JP2017123377A

JP2017123377A - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JP2017123377A
Application number: JP2016000565A
Authority: JP
Inventors: 輝幸石原; Teruyuki Ishihara; 亜由美柴田; Ayumi Shibata; 公輔池田; Kosuke Ikeda
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2016-01-05
Filing date: 2016-01-05
Publication date: 2017-07-13
Also published as: US20170196096A1

Abstract

【課題】薄いプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、第３面Ｆ３と該第３面Ｆ３と反対側の第４面Ｆ４とを有する第２樹脂絶縁層５０Ｂと、上面５８ＡＵと該上面５８ＡＵと反対側の下面５８ＡＬを有し、下面５８ＡＬが第３面Ｆ３から露出するように第２樹脂絶縁層５０Ｂ内に埋まっている第２導体層５８Ａと、第２樹脂絶縁層５０Ｂの第４面Ｆ４上に形成されていて、第２樹脂絶縁層５０Ｂの第４面Ｆ４から突出している第３導体層５８Ｂと、第２樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し、第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｂとを接続している第２ビア導体３６Ｂとを有する。そして、第２導体層５８Ａと第２ビア導体３６Ｂは一体的に形成されていて、第３導体層５８Ｂと第２ビア導体３６Ｂは個々に形成されている。
【選択図】図６

Description

本発明は、プリント配線板とそのプリント配線板の製造方法に関する。

特許文献１は、コアレス基板とその製造方法を開示している。

特開２０１４−２７２５０号公報

[特許文献１の課題]
特許文献１の図２によれば、特許文献１の製造方法は、キャリア基板上にピラーを形成することと、ピラーが埋まるようにキャリア基板上に絶縁層を形成することと、絶縁層を研磨することでピラーを露出することと、絶縁層上にピラーと接続する回路を形成することと、を含んでいる。そのため、特許文献１の技術で多層のコアレス基板が製造されると、ピラーの形成と絶縁層の形成と研磨と回路の形成が繰り返されると考えられる。例えば、研磨によりコアレス基板にストレスが蓄積されると考えられる。コアレス基板の反りが大きくなると予想される。ピラーと回路との間の接続信頼性が低下しやすいと考えられる。

本発明のプリント配線板は、第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２樹脂絶縁層と、上面と前記上面と反対側の下面を有し、前記下面が前記第３面から露出するように前記第２樹脂絶縁層内に埋まっている第２導体層と、前記第２樹脂絶縁層の前記第４面上に形成されていて、前記第２樹脂絶縁層の前記第４面から突出している第３導体層と、前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第２導体層と前記第３導体層とを接続している第２ビア導体とを有する。そして、前記第２導体層と前記第２ビア導体は一体的に形成されていて、前記第３導体層と前記第２ビア導体は個々に形成されている。
本発明のプリント配線板の製造方法は、面上に第２ビア導体用の第２開口と第２導体層用の第３開口を有するめっきレジストを形成することと、前記第２開口と前記第３開口内にめっき膜を形成することと、前記第２開口内の前記めっき膜上にエッチングレジストを形成することと、前記エッチングレジストから露出する前記めっき膜を薄くすることで、前記第２ビア導体と前記第２導体層を形成することと、前記エッチングレジストを除去することと、前記めっきレジストを除去することと、前記第２ビア導体の上面が露出するように、前記第２導体層と前記面上に第２樹脂絶縁層を形成することと、前記第２樹脂絶縁層上に前記第２ビア導体に接続する第３導体層を形成することと、を有する。

本発明の実施形態によれば、第２ビア導体と第２導体層が一体的に形成される。第１ビア導体と第２ビア導体と第１ビア導体と第２ビア導体で挟まれる第２導体層が一体的に形成されている。そのため、第２ビア導体と第２導体層との間の接続信頼性を高くすることができる。第１ビア導体と第２ビア導体との間の接続信頼性を高くすることができる。研磨の回数を少なくすることができるので、プリント配線板内のストレスを小さくすることができる。プリント配線板の反りを小さくすることができる。プリント配線板の歩留りを高くすることができる。

本発明の第２と第３実施形態に係るプリント配線板の断面図。第３実施形態のプリント配線板の製造工程図。第３実施形態のプリント配線板の製造工程図。第３実施形態のプリント配線板の製造工程図。第３実施形態のプリント配線板の製造工程図。図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図６（Ｄ）はランドの平面図であり、図６（Ｅ）は第１実施形態の製造工程図である。

[第１実施形態]
第１実施形態のプリント配線板１０の断面が図６（Ａ）に示される。第１実施形態のプリント配線板１０は、第３面Ｆ３と第３面Ｆ３と反対側の第４面とを有する第２樹脂絶縁層５０Ｂと、第２樹脂絶縁層５０Ｂの第３面Ｆ３上に形成されている第２導体層５８Ａと、第２樹脂絶縁層５０Ｂの第４面Ｆ４上に形成されている第３導体層５８Ｂと、第２樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｂとを接続している第２ビア導体３６Ｂとを有している。

第２樹脂絶縁層５０Ｂは厚みｄ２を有する。厚みｄ２は第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｂとの間の距離である。厚みｄ２は１．５μｍ以上、３．５μｍ以下である。例えば、厚みｄ２は２．５μｍである。

第２導体層５８Ａは複数の導体回路５８ＡＷを有する。第２導体層５８Ａは上面５８ＡＵと上面５８ＡＵと反対側の下面５８ＡＬを有する。第２導体層５８Ａは、下面５８ＡＬが第３面Ｆ３から露出されるように第２樹脂絶縁層内に埋まっている。第２導体層５８Ａは厚みｔ２を有する。厚みｔ２は１．５μｍ以上、３．５μｍ以下である。例えば、厚みｔ２は２．５μｍである。

第２ビア導体３６Ｂと第２導体層５８Ａは一体的に形成されている。第２ビア導体３６Ｂは第２導体層５８Ａ内の導体回路５８ＡＷ上に形成されている。第２ビア導体３６Ｂと第２導体層５８Ａ内の導体回路５８ＡＷは一体的に形成されている。第２ビア導体３６Ｂと導体回路５８ＡＷは一つのめっき膜から形成されている。そのため、導体回路５８ＡＷと第２ビア導体３６Ｂとの間の接続信頼性は高い。例えば、めっき膜の外周をエッチングで薄くすることで、１つのめっき膜から第２ビア導体３６Ｂと導体回路５８ＡＷは形成される。

図６（Ａ）では、第２ビア導体３６Ｂの形状は略円柱である。第２ビア導体３６Ｂの形状の例が図６（Ｂ）と図６（Ｃ）に示されている。図６（Ｂ）と図６（Ｃ）では、第２ビア導体３６Ｂの側面は湾曲している。図６（Ｂ）では、第３導体層５８Ｂから第２導体層５８Ａに向かって第２ビア導体３６Ｂは太くなっている。第２ビア導体３６Ｂは第４面Ｆ４から第３面Ｆ３に向かって太くなっている。図６（Ｃ）では、第２ビア導体３６Ｂの側面は変曲点３６ＢＰを有し、第２ビア導体３６Ｂは第３導体層５８Ｂから変曲点３６ＢＰに向かって細くなり、変曲点３６ＢＰから第２導体層５８Ａに向かって太くなっている。第２樹脂絶縁層５０Ｂが第２ビア導体３６Ｂから剥がれがたい。マイグレーションが発生しがたい。プリント配線板１０の絶縁信頼性が高くなる。プリント配線板１０が反っても、第２ビア導体３６Ｂが反りに追従しやすい。第２ビア導体３６Ｂを介する接続信頼性を高くすることが出来る。第２樹脂絶縁層５０Ｂが樹脂のみで形成されている。あるいは、第２樹脂絶縁層５０Ｂが樹脂と無機粒子のみで形成されている。その場合、第２樹脂絶縁層５０Ｂの強度が低い。そのため、導体回路５８ＡＷと第２ビア導体３６Ｂが１つの樹脂絶縁層に埋まっていると、導体回路５８ＡＷと第２ビア導体３６Ｂとの間の界面にストレスが集中しやすい。しかしながら、実施形態では、第２ビア導体３６Ｂと導体回路５８ＡＷは一体的に形成されている。そのため、第２ビア導体３６Ｂが導体回路５８ＡＷから剥がれがたい。
第２ビア導体３６Ｂは長さｔ５を有する。長さｔ５は厚みｄ２と略等しい。

第２樹脂絶縁層５０Ｂの第４面Ｆ４上に第３導体層５８Ｂが形成されている。第３導体層５８Ｂは第２樹脂絶縁層５０Ｂの第４面Ｆ４から突出している。第３導体層５８Ｂと第２ビア導体３６Ｂは個々に形成されている。第３導体層５８Ｂと第２ビア導体３６Ｂとの間に界面が存在する。第３導体層５８Ｂは複数の第３導体層５８Ｂ内の導体回路５８ＢＷを有する。導体回路５８ＢＷと第２ビア導体３６Ｂは個々に形成されている。第３導体層５８Ｂは厚みｔ３を有する。厚みｔ３は１．５μｍ以上、３．５μｍ以下である。例えば、厚みｔ３は２．５μｍである。

[第２実施形態]
図１（Ａ）は、第２実施形態のプリント配線板１０の断面図を示す。第２実施形態のプリント配線板は、第１実施形態のプリント配線板に第１導体層３４と、第１導体層３４上の第１樹脂絶縁層５０Ａと、第１樹脂絶縁層５０Ａを貫通し第１導体層３４と第２導体層５８Ａを接続する第１ビア導体３６Ａを加えることで形成されている。

第１樹脂絶縁層５０Ａは第１面Ｆ１と第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｆ２を有する。第２面Ｆ２上に第２導体層５８Ａと第２樹脂絶縁層５０Ｂが形成されている。第２面Ｆ２は第３面Ｆ３と対向している。第２面Ｆ２と第２導体層５８Ａの下面５８ＡＬが対向している。第１樹脂絶縁層５０Ａは、第２導体層５８Ａの下面５８ＡＬと第２樹脂絶縁層５０Ｂの第３面Ｆ３下に形成されている。第１樹脂絶縁層５０Ａは樹脂のみで形成されている。あるいは、第１樹脂絶縁層５０Ａは樹脂と無機粒子のみで形成されている。第１樹脂絶縁層５０Ａは厚みｄ１を有する。厚みｄ１は第１導体層３４と第２導体層５８Ａとの間の距離である。厚みｄ１は１．５μｍ以上、３．５μｍ以下である。例えば、厚みｄ１は２．５μｍである。

第１導体層３４は上面３４Ｔと上面３４Ｔと反対側の下面３４Ｂと側面３４Ｗを有する。第１導体層３４は第１樹脂絶縁層５０Ａに埋まっていて、下面３４Ｂのみが第１面Ｆ１から露出している。第１導体層３４の厚みｔ１は１．５μｍ以上、３．５μｍ以下である。例えば、厚みｔ１は２．５μｍである。

第１ビア導体３６Ａは図１（Ａ）に示されるように、第２導体層５８Ａから第１導体層３４に向かって細くなっている。第１ビア導体３６Ａが第２導体層５８Ａから第１導体層３４に向かって細くなり、第２ビア導体が第２導体層５８Ａから第３導体層５８Ｂに向かって細くなると、第２導体層５８Ａを挟んでいるビア導体３６Ａ、３６Ｂの対称性が高くなる。プリント配線板の反りを小さくすることができる。第１ビア導体３６Ａが図１（Ａ）に示されている形状を有し、第２ビア導体３６Ｂが図６（Ｃ）に示されている形状を有すると、第１ビア導体３６Ａと第２導体層５８Ａを介し第２ビア導体３６Ｂに伝わるストレスが変曲点３６ＢＰで緩和される。ビア導体３６Ａ、３６Ｂを介する接続信頼性が高くなる。

第１ビア導体３６Ａと第２ビア導体３６Ｂと第１ビア導体３６Ａと第２ビア導体３６Ｂに挟まれている第２導体層５８Ａ内の導体回路５８ＡＷが一体的に形成されている。第１ビア導体３６Ａと第２ビア導体３６Ｂと導体回路５８ＡＷは同時に形成されている。第１ビア導体３６Ａと第２ビア導体３６Ｂと導体回路５８ＡＷは同じめっき膜で形成されている。プリント配線板が反りを有しても、第１ビア導体３６Ａと導体回路５８ＡＷとの間で剥がれが発生しがたい。第２ビア導体３６Ｂと導体回路５８ＡＷとの間で剥がれが発生しがたい。

図１（Ｃ）に示されるように、第１実施形態や第２実施形態のプリント配線板１０の第１導体層３４内の導体回路（パッド）３４Ｐの下面３４Ｂに半田バンプ７６Ｓを形成することができる。図１（Ｃ）では、第１導体層３４はパッド３４Ｐ以外に配線３４Ｓを有する。パッド３４Ｐにより、第２実施形態のプリント配線板１０は他の回路基板や電子部品と繋がる。配線３４Ｓにより、第１導体層３４内で信号等が伝送される。図１（Ｃ）のプリント配線板１０の第１導体層３４はパッド３４Ｐと配線３４Ｓを有するが、第２実施形態のプリント配線板１０の第１導体層３４はパッド３４Ｐのみで形成されてもよい。
第１実施形態のプリント配線板が他の回路基板や電子部品に繋げられる時、第２導体層５８Ａ内の導体回路５８ＡＷがパッドとして働く。その場合、第２導体層５８Ａをパッドのみで形成することができる。

第２実施形態のプリント配線板１０は、図１（Ｃ）に示されるように、第２樹脂絶縁層５０Ｂと第３導体層５８Ｂ上にソルダーレジスト層７０Ｆを有してもよい。ソルダーレジスト層７０Ｆは開口７２を有し、開口７２により露出される第３導体層５８Ｂは上側のパッド７４として機能する。上側のパッド７４上に半田バンプ７６Ｆが形成され、半田バンプ７６Ｆを介し、プリント配線板１０上にＩＣチップが実装される。第１実施形態のプリント配線板１０は、第２樹脂絶縁層５０Ｂと第３導体層５８Ｂ上に図１（Ｃ）に示されるソルダーレジスト層７０Ｆと上側のパッド７４と半田バンプ７６Ｆを有してもよい。

図１（Ｂ）は第３実施形態のプリント配線板１０を示す。第３実施形態のプリント配線板１０は第２実施形態の第２樹脂絶縁層５０Ｂと第３導体層５８Ｂ上に形成されている第３樹脂絶縁層５０Ｃと第３樹脂絶縁層５０Ｃ上の第４導体層５８Ｃと第３樹脂絶縁層５０Ｃを貫通し第３導体層５８Ｂと第４導体層５８Ｃとを接続する第３ビア導体３６Ｃとを有する。第３樹脂絶縁層５０Ｃは厚みｄ３を有し、厚みｄ３は１．５μｍ以上、３．５μｍ以下である。例えば、厚みｄ３は２．５μｍである。樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの厚みｄ１、ｄ２、ｄ３は樹脂絶縁層を挟む導体層間の距離である。第４導体層５８Ｃは厚みｔ４を有する。厚みｔ４は１．５μｍ以上、３．５μｍ以下である。例えば、厚みｔ４は２．５μｍである。第３ビア導体３６Ｃは長さｔ６を有する。長さｔ６は厚みｄ３と略等しい。

第３ビア導体３６Ｃは第２ビア導体３６Ｂと同様な形状を有する。第３ビア導体３６Ｃの形状の例が図６（Ａ）、図６（Ｂ）や図６（Ｃ）に示されている。

第３ビア導体３６Ｃと第３導体層５８Ｂは一体的に形成されている。第３ビア導体３６Ｃと第３導体層５８Ｂは同時に形成されている。第３ビア導体３６Ｃと第３導体層５８Ｂは同じめっき膜で形成されている。プリント配線板が反りを有しても、第３ビア導体３６Ｃと第３導体層５８Ｂとの間で剥がれが発生しがたい。

図６（Ｃ）や図６（Ｄ）に示されるように、ビア導体と同時に形成されている導体層はビア導体に直接繋がっているランド５８ＡＬＬを有する。ビア導体とランドをビア導体上から観察することで得られる平面図が図６（Ｄ）に示されている。ビア導体３６Ｂの外周が点線で描かれ、ランド５８ＡＬＬの外周が実線で描かれている。ランドのサイズはビア導体のサイズより大きい。ランドの全外周がビア導体から露出する。

図１（Ｂ）に示されるように、第３樹脂絶縁層５０Ｃと第４導体層５８Ｃ上にソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｆは上側のパッド７４を露出する開口７２を有している。上側のパッド７４上に半田バンプ７６Ｆを形成することができる。半田バンプ７６Ｆを介して図示されていないＩＣチップ等の電子部品がプリント配線板に実装される。第１実施形態や第２実施形態のプリント配線板１０は第２樹脂絶縁層５０Ｂ上にソルダーレジスト層７０Ｆを有しても良い。

[第３実施形態のプリント配線板の製造方法]
図２〜図５は第３実施形態のプリント配線板の製造方法を示す。
支持板１２ｚが準備される。支持板１２ｚは絶縁基板１２と絶縁基板１２の両面に積層されている銅箔１４で形成されている。支持板１２ｚに銅箔１６が積層される（図２（Ａ））。銅箔１６上にめっきレジスト２２が形成される（図２（Ｂ））。めっきレジスト２２から露出する銅箔１６上に電解銅めっきにより電解銅めっき膜２４が形成される（図２（Ｃ））。めっきレジストが除去される。電解銅めっき膜２４から成る第１導体層３４が形成される（図２（Ｄ））。第１導体層３４の厚みｔ１は、例えば、２．５μｍである。第１導体層３４と銅箔１６上に第１樹脂絶縁層５０Ａが形成される（図２（Ｅ））。第１樹脂絶縁層５０Ａは第１面Ｆ１と第２面Ｆ２を有し、第１面Ｆ１が支持板を向いている。第１導体層３４は第１樹脂絶縁層５０Ａに埋まっている。

レーザで第１樹脂絶縁層５０Ａに第１導体層３４に至る第１ビア導体用の第１開口５１Ａが形成される。第１導体層３４は銅箔１６上に形成されている。そのため、レーザで発生する熱が第１導体層３４から銅箔１６に伝わる。従って、レーザが第１導体層３４を貫通し難い。

無電解めっき膜（シード層）５２Ａが、第１樹脂絶縁層５０Ａの第２面Ｆ２及び第１ビア導体用の第１開口５１Ａ内に形成される。その後、無電解めっき膜５２Ａ上にめっきレジスト５３Ａが形成される。めっきレジストは、第２開口５３ＡＯ１と第３開口５３ＡＯ２とを有する。第２開口５３ＡＯ１は第１開口５１Ａ上に形成されている。第２開口５３ＡＯ１と第１開口５１Ａはつながっている。第３開口５３ＡＯ２は第２面Ｆ２上のシード層５２Ａを露出している。第３開口５３ＡＯ２は第１開口５１Ａにつながっていない。電解めっきにより、めっきレジスト５３Ａから露出する無電解めっき膜５２Ａ上にめっき膜（電解めっき膜）５４Ａが形成される（図２（Ｆ））。この時、第２開口５３ＡＯ１が第１開口５１Ａ上に形成されているので、第１ビア導体用の第１開口５１Ａがめっき膜５４Ａで充填される。第２開口５３ＡＯ１と第１開口５１Ａ内に同時にめっき膜５４Ａが形成される。第１開口５１Ａと第２開口５３ＡＯ１と第３開口５３ＡＯ２内に同時にめっき膜５４Ａが形成される。その時、第３開口５３ＡＯ２内にめっき膜５４Ａが形成される。第１樹脂絶縁層５０Ａの第２面Ｆ２上の無電解めっき膜５２Ａの厚みとめっき膜５４Ａの厚みとの厚みの和ｔ７（図２（Ｆ））は、５μｍ以上である。図２（Ｆ）では和ｔ７は５μｍである。

めっきレジスト５３Ａとめっき膜５４Ａ上にエッチングレジスト組成物５５αが塗布される（図３（Ａ））。めっき膜５４Ａから第２ビア導体３６Ｂと第２導体層５８Ａを形成するため、めっき膜５４Ａ上にエッチングレジスト５５Ａが形成される（図３（Ｂ））。エッチングレジスト５５Ａは、写真技術により、エッチングレジスト組成物５５αから形成される。エッチングレジスト５５Ａを形成する位置は第２ビア導体３６Ｂ上である。めっき膜５４Ａを部分的に薄くすることで、第２ビア導体３６Ｂと第２導体層５８Ａが形成される。めっき膜５４Ａから第２導体層５８Ａが形成される場合、めっき膜５４Ａを薄くすることで、第２導体層５８Ａが形成される。そのため、第２導体層５８Ａを形成するためのめっき膜５４Ａ上にエッチングレジスト５５Ａは形成されない。第２導体層５８Ａに変化するめっき膜５４はエッチングレジストから露出する。エッチングレジストの大きさはめっきレジストの第２開口５３ＡＯ１の大きさより小さい。そのため、ランドが形成される。図３（Ｃ）に示されるように、エッチングレジスト５５Ａから露出するめっき膜５４Ａの厚みが薄くされる。無電解めっき膜５２Ａと電解めっき膜５４Ａの厚みｔ２が２．５μｍに調整される。

エッチングレジスト５５Ａが除去される。その後、めっきレジスト５３Ａが除去される。あるいは、めっきレジスト５３Ａが除去されてから、エッチングレジスト５５Ａが除去される。あるいは、めっきレジスト５３Ａとエッチングレジスト５５Ａが同時に除去される。めっき膜５４Ａから露出する無電解めっき膜５２Ａが除去される。第２導体層５８Ａと第２ビア導体３６Ｂと第１ビア導体３６Ａが形成される（図４（Ａ））。第２開口５３ＡＯ１と第１開口５１Ａが繋がっていると、第１ビア導体３６Ａと第２ビア導体３６Ｂとランド５８ＡＬＬは同時に形成される。第１ビア導体３６Ａと第２ビア導体３６Ｂとランド５８ＡＬＬは同じめっき膜５４Ａで形成される。第３開口５３ＡＯ２と第１開口５１Ａが繋がっていなく、第３開口５３ＡＯ２が無電解めっき膜５２Ａ上に直接形成されていると、第２ビア導体３６Ｂとランド５８ＡＬＬは同時に形成される。第２ビア導体３６Ｂとランド５８ＡＬＬは同じめっき膜５４Ａで形成される。第１ビア導体３６Ａやランド５８ＡＬＬはシード層５２Ａを含んでもよい。
図４（Ａ）では、第２導体層５８Ａの厚みｔ２は２．５μｍであり、第２ビア導体３６Ｂの長さｔ５’は２．５μｍより長い。実施形態の製造方法では、第１ビア導体３６Ａと第２ビア導体３６Ｂが同時に形成される。製造時間の短縮と製造コストの低減が可能である。

第１樹脂絶縁層５０Ａと第２導体層５８Ａ上に、第２ビア導体３６Ｂが埋められるように第２樹脂絶縁層５０Ｂが形成される（図４（Ｂ））。第２ビア導体３６Ｂの頂部（上側）を露出するため、第２樹脂絶縁層５０Ｂの表面が研磨される（図４（Ｃ））。第２樹脂絶縁層５０Ｂの表面と第２ビア導体３６Ｂの頂部上に無電解めっき膜５２Ｂが形成される。無電解めっき膜５２Ｂ上にめっきレジスト５３Ｂが形成される。めっきレジスト５３Ｂから露出する無電解めっき膜５２Ｂ上に電解めっき膜（めっき膜）５４Ｂが形成される（図５（Ａ））。図３（Ａ）と図３（Ｂ）、図３（Ｃ）に示される方法と同様な方法で、エッチングレジストから露出するめっき膜５４Ｂの厚みが薄くされる。エッチングレジストとめっきレジスト５３Ｂが除去される。めっき膜５４Ｂから露出する無電解めっき膜５２Ｂが除去される。第３導体層５８Ｂと第３ビア導体３６Ｃが形成される。図４（Ｂ）や図４（Ｃ）に示されると方法と同様な方法で、第２樹脂絶縁層５０Ｂと第３導体層５８Ｂ上に第３樹脂絶縁層５０Ｃが形成される（図５（Ｂ））。第３樹脂絶縁層５０Ｃ上にセミアディティブ法などで第４導体層５８Ｃが形成される（図５（Ｃ））。第４導体層５８Ｃの厚みｔ４は２．５μｍである。第１樹脂絶縁層５０Ａと第２樹脂絶縁層５０Ｂ、第３樹脂絶縁層５０Ｃを含む中間基板１１０が形成される（図５（Ｃ））。

中間基板１１０が銅箔１６と共に支持板１２ｚから分離される。中間基板１１０から銅箔１６が除去され、第３実施形態のプリント配線板１０が形成される。プリント配線板１０の第３樹脂絶縁層５０Ｃ上に上側のパッド７４を露出するための開口７２を有するソルダーレジスト層７０Ｆが形成される（図１（Ｂ））。上側のパッド７４上に半田バンプ７６Ｆを形成することができる。第１導体層３４内のパッド３４Ｐ上に半田バンプ７６Ｓを形成することができる。

第３実施形態のプリント配線板の製造方法から第３ビア導体３６Ｃと第３樹脂絶縁層５０Ｃと第４導体層５８Ｃを形成することを除去することができる。第２実施形態のプリント配線板１０が製造される。

第３実施形態の製造方法では、図２（Ｂ）で第１導体層３４が形成される。それに代わり、図６（Ｅ）に示されるように銅箔１６上に第２開口５３ＡＯ１と第３開口５３ＡＯ２を有するめっきレジスト５３Ａを形成することができる。めっきレジスト５３Ａは銅箔１６の上面で形成される面上に形成される。開口５３ＡＯ１、５３ＡＯ２内に第２導体層を形成するためのめっき膜５４Ａが形成される。その後、図３と図４に示される方法と同様な工程が行われる。その後、第２樹脂絶縁層５０Ｂ上に第３導体層５８Ｂが形成される。これにより、第１実施形態のプリント配線板１０が製造される。この場合、ランドはシード層を有していない。

実施形態のプリント配線板１０が製造される時、支持板１２ｚが存在している。そのため、第２実施形態や第３実施形態のプリント配線板が製造される時、第１ビア導体３６Ａを形成するための第１開口５１Ａをレーザで形成するができる。支持板１２に最も近い樹脂絶縁層のみにビア導体用の開口をレーザで形成することができる。それ以外の樹脂絶縁層にレーザでビア導体用の開口を形成することは必須でない。レーザでビア導体用の開口を形成することは不要である。例えば、第１樹脂絶縁層５０Ａのみにレーザでビア導体３６Ａ用の開口が形成され、第２樹脂絶縁層５０Ｂや第３樹脂絶縁層５０Ｃはレーザによるビア導体３６Ｂ、３６Ｃ用の開口を有さない。レーザでビア導体用の開口が形成されると、導体層は所定の厚みを有しなければならない。なぜなら、導体層が薄いと、レーザが導体層を貫通しやすいからである。実施形態によれば、レーザを用いない方法でビア導体が形成されている。そのため、導体層の厚みを薄くすることができる。従って、プリント配線板の厚みを薄くすることができる。

１０プリント配線板
３４第１導体層
３６Ａ第１ビア導体
３６Ｂ第２ビア導体
３６Ｃ第３ビア導体
５０Ａ第１樹脂絶縁層
５０Ｂ第２樹脂絶縁層
５０Ｃ第３樹脂絶縁層
３４第１導体層
５８Ａ第２導体層
５８Ｂ第３導体層

Claims

第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２樹脂絶縁層と、
上面と前記上面と反対側の下面を有し、前記下面が前記第３面から露出するように前記第２樹脂絶縁層内に埋まっている第２導体層と、
前記第２樹脂絶縁層の前記第４面上に形成されていて、前記第２樹脂絶縁層の前記第４面から突出している第３導体層と、
前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第２導体層と前記第３導体層とを接続している第２ビア導体とを有するプリント配線板であって、
前記第２導体層と前記第２ビア導体は一体的に形成されていて、前記第３導体層と前記第２ビア導体は個々に形成されている。
請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記第２導体層の前記下面と前記第２樹脂絶縁層の前記第３面下に形成されている第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層下に形成されている第１導体層と、前記第１樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する第１ビア導体とを有し、前記第１ビア導体と前記第２ビア導体と前記第１ビア導体と前記第２ビア導体で挟まれる前記２導体層は一体的に形成されている。
請求項２のプリント配線板であって、前記第１樹脂絶縁層は前記第１導体層を向く第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１ビア導体は前記第１面から前記第２面に向かって太くなっていて、前記第２ビア導体は前記第４面から前記第３面に向かって太くなっている。
請求項１のプリント配線板であって、前記第２導体層は前記第２ビア導体を形成しているめっき膜を薄くすることで形成される。
請求項２のプリント配線板であって、前記第１樹脂絶縁層は前記第１導体層を向く第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１ビア導体は前記第１面から前記第２面に向かって太くなっていて、前記第２ビア導体の側面は内側に湾曲している。
請求項５のプリント配線板であって、前記第２ビア導体の前記側面は前記第３面と前記第４面との間に変曲点を有し、前記第２ビア導体は前記第４面から前記変曲点に向かって細くなり、前記変曲点から前記第３面に向かって太くなる。
面上に第２ビア導体用の第２開口と第２導体層用の第３開口を有するめっきレジストを形成することと、
前記第２開口と前記第３開口内にめっき膜を形成することと、
前記第２開口内の前記めっき膜上にエッチングレジストを形成することと、
前記エッチングレジストから露出する前記めっき膜を薄くすることで、前記第２ビア導体と前記第２導体層を形成することと、
前記エッチングレジストを除去することと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記第２ビア導体の上面が露出するように、前記第２導体層と前記面上に第２樹脂絶縁層を形成することと、
前記第２樹脂絶縁層上に前記第２ビア導体に接続する第３導体層を形成すること、とを有するプリント配線板の製造方法。
請求項７のプリント配線板であって、さらに、第１導体層を形成することと、前記第１導体層上に第１樹脂絶縁層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層に前記第１導体層に至る第１ビア導体用の第１開口を形成することと、前記第１開口内と前記第１樹脂絶縁層上にシード層を形成すること、前記第２導体層から露出する前記シード層を除去すること、とを有し、前記めっきレジストは前記シード層上に形成され、前記第１開口と前記第２開口は繋がっていて、前記めっき膜は、前記第１開口と前記第２開口と前記第３開口内に同時に形成される。
請求項７のプリント配線板であって、前記エッチングレジストは前記第２開口内の前記めっき膜を部分的に覆っていて、前記第２開口内の前記めっき膜の全外周は前記エッチングレジストから露出している。