxylic dianhydride and phenylenediamine as a main component can be cited. Examples of commercially available products include Upilex-S manufactured by Ube Industries, Kapton manufactured by Toray DuPont, and Xenomax manufactured by Toyobo.

離型ポリイミドフィルム100の厚みは特に限定されるものではないが、生産安定性及びハンドリング性の観点から、10μm以上とすることが好ましい。厚みの上限は特に制限されるものではないが、コスト性等を考慮すれば100μm以下であるのが望ましい。   The thickness of the release polyimide film 100 is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more from the viewpoint of production stability and handling properties. The upper limit of the thickness is not particularly limited, but is preferably 100 μm or less in consideration of cost and the like.

離型ポリイミドフィルム100は、ポリイミドフィルム200との接着強度を調整するために、離型ポリイミドフィルム100の表面を例えばプラズマ処理などの改質処理を施して表面状態の濡れ性を大きくしても良いし、あるいは熱処理を施して表面状態の濡れ性を小さくしてもよい。   In order to adjust the adhesive strength with the polyimide film 200, the release polyimide film 100 may be subjected to a modification treatment such as plasma treatment on the surface of the release polyimide film 100 to increase the wettability of the surface state. Alternatively, heat treatment may be performed to reduce the wettability of the surface state.

<ポリイミド積層体の製造方法>
本実施の形態のポリイミド積層体300の製造方法の態様として、[1]離型ポリイミドフィルム100に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥した後、イミド化してポリイミドフィルム200の層を形成することによって、ポリイミド積層体300を製造する方法、[2]離型ポリイミドフィルム100に、前記のポリイミドフィルム200を圧着してポリイミド積層体300を製造する方法があるが、[1]の製造方法を採用することが好ましい。上記[1]の方法では、イミド化過程でポリイミドフィルム200の伸縮変化が抑制されるため、ポリイミドフィルム200の厚みや寸法を高精度に制御することができる。また、離型ポリイミドフィルム100とポリイミドフィルム200との剥離性を良好にするために、例えば離型ポリイミドフィルム100のガラス転移温度Tgとポリイミドフィルム200のガラス転移温度Tgとの関係を、Tg≦Tg≦Tg+30℃とし、イミド化の際の熱処理温度の上限Tmaxを、Tg≦Tmax≦Tg+30℃とすることがよい。
<Method for producing polyimide laminate>
As an aspect of the manufacturing method of the polyimide laminated body 300 of this Embodiment, [1] After apply | coating and drying the solution of a polyamic acid to the mold release polyimide film 100, it imidizes and forms the layer of the polyimide film 200 There is a method for producing the polyimide laminate 300, and [2] there is a method for producing the polyimide laminate 300 by pressure-bonding the polyimide film 200 to the release polyimide film 100. The production method of [1] is employed. It is preferable. In the method [1], since the expansion / contraction change of the polyimide film 200 is suppressed during the imidization process, the thickness and dimensions of the polyimide film 200 can be controlled with high accuracy. In order to improve the releasability of the release polyimide film 100 and the polyimide film 200, the relation between the glass transition temperature Tg 2 of the glass transition temperature Tg 1 and the polyimide film 200, for example, release the polyimide film 100, Tg It is preferable that 1 ≦ Tg 2 ≦ Tg 1 + 30 ° C., and the upper limit T max of the heat treatment temperature during imidization is Tg 1 ≦ T max ≦ Tg 1 + 30 ° C.

[表示装置の製造方法]
図2は、本実施の形態の表示装置の製造方法における概略の工程図である。表示装置の製造方法では、予め支持体400上にポリイミド積層体300を備えたものを用いるようにする。そして、ポリイミド積層体300のポリイミドフィルム200側に所定の表示部500を形成し、その後、離型ポリイミドフィルム100とポリイミドフィルム200との境界面で分離することで、ポリイミドフィルム200からなる樹脂基板(ポリイミド基材)上に表示部500を備えた表示装置600を製造することができる。
[Manufacturing method of display device]
FIG. 2 is a schematic process diagram in the manufacturing method of the display device of the present embodiment. In the manufacturing method of the display device, a substrate provided with the polyimide laminate 300 on the support 400 in advance is used. And the predetermined | prescribed display part 500 is formed in the polyimide film 200 side of the polyimide laminated body 300, Then, it isolate | separates in the boundary surface of the mold release polyimide film 100 and the polyimide film 200, The resin substrate ( The display device 600 including the display unit 500 on the polyimide base material can be manufactured.

より具体的には、先ず、液晶表示装置や有機EL表示装置、LED素子等における表示部500の製造工程で台座となる支持体400を準備する。この支持体400については、各種表示装置を形成する表示部500の製造過程での熱履歴や雰囲気等に耐え得るような化学的強度や機械的強度を備えたものであれば特に制限されず、ガラス基板や金属基板が例示されるが、好適には、ガラス基板を用いるのがよい。ガラス基板は、例えば、有機EL表示装置の製造において一般的に使用されるものを利用することができる。ガラス基板は、ポリイミド基材上に表示部500を形成する際に台座の役割をするものであって、表示部500の製造過程でポリイミド基材の取り扱い性や寸法安定性等を担保することはあっても、最終的には除去されて表示装置600を構成するものではない。   More specifically, first, a support 400 serving as a base in the manufacturing process of the display unit 500 in a liquid crystal display device, an organic EL display device, an LED element, or the like is prepared. The support 400 is not particularly limited as long as it has chemical strength and mechanical strength that can withstand heat history, atmosphere, and the like in the manufacturing process of the display unit 500 that forms various display devices. Although a glass substrate and a metal substrate are illustrated, it is preferable to use a glass substrate. As the glass substrate, for example, those generally used in the production of organic EL display devices can be used. The glass substrate serves as a pedestal when the display unit 500 is formed on the polyimide base material. In the manufacturing process of the display unit 500, it is possible to ensure the handleability and dimensional stability of the polyimide base material. Even if it exists, it is finally removed and the display device 600 is not configured.

この支持体400の上にポリイミド積層体300を設けるわけであるが、その方法としては、支持体400にポリイミド積層体300を、直接、接着させ積層させてもよく、又は、任意の接着層を介して積層させてもよい。図2(a)は、支持体400にポリイミド積層体300を、直接積層した状態を示している。図2(a)に示す積層体は、予め作製したポリイミド積層体300と支持体400とを貼り合わせる方法で作製してもよいし、キャスト法によって、支持体400上に、離型ポリイミドフィルム100を構成するポリイミドもしくはその前駆体の樹脂溶液、及びポリイミドフィルム200を構成するポリイミドもしくはその前駆体の樹脂溶液を、順次塗布し、加熱することによって、作製してもよい。   The polyimide laminate 300 is provided on the support 400. As the method, the polyimide laminate 300 may be directly adhered to the support 400 and laminated, or an arbitrary adhesive layer may be formed. You may make it laminate. FIG. 2A shows a state in which the polyimide laminate 300 is directly laminated on the support 400. The laminate shown in FIG. 2A may be produced by a method in which a polyimide laminate 300 produced in advance and a support 400 are bonded together, or the release polyimide film 100 is formed on the support 400 by a casting method. The polyimide or its precursor resin solution that constitutes the polyimide, and the polyimide or its precursor resin solution that constitutes the polyimide film 200 may be sequentially applied and heated.

図2(b)は、ポリイミド積層体300におけるポリイミドフィルム200の表面に表示部500を形成した状態を示している。表示部500は、例えば、TFT素子、有機EL素子、カラーフィルター、LED、トランジスタ、電子放出素子、電子インク、電気泳動素子、GLV(グレーティングライトバルブ)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)を用いた表示素子、DMD(デジタルマイクロミラーデバイス)、DMS(デジタル・マイクロ・シャッター)、IMOD(インターフェロメトリック・モジュレーション)素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子などを含んでいてもよい。   FIG. 2B shows a state in which the display unit 500 is formed on the surface of the polyimide film 200 in the polyimide laminate 300. The display unit 500 includes, for example, a TFT element, an organic EL element, a color filter, an LED, a transistor, an electron emitting element, electronic ink, an electrophoretic element, GLV (grating light valve), and MEMS (micro electro mechanical system). Display elements used, DMD (digital micromirror device), DMS (digital micro shutter), IMOD (interferometric modulation) element, electrowetting element, piezoelectric ceramic display, display element using carbon nanotube, etc. May be included.

図2(c)は、表示部500を形成した後、離型ポリイミドフィルム100とポリイミドフィルム200との境界面で分離することによって、ポリイミドフィルム200を基材とし、その上に表示部500を備えた表示装置600を得た状態を示している。なお、表示部500を形成した後、先ず、支持体400を除去し、その後で、離型ポリイミドフィルム100とポリイミドフィルム200との境界面で分離してもよい。   In FIG. 2C, after forming the display unit 500, the polyimide film 200 is used as a base material by separating at the boundary surface between the release polyimide film 100 and the polyimide film 200, and the display unit 500 is provided thereon. The display device 600 obtained is shown. In addition, after forming the display part 500, you may remove | separate in the boundary surface of the mold release polyimide film 100 and the polyimide film 200 after removing the support body 400 first.

以上のようにして、ポリイミドフィルム200からなる樹脂基板(ポリイミド基材)上に表示部500を備えた表示装置600を製造することができる。   As described above, the display device 600 including the display unit 500 on the resin substrate (polyimide substrate) made of the polyimide film 200 can be manufactured.

以下に実施例を示し、本発明の特徴をより具体的に説明する。ただし、本発明の範囲は、実施例に限定されない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。   The features of the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the scope of the present invention is not limited to the examples. In the following examples, various measurements and evaluations are as follows unless otherwise specified.

[熱膨張係数(CTE)の測定]
3mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、サーモメカニカルアナライザー(Bruker社製、商品名;4000SA)を用い、5.0gの荷重を加えながら一定の昇温速度で30℃から250℃まで昇温させ、更にその温度で10分保持した後、5℃/分の速度で冷却し、250℃から100℃までの平均熱膨張係数(熱膨張係数)を求めた。なお、CTE−MDとは、長手(MD)方向の熱膨張係数、CTE−TDとは、幅(TD)方向の熱膨張係数である。
[Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)]
Using a thermomechanical analyzer (manufactured by Bruker, trade name: 4000SA), a polyimide film having a size of 3 mm × 20 mm was heated from 30 ° C. to 250 ° C. at a constant heating rate while applying a load of 5.0 g. Furthermore, after maintaining at that temperature for 10 minutes, it was cooled at a rate of 5 ° C./minute, and an average thermal expansion coefficient (thermal expansion coefficient) from 250 ° C. to 100 ° C. was determined. CTE-MD is a thermal expansion coefficient in the longitudinal (MD) direction, and CTE-TD is a thermal expansion coefficient in the width (TD) direction.

[面内リタデーション(RO)の測定]
複屈折率計(フォトニックラティス社製、商品名;ワイドレンジ複屈折評価システムWPA−100、測定エリア;MD:200mm×TD:150mm)を用いて、所定のサンプルの面内方向のリタデーションを求めた。なお、入射角は0°、測定波長は543nmである。
[Measurement of in-plane retardation (RO)]
Using a birefringence meter (manufactured by Photonic Lattice, trade name: wide-range birefringence evaluation system WPA-100, measurement area: MD: 200 mm × TD: 150 mm), in-plane direction retardation of a predetermined sample is obtained. It was. The incident angle is 0 ° and the measurement wavelength is 543 nm.

[厚さ方向のリタデーション(ROL)の測定]
ポリイミドフィルムのウルトラミクロトームによる薄膜切断により調製したサンプルを、顕微鏡型複屈折率計(フォトニックラティス社製、商品名;PI−micro)を用いて、厚さ方向のリタデーションを測定した。なお、入射角は0°、測定波長は520nmである。
[Measurement of retardation in thickness direction (ROL)]
A sample prepared by thin-film cutting of a polyimide film with an ultramicrotome was used to measure retardation in the thickness direction using a microscopic birefringence meter (trade name: PI-micro) manufactured by Photonic Lattice. The incident angle is 0 ° and the measurement wavelength is 520 nm.

[反りの測定]
ポリイミドフィルムの反りは、50mm×50mmのサイズのポリイミドフィルムを23℃、湿度50%で、20時間調湿後、サンプルの中央部の凸面が平らな面上に接するよう静置し、サンプルの4角の静置面からの浮き上がりの距離を計測し、その平均値を平均反り量とした。
[Measurement of warpage]
The polyimide film was warped by adjusting the polyimide film having a size of 50 mm × 50 mm at 23 ° C. and a humidity of 50% for 20 hours, and then allowing the convex surface at the center of the sample to be in contact with a flat surface. The distance of lifting from the stationary surface of the corner was measured, and the average value was taken as the average warpage.

[接着強度の評価]
接着強度は、東洋精機製作所社製、ストログラフR−1を用いて、幅25mmの短冊状に切断したサンプルについて、T字剥離試験法による180°ピール強度を測定することにより評価した。
[Evaluation of adhesive strength]
The adhesive strength was evaluated by measuring 180 ° peel strength by a T-peeling test method on a sample cut into a strip shape having a width of 25 mm using a strograph R-1 manufactured by Toyo Seiki Seisakusho.

実施例及び比較例に用いた略号は、以下の化合物を示す。
m−TB:2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル
DAPE:4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
PMDA:ピロメリット酸二無水物
BPDA:3,3’、4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
DMAc:N,N−ジメチルアセトアミド
Abbreviations used in Examples and Comparative Examples indicate the following compounds.
m-TB: 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl DAPE: 4,4′-diaminodiphenyl ether PMDA: pyromellitic dianhydride BPDA: 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic Acid dianhydride DMAc: N, N-dimethylacetamide

(合成例1)
窒素気流下で、300mlのセパラブルフラスコに、固形分濃度が15重量%となるように、2.550gのDAPE(0.0127モル)、15.333gのm‐TB(0.0721モル)及び212.5gのDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、6.0847gのBPDA(0.0207モル)及び13.532gのPMDA(0.0620モル)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液aを調製した。
(Synthesis Example 1)
Under a nitrogen stream, in a 300 ml separable flask, 2.550 g DAPE (0.0127 mol), 15.333 g m-TB (0.0721 mol) and a solids concentration of 15 wt% and 212.5 g of DMAc was added and dissolved by stirring at room temperature. Next, 6.0847 g of BPDA (0.0207 mol) and 13.532 g of PMDA (0.0620 mol) were added, and then the polymerization reaction was continued for 3 hours at room temperature to prepare a polyamic acid solution a. did.

次に、ポリアミド酸溶液aをステンレス製の支持基材上に、硬化後の厚みが約25μmとなるように均一に塗布した後、130℃で加熱乾燥した。更に、130℃から360℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、樹脂フィルム1(CTE;7.6ppm/K)を調製した。   Next, the polyamic acid solution a was uniformly applied onto a stainless support substrate so that the thickness after curing was about 25 μm, and then dried by heating at 130 ° C. Furthermore, stepwise heat treatment was performed from 130 ° C. to 360 ° C. to complete imidization, and a resin film 1 (CTE; 7.6 ppm / K) was prepared.

(合成例2)
窒素気流下で、300mlのセパラブルフラスコに、固形分濃度が15重量%となるように、1.188gのDAPE(0.0059モル)、16.740gのm‐TB(0.0787モル)及び212.5gのDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、6.071gのBPDA(0.0206モル)及び13.502gのPMDA(0.0618モル)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液bを調製した。
(Synthesis Example 2)
Under a nitrogen stream, 1.188 g DAPE (0.0059 mol), 16.740 g m-TB (0.0787 mol) and a solids concentration of 15 wt% in a 300 ml separable flask and 212.5 g of DMAc was added and dissolved by stirring at room temperature. Next, 6.071 g of BPDA (0.0206 mol) and 13.502 g of PMDA (0.0618 mol) were added, and then the polymerization reaction was continued for 3 hours at room temperature to prepare a polyamic acid solution b. did.

次に、ポリアミド酸溶液bをステンレス製の支持基材上に、硬化後の厚みが約25μmとなるように均一に塗布した後、130℃で加熱乾燥した。更に、130℃から360℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、樹脂フィルム2(CTE;3.9ppm/K)を調製した。   Next, the polyamic acid solution b was uniformly applied on a stainless support substrate so that the thickness after curing was about 25 μm, and then dried at 130 ° C. by heating. Furthermore, stepwise heat treatment was performed from 130 ° C. to 360 ° C. to complete imidization, and a resin film 2 (CTE; 3.9 ppm / K) was prepared.

(合成例3)
窒素気流下で、300mlのセパラブルフラスコに、固形分濃度が15重量%となるように、0.862gのDAPE(0.0043モル)、17.381gのm‐TB(0.0817モル)及び212.5gのDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、3.703gのBPDA(0.0126モル)及び15.554gのPMDA(0.0712モル)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液cを調製した。
(Synthesis Example 3)
Under a nitrogen stream, in a 300 ml separable flask, 0.862 g DAPE (0.0043 mol), 17.381 g m-TB (0.0817 mol) and a solid concentration of 15 wt% and 212.5 g of DMAc was added and dissolved by stirring at room temperature. Next, 3.703 g of BPDA (0.0126 mol) and 15.554 g of PMDA (0.0712 mol) were added, and then the polymerization reaction was continued for 3 hours at room temperature to prepare a polyamic acid solution c. did.

次に、ポリアミド酸溶液cをステンレス製の支持基材上に、硬化後の厚みが約25μmとなるように均一に塗布した後、130℃で加熱乾燥した。更に、130℃から360℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、樹脂フィルム3(CTE;1.3ppm/K)を調製した。   Next, the polyamic acid solution c was uniformly coated on a stainless steel support substrate so that the thickness after curing was about 25 μm, and then heated and dried at 130 ° C. Furthermore, stepwise heat treatment was performed from 130 ° C. to 360 ° C. to complete imidization, and a resin film 3 (CTE; 1.3 ppm / K) was prepared.

[実施例1]
離型ポリイミドフィルム1(東洋紡社製、登録商標;ゼノマックス、厚さ;38μm、長尺状、CTE−MD;2.8ppm/K、CTE−TD;0.8ppm/K)に、合成例2で調製したポリアミド酸溶液bを硬化後の厚みが約25μmとなるように均一に塗布した後、130℃で加熱乾燥した。その後、130℃から360℃まで、段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、常温まで冷却してポリイミド積層体1を調製した。
[Example 1]
Synthesis Example 2 on release polyimide film 1 (registered trademark; manufactured by Toyobo Co., Ltd .; Xenomax, thickness: 38 μm, long shape, CTE-MD; 2.8 ppm / K, CTE-TD; 0.8 ppm / K) The polyamic acid solution b prepared in (1) was uniformly applied so that the thickness after curing was about 25 μm, and then dried by heating at 130 ° C. Thereafter, stepwise heat treatment was performed from 130 ° C. to 360 ° C. to complete imidization, and the polyimide laminate 1 was prepared by cooling to room temperature.

このポリイミド積層体1について、離型ポリイミドフィルム1より剥離することで、ポリイミドフィルム1を調製した。剥離強度は4N/mであった。
ポリイミドフィルム1の評価結果は次のとおりである。なお、支持基材(支持基材としての離型ポリイミドフィルムを含む)より剥離する前の状態において、支持基材に接している側の面をポリイミドフィルムのA面とし、もう一方の表面をポリイミドフィルムのB面とする。
CTE−MD;3.8ppm/K
CTE−TD;4.0ppm/K
面内リタデーション(RO);18nm
平均反り量;1.0mm
A面から深さ方向に4μm地点のリタデーション(ROL);70nm
B面から深さ方向に20μm地点のリタデーション(ROL);69nm
About this polyimide laminated body 1, the polyimide film 1 was prepared by peeling from the mold release polyimide film 1. FIG. The peel strength was 4 N / m.
The evaluation results of the polyimide film 1 are as follows. In addition, in the state before peeling from the support substrate (including the release polyimide film as the support substrate), the surface on the side in contact with the support substrate is the A surface of the polyimide film, and the other surface is the polyimide It is set as B side of a film.
CTE-MD; 3.8 ppm / K
CTE-TD; 4.0 ppm / K
In-plane retardation (RO); 18nm
Average warpage: 1.0mm
Retardation (ROL) at 4 μm point in the depth direction from surface A; 70 nm
Retardation (ROL) at a point of 20 μm in the depth direction from the B surface; 69 nm

[実施例2]
離型ポリイミドフィルム1に、合成例3で調製したポリアミド酸溶液cを硬化後の厚みが約12.5μmとなるように均一に塗布した後、130℃で加熱乾燥した。その上に、合成例1で調製したポリアミド酸溶液aを硬化後の厚みが約12.5μmとなるように均一に塗布し、130℃で加熱乾燥した後、130℃から360℃まで、段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、常温まで冷却してポリイミド積層体2を調製した。
[Example 2]
The polyamic acid solution c prepared in Synthesis Example 3 was uniformly applied to the release polyimide film 1 so that the thickness after curing was about 12.5 μm, and then heated and dried at 130 ° C. On top of that, the polyamic acid solution a prepared in Synthesis Example 1 is uniformly applied so that the thickness after curing is about 12.5 μm, dried at 130 ° C., and then stepwise from 130 ° C. to 360 ° C. A heat treatment was performed to complete imidization, and the mixture was cooled to room temperature to prepare a polyimide laminate 2.

このポリイミド積層体2について、離型ポリイミドフィルム1より剥離することで、ポリイミドフィルム2を調製した。剥離強度は4N/mであった。
ポリイミドフィルム2の評価結果は次のとおりである。
CTE−MD;6.6ppm/K
CTE−TD;6.1ppm/K
面内リタデーション(RO);11nm
平均反り量;1.2mm
第1のポリイミド層(A面側)と第2のポリイミド層(B面側)のCTE差(CTE2−CTE1);6.7ppm/K
About this polyimide laminated body 2, the polyimide film 2 was prepared by peeling from the mold release polyimide film 1. FIG. The peel strength was 4 N / m.
The evaluation results of the polyimide film 2 are as follows.
CTE-MD; 6.6 ppm / K
CTE-TD; 6.1 ppm / K
In-plane retardation (RO); 11 nm
Average warpage: 1.2mm
CTE difference (CTE2-CTE1) between the first polyimide layer (A surface side) and the second polyimide layer (B surface side); 6.7 ppm / K

[実施例3]
離型ポリイミドフィルム1に、合成例3で調製したポリアミド酸溶液cを硬化後の厚みが約16μmとなるように均一に塗布した後、130℃で加熱乾燥した。その上に、合成例2で調製したポリアミド酸溶液bを硬化後の厚みが約9μmとなるように均一に塗布し、130℃で加熱乾燥した後、130℃から360℃まで、段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、常温まで冷却してポリイミド積層体3を調製した。
[Example 3]
The polyamic acid solution c prepared in Synthesis Example 3 was uniformly applied to the release polyimide film 1 so that the thickness after curing was about 16 μm, and then heated and dried at 130 ° C. On top of that, the polyamic acid solution b prepared in Synthesis Example 2 is uniformly applied so that the thickness after curing is about 9 μm, dried at 130 ° C., and then stepwise heat-treated from 130 ° C. to 360 ° C. To complete imidization and cooled to room temperature to prepare a polyimide laminate 3.

このポリイミド積層体3について、離型ポリイミドフィルム1より剥離することで、ポリイミドフィルム3を調製した。剥離強度は4N/mであった。
ポリイミドフィルム3の評価結果は次のとおりである。
CTE−MD;4.0ppm/K
CTE−TD;4.3ppm/K
面内リタデーション(RO);3.0nm
平均反り量;0.7mm
第1のポリイミド層(A面側)と第2のポリイミド層(B面側)のCTE差(CTE2−CTE1);2.6ppm/K
About this polyimide laminated body 3, the polyimide film 3 was prepared by peeling from the mold release polyimide film 1. FIG. The peel strength was 4 N / m.
The evaluation results of the polyimide film 3 are as follows.
CTE-MD; 4.0 ppm / K
CTE-TD; 4.3 ppm / K
In-plane retardation (RO); 3.0 nm
Average warpage amount: 0.7mm
CTE difference (CTE2-CTE1) between the first polyimide layer (A surface side) and the second polyimide layer (B surface side); 2.6 ppm / K

[実施例4]
リップ幅200mmのマルチマニホールド式の3層共押出三層ダイを用い、離型ポリイミドフィルム1に近い側から、合成例3で調製したポリアミド酸溶液c、合成例2で調製したポリアミド酸溶液bの順の2層構造となるように離型ポリイミドフィルム1の面に押出し流延塗布した。その後、130℃から360℃の温度で段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、常温まで冷却してポリイミド積層体4を調製した。
[Example 4]
Using a multi-manifold type three-layer coextrusion three-layer die having a lip width of 200 mm, the polyamic acid solution c prepared in Synthesis Example 3 and the polyamic acid solution b prepared in Synthesis Example 2 were prepared from the side close to the release polyimide film 1. Extrusion-casting was applied to the surface of the release polyimide film 1 so as to obtain a sequential two-layer structure. Then, stepwise heat treatment was performed at a temperature of 130 ° C. to 360 ° C. to complete imidization, and the polyimide laminate 4 was prepared by cooling to room temperature.

このポリイミド積層体4について、離型ポリイミドフィルム1より剥離することで、ポリイミドフィルム4を調製した。剥離強度は4N/mであった。
ポリイミドフィルム4の評価結果は次のとおりである。
CTE−MD;4.2ppm/K
CTE−TD;4.5ppm/K
面内リタデーション(RO);5nm
平均反り量;1.3mm
第1のポリイミド層(A面側、厚み;16μm)と第2のポリイミド層(B面側、厚み;
9μm)のCTE差(CTE2−CTE1);3.0ppm/K
About this polyimide laminated body 4, the polyimide film 4 was prepared by peeling from the mold release polyimide film 1. FIG. The peel strength was 4 N / m.
The evaluation results of the polyimide film 4 are as follows.
CTE-MD; 4.2 ppm / K
CTE-TD; 4.5 ppm / K
In-plane retardation (RO): 5 nm
Average warpage: 1.3mm
The first polyimide layer (A surface side, thickness; 16 μm) and the second polyimide layer (B surface side, thickness;
9 μm) CTE difference (CTE2−CTE1); 3.0 ppm / K

[作製例1]
実施例1で調製したポリイミド積層体1において、離型ポリイミドフィルム1側の面をガラス基板に接着剤を用いて貼り付けた後、ポリイミドフィルム1側の表面に表示部であるマイクロLED素子(LEDチップ;約20μm、正方形、薄片状)を形成した。その後、表示部を取り囲むようにしてポリイミドフィルム1に切り込みを入れ、離型ポリイミドフィルム1とポリイミドフィルム1との界面を剥離分離し、ポリイミドフィルム1からなるポリイミド基材上にマイクロLED素子を有する表示装置を調製した。この際、離型ポリイミドフィルム1とポリイミドフィルム1との間は、表示部のデバイスにダメージを与えることなく、レーザー剥離等の手段を使わずに人が引き剥がすことで、容易に分離することが出来た。
[Production Example 1]
In the polyimide laminate 1 prepared in Example 1, the surface of the release polyimide film 1 side was attached to a glass substrate using an adhesive, and then the micro LED element (LED) serving as a display unit on the surface of the polyimide film 1 side. Chip; about 20 μm, square, flake shape) was formed. After that, the polyimide film 1 is cut so as to surround the display portion, the interface between the release polyimide film 1 and the polyimide film 1 is peeled and separated, and the display having the micro LED element on the polyimide substrate made of the polyimide film 1 A device was prepared. At this time, the release polyimide film 1 and the polyimide film 1 can be easily separated without causing damage to the device of the display unit and by being peeled off by a person without using means such as laser peeling. done.

(参考例1)
支持基材1(ステンレス製、厚み;16μm)の離型処理した面に、合成例2で調製したポリアミド酸溶液bを硬化後の厚みが約55μmとなるように均一に塗布した後、130℃で加熱乾燥した。その後、130℃から380℃まで、段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、常温まで冷却後、支持基材1より剥離することで、ポリイミドフィルム5を調製した。
(Reference Example 1)
After the polyamic acid solution b prepared in Synthesis Example 2 is uniformly applied on the surface of the support substrate 1 (made of stainless steel, thickness: 16 μm) that has been cured so that the thickness after curing is about 55 μm, 130 ° C. And dried with heat. Thereafter, stepwise heat treatment was performed from 130 ° C. to 380 ° C. to complete imidization, and after cooling to room temperature, the polyimide film 5 was prepared by peeling from the support substrate 1.

ポリイミドフィルム5の評価結果は次のとおりである。
CTE−MD;9.8ppm/K
CTE−TD;9.7ppm/K
面内リタデーション(RO);49nm
平均反り量;21.3mm
The evaluation results of the polyimide film 5 are as follows.
CTE-MD; 9.8 ppm / K
CTE-TD; 9.7 ppm / K
In-plane retardation (RO); 49nm
Average warpage: 21.3mm

(参考例2)
合成例1で得られたポリアミド酸溶液aを支持基材1上に、硬化後の厚みが約16μmとなるように均一に塗布した後、130℃で加熱乾燥した。その上に、合成例2で得られたポリアミド酸溶液bを硬化後の厚みが約9μmとなるように均一に塗布し、130℃で加熱乾燥した後、130℃から360℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、常温まで冷却後、支持基材1より剥離することで、ポリイミドフィルム6を調製した。
(Reference Example 2)
The polyamic acid solution a obtained in Synthesis Example 1 was uniformly applied on the support substrate 1 so that the thickness after curing was about 16 μm, and then heated and dried at 130 ° C. On top of that, the polyamic acid solution b obtained in Synthesis Example 2 was uniformly applied so that the thickness after curing was about 9 μm, dried at 130 ° C., and then stepwise heat-treated from 130 ° C. to 360 ° C. The polyimide film 6 was prepared by completing imidization, cooling to room temperature, and then peeling from the support substrate 1.

ポリイミドフィルム6の評価結果は次のとおりである。
CTE−MD;13.5ppm/K
CTE−TD;14.6ppm/K
面内リタデーション(RO);19.4nm
平均反り量;13.0mm
The evaluation results of the polyimide film 6 are as follows.
CTE-MD; 13.5 ppm / K
CTE-TD; 14.6 ppm / K
In-plane retardation (RO); 19.4 nm
Average warpage: 13.0mm

実施例1〜4及び参考例1〜2は、ポリアミド酸溶液を支持基材上に塗布し、支持基材上で乾燥及びイミド化を完結したポリイミドフィルムであり、いずれのポリイミドフィルムにおいてもCTE等方性が良く、面内リタデーションも低いため、寸法安定性に優れていることが確認された。   Examples 1 to 4 and Reference Examples 1 to 2 are polyimide films in which a polyamic acid solution is applied onto a supporting substrate, and drying and imidization are completed on the supporting substrate. In any polyimide film, CTE or the like It was confirmed that the film was excellent in dimensional stability because of good directivity and low in-plane retardation.

ポリイミド層が単層である実施例1及び参考例1を比較すると、実施例1では、ポリイミドフィルムの厚み及び厚さ方向のリタデーション(ROL)を高精度に制御しているので、平均反り量を10mm以下に抑えることできた。一方、参考例1では、ポリイミドフィルムが所定の厚みに制御されていないため、平均反り量が10mmを超える結果となった。   Comparing Example 1 and Reference Example 1 in which the polyimide layer is a single layer, in Example 1, since the thickness of the polyimide film and the retardation (ROL) in the thickness direction are controlled with high precision, the average warpage amount is It could be suppressed to 10 mm or less. On the other hand, in Reference Example 1, since the polyimide film was not controlled to have a predetermined thickness, the average warpage amount exceeded 10 mm.

また、ポリイミド層が複数層である実施例2〜実施例4及び参考例2を比較すると、実施例2〜4では、支持基材上に直接積層した第1のポリイミド層を低熱膨張性とし、その熱膨張係数(CTE)を、数式(1)を満たす範囲で第2のポリイミド層のCTEよりも小さく設計することで、A面側への反りを抑制し、ポリイミドフィルムの平均反り量を10mm以下に抑えることができた。一方、参考例2では、2層のポリイミド層の内、CTEの大きいポリイミド層をA面側に配置した為に、平均反り量が10mmを超える結果となった。これまで、支持基材上に複数層のポリイミド層を形成する場合に、厚さ方向のリタデーション(ROL)を考慮した各層間のCTEの制御を行なっていなかったため、支持基材上に直接積層するポリイミド層のA面側のROLが低くなり、B面側に比べてCTEが増加する傾向があり、参考例2のようにA面側への反りが発生しやすくなっていた。それに対し、実施例2〜実施例4に示したように、ROLを考慮して、第1のポリイミド層のCTEを第2のポリイミド層のCTEよりも小さく設計することで、反りの発生が抑制された多層ポリイミドフィルムを製造できることが確認できた。   In addition, when Examples 2 to 4 and Reference Example 2 in which the polyimide layer is a plurality of layers are compared, in Examples 2 to 4, the first polyimide layer directly laminated on the support substrate is made to have low thermal expansion, By designing the coefficient of thermal expansion (CTE) to be smaller than the CTE of the second polyimide layer within the range satisfying the formula (1), the warpage toward the A-side is suppressed, and the average warpage amount of the polyimide film is 10 mm. I was able to keep it below. On the other hand, in Reference Example 2, since the polyimide layer having a large CTE out of the two polyimide layers was arranged on the A surface side, the average warpage amount exceeded 10 mm. Until now, when forming a plurality of polyimide layers on a supporting substrate, CTE control between layers considering the retardation (ROL) in the thickness direction has not been performed, so the layers are directly laminated on the supporting substrate. The ROL on the A-side of the polyimide layer was low, and CTE tended to increase compared to the B-side, and warping toward the A-side was likely to occur as in Reference Example 2. On the other hand, as shown in Example 2 to Example 4, in consideration of ROL, the CTE of the first polyimide layer is designed to be smaller than the CTE of the second polyimide layer, thereby suppressing the occurrence of warpage. It was confirmed that the manufactured multilayer polyimide film could be produced.

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態
に制約されることはない。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail for the purpose of illustration, this invention is not restrict | limited to the said embodiment.

100…離型ポリイミドフィルム、200…ポリイミドフィルム、300…ポリイミド積層体、400…支持体、500…表示部、600…表示装置

DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Release polyimide film, 200 ... Polyimide film, 300 ... Polyimide laminated body, 400 ... Support body, 500 ... Display part, 600 ... Display apparatus

Claims (10)

単層又は複数層のポリイミド層からなる表示装置形成用ポリイミドフィルムであって、
下記の条件(a)〜(d);
(a)厚みが3μm以上50μm以下の範囲内にあること;
(b)熱膨張係数が10ppm/K以下であること;
(c)23℃、湿度50%下で、20時間調湿後の50mm角のポリイミドフィルムの中央部の凸面が平らな面上に接するように静置し、4角の浮き上がり量の平均値を平均反り量としたとき、平均反り量が10mm以下であること;
(d)長手(MD)方向の熱膨張係数(CTE−MD)と、幅(TD)方向の熱膨張係数(CTE−TD)との差が±3ppm/K以下であること;
を満たすことを特徴とする表示装置形成用ポリイミドフィルム。
A polyimide film for forming a display device comprising a single layer or a plurality of polyimide layers,
The following conditions (a) to (d);
(A) The thickness is in the range of 3 μm or more and 50 μm or less;
(B) the coefficient of thermal expansion is 10 ppm / K or less;
(C) Standing at a temperature of 23 ° C. and a humidity of 50% so that the convex surface at the center of the polyimide film of 50 mm square after humidity conditioning for 20 hours is in contact with the flat surface, and calculating the average value of the four corners When the average warpage amount is used, the average warpage amount is 10 mm or less;
(D) The difference between the thermal expansion coefficient (CTE-MD) in the longitudinal (MD) direction and the thermal expansion coefficient (CTE-TD) in the width (TD) direction is ± 3 ppm / K or less;
The polyimide film for display apparatus formation characterized by satisfy | filling.
前記(a)〜(d)の条件に加え、更に、
(e)面内リタデーション(RO)の値が1nm以上50nm以下の範囲内であること;
を満たすことを特徴とする請求項1に記載の表示装置形成用ポリイミドフィルム。
In addition to the conditions (a) to (d),
(E) The value of in-plane retardation (RO) is in the range of 1 nm to 50 nm;
The polyimide film for forming a display device according to claim 1, wherein:
前記ポリイミド層が、熱膨張係数が最も低い単層の第1のポリイミド層及び該ポリイミド層の片側に積層されている単層若しくは複数層の第2のポリイミド層からなり、
前記第1のポリイミド層の熱膨張係数(CTE1)及び第2のポリイミド層の熱膨張係数(CTE2)が、下記の数式(1);
1ppm/K<(CTE2−CTE1)≦10ppm/K ・・・(1)
を満たすことを特徴とする請求項1に記載の表示装置形成用ポリイミドフィルム。
The polyimide layer is composed of a single first polyimide layer having the lowest thermal expansion coefficient and a single layer or a plurality of second polyimide layers laminated on one side of the polyimide layer,
The thermal expansion coefficient (CTE1) of the first polyimide layer and the thermal expansion coefficient (CTE2) of the second polyimide layer are expressed by the following formula (1):
1 ppm / K <(CTE2-CTE1) ≦ 10 ppm / K (1)
The polyimide film for forming a display device according to claim 1, wherein:
前記第2のポリイミド層が単層であることを特徴とする請求項3に記載の表示装置形成用ポリイミドフィルム。   The display device forming polyimide film according to claim 3, wherein the second polyimide layer is a single layer. 離型ポリイミドフィルムと、該離型ポリイミドフィルムに直接積層されたポリイミドフィルムと、を備えたポリイミド積層体であって、
前記ポリイミドフィルムが、下記の条件(a)〜(d);
(a)厚みが3μm以上50μm以下の範囲内にあること;
(b)熱膨張係数が10ppm/K以下であること;
(c)23℃、湿度50%下で、20時間調湿後の50mm角のポリイミドフィルムの中央部の凸面が平らな面上に接するように静置し、4角の浮き上がり量の平均値を平均反り量としたとき、平均反り量が10mm以下であること;
(d)長手(MD)方向の熱膨張係数(CTE−MD)と、幅(TD)方向の熱膨張係数(CTE−TD)との差が±3ppm/K以下であること;
を満たすことを特徴とするポリイミド積層体。
A polyimide laminate comprising a release polyimide film and a polyimide film directly laminated on the release polyimide film,
The polyimide film has the following conditions (a) to (d):
(A) The thickness is in the range of 3 μm or more and 50 μm or less;
(B) the coefficient of thermal expansion is 10 ppm / K or less;
(C) Standing at a temperature of 23 ° C. and a humidity of 50% so that the convex surface at the center of the polyimide film of 50 mm square after humidity conditioning for 20 hours is in contact with the flat surface, and calculating the average value of the four corners When the average warpage amount is used, the average warpage amount is 10 mm or less;
(D) The difference between the thermal expansion coefficient (CTE-MD) in the longitudinal (MD) direction and the thermal expansion coefficient (CTE-TD) in the width (TD) direction is ± 3 ppm / K or less;
A polyimide laminate characterized by satisfying
前記ポリイミドフィルムが、前記(a)〜(d)の条件に加え、更に、
(e)面内リタデーション(RO)の値が1nm以上50nm以下の範囲内であること;
を満たすことを特徴とする請求項5に記載のポリイミド積層体。
In addition to the above conditions (a) to (d), the polyimide film is further
(E) The value of in-plane retardation (RO) is in the range of 1 nm to 50 nm;
The polyimide laminate according to claim 5, wherein:
前記ポリイミドフィルムが、単層の第1のポリイミド層及び該第1のポリイミド層の片面に積層されている単層若しくは複数層の第2のポリイミド層からなり、かつ、前記第1のポリイミド層が前記離型ポリイミドフィルムと接する位置にあって、
前記第1のポリイミド層の熱膨張係数(CTE1)及び第2のポリイミド層の熱膨張係数(CTE2)が、下記の数式(1);
1ppm/K<(CTE2−CTE1)≦10ppm/K ・・・(1)
を満たすことを特徴とする請求項5又は6に記載のポリイミド積層体。
The polyimide film is composed of a single first polyimide layer and a single layer or a plurality of second polyimide layers laminated on one side of the first polyimide layer, and the first polyimide layer comprises In the position in contact with the release polyimide film,
The thermal expansion coefficient (CTE1) of the first polyimide layer and the thermal expansion coefficient (CTE2) of the second polyimide layer are expressed by the following formula (1):
1 ppm / K <(CTE2-CTE1) ≦ 10 ppm / K (1)
The polyimide laminate according to claim 5 or 6, wherein:
前記第2のポリイミド層が単層であることを特徴とする請求項7に記載のポリイミド積層体。   The polyimide laminate according to claim 7, wherein the second polyimide layer is a single layer. ポリイミド基材上に表示部を備えた表示装置の製造方法であって、
請求項5から8のいずれか1項に記載のポリイミド積層体と、支持体とを、前記離型ポリイミドフィルム側の表面と前記支持体の一つの表面とが接するように積層する工程と、
前記ポリイミド積層体における前記ポリイミドフィルム上に所定の表示部を形成する工程と、
前記離型ポリイミドフィルムと前記ポリイミドフィルムとを、これらの境界面で分離して、前記ポリイミド基材としての前記ポリイミドフィルム上に前記表示部を備えた表示装置を得る工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
A manufacturing method of a display device provided with a display unit on a polyimide substrate,
Laminating the polyimide laminate according to any one of claims 5 to 8 and a support so that the surface on the release polyimide film side and one surface of the support are in contact with each other;
Forming a predetermined display part on the polyimide film in the polyimide laminate,
Separating the release polyimide film and the polyimide film at their boundary surfaces, and obtaining a display device including the display unit on the polyimide film as the polyimide substrate;
A method for manufacturing a display device, comprising:
請求項1から4のいずれか1項に記載の表示装置形成用ポリイミドフィルムからなるポリイミド基材と、
前記ポリイミド基材上に形成された表示部と、
を備えた表示装置。

A polyimide base material comprising the polyimide film for forming a display device according to any one of claims 1 to 4,
A display unit formed on the polyimide substrate;
A display device comprising:

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