JP2018092963A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
ウェーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018092963A JP2018092963A JP2016232372A JP2016232372A JP2018092963A JP 2018092963 A JP2018092963 A JP 2018092963A JP 2016232372 A JP2016232372 A JP 2016232372A JP 2016232372 A JP2016232372 A JP 2016232372A JP 2018092963 A JP2018092963 A JP 2018092963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- wafer
- tape
- protective tape
- outer peripheral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02016—Backside treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
【課題】ウェーハを研削用保護テープから別の粘着テープに容易に転写できるようにすること。【解決手段】ウェーハ(W)の表面(Wa)側に研削テープ(T)を貼着した後、研削テープ側からウェーハの外周縁に切削ブレード(12)を切り込ませつつウェーハを回転させて、研削テープと一緒にウェーハ表面側の面取り部(Wc)を円形に切削除去する。その後、ウェーハの研削テープ側を研削装置のチャックテーブルに保持し、ウェーハの裏面(Wb)を研削した後、ウェーハの裏面に別の粘着テープ(Tp)を貼着し、研削テープを剥離して転写を行う。この転写では、研削テープと一緒に面取り部が切削除去されるので、研削時及び転写時に、ウェーハの外周縁から研削テープがはみ出さなくなり、研削テープが粘着テープに張り付くことが防止される。【選択図】図2
Description
本発明は、外周縁に面取り部を有するウェーハの加工方法に関する。
IC、LSI等のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウェーハは、ダイシング装置によって個々のデバイスに分割され、各種電子機器に利用されている。ウェーハは、個々のデバイスに分割される前に、裏面が研削されて所定の厚さに形成される。
ウェーハの外周縁においては、製造過程において欠けや割れが生じるのを防止するため、円弧状の面取りが施されている。このため、ウェーハの裏面を研削して薄くすると、面取りされた面の一部が残存してウェーハの周縁がナイフのように尖鋭化し、取り扱いが危険になると共に欠けが生じやすくなるという問題がある。そこで、ウェーハの裏面を研削する前に、ウェーハの表面側から面取り部を切削して除去する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
具体的には、切削ブレードをウェーハの表面から外周縁に切り込ませつつ、ウェーハを回転させて外周縁に円形の切削溝を形成し、この切削溝によりウェーハの外周縁に沿って表面側に段差を形成する。このように段差を形成することで、ウェーハを裏面側から研削しても、表面側の外周縁で尖鋭化する部分をなくすことができる。
上記のように面取り部が除去された後、裏面研削を行うためにウェーハの表面側に研削用保護テープを貼着する場合、ウェーハの表面より大きい保護テープを貼着した後、段差の外側となるウェーハの外周縁に沿って研削用保護テープが切断される。この切断によって、図7に示すように、研削用保護テープ(研削テープ)Tの外周側がウェーハWの切削溝Wdに入り込んだり、切削溝Wdの形成面に貼着したりする。この場合、ウェーハWを裏面Wb側から研削して円弧状の面取り部Wcが研削されると、段差の内周縁だった部分がウェーハWの外周縁となるので、図8に示すように、ウェーハWの外周縁側に研削用保護テープTがはみ出した状態になる。この状態で、その後の工程のためにウェーハWの裏面Wb側に、ウェーハWの裏面Wbより大きいDAFテープやエキスパンドテープ等の粘着テープTpを貼着して転写しようとすると、その粘着層に、はみ出した研削用保護テープTが張り付いて転写不能になる、という問題がある。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ウェーハを研削用保護テープから別の粘着テープに容易に転写することができるウェーハの加工方法を提供することを目的の1つとする。
本発明の一態様のウェーハの加工方法は、外周縁に面取り部を有し表面に複数のデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、表面側に研削用保護テープを貼着する研削用保護テープ貼着ステップと、切削ブレードを研削用保護テープ側からウェーハの外周縁に切り込ませつつウェーハを回転させて、研削用保護テープ及びウェーハ表面側の面取り部を円形に切削除去するトリミングステップと、トリミングステップを実施した後に、研削用保護テープ側を研削装置のチャックテーブルに保持し、ウェーハの裏面を研削する研削ステップと、研削ステップを実施した後に、研削後のウェーハ裏面に別の粘着テープを貼着して研削用保護テープを剥離して転写を行う転写ステップと、を備えることを特徴とする。
この方法によれば、研削用保護テープを貼着した後、かかる研削用保護テープとウェーハ表面側の面取り部とをトリミングステップで一緒に切削除去している。従って、トリミングステップでの切削によって、ウェーハに形成される段差の内周縁と研削用保護テープの外周縁とを一致させることができる。これにより、研削ステップ後の転写ステップにて、ウェーハの外周縁から研削用保護テープがはみ出すことを回避することができる。この結果、転写ステップで別の粘着テープを貼着するときに、粘着テープに研削用保護テープが張り付くことを防止でき、研削用保護テープを容易に剥離して転写を行うことができる。
本発明によれば、トリミングステップ前に研削用保護テープを貼着してから、研削用保護テープ及びウェーハ表面側の面取り部をトリミングするので、ウェーハを研削用保護テープから別の粘着テープに容易に転写することができる。
以下、添付図面を参照して、本実施の形態のウェーハの加工方法について説明する。図1は研削用保護テープ貼着ステップ、図2及び図3はトリミングステップ、図4及び図5は研削ステップ、図6は転写ステップの説明図をそれぞれ示している。なお、上記の各図に示すステップは、あくまでも一例に過ぎず、この構成に限定されるものではない。
図1に示すように、先ず、研削用保護テープT(以下、研削テープTと称する)をウェーハWの表面Waに貼着する研削用保護テープ貼着ステップを実施する。ウェーハWの表面Waには、膜層Dが形成され、この膜層Dには格子状となる不図示の分割予定ラインによって区画された各領域に不図示のデバイスが形成されている。また、ウェーハWの外周側面には表面Waから裏面Wbに至る円弧面を呈した面取り部Wcが形成されている。
研削用保護テープ貼着ステップは、例えば、ウェーハWの外周縁側からウェーハWの表面Waに研削テープTを繰り出しつつ、研削テープT上で貼着ローラを転動させ、ウェーハWの表面Waの全面に研削テープTを貼着する。そして、ウェーハWの外周縁となる面取り部Wcに沿うように不図示の切断刃を移動し、ウェーハWと概略同一の平面形状に研削テープTが切断される。その後、研削テープTの外側領域がウェーハWの面取り部Wcに回り込むように貼着する。なお、研削テープTは、基材シートに積層された粘着層を備えてなり、後述するトリミングステップで切削除去されるので例えば粘着層を5μm厚にする等、比較的薄い粘着層とすることが好ましい。
図2及び図3に示すように、研削用保護テープ貼着ステップの後にはトリミングステップを実施する。トリミングステップでは、切削装置(不図示)のチャックテーブル11でウェーハWの裏面Wb側を吸引保持し、研削テープTを上向きとする。このように保持した状態で、切削ブレード12をウェーハWの研削テープT側となる表面Wa側から外周縁に切り込ませつつ、チャックテーブル11及びこれに保持されるウェーハWを回転する。これにより、研削テープT及びウェーハWの表面Wa側の面取り部Wcが円形に切削除去され、ウェーハWの外周縁に沿って平面視で円形をなす切削溝Wdを形成する。切削溝Wdは、その形成領域で研削テープTを除去し、ウェーハWの厚み方向中間に達するまで形成される。
図4及び図5に示すように、トリミングステップの後、研削装置20によって研削ステップを実施する。研削ステップでは、研削装置20の研削手段21を用いて、チャックテーブル22に保持されるウェーハWを研削することにより、ウェーハWを裏面Wb側から仕上げ厚みまで薄厚化する。チャックテーブル22は、上面を保持面としてウェーハWを保持し、回転軸23の軸周りを回転可能となっている。研削手段21は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル24と、スピンドル24の下端に装着された研削ホイール25と、研削ホイール25の下部に環状に固着された研削砥石26とを備えている。研削手段21は、モータ(不図示)によってスピンドル24を回転させることで、研削ホイール25を所定の回転速度で回転させることができる。
研削ステップでは、まず、図4に示すように、チャックテーブル22上に研削テープT側を載置してウェーハWの裏面Wbを上向きに露出させる。その後、図示しない吸引源の作動により、チャックテーブル22によって研削テープTを介してウェーハWを吸引保持するとともに、回転軸23の軸周りにチャックテーブル22を回転する。続いて、研削手段21の研削ホイール25を回転させながらウェーハWの裏面Wbに接近する方向に研削手段21を下降させ、回転する研削砥石26を裏面Wbに当接する。そして、研削砥石26でウェーハWの裏面Wbを押圧しながら切削溝Wdに到達する深さまで研削することにより、ウェーハWの面取り部Wcが全て除去される(図5参照)。その後、ウェーハWが仕上げ厚みまで薄化するまで研削砥石26による研削を継続する。
図6に示すように、研削テープ貼着ステップの後には転写ステップを実施する。転写ステップでは、環状となるフレームFの内部にウェーハWを配置してから、ウェーハWの裏面Wb及びフレームFに研削テープTとは別の粘着テープTpを繰り出して貼着する。これにより、粘着テープTpを介しフレームFの内側にウェーハWが支持される。かかる貼着は、例えば、粘着テープTp上で貼着ローラを転動させ、ウェーハWの研削面となる裏面Wb全面とフレームFの一方の面とに粘着テープTpを貼着する。粘着テープTpの貼着後、ウェーハWの表面Waに貼着された研削テープTを剥離することで、ウェーハWの研削テープTから粘着テープTpへの転写が完了する。
ところで、従来の加工方法では、ウェーハWの表面Wa側の面取り部Wcを円形に切削除去するトリミングを行った後、研削テープTを表面Waに貼着する方法を採用している。この貼着では、ウェーハWの表面Waより大きい研削テープTを貼着した後、ウェーハWの外周縁に切断刃を位置合わせしてから外周縁に沿うように切断刃を変位して研削テープTを円形に切断する。このとき、段差を形成する切削溝Wdの内周縁からはみ出した状態で研削テープTの外周縁が切断され、図7に示すように、研削テープTの外周側が切削溝Wdに入り込んだり、切削溝Wdの形成面に貼着したりする状態となる。このような状態で、ウェーハWの裏面Wbを研削すると、研削後には面取り部Wcが除去されて切削溝Wdの厚さ方向に延びる形成面がウェーハWの外周縁となるので、かかる外周縁から研削テープTがはみ出た状態となる。この状態で、ウェーハWを別の粘着テープTpに貼着して転写しようとすると、図8に示すように、はみ出した研削テープTが粘着テープTpの上面の粘着層に張り付いてしまい、研削テープTが剥離できずに転写できなくなる、という問題がある。
この点、上記実施の形態においては、トリミングステップの前に研削テープTを貼着し、トリミングによってウェーハWの面取り部Wcと共に研削テープTを除去している。これにより、図3に示すように、切削溝Wdの内周縁に研削テープTの外周縁が揃うようになり、研削テープTの外周側が切削溝Wdに入り込んだり貼着したりすることを防止することができる。従って、研削ステップによってウェーハWの面取り部Wcを全て除去した後において、薄厚化したウェーハWの外周縁から研削テープTがはみ出すことを回避できる。この結果、転写ステップでウェーハWの裏面Wbに粘着テープTpを貼着するときに、粘着テープTpの粘着面に研削テープTが張り付くことを防止でき、研削テープTを容易に剥離して転写を行えるようになる。
また、上記実施の形態では、図1に示すように、研削テープTの外側領域がウェーハWの面取り部Wcに回り込むように貼着されるので、かかる外側領域の接着状態を良好に保つことができる。これにより、トリミングステップにおける研削テープTの意図しない捲れや剥がれを防ぐことができ、ウェーハWの外周に沿う研削テープTの除去を安定して行うことができる。
なお、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。
上記トリミングステップでの切削溝Wdの深さは、研削テープTを切削除去でき且つ研削ステップで面取り部Wcを除去できる限りにおいて、適宜変更可能である。
以上説明したように、本発明は、ウェーハを研削用保護テープから別の粘着テープに転写するときに研削用保護テープが剥離できなくなることを回避できるという効果を有し、特に、外周縁に面取り部を有するウェーハをトリミング及び研削してから転写する加工方法に有用である。
12 切削ブレード
20 研削装置
22 チャックテーブル
T 研削テープ(研削用保護テープ)
Tp 粘着テープ
W ウェーハ
Wa 表面
Wb 裏面
Wc 面取り部
20 研削装置
22 チャックテーブル
T 研削テープ(研削用保護テープ)
Tp 粘着テープ
W ウェーハ
Wa 表面
Wb 裏面
Wc 面取り部
Claims (1)
- 外周縁に面取り部を有し表面に複数のデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
表面側に研削用保護テープを貼着する研削用保護テープ貼着ステップと、
切削ブレードを該研削用保護テープ側からウェーハの外周縁に切り込ませつつウェーハを回転させて、該研削用保護テープ及びウェーハ表面側の面取り部を円形に切削除去するトリミングステップと、
該トリミングステップを実施した後に、該研削用保護テープ側を研削装置のチャックテーブルに保持し、ウェーハの裏面を研削する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後に、該研削後のウェーハ裏面に別の粘着テープを貼着して該研削用保護テープを剥離して転写を行う転写ステップと、
を備えるウェーハの加工方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016232372A JP2018092963A (ja) | 2016-11-30 | 2016-11-30 | ウェーハの加工方法 |
TW106134890A TW201822267A (zh) | 2016-11-30 | 2017-10-12 | 晶圓的加工方法 |
CN201711128696.6A CN108122735A (zh) | 2016-11-30 | 2017-11-15 | 晶片的加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016232372A JP2018092963A (ja) | 2016-11-30 | 2016-11-30 | ウェーハの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018092963A true JP2018092963A (ja) | 2018-06-14 |
Family
ID=62227767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016232372A Pending JP2018092963A (ja) | 2016-11-30 | 2016-11-30 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018092963A (ja) |
CN (1) | CN108122735A (ja) |
TW (1) | TW201822267A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018206824A (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
KR20210024960A (ko) * | 2019-08-26 | 2021-03-08 | 가부시기가이샤 디스코 | 캐리어판의 제거 방법 |
JP2021068744A (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-30 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7222636B2 (ja) * | 2018-09-12 | 2023-02-15 | 株式会社ディスコ | エッジトリミング装置 |
JP2020066064A (ja) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法及び加工装置 |
JP7262904B2 (ja) * | 2019-08-26 | 2023-04-24 | 株式会社ディスコ | キャリア板の除去方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011124266A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013247135A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2015217461A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016127232A (ja) * | 2015-01-08 | 2016-07-11 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
2016
- 2016-11-30 JP JP2016232372A patent/JP2018092963A/ja active Pending
-
2017
- 2017-10-12 TW TW106134890A patent/TW201822267A/zh unknown
- 2017-11-15 CN CN201711128696.6A patent/CN108122735A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011124266A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013247135A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2015217461A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018206824A (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
KR20210024960A (ko) * | 2019-08-26 | 2021-03-08 | 가부시기가이샤 디스코 | 캐리어판의 제거 방법 |
KR102734778B1 (ko) | 2019-08-26 | 2024-11-26 | 가부시기가이샤 디스코 | 캐리어판의 제거 방법 |
JP2021068744A (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-30 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201822267A (zh) | 2018-06-16 |
CN108122735A (zh) | 2018-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018092963A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6887313B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6295154B2 (ja) | ウェーハの分割方法 | |
JP2015217461A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2010062375A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
CN103681491A (zh) | 加工方法 | |
CN104934309A (zh) | 晶片的加工方法 | |
CN103681490B (zh) | 加工方法 | |
KR20150131964A (ko) | 웨이퍼 가공 방법 및 중간 부재 | |
JP5881504B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2016127098A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
CN103681492B (zh) | 加工方法 | |
JP2015138857A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
CN107039342A (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP6657020B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
CN103681438B (zh) | 加工方法 | |
JP2012222310A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2015149386A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2013102080A (ja) | ウエーハの支持基板およびウエーハの加工方法 | |
JP7386640B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6049170B2 (ja) | 研削方法 | |
JP5912310B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2018114581A (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP2017193010A (ja) | 研削方法 | |
JP2018190832A (ja) | ダイアタッチフィルム及びダイアタッチフィルムの使用方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190920 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200714 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210202 |