JP2019016504A - 表示装置、及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機発光ダイオード内の構成層に剥離が生じる可能性を低減し、有機発光ダイオードが発光しなくなる可能性を低減させる。【解決手段】本開示に係る表示装置は、下地構造層と、前記下地構造層上に設けられた有機発光ダイオードと、前記有機発光ダイオードの側方に設けられ、内側面の少なくとも一部に第１の無機材料層を有する第１のスルーホールと、前記有機発光ダイオードの上方から前記第１のスルーホールの内側面にまで設けられ、前記第１の無機材料層と密着する第２の無機材料層と、を含む。【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）表示装置などのフラットパネルディスプレイは基板上に薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）などが形成された表示パネルを有する。

下記特許文献１においては、基板、膜厚調整層などの下地構造層の上方に、下部電極層、有機材料層、上部電極層を有する有機発光ダイオードと、有機発光ダイオードの側方に配置されたバンクとを有する構成が開示されている。

特開２０１４−１１０１３２号公報

しかし、上記従来の構成においては、複数の有機発光ダイオードの内、一部の有機発光ダイオードが発光しなくなる恐れがあった。即ち、上記従来の構成においては、有機ＥＬ装置自体が上方から落下した場合や、表示パネルに何らかの物体が衝突した場合など、有機発光ダイオードに何らかの衝撃が加わったような場合、あるいは、表示パネルを湾曲させるような応力が加わったような場合などにおいて、有機発光ダイオード内における下部電極層と有機材料層との間、有機材料層を構成する複数の層の間、あるいは有機材料層と上部電極層との間において剥離が生じる恐れがあった。そして、有機発光ダイオード内の構成層に剥離が生じた結果として、有機発光ダイオードが発光しなくなる恐れがあった。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機発光ダイオード内の構成層に剥離が生じる可能性を低減し、有機発光ダイオードが発光しなくなる可能性を低減させることである。

（１）本開示に係る表示装置は、下地構造層と、前記下地構造層上に設けられた有機発光ダイオードと、前記有機発光ダイオードの側方に設けられ、内側面の少なくとも一部に第１の無機材料層を有する第１のスルーホールと、前記有機発光ダイオードの上方から前記第１のスルーホールの内側面にまで設けられ、前記第１の無機材料層と密着する第２の無機材料層と、を含む。

（２）上記（１）における表示装置において、前記有機発光ダイオードが、下部電極層と、上部電極層と、前記下部電極層と前記上部電極層との間に設けられた有機材料層と、を含み、前記第１の無機材料層の少なくとも一部が、前記有機発光ダイオードにおける前記上部電極層と前記有機材料層との間よりも下方に配置された構成としてもよい。

（３）上記（１）、（２）における表示装置において、前記有機発光ダイオードが、下部電極層と、上部電極層と、前記下部電極層と前記上部電極層との間に設けられた有機材料層と、を含み、前記第１の無機材料層の少なくとも一部が、前記有機発光ダイオードにおける前記有機材料層に含まれた２つの層の間よりも下方に配置された構成としてもよい。

（４）上記（１）〜（３）における表示装置において、前記有機発光ダイオードが、下部電極層と、上部電極層と、前記下部電極層と前記上部電極層との間に設けられた有機材料層と、を含み、前記第１の無機材料層の少なくとも一部が、前記有機発光ダイオードにおける前記有機材料層と前記下部電極層との間よりも下方に配置された構成としてもよい。

（５）上記（１）〜（４）における表示装置における、前記下地構造層上において、前記有機発光ダイオードの側方にはバンクが設けられ、前記第１のスルーホールが前記バンク内に設けられ、前記第１の無機材料層が、前記バンクの少なくとも一部に設けられ、前記第１のスルーホールの内側面から露出され、前記第２の無機材料層が、前記有機発光ダイオードの上方、及び前記バンクの上方から前記第１のスルーホールの内側面にまで設けられ、前記第１の無機材料層と密着した構成としてもよい。

（６）上記（５）における表示装置が、前記バンク内に設けられた第２のスルーホールを更に含み、前記第１の無機材料層が、前記バンクの少なくとも一部に設けられ、前記第２のスルーホールの内側面から露出され、前記第２の無機材料層が、前記有機発光ダイオードの上方、及び前記バンクの上方から前記第２のスルーホールの内側面にまで設けられ、前記第１の無機材料層と密着した構成としてもよい。

（７）上記（１）〜（４）における表示装置における、前記下地構造層上において、前記有機発光ダイオード側方にはバンクが設けられ、前記第１のスルーホールが前記バンクから前記下地構造層にまで設けられ、前記第１の無機材料層が、前記下地構造層の少なくとも一部に設けられ、前記第１のスルーホールの内側面から露出され、前記第２の無機材料層が、前記第有機発光ダイオードの上方、及び前記バンクの上方から前記第１のスルーホールの内側面にまで設けられ、前記第１の無機材料層と密着した構成としてもよい。

（８）上記（７）における表示装置が、前記バンクから前記下地構造層にまで設けられた第２のスルーホールを更に含み、前記第１の無機材料層が、前記下地構造層の少なくとも一部に設けられ、前記第２のスルーホールの内側面から露出され、前記第２の無機材料層が、前記第１の有機発光ダイオードの上方、及び前記バンクの上方から前記第２のスルーホールの内側面にまで設けられ、前記第１の無機材料層と密着した構成としてもよい。

（９）上記（１）〜（８）における表示装置において、前記第１のスルーホールの内側面の少なくとも一部が、前記下地構造層に含まれた平坦化膜の上面に対して８５度以上の傾斜角度を有する構成としてもよい。

（１０）上記（６）、（８）における表示装置において、前記第２のスルーホールの内側面の少なくとも一部が、前記下地構造層に含まれた平坦化膜の上面に対して８５度以上の傾斜角度を有する構成としてもよい。

（１１）上記（１）〜（１０）における表示装置において、前記第１の無機材料層は、構成材料として窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンの内のいずれか一つを含む構成としてもよい。

（１２）上記（１）〜（１１）における表示装置において、前記第２の無機材料層は、構成材料として窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンの内のいずれか一つを含む構成としてもよい。

（１３）上記（１）〜（１２）における表示装置が、前記第１のスルーホールの底部には、前記有機発光ダイオードにおける有機材料層と上部電極層との積層体と同じ材料からなる残留積層体が設けられた構成としてもよい。

（１４）上記（６）、（８）、（１０）における表示装置が、前記第２のスルーホールの底部には、前記有機発光ダイオードにおける有機材料層と上部電極層との積層体と同じ材料からなる残留積層体が設けられた構成としてもよい。

（１５）本開示に係る表示装置の製造方法は、下地構造層を準備する工程と、前記下地構造層上に有機発光ダイオードを設ける工程と、前記有機発光ダイオードの側方において、内側面の少なくとも一部に第１の無機材料層を有する第１のスルーホールを設ける工程と、前記有機発光ダイオードの上方から前記第１のスルーホールの内側面にまで第２の無機材料層を設け、前記第１の無機材料層と前記第２の無機材料層とを密着させる工程と、を含む。

（１６）上記（１５）における表示装置の製造方法が、前記下地構造層を準備する工程において、前記第１の無機材料層を含む下地構造層を準備し、前記第１のスルーホールを設ける工程において、前記第１のスルーホールの内側面の少なくとも一部から、前記下地構造層における前記第１の無機材料層を露出させる製造方法としてもよい。

（１７）上記（１５）における表示装置の製造方法が、前記下地構造層上における前記有機発光ダイオードの側方において、前記第１の無機材料層を含むバンクを設ける工程を更に含み、前記第１のスルーホールを設ける工程において、前記第１のスルーホールの内側面の少なくとも一部から前記バンクにおける前記第１の無機材料層を露出させる製造法方としてもよい。

図１は、本実施形態に係る表示装置の概略の構成を示す模式図である。 図２は、本実施形態に係る表示装置における表示パネルの模式的な平面図である。 図３は、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った位置での表示パネルの実施例１を示す模式的な垂直断面図である。 図４は、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った位置での表示パネルの実施例２を示す模式的な垂直断面図である。 図５は、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った位置での表示パネルの実施例３を示す模式的な垂直断面図である。 図６は、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った位置での表示パネルの実施例４を示す模式的な垂直断面図である。 図７は、本実施形態に係る表示装置におけるバンクとスルーホールの配置関係を示す模式的な平面図である。 図８は、本実施形態に係る表示装置におけるバンクとスルーホールの配置関係を示す模式的な平面図である。 図９は、本実施形態に係る表示装置におけるバンクとスルーホールの配置関係を示す模式的な平面図である。 図１０は、本実施形態に係る表示装置におけるバンクとスルーホールの配置関係を示す模式的な平面図である。 図１１は、本実施形態に係る表示装置におけるバンクとスルーホールの配置関係を示す模式的な平面図である。 図１２は、本実施形態に係る表示装置における下地構造層の積層面に対するスルーホールの傾斜角度を示す模式的な断面図である。 図１３は、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った位置での表示パネルの実施例１を示す模式的な垂直断面図である。 図１４は、本実施形態に係る表示装置における額縁領域を示す模試的な垂直断面図である。

［第１の実施形態］
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。

なお、本開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

本実施形態に係る表示装置２は、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パソコン、携帯端末、携帯電話等に搭載される。図１は本実施形態に係る表示装置２の概略の構成を示す模式図である。表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、当該画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。表示装置２はフレキシブルディスプレイであり、可撓性を有した樹脂フィルムなどからなる基材と、当該基材の内部又は上方に設けられた配線と、を含む配線層を有する。

画素アレイ部４には画素に対応して有機発光ダイオード６及び画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は、点灯ＴＦＴ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１０、駆動ＴＦＴ１２、及びキャパシタ１４などを含む。

一方、駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６を含み、画素回路８を駆動し、有機発光ダイオード６の発光を制御する。

走査線駆動回路２０は画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。

映像線駆動回路２２は画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は書き込まれた電圧に応じた電流を有機発光ダイオード６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素の有機発光ダイオード６が発光する。

駆動電源回路２４は画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２及び選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介して有機発光ダイオード６に電流を供給する。

ここで、有機発光ダイオード６の下部電極は駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各有機発光ダイオード６の上部電極層は、全画素の有機発光ダイオード６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極層は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極層は陽極（アノード）となって高電位が入力される。

図２は表示装置２の表示パネル４０の模式的な平面図である。画像の表示される表示領域４３及び表示領域４３を囲む額縁領域４４を含む第１の領域４２に図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４には有機発光ダイオード６が配列される。上述したように有機発光ダイオード６を構成する上部電極層１０４は各画素に共通に形成され、第１の領域４２の略全体を覆う。

矩形である表示パネル４０の一辺には駆動部が形成される第２の領域４６が設けられ、第１の領域４２につながる配線が配置される。さらに第２の領域４６には駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されたり、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）５０が接続されたりする。ＦＰＣ５０は走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６等と接続され、その上にＩＣを搭載されてもよい。

［実施例１］
以下、図３を用いて、本実施形態における実施例１について説明する。図３は図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った位置での表示パネル４０の模式的な垂直断面図である。表示パネル４０は、樹脂フィルムからなる絶縁性基材７０の上に設けられたＴＦＴ７２、第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂなどを含む複数の有機発光ダイオード６、及び有機発光ダイオード６を封止する封止層としての第２の無機材料層１０６などを含む構造を有する。絶縁性基材７０はガラス等を用いることができる。また、絶縁性基材７０は可撓性を有していてもよく、例えば、アクリルやポリイミド膜といった樹脂等を用いることができる。第２の無機材料層１０６の上には保護膜１１４を形成することができる。

本実施形態において画素アレイ部４はトップエミッション型であり、有機発光ダイオード６で生じた光は絶縁性基材７０とは反対側、つまり図３において上向きに出射される。なお、表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には第２の無機材料層１０６と保護膜１１４との間、あるいは対向基板側にカラーフィルタが配置され、有機発光ダイオード６にて白色光を生成し、当該白色光をカラーフィルタに通すことで例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）などの色の光を作る。

第１の領域４２の回路層には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。また、駆動部の少なくとも一部分は絶縁性基材７０上に回路層として第１の領域４２に隣接する領域に形成することができる。また上述したように駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を第２の領域４６にて、回路層の配線１１６に接続することができる。

以下、より具体的な構成と、その構成を実現するための製造方法について説明する。絶縁性基材７０の上に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｙ）や酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）などの無機絶縁材料からなる下地層としての第１の絶縁膜８０を介してポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜が形成され、当該ｐ−Ｓｉ膜をパターニングし、回路層で用いる箇所のｐ−Ｓｉ膜を選択的に残す。例えば、ｐ−Ｓｉ膜を用いてトップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部及びソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成される。ＴＦＴ７２のチャネル部の上にはゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置される。ゲート電極８６はスパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。

この後、ゲート電極８６を覆う層間絶縁膜８８を積層する。ＴＦＴ７２のソース部、ドレイン部となるｐ−Ｓｉにはイオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａ及びドレイン電極９０ｂが形成される。このようにしてＴＦＴ７２を形成した後、層間絶縁膜９２を積層する。層間絶縁膜９２の表面には、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして配線９４を形成してもよく、当該金属膜とゲート電極８６、ソース電極９０ａ及びドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで例えば、配線１１６、及び図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に例えば、アクリル樹脂等の有機材料を積層して平坦化膜９６が形成される。

本実施例においては、この平坦化膜９６の上面に第１の無機材料層９８を形成する。第１の無機材料層９８は、その構成材料として、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等を含む。本実施例においては、絶縁性基材７０から第１の無機材料層９８までを下地構造層１１８とする。なお、この第１の無機材料層９８の更に上層に他の有機材料層、又は無機材料層が設けられてもよく、この他の有機材料層、無機材料層までを下地構造層１１８としてもよい。

下地構造層１１８上には第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂを形成する。第１の有機発光ダイオード６Ａは、下部電極層１００Ａ、有機材料層１０２Ａ及び上部電極層１０４Ａを有し、これら下部電極層１００Ａ、有機材料層１０２Ａ及び上部電極層１０４Ａは絶縁性基材７０側から順に積層される。本実施形態では下部電極層１００Ａが第１の有機発光ダイオード６Ａの陽極（アノード）であり、上部電極層１０４Ａが陰極（カソード）である。有機材料層１０２Ａは正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含んで構成される。同様に、第２の有機発光ダイオード６Ｂは、下部電極層１００Ｂ、有機材料層１０２Ｂ及び上部電極層１０４Ｂを有し、これら下部電極層１００Ｂ、有機材料層１０２Ｂ及び上部電極層１０４Ｂは絶縁性基材７０側から順に積層される。本実施形態では下部電極層１００Ｂが第２の有機発光ダイオード６Ｂの陽極（アノード）であり、上部電極層１０４Ｂが陰極（カソード）である。有機材料層１０２Ｂは正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含んで構成される。

図３に示すＴＦＴ７２がｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、第１の有機発光ダイオード６Ａの下部電極層１００Ａ、及び第２の有機発光ダイオード６Ｂの下部電極層１００Ｂは、それぞれＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した第１の無機材料層９８の形成後、下部電極層１００Ａ、下部電極層１００ＢのそれぞれをＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０を形成し、第１の無機材料層９８の上面及びコンタクトホール１１０内に形成した導電体膜をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極層１００を画素ごとに形成することができる。

下部電極層１００Ａ、下部電極層１００Ｂの形成後、第１の有機発光ダイオード６Ａと第２の有機発光ダイオード６Ｂとの間、即ち画素境界にバンク１１２を形成する。本実施例においては、バンク１１２の材料としてはアクリルやポリイミドなどの樹脂が用いられる。バンク１１２で囲まれた画素の有効領域には下部電極層１００Ａ、下部電極層１００Ｂが露出する。

バンク１１２の形成後、第１の有機発光ダイオード６Ａの側方において、バンク１１２の上面から層間絶縁膜９２の上面にまで、第１のスルーホール１２２を設ける。第１のスルーホール１２２の内側面においては、バンク１１２、第１の無機材料層９８、及び平坦化膜９６が露出する。また、第１のスルーホール１２２の底面からは、層間絶縁膜９２の上面が露出する。

第１のスルーホール１２２の配置と形状は、例えば図７の模式的な平面図に示すように、下部電極層１００Ａと下部電極層１００Ｂとの間において配置され、下部電極層１００Ａ、下部電極層１００Ｂの幅と同程度の幅を有する略長方形状としてもよい。第１のスルーホール１２２の形成方法としては、ドライエッチング工法、ウェットエッチング工法、どちらを用いてもかまわない。

なお、バンク１１２に設けるスルーホールは一つに限られず、複数のスルーホールを設けてもよい。例えば、図８の模式的な平面図に示すように、第１のスルーホール１２２に並走する第２のスルーホール１２４を、下部電極層１００Ａと下部電極層１００Ｂとの間に配置してもよい。

あるいは、図９の模式的な平面図に示すように、下部電極層１００Ａと下部電極層１００Ｂとの間に、略正方形状の第１のスルーホール１２２、第２のスルーホール１２４、第３のスルーホール１２６、第４のスルーホール１２８を、等間隔で配置する構成としてもよい。

又は、図１０の模式的な平面図に示すように、下部電極層１００Ａと下部電極層１００Ｂとの間において、下部電極層１００Ａから下部電極層１００Ｂへと延伸する略長方形状の第１のスルーホール１２２と、この第１のスルーホール１２２に並走する第２のスルーホール１２４、第３のスルーホール１２６、第４のスルーホール１２８、第５のスルーホール１３０を設ける構成としてもよい。

更には、図１１の模式的な平面図に示すように、下部電極層１００Ａと下部電極層１００Ｂとの間において、２×５のマトリクス状に、略正方形の第１のスルーホール１２２、第２のスルーホール１２４、第３のスルーホール１２６、第４のスルーホール１２８、第５のスルーホール１３０、第６のスルーホール１３２、第７のスルーホール１３４、第８のスルーホール１３６、第９のスルーホール１３８、第１０のスルーホール１４０を設ける構成としてもよい。

このように、下部電極層１００Ａと下部電極層１００Ｂとの間に設けるスルーホールの配置、形状は適宜バンク１１２の形状や、下部電極層１００Ａ、下部電極層１００Ｂとの距離に応じて決定すればよいが、スルーホールの内側面から露出する第１の無機材料層９８の表面積が大きければ大きいほど、後述する第２の無機材料層１０６と第１の無機材料層９８との密着性を向上させることができる。そのため、有機発光ダイオード６内の構成層に剥離が生じる可能性を低減することができ、その結果として、有機発光ダイオード６が発光しなくなる可能性を低減させることができる。

第１のスルーホール１２２、第２のスルーホール１２４等の形成後、有機材料層１０２Ａを構成する各層が下部電極層１００Ａの上に順番に積層される。同様に、有機材料層１０２Ｂを構成する各層が下部電極層１００Ｂの上に順番に積層される。この有機材料層１０２Ａ、有機材料層１０２Ｂは、それぞれ蒸着により形成されるため、第１のスルーホール１２２の底部において露出された層間絶縁膜９２の上面においても、下部電極層１００Ａの上に積層されたのと同様の厚みで形成される。また、第１のスルーホール１２２の内側面においては、第１の無機材料層９８等の側面が露出する。

その後、有機材料層１０２Ａの上に上部電極層１０４Ａを、有機材料層１０２Ｂの上に上部電極層１０４Ｂを蒸着により形成する。上部電極層１０４Ａ、上部電極層１０４Ｂは、透明電極材料などを用いて形成する。この上部電極層１０４Ａ、上部電極層１０４Ｂも有機材料層１０２Ａ、有機材料層１０２Ｂと同様に、それぞれ蒸着により形成されるため、第１のスルーホール１２２の底部において形成された有機材料層１０２Ａ、有機材料層１０２Ｂの上面においても形成される。

このように、第１のスルーホール１２２の底部においては、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと上部電極層１０４Ａとの積層体と同じ材料からなる残留積層体が設けられることとなる。なお、第２のスルーホール１２４を設けている場合においては、第２のスルーホール１２４においても同様に、その底部において、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと上部電極層１０４Ａとの積層体と同じ材料からなる残留積層体が設けられることとなる。

なお、本実施例においては、第１のスルーホール１２２の内側面におけるこの残留積層体の上方において第１の無機材料層９８が露出する構成としている。なお、上述した残留積層体の膜厚が、第１の無機材料層９８の膜厚と比較して十分に薄い場合には、図１３に示すように、第１のスルーホール１２２等が平坦化膜９６の上面にまで設けられ、第１のスルーホール１２２が平坦化膜９６を突き抜けない構成としてもよい。なお、第２のスルーホール１２４を設けている場合においては、第１のスルーホール１２２と同様に、第２のスルーホール１２４の内側面における残留積層体の上方において第１の無機材料層９８が露出する構成とする。

上部電極層１０４Ａ、上部電極層１０４Ｂの上面には、第２の無機材料層１０６を形成する。第２の無機材料層１０６は、その構成材料として、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンなどを含み、これらの材料をＣＶＤ法により製膜することにより形成される。第２の無機材料層１０６は、有機発光ダイオード６への水分等不純物の侵入を阻止する封止層として機能する。図示しないが、封止層として第２の無機材料層１０６を含む複数の無機絶縁層を有してもよく、複数の無機絶縁層との間に有機層を有していてもよい。有機層を有する場合、平面視において有機層の外周部で複数の無機絶縁層同士が接触する。この第２の無機材料層１０６は、図３に示すように第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂの上方から、第１のスルーホール１２２の内側面にまで設けられており、上述した第１のスルーホール１２２内側面から露出する第１の無機材料層９８と密着している。なお、第２のスルーホール１２４を設けている場合においては、第２の無機材料層１０６が第２のスルーホール１２４の内側面にまで設けられており、第２のスルーホール１２４の内側面から露出する第１の無機材料層９８と密着する。

このような構成により、第１の有機発光ダイオード６Ａの側方、即ち第１の有機発光ダイオード６Ａと第２の有機発光ダイオード６Ｂとの間に配置された第１のスルーホール１２２の内側面において第１の無機材料層９８が露出しており、第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂの上方にその一部が設けられた第２の無機材料層１０６が、第１のスルーホール１２２の内側面において、この第１の無機材料層９８と密着する構成を実現することができる。そのため、第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂ内の構成層に剥離が生じる可能性を低減させることができ、第１の有機発光ダイオード６Ａ、及び第２の有機発光ダイオード６Ｂが発光しなくなる可能性を低減させることができる。

また、図３に示す本実施例においては、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける上部電極層１０４Ａと有機材料層１０２Ａとの間よりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、上部電極層１０４Ａ、有機材料層１０２Ａに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この上部電極層１０４Ａと有機材料層１０２Ａとの間における剥離の発生をより低減させることができる。同様に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける上部電極層１０４Ｂと有機材料層１０２Ｂとの間よりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、上部電極層１０４Ｂ、有機材料層１０２Ｂに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この上部電極層１０４Ｂと有機材料層１０２Ｂとの間における剥離の発生をより低減させることができる。

なお、通常、有機材料層１０２Ａは複数の層により構成されるが、図３に示す本実施例においては、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されている。。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ａに対して上下方向から挟み込む構造となっている。そのため、この有機材料層１０２Ａに含まれる複数の層の間における剥離の発生をより低減させることができる。同様に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ｂに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この有機材料層１０２Ｂに含まれる複数の層の間における剥離の発生をより低減させることができる。なお、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、有機材料層１０２Ａ、有機材料層１０２Ｂに含まれる少なくとも２つの層の間よりも下方に配置されていれば、この２つの層の間における剥離の発生をより低減させる効果を得ることができる。

更に、図３に示す本実施例においては、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間よりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、下部電極層１００Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ａ、下部電極層１００Ａに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間における剥離の発生をより低減させることができる。同様に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける有機材料層１０２Ｂと下部電極層１００Ｂとの間よりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、下部電極層１００Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ｂ、下部電極層１００Ｂに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この有機材料層１０２Ｂと下部電極層１００Ｂとの間における剥離の発生をより低減させることができる。

なお、図１２に示すように、第１のスルーホール１２２の内側面の少なくとも一部が、平坦化膜９６の上面に対して８５度以上の傾斜角度を有することが望ましい。平坦化膜９６の上面は、平坦化膜９６の下面と接する各構成の積層構造を反映した凹凸を吸収し、図３に示すように、絶縁性基材７０と平行になる。平坦化膜９６の上面と第１のスルーホール１２２の内側面とのなす角度が８５度以上の傾斜角度を有する構成を示している。このような構成とすることにより、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａ、上部電極層１０４Ａが蒸着工程を用いて形成される場合において、第１のスルーホール１２２の内側面において有機材料層１０２Ａ、上部電極層１０４Ａの材料が蒸着されてしまうことを抑制することができる。この結果、内側面から第１の無機材料層９８を露出させることができる。なお、第２のスルーホール１２４を有する場合は、同様に第２のスルーホール１２４の内側面の少なくとも一部が、平坦化膜９６の上面に対して８５度以上の傾斜角度を有することが望ましい。

第２の無機材料層１０６形成後においては、表示パネル４０の表面の機械的な耐性を確保するため、保護膜１１４が積層される。一方、第２の領域４６にはＩＣやＦＰＣを接続し易くするため保護膜１１４を設けない。ＦＰＣ５０の配線やドライバＩＣ４８の端子は例えば、配線１１６に電気的に接続される。

［実施例２］
以下、図４を用いて、本実施形態における実施例２について説明する。なお、実施例１と共通の構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する。図４は図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った位置での表示パネル４０の模式的な垂直断面図である。

本実施例においては、平坦化膜９６の上面全体に第１の無機材料層９８を形成するのではなく、平坦化膜９６内の一部に第１の無機材料層９８が設けられる構成としている。第１の無機材料層９８としては、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機材料を用いておく。絶縁性基材７０から平坦化膜９６、及び第１の無機材料層９８までを下地構造層１１８とする。なお、この平坦化膜９６、第１の無機材料層９８の更に上層に他の有機材料層、又は無機材料層が設けられてもよく、この他の有機材料層、無機材料層までを下地構造層１１８としてもよい。

実施例１と同様、バンク１１２の形成後、第１の有機発光ダイオード６Ａの側方において、バンク１１２の上面から層間絶縁膜９２の上面にまで、第１のスルーホール１２２を設ける。その際、第１のスルーホール１２２の内側面から、平坦化膜９６内に設けられた第１の無機材料層９８が露出するように第１のスルーホール１２２を形成する。例えば、平坦化膜９６内に設けられた第１の無機材料層９８を貫通するように第１のスルーホール１２２を設ければ、第１のスルーホール１２２の内側面から第１の無機材料層９８が露出する構成とすることができる。

第２のスルーホール１２４を設ける場合は、第１のスルーホール１２２と同様に、第２のスルーホール１２４の内側面から、平坦化膜９６内に設けられた第１の無機材料層９８が露出するように、第２のスルーホール１２４の形成位置を決定する。

なお、本実施例においても、第１のスルーホール１２２の底部においては、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと上部電極層１０４Ａとの積層体と同じ材料からなる残留積層体が設けられることとなる。なお、第２のスルーホール１２４を設けている場合においては、第２のスルーホール１２４においても同様に、その底部において、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと上部電極層１０４Ａとの積層体と同じ材料からなる残留積層体が設けられることとなる。

そして、本実施例においても、第１のスルーホール１２２の内側面におけるこの残留積層体の上方において第１の無機材料層９８が露出する構成としている。なお、上述した残留積層体の膜厚が、第１の無機材料層９８の膜厚と比較して十分に薄い場合には、第１のスルーホール１２２等が平坦化膜９６の上面にまで設けられ、第１のスルーホール１２２が平坦化膜９６を突き抜けない構成としてもよい。なお、第２のスルーホール１２４を設けている場合においては、第１のスルーホール１２２と同様に、第２のスルーホール１２４の内側面における残留積層体の上方において第１の無機材料層９８が露出する構成とすることが望ましい。

上部電極層１０４Ａ、上部電極層１０４Ｂの上面には、第２の無機材料層１０６を形成する。第２の無機材料層１０６は、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンなどをＣＶＤ法により製膜することにより形成される。この第２の無機材料層１０６は、図４に示すように第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂの上方から、第１のスルーホール１２２の内側面にまで設けられており、上述した第１のスルーホール１２２内側面から露出する第１の無機材料層９８と密着している。なお、第２のスルーホール１２４を設けている場合においては、第２の無機材料層１０６が第２のスルーホール１２４の内側面にまで設けられており、第２のスルーホール１２４の内側面から露出する第１の無機材料層９８と密着する。

このような構成により、第１の有機発光ダイオード６Ａの側方、即ち第１の有機発光ダイオード６Ａと第２の有機発光ダイオード６Ｂとの間に配置された第１のスルーホール１２２の内側面において第１の無機材料層９８が露出しており、第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂの上方にその一部が設けられた第２の無機材料層１０６が、第１のスルーホール１２２の内側面において、この第１の無機材料層９８と密着する構成を実現することができる。そのため、第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂ内の構成層に剥離が生じる可能性を低減させることができ、第１の有機発光ダイオード６Ａ、及び第２の有機発光ダイオード６Ｂが発光しなくなる可能性を低減させることができる。

図４に示す本実施例においても、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける上部電極層１０４Ａと有機材料層１０２Ａとの間よりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、上部電極層１０４Ａ、有機材料層１０２Ａに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この上部電極層１０４Ａと有機材料層１０２Ａとの間における剥離の発生をより低減させることができる。同様に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける上部電極層１０４Ｂと有機材料層１０２Ｂとの間よりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、上部電極層１０４Ｂ、有機材料層１０２Ｂに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この上部電極層１０４Ｂと有機材料層１０２Ｂとの間における剥離の発生をより低減させることができる。

なお、通常、有機材料層１０２Ａは複数の層により構成されるが、本実施例においても、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ａに対して上下方向から挟み込む構造となっている。そのため、この有機材料層１０２Ａに含まれる複数の層の間における剥離の発生をより低減させることができる。同様に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ｂに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この有機材料層１０２Ｂに含まれる複数の層の間における剥離の発生をより低減させることができる。なお、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、有機材料層１０２Ａ、有機材料層１０２Ｂに含まれる少なくとも２つの層の間よりも下方に配置されていれば、この２つの層の間における剥離の発生をより低減させる効果を得ることができる。

更に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間よりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、下部電極層１００Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ａ、下部電極層１００Ａに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間における剥離の発生をより低減させることができる。同様に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける有機材料層１０２Ｂと下部電極層１００Ｂとの間よりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、下部電極層１００Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ｂ、下部電極層１００Ｂに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この有機材料層１０２Ｂと下部電極層１００Ｂとの間における剥離の発生をより低減させることができる。

なお、第１のスルーホール１２２の内側面の少なくとも一部が、平坦化膜９６の上面に対して８５度以上の傾斜角度を有することが望ましい点については、上記実施例１と同様であるため、その説明を省略する。

［実施例３］
以下、図５を用いて、本実施形態における実施例３について説明する。なお、実施例１と共通の構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する。図５は図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った位置での表示パネル４０の模式的な垂直断面図である。

本実施例においては、平坦化膜９６の上面に第１の無機材料層９８を形成するのではなく、層間絶縁膜９２を第１の無機材料層９８として用いている。層間絶縁膜９２、即ち第１の無機材料層９８としては、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機材料を用いておく。本実施例においては、絶縁性基材７０から平坦化膜９６までを下地構造層１１８とする。なお、この平坦化膜９６の更に上層に他の有機材料層、又は無機材料層が設けられてもよく、この他の有機材料層、無機材料層までを下地構造層１１８としてもよい。

本実施例においては、バンク１１２の形成後、第１の有機発光ダイオード６Ａの側方において、バンク１１２の上面から層間絶縁膜８８の上面にまで、第１のスルーホール１２２を設ける。その際、第１のスルーホール１２２の内側面から、層間絶縁膜９２、即ち第１の無機材料層９８が露出するように第１のスルーホール１２２を形成する。

第２のスルーホール１２４を設ける場合は、第１のスルーホール１２２と同様に、第２のスルーホール１２４の内側面から、第１の無機材料層９８が露出するように、第２のスルーホール１２４を形成する。

なお、本実施例においても、第１のスルーホール１２２の底部においては、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと上部電極層１０４Ａとの積層体と同じ材料からなる残留積層体が設けられることとなる。なお、第２のスルーホール１２４を設けている場合においては、第２のスルーホール１２４においても同様に、その底部において、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと上部電極層１０４Ａとの積層体と同じ材料からなる残留積層体が設けられることとなる。

そして、本実施例においても、第１のスルーホール１２２の内側面におけるこの残留積層体の上方において第１の無機材料層９８が露出する構成としている。なお、第２のスルーホール１２４を設けている場合においては、第１のスルーホール１２２と同様に、第２のスルーホール１２４の内側面における残留積層体の上方において第１の無機材料層９８が露出する構成としている。

上部電極層１０４Ａ、上部電極層１０４Ｂの上面には、第２の無機材料層１０６を形成する。第２の無機材料層１０６は、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンなどをＣＶＤ法により製膜することにより形成される。この第２の無機材料層１０６は、図５に示すように第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂの上方から、第１のスルーホール１２２の内側面にまで設けられており、上述した第１のスルーホール１２２内側面から露出する第１の無機材料層９８と密着している。なお、第２のスルーホール１２４を設けている場合においては、第２の無機材料層１０６が第２のスルーホール１２４の内側面にまで設けられており、第２のスルーホール１２４の内側面から露出する第１の無機材料層９８と密着する。

このような構成により、第１の有機発光ダイオード６Ａの側方、即ち第１の有機発光ダイオード６Ａと第２の有機発光ダイオード６Ｂとの間に配置された第１のスルーホール１２２の内側面において第１の無機材料層９８が露出しており、第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂの上方にその一部が設けられた第２の無機材料層１０６が、第１のスルーホール１２２の内側面において、この第１の無機材料層９８と密着する構成を実現することができる。そのため、第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂ内の構成層に剥離が生じる可能性を低減させることができ、第１の有機発光ダイオード６Ａ、及び第２の有機発光ダイオード６Ｂが発光しなくなる可能性を低減させることができる。

図５に示す本実施例においても、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける上部電極層１０４Ａと有機材料層１０２Ａとの間よりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、上部電極層１０４Ａ、有機材料層１０２Ａに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この上部電極層１０４Ａと有機材料層１０２Ａとの間における剥離の発生をより低減させることができる。同様に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける上部電極層１０４Ｂと有機材料層１０２Ｂとの間よりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、上部電極層１０４Ｂ、有機材料層１０２Ｂに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この上部電極層１０４Ｂと有機材料層１０２Ｂとの間における剥離の発生をより低減させることができる。

なお、通常、有機材料層１０２Ａは複数の層により構成されるが、本実施例においても、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ａに対して上下方向から挟み込む構造となっている。そのため、この有機材料層１０２Ａに含まれる複数の層の間における剥離の発生をより低減させることができる。同様に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ｂに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この有機材料層１０２Ｂに含まれる複数の層の間における剥離の発生をより低減させることができる。なお、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、有機材料層１０２Ａ、有機材料層１０２Ｂに含まれる少なくとも２つの層の間よりも下方に配置されていれば、この２つの層の間における剥離の発生をより低減させる効果を得ることができる。

更に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間よりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、下部電極層１００Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ａ、下部電極層１００Ａに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間における剥離の発生をより低減させることができる。同様に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける有機材料層１０２Ｂと下部電極層１００Ｂとの間よりも下方に配置されている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、下部電極層１００Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ｂ、下部電極層１００Ｂに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このため、この有機材料層１０２Ｂと下部電極層１００Ｂとの間における剥離の発生をより低減させることができる。

なお、第１のスルーホール１２２の内側面の少なくとも一部が、平坦化膜９６の上面に対して８５度以上の傾斜角度を有することが望ましい点については、上記実施例１と同様であるため、その説明を省略する。

［実施例４］
以下、図６を用いて、本実施形態における実施例４について説明する。なお、実施例１と共通の構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する。図６は図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った位置での表示パネル４０の模式的な垂直断面図である。

本実施例においては、平坦化膜９６の上面に第１の無機材料層９８を形成するのではなく、バンク１１２を第１の無機材料層９８として用いている。バンク１１２、即ち第１の無機材料層９８としては、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機材料を用いておく。

本実施例においては、絶縁性基材７０から平坦化膜９６までを下地構造層１１８とする。なお、この平坦化膜９６の更に上層に他の有機材料層、又は無機材料層が設けられてもよく、この他の有機材料層、無機材料層までを下地構造層１１８としてもよい。

本実施例においては、第１の無機材料層９８であるバンク１１２の形成後、第１の有機発光ダイオード６Ａの側方において、バンク１１２の上面から平坦化膜９６の上面にまで、第１のスルーホール１２２を設ける。その際、第１のスルーホール１２２の内側面から、第１の無機材料層９８が露出する。

第２のスルーホール１２４を設ける場合は、第１のスルーホール１２２と同様に、第２のスルーホール１２４の内側面から、第１の無機材料層９８が露出する。

なお、本実施例においても、第１のスルーホール１２２の底部においては、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと上部電極層１０４Ａとの積層体と同じ材料からなる残留積層体が設けられることとなる。なお、第２のスルーホール１２４を設けている場合においては、第２のスルーホール１２４においても同様に、その底部において、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと上部電極層１０４Ａとの積層体と同じ材料からなる残留積層体が設けられることとなる。

そして、本実施例においても、第１のスルーホール１２２の内側面におけるこの残留積層体の上方において第１の無機材料層９８が露出する構成としている。なお、第２のスルーホール１２４を設けている場合においては、第１のスルーホール１２２と同様に、第２のスルーホール１２４の内側面における残留積層体の上方においてバンク１１２、即ち第１の無機材料層９８が露出する構成としている。

上部電極層１０４Ａ、上部電極層１０４Ｂの上面には、第２の無機材料層１０６を形成する。第２の無機材料層１０６は、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンなどをＣＶＤ法により製膜することにより形成される。この第２の無機材料層１０６は、図６に示すように第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂの上方から、第１のスルーホール１２２の内側面にまで設けられており、上述した第１のスルーホール１２２内側面から露出する第１の無機材料層９８と密着している。なお、第２のスルーホール１２４を設けている場合においては、第２の無機材料層１０６が第２のスルーホール１２４の内側面にまで設けられており、第２のスルーホール１２４の内側面から露出する第１の無機材料層９８と密着する。

このような構成により、第１の有機発光ダイオード６Ａの側方、即ち第１の有機発光ダイオード６Ａと第２の有機発光ダイオード６Ｂとの間に配置された第１のスルーホール１２２の内側面において第１の無機材料層９８が露出しており、第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂの上方にその一部が設けられた第２の無機材料層１０６が、第１のスルーホール１２２の内側面において、この第１の無機材料層９８と密着する構成を実現することができる。そのため、第１の有機発光ダイオード６Ａ、第２の有機発光ダイオード６Ｂ内の構成層に剥離が生じる可能性を低減させることができ、第１の有機発光ダイオード６Ａ、及び第２の有機発光ダイオード６Ｂが発光しなくなる可能性を低減させることができる。

なお、図６に示す本実施例においても、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける上部電極層１０４Ａと有機材料層１０２Ａとの間よりも下方に配置される構成とすることが望ましい。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、上部電極層１０４Ａ、有機材料層１０２Ａに対して上下方向から挟み込む構造となっている。そのような構成とすることにより、この上部電極層１０４Ａと有機材料層１０２Ａとの間における剥離の発生をより低減させることができる。同様に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける上部電極層１０４Ｂと有機材料層１０２Ｂとの間よりも下方に配置される構成とする。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、上部電極層１０４Ｂ、有機材料層１０２Ｂに対して上下方向から挟み込む構造となっている。この構成により、この上部電極層１０４Ｂと有機材料層１０２Ｂとの間における剥離の発生をより低減させることができ望ましい。

なお、図６に示す構成においては、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａよりも下方に配置される構成となっている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ａに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このような構成とすることにより、この有機材料層１０２Ａに含まれる複数の層の間における剥離の発生をより低減させることができる。同様に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置される構成としている。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ｂに対して上下方向から挟み込む構造となっている。このような構成とすることにより、この有機材料層１０２Ｂに含まれる複数の層における剥離の発生をより低減させることができ望ましい。なお、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、有機材料層１０２Ａ、有機材料層１０２Ｂに含まれる少なくとも２つの層の間よりも下方に配置されていれば、この２つの層の間における剥離の発生をより低減させる効果を得ることができる。

なお、図６に示す構成においては、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間よりも下方に配置される構成となっていない。しかし、第１のスルーホール１２２を平坦化膜９６内、あるいは層間絶縁膜９２内にまで設ける構成とすることにより、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間よりも下方に配置される構成とすることが望ましい。このような構成とすることにより、この有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間における剥離の発生をより低減させることができるためである。同時に、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける有機材料層１０２Ｂと下部電極層１００Ｂとの間よりも下方に配置される構成とすることにより、この有機材料層１０２Ｂと下部電極層１００Ｂとの間における剥離の発生をより低減させることができ望ましい。

なお、図６に示す例においては、バンク１１２すべてが第１の無機材料層９８である例を示しているが、バンク１１２の一部を第１の無機材料層９８とする構成としても構わない。バンク１１２の一部のみが第１の無機材料層９８である場合には、第１のスルーホール１２２がこの第１の無機材料層９８形成部を貫通し、第１のスルーホール１２２の内側面から、第１の無機材料層９８が露出する構成とする必要がある。

また、バンク１１２の一部のみを第１の無機材料層９８とする構成においても、上述した残留積層体の存在を考慮し、残留積層体が第１のスルーホール１２２、第２のスルーホール１２４の底部に形成されたとしても、第１のスルーホール、第２のスルーホール１２４の内側面から第１の無機材料層９８が露出する構成とする必要がある。

バンク１１２の一部のみを第１の無機材料層９８とする構成においては、バンク１１２における第１の無機材料層９８形成部の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける上部電極層１０４Ａと有機材料層１０２Ａとの間よりも下方に配置され、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける上部電極層１０４Ａと有機材料層１０２Ａとの間よりも下方に配置される構成とすることが望ましい。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、上部電極層１０４Ａ、有機材料層１０２Ａに対して上下方向から挟み込む構造とすることが望ましい。そのような構成とすることにより、この上部電極層１０４Ａと有機材料層１０２Ａとの間における剥離の発生をより低減させることができる。同様に、バンク１１２における第１の無機材料層９８形成部の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける上部電極層１０４Ｂと有機材料層１０２Ｂとの間よりも下方に配置される構成とすることが望ましい。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、上部電極層１０４Ｂ、有機材料層１０２Ｂに対して上下方向から挟み込む構造とすることが望ましい。そのような構成とすることにより、この上部電極層１０４Ｂと有機材料層１０２Ｂとの間における剥離の発生をより低減させることができ望ましい。

更に、バンク１１２における第１の無機材料層９８形成部の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａよりも下方に配置され、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａよりも下方に配置される構成とする。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ａに対して上下方向から挟み込む構造とする。このような構成とすることにより、この有機材料層１０２Ａに含まれる複数の層の間における剥離の発生をより低減させることができ望ましい。同様に、バンク１１２における第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置される構成とする。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ｂに対して上下方向から挟み込む構造とする。このことにより、この有機材料層１０２Ｂに含まれる複数の層の間における剥離の発生をより低減させることができ望ましい。

なお、このような構成とするためには、例えば、第１のスルーホール１２２を平坦化膜９６内、あるいは層間絶縁膜９２内にまで設けることにより、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、有機材料層１０２Ａ、有機材料層１０２Ｂよりも下方に配置される構成としてもよい。

なお、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、有機材料層１０２Ａ、有機材料層１０２Ｂに含まれる少なくとも２つの層の間よりも下方に配置されていれば、この２つの層の間における剥離の発生をより低減させる効果を得ることができる。

更に、バンク１１２における第１の無機材料層９８形成部の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間よりも下方に配置され、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第１の有機発光ダイオード６Ａにおける有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間よりも下方に配置される構成とすることが望ましい。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、下部電極層１００Ａよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ａ、下部電極層１００Ａに対して上下方向から挟み込む構造とすることが望ましい。このような構成とすることにより、この有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間における剥離の発生をより低減させることができ望ましい。同様に、バンク１１２における第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、第２の有機発光ダイオード６Ｂにおける有機材料層１０２Ｂと下部電極層１００Ｂとの間よりも下方に配置される構成とする。即ち、第１の無機材料層９８に密着される第２の無機材料層１０６が、下部電極層１００Ｂよりも下方に配置されており、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とが、有機材料層１０２Ａ、下部電極層１００Ｂに対して上下方向から挟み込む構造とする。このような構成とすることにより、この有機材料層１０２Ｂと下部電極層１００Ｂとの間における剥離の発生をより低減させることができ望ましい。

なお、このような構成とするためには、例えば、第１のスルーホール１２２を平坦化膜９６内、あるいは層間絶縁膜９２内にまで設けることにより、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６との密着面の最下部が、有機材料層１０２Ａと下部電極層１００Ａとの間、及び有機材料層１０２Ｂと下部電極層１００Ｂとの間よりも下方に配置される構成とすることが可能となる。

なお、第１のスルーホール１２２の内側面の少なくとも一部が、平坦化膜９６の上面に対して８５度以上の傾斜角度を有することが望ましい点については、上記実施例１と同様であるため、その説明を省略する。

［実施例５］
なお、上述した実施例１〜４においては、スルーホールを表示領域４３に設ける例を挙げて説明したが、図２に示した額縁領域４４においてスルーホールを設け、この額縁領域４４に設けたスルーホールを利用して、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とを密着させる構成としてもよい。

図１４は、本実施形態に係る表示装置における額縁領域を示す模試的な垂直断面図である。図１４に示すように、額縁領域４４におけるバンク１１２の上面から第１の無機材料層９８の上面にまで、第１１のスルーホール１４２を設ける。第１１のスルーホール１４２の底面からは、第１の無機材料層９８の上面が露出する。なお、第１１のスルーホール１４２の下端は、第１の無機材料層９８の上面に限定されず、第１の無機材料層９８の層内であってもよい。

なお、バンク１１２に設けるスルーホールは一つに限られず、複数のスルーホールを設けてもよい。

このように、額縁領域４４においても、バンク１１２の上面から第１の無機材料層９８の上面にまで、第１１のスルーホール１４２を設けることにより、バンク１１２の上方から第１１のスルーホール１４２内にまで設けられる第２の無機材料層１０６と、第１１のスルーホール１４２の一部から露出された第１の無機材料層９８と、を密着させることができる。そのため、表示パネル４０全体として、有機発光ダイオード６内の構成層に剥離が生じる可能性をより低減することができ、その結果として、有機発光ダイオード６が発光しなくなる可能性をより低減させることができる。

なお、額縁領域４４においてスルーホールを設け、この額縁領域４４に設けたスルーホールを利用して、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とを密着させる場合、実施例１〜４において示したような、表示領域４３におけるスルーホールが無くても、有機発光ダイオード６内の構成層に剥離が生じる可能性を低減することができる。表示領域４３にスルーホールを設けない場合、表示領域４３におけるバンク１１２の幅を狭くすることができるため、高精細化の実現と、有機発光ダイオード６内の構成層における剥離抑制の両立を図ることができる。なお、表示領域４３、及び額縁領域４４の双方にスルーホールを設け、当該スルーホールを利用して、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とを密着させる場合には、有機発光ダイオード６内の構成層に剥離が生じる可能性の更なる低減を図ることができる。

なお、図１４に示した第１１のスルーホール１４２と、第１の無機材料層９８、及び第２の無機材料層１０６との配置関係の構成は一例であり、第１の無機材料層９８と第２の無機材料層１０６とを密着させる構成を実現させることができれば、他の構成としても構わない。例えば、実施例１において図３を用いて示した第１のスルーホール１２２、第１の無機材料層９８、及び第２の無機材料層１０６の配置関係を、実施例５における第１１のスルーホール１４２、第１の無機材料層９８、及び第２の無機材料層１０６の配置関係として適用しても構わない。同様に、実施例２における図４、実施例３における図５、実施例４における図６を用いて示した第１のスルーホール１２２、第１の無機材料層９８、及び第２の無機材料層１０６の配置関係を、実施例５における第１１のスルーホール１４２、第１の無機材料層９８、及び第２の無機材料層１０６の配置関係として適用しても構わない。

２ 表示装置、４ 画素アレイ部、６ 有機発光ダイオード、６Ａ 第１の有機発光ダイオード、６Ｂ 第２の有機発光ダイオード、８ 画素回路、１０ 点灯ＴＦＴ、１２ 駆動ＴＦＴ、１４ キャパシタ、２０ 走査線駆動回路、２２ 映像線駆動回路、２４ 駆動電源回路、２６ 制御装置、２８ 走査信号線、３０ 映像信号線、３２ 駆動電源線、４０ 表示パネル、４２ 第１の領域、４３ 表示領域、４４ 額縁領域、４６ 第２の領域、４８ ドライバＩＣ、５０ ＦＰＣ、７０ 絶縁性基材、７２ ＴＦＴ、８０ 第１の絶縁膜、８２ 半導体領域、８４ ゲート絶縁膜、８６ ゲート電極、８８ 層間絶縁膜、９０ａ ソース電極、９０ｂ ドレイン電極、９２ 層間絶縁膜、９４ 配線、９６ 平坦化膜、９８ 第１の無機材料層、１００ 下部電極層、１００Ａ 下部電極層、１００Ｂ 下部電極層、１０２ 有機材料層、１０２Ａ 有機材料層、１０２Ｂ 有機材料層、１０４ 上部電極層、１０４Ａ 上部電極層、１０４Ｂ 上部電極層、１０６ 第２の無機材料層、１１０ コンタクトホール、１１２ バンク、１１４ 保護膜、１１６ 配線、１１８ 下地構造層、１２２ 第１のスルーホール、１２４ 第２のスルーホール、１２６ 第３のスルーホール、１２８ 第４のスルーホール、１３０ 第５のスルーホール、１３２ 第６のスルーホール、１３４ 第７のスルーホール、１３６ 第８のスルーホール、１３８ 第９のスルーホール、１４０ 第１０のスルーホール、１４２ 第１１のスルーホール。

Claims (17)

1. 下地構造層と、
   前記下地構造層上に設けられた有機発光ダイオードと、
   前記有機発光ダイオードの側方に設けられ、内側面の少なくとも一部に第１の無機材料層を有する第１のスルーホールと、
   前記有機発光ダイオードの上方から前記第１のスルーホールの内側面にまで設けられ、前記第１の無機材料層と密着する第２の無機材料層と、
   を含む、表示装置。
2. 前記有機発光ダイオードが、下部電極層と、上部電極層と、前記下部電極層と前記上部電極層との間に設けられた有機材料層と、を含み、
   前記第１の無機材料層の少なくとも一部が、前記有機発光ダイオードにおける前記上部電極層と前記有機材料層との間よりも下方に配置された、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記有機発光ダイオードが、下部電極層と、上部電極層と、前記下部電極層と前記上部電極層との間に設けられた有機材料層と、を含み、
   前記第１の無機材料層の少なくとも一部が、前記有機発光ダイオードにおける前記有機材料層に含まれた２つの層の間よりも下方に配置された、
   請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記有機発光ダイオードが、下部電極層と、上部電極層と、前記下部電極層と前記上部電極層との間に設けられた有機材料層と、を含み、
   前記第１の無機材料層の少なくとも一部が、前記有機発光ダイオードにおける前記有機材料層と前記下部電極層との間よりも下方に配置された、
   請求項１乃至３のいずれか一つに記載の表示装置。
5. 前記下地構造層上において、前記有機発光ダイオードの側方にはバンクが設けられ、
   前記第１のスルーホールが前記バンク内に設けられ、
   前記第１の無機材料層が、前記バンクの少なくとも一部に設けられ、前記第１のスルーホールの内側面から露出され、
   前記第２の無機材料層が、前記有機発光ダイオードの上方、及び前記バンクの上方から前記第１のスルーホールの内側面にまで設けられ、前記第１の無機材料層と密着した、
   請求項１乃至４のいずれか一つに記載の表示装置。
6. 前記バンク内に設けられた第２のスルーホールを更に含み、
   前記第１の無機材料層が、前記バンクの少なくとも一部に設けられ、前記第２のスルーホールの内側面から露出され、
   前記第２の無機材料層が、前記有機発光ダイオードの上方、及び前記バンクの上方から前記第２のスルーホールの内側面にまで設けられ、前記第１の無機材料層と密着した、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記下地構造層上において、前記有機発光ダイオード側方にはバンクが設けられ、
   前記第１のスルーホールが前記バンクから前記下地構造層にまで設けられ、
   前記第１の無機材料層が、前記下地構造層の少なくとも一部に設けられ、前記第１のスルーホールの内側面から露出され、
   前記第２の無機材料層が、前記第有機発光ダイオードの上方、及び前記バンクの上方から前記第１のスルーホールの内側面にまで設けられ、前記第１の無機材料層と密着した、
   請求項１乃至４のいずれか一つに記載の表示装置。
8. 前記バンクから前記下地構造層にまで設けられた第２のスルーホールを更に含み、
   前記第１の無機材料層が、前記下地構造層の少なくとも一部に設けられ、前記第２のスルーホールの内側面から露出され、
   前記第２の無機材料層が、前記第１の有機発光ダイオードの上方、及び前記バンクの上方から前記第２のスルーホールの内側面にまで設けられ、前記第１の無機材料層と密着した、
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１のスルーホールの内側面の少なくとも一部が、前記下地構造層に含まれた平坦化膜の上面に対して８５度以上の傾斜角度を有する、
   請求項１乃至８のいずれか一つに記載の表示装置。
10. 前記第２のスルーホールの内側面の少なくとも一部が、前記下地構造層に含まれた平坦化膜の上面に対して８５度以上の傾斜角度を有する、
    請求項６又は８に記載の表示装置。
11. 前記第１の無機材料層は、構成材料として窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンの内のいずれか一つを含む、
    請求項１乃至１０のいずれか一つに記載の表示装置。
12. 前記第２の無機材料層は、構成材料として窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンの内のいずれか一つを含む、
    請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の表示装置。
13. 前記第１のスルーホールの底部には、前記有機発光ダイオードにおける有機材料層と上部電極層との積層体と同じ材料からなる残留積層体が設けられた、
    請求項１乃至１２のいずれか一つに記載の表示装置。
14. 前記第２のスルーホールの底部には、前記有機発光ダイオードにおける有機材料層と上部電極層との積層体と同じ材料からなる残留積層体が設けられた、
    請求項６、請求項８、及び請求項１０の内のいずれか一つに記載の表示装置。
15. 下地構造層を準備する工程と、
    前記下地構造層上に有機発光ダイオードを設ける工程と、
    前記有機発光ダイオードの側方において、内側面の少なくとも一部に第１の無機材料層を有する第１のスルーホールを設ける工程と、
    前記有機発光ダイオードの上方から前記第１のスルーホールの内側面にまで第２の無機材料層を設け、前記第１の無機材料層と前記第２の無機材料層とを密着させる工程と、
    を含む、表示装置の製造方法。
16. 前記下地構造層を準備する工程において、前記第１の無機材料層を含む下地構造層を準備し、
    前記第１のスルーホールを設ける工程において、前記第１のスルーホールの内側面の少なくとも一部から、前記下地構造層における前記第１の無機材料層を露出させる、
    請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
17. 前記下地構造層上における前記有機発光ダイオードの側方において、前記第１の無機材料層を含むバンクを設ける工程を更に含み、
    前記第１のスルーホールを設ける工程において、前記第１のスルーホールの内側面の少なくとも一部から前記バンクにおける前記第１の無機材料層を露出させる、
    請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
    
    

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