JP2019087678A - 機能性基板及びその製造方法、並びにインプリントモールド - Google Patents

Abstract

【課題】所定の面に実質的に直交する面上に設けられた機能性膜により、所望とする機能が発揮され得る機能性基板及びその製造方法、並びに当該機能性基板を有するインプリントモールドを提供する。【解決手段】機能性基板は、第１面及びそれに対向する第２面を有する基材と、基材の第１面側から突出する凸構造部とを備え、凸構造部は、上面と、上面の外縁に連続し、基材の厚み方向に沿って下方に延伸する第１側面と、第１側面の下端に連続する平坦面と、平坦面の外縁に連続し、第１面に向かう方向に延伸する第２側面とを含み、第１側面には、第１機能性膜が形成され、第１機能性膜の下端部を含む一部は、凸構造部内に位置する。【選択図】図１

Description

本開示は、機能性基板及びその製造方法、並びに当該機能性基板を用いて作製されるインプリントモールドに関する。

微細加工技術として知られているナノインプリント技術は、基材の表面に微細凹凸パターンが形成されてなるインプリントモールドを用い、当該微細凹凸パターンを被加工物に転写することで微細凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である。特に、半導体デバイスにおける配線パターン等のさらなる微細化等に伴い、その製造プロセス等においてナノインプリント技術が注目されている。

ナノインプリント技術において一般に用いられるインプリントモールドとしては、例えば、基材と、基材の表面から突出する凸構造部と、凸構造部の上面に形成されてなる微細凹凸パターンとを備えるものが知られている。このようなインプリントモールドを用い、被転写基板上に供給された被加工物としてのインプリント樹脂にインプリントモールドの微細凹凸パターンを接触させることで、当該微細凹凸パターンにインプリント樹脂を充填させる。そして、その状態で当該インプリント樹脂を硬化させることにより、インプリントモールドの微細凹凸パターンが転写されてなるパターン構造体が形成される。

インプリント樹脂の供給量が不十分であると、微細凹凸パターンにインプリント樹脂が十分に充填されず、パターン構造体に欠陥（未充填欠陥）を生じさせてしまう。一方で、インプリント樹脂の供給量を高精度に制御するのは極めて困難である。未充填欠陥を生じさせないために十分すぎる量のインプリント樹脂を被転写基板に供給すると、インプリント樹脂にインプリントモールドを接触させたときに、インプリントモールドの凸構造部の外側に余剰のインプリント樹脂がはみ出し、凸構造部の側面に付着してしまう。凸構造部の外側にはみ出し、側面に付着したインプリント樹脂は、微細凹凸パターンに充填されたインプリント樹脂と同時に硬化されてしまう。その結果、インプリントモールドをインプリント樹脂から引き離す際に大きな応力が作用し、インプリントモールドやパターン構造体に損傷を生じさせるおそれがある。また、いわゆるステップアンドリピート方式によりインプリント処理を行う場合、凸構造部の外側にはみ出し、硬化したインプリント樹脂と重ならないように、インプリントされる領域を離間させる必要があるため、１枚の被転写基板にインプリント処理を行うことのできる回数が制限されてしまう。

このような問題を解決するために、従来、微細凹凸パターンが形成されているパターン領域の外周を取り囲む領域に遮光層等の機能層を設けてなるインプリントモールドが知られている（特許文献１，２参照）。

特許第４８６９２６３号公報 特開２０１０−２５１６０１号公報

特許文献１に記載のインプリントモールドにおいては、パターン領域の外周を囲む非パターン領域に遮光層が設けられている。これにより、パターン領域の外側にはみ出したインプリント樹脂（光硬化性樹脂）に光が照射されず、当該インプリント樹脂が硬化するのを防止することができる。しかしながら、特許文献１においては、インプリントモールドを介してインプリント樹脂に照射される光が、当該インプリントモールドの厚さ方向に平行に進行することを前提としているものの、実際には、インプリントモールドの厚さ方向に対して傾斜して進行する光により、パターン領域の外側にはみ出したインプリント樹脂が硬化してしまうという問題がある。この点、特許文献１に記載のインプリントモールドにおいては、パターン領域に直交する側面にも遮光膜が設けられているものの、当該側面や、パターン領域の外周を囲む非パターン領域と側面との接続部にスパッタ等で十分な遮光性能を奏し得る遮光膜を形成することは極めて困難である。そのため、特許文献１に記載のインプリントモールドにおいては、依然として、パターン領域の外側にはみ出したインプリント樹脂を硬化させてしまうおそれがある。

また、特許文献２に記載のインプリントモールドにおいては、パターン領域の外縁に連続する第１の側面部及び第１の段部を有し、第１の側面部に撥水性又は撥油性を有する材料からなる被膜が形成されており、インプリント処理時にパターン領域からはみ出したインプリント樹脂が第１の側面部に付着してインプリントモールドを汚染させるのを抑制することができる。しかしながら、上記特許文献１における遮光膜と同様に、パターン領域に直交する第１の側面部に対し、所望とする機能（撥水機能又は撥油機能）を奏する被膜を形成するのは極めて困難である。そのため、特許文献２に記載のインプリントモールドにおいても、依然として、パターン領域の外側にはみ出したインプリント樹脂がインプリントモールドの第１の側面部に付着してしまうおそれがある。

上記課題に鑑みて、本開示は、所定の面に実質的に直交する面上に設けられた機能性膜により、所望とする機能が発揮され得る機能性基板及びその製造方法、並びに当該機能性基板を有するインプリントモールドを提供することを一目的とする。

上記課題を解決するために、本開示の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基材と、前記基材の前記第１面側から突出する凸構造部とを備え、前記凸構造部は、上面と、前記上面の外縁に連続し、前記基材の厚み方向に沿って下方に延伸する第１側面と、前記第１側面の下端に連続する平坦面と、前記平坦面の外縁に連続し、前記第１面に向かう方向に延伸する第２側面とを含み、前記第１側面には、第１機能性膜が形成されており、前記第１機能性膜の下端部を含む一部が、前記凸構造部内に位置している機能性基板が提供される。

前記第１機能性膜は、前記基材に適用され得るエッチング液に対する耐性を有する材料により構成されればよく、前記基材が、所定の波長のエネルギー線に対して透明な材料により構成されており、前記第１機能性膜は、前記エネルギー線に対する遮光性能を有する材料により構成されればよく、前記第１機能性膜は、クロム系材料、モリブデン系材料又は金により構成され得る。

前記第１側面と前記平坦面とは、それらの間に位置する湾曲面を介して連続しており、前記湾曲面には、前記第１側面に形成されている前記第１機能性膜の所定の位置に連続する第２機能性膜が形成されていればよい。

前記平坦面には、前記第２機能性膜に連続する第３機能性膜が形成されていればよく、前記基材の厚み方向における前記第１側面の長さを、０．２μｍ〜２μｍにすることができる。

本開示の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面、並びに前記第１面から突出する突出部を有する基材を準備する工程と、前記突出部の上面内に包含される所定の領域の外周を囲む溝部を前記突出部の上面に形成する工程と、前記溝部に機能性材料を充填する工程と、前記所定の領域を物理的に包含するように、前記所定の領域よりも大きな寸法を有するハードマスクパターンを前記突出部の上面に形成する工程と、前記ハードマスクパターンをエッチングマスクとし、所定のエッチング液を用いて前記突出部の上面を所定の深さまでウェットエッチングする工程とを含み、前記溝部に充填された機能性材料の一部を露出させるが全部を露出させないように、前記突出部の上面をウェットエッチングする機能性基板の製造方法が提供される。

前記溝部に充填された機能性材料の下端部を前記基板内に位置させるように、前記突出部の上面をウェットエッチングすればよく、前記機能性材料として、前記エッチング液に対して耐性を有する材料を用いることができ、前記基材が、所定の波長のエネルギー線に対して透明な材料により構成されており、前記機能性材料として、前記エネルギー線に対する遮光性能を有する材料を用いてもよく、前記突出部の上面がウェットエッチングされることで出現した、前記溝部の外側を囲む前記基材の表面に機能性材料膜を形成する工程をさらに含んでいればよく、前記突出部の上面に形成された、前記溝部に対応する開口部を有するマスクパターンを介し、前記突出部の上面をエッチングすることにより前記溝部を形成してもよいし、前記突出部の上面に対する切削加工により前記溝部を形成してもよく、前記溝部の開口寸法を、５０ｎｍ以上にすることができる。

本発明の一実施形態として、上記機能性基板と、前記凸構造部の上面に設定されているパターン領域内に形成されてなる凹凸パターンとを備えるインプリントモールドが提供される。

本開示によれば、所定の面に実質的に直交する面上に設けられた機能性膜により、所望とする機能が発揮され得る機能性基板及びその製造方法、並びに当該機能性基板を有するインプリントモールドを提供することができる。

図１は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの一態様の概略構成を示す切断端面図である。 図２は、図１に示すインプリントモールドにおけるＡ部の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図３は、図２に示すインプリントモールドにおけるＢ部の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図４は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの作用効果を示すための比較となるインプリントモールドの作用を説明する部分拡大切断端面図である。 図５は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの作用を説明するための部分拡大切断端面図である。 図６は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す上面図である。 図７は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を示す工程フロー図である。 図８は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を示す、図７に続く工程フロー図である。 図９は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を示す、図８に続く工程フロー図である。 図１０は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法におけるウェットエッチング工程の初期段階を示す部分拡大切断端面図である。 図１１は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法におけるウェットエッチング工程の、図１０に続く段階を示す部分拡大切断端面図である。 図１２は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法におけるウェットエッチング工程の、図１１に続く段階を示す部分拡大切断端面図である。 図１３は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドを用いたインプリント方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。 図１４は、本開示の他の実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す分解断面図（図１４（Ａ））及び断面図（図１４（Ｂ））である。 図１５は、本開示の他の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において用いられ得るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。

本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
当該図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりして示している場合がある。本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。

〔インプリントモールド〕
図１は、本実施形態に係るインプリントモールドの一態様の概略構成を示す切断端面図であり、図２は、図１におけるＡ部の概略構成を示す部分拡大切断端面図であり、図３は、図２におけるＢ部の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。

図１〜３に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド１は、第１面２Ａ及び当該第１面２Ａに対向する第２面２Ｂを有する基材２と、基材２の第１面２Ａから突出する凸構造部３と、凸構造部３の上面３１に形成されている凹凸パターン４と、第２面２Ｂ側に形成されている窪み部５とを備える。

基材２としては、インプリントモールド用基板として一般的なもの、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。なお、本実施形態において「透明」とは、インプリント樹脂を硬化させ得る波長の光を透過可能であることを意味し、波長１５０ｎｍ〜４００ｎｍの光線の透過率が６０％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９５％以上である。

基材２の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状、略円形状等が挙げられる。基材２が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板からなるものである場合、通常、基材２の平面視形状は略矩形状である。

基材２の大きさ（平面視における大きさ）も特に限定されるものではないが、基材２が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、基材２の大きさは１５２ｍｍ×１５２ｍｍ程度である。また、基材２の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。

基材２の第１面２Ａから突出する凸構造部３は、平面視において基材２の略中央に設けられている。凸構造部３の平面視における形状は、例えば、略矩形状であればよいが、それに限定されるものではなく、略八角形等の略多角形状、略円形状、略楕円形状等の任意の形状であってもよい。凸構造部３の大きさは、インプリントモールド１を用いたインプリント処理を経て製造される製品等に応じて適宜設定されるものであり、例えば、３３ｍｍ±１μｍ×２６ｍｍ±１μｍの略矩形状の凸構造部３を挙げることができる。

凸構造部３の突出高さ（基材２の第１面２Ａと凸構造部３の上面３１との間の基材２厚み方向に沿った長さ）は、本実施形態に係るインプリントモールド１が凸構造部３を備える目的を果たし得る限り、特に制限されるものではなく、例えば、１０μｍ〜１００μｍ程度に設定され得る。

凸構造部３は、凹凸パターン４が形成されているパターン領域ＰＡを有する上面３１と、上面３１の外周縁部に連続し、上面３１に実質的に直交する（基材２の厚み方向に実質的に平行な）第１側面部３２と、第１側面部３２の下端部に連続する湾曲面３３と、湾曲面３３に連続し、上面３１に実質的に平行な平坦面３４と、平坦面３４の外周縁に連続する第２側面部３５とを有する。

基材２の厚み方向における第１側面部３２の長さＴ₃₂は、例えば、０．２μｍ〜２μｍ程度であればよく、０．５μｍ〜１μｍ程度であるのが好ましい。当該長さＴ₃₂が２μｍを超えると、インプリントモールド１の製造過程におけるエッチング処理に時間がかかり過ぎてしまい、インプリントモールド１の製造コストが大幅に増大してしまうおそれがある。なお、基材２の厚み方向に沿った上面３１と平坦面３４との高さ位置の差分が、インプリント処理時に被転写基板１００（図１３（Ａ）参照）上のインプリント樹脂１０１に凹凸パターン４を押し当てたときに、被転写基板１００に平坦面３４が接触しない程度に設定されていればよい。

本実施形態に係るインプリントモールド１は、第１側面部３２、湾曲面３３及び平坦面３４を被覆する機能性膜６を有する。機能性膜６は、第１側面部３２を被覆する第１機能性膜６１と、湾曲面３３を被覆し、第１機能性膜６１の途中に連続する第２機能性膜６２と、平坦面３４を被覆し、第２機能性膜６２に連続する第３機能性膜６３とを含む。

機能性膜６（第１〜第３機能性膜６１〜６３）により奏され得る機能としては、例えば、遮光機能、光吸収（吸光）機能、低反射機能、撥水・撥油機能等が挙げられる。機能性膜６が遮光機能を奏することで、インプリントモールド１の基材２の厚み方向に対して傾斜する方向に進行するエネルギー線（ＵＶ等）を遮光し、当該エネルギー線（ＵＶ等）が、インプリントモールド１の凸構造部３の上面３１（パターン領域ＰＡ）から外側にはみ出したインプリント樹脂に照射されるのを防止することができる。また、機能性膜６が光吸収（吸光）機能を奏することで、インプリントモールド１の基材２の厚み方向に対して傾斜する方向に進行するエネルギー線（ＵＶ等）とともに、インプリントモールド１を透過して被転写基板に到達したエネルギー線（ＵＶ等）の一部が反射する反射光を吸収することができ、それらのエネルギー線（ＵＶ等）が、インプリントモールド１の凸構造部３の上面３１（パターン領域ＰＡ）から外側にはみ出したインプリント樹脂に再び照射されるのを防止することができる。さらに、機能性膜６が低反射機能を奏することで、インプリントモールド１を透過して被転写基板に到達したエネルギー線（ＵＶ等）の一部が被転写基板で反射するが、機能性膜６によりその反射光の反射を抑制することができ、インプリントモールド１の凸構造部３の上面３１（パターン領域ＰＡ）から外側にはみ出したインプリント樹脂が硬化するのを防止することができる。さらにまた、機能性膜６が撥水・撥油機能を奏することで、インプリントモールド１の凸構造部３の上面３１（パターン領域ＰＡ）から外側にはみ出したインプリント樹脂がインプリントモールド１に付着し難くなり、インプリントモールド１が汚染されるのを防止することができる。

第１機能性膜６１は、その下端部を基材２（凸構造部３）に埋設させるようにして、第１側面部３２に設けられている（図３参照）。後述するように、第１〜第３機能性膜６３は、例えば、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法（ＣＶＤ法）；真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の物理気相成長法（ＰＶＤ法）等により第１側面部３２、湾曲面３３及び平坦面３４に形成されるが、湾曲面３３には均一に形成され難い。特に、第２機能性膜６２のうち、第１側面部３２の近傍に位置する部分の膜厚は相対的に薄くなる。そのため、湾曲面３３に設けられている第２機能性膜６２、特に第１機能性膜６１に連続する部分の近傍においては、当該第２機能性膜６２による機能が十分に奏されないおそれがある。

例えば、機能性膜６（第１〜第３機能性膜６１〜６３）が遮光機能を奏する遮光膜であって、インプリントモールド１を介してインプリント樹脂にエネルギー線（ＵＶ等）を照射する場合において、当該エネルギー線（ＵＶ等）は、一般に、インプリントモールド１の厚さ方向に平行に進行するエネルギー線ＵＶ１，ＵＶ４と、インプリントモールド１の厚さ方向に対して傾斜する方向に進行するエネルギー線ＵＶ２，ＵＶ３とを含む（図４，５参照）。

エネルギー線ＵＶ１は、凸構造部３の上面３１（パターン領域ＰＡ）を透過するが、エネルギー線ＵＶ２は、第１機能性膜６１により遮光され、エネルギー線ＵＶ４は、第３機能性膜６３により遮光される（図４，５参照）。一方、第１機能性膜６１の下端部が基材２（凸構造部３）に埋設されていない場合、エネルギー線ＵＶ３は、第２機能性膜６２を透過してしまう（図４参照）。しかしながら、本実施形態のように、第１機能性膜６１の下端部が基材２（凸構造部３）に埋設されていることで、エネルギー線ＵＶ３が、基材２（凸構造部３）に埋設されている第１機能性膜６１の下端部により遮光される（図５参照）。

このような効果がより効果的に奏されるためには、第１機能性膜６１のうち、基材２（凸構造部３）に埋設されている埋設部６１１の長さ（基材２の厚み方向に沿った長さ）は、基材２の第２面２Ｂ側における凸構造部３の上面３１（パターン領域ＰＡ）に対向する領域から第２機能性膜６２に向かう方向（基材２の厚み方向に対して傾斜する方向）に進行するエネルギー線（ＵＶ等）を遮光可能な程度に設定されていればよく（図５参照）、例えば０．１μｍ〜１μｍ程度に設定され得る。当該埋設部６１１の長さが０．１μｍ未満であると、基材２の第２面２Ｂ側における凸構造部３の上面３１（パターン領域ＰＡ）に対向する領域から第２機能性膜６２に向かう方向に進行するエネルギー線（ＵＶ等）を十分に遮光することができないおそれがあり、インプリントモールド１を用いたインプリント処理時に凸構造部３の上面３１（パターン領域ＰＡ）からはみ出したインプリント樹脂を硬化させてしまうおそれがある。一方、当該埋設部６１１の長さが１μｍを超えると、インプリントモールド１の製造過程におけるエッチング処理に時間がかかり過ぎてしまい、インプリントモールド１の製造コストが大幅に増大してしまうおそれがある。また、埋設部６１１の長さが１μｍを超えると、埋設部６１１に第１機能性膜６１を構成する材料を充填するのに時間がかかり過ぎてしまったり、当該材料の未充填が生じやすくなったりするおそれもある。なお、埋設部６１１の長さは、例えば、インプリントモールド１の厚さ方向に沿った断面から、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等を用いて測定され得る。

機能性膜６の膜厚は、所望とする機能が奏され得る膜厚であればよく、例えば、機能性膜６により奏される機能が遮光機能である場合、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であればよく、１５ｎｍ〜８０ｎｍ程度であるのが好ましい。後述するように、インプリントモールド１の製造過程においてエッチングストッパとしての機能をも果たし得る第１機能性膜６１の膜厚の下限値は、５０ｎｍ程度であればよく、１００ｎｍ程度であるのが好ましい。

機能性膜６（第１〜第３機能性膜６１〜６３）を構成する材料としては、所望とする機能を奏し得るものであればよい。例えば、機能性膜６（第１〜第３機能性膜６１〜６３）が遮光機能を奏するものである場合、当該材料として、クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸窒化クロム等のクロム系材料；モリブデン、モリブデンシリサイド等のモリブデン系材料；金等を用いることができる。また、機能性膜６（第１〜第３機能性膜６１〜６３）が光吸収（吸光）機能を奏するものである場合、当該材料として、二酸化ジルコニウム、酸化セリウム等の無機材料や、トリアジン化合物、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ベンゾエート系等の有機材料のうちの１種を用いてもよいし、これらのうちの２種以上を組み合わせて積層してなるものを用いてもよく、また酸化亜鉛、酸化チタン等の微粒子をバインダ樹脂中に含有させてなる微粒子含有樹脂材料等を用いてもよい。さらに、機能性膜６（第１〜第３機能性膜６１〜６３）が低反射機能を奏するものである場合、当該材料として、フッ化マグネシウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン等を用いることができる。さらにまた、機能性膜６（第１〜第３機能性膜６１〜６３）が撥水・撥油機能を奏するものである場合、当該材料として、フッ素等を用いることができる。

なお、本実施形態において、少なくとも基材２と第１機能性膜６１との間には、第１機能性膜６１の基材２に対する密着性を向上させる目的で、密着層が設けられていてもよい。言うまでもないが、第２機能性膜６２及び第３機能性膜６３と基材２との間にも、密着層が設けられていてもよい。

後述するように、第１機能性膜６１は、本実施形態に係るインプリントモールド１の製造過程においてエッチングストッパとしての機能（インプリントモールド用基板１０のパターン領域ＰＡに向かう面内方向に進行するエッチングを止める機能）も果たし得る。したがって、少なくとも第１機能性膜６１を構成する材料として、基材２を構成する材料とそれに対応するエッチング液とに応じ、当該エッチング液に対する耐性を有する材料を用いるのが好ましい。例えば、基材２を構成する材料が石英ガラスであって、エッチング液としてフッ酸を用いる場合、第１機能性膜６１を構成する材料として、クロム系材料、モリブデン系材料、金等を用いるのが好ましい。

凸構造部３の上面に形成されている凹凸パターン４の形状、寸法等は、本実施形態に係るインプリントモールド１を用いて製造される製品等にて要求される形状、寸法等に応じて適宜設定され得る。例えば、凹凸パターン４の形状としては、ラインアンドスペース状、ピラー状、ホール状、格子状等が挙げられる。また、凹凸パターン４の寸法は、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度に設定され得る。

基材２の第２面２Ｂには、所定の大きさの窪み部５が形成されていてもよい。窪み部５が形成されていることで、本実施形態に係るインプリントモールド１を用いたインプリント処理時、特にインプリント樹脂１０１（図１３（Ｂ）参照）との接触時やインプリントモールド１の剥離時に、基材２、特に凸構造部３の上面を湾曲させることができる。その結果、凸構造部３の上面３１とインプリント樹脂１０１とを接触させるときに、凸構造部３の上面３１に形成されている凹凸パターン４とインプリント樹脂１０１との間に気体が挟みこまれてしまうのを抑制することができ、また、インプリント樹脂１０１に凹凸パターン４が転写されてなる転写パターンからインプリントモールド１を容易に剥離することができる。

窪み部５の平面視形状は、略円形状であるのが好ましい。略円形状であることで、インプリント処理時、特に凸構造部３の上面３１とインプリント樹脂１０１とを接触させるときやインプリント樹脂１０１からインプリントモールド１を剥離するときに、インプリントモールド１の凸構造部３の上面３１を、その面内において実質的に均一に湾曲させることができる。

図６に示すように、窪み部５の平面視における大きさは、窪み部５を基材２の第１面２Ａ側に投影した投影領域内に、凸構造部３が包摂される程度の大きさである限り、特に制限されるものではない。当該投影領域が凸構造部３を包摂不可能な大きさであると、インプリントモールド１の凸構造部３の上面の全面を効果的に湾曲させることができないおそれがある。

〔インプリントモールドの製造方法〕
上述した構成を有するインプリントモールド１の製造方法の一例について説明する。図７及び図８は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。

［基板準備工程］
まず、インプリントモールド用基板１０を準備する。図７（Ａ）に示すように、インプリントモールド用基板１０は、第１面２Ａ及びそれに対向する第２面２Ｂを有する基材２と、基材２の第１面２Ａ側における平面視略中央部に位置し、当該第１面２Ａから突出する突出部３０と、基材２の第２面２Ｂ側における平面視略中央部に形成されてなる窪み部５とを備える。上記インプリントモールド用基板１０において、本実施形態に係るインプリントモールド１と同様の構成については同一の符号を付してその詳細な説明を省略するものとする。

突出部３０の大きさは、本実施形態に係るインプリントモールド１の凸構造部３の大きさに応じて適宜設定され得るものであり、例えば、略矩形状の凸構造部３の大きさ（例えば、３３ｍｍ±１μｍ×２６ｍｍ±１μｍ）よりも１辺の長さが２００μｍ程度以上大きければよい。

本実施形態において、インプリントモールド用基板１０の基材２の第１面２Ａ及び突出部３０の上面には、第１ハードマスク層７０が形成されている。第１ハードマスク層７０を構成する材料としては、例えば、クロム、チタン、タンタル、珪素、アルミニウム等の金属；窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル化合物、窒化チタン、窒化珪素、酸窒化珪素等を単独で、又は任意に選択した２種以上を組み合わせて用いることができる。

第１ハードマスク層７０は、後述する工程（図７（Ｄ）参照）にてパターニングされ、インプリントモールド用基板１０の突出部３０に略方形環状の溝部３０１（図７（Ｅ）参照）をエッチングにより形成する際のマスクとして用いられるものである。そのため、インプリントモールド用基板１０の種類に応じ、エッチング選択比等を考慮して、第１ハードマスク層７０の構成材料を選択するのが好ましい。例えば、インプリントモールド用基板１０が石英ガラス基板である場合、第１ハードマスク層７０として酸化クロム膜等が好適に選択され得る。

第１ハードマスク層７０の厚さは、インプリントモールド用基板１０の種類に応じたエッチング選択比、製造されるインプリントモールド１における第１機能性膜６１の長さ（基材の厚み方向に沿った長さ）等を考慮して適宜設定される。例えば、インプリントモールド用基板１０が石英ガラス基板であって、第１ハードマスク層７０が酸化クロム膜である場合、第１ハードマスク層７０の厚さは、１ｎｍ〜２０ｎｍ程度の範囲内で適宜設定され得る。

インプリントモールド用基板１０の基材２の第１面２Ａ及び突出部３０の上面に第１ハードマスク層７０を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の公知の成膜方法が挙げられる。

［第１レジストパターン形成工程］
次に、インプリントモールド用基板１０の第１面２Ａ及び突出部３０上の第１ハードマスク層７０を覆うようにして、スピンコート法等により第１フォトレジスト層７１を形成し（図７（Ｂ）参照）、当該第１フォトレジスト層７１に対して露光・現像処理を施すことで、突出部３０に形成される略方形環状の溝部３０１（図７（Ｅ）参照）に対応する開口部を有する第１レジストパターン７２を形成する（図７（Ｃ）参照）。第１フォトレジスト層７１を構成する材料は、特に限定されるものではなく、例えば、ネガ型又はポジ型の感光性材料等を用いることができるが、ポジ型の感光性材料を用いるのが好ましい。

第１レジストパターン７２の膜厚、すなわち第１フォトレジスト層７１の膜厚は、特に限定されるものではないが、本実施形態においては、後述する工程により略方形環状の溝部３０１（図７（Ｅ）参照）が形成された後において、第１レジストパターン７２を残存させる。したがって、略方形環状の溝部３０１の深さと、第１レジストパターン７２の膜減り量とに応じて、第１レジストパターン７２の膜厚（第１フォトレジスト層７１の膜厚）は適宜設定され得る。

本実施形態において、後述する工程により形成される略方形環状の溝部３０１（図７（Ｅ）参照）、すなわち、上記第１レジストパターン７２の開口部の形成位置により、インプリントモールド１の凸構造部３の上面３１のパターン領域ＰＡの大きさが決定される。したがって、インプリントモールド１の凸構造部３の上面３１のパターン領域ＰＡを高精度に形成することができる。また、上記第１レジストパターン７２の開口部の寸法（短手方向の幅）により、インプリントモールド１における第１機能性膜６１の膜厚が決定される。そのため、第１レジストパターン７２の開口部の寸法は、第１機能性膜６１の膜厚に応じて、例えば５０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上に設定され、これにより第１機能性膜６１の膜厚を高精度に制御することができる。

［第１ハードマスクパターン形成工程］
上記のようにして形成された第１レジストパターン７２をエッチングマスクとし、開口部から露出する第１ハードマスク層７０を、例えば、塩素系（Ｃｌ₂＋Ｏ₂）のエッチングガスを用いてドライエッチングすることで、インプリントモールド用基板１０の突出部３０上に第１ハードマスクパターン７３を形成する（図７（Ｄ）参照）。

［溝部形成工程］
上記のようにして形成された第１ハードマスクパターン７３をエッチングマスクとしてインプリントモールド用基板１０にドライエッチング処理を施すことで、突出部３０上に略方形環状の溝部３０１を形成する（図７（Ｅ）参照）。なお、溝部３０１を形成するにあたり、溝部３０１の形成条件（エッチング条件等）と溝部３０１の深さとの相関関係を予め求めておき、溝部３０１の深さが所望の範囲となるように、溝部３０１の形成条件（エッチング条件等）を設定すればよい。上記相関関係は、サンプル基板（インプリントモールド用基板１０と同一材料の基板）に所定の条件（エッチング条件等）にて溝部を形成し、当該サンプル基板の断面（厚さ方向に沿った断面）を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等により観察し、溝部の深さを求めることによって得られる。

［第１機能性膜形成工程］
上記のようにして形成された略方形環状の溝部３０１に、第１機能性膜６１を構成する材料（例えば、クロム系材料、モリブデン系材料、金等）を充填し、第１機能性膜６１を形成する（図８（Ａ）参照）。第１機能性膜６１の上端部が突出部３０上の第１ハードマスクパターン７３と略面一となるように、上記材料を充填するのが好ましい。略方形環状の溝部３０１に上記材料を充填する際、残存する第１レジストパターン７２上にも上記材料が積層される。第１レジストパターン７２上に積層された上記材料は、後述する工程にて第１レジストパターン７２を除去する際に、同時に除去され得る。

第１機能性膜６１は、後述する工程において突出部３０をウェットエッチングする際のエッチングストッパとして機能する。したがって、第１機能性膜６１を構成する材料としては、後述する工程におけるエッチング液に対する耐性を有する材料（例えば、クロム系材料、モリブデン系材料、金等）が好適に用いられる。

なお、上記溝部形成工程（図７（Ｅ）参照）により形成される略方形環状の溝部３０１は、第１ハードマスクパターン７３の寸法（第１レジストパターン７２の開口部の寸法）に対応した寸法で形成される。そして、第１ハードマスクパターン７３（第１レジストパターン７２の開口部）が、第１機能性膜６１の膜厚に応じた寸法で形成される。したがって、略方形環状の溝部３０１に充填されて形成される第１機能性膜６１は、所望とする膜厚で形成される。

第１機能性膜６１を構成する材料を溝部３０１に充填するに先立ち、溝部３０１の表面に、第１機能性膜６１とインプリントモールド用基板１０との密着性を向上させ得る密着層を形成してもよい。後述するウェットエッチング工程において、第１機能性膜６１が露出するまでインプリントモールド用基板１０にウェットエッチング処理を施すが、このときに第１機能性膜６１とインプリントモールド用基板１０との隙間にエッチング液が浸入してしまうと、インプリントモールド用基板１０の表面（第１機能性膜６１との界面）が荒されてしまうおそれがある。インプリントモールド用基板１０の表面が荒されてしまうと、インプリントモールド１から機能性膜６（特に第１機能性膜６１）が剥がれ落ちてしまうおそれがある。しかしながら、上記密着層が形成されていることで、第１機能性膜６１とインプリントモールド用基板１０との隙間にエッチング液が浸入し難くなり、インプリントモールド用基板１０の表面が荒され難くなり、インプリントモールド１から機能性膜６が剥がれ落ちるのを抑制することができる。

［第２レジストパターン形成工程］
略方形環状の溝部３０１に第１機能性膜６１を構成する材料が充填された後、第１レジストパターン７２及びその上に積層されている上記材料６１’（第１機能性膜６１を構成する材料）を除去し、第１ハードマスクパターン７３及び第１機能性膜６１の上端部の上に第２フォトレジスト層７４を形成する（図８（Ｂ）参照）。第２フォトレジスト層７４を構成する材料としては、上記第１フォトレジスト層７１を構成する材料と同様のものを用いればよい。そして、第２フォトレジスト層７４に対して露光・現像処理を施し、第２レジストパターン７５を形成する（図８（Ｃ）参照）。

本実施形態においては、平面視において、略方形環状の溝部３０１に充填されて形成された第１機能性膜６１を包摂するように、第２レジストパターン７５を形成する。すなわち、平面視において、第２レジストパターン７５の外周縁が略方形環状の第１機能性膜６１を囲むように、第２レジストパターン７５を形成する。

［第２ハードマスクパターン形成工程］
上記のようにして形成された第２レジストパターン７５をエッチングマスクとし、露出する第１ハードマスクパターン７３を、例えば、塩素系（Ｃｌ₂＋Ｏ₂）のエッチングガスを用いてドライエッチングすることで、インプリントモールド用基板１０の突出部３０上に第２ハードマスクパターン７６を形成する（図８（Ｄ）参照）。

［ウェットエッチング工程］
上記のようにして形成された第２ハードマスクパターン７６をエッチングマスクとしてインプリントモールド用基板１０にウェットエッチング処理を施す（図８（Ｅ）参照）。ウェットエッチング処理におけるエッチング液としては、例えばフッ酸等が好適に用いられる。

ウェットエッチング処理の開始当初、第２ハードマスクパターン７６の外縁から下方（インプリントモールド用基板１０の厚み方向）に向かってエッチングが進行し（図１０参照）、次第に、第１機能性膜６１に向かって（インプリントモールド用基板１０の面内方向に）エッチングが進行する（図１１参照）。すなわち、等方的にエッチングが進行する。第１機能性膜６１が露出するまでエッチングが進行すると、インプリントモールド用基板１０の面内方向に向かうエッチングは止まり、インプリントモールド用基板１０の厚み方向に向かうエッチングのみが進行する（図１２参照）。そして、第１機能性膜６１の下端部がインプリントモールド用基板１０に埋設されている状態でウェットエッチング処理を終了する。これにより、上面３１と、上面３１の外周縁部に連続し、上面３１に実質的に直交する第１側面部３２と、第１側面部３２の下端部に連続する湾曲面３３と、湾曲面３３に連続し、上面３１に実質的に平行な平坦面３４と、平坦面３４の外周縁に連続する第２側面部３５とを有する凸構造部３が、インプリントモールド用基板１０の第１面２Ａから突出するように形成される。その結果として、第１面２Ａ及びそれに対向する第２面２Ｂを有する基材２と、基材２の第１面２Ａ側から一体的に突出する上記凸構造部３とを備え、第１側面部３２に第１機能性膜６１が形成され、第１機能性膜６１の下端部を含む一部が凸構造部３（基材２）内に位置している機能性基板１’を作製することができる。なお、機能性基板１’の凸構造部３の湾曲面３３及び平坦面３４に第２機能性膜６２及び第３機能性膜６３を形成してもよい。

［凹凸パターン形成工程］
上記のようにして凸構造部３が形成された後、当該機能性基板１’の凸構造部３の上面３１（パターン領域ＰＡ）に、凹凸パターン４に対応する第３ハードマスクパターン７７を形成する（図９（Ａ）参照）。そして、第３ハードマスクパターン７７をマスクとしてインプリントモールド用基板１０にドライエッチング処理を施し、凸構造部３の上面に凹凸パターン４を形成することで、インプリントモールド１が製造される（図９（Ｂ）参照）。機能性基板１’のドライエッチングは、当該機能性基板１’の構成材料の種類に応じて適宜エッチングガスを選択して行なわれ得る。エッチングガスとしては、例えば、フッ素系ガス等を用いることができる。

〔インプリント方法〕
上述した構成を有するインプリントモールド１を用いたインプリント方法について説明する。図１３は、本実施形態におけるインプリント方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。

まず、インプリントモールド１と、第１面１００Ａ及び第１面１００Ａに対向する第２面１００Ｂを有する被転写基板１００とを準備する（図１３（Ａ）参照）。被転写基板１００としては、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス等や、これらのうちから任意に選択される２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板；ニッケル基板、チタン基板、アルニウム基板等の金属基板等；シリコン基板、窒化ガリウム基板等の半導体基板等が挙げられる。

次に、被転写基板１００の第１面１００Ａ側にインプリント樹脂１０１を供給する（図１３（Ｂ）参照）。インプリント樹脂１０１としては、従来公知の紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。インプリント樹脂１０１の供給量は、本実施形態におけるインプリント方法により作製されるパターン構造体１０２（図１３（Ｄ）参照）の残膜厚及びインプリントモールド１の凹凸パターン４の容積等に応じて適宜算出され、決定され得る。このとき、インプリント樹脂１０１の供給量不足によってパターン構造体１０２に欠陥（未充填欠陥）が生じるのを防止するために、インプリント樹脂１０１の供給量は、パターン構造体１０２の残膜厚及びインプリントモールド１の凹凸パターン４の容積等に応じて算出される量よりも僅かに多い量に決定され得る。

続いて、インプリント樹脂１０１にインプリントモールド１の凹凸パターン４（パターン領域ＰＡ）を接触させ、被転写基板１００の第１面１００Ａとインプリントモールド１の凹凸パターン４（パターン領域ＰＡ）との間にインプリント樹脂１０１を展開させる。そして、その状態でインプリント樹脂１０１にインプリントモールド１を介してエネルギー線（ＵＶ等）を照射し、当該インプリント樹脂１０１を硬化させる（図１３（Ｃ）参照）。

本実施形態において、インプリント樹脂１０１の供給量は、パターン構造体１０２の残膜厚及びインプリントモールド１の凹凸パターン４の容積等に応じて算出される量よりも僅かに多い量である。そのため、被転写基板１００の第１面１００Ａとインプリントモールド１の凹凸パターン４（パターン領域ＰＡ）との間にインプリント樹脂１０１を展開させたときに、インプリントモールド１の凸構造部３の上面３１（パターン領域ＰＡ）の外側にインプリント樹脂１０１がはみ出す。インプリント樹脂１０１を硬化させるためにインプリントモールド１を介してエネルギー線（ＵＶ等）を照射すると、インプリントモールド１の第２面２Ｂ側における凸構造部３の上面３１（パターン領域ＰＡ）に対向する領域から、インプリントモールド１の厚み方向に対して傾斜する方向（はみ出したインプリント樹脂１０１に向かう方向）にもエネルギー線（ＵＶ等）が進行する（図５参照）。しかし、このエネルギー線（ＵＶ等）は、インプリントモールド１の第１機能性膜６１により遮光されるため、はみ出したインプリント樹脂１０１が硬化するのを防止することができる。

最後に、硬化したインプリント樹脂１０１からインプリントモールド１を剥離する（図１３（Ｄ）参照）。これにより、被転写基板１００の第１面１００Ａ上に、インプリントモールド１の凹凸パターン４が転写されてなるパターン構造体１０２を製造することができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

上記実施形態において、機能性膜６が、凸構造部３の第１側面部３２に設けられている第１機能性膜６１、湾曲面３３に設けられている第２機能性膜６２及び平坦面３４に設けられている第３機能性膜６３を含む態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、インプリントモールド１又は機能性基板１’に備えられる機能性膜６は、第１側面部３２に設けられている第１機能性膜６１を少なくとも含んでいればよく、第２機能性膜６２及び第３機能性膜６３を含んでいなくてもよいし、第２機能性膜６２を含むが、第３機能性膜６３を含んでいなくてもよい。

上記実施形態において、第１〜第３機能性膜６１〜６３は、いずれも同一の機能を奏するものである態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、第１〜第３機能性膜６１〜６３のうちの１つが異なる機能を奏するものであってもよいし、すべてが互いに異なる機能を奏するものであってもよい。この場合において、第１機能性膜６１は、インプリントモールド１の製造過程においてエッチングストッパとしての機能を奏し得るものであってもよい。また、第１〜第３機能性膜６１〜６３のうちの１つが異なる材料により構成されていてもよいし、すべてが互いに異なる材料により構成されていてもよい。

上記実施形態において、第１〜第３機能性膜６１〜６３のそれぞれが１つの層により構成される態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではなく、複数の層の積層体により構成されていてもよい。例えば、第１〜第３機能性膜６１〜６３は、遮光機能を奏する機能性膜上に撥水・撥油機能を奏する機能性膜を積層してなるものであってもよいし、光吸収（吸光）機能を奏する機能性膜上に低反射機能を奏する機能性膜を積層し、所望によりさらに撥水・撥油機能を奏する機能性膜を積層してなるものであってもよい。

上記実施形態において、凸構造部３が基材２の第１面２Ａから一体的に突出している態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、基材２と別体の凸構造部３が基材２の第１面２Ａに直接的に、又は接着剤等を介して接合されていてもよい。また、図１４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、中空筒状の支持部２１と、第１面２２Ａ及びそれに対向する第２面２２Ｂを有する薄板部２２と、薄板部２２の第１面２２Ａから突出する凸構造部３と、凸構造部３の上面３１に形成されてなる凹凸パターン４とを有し、支持部２２の開口一端５１を第２面２２Ｂで塞ぐように当該支持部２１に薄板部２２が接合されてなるものであってもよい。薄板部２２が支持部２１に接合されることで、窪み部５が形成される。図１４（Ａ）及び（Ｂ）に示す態様においては、薄板部２２の凸構造部３の第１側面部３２、湾曲面３３及び平坦面３４に、それらを被覆する機能性膜６（第１〜第３機能性膜６１〜６３）を形成し、その薄板部２２を支持部２１に接合することでインプリントモールド１が作製され得る。

上記実施形態において、第１ハードマスクパターン７３をマスクとしたドライエッチング処理により略方形環状の溝部３０１を形成する態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、突出部３０に切削加工を施すことで略方形環状の溝部３０１を形成してもよい。

上記実施形態において、第１レジストパターン７２の膜厚を、略方形環状の溝部３０１をドライエッチング処理により形成した後においても当該第１レジストパターン７２が残存するように設定する態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、略方形環状の溝部３０１をドライエッチング処理により形成した後に第１レジストパターン７２が残存しない程度の膜厚で当該第１レジストパターン７２が形成されていてもよいし、第１ハードマスクパターン７３を形成した後、第１レジストパターン７２を除去してから当該第１ハードマスクパターン７３をマスクとしたドライエッチング処理により略方形環状の溝部３０１を形成してもよい。この場合において、略方形環状の溝部３０１に第１機能性膜６１を構成する材料を充填するに先立ち、略方形環状の溝部３０１に対応する開口部を有するレジストパターン等を形成すればよい。

上記実施形態において、第１面２Ａから突出する突出部３０を有するインプリントモールド用基板１０を準備し（図７（Ａ）参照）、当該インプリントモールド用基板１０を用いて機能性基板１’を作製し（図７（Ｂ）〜図８（Ｅ）参照）、最後に凸構造部３の上面３１に凹凸パターン４を形成することでインプリントモールド１を製造する態様を例に挙げて説明したが（図９参照）、この態様に限定されるものではない。例えば、突出部３０の上面に凹凸パターン４が形成され、当該凹凸パターン４を保護する保護膜（レジスト膜等）７０’と第１ハードマスク層７０とが順に形成されてなるインプリントモールド用基板１０’を準備し（図１５参照）、当該インプリントモールド用基板１０’を用いて、上記機能性基板１’を作製する工程（図７（Ｂ）〜図８（Ｅ）参照）を実施することで、インプリントモールド１を製造してもよい。なお、図１５に示すインプリントモールド用基板１０’において、突出部３０の外側における基材２の第１面２Ａと第１ハードマスク層７０との間に保護膜（レジスト膜等）７０’が形成されていてもよい。

１…インプリントモールド
１’…機能性基板
２…基材
２Ａ…第１面
２Ｂ…第２面
３…凸構造部
３１…上面
３２…第１側面部
３３…湾曲面
３４…平坦面
３５…第２側面部
６…機能性膜
６１…第１機能性膜
６２…第２機能性膜
６３…第３機能性膜

Claims (16)

1. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基材と、
   前記基材の前記第１面側から突出する凸構造部と
   を備え、
   前記凸構造部は、上面と、前記上面の外縁に連続し、前記基材の厚み方向に沿って下方に延伸する第１側面と、前記第１側面の下端に連続する平坦面と、前記平坦面の外縁に連続し、前記第１面に向かう方向に延伸する第２側面とを含み、
   前記第１側面には、第１機能性膜が形成されており、
   前記第１機能性膜の下端部を含む一部が、前記凸構造部内に位置している
   機能性基板。
2. 前記第１機能性膜は、前記基材に適用され得るエッチング液に対する耐性を有する材料により構成される
   請求項１に記載の機能性基板。
3. 前記基材が、所定の波長のエネルギー線に対して透明な材料により構成されており、
   前記第１機能性膜は、前記エネルギー線に対する遮光性能を有する材料により構成される
   請求項１又は２に記載の機能性基板。
4. 前記第１機能性膜は、クロム系材料、モリブデン系材料又は金により構成される
   請求項１〜３のいずれかに記載の機能性基板。
5. 前記第１側面と前記平坦面とは、それらの間に位置する湾曲面を介して連続しており、
   前記湾曲面には、前記第１側面に形成されている前記第１機能性膜の所定の位置に連続する第２機能性膜が形成されている
   請求項１〜４のいずれかに記載の機能性基板。
6. 前記平坦面には、前記第２機能性膜に連続する第３機能性膜が形成されている
   請求項５に記載の機能性基板。
7. 前記基材の厚み方向における前記第１側面の長さは、０．２μｍ〜２μｍである
   請求項１〜６のいずれかに記載の機能性基板。
8. 第１面及び当該第１面に対向する第２面、並びに前記第１面から突出する突出部を有する基材を準備する工程と、
   前記突出部の上面内に包含される所定の領域の外周を囲む溝部を前記突出部の上面に形成する工程と、
   前記溝部に機能性材料を充填する工程と、
   前記所定の領域を物理的に包含するように、前記所定の領域よりも大きな寸法を有するハードマスクパターンを前記突出部の上面に形成する工程と、
   前記ハードマスクパターンをエッチングマスクとし、所定のエッチング液を用いて前記突出部の上面を所定の深さまでウェットエッチングする工程と
   を含み、
   前記溝部に充填された機能性材料の一部を露出させるが全部を露出させないように、前記突出部の上面をウェットエッチングする
   機能性基板の製造方法。
9. 前記溝部に充填された機能性材料の下端部を前記基板内に位置させるように、前記突出部の上面をウェットエッチングする
   請求項８に記載の機能性基板の製造方法。
10. 前記機能性材料は、前記エッチング液に対して耐性を有する材料である
    請求項８又は９に記載の機能性基板の製造方法。
11. 前記基材が、所定の波長のエネルギー線に対して透明な材料により構成されており、
    前記機能性材料は、前記エネルギー線に対する遮光性能を有する材料である
    請求項８〜１０のいずれかに記載の機能性基板の製造方法。
12. 前記突出部の上面がウェットエッチングされることで出現した、前記溝部の外側を囲む前記基材の表面に機能性材料膜を形成する工程をさらに含む
    請求項８〜１１のいずれかに記載の機能性基板の製造方法。
13. 前記突出部の上面に形成された、前記溝部に対応する開口部を有するマスクパターンを介し、前記突出部の上面をエッチングすることにより前記溝部を形成する
    請求項８〜１２のいずれかに記載の機能性基板の製造方法。
14. 前記突出部の上面に対する切削加工により前記溝部を形成する
    請求項８〜１２のいずれかに記載の機能性基板の製造方法。
15. 前記溝部の開口寸法が、５０ｎｍ以上である
    請求項８〜１４のいずれかに記載の機能性基板の製造方法。
16. 請求項１〜７のいずれかに記載の機能性基板と、
    前記凸構造部の上面に設定されているパターン領域内に形成されてなる凹凸パターンと
    を備えるインプリントモールド。

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