JP2018088535A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 活性層を含む発光構造体と、
   前記発光構造体から放出された光を反射するように前記発光構造体の一側に配置された分布ブラッグ反射器(ＤＢＲ)と、を含み、
   前記ＤＢＲは、
   交互に積層された低屈折率を有する第１材料層および高屈折率を有する第２材料層を含み、３０度の入射角で入射する光に対して、４２０ｎｍないし５００ｎｍにかけて９０％以上の反射率を表す発光ダイオードチップ。
2. 前記ＤＢＲは、３０度の入射角で入射する光に対して、４００ｎｍないし５５０ｎｍにかけて９０％以上の反射率を表す、請求項１に記載の発光ダイオードチップ。
3. 前記ＤＢＲは、３０度の入射角で入射する光に対して、３７５ｎｍないし５７５ｎｍにかけて９０％以上の反射率を表す、請求項２に記載の発光ダイオードチップ。
4. 前記ＤＢＲは、０度の入射角で入射する光に対して、４２５ｎｍないし７００ｎｍにかけて９０％以上の反射率を表す、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光ダイオードチップ。
5. 前記ＤＢＲは、０度の入射角で入射する光に対して、４００ｎｍ以下で９０％以下の反射率を表す、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光ダイオードチップ。
6. 前記ＤＢＲは、０度の入射角で入射する光に対して、少なくとも７２５ｎｍ以上で９０％以下の反射率を表す、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光ダイオードチップ。
7. 前記ＤＢＲは、２０度の入射角で入射する光に対して、４００ｎｍないし６００ｎｍにかけて９０％以上の反射率を表す、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光ダイオードチップ。
8. 前記ＤＢＲは、２０度の入射角で入射する光に対して、４００ｎｍないし６５０ｎｍにかけて９０％以上の反射率を表す、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の発光ダイオードチップ。
9. 前記ＤＢＲは、
   ０．２５λ+１０％より大きい光学厚さを有する第１群の第１材料層と、０．２５λ+１０％より小さく０．２５λ-１０％より大きい光学厚さを有する第２群の第１材料層とが交互に配置された第１領域と、
   ０．２５λ-１０％より小さい光学厚さを有し連続して配置された第３群の第１材料層を含む第２領域と、
   前記第１領域と第２領域との間に位置し、０．２５λ-１０％より小さい光学厚さを有する第１材料層および０．２５λより大きい光学厚さを有する第１材料層を含む第３領域と、を含み、
   ここで、λは５５４ｎｍである、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の発光ダイオードチップ。
10. 前記第１群の第１材料層は、０．３λ+１０％より小さい光学厚さを有する第１材料層を含み、
    前記第３群の第１材料層は、０．２λ-１０％より大きい光学厚さを有する、請求項９に記載の発光ダイオードチップ。
11. 前記発光構造体と前記ＤＢＲとの間に配置された基板をさらに含む、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の発光ダイオードチップ。
12. 前記基板は、パターニングされたサファイア基板(ＰＳＳ)である、請求項１１に記載の発光ダイオードチップ。
13. 前記発光構造体を間に置き、前記ＤＢＲに対向して配置された基板をさらに含む、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の発光ダイオードチップ。
14. 前記活性層は、青色光を生成する、請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の発光ダイオードチップ。
15. 前記第１材料層は、ＳｉＯ ₂ 層で、
    前記第２材料層は、ＴｉＯ ₂ 層である、請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の発光ダイオードチップ。