JP2018072462A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】使用環境によらず、最適な輝度で表示することのできる表示装置を提供すること。高精細化に適した表示装置を提供すること。【解決手段】表示装置は、第１の方向に並べて設けられた第１の電極及び第２の電極と、第１の電極とは異なる面上に、第１の方向と交差する第２の方向に並べて設けられた第３の電極及び第４の電極を有する。第１の電極と第２の電極とは、それぞれ液晶素子の一方の電極として機能する。第３の電極と第４の電極とは、それぞれ発光素子の一方の電極として機能する。また、第１の電極及び第２の電極は、第３の電極及び第４の電極のいずれか一方と重なる部分に、切欠き部を有する構成とする。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置およびその作製方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。

なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。

有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子や、液晶素子が適用された表示装置が知られている。また、そのほかにも、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなども、表示装置の一例として挙げることができる。

有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。

アクティブマトリクス型液晶表示装置には大きく分けて透過型と反射型の二種類のタイプが知られている。

透過型の液晶表示装置は、冷陰極蛍光ランプやＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などのバックライトを用い、液晶の光学変調作用を利用して、バックライトからの光が液晶を透過して液晶表示装置外部に出力される状態と、出力されない状態とを選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行うものである。

また、反射型の液晶表示装置は、液晶の光学変調作用を利用して、外光、即ち入射光が画素電極で反射して装置外部に出力される状態と、入射光が装置外部に出力されない状態とを選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行うものである。反射型の液晶表示装置は、透過型の液晶表示装置と比較して、バックライトを使用しないため、消費電力が少ないといった長所を有する。

例えば、画素電極の各々に接続するスイッチング素子として、金属酸化物をチャネル形成領域とするトランジスタを用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が知られている（特許文献１及び特許文献２）。

特開２００７−１２３８６１号公報 特開２００７−９６０５５号公報

表示装置が適用される電子機器において、使用環境に応じて最適な輝度で画像を表示することが求められている。特に、特に、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、スマートウォッチ、ノート型パーソナルコンピュータ等の、バッテリを電源に用いる機器においては、設置型の機器と異なり、使用環境が変化することが多い。特に、外光の明るい場所などでは、低い消費電力で高い輝度の表示をすることが求められている。

本発明の一態様は、使用環境によらず、最適な輝度で表示することのできる表示装置を提供することを課題の一とする。また、表示装置の表示品位を高めることを課題の一とする。または、使用環境によらず、高い表示品位で映像を表示することを課題の一とする。

本発明の一態様は、高精細化に適した表示装置、及びその作製方法を提供することを課題の一とする。または、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供することを課題の一とする。または、厚さの薄い表示装置を提供することを課題の一とする。または、軽量な表示装置を提供することを課題の一とする。または、曲げることのできる表示装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の方向に並べて設けられた第１の電極及び第２の電極と、第１の電極とは異なる面上に、第１の方向と交差する第２の方向に並べて設けられた第３の電極及び第４の電極を有する表示装置である。第１の電極と第２の電極とは、それぞれ液晶素子の一方の電極として機能する。第３の電極と第４の電極とは、それぞれ発光素子の一方の電極として機能する。また、第１の電極及び第２の電極は、第３の電極及び第４の電極のいずれか一方と重なる部分に、切欠き部を有する。

また、本発明の他の一態様は、第１乃至第４の電極を有する表示装置である。第１の電極と第２の電極とは、それぞれ可視光を反射する機能を有し、且つそれぞれ液晶素子の一方の電極として機能する。第３の電極と第４の電極とは、それぞれ発光素子の一方の電極として機能する。第１の電極と第２の電極とは、それぞれ第１の方向に延びる短冊状の形状を有し、且つ、第１の方向と交差する第２の方向に並べて配置される。第３の電極と第４の電極とは、第１の方向に並べて配置される。第１の電極は、第３の電極と重なる位置に、第１の切欠き部を有し、第２の電極は、第４の電極と重なる位置に、第２の切欠き部を有する。

また、上記において、第１の着色層と、第２の着色層を有することが好ましい。このとき、第１の着色層及び第２の着色層は、それぞれ第１の方向に延びる短冊状の形状を有し、且つ第２の方向に並べて配置されることが好ましい。また第１の着色層は、第１の電極と重なる部分を有し、第２の着色層は、第２の電極と重なる部分を有することが好ましい。

また、上記において、第１の着色層は、第３の電極と重なる位置に、第３の切欠き部を有し、第２の着色層は、第４の電極と重なる位置に、第４の切欠き部を有することが好ましい。またこのとき、第３の電極を有する発光素子と、第４の電極を有する発光素子とは、互いに異なる色を呈する光を射出することが好ましい。

または、上記において、第１の着色層は、第１の切欠き部及び第３の電極と重なる部分を有し、第２の着色層は、第２の切欠き部及び第４の電極と重なる部分を有することが好ましい。このとき、第３の電極を有する発光素子と、第４の電極を有する発光素子とは、互いに同じ色を呈する光を射出することが好ましい。

また、上記において、第１乃至第６の配線を有することが好ましい。このとき、第１の配線及び第２の配線は、それぞれ液晶素子を駆動する第１の走査線として機能し、第３の配線は、液晶素子を駆動する第１の信号線として機能する。また第４の配線は、発光素子を駆動する第２の走査線として機能し、第５の配線及び第６の配線は、それぞれ発光素子を駆動する第２の信号線として機能する。また、第１の配線、第２の配線、及び第４の配線は、それぞれ第１の方向に延在し、第３の配線、第５の配線、及び第６の配線は、それぞれ第２の方向に延在することが好ましい。

また、上記において、第１乃至第６の配線と、第１乃至第６のトランジスタと、を有することが好ましい。このとき、例えば、第１の配線、第２の配線、及び第４の配線は、それぞれ第１の方向に延在し、第３の配線、第５の配線、及び第６の配線は、それぞれ第２の方向に延在する。また、第１のトランジスタは、第１の電極と電気的に接続され、第２のトランジスタは、第２の電極と電気的に接続され、第３のトランジスタは、第４のトランジスタを介して第３の電極と電気的に接続され、第５のトランジスタは、第６のトランジスタを介して第４の電極と電気的に接続される。また、第１の配線は、第１のトランジスタのゲートと電気的に接続される。第２の配線は、第２のトランジスタのゲートと電気的に接続される。第３の配線は、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方、及び第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される。また、第４の配線は、第３のトランジスタのゲート、及び第５のトランジスタのゲートと電気的に接続される。第５の配線は、第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される。第６の配線は、第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される。

本発明の一態様によれば、使用環境によらず、最適な輝度で表示することのできる表示装置を提供できる。また、表示装置の表示品位を高めることができる。または、使用環境によらず、高い表示品位で映像を表示できる。

本発明の一態様は、高精細化に適した表示装置、及びその作製方法を提供できる。または、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供できる。または、厚さの薄い表示装置を提供できる。または、軽量な表示装置を提供できる。または、曲げることのできる表示装置を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の作製方法例を説明する図。 表示装置の作製方法例を説明する図。 表示装置の作製方法例を説明する図。 表示装置の作製方法例を説明する図。 表示装置の作製方法例を説明する図。 表示装置の構成例。 表示装置の模式図及び状態遷移図。 回路図及びタイミングチャート。 電子機器の構成例。 電子機器の構成例。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、ＩＧＦＥＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む。

なお、以下では「上」、「下」などの向きを示す表現は、基本的には図面の向きと合わせて用いるものとする。しかしながら、説明を容易にするためなどの目的で、明細書中の「上」または「下」が意味する向きが、図面とは一致しない場合がある。一例としては、積層体等の積層順（または形成順）などを説明する場合に、図面において当該積層体が設けられる側の面（被形成面、支持面、接着面、平坦面など）が当該積層体よりも上側に位置していても、その向きを下、これとは反対の向きを上、などと表現する場合がある。

なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられ、少なくとも発光性の物質を含む層（発光層とも呼ぶ）、または発光層を含む積層体を示すものとする。

本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。

また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。

また、本明細書等において、タッチセンサは指やスタイラスなどの被検知体が触れる、押圧する、または近づくことなどを検出する機能を有するものである。またその位置情報を検知する機能を有していてもよい。したがってタッチセンサは入力装置の一態様である。例えばタッチセンサは１以上のセンサ素子を有する構成とすることができる。

また、本明細書等では、タッチセンサを有する基板を、タッチセンサパネル、または単にタッチセンサなどと呼ぶ場合がある。また、本明細書等では、タッチセンサパネルの基板に、例えばＦＰＣもしくはＴＣＰなどのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ方式等によりＩＣが実装されたものを、タッチセンサパネルモジュール、タッチセンサモジュール、センサモジュール、または単にタッチセンサなどと呼ぶ場合がある。

なお、本明細書等において、表示装置の一態様であるタッチパネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能と、表示面に指やスタイラスなどの被検知体が触れる、押圧する、または近づくことなどを検出するタッチセンサとしての機能と、を有する。したがってタッチパネルは入出力装置の一態様である。

タッチパネルは、例えばタッチセンサ付き表示パネル（または表示装置）、タッチセンサ機能つき表示パネル（または表示装置）とも呼ぶことができる。

タッチパネルは、表示パネルとタッチセンサパネルとを有する構成とすることもできる。または、表示パネルの内部または表面にタッチセンサとしての機能を有する構成とすることもできる。

また、本明細書等では、タッチパネルの基板に、例えばＦＰＣもしくはＴＣＰなどのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ方式等によりＩＣが実装されたものを、タッチパネルモジュール、表示モジュール、または単にタッチパネルなどと呼ぶ場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。

本発明の一態様の表示素子は、可視光を反射する第１の表示素子と、可視光を発する第２の表示素子とが混在した表示装置である。

表示装置は、第１の表示素子が反射する第１の光と、第２の表示素子が発する第２の光のうち、いずれか一方、または両方により、画像を表示する機能を有する。または、表示装置は、第１の表示素子が反射する第１の光の光量と、第２の表示素子が発する第２の光の光量と、をそれぞれ制御することにより、階調を表現する機能を有する。

また、表示装置は、第１の表示素子の反射光の光量を制御することにより階調を表現する第１の画素と、第２の表示素子からの発光の光量を制御することにより階調を表現する第２の画素を有する構成とすることが好ましい。第１の画素及び第２の画素は、例えばそれぞれマトリクス状に複数配置され、表示部を構成する。

また、第１の画素と第２の画素は、同数且つ同ピッチで、表示領域内に配置されていることが好ましい。このとき、隣接する第１の画素と第２の画素を合わせて、画素ユニットと呼ぶことができる。

さらに、第１の画素及び第２の画素は表示装置の表示領域に混在して配置されていることが好ましい。より具体的には、第１の画素と第２の画素とが、積層されて表示領域内に配置されていることが好ましい。これにより、後述するように複数の第１の画素のみで表示された画像と、複数の第２の画素のみで表示された画像、及び複数の第１の画素及び複数の第２の画素の両方で表示された画像のそれぞれは、同じ表示領域に表示することができる。

第１の画素が有する第１の表示素子には、外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は、光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。

第１の表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。または、第１の表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した素子などを用いることができる。

また、第２の画素が有する第２の表示素子は光源を有し、その光源からの光を利用して表示する素子を用いることができる。特に、電界を印加することにより発光性の物質から発光を取り出すことのできる、電界発光素子を用いることが好ましい。このような画素が射出する光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く（色域が広く）、且つコントラストの高い、つまり鮮やかな表示を行うことができる。

第２の表示素子には、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、半導体レーザなどの自発光性の発光素子を用いることができる。または、第２の画素が有する表示素子として、光源であるバックライトと、バックライトからの光の透過光の光量を制御する透過型の液晶素子とを組み合わせたものを用いてもよい。

第１の画素は、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する第１の表示素子を有する構成とすることができる。また、第２の画素も同様に、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する第２の表示素子を有する構成とすることができる。なお、第１の画素及び第２の画素がそれぞれ有する副画素は、４色以上であってもよい。副画素の種類が多いほど、消費電力を低減することが可能で、また色再現性を高めることができる。また、第１の画素が有する第１の表示素子として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色に代えて、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の３色の光をそれぞれ呈する表示素子を適用すると、より明るい表示が可能となる。

以下では、本発明の一態様の表示装置の例として、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、発光モード、反射モード、およびハイブリッドモードの表示を行うことのできる、表示装置（表示パネル）の例を説明する。このような表示パネルを、ＥＲ−Ｈｙｂｒｉｄ Ｄｉｓｐｌａｙ（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ａｎｄ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｙｂｒｉｄ Ｄｉｓｐｌａｙ、または、Ｅｍｉｓｓｉｏｎ／Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｙｂｒｉｄ Ｄｉｓｐｌａｙ）とも呼ぶことができる。

このような表示パネルの一例としては、可視光を反射する電極を備える液晶素子と、発光素子とを積層して配置した構成が挙げられる。このとき、可視光を反射する電極が、その一部に切欠き部を有し、当該切欠き部と発光素子とが重ねて配置されていることが好ましい。当該切欠き部は、開口であってもよい。これにより、発光モードでは当該切欠き部を介して発光素子からの光が射出されるように駆動することができる。なお、可視光を反射する電極が切欠き部を有さず、且つ、発光素子の発光領域が当該可視光を反射する電極と重ならない位置に配置されている構成とし、表示面側から見たときに、可視光を反射する電極の隙間から発光素子が発する光が射出される構成としてもよい。

液晶素子と発光素子とを積層して配置することで、平面視において、液晶素子と発光素子を並べて配置した場合と比べて、液晶素子と発光素子の両方を有する画素（画素ユニットともいう）の大きさを小さくすることができるため、より高精細な表示装置を実現できる。

このような表示パネルは、屋外など外光の明るい環境では反射モードで表示することにより、極めて電力消費が低い駆動を行うことができる。また夜間や室内など外光が暗い環境では、発光モードで表示することにより、最適な輝度で画像を表示することができる。さらに、発光と反射光の両方を用いたモード（ハイブリッドモードともいう）で表示することにより、外光の明るさが不十分な環境あっても従来の表示パネルに比べて、低い消費電力で、且つコントラストの高い表示を行うことができる。また、反射モード及びハイブリッドモードでは、環境光の揺らぎを反映した表示を行うことが可能なため、ユーザがより自然に感じる表示を行うことができる。

本発明の一態様は、反射型の液晶素子が有する画素電極を、第１の方向に長い短冊状の形状とする。このような画素電極を、当該第１の方向と交差する（好ましくは直交する）第２の方向に並べて配列した構成を有する。このとき、当該画素電極は可視光を反射する反射電極として機能する。

例えば、３つの副画素が有する画素電極は、それぞれ上述した切欠き部の位置や形状が異なる以外は、同様の形状であることが好ましい。なお、これらの形状はそれぞれ概略短冊状の形状であればよく、細部の形状が異なっていてもよい。また、液晶素子の画素電極が切欠き部を有さない場合には、それぞれ同じ短冊状の形状であってもよく、細部の形状が異なっていてもよい。

また、反射型の液晶素子を有する画素（副画素）を駆動するための走査線として機能する配線を第１の方向に、信号線として機能する配線を第２の方向に、それぞれ延在するように配置することが好ましい。これにより、信号線の本数を減らすことができる。さらに液晶素子の長手方向が信号線と直交するように配置されることが好ましい。その結果、液晶素子が信号線からの電界の影響を受けにくくなり、表示中の階調の変化が生じにくくなる。特に、液晶素子の駆動周波数を低くした駆動を行う際に、液晶の配向の変化に起因するフリッカが視認されにくくなるため、視認性を犠牲にすることなく低消費電力な駆動を行うことができる。

一方、発光素子が有する画素電極は、第１の方向に配列する構成とする。このとき、当該画素電極の形状を、副画素間で同様の形状とすることが好ましい。例えば、３つの副画素が有する画素電極の形状を、それぞれ第２の方向に長い短冊状の形状とすることができる。なお、発光素子の画素電極は、それぞれ概略短冊状の形状であればよく、細部の形状が異なっていてもよい。例えば画素電極の面積がそれぞれ異なっていてもよい。また画素電極を同じ形状とすることで、容量成分や抵抗成分を副画素間で等しくすることができる。

また、発光素子を有する画素（副画素）を駆動するための走査線として機能する配線を第２の方向に、信号線として機能する配線を第１の方向に、それぞれ延在するように配置することが好ましい。特に、異なる色を呈する発光素子間で構造を異ならせる場合などでは、それぞれの副画素には、同じ階調表示であっても異なる電位を信号線から入力する必要がある。したがって、それぞれの副画素の信号線を共通化するのではなく、副画素毎に異なる信号線を設ける構成とすることで、駆動方法を簡略化することができる。

すなわち、例えば表示装置が液晶素子を有する副画素が３つ並んだ構成を有する第１の画素と、発光素子を有する副画素が３つ並んだ構成を有する第２の画素と、を有する場合、第１の画素には３本の走査線と１本の信号線が接続され、第２の画素には１本の走査線と３本の信号線が接続される構成とすることができる。

また、表示装置は、液晶素子を含む副画素に接続される走査線と、発光素子を含む副画素に接続される走査線とを、それぞれ同じ方向に延在するように配置することができる。また、表示装置は、液晶素子を含む副画素に接続される信号線と、発光素子を含む副画素に接続される信号線とを、それぞれ同じ方向に延在するように配置することができる。

以下では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な構成例について、図面を参照して説明する。

［構成例］
図１（Ａ）に、表示装置が有する一つの画素１０ｐを、表示面側から見たときの概略図を示す。また、図１（Ｂ）には、画素１０ｐの各層を分離して斜め方向から見たときの模式図を示している。また、図１（Ａ）、（Ｂ）にはそれぞれ、直交するＸ方向とＹ方向を矢印で示している。

画素１０ｐは、３つの着色層（着色層５２Ｒ、着色層５２Ｇ、着色層５２Ｂ）と、３つの反射型の液晶素子４０と、３つの発光素子（発光素子６０Ｒ、発光素子６０Ｇ、発光素子６０Ｂ）と、が積層された構成を有する。

発光素子６０Ｒ、発光素子６０Ｇ、発光素子６０Ｂは、それぞれ画素電極として機能する導電層６１を有する。各発光素子は、導電層６１上の一部に設けられている。導電層６１は、Ｙ方向に延びた短冊状（または帯状、長方形）の形状を有する。また３つの導電層６１は、Ｘ方向に配列している。なお、ここでは３つの導電層６１を同じ形状としたが、これらのうち１つ以上を異なる形状としてもよい。

液晶素子４０は、画素電極として機能する導電層２３と、共通電極として機能する導電層２５と、これらの間に液晶２４と、を有する。図１（Ｂ）では、液晶２４と導電層２５を破線で示している。導電層２３は、Ｘ方向に延びた短冊状の形状を有する。また３つの導電層２３は、Ｙ方向に配列している。

着色層５２Ｒ、着色層５２Ｇ、着色層５２Ｂは、それぞれ導電層２３のいずれか１つと重なるように設けられている。着色層５２Ｒ、着色層５２Ｇ、着色層５２Ｂは、それぞれＸ方向に延びた短冊状の形状を有し、Ｙ方向に配列している。

ここで、導電層２３は、導電層６１及び３つの着色層と、配列方向が９０度回転している、とも言うことができる。また、導電層６１と、３つの着色層とは、それぞれ同じ方向に配列している、とも言うことができる。

図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、１つの導電層２３は、３つの導電層６１と重なるように配置されている。そして１つの導電層２３は、３つの発光素子（発光素子６０Ｒ、発光素子６０Ｇ、発光素子６０Ｂ）のうち、いずれか１つと重なる部分に、切欠き部１１ａを有する。ここでは切欠き部１１ａの形状がそれぞれ開口形状である場合を示している。発光素子６０Ｒ、発光素子６０Ｇ、発光素子６０Ｂは、それぞれ導電層２３の切欠き部１１ａと重なる領域を有する、とも言うことができる。

また、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、３つの着色層（着色層５２Ｒ、着色層５２Ｇ、着色層５２Ｂ）は、それぞれ切欠き部１１ａと重なる位置に、切欠き部１１ｂを有する。ここでは切欠き部１１ｂの形状が、切欠き部１１ａと同様に開口形状である場合を示している。発光素子６０Ｒ、発光素子６０Ｇ及び発光素子６０Ｂは、それぞれ着色層５２Ｒ、着色層５２Ｇまたは着色層５２Ｂのうちの１つの切欠き部１１ｂと重なる領域を有する、とも言うことができる。

発光素子６０Ｒは、表示面側（上側）に光２０ｅＲを射出する。同様に、発光素子６０Ｇは光２０ｅＧを、発光素子６０Ｂは光２０ｅＢを、それぞれ表示面側に射出する。光２０ｅＲ、光２０ｅＧ、光２０ｅＢはそれぞれ、切欠き部１１ａ及び切欠き部１１ｂを介して、表示面側に射出される。例えば、光２０ｅＲを赤色の光とし、光２０ｅＧを緑色の光とし、光２０ｅＢを青色の光とすることで、３つの発光素子によりカラー表示を行うことができる。

液晶素子４０は、それぞれ表示面側から入射した外光を反射し、反射光である光２０ｒＲ、光２０ｒＧ、または光２０ｒＢを表示面側に射出する。ここで、光２０ｒＲは、光路上に位置する着色層５２Ｒを２度透過することにより、着色された光である。同様に、光２０ｒＧ、光２０ｒＢもそれぞれ着色層５２Ｇ、着色層５２Ｂを２度透過することにより、着色された光である。例えば、着色層５２Ｒは赤色の光を透過し、着色層５２Ｇは緑色の光を透過し、着色層５２Ｂは青色の光を透過する。これにより、３つの液晶素子４０によりカラー表示を行うことができる。

ここで、１つの発光素子が発する光の色と、当該発光素子が射出する光が通過する切欠き部１１ｂを備える着色層が透過する光の色とを、一致させることが好ましい。例えば、発光素子６０Ｒが発する光２０ｅＲを赤色の光としたとき、着色層５２Ｒを赤色の光が透過する着色層（カラーフィルタ）とすることが好ましい。これにより、例えば発光素子６０Ｒが発する光２０ｅＲの一部が着色層５２Ｒに達した場合に、着色層５２Ｒを透過して表示面側に射出することができる。したがって、光取り出し効率を高めることができる。また、発光素子６０Ｒが発する光２０ｅＲの一部が、他の色の着色層（着色層５２Ｇまたは着色層５２Ｇ）に達したときには、当該着色層に吸収されるため、混色を防ぐことができる。

また、同様に、発光素子６０Ｇが発する光２０ｅＧを緑色の光としたとき、着色層５２Ｇを緑色の光を透過する着色層とすることが好ましい。また発光素子６０Ｂが発する光２０ｅＢを青色の光としたとき、着色層５２Ｂを青色の光を透過する着色層とすることが好ましい。

図１（Ａ）、（Ｂ）に示す構成では、各発光素子が発する光の光路上に着色層の切欠き部１１ｂが配置される構成であるため、発光素子が発する光の一部が着色層に吸収されることがなく、光取り出し効率を高めることができる。

なお、着色層、液晶素子４０、及び発光素子の数や配置方法はこれに限られず、画素の構成に応じてそれぞれ１つ以上設ければよい。また液晶素子４０によりカラー表示を行わない場合には、着色層を設けない構成としてもよい。

図２には、白色光を発する３つの発光素子６０Ｗを有する例を示している。また、図２では、着色層５２Ｒ、着色層５２Ｇ、及び着色層５２Ｂが、それぞれ切欠き部１１ｂを有さない例を示している。

図２に示す構成では、発光素子６０Ｗが発する光が着色層５２Ｒ、着色層５２Ｇ、または着色層５２Ｂのいずれか１つを透過し、光２０ｅＲ、光２０ｅＧ、または光２０ｅＢとして外部に射出される。これにより、３つの発光素子６０Ｗによってカラー表示を行うことができる。

図２に示す構成では、発光素子６０Ｗを、異なる色の副画素間で同じ構成とすることができるため、作製工程を簡略化することができる。

［配線の配置方法について］
ここで、液晶素子や発光素子を駆動するための配線の配置方法の例について説明する。

図３（Ａ）には、液晶素子４０が有する３つの導電層２３、導電層１２Ｒ、導電層１２Ｇ、導電層１２Ｂ、導電層１３の配置方法の例を示している。

導電層１２Ｒ、導電層１２Ｇ、導電層１２Ｂは走査線として機能し、それぞれＸ方向に延在し、Ｙ方向に並べて配置されている。また、導電層１３は信号線として機能し、Ｙ方向に延在している。

ここで、走査線は、液晶素子または発光素子を有する副画素に接続され、副画素を順次選択するための信号が入力される配線である。また、信号線は、液晶素子または発光素子を有する副画素に接続され、当該副画素に入力する信号（例えばビデオ信号）が与えられる配線である。

ここで、図３（Ａ）に示すように、各導電層２３は、信号線として機能する導電層１３と重ならないように配置されていることが好ましい。これにより、導電層１３と各導電層２３との寄生容量を低減できることに加え、導電層１３から各導電層２３に電気的なノイズが伝わることを抑制することができる。

図３（Ｂ）には、発光素子６０Ｒ、発光素子６０Ｇ、発光素子６０Ｂ、３つの導電層６１、導電層１４、導電層１５Ｒ、導電層１５Ｇ、及び導電層１５Ｂの配置方法の例を示している。

導電層１４は、走査線として機能し、Ｘ方向に延在している。導電層１５Ｒ、導電層１５Ｇ、及び導電層１５Ｂは、それぞれ信号線として機能し、Ｙ方向に延在し、Ｘ方向に並べて配置されている。

ここで、各導電層６１は、導電層２３と同様に、信号線として機能する導電層１５Ｒ、導電層１５Ｇ、及び導電層１５Ｂと重ならないように配置されていることが好ましい。

［画素の構成例］
以下では、表示装置が有する画素のより具体的な構成例について説明する。

図４（Ａ１）、（Ａ２）は、図３（Ａ）に対応するより具体的な画素構成の例であり、表示面側から見たときのレイアウト方法の一例を示している。図４（Ａ１）には、画素電極として機能する導電層２３を設ける前の段階での上面概略図を示し、図４（Ａ２）には、導電層２３を設けた後の段階での上面概略図を示している。なお明瞭化のため、各図において、一部の構成要素（絶縁層等）は明示していない。

また、図４（Ｂ１）、（Ｂ２）は、図３（Ｂ）に対応するより具体的な画素構成の例である。図４（Ｂ１）には、画素電極として機能する導電層６１や、各発光素子を設ける前の段階での上面概略図を示し、図４（Ｂ２）には、これらを設けた後の段階での上面概略図を示している。

なお、ここで示す上面概略図において、同一の膜を加工して得られる膜に、同じハッチングパターンを付している。

図４（Ａ１）、（Ａ２）に示す画素は、トランジスタ７０ｒを有する。トランジスタ７０ｒは、副画素の選択状態を制御する選択トランジスタとして機能する。トランジスタ７０ｒには、走査線として機能する導電層１２Ｒ、導電層１２Ｇ、または導電層１２Ｂと、信号線として機能する導電層１３と、が電気的に接続される。

トランジスタ７０ｒの１つは、ゲートとして機能する導電層１２Ｒと重なる位置に絶縁層（図示しない）を介して半導体層７２を有する。

図４（Ｃ）に、図４（Ａ１）、（Ａ２）に対応した画素の回路図の例を示している。ひとつの副画素１０ＬＣは、トランジスタ７０ｒ、容量素子９０ｒ、及び液晶素子４０Ｒ（若しくは液晶素子４０Ｇ、または液晶素子４０Ｂ）を有する。容量素子９０ｒは、例えばＭＩＭ型の容量素子を用いることもできるし、トランジスタ７０ｒの容量成分、導電層２３の容量成分などを利用することもできる。

トランジスタ７０ｒは、ゲートが導電層１２Ｒ（若しくは導電層１２Ｇまたは導電層１２Ｂ）と電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が導電層１３と電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が容量素子９０ｒの一方の端子、及び液晶素子４０Ｒ（若しくは液晶素子４０Ｇ、または液晶素子４０Ｂ）の一方の端子（画素電極、導電層２３）と電気的に接続されている。

図４（Ｂ１）、（Ｂ２）に示す画素は、トランジスタ７０ｅ１、トランジスタ７０ｅ２、及び容量素子９０ｅを有する。また当該画素には、電源電位が供給される配線として機能する導電層１６を有する。

図４（Ｄ）に、図４（Ｂ１）、（Ｂ２）に対応した画素の回路図の例を示している。ひとつの副画素１０ＥＬは、トランジスタ７０ｅ１、トランジスタ７０ｅ１、トランジスタ７０ｅ２、容量素子９０ｅ、及び発光素子６０Ｒ（若しくは発光素子６０Ｇまたは発光素子６０Ｂ）を有する。

トランジスタ７０ｅ１は、ゲートが導電層１４と電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が導電層１５Ｒ（若しくは導電層１５Ｇまたは導電層１５Ｂ）と電気的に接続され、他方がトランジスタ７０ｅ２のゲート、及び容量素子９０ｅの一方の端子と電気的に接続されている。トランジスタ７０ｅ２は、ソースまたはドレインの一方が導電層１６と電気的に接続され、他方が発光素子６０Ｒ（若しくは発光素子６０Ｇまたは発光素子６０Ｂ）の一方の端子（画素電極、導電層６１）と電気的に接続されている。容量素子９０ｅは、他方の端子が導電層１６と電気的に接続されている。

以上が画素の構成例についての説明である。

［表示装置の構成例］
図５（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置１０を表示面側からみたときの斜視図である。表示装置１０は、基板２１と基板３１とを有する。図５（Ａ）は、基板３１を破線で示している。

表示装置１０は、基板２１と基板３１との間に、表示部３２、回路部３４、配線３５等を有する。また図５（Ａ）では、基板２１にＩＣ３７とＦＰＣ３６が実装されている例を示している。そのため、図５（Ａ）に示す表示装置１０は、表示モジュールとも呼ぶことができる。

回路部３４は、例えば走査線駆動回路として機能する回路を用いることができる。

配線３５は、表示部３２または回路部３４に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や電力は、ＦＰＣ３６を介して外部から入力されるか、ＩＣ３７から入力される。

また、図５（Ａ）では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式等により、基板２１にＩＣ３７が設けられている例を示している。ＩＣ３７は、例えば走査線駆動回路、または信号線駆動回路などとしての機能を有するＩＣを適用できる。なおＩＣ３７は必要でなければ設けなくてもよい。またＩＣ３７は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、ＦＰＣ３６に実装してもよい。

図５（Ｂ）は、表示装置１０を有するタッチパネル１０ａの一例を示している。

タッチパネル１０ａは、タッチセンサパネル５０が表示面側に設けられている。また、表示装置１０とタッチセンサパネル５０との間に、表示装置１０側から拡散板３８と、偏光板３９と、を有する。

拡散板３８は、可視光を拡散する機能を有するフィルムを好適に用いることができる。例えば、半球レンズやマイクロレンズアレイが形成されたフィルム、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を用いることができる。例えば、このようなフィルムを、基板３１または当該フィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。

偏光板３９としては、例えば、直線偏光板または円偏光板を用いればよい。特に表示部３２が反射型の液晶素子を有する場合には、円偏光板を好適に用いることができる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。円偏光板を用いることにより、外光反射を好適に抑制する効果を付加することができる。

タッチセンサパネル５０は、指やスタイラス等の被検知体が触れること、または近づくことを検知する機能を有する。また、被検知体の位置情報を出力する機能を有していてもよい。図５（Ｂ）では、タッチセンサパネル５０に、ＦＰＣ５０ａが実装されている例を示している。なお、タッチセンサパネル５０またはＦＰＣ５０ａに、タッチセンサパネル５０の駆動を制御する機能や、タッチセンサパネル５０からの信号から位置情報などを演算する機能等を有するＩＣ等が実装されていてもよい。

タッチセンサパネル５０が有する検知素子（センサ素子ともいう）としては、指やスタイラスなどの被検知体がタッチセンサパネル５０の表面に触れること、または近づくことを検知することのできる様々なセンサを適用することができる。

例えばセンサの方式としては、静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、光学方式、感圧方式など様々な方式を用いることができる。

静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また、投影型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。

図５（Ｂ）では、別々に作製された表示装置１０とタッチセンサパネル５０とを貼り合わせる構成としたが、これに限られない。例えば、表示装置１０の基板２１と基板３１の一方または双方に検知素子を構成する電極等を設ける、いわゆるオンセル型またはインセル型のタッチパネルとしてもよい。

また、タッチセンサパネル５０に用いるフィルムに、反射防止フィルムを用いることが好ましい。または、タッチセンサパネル５０に重ねて、表示面側に反射防止フィルムを貼り付けることが好ましい。これにより、タッチパネル１０ａの表面の外光反射が抑制され、視認性を向上させることができる。

また表示装置１０の表示面側には、上記以外に反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルム、または集光フィルム等の機能フィルム、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、傷を自己回復する機能を有する膜等を含む機能フィルムを設けてもよい。

［断面構成例］
以下では、表示装置の断面構成の例について、図面を参照して説明する。

〔断面構成例１〕
図６に、以下で例示する断面構成例を示す。図６は、図１で示した構成に対応した断面構成例である。

表示装置は、基板２１と基板３１との間に、トランジスタ７０ａ、トランジスタ７０ｂ、発光素子６０、液晶素子４０等を有する。また、発光素子６０とトランジスタ７０ｂとの間に位置する接着層８９を有する。

トランジスタ７０ａは、ゲートとして機能する導電層７１と、一部がゲート絶縁層として機能する絶縁層８２と、ソースまたはドレインの一方として機能する導電層７３ａと、ソースまたはドレインの他方として機能する導電層７３ｂと、を有する。また、トランジスタ７０ａは、一部が第２のゲート絶縁層として機能する絶縁層８３と、第２のゲートとして機能する導電層７４と、を有する。

トランジスタ７０ｂは、第２のゲートを有さない点以外は、トランジスタ７０ａと同様の構成を有する。なお、トランジスタ７０ａとトランジスタ７０ｂとは、それぞれ同じ構造のトランジスタであってもよいし、それぞれ異なる構造のトランジスタであってもよい。

基板２１上に絶縁層８１が設けられ、絶縁層８１上にトランジスタ７０ａが設けられている。また、絶縁層８１上には、絶縁層８２、絶縁層８３、絶縁層８４、絶縁層８５、及び絶縁層８６等が設けられている。絶縁層８４、絶縁層８５及び絶縁層８６は、トランジスタ７０ａを覆って設けられている。

発光素子６０は、導電層６１と、導電層６３と、これらの間に位置するＥＬ層６２と、を有する。また導電層６３を覆って絶縁層６４が設けられている。導電層６１は可視光を反射する機能を有し、導電層６３は可視光を透過する機能を有する。すなわち、発光素子６０は、被形成面側とは反対側に光を射出する、いわゆるトップエミッション型の発光素子である。

導電層６１は、絶縁層８５上に設けられている。また絶縁層８６は、導電層６１の端部を覆って設けられている。導電層６１は、絶縁層８５、絶縁層８４、及び絶縁層８３等に設けられた開口を介して、導電層７３ｂと電気的に接続され、これにより、発光素子６０とトランジスタ７０ａとが電気的に接続されている。

また、トランジスタ７０ｂは、絶縁層９２の基板２１側に設けられている。絶縁層９２の基板２１側には、絶縁層９３、絶縁層９４、絶縁層９５、絶縁層９６等が積層して設けられている。絶縁層９３の一部は、トランジスタ７０ｂの第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層９６は、平坦化層として機能することが好ましい。絶縁層９６は不要であれば設けなくてもよい。

絶縁層９５の基板２１側には、発光素子６０と重なる位置に、着色層５４ａが設けられている。なお、後述するように、異なる色に対応する画素間で、異なる色を呈する発光素子６０を作り分ける場合などには、着色層５４を設けなくてもよい。

また、絶縁層６４と絶縁層９６とは、接着層８９により貼り合わされている。

絶縁層９２の基板３１側には、導電層２３ａと導電層２３ｂが積層して設けられている。また、導電層２３ａと導電層２３ｂを覆って絶縁層９１が設けられている。また、導電層２３ａの基板３１側には、配向膜２６ａが設けられている。

一方、基板３１の基板２１側の面には、着色層５４ｂと、着色層５４ｂを覆う絶縁層９８が設けられている。また絶縁層９８の基板２１側には、導電層２５と、配向膜２６ｂが積層して設けられている。

配向膜２６ａと配向膜２６ｂとの間に、液晶２４が挟持されている。導電層２３ａ、液晶２４、及び導電層２５により液晶素子４０が構成されている。また、基板３１と絶縁層９１とは、図示しない領域において、接着層により貼り合わされている。液晶２４は、当該接着層に囲まれた領域に位置し、基板３１、絶縁層９１、及び当該接着層により封止されている。

また表示装置は、絶縁層９１の両面に設けられる導電層同士を電気的に接続する接続部８０を有する。図６では、接続部８０が、絶縁層９１及び絶縁層９２に設けられた開口と、当該開口に位置し、トランジスタ７０ｂ等のゲートと同一の導電膜を加工して得られた導電層と、を有する構成を示している。トランジスタ７０ｂのソースまたはドレインの一方と導電層２３ｂとは、接続部８０を介して電気的に接続されている。

図６に示すように、接続部８０と重なる領域において、導電層２３ａの表面が平坦である。そのため、接続部８０が設けられる部分に液晶２４の配向欠陥が生じないため、液晶素子４０の表示領域として機能させることができる。特に高精細な表示装置においては、一つの画素の占有面積に対する接続部８０の面積の割合が高くなるため、この領域を表示領域として使用できることで、高い開口率を実現することができる。

導電層２３ａは、可視光を透過する機能を有する。また導電層２３ｂは、可視光を反射する機能を有する。したがって液晶素子４０は、反射型の液晶素子として機能する。

ここで、図６では、導電層２３ａと配向膜２６ａの間に絶縁層９７ａが設けられている。絶縁層９７ａは、導電層２３ａが設けられない領域において、絶縁層９１と接する。また導電層２５と配向膜２６ｂの間に絶縁層９７ｂが設けられている。絶縁層９７ａ及び絶縁層９７ｂには、水などの不純物が拡散しにくい無機絶縁材料を用いることが好ましい。このように、液晶２４を絶縁層９７ａと絶縁層９７ｂで囲むことにより、液晶２４に水などの不純物が拡散することを防ぐことができる。これにより、液晶素子４０の抵抗率を高く保持することができる。特に、液晶素子４０を低いフレーム周波数（例えば１Ｈｚ未満）で駆動する場合に適した構成と言える。

着色層５４ｂは、発光素子６０と重なる部分に切欠き部を有する。言い換えると、発光素子６０が発する光の光路上に、着色層５４ｂが位置しない構成を有する。これにより、発光素子６０の光取り出し効率を向上させることができる。また、発光素子６０と液晶素子４０とで、それぞれ異なる着色層を用いることで、発光素子６０と液晶素子４０のそれぞれに合わせて材料や厚さなどを最適化した着色層を適用することができる。

ここで、着色層５４ａと着色層５４ｂとは、それぞれ同じ光を透過する着色層であることが好ましい。

以上が、断面構成例１についての説明である。

〔断面構成例２〕
図７に示す構成は、主に着色層５４ｂが切欠き部を有さない点、及び着色層５４ａを有さない点で、図６に示す構成と相違している。図７に示す構成は、図２で例示した構成に対応する。

このように、発光素子６０と液晶素子４０とで、１つの着色層５４ｂを用いることで、構成を簡略化することができる。

〔断面構成例３〕
図８に示す構成は、主に基板２１に代えて基板２１ａ及び接着層８８を有する点、及び基板３１に代えて基板３１ａを有する点で、図６に示す構成と相違している。

基板２１ａ及び基板３１ａは、可撓性を有する。したがって、図８に示す表示装置は、曲げることのできる表示装置である。

基板２１ａと絶縁層８１とは、接着層８８により接着されている。トランジスタ７０ａと基板２１ａとの間にバリア層として機能する絶縁層８１を設けることで、トランジスタ７０ａに不純物が拡散することを防ぐことができる。

一方、基板３１ａには、着色層５４ｂ等が直接設けられている。基板３１ａに水などの不純物が拡散しやすい材料を用いた場合であっても、絶縁層９７ｂを設けることで、液晶２４に当該不純物が拡散することを防ぐことができる。

〔断面構成例４〕
図９に示す構成は、主に発光素子６０の構成が異なる点、着色層５４ａを有さない点で、図６に示す構成と相違している。

図９では、隣接する発光素子６０毎に、ＥＬ層が作り分けられている例を示している。図９に示す発光素子６０は、島状のＥＬ層６２ａを有する。

このような構成とすることで、発光素子６０の光取り出し効率を高めることができ、消費電力を低減できる。

なお、異なる色の発光素子間で、ＥＬ層を構成する一部の層のみを作り分け、他の層を共通に用いてもよい。例えば、発光層のみを作り分ける構成としてもよい。また、３色の発光層のうち、最も波長の短い色を呈する発光層（例えば青色の光を呈する発光層）を、他の表示素子に亘って設けてもよい。これにより、発光素子６０の形成工程を簡略化できる。

〔断面構成例５〕
図１０に示す構成は、発光素子６０にボトムエミッション型の発光素子を適用した場合の例である。

図１０では、図６に示す絶縁層８１から絶縁層６４までの積層構造が、上下反転した構成を有する。

絶縁層８１は、トランジスタ７０ａよりも表示面側（基板３１側）に位置し、絶縁層８６と接着層８９を介して接着されている。また、絶縁層６４と基板２１とが、接着層８８を介して接着されている。

発光素子６０において、導電層６１が可視光を透過し、導電層６３が可視光を反射する。そのため、発光素子６０が発した光は、基板３１側に射出される。

〔断面構成例６〕
図１１に示す構成は、図６に示すトランジスタ７０ｂの向きが上下反転している例を示している。

絶縁層９１が接着層８９と接して設けられ、絶縁層９１上に、トランジスタ７０ｂ、絶縁層９３、絶縁層９４、絶縁層９５、絶縁層９６等が設けられている。また絶縁層９６上に、可視光を反射する導電層２３ｂが設けられ、導電層２３ｂを覆って、可視光を透過する導電層２３ａが設けられている。また、導電層２３ａを覆って、絶縁層９７ａと配向膜２６ａが設けられている。導電層２５ｂは、絶縁層９６、絶縁層９５、及び絶縁層９４に設けられた開口を介して、トランジスタ７０ｂのソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。また、着色層５４ａは、絶縁層９５と絶縁層９６の間に設けられている。

このような構成とすることで、トランジスタ７０ｂの作製工程に係る温度を高めることができるため、より信頼性の高いトランジスタ７０ｂを作製することができる。例えば、４５０度以上、５００度以上、または５５０度以上の高い温度での処理が必要な場合には、好適である。

以上が、断面構成例についての説明である。

［作製方法例］
以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。ここでは、上記断面構成例１で例示した表示装置の作製方法について説明する。

図１２〜１５に示す各図は、以下で説明する作製方法に係る、工程の各段階における断面概略図である。

なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法がある。

また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

〔絶縁層８１の形成〕
まず、基板２１上に、絶縁層８１を形成する（図１２（Ａ））。

基板２１としては、装置内または装置間における搬送が容易な程度に剛性を有する基板を用いることができる。また、作製工程にかかる熱に対して耐熱性を有する基板を用いる。例えば、厚さ０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下のガラス基板を用いることができる。

絶縁層８１は、例えば基板２１に含まれる不純物が拡散することを防ぐために設ける。また、絶縁層８１の上部に設けられる薄膜をエッチングする際に、基板２１が露出することを防ぐエッチングストッパーとして用いてもよい。絶縁層８１としては、例えば窒化シリコン、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの無機絶縁材料の薄膜を単層で、または積層して用いることができる。なお、本明細書中において、酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。

なお、絶縁層８１は不要であれば設けなくてもよい。

〔トランジスタ７０ａの形成〕
続いて、絶縁層８１上に導電層７１を形成する。導電層７１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。

続いて、絶縁層８１及び導電層７１を覆って絶縁層８２を形成する。

続いて、半導体層７２を形成する。半導体層７２は、半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。

続いて、導電層７３ａ及び導電層７３ｂを形成する。導電層７３ａ及び導電層７３ｂは、導電層７１と同様の方法により形成できる。

続いて、絶縁層８２、導電層７３ａ、導電層７３ｂ、及び半導体層７２を覆って絶縁層８３を形成する。

続いて、絶縁層８３上に半導体層７２と重なる導電層７４を形成する。導電層７４は、導電層７１と同様の方法により形成できる。

以上の工程により、トランジスタ７０ａを形成することができる（図１２（Ｂ））。

〔絶縁層８４、絶縁層８５の形成〕
続いて、トランジスタ７０ａを覆う絶縁層８４、および絶縁層８５を形成する（図１２（Ｃ））。

絶縁層８４には、水や水素などが拡散しにくい材料を用いることが好ましい。例えば、絶縁層８４として、無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層８４として、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料の層を、単層で、または積層して用いることができる。これにより、絶縁層８４はトランジスタ７０ａの保護層として機能する。

続いて、絶縁層８４を覆って、絶縁層８５を形成する。絶縁層８５に有機絶縁材料を用いると、その上面の平坦性を高めることができるため好ましい。

このように、トランジスタ７０ａを覆う絶縁層として、無機絶縁材料を含む絶縁層８４と、有機絶縁材料を含む絶縁層８５の積層構造を有する構成とすることで、バリア性と平坦性を両立できるため好ましい。

〔導電層６１の形成〕
続いて、絶縁層８５、絶縁層８４、及び絶縁層８３に、導電層７３ｂ等に達する開口を形成する。

続いて、絶縁層８５上に導電層７３ｂと電気的に接続する導電層６１を形成する。導電層６１は、導電層７１等と同様の方法により形成できる。

〔絶縁層８６の形成〕
続いて、導電層６１の端部を覆う絶縁層８６を形成する（図１２（Ｄ））。絶縁層８６は、絶縁層８５等と同様の方法により形成できる。

〔発光素子６０の形成〕
続いて、導電層６１の上面が露出した部分、及び絶縁層８６上に、ＥＬ層６２、導電層６３を積層して形成する。これにより、発光素子６０が形成される。

ＥＬ層６２は、代表的には蒸着法により形成できる。ＥＬ層６２のうち、少なくとも一つの層を、画素間で作り分ける場合には、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた蒸着法を用いて形成することができる。また、ＥＬ層６２は、インクジェット法等を用いて形成してもよい。

〔絶縁層６４の形成〕
続いて、導電層６３上に絶縁層６４を形成することが好ましい（図１２（Ｅ））。絶縁層６４は、スパッタリング法やＡＬＤ法などの、形成温度を低くしても緻密な膜を形成できる成膜方法を用いることが好ましい。また、無機絶縁材料を含む膜と、有機絶縁材料を含む膜の積層構造としてもよい。

例えば、導電層６３上にスパッタリング法により絶縁膜を成膜し、この上にＡＬＤ法によりさらに絶縁膜を成膜することで、積層構造を有する絶縁層６４とすることが好ましい。スパッタリング法は、成膜速度を高めることが容易であるため、十分なバリア性能が得られる程度に厚い絶縁膜を形成するのに適している。さらに、ＡＬＤ法は、極めて段差被覆性が高い成膜方法であるため、スパッタリング法により形成した絶縁膜のピンホールや欠陥を埋めることができる。このような方法により、極めてバリア性に優れた絶縁層６４を形成することができる。

〔剥離層４３ａ、絶縁層９７ａの形成〕
支持基板４４ａを準備し、支持基板４４ａ上に、剥離層４３ａと、絶縁層９７ａを積層して形成する。

支持基板４４ａとしては、装置内または装置間における搬送が容易な程度に剛性を有する基板を用いることができる。また、作製工程にかかる熱に対して耐熱性を有する基板を用いる。例えば、厚さ０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下のガラス基板を用いることができる。

剥離層４３ａ及び絶縁層９７ａに用いる材料としては、剥離層４３ａと絶縁層９７ａの界面、または剥離層４３ａ中で剥離が生じるような材料を選択することができる。

例えば、剥離層４３ａとしてタングステンなどの高融点金属材料を含む層と、当該金属材料の酸化物を含む層を積層して用い、絶縁層９７ａとして、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの無機絶縁材料の層を積層して用いることができる。剥離層４３ａに高融点金属材料を用いると、その後の工程において、高い温度での処理が可能となるため、材料や形成方法の選択の自由度が高まるため好ましい。

剥離層４３ａとして、タングステンと酸化タングステンの積層構造を用いた場合では、タングステンと酸化タングステンの界面、酸化タングステン中、または酸化タングステンと絶縁層９７ａの界面で剥離することができる。

または剥離層４３ａとして、有機樹脂を用い、支持基板４４ａと剥離層４３ａとの界面、または剥離層４３ａ中、または剥離層４３ａと絶縁層９７ａの界面で剥離する構成としてもよい。

剥離層４３ａとしては、代表的にはポリイミド樹脂を用いることができる。ポリイミド樹脂は、耐熱性に優れるため好ましい。なお、剥離層４３ａとしては、このほかにアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等を用いることができる。

有機樹脂を含む剥離層４３ａは、まずスピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により、樹脂前駆体と溶媒の混合材料を支持基板４４ａ上に形成する。その後、加熱処理を行うことにより、溶媒等が除去しつつ、材料を硬化させ、有機樹脂を含む剥離層４３ａを形成することができる。

例えば、剥離層４３ａにポリイミドを用いる場合には、脱水によりイミド結合が生じる樹脂前駆体を用いることができる。または、可溶性のポリイミド樹脂を含む材料を用いてもよい。

剥離層４３ａに有機樹脂を用いる場合、感光性、または非感光性のいずれの樹脂を用いてもよい。感光性のポリイミドは、表示パネルの平坦化膜等に好適に用いられる材料であるため、形成装置や材料を共有することができる。そのため本発明の一態様の構成を実現するために新たな装置や材料を必要としない。また、感光性の樹脂材料を用いることにより、露光及び現像処理を施すことで、剥離層４３ａを加工することが可能となる。例えば、開口部を形成することや、不要な部分を除去することができる。さらに露光方法や露光条件を最適化することで、表面に凹凸形状を形成することも可能となる。例えばハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いた露光技術や、多重露光技術などを用いればよい。

剥離層４３ａに有機樹脂を用いた場合、剥離層４３ａを局所的に加熱することにより、剥離性を向上させることができる場合がある。例えば、加熱方法としてレーザ光を照射することが挙げられる。このとき、レーザ光に線状のレーザを用い、これを走査することにより、レーザ光を照射することが好ましい。これにより、支持基板の面積を大きくした際の工程時間を短縮することができる。レーザ光としては、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを好適に用いることができる。

レーザ光などの光を照射することにより剥離性を向上させる場合、剥離層４３ａと重ねて発熱層を設けてもよい。当該発熱層は、光を吸収して発熱する機能を有する層である。発熱層は、支持基板４４ａと剥離層４３ａとの間に設けることが好ましいが、剥離層４３ａ上に配置してもよい。発熱層としては、レーザ光等に用いる光の一部を吸収しうる材料を用いることができる。例えば、レーザ光として３０８ｎｍのエキシマレーザを用いる場合、発熱層としては、金属や酸化物等を用いることができる。例えば、チタンやタングステンなどの金属、酸化チタン、酸化タングステン、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物などの酸化物導電体材料、または、インジウムを含む酸化物半導体材料などを用いることができる。

また、剥離層４３ａに接して、酸素、水素、または水などを含む層を設け、加熱処理により剥離層４３ａ中、または剥離層４３ａと当該層との界面に酸素、水素、または水などを供給することにより、剥離性を向上させてもよい。または、支持基板４４ａに酸素、水素または水などを供給してもよい。または、剥離層４３ａに酸素、水素、または水などを供給してもよい。酸素、水素または水などを含む雰囲気下で加熱処理やプラズマ処理を行うことで、これらを支持基板４４ａや剥離層４３ａに供給することができる。これにより、レーザ装置等を用いる必要が無いため、より低コストで表示装置を作製することができる。

また、剥離後に、発光素子６０や液晶素子４０の光の経路上に剥離層４３ａが残存する場合がある。剥離層４３ａが可視光の一部を吸収する場合には、剥離層４３ａを透過した光が着色してしまう場合があるため、剥離を行った後に、これをエッチングにより除去することが好ましい。例えば、剥離層４３ａに有機樹脂を用いた場合には、酸素を含む雰囲気下におけるプラズマ処理（アッシング処理ともいう）等で、残存した剥離層４３ａを除去することができる。

〔導電層２３ａ及び導電層２３ｂの形成〕
続いて、絶縁層９７ａ上に導電層２３ａを形成する。導電層２３ａとしては、酸化物導電性材料を用いることが好ましい。導電層２３ａとして酸化物導電性材料を用いることで、発光素子６０の光路上に導電層２３ａが位置していても、光を透過させることができる。導電層２３ａとしては、例えば金属酸化物や、低抵抗化された酸化物半導体材料を用いることができる。

導電層２３ａに酸化物半導体材料を用いる場合には、プラズマ処理や熱処理等により、酸化物半導体材料中に酸素欠損を生じさせることによりキャリア密度を高めてもよい。また酸化物半導体材料中に、水素や窒素の他、アルゴンなどの希ガス等の不純物を導入することによりキャリア密度を高めてもよい。また導電層２３ａ上に形成する導電層２３ｂとして、酸素が拡散しやすい材料を用いることで、酸化物半導体中の酸素を低減させてもよい。なお、上述した方法を二以上適用してもよい。

続いて、導電層２３ａ上に開口部を有する導電層２３ｂを形成する（図１３（Ａ））。導電層２３ｂとしては、可視光を反射する材料を用いることができ、例えば金属、または合金材料含む単層構造、または積層構造を用いることができる。導電層２３ｂとして積層構造を用いる場合には、導電層２３ａと接する層に、それ以外の層よりも反射率の高い材料を用いることが好ましい。

〔絶縁層９１、絶縁層９２の形成〕
続いて、導電層２３ａ及び導電層２３ｂを覆って絶縁層９１及び絶縁層９２を積層して形成する（図１３（Ｂ））。絶縁層９１及び絶縁層９２には、それぞれ無機絶縁材料を用いることが好ましい。

なお、図１３（Ｂ）等では、絶縁層９２の上面が平坦であるように示したが、実際には下側に設けられる層の上面形状を反映した凹凸形状を有していてもよい。

〔接続部８０の形成〕
続いて、絶縁層９２及び絶縁層９１に、導電層２３ｂに達する開口部を形成する。

続いて、絶縁層９２上に導電層７１を形成する。このとき同時に、絶縁層９２及び絶縁層９１に設けられた開口部と重なる部分に、導電層２３ｂと電気的に接続される導電層を形成する。これにより、接続部８０を形成することができる（図１３（Ｃ））。

〔トランジスタ７０ｂの形成〕
続いて、絶縁層９３、半導体層７２、導電層７３ａ、導電層７３ｂを形成することにより、トランジスタ７０ｂを形成する。その後、トランジスタ７０ｂ等を覆って絶縁層９４と絶縁層９５を形成する（図１３（Ｄ））。

絶縁層９３及び絶縁層９４は、上記絶縁層８２または絶縁層８３と同様の方法により形成することができる。絶縁層９５は、上記絶縁層８４と同様の方法により形成することができる。

〔着色層５４の形成〕
続いて、絶縁層９５上に着色層５４ａを形成する。着色層５４は、感光性の材料を塗布した後、露光処理、現像処理を行うことで形成できる。着色層５４は異なる色の画素間で作り分ける。

〔絶縁層９６の形成〕
続いて、絶縁層９５、光反射層１５ｂ、及び着色層５４等を覆って絶縁層９６を形成する（図１３（Ｅ））。絶縁層９６は、上記絶縁層８５と同様の方法により形成することができる。

〔支持基板４４ｂの貼り合せ〕
続いて、接着層４６ａを用いて、支持基板４４ｂと絶縁層９６とを貼り合せる（図１４（Ａ））。支持基板４４ｂは、上記支持基板４４ａ等と同様の材料を用いることができる。また、接着層４６ａは、後に容易に剥がすことのできる材料を用いることが好ましい。たとえば、接着層４６ａとして粘着性の材料、両面テープ、シリコーンシート、または水溶性の接着剤などを用いることができる。

〔支持基板４４ａの剥離〕
続いて、剥離層４３ａと絶縁層９７ａとの間で剥離し、支持基板４４ａ及び剥離層４３ａを除去する（図１４（Ｂ））。

絶縁層９７ａと支持基板４４ａとを剥離する方法としては、機械的な力を加えることや、剥離層をエッチングすること、または支持基板４４ａの端部に液体を滴下する、または支持基板４４ａを液体に含浸させるなどし、剥離界面に液体を浸透させることなどが、一例として挙げられる。または、剥離界面を形成する２層の熱膨張率の違いを利用し、支持基板４４ａを加熱または冷却することにより剥離を行ってもよい。

また、剥離を行う前に、剥離界面の一部を露出させる処理を行ってもよい。例えばレーザや鋭利な部材などにより、剥離層４３ａ上の絶縁層９７ａの一部を除去する。これにより、絶縁層９７ａが除去された部分を出発点（起点）として、剥離を進行させることができる。

また、上述したように、剥離層４３ａ等にレーザ光を照射することで、剥離性を高めてもよい。または、剥離層４３ａの形成後から、剥離工程まで間の工程で、加熱処理を行うことで、剥離性を向上させてもよい。

剥離を終えた後、絶縁層９７ａの表面に剥離層４３ａの一部が残存している場合がある。その場合、残存した剥離層４３ａを洗浄、エッチング、プラズマ処理、または拭き取りなどを行うことにより除去してもよい。また、残存した剥離層４３ａが表示装置の動作や、表示品位に影響のない場合には、除去しなくてもよい。その場合には、絶縁層９７ａの表面に接して剥離層４３ａに含まれる元素を含む層が残存する。

また、絶縁層９７ａが不要である場合、絶縁層９７ａを除去してもよい。絶縁層９７ａは、例えばドライエッチング法またはウェットエッチング法により、除去することができる。絶縁層９７ａを除去することで、導電層２３ｂ及び絶縁層９１の表面が露出する。

なお、絶縁層９７ａが透光性を有する場合には、これを除去しなくてもよい。これにより、絶縁層９７ａをバリア層として用いることができる。その場合、絶縁層９７ａが厚すぎると、液晶素子４０の駆動電圧が上昇してしまう恐れがあるため、上記エッチング法により薄膜化してもよい。

〔配向膜２６ａの形成〕
続いて、導電層２３ａ上に配向膜２６ａを形成する（図１４（Ｃ））。配向膜２６ａは、薄膜を成膜した後に、ラビング処理を行うことによりすることができる。

なお、剥離層４３ａに有機樹脂を用い、剥離層４３ａと支持基板４４ａとの間で剥離した場合には、剥離層４３ａを除去せずにラビング処理することで、配向膜２６ａとしてもよい。このとき、絶縁層９７ａは、あらかじめバリア性が失われない程度に薄く形成しておくことが好ましい。

〔基板３１の準備〕
続いて、あらかじめ基板３１上に着色層５４ｂ、絶縁層９８、導電層２５、絶縁層９７ｂ、及び配向膜２６ｂ等を形成した基板を準備する。着色層５４ｂは、着色層５４ａと同様の方法により形成することができる。絶縁層９８は、絶縁層９６と同様の方法により形成することができる。導電層２５は、導電層２３ａと同様の方法により形成することができる。配向膜２６ｂは、配向膜２６ａと同様の方法により形成することができる。

〔支持基板４４ｂと基板３１の貼り合せ〕
続いて、支持基板４４ｂと基板３１のいずれか一方、または両方に、これらを接着する接着層（図示しない）を形成する。接着層は、画素が配置されている領域を囲むように形成する。接着層は、例えばスクリーン印刷法や、ディスペンス法等により形成することができる。接着層としては、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂等を用いることができる。また、紫外線により仮硬化した後に、熱を加えることにより硬化する樹脂などを用いてもよい。または、接着層として、紫外線硬化性と熱硬化性の両方を有する樹脂などを用いてもよい。

続いて、液晶２４を含む組成物をディスペンス法等により接着層に囲まれた領域に滴下する。また、当該組成物にカイラル剤等が含まれていてもよい。

続いて、液晶２４を挟むように支持基板４４ｂと基板３１とを貼り合せ、接着層を硬化する。貼り合せは、減圧雰囲気下で行うと支持基板４４ｂと基板３１の間に気泡等が混入することを防ぐことができるため好ましい。

なお、液晶２４を含む組成物は、支持基板４４ｂと基板３１を貼り合せた後に、減圧雰囲気下において、接着層に設けた隙間から注入する方法を用いてもよい。また、液晶２４を含む組成物の滴下後に、粒状のギャップスペーサを画素が配置されている領域や、当該領域の外側に配置してもよいし、当該ギャップスペーサを含む組成物を滴下してもよい。

基板３１と支持基板４４ｂとを貼り合せることにより、液晶素子４０が形成される。この段階における断面概略図が図１５（Ａ）に相当する。

〔支持基板４４ｂの除去〕
続いて、接着層４６ａと支持基板４４ｂを除去する。この段階における断面概略図が、図１５（Ｂ）に相当する。

〔基板２１と基板３１の貼り合せ〕
最後に、図１６に示すように、接着層８９を挟んで基板２１と基板３１とを貼り合せた後、接着層８９を硬化させる。

接着層８９は、基板２１と基板３１のいずれか一方、または両方に塗布することで形成すればよい。例えば、スクリーン印刷法や、ディスペンス法等により形成することができる。または、接着層８９として、例えば、シート状もしくはフィルム状の接着剤を用いてもよい。例えば、ＯＣＡ（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ）フィルムを好適に用いることができる。

以上の工程により、図６に示す表示装置を作製することができる。

以上が、作製方法例についての説明である。

［トランジスタについて］
以下では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできる、トランジスタの構成例について説明する。

以下で例示するトランジスタは、上記トランジスタ７０ａ、またはトランジスタ７０ｂ等に置き換えて用いることができる。

図１７（Ａ）に示すトランジスタ１１０は、ボトムゲート構造のトランジスタである。

トランジスタ１１０は、絶縁層１３１上に設けられている。トランジスタ１１０は、ゲート電極として機能する導電層１１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層１３２の一部と、半導体層１１２と、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層１１３ａと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層１１３ｂと、を有する。

また、図１７（Ａ）では、トランジスタ１１０を覆う絶縁層１３３と、平坦化層として機能する絶縁層１３４と、導電層１１３ｂと電気的に接続され、画素電極として機能する導電層１２１と、導電層１２１の端部を覆う絶縁層１３５を示している。

トランジスタ１１０は、ゲート電極として機能する導電層１１１が、半導体層１１２よりも被形成面側（絶縁層１３１側）に位置する。また、絶縁層１３２が導電層１１１を覆って設けられている。また半導体層１１２は、導電層１１１を覆って設けられている。半導体層１１２の導電層１１１と重なる領域が、チャネル形成領域に相当する。また、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、それぞれ半導体層１１２の上面及び側端部に接して設けられている。

なお、トランジスタ１１０は、導電層１１１よりも半導体層１１２の幅が大きい場合の例を示している。このような構成により、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂの間に半導体層１１２が配置されるため、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂとの間の寄生容量を小さくすることができる。

トランジスタ１１０は、チャネルエッチ型のトランジスタであり、トランジスタの占有面積を縮小することが比較的容易であるため、高精細な表示装置に好適に用いることができる。

図１７（Ｂ）に示したトランジスタ１１０ａは、トランジスタ１１０と比較して、導電層１１４及び絶縁層１３６を有する点で相違している。導電層１１４は、絶縁層１３３上に設けられ、半導体層１１２と重なる領域を有する。また絶縁層１３６は、導電層１１４及び絶縁層１３３を覆って設けられている。

導電層１１４は、半導体層１１２を挟んで導電層１１１とは反対側に位置している。導電層１１１を第１のゲート電極とした場合、導電層１１４は、第２のゲート電極として機能することができる。導電層１１１と導電層１１４に同じ電位を与えることで、トランジスタ１１０ａのオン電流を高めることができる。また導電層１１１及び導電層１１４の一方にしきい値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタ１１０ａのしきい値電圧を制御することができる。

ここで、導電層１１４として、酸化物を含む導電性材料を用いることが好ましい。これにより、導電層１１４を構成する導電膜の成膜時に、酸素を含む雰囲気下で成膜することで、絶縁層１３３に酸素を供給することができる。好適には、成膜ガス中の酸素ガスの割合を９０％以上１００％以下の範囲とすることが好ましい。絶縁層１３３に供給された酸素は、後の熱処理により半導体層１１２に供給され、半導体層１１２中の酸素欠損の低減を図ることができる。

特に、導電層１１４には低抵抗化された酸化物半導体を用いることが好ましい。このとき、絶縁層１３６に水素を放出する絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を用いることが好ましい。絶縁層１３６の成膜中、またはその後の熱処理によって導電層１１４中に水素が供給され、導電層１１４の電気抵抗を効果的に低減することができる。

図１７（Ｃ）に示すトランジスタ１１０ｂは、トップゲート構造のトランジスタである。

トランジスタ１１０ｂは、ゲート電極として機能する導電層１１１が、半導体層１１２よりも上側（被形成面側とは反対側）に設けられている。また、絶縁層１３１上に半導体層１１２が形成されている。また半導体層１１２上には、絶縁層１３２及び導電層１１１が積層して形成されている。また、絶縁層１３３は、半導体層１１２の上面及び側端部、絶縁層１３３の側面、及び導電層１１１を覆って設けられている。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、絶縁層１３３上に設けられている。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、絶縁層１３３に設けられた開口を介して、半導体層１１２の上面と電気的に接続されている。

なお、ここでは絶縁層１３２が、導電層１１１と重ならない部分に存在しない場合の例を示しているが、絶縁層１３２が半導体層１１２の上面及び側端部を覆って設けられていてもよい。

トランジスタ１１０ｂは、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂとの物理的な距離を離すことが容易なため、これらの間の寄生容量を低減することが可能である。

図１７（Ｄ）に示すトランジスタ１１０ｃは、トランジスタ１１０ｂと比較して、導電層１１５及び絶縁層１３７を有している点で相違している。導電層１１５は絶縁層１３１上に設けられ、半導体層１１２と重なる領域を有する。また絶縁層１３７は、導電層１１５及び絶縁層１３１を覆って設けられている。

導電層１１５は、上記導電層１１４と同様に第２のゲート電極として機能する。そのため、オン電流を高めることや、しきい値電圧を制御することなどが可能である。

図１７（Ｅ）には、トランジスタ１１０とトランジスタ１１０ｄとを積層した構成を示している。トランジスタ１１０ｄは、一対のゲート電極を有するトランジスタである。

トランジスタ１１０ｄは、第１のゲート電極として機能する導電層１１３ｂの一部と、第１のゲート絶縁層として機能する絶縁層１３３の一部と、半導体層１１２ａと、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能する導電層１１３ｃと、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能する導電層１１３ｄと、第２のゲート絶縁層として機能する絶縁層１３６の一部と、第２のゲート電極として機能する導電層１１４ａと、を有する。

このような構成は、特に発光素子を駆動する回路に好適に適用することができる。すなわち、トランジスタ１１０を、画素の選択、非選択状態を制御するトランジスタ（スイッチングトランジスタ、または選択トランジスタともいう）に用い、トランジスタ１１０ｄを発光素子１２０に流れる電流を制御するトランジスタ（駆動トランジスタともいう）に用いることが好ましい。

図１７（Ｅ）に示す構成では、導電層１１４ａと同一の導電膜を加工して形成された導電層１１４ｂが、絶縁層１３６に設けられた開口を介して導電層１１３ｃと電気的に接続されている。また、導電層１２１は、絶縁層１３４に設けられた開口を介して、導電層１１４ｂと電気的に接続されている。

［各構成要素について］
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。

表示装置が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。

厚さの薄い基板を用いることで、表示装置の軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示装置を実現できる。

また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属、もしくはアルミニウム合金またはステンレス等の合金などを好適に用いることができる。

また、金属基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰囲気で放置する又は加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよい。

可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０×１０^−６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示装置も軽量にすることができる。

上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を、可撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好ましい。

または、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属などを基板に用いることもできる。または、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。

可撓性を有する基板に、表示装置の表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂など）等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁膜が積層されていてもよい。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることができる。

基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示装置とすることができる。

〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。

なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

また、トランジスタに用いる半導体材料としては、例えば、第１４族の元素（シリコン、ゲルマニウム等）、化合物半導体又は金属酸化物を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む金属酸化物などを適用できる。

特にシリコンよりもバンドギャップの大きな金属酸化物を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し概略垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界が確認できない金属酸化物を用いることが好ましい。

このような金属酸化物は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの応力によって金属酸化物膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、可撓性を有し、湾曲させて用いる表示装置などに、このような金属酸化物を好適に用いることができる。

また半導体層としてこのような結晶性を有する金属酸化物を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。

また、シリコンよりもバンドギャップの大きな金属酸化物を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各画素の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。

半導体層は、例えば少なくともインジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジムまたはハフニウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該金属酸化物を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。

スタビライザーとしては、上記Ｍで記載の金属を含め、例えば、ガリウム、スズ、ハフニウム、アルミニウム、またはジルコニウム等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。

半導体層を構成する金属酸化物として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。

また、半導体層と導電層は、上記酸化物のうち同一の金属元素を有していてもよい。半導体層と導電層を同一の金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また半導体層と導電層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液を共通して用いることができる。ただし、半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。

半導体層を構成する金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上であることが好ましい。このように、エネルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。

半導体層を構成する金属酸化物がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、４：２：４．１等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。

半導体層としては、キャリア密度の低い金属酸化物膜を用いる。例えば、半導体層は、キャリア密度が１×１０^１７／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１５／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは１×１０^１３／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１１／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは１×１０^１０／ｃｍ^３未満であり、１×１０^−９／ｃｍ^３以上の金属酸化物を用いることができる。そのような金属酸化物を、高純度真性または実質的に高純度真性な金属酸化物と呼ぶ。これにより不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低いため、安定な特性を有する金属酸化物であるといえる。

なお、これらに限られず、必要とするトランジスタの半導体特性及び電気特性（電界効果移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とするトランジスタの半導体特性を得るために、半導体層のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。

半導体層を構成する金属酸化物において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、半導体層において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう。このため、半導体層におけるシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法により得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

また、アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、金属酸化物と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため半導体層における二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

また、半導体層を構成する金属酸化物に窒素が含まれていると、キャリアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている金属酸化物を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため半導体層における二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にすることが好ましい。

また、半導体層は、例えば非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ−Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、または、Ｃ−Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ ａｎｄ Ａ−Ｂ−ｐｌａｎｅ Ａｎｃｈｏｒｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶構造、微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ−ＯＳは最も欠陥準位密度が低い。

非晶質構造の金属酸化物膜は、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さない。または、非晶質構造の酸化物膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を有さない。

なお、半導体層が、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域のうち、二種以上を有する混合膜であってもよい。混合膜は、例えば上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単層構造、または積層構造を有する場合がある。

＜ＣＡＣ−ＯＳの構成＞
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）−ＯＳの構成について説明する。

ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。

つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１−ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ−ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。

また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。

従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

または、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、シリコンを用いることが好ましい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリコンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温で形成でき、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。このような多結晶半導体を画素に適用することで画素の開口率を向上させることができる。また極めて高精細な表示部とする場合であっても、ゲート駆動回路とソース駆動回路を画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成する部品数を低減することができる。

本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるため好ましい。またこのときアモルファスシリコンを用いることで、多結晶シリコンよりも低温で形成できるため、半導体層よりも下層の配線や電極の材料、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる。一方、トップゲート型のトランジスタは、自己整合的に不純物領域を形成しやすいため、特性のばらつきなどを低減することができるため好ましい。このとき特に、多結晶シリコンや単結晶シリコンなどを用いる場合に適している。

〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層や、表示素子が有する導電層（画素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。

また発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を抑制できる。

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

〔液晶素子〕
液晶素子としては、例えば垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。

また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばＶＡモードのほかに、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ゲストホストモード等が適用された液晶素子を用いることができる。

なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。

また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。

また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。

また、液晶素子として、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、または半透過型の液晶素子などを用いることができる。

本発明の一態様では、特に反射型の液晶素子を用いることができる。

透過型または半透過型の液晶素子を用いる場合、一対の基板を挟むように、２つの偏光板を設ける。また偏光板よりも外側に、バックライトを設ける。バックライトとしては、直下型のバックライトであってもよいし、エッジライト型のバックライトであってもよい。ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を備える直下型のバックライトを用いると、ローカルディミングが容易となり、コントラストを高めることができるため好ましい。また、エッジライト型のバックライトを用いると、バックライトを含めたモジュールの厚さを低減できるため好ましい。

反射型の液晶素子を用いる場合には、表示面側に偏光板を設ける。またこれとは別に、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。

〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型などがある。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

本発明の一態様では、特にボトムエミッション型の発光素子を用いることができる。

ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。

発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ〜７５０ｎｍ）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。

ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層または燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、且ついずれの発光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。

また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッケル、またはネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい。また銅、パラジウム、マグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜に接して金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このような金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。

なお、上述した、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、及び電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。

なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、または１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。または、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。

〔接着層〕
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

〔接続層〕
接続層としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。

〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。

以上が各構成要素についての説明である。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の例として、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、発光モード、反射モード、及びこれらを同時に行うハイブリッドモードの表示を行うことのできる、表示装置（表示パネル）の例を説明する。このような表示パネルを、ＥＲ−Ｈｙｂｒｉｄ Ｄｉｓｐｌａｙ（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ａｎｄ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｙｂｒｉｄ Ｄｉｓｐｌａｙ、または、Ｅｍｉｓｓｉｏｎ／Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｙｂｒｉｄ Ｄｉｓｐｌａｙ）とも呼ぶことができる。

本発明の一態様の表示装置は、可視光を反射する第１の表示素子と、可視光を発する第２の表示素子とが混在した表示装置である。

表示装置は、第１の表示素子が反射する第１の光と、第２の表示素子が発する第２の光のうち、いずれか一方、または両方により、画像を表示する機能を有する。または、表示装置は、第１の表示素子が反射する第１の光の光量と、第２の表示素子が発する第２の光の光量と、をそれぞれ制御することにより、階調を表現する機能を有する。

また、表示装置は、第１の表示素子の反射光の光量を制御することにより階調を表現する第１の画素と、第２の表示素子からの発光の光量を制御することにより階調を表現する第２の画素を有する構成とすることが好ましい。第１の画素及び第２の画素は、例えばそれぞれマトリクス状に複数配置され、表示部を構成する。

また、第１の画素と第２の画素は、同ピッチで、表示領域内に配置されていることが好ましい。このとき、隣接する第１の画素と第２の画素を合わせて、画素ユニットと呼ぶことができる。

さらに、第１の画素及び第２の画素は表示装置の表示領域に混在して配置されていることが好ましい。これにより、後述するように複数の第１の画素のみで表示された画像と、複数の第２の画素のみで表示された画像、及び複数の第１の画素及び複数の第２の画素の両方で表示された画像のそれぞれは、同じ表示領域に表示することができる。

第１の画素が有する第１の表示素子には、外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は、光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。

第１の表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。または、第１の表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した素子などを用いることができる。

また、第２の画素が有する第２の表示素子は光源を有し、その光源からの光を利用して表示する素子を用いることができる。特に、電界を印加することにより発光性の物質から発光を取り出すことのできる、電界発光素子を用いることが好ましい。このような画素が射出する光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く（色域が広く）、且つコントラストの高い、つまり鮮やかな表示を行うことができる。

第２の表示素子には、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、半導体レーザなどの自発光性の発光素子を用いることができる。または、第２の画素が有する表示素子として、光源であるバックライトと、バックライトからの光の透過光の光量を制御する透過型の液晶素子とを組み合わせたものを用いてもよい。

第１の画素は、例えば白色（Ｗ）を呈する副画素、または例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する副画素を有する構成とすることができる。また、第２の画素も同様に、例えば白色（Ｗ）を呈する副画素、または例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する副画素を有する構成とすることができる。なお、第１の画素及び第２の画素がそれぞれ有する副画素は、４色以上であってもよい。副画素の種類が多いほど、消費電力を低減することが可能で、また色再現性を高めることができる。

このような表示パネルの一例としては、可視光を反射する電極を備える液晶素子と、発光素子とを積層して配置した構成が挙げられる。このとき、可視光を反射する電極が開口を有し、当該開口と発光素子とが重ねて配置されていることが好ましい。これにより、発光モードでは当該開口を介して発光素子からの光が射出されるように駆動することができる。また、平面視において、液晶素子と発光素子を並べて配置した場合と比べて、これらを積層して配置することで、液晶素子と発光素子の両方を有する画素の大きさを小さくすることができるため、より高精細な表示装置を実現できる。

さらに、液晶素子を駆動するトランジスタと、発光素子を構成するトランジスタとをそれぞれ個別に有することが好ましい。これにより、液晶素子と発光素子とを、それぞれ独立して駆動することができる。

ここで、液晶素子を駆動する画素回路に、酸化物半導体が適用され、オフ電流が極めて低いトランジスタを適用することが好ましい。または、当該画素回路に記憶素子を適用してもよい。これにより、液晶素子を用いて静止画を表示する際に画素への書き込み動作を停止しても、階調を維持させることが可能となる。すなわち、フレームレートを極めて小さくしても表示を保つことができる。これにより、極めて低消費電力な表示を行うことができる。

本発明の一態様は、反射型の素子で画像を表示する第１のモード、発光素子で画像を表示する第２のモード、及び反射型の素子及び発光素子で画像を表示する第３のモードを切り替えることができる。特に第３のモードは、ハイブリッドモードとも呼ぶことができる。

第１のモードは、反射型の素子による反射光を用いて画像を表示するモードである。第１のモードは光源が不要であるため、極めて低消費電力な駆動モードである。例えば、外光の照度が十分高く、且つ外光が白色光またはその近傍の光である場合に有効である。第１のモードは、例えば本や書類などの文字情報を表示することに適した表示モードである。また、反射光を用いるため、目に優しい表示を行うことができ、目が疲れにくいという効果を奏する。

第２のモードでは、発光素子による発光を利用して画像を表示するモードである。そのため、外光の照度や色度によらず、極めて鮮やかな（コントラストが高く、且つ色再現性の高い）表示を行うことができる。例えば、夜間や暗い室内など、外光の照度が極めて小さい場合などに有効である。また外光が暗い場合、明るい表示を行うと使用者が眩しく感じてしまう場合がある。これを防ぐために、第２のモードでは輝度を抑えた表示を行うことが好ましい。またこれにより、眩しさを抑えることに加え、消費電力も低減することができる。第２のモードは、鮮やかな画像や滑らかな動画などを表示することに適したモードである。

第３のモードでは、反射型の素子による反射光と、発光素子による発光の両方を利用して表示を行うモードである。具体的には、反射型の素子が呈する光と、発光素子が呈する光を混色させることにより、１つの色を表現するように駆動する。第１のモードよりも鮮やかな表示をしつつ、第２のモードよりも消費電力を抑えることができる。例えば、室内照明下や、朝方や夕方の時間帯など、外光の照度が比較的低い場合や、外光の色度が白色ではない場合などに有効である。また、反射光と発光とを混色させた光を用いることで、まるで絵画を見ているかのように感じさせる画像を表示することが可能となる。

＜第１乃至第３のモードの具体例＞
ここで、上述した第１乃至第３のモードを用いる場合の具体例について、図１８及び図１９を用いて説明する。

なお、以下では、第１乃至第３のモードが照度に応じて自動に切り替わる場合について説明する。なお、照度に応じて自動で切り替わる場合、例えば、表示装置に照度センサ等を設け、当該照度センサからの情報をもとに表示モードを切り替えることができる。

図１８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、本実施の形態の表示装置が取り得る表示モードを説明するための画素の模式図である。

図１８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）では、第１の表示素子５０１、第２の表示素子５０２、開口部５０３、第１の表示素子５０１から反射される反射光５０４、及び第２の表示素子５０２から開口部５０３を通って射出される透過光５０５が明示されている。なお、図１８（Ａ）が第１のモードを説明する図であり、図１８（Ｂ）が第２のモードを説明する図であり、図１８（Ｃ）が第３のモードを説明する図である。

なお、図１８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）では、第１の表示素子５０１として、反射型の液晶素子を用い、第２の表示素子５０２として、透過型の液晶素子を用いる場合とする。

図１８（Ａ）に示す第１のモードでは、第１の表示素子５０１である、反射型の液晶素子を駆動して反射光の強度を調節して階調表示を行うことができる。例えば、図１９（Ａ）に示すように、第１の表示素子５０１である、反射型の液晶素子が有する反射電極で、反射光５０４の強度を液晶層で調節することで階調表示を行うことができる。

図１８（Ｂ）に示す第２のモードでは、第２の表示素子５０２である、透過型の液晶素子を駆動して透過光の強度を調節して階調表示を行うことができる。なお、第２の表示素子５０２から射出される光は、開口部５０３を通過し、透過光５０５として外部に取り出される。

図１８（Ｃ）に示す第３のモードは、上述した第１のモードと、第２のモードとを組み合わせた表示モードである。例えば、第１の表示素子５０１である、反射型の液晶素子が有する反射電極で、反射光５０４の強度を液晶層で調節し階調表示を行う。また、第１の表示素子５０１の駆動する期間と、同じ期間内に、第２の表示素子５０２である、透過型の液晶素子の透過光の強度、ここでは透過光５０５の強度を調整し階調表示を行う。

＜第１乃至第３のモードの状態遷移＞
次に、第１乃至第３のモードの状態遷移について、図１８（Ｄ）を用いて説明を行う。図（Ｄ）は、第１のモード、第２のモード、及び第３のモードの状態遷移図である。図１８（Ｄ）に示す、状態Ｃ１は第１のモードに相当し、状態Ｃ２は第２のモードに相当し、状態Ｃ３は第３のモードに相当する。

図１８（Ｄ）に図示するように、状態Ｃ１から状態Ｃ３までは照度に応じていずれかの状態の表示モードを取り得る。例えば、屋外のように照度が大きい場合には、状態Ｃ１を取り得る。また、屋外から屋内に移動するような照度が小さくなる場合には、状態Ｃ１から状態Ｃ２に遷移する。また、屋外であっても照度が低く、反射光による階調表示が十分でない場合には、状態Ｃ２から状態Ｃ３に遷移する。もちろん、状態Ｃ３から状態Ｃ１への遷移、状態Ｃ１から状態Ｃ３への遷移、状態Ｃ３から状態Ｃ２への遷移、または状態Ｃ２から状態Ｃ１への遷移も生じる。

なお、図１８（Ｄ）では、第１のモードのイメージとして太陽のシンボルを、第２のモードのイメージとして、月のシンボルを、第３のモードのイメージとして、雲のシンボルを、それぞれ図示してある。

なお、図１８（Ｄ）に図示するように、状態Ｃ１乃至状態Ｃ３において、照度の変化がない、または照度の変化が少ない場合には、他の状態に遷移せずに、続けて元の状態を維持すればよい。

以上のように照度に応じて表示モードを切り替える構成とすることで、消費電力が比較的大きいバックライト等の光源を必要とする透過型の液晶素子の階調表示の頻度を減らすことができる。そのため、表示装置の消費電力を低減することができる。また、表示装置は、バッテリの残容量、表示するコンテンツ、または周辺環境の照度に応じて、さらに動作モードを切り替えることができる。なお、上記の説明においては、照度に応じて表示モードが自動で切り替わる場合について例示したがこれに限定されず、使用者が手動で表示モードを切り替えてもよい。

＜動作モード＞
次に、第１の表示素子で行うことができる動作モードについて、図１９用いて説明を行う。

なお、以下では、通常のフレーム周波数（代表的には６０ＭＨｚ以上２４０ＭＨｚ以下）で動作する通常動作モード（Ｎｏｒｍａｌ ｍｏｄｅ）と、低速のフレーム周波数で動作するアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードと、を例示して説明する。

なお、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードとは、画像データの書き込み処理を実行した後、画像データの書き換えを停止する駆動方法のことをいう。一旦画像データの書き込みをして、その後、次の画像データの書き込みまでの間隔を延ばすことで、その間の画像データの書き込みに要する分の消費電力を削減することができる。アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードは、例えば、通常動作モードの１／１００乃至１／１０程度のフレーム周波数とすることができる。

図１９（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、通常駆動モードとアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードを説明する回路図及びタイミングチャートである。なお、図１９（Ａ）では、第１の表示素子５０１（ここでは反射型の液晶素子）と、第１の表示素子５０１に電気的に接続される画素回路５０６と、を明示している。また、図１９（Ａ）に示す画素回路５０６では、信号線ＳＬと、ゲート線ＧＬと、信号線ＳＬ及びゲート線ＧＬに接続されたトランジスタＭ１と、トランジスタＭ１に接続される容量素子Ｃｓ_ＬＣとを図示している。

トランジスタＭ１としては、半導体層に金属酸化物を有するトランジスタを用いることが好ましい。金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）または酸化物半導体（ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。以下、トランジスタの代表例として、酸化物半導体を有するトランジスタ（ＯＳトランジスタ）を用いて説明する。ＯＳトランジスタは、非導通状態時のリーク電流（オフ電流）が極めて低いため、ＯＳトランジスタを非導通状態とすることで液晶素子の画素電極に電荷の保持をすることができる。

なお、図１９（Ａ）に示す回路図において、液晶素子ＬＣはデータＤ_１のリークパスとなる。したがって、適切にアイドリング・ストップ駆動を行うには、液晶素子ＬＣの抵抗率を１．０×１０^１４Ω・ｃｍ以上とすることが好ましい。

なお、上記ＯＳトランジスタのチャネル領域には、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物などを好適に用いることができる。また、上記Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物としては、代表的には、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］近傍の組成を用いることができる。

また、図１９（Ｂ）は、通常駆動モードでの信号線ＳＬおよびゲート線ＧＬにそれぞれ与える信号の波形を示すタイミングチャートである。通常駆動モードでは通常のフレーム周波数（例えば６０Ｈｚ）で動作する。１フレーム期間を期間Ｔ_１からＴ_３までで表すと、各フレーム期間でゲート線ＧＬに走査信号を与え、信号線ＳＬからデータＤ_１を書き込む動作を行う。この動作は、期間Ｔ_１からＴ_３までで同じデータＤ_１を書き込む場合、または異なるデータを書き込む場合でも同じである。

一方、図１９（Ｃ）は、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードでの信号線ＳＬおよびゲート線ＧＬに、それぞれ与える信号の波形を示すタイミングチャートである。アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動では低速のフレーム周波数（例えば１Ｈｚ）で動作する。１フレーム期間を期間Ｔ_１で表し、その中でデータの書き込み期間を期間Ｔ_Ｗ、データの保持期間を期間Ｔ_ＲＥＴで表す。アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードは、期間Ｔ_Ｗでゲート線ＧＬに走査信号を与え、信号線ＳＬのデータＤ_１を書き込み、期間Ｔ_ＲＥＴでゲート線ＧＬをローレベルの電圧に固定し、トランジスタＭ１を非導通状態として一旦書き込んだデータＤ_１を保持させる動作を行う。なお、低速のフレーム周波数としては、例えば、０．１Ｈｚ以上６０Ｈｚ未満とすればよい。

アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードは、上述した第１のモード、または第３のモードと組み合わせることで、さらなる低消費電力化を図ることができるため有効である。

以上のように、本実施の形態の表示装置は、第１のモード乃至第３のモードを切り替えて表示を行うことができる。したがって、周囲の明るさによらず、視認性が高く利便性の高い表示装置または全天候型の表示装置を実現できる。

また、本実施の形態の表示装置は、第１の表示素子を有する第１の画素と、第２の表示素子を有する第２の画素とをそれぞれ複数有すると好ましい。また、第１の画素と第２の画素とは、それぞれ、マトリクス状に配置されることが好ましい。

第１の画素及び第２の画素は、それぞれ、１つ以上の副画素を有する構成とすることができる。例えば、画素には、副画素を１つ有する構成（白色（Ｗ）など）、副画素を３つ有する構成（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３色など）、あるいは、副画素を４つ有する構成（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（Ｗ）の４色、または、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、黄色（Ｙ）の４色など）を適用できる。なお、第１の画素及び第２の画素が有する色要素は、上記に限定されず、必要に応じて、シアン（Ｃ）及びマゼンタ（Ｍ）などを組み合わせてもよい。

本実施の形態の表示装置は、第１の画素及び第２の画素は、双方とも、フルカラー表示を行う構成とすることができる。または、本実施の形態の表示装置は、第１の画素では白黒表示またはグレースケールでの表示を行い、第２の画素ではフルカラー表示を行う構成とすることができる。第１の画素を用いた白黒表示またはグレースケールでの表示は、文書情報など、カラー表示を必要としない情報を表示することに適している。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用可能な電子機器について説明する。

本発明の一態様の表示装置は、外光の強さによらず、高い視認性を実現することができる。そのため、携帯型の電子機器、装着型の電子機器（ウェアラブル機器）、及び電子書籍端末、テレビジョン装置、デジタルサイネージ、などに好適に用いることができる。

図２０（Ａ）、（Ｂ）に、携帯情報端末８００の一例を示す。携帯情報端末８００は、筐体８０１、筐体８０２、表示部８０３、表示部８０４、及びヒンジ部８０５等を有する。

筐体８０１と筐体８０２は、ヒンジ部８０５で連結されている。携帯情報端末８００は、図２０（Ａ）に示すように折り畳んだ状態から、図２０（Ｂ）に示すように筐体８０１と筐体８０２を開くことができる。

例えば表示部８０３及び表示部８０４に、文書情報を表示することが可能であり、電子書籍端末としても用いることができる。また、表示部８０３及び表示部８０４に静止画像や動画像を表示することもできる。

このように、携帯情報端末８００は、持ち運ぶ際には折り畳んだ状態にできるため、汎用性に優れる。

なお、筐体８０１及び筐体８０２には、電源ボタン、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク等を有していてもよい。

図２０（Ｃ）に携帯情報端末の一例を示す。図２０（Ｃ）に示す携帯情報端末８１０は、筐体８１１、表示部８１２、操作ボタン８１３、外部接続ポート８１４、スピーカ８１５、マイク８１６、カメラ８１７等を有する。

表示部８１２に、本発明の一態様の表示装置を備える。

携帯情報端末８１０は、表示部８１２にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部８１２に触れることで行うことができる。

また、操作ボタン８１３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部８１２に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。

また、携帯情報端末８１０の内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯情報端末８１０の向き（縦か横か）を判断して、表示部８１２の画面表示の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部８１２を触れること、操作ボタン８１３の操作、またはマイク８１６を用いた音声入力等により行うこともできる。

携帯情報端末８１０は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。携帯情報端末８１０は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、動画再生、インターネット通信、ゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。

図２０（Ｄ）に、カメラの一例を示す。カメラ８２０は、筐体８２１、表示部８２２、操作ボタン８２３、シャッターボタン８２４等を有する。またカメラ８２０には、着脱可能なレンズ８２６が取り付けられている。

表示部８２２に、本発明の一態様の表示装置を備える。

ここではカメラ８２０として、レンズ８２６を筐体８２１から取り外して交換することが可能な構成としたが、レンズ８２６と筐体が一体となっていてもよい。

カメラ８２０は、シャッターボタン８２４を押すことにより、静止画、または動画を撮像することができる。また、表示部８２２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部８２２をタッチすることにより撮像することも可能である。

なお、カメラ８２０は、ストロボ装置や、ビューファインダーなどを別途装着することができる。または、これらが筐体８２１に組み込まれていてもよい。

図２１（Ａ）に、テレビジョン装置８３０を示す。テレビジョン装置８３０は、表示部８３１、筐体８３２、スピーカ８３３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

またテレビジョン装置８３０は、リモコン操作機８３４により、操作することができる。

テレビジョン装置８３０が受信できる放送電波としては、地上波、または衛星から送信される電波などが挙げられる。また放送電波として、アナログ放送、デジタル放送などがあり、また映像及び音声、または音声のみの放送などがある。例えばＵＨＦ帯（約３００ＭＨｚ〜３ＧＨｚ）またはＶＨＦ帯（３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ）のうちの特定の周波数帯域で送信される放送電波を受信することができる。また例えば、複数の周波数帯域で受信した複数のデータを用いることで、転送レートを高くすることができ、より多くの情報を得ることができる。これによりフルハイビジョンを超える解像度を有する映像を、表示部８３１に表示させることができる。例えば、４Ｋ−２Ｋ、８Ｋ−４Ｋ、１６Ｋ−８Ｋ、またはそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。

また、インターネットやＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、Ｗｉ−Ｆｉ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｆｉｄｅｌｉｔｙ：登録商標）などのコンピュータネットワークを介したデータ伝送技術により送信された放送のデータを用いて、表示部８３１に表示する画像を生成する構成としてもよい。このとき、テレビジョン装置８３０にチューナを有さなくてもよい。

図２１（Ｂ）は円柱状の柱８４２に取り付けられたデジタルサイネージ８４０を示している。デジタルサイネージ８４０は、表示部８４１を有する。

表示部８４１が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部８４１が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

表示部８４１にタッチパネルを適用することで、表示部８４１に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

図２１（Ｃ）はノート型のパーソナルコンピュータ８５０を示している。パーソナルコンピュータ８５０は、表示部８５１、筐体８５２、タッチパッド８５３、接続ポート８５４等を有する。

タッチパッド８５３は、ポインティングデバイスや、ペンタブレット等の入力手段として機能し、指やスタイラス等で操作することができる。

また、タッチパッド８５３には表示素子が組み込まれている。図２１（Ｃ）に示すように、タッチパッド８５３の表面に入力キー８５５を表示することで、タッチパッド８５３をキーボードとして使用することができる。このとき、入力キー８５５に触れた際に、振動により触感を実現するため、振動モジュールがタッチパッド８５３に組み込まれていてもよい。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

１０ 表示装置
１０ａ タッチパネル
１０ＥＬ 副画素
１０ＬＣ 副画素
１０ｐ 画素
１１ａ 部
１１ｂ 部
１２Ｂ 導電層
１２Ｇ 導電層
１２Ｒ 導電層
１３ 導電層
１４ 導電層
１５ｂ 光反射層
１５Ｂ 導電層
１５Ｇ 導電層
１５Ｒ 導電層
１６ 導電層
２０ｅＢ 光
２０ｅＧ 光
２０ｅＲ 光
２０ｒＢ 光
２０ｒＧ 光
２０ｒＲ 光
２１ 基板
２１ａ 基板
２３ 導電層
２３ａ 導電層
２３ｂ 導電層
２４ 液晶
２５ 導電層
２５ｂ 導電層
２６ａ 配向膜
２６ｂ 配向膜
３１ 基板
３１ａ 基板
３２ 表示部
３４ 回路部
３５ 配線
３６ ＦＰＣ
３７ ＩＣ
３８ 拡散板
３９ 偏光板
４０ 液晶素子
４０Ｂ 液晶素子
４０Ｇ 液晶素子
４０Ｒ 液晶素子
４３ａ 剥離層
４４ａ 支持基板
４４ｂ 支持基板
４６ａ 接着層
５０ タッチセンサパネル
５０ａ ＦＰＣ
５２Ｂ 着色層
５２Ｇ 着色層
５２Ｒ 着色層
５４ 着色層
５４ａ 着色層
５４ｂ 着色層
６０ 発光素子
６０Ｂ 発光素子
６０Ｇ 発光素子
６０Ｒ 発光素子
６０Ｗ 発光素子
６１ 導電層
６２ ＥＬ層
６２ａ ＥＬ層
６３ 導電層
６４ 絶縁層
７０ａ トランジスタ
７０ｂ トランジスタ
７０ｅ１ トランジスタ
７０ｅ２ トランジスタ
７０ｒ トランジスタ
７１ 導電層
７２ 半導体層
７３ａ 導電層
７３ｂ 導電層
７４ 導電層
８０ 接続部
８１ 絶縁層
８２ 絶縁層
８３ 絶縁層
８４ 絶縁層
８５ 絶縁層
８６ 絶縁層
８８ 接着層
８９ 接着層
９０ｅ 容量素子
９０ｒ 容量素子
９１ 絶縁層
９２ 絶縁層
９３ 絶縁層
９４ 絶縁層
９５ 絶縁層
９６ 絶縁層
９７ａ 絶縁層
９７ｂ 絶縁層
９８ 絶縁層
１１０ トランジスタ
１１０ａ トランジスタ
１１０ｂ トランジスタ
１１０ｃ トランジスタ
１１０ｄ トランジスタ
１１１ 導電層
１１２ 半導体層
１１２ａ 半導体層
１１３ａ 導電層
１１３ｂ 導電層
１１３ｃ 導電層
１１３ｄ 導電層
１１４ 導電層
１１４ａ 導電層
１１４ｂ 導電層
１１５ 導電層
１２０ 発光素子
１２１ 導電層
１３１ 絶縁層
１３２ 絶縁層
１３３ 絶縁層
１３４ 絶縁層
１３５ 絶縁層
１３６ 絶縁層
１３７ 絶縁層
５０１ 表示素子
５０２ 表示素子
５０３ 開口部
５０４ 反射光
５０５ 透過光
５０６ 画素回路
８００ 携帯情報端末
８０１ 筐体
８０２ 筐体
８０３ 表示部
８０４ 表示部
８０５ ヒンジ部
８１０ 携帯情報端末
８１１ 筐体
８１２ 表示部
８１３ 操作ボタン
８１４ 外部接続ポート
８１５ スピーカ
８１６ マイク
８１７ カメラ
８２０ カメラ
８２１ 筐体
８２２ 表示部
８２３ 操作ボタン
８２４ シャッターボタン
８２６ レンズ
８３０ テレビジョン装置
８３１ 表示部
８３２ 筐体
８３３ スピーカ
８３４ リモコン操作機
８４０ デジタルサイネージ
８４１ 表示部
８４２ 柱
８５０ パーソナルコンピュータ
８５１ 表示部
８５２ 筐体
８５３ タッチパッド
８５４ 接続ポート
８５５ 入力キー

Claims (7)

1. 第１の方向に並べて設けられた第１の電極及び第２の電極と、
   前記第１の電極とは異なる面上に、前記第１の方向と交差する第２の方向に並べて設けられた第３の電極及び第４の電極を有し、
   前記第１の電極と前記第２の電極とは、それぞれ液晶素子の一方の電極として機能し、
   前記第３の電極と前記第４の電極とは、それぞれ発光素子の一方の電極として機能し、
   前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記第３の電極及び前記第４の電極のいずれか一方と重なる部分に、切欠き部を有する、
   表示装置。
2. 第１乃至第４の電極を有し、
   前記第１の電極と前記第２の電極とは、それぞれ可視光を反射する機能を有し、且つそれぞれ液晶素子の一方の電極として機能し、
   前記第３の電極と前記第４の電極とは、それぞれ発光素子の一方の電極として機能し、
   前記第１の電極と前記第２の電極とは、それぞれ第１の方向に延びる短冊状の形状を有し、且つ、前記第１の方向と交差する第２の方向に並べて配置され、
   前記第３の電極と前記第４の電極とは、前記第１の方向に並べて配置され、
   前記第１の電極は、前記第３の電極と重なる位置に、第１の切欠き部を有し、
   前記第２の電極は、前記第４の電極と重なる位置に、第２の切欠き部を有する、
   表示装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   第１の着色層と、第２の着色層を有し、
   前記第１の着色層及び前記第２の着色層は、それぞれ前記第１の方向に延びる短冊状の形状を有し、且つ前記第２の方向に並べて配置され、
   前記第１の着色層は、前記第１の電極と重なる部分を有し、
   前記第２の着色層は、前記第２の電極と重なる部分を有する、
   表示装置。
4. 請求項３において、
   前記第１の着色層は、前記第３の電極と重なる位置に、第３の切欠き部を有し、
   前記第２の着色層は、前記第４の電極と重なる位置に、第４の切欠き部を有し、
   前記第３の電極を有する前記発光素子と、前記第４の電極を有する前記発光素子とは、互いに異なる色を呈する光を射出する、
   表示装置。
5. 請求項３において、
   前記第１の着色層は、前記第１の切欠き部及び前記第３の電極と重なる部分を有し、
   前記第２の着色層は、前記第２の切欠き部及び前記第４の電極と重なる部分を有し、
   前記第３の電極を有する前記発光素子と、前記第４の電極を有する前記発光素子とは、互いに同じ色を呈する光を射出する、
   表示装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   第１乃至第６の配線を有し、
   前記第１の配線及び前記第２の配線は、それぞれ前記液晶素子を駆動する第１の走査線として機能し、
   前記第３の配線は、前記液晶素子を駆動する第１の信号線として機能し、
   前記第４の配線は、前記発光素子を駆動する第２の走査線として機能し、
   前記第５の配線及び前記第６の配線は、それぞれ前記発光素子を駆動する第２の信号線として機能し、
   前記第１の配線、前記第２の配線、及び前記第４の配線は、それぞれ前記第１の方向に延在し、
   前記第３の配線、前記第５の配線、及び前記第６の配線は、それぞれ前記第２の方向に延在する、
   表示装置。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   第１乃至第６の配線と、第１乃至第６のトランジスタと、を有し、
   前記第１の配線、前記第２の配線、及び前記第４の配線は、それぞれ前記第１の方向に延在し、
   前記第３の配線、前記第５の配線、及び前記第６の配線は、それぞれ前記第２の方向に延在し、
   前記第１のトランジスタは、前記第１の電極と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタは、前記第２の電極と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタは、前記第４のトランジスタを介して前記第３の電極と電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタは、前記第６のトランジスタを介して前記第４の電極と電気的に接続され、
   前記第１の配線は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第２の配線は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方、及び前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第４の配線は、前記第３のトランジスタのゲート、及び前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第５の配線は、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第６の配線は、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続された、
   表示装置。

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