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JP2017118273A - 電子部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】浮遊容量を抑制することができ、特性の劣化が生じ難い、電子部品を提供する。【解決手段】第１及び第２の素子基板５，６と、第１及び第２の機能素子部２，３と、第１及び第２の素子基板５，６とともに、第１の機能電極１５が臨む、第１の中空空間２１を構成している、支持層２０と、を備え、第２の素子基板６の第１の主面６ａ上に、第２の機能電極１６が構成されており、第２の素子基板６の第２の主面６ｂ上に設けられており、グラウンド電位に接続される、第１の導電層４をさらに備え、第１の導電層４が、第１の中空空間２１内において、第１の機能電極１５と対向しており、平面視において、第１の導電層４が、第１及び第２の機能電極１５，１６の少なくとも一部と重なっている、電子部品１。【選択図】図３

Description

本発明は、複数の機能素子部を有する電子部品に関する。
従来、複数の機能素子部を有する電子部品が広く用いられている。
下記の特許文献１には、第１の機能素子部と、第１の機能素子部上に配置された第２の機能素子部とを備える電子部品が開示されている。特許文献１では、第１の機能素子部が配置される第１の基板と、第２の機能素子部が配置される第２の基板との間に中空空間が設けられており、該中空空間に第１及び第２の機能素子部が封止されている。また、特許文献１では、上記中空空間内において、第１及び第２の機能素子部が、互いに対向するように設けられている。第１及び第２の機能素子部は、それぞれ、ＳＡＷやＦＢＡＲなどによって構成されている。
特許第５３００４７１号公報
特許文献１のように、複数の機能素子部を有する電子部品においては、機能素子部間において、大きな浮遊容量が発生することがあり、フィルタ特性などの特性が劣化することがあった。
本発明の目的は、浮遊容量を抑制することができ、特性の劣化が生じ難い、電子部品を提供することにある。
本発明の広い局面では、第１及び第２の素子基板と、前記第１の素子基板上に構成されており、少なくとも１つの第１の機能電極を有する、第１の機能素子部と、前記第２の素子基板上に構成されており、少なくとも１つの第２の機能電極を有する、第２の機能素子部と、前記第１及び第２の素子基板とともに、前記第１の機能電極が臨む、第１の中空空間を構成している、支持層と、を備え、前記第２の素子基板が、前記第１の中空空間とは反対側に設けられている第１の主面と、前記第１の中空空間側に設けられている第２の主面とを有し、前記第１の主面上に、前記第２の機能電極が構成されており、前記第２の主面上に設けられており、グラウンド電位に接続される、第１の導電層をさらに備え、前記第１の導電層が、前記第１の中空空間内において、前記第１の機能電極と対向しており、平面視において、前記第１の導電層が、前記第１及び第２の機能電極の少なくとも一部と重なっている、電子部品が提供される。
本発明の他の広い局面では、第１及び第２の素子基板と、前記第１及び第２の素子基板間に設けられている、第３の素子基板と、前記第１の素子基板上に構成されており、少なくとも１つの第１の機能電極を有する、第１の機能素子部と、前記第２の素子基板上に構成されており、少なくとも１つの第２の機能電極を有する、第２の機能素子部と、前記第１及び第３の素子基板とともに、前記第１の機能電極が臨む、第１の中空空間を構成している、支持層と、を備え、前記第３の素子基板上に設けられており、グラウンド電位に接続される、第１の導電層をさらに備え、前記第１の導電層が、前記第１の中空空間内において、前記第１の機能電極と対向しており、平面視において、前記第１の導電層が、前記第１及び第２の機能電極の少なくとも一部と重なっている、電子部品が提供される。
本発明に係る電子部品のある特定の局面では、前記第１の素子基板の前記第１の機能電極とは反対側の主面上に設けられている、第２の導電層をさらに備える。この場合には、電子部品の放熱性をより一層高めることができる。
本発明に係る電子部品の他の特定の局面では、前記第２の素子基板上に、前記第２の機能電極が臨む第２の中空空間が設けられている。
本発明に係る電子部品のさらに他の特定の局面では、前記第２の素子基板の前記第２の機能電極とは反対側の主面上に設けられている、第３の導電層をさらに備える。この場合には、電子部品の放熱性をより一層高めることができる。
本発明に係る電子部品のさらに他の特定の局面では、前記第１及び第２の機能素子部が、それぞれ、弾性波装置を構成している。
本発明に係る電子部品のさらに他の特定の局面では、前記第１及び第２の素子基板が、それぞれ、第１及び第２の圧電基板であり、前記第１及び第２の機能電極が、それぞれ、第１及び第２のＩＤＴ電極であり、前記第１及び第２の機能素子部がそれぞれ、弾性表面波装置である。
本発明に係る電子部品のさらに他の特定の局面では、平面視において、前記第１の導電層が、少なくとも前記第１及び第２のＩＤＴ電極の交叉領域と重なっている。
本発明に係る電子部品のさらに他の特定の局面では、前記第１の機能素子部が、受信フィルタを構成しており、前記第２の機能素子部が、送信フィルタを構成しており、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタを有する、デュプレクサにより構成されている。
本発明によれば、浮遊容量を抑制することができ、特性の劣化が生じ難い、電子部品を提供することができる。
（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品の回路図であり、（ｂ）は、１ポート型弾性波共振子の電極構造を示す模式的平面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、順に、第１の機能素子部、第１の導電層及び第２の機能素子部を示す略図的平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る電子部品において、第１及び第２の機能電極が設けられている部分を示す、模式的正面断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る電子部品において、第１及び第２の機能電極が設けられている部分を示す、模式的正面断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る電子部品において、第１及び第２の機能電極が設けられている部分を示す、模式的正面断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る電子部品において、第１及び第２の機能電極が設けられている部分を示す、模式的正面断面図である。 本発明の第５の実施形態に係る電子部品において、第１及び第２の機能電極が設けられている部分を示す、模式的正面断面図である。 実施例及び比較例のデュプレクサの送信特性を示す図である。 実施例及び比較例のデュプレクサの受信特性を示す図である。 実施例及び比較例のデュプレクサのアイソレーション特性を示す図である。 実施例及び比較例のデュプレクサにおいて、最も温度が高くなるＩＤＴ電極の上昇温度の測定結果を示す図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品の回路図であり、（ｂ）は、１ポート型弾性波共振子の電極構造を示す模式的平面図である。図２（ａ）〜（ｃ）は、順に、第１の機能素子部、第１の導電層及び第２の機能素子部を示す略図的平面図である。
電子部品１は、デュプレクサである。電子部品１は、受信フィルタとしての第１の機能素子部２と、送信フィルタとしての第２の機能素子部３とを備える。図２（ａ）に示すように、第１の機能素子部２は、第１の素子基板５上に構成されている。また、図２（ｃ）に示すように、第２の機能素子部３は、第２の素子基板６上に構成されている。なお、第２の機能素子部３は、第１の機能素子部２上に配置されている。また、第１及び第２の機能素子部２，３間には、第１の導電層４が配置されている。これらの位置関係の詳細については、後述するものとする。
図１（ａ）に示すように、電子部品１は、アンテナ端子７を有する。アンテナ端子７とグラウンド電位との間にインピーダンス整合用のインダクタンスＬが接続されている。また、アンテナ端子７に共通端子８が接続されている。共通端子８と受信端子１０との間に受信フィルタとしての第１の機能素子部２が構成されている。共通端子８と送信端子９との間に送信フィルタとしての第２の機能素子部３が構成されている。
受信フィルタである第１の機能素子部２においては、共通端子８に、それぞれが弾性波共振子からなる直列腕共振子Ｓ５，Ｓ６及び並列腕共振子Ｐ４，Ｐ５が接続されている。そして、直列腕共振子Ｓ６と、受信端子１０との間に、３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１４が設けられている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部１４では、圧電基板である第１の素子基板５の表面を伝搬する弾性表面波の伝搬方向において、３以上の奇数個のＩＤＴ電極が並設されている。この３以上の奇数個のＩＤＴ電極群の両側に反射器が設けられている。第１の機能素子部２では、縦結合共振子型弾性波フィルタ部１４や、各共振子を構成するＩＤＴ電極が、それぞれ、第１の機能電極である。
図２（ａ）では、直列腕共振子Ｓ５，Ｓ６及び並列腕共振子Ｐ４，Ｐ５並びに縦結合共振子型弾性波フィルタ部１４が構成される各部分を、Ｘを枠で囲んだ形状で模式的に示している。直列腕共振子Ｓ５，Ｓ６及び並列腕共振子Ｐ４，Ｐ５並びに縦結合共振子型弾性波フィルタ部１４は、第１の素子基板５上に構成されている。
図１（ａ）に戻り、送信フィルタである第２の機能素子部３は、ラダー型回路構成を有する。すなわち、それぞれが弾性波共振子からなる直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４と、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３とを有する。直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３は、１ポート型弾性波共振子からなる。
１ポート型弾性波共振子は、図１（ｂ）に示す電極構造を有する。ＩＤＴ電極１１と、ＩＤＴ電極１１の弾性波伝搬方向両側に配置された反射器１２，１３とが、圧電基板である第２の素子基板上に形成されている。それによって、１ポート型弾性波共振子が構成されている。なお、本実施形態においては、ＩＤＴ電極１１が機能電極である。本実施形態では、第２の機能素子部３において、各共振子を構成するＩＤＴ電極１１が、それぞれ、第２の機能電極である。
図２（ｃ）では、Ｘを矩形の枠で囲んだ記号により、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３が構成されている部分を略図的に示している。直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３は、第２の素子基板６上に構成されている。なお、各弾性波共振子におけるＩＤＴ電極や反射器並びに接続配線は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗなどの適宜の金属もしくは合金により形成することができる。
図３は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品において、第１及び第２の機能電極が設けられている部分を示す模式的正面断面図である。図３に示すように、第１の素子基板５上に、第１の機能素子部２が設けられている。第２の素子基板６上に、第２の機能素子部３が設けられている。第２の機能素子部３は、第１の機能素子部２上に配置されている。第１の導電層４は、第１及び第２の機能素子部２，３間に配置されている。
第１の素子基板５は、矩形板状である。第１の素子基板５は、主面５ａを有する。第１の素子基板５は、ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板である。もっとも、第１の素子基板５としては、ＬｉＮｂＯ３などの他の圧電単結晶からなる基板を用いてもよいし、圧電セラミックスからなる基板を用いてもよい。また、第１の素子基板５は、上記のような圧電基板に限定されず、Ｓｉや、半導体基板などにより構成されていてもよい。
第１の素子基板５の主面５ａ上には、第１の機能電極１５が設けられている。本実施形態において、第１の機能電極１５は、第１のＩＤＴ電極である。上記第１のＩＤＴ電極は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、ＮｉＣｒもしくはＡｌＣｕなどの適宜の金属または合金により構成することができる。上記第１のＩＤＴ電極は、単層の金属膜であってもよく、２種以上の金属又は合金が積層された積層金属膜であってもよい。本実施形態では、第１の機能電極１５と、第１の素子基板５とによって、第１の機能素子部２が構成されている。
第１の素子基板５の主面５ａ上には、電極ランド１７ａ，１７ｂが設けられている。電極ランド１７ａ，１１ｂは、図示しない配線電極により、第１の機能電極１５と電気的に接続されている。
第１の素子基板５内に、ビアホール電極１８ａ，１８ｂが設けられている。ビアホール電極１８ａ，１８ｂの一端は、それぞれ、電極ランド１７ａ，１７ｂに接続されている。ビアホール電極１８ａ，１８ｂの他端は、それぞれ、バンプ電極１９ａ，１９ｂに接続されている。バンプ電極１９ａ，１９ｂは、第１の素子基板５の主面５ａとは、反対側の主面５ｂ上に設けられている。
第１の素子基板５の主面５ａ上には、枠状の第１の支持層２０が設けられている。第１の支持層２０は、電極ランド１７ａ，１７ｂの一部を覆うように設けられている。第１の支持層２０は、第１の機能電極１５を囲むように設けられている。第１の支持層２０は、樹脂により構成されている。また、第１の支持層２０の厚みは、第１の機能電極１５の厚みよりも厚い。
第１の支持層２０上には、第２の素子基板６が設けられている。電子部品１では、第１の素子基板５、第１の支持層２０及び第２の素子基板６により、第１の機能電極１５が臨む第１の中空空間２１が形成されている。第１の中空空間２１に、第１の機能電極１５が封止されている。
第２の素子基板６は、矩形板状である。第２の素子基板６は、互いに対向する第１及び第２の主面６ａ，６ｂを有する。第２の素子基板６は、ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板である。もっとも、第２の素子基板６としては、ＬｉＮｂＯ３などの他の圧電単結晶からなる基板を用いてもよいし、圧電セラミックスからなる基板を用いてもよい。また、第２の素子基板６は、上記のような圧電基板に限定されず、Ｓｉや、半導体基板などにより構成されていてもよい。
第２の素子基板６の第１の主面６ａ上には、第２の機能電極１６が設けられていれる。本実施形態において、第２の機能電極１６は、第２のＩＤＴ電極である。上記第２のＩＤＴ電極は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、ＮｉＣｒもしくはＡｌＣｕなどの適宜の金属または合金からなる。上記第２のＩＤＴ電極は、単層の金属膜であってもよく、２種以上の金属又は合金が積層された積層金属膜であってもよい。本実施形態では、第２の機能電極１６と、第２の素子基板６とによって、第２の機能素子部３が構成されている。
第２の素子基板６の第２の主面６ｂ上には、第１の導電層４が設けられている。第１の導電層４は、第１の中空空間２１に臨むように設けられている。従って、第２の主面６ｂは、第２の素子基板６の第１の中空空間２１側の主面である。
第１の導電層４は、第１の機能電極１５に対向するように設けられている。第１の導電層４は、図示しないグラウンド電位に接続されている。第１の導電層４は、Ｃｕにより構成されている。もっとも、第１の導電層４は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｎ、ＺｎもしくはＡｕなどの適宜の金属又は合金により構成されていてもよい。第１の導電層４の厚みは、好ましくは０．１μｍ以上であり、より好ましくは３μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは２０μｍ以下である。第１の導電層４の厚みが上記下限以上であると、後述する浮遊容量をより一層抑制することができる。また、第１の導電層４の厚みが、上記上限以下であると、電子部品１のより一層の低背化を図ることができる。
なお、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態では、平面視において、第１及び第２の機能電極１５，１６と重なる部分を有するように第１の導電層４が設けられている。第１の導電層４は、平面視において、第１及び第２の機能電極１５，１６と少なくとも一部が重なるように設けられていればよい。なお、第１及び第２の機能電極１５，１６がＩＤＴ電極である場合、第１の導電層４は、少なくとも、平面視においてＩＤＴ電極の交叉領域と重なるように設けられていることが好ましい。
図３に戻り、第２の素子基板６の第１の主面６ａ上には、電極ランド２３ａ，２３ｂが設けられている。電極ランド２３ａは、図示しない配線電極により、第２の機能電極１６に接続されている。また、第１の支持層２０及び第２の素子基板６の内部には、ビアホール電極２４ａが設けられている。ビアホール電極２４ａの一端は、電極ランド２３ａに接続されている。ビアホール電極２４ａの他端は、電極ランド１７ａに接続されている。なお、第１の支持層２０内には、一端が電極ランド１７ｂに接続されるビアホール電極２４ｂが設けられている。ビアホール電極２４ｂの他端は、第１の導電層４に接続されている。電極ランド１７ａ，１７ｂ，２３ａ，２３ｂ、ビアホール電極１８ａ，１８ｂ，２４ａ，２４ｂ及びバンプ電極１９ａ，１９ｂは、適宜の金属又は合金により構成されていれる。
第２の素子基板６の第１の主面６ａ上には、枠状の第２の支持層２５が設けられている。第２の支持層２５は、電極ランド２３ａの一部を覆うように設けられている。第２の支持層２５は、第２の機能電極１６を囲むように設けられている。第２の支持層２５は、樹脂により構成されている。また、第２の支持層２５の厚みは、第２の機能電極１６の厚みよりも厚い。
第２の支持層２５上には、カバー層２６が設けられている。カバー層２６は、樹脂により構成されている。電子部品１では、第２の素子基板６、第２の支持層２５及びカバー層２６により、第２の機能電極１６が臨む第２の中空空間２２が形成されている。第２の中空空間２２内に、第２の機能電極１６が封止されている。
電子部品１では、積層方向において、第１及び第２の機能電極１５，１６間に第１の導電層４が配置されている。第１の導電層４は、平面視において、第１及び第２の機能電極１５，１６の少なくとも一部と重なるように設けられている。また、第１の導電層４は、グラウンド電位に接続されている。電子部品１では、上記のような第１の導電層４が設けられて電磁シールドの役割を果たすので、第１及び第２の機能電極１５，１６間における浮遊容量を抑制することができる。よって、電子部品１では、特性の劣化が生じ難い。
また、本実施形態では、第１及び第２の機能電極１５，１６が、対向するように設けられておらず、同一空間内に封止されていない。そのため、第１及び第２の機能電極１５，１６の発熱による問題が生じ難く、特性の劣化が生じ難い。さらに、第２の素子基板６の第２の機能電極１６とは反対側の主面である第２の主面６ｂ上に、第１の導電層４が設けられているので、第２の機能電極１６で発生した熱をより一層効果的に放熱させることができる。よって、電子部品１では、特性の劣化がより一層生じ難い。
第１及び第２の機能素子部２，３は、それぞれ、受信フィルタ及び送信フィルタであり、弾性波装置である。より具体的には、第１及び第２の機能素子部２，３は、それぞれ、弾性表面波装置である。第１及び第２の機能素子部２，３は、同じ機能素子であってもよく、異なる機能素子であってもよい。機能素子は、バルク波を利用した板波共振子（ＢＡＷ）であってもよい。
本実施形態においては、第１の素子基板５上に、受信フィルタが構成されており、第２の素子基板６上に、送信フィルタが構成されている。すなわち、受信フィルタ上に送信フィルタが配置されている。もっとも、第１の素子基板５上に、送信フィルタが構成されており、第２の素子基板６上に、受信フィルタが構成されていてもよい。すなわち、送信フィルタ上に受信フィルタが配置されていてもよい。
また、受信フィルタと送信フィルタの一部である直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４とが第１の素子基板上５に、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３が第２の素子基板６上に構成されていてもよい。第１及び第２の素子基板５，６上に、それぞれ、異なるＢＡＮＤのデュプレクサが構成されていてもよい。例えば、第１の素子基板５上にＢＡＮＤ１のデュプレクサが構成され、第２の素子基板６上に、ＢＡＮＤ３のデュプレクサが構成されてもよい。
次に、具体的な実施例につき説明する。
実施例；
実施例では、第１の導電層４として、厚み１０μｍのＣｕ膜を用い、ＢＡＮＤ８のデュプレクサである電子部品１を作製した。比較例として、第１の導電層４が設けられていないこと以外は実施例と同様のデュプレクサを作製した。
図８は、実施例及び比較例のデュプレクサの送信特性を示す図である。図９は、実施例及び比較例のデュプレクサの受信特性を示す図である。図１０は、実施例及び比較例のデュプレクサのアイソレーション特性を示す図である。なお、図８〜図１０においては、実線は実施例の結果を示し、破線で比較例の結果を示している。図８〜図１０において、送信周波数帯を示す送信帯域は、８８０〜９１５ＭＨｚであり、受信周波数帯である受信帯域は、９２５〜９６０ＭＨｚである。図８〜図１０から明らかなように、第１の導電層４が設けられている実施例のデュプレクサでは、比較例のデュプレクサと比べて、減衰特性が改善されていることがわかる。
また、実施例及び比較例のデュプレクサにおいて、９１５ＭＨｚに電力を送信端子９から印加した。各共振子の消費電力を算出するとともに、最も温度が高くなるＩＤＴ電極の上昇温度を測定した。結果を図１１に示す。図１１から明らかなように、第１の導電層４が設けられている実施例のデュプレクサでは、比較例と比べて、放熱特性が改善されていることが確認できた。
（第２の実施形態）
図４は、本発明の第２の実施形態に係る電子部品において、第１及び第２の機能電極が設けられている部分を示す、模式的正面断面図である。
電子部品３１では、第１の素子基板５の第１の機能電極１５とは反対側の主面５ｂ上に、第２の導電層２８が設けられている。第２の導電層２８は、バンプ電極１９ｃに接続されている。なお、第２の導電層２８は、図示しないグラウンド電位に接続されている。また、電子部品３１では、ビアホール電極１８ａ，１８ｂが、電極ランド２７ａ，２７ｂを介して、バンプ電極１９ａ，１９ｂに接続されている。その他の点は、第１の実施形態と同様である。
電子部品３１においても、積層方向において、第１及び第２の機能電極１５，１６間に第１の導電層４が配置されている。第１の導電層４は、平面視において、第１及び第２の機能電極１５，１６の少なくとも一部と重なるように設けられている。また、第１の導電層４は、グラウンド電位に接続されている。上記のような第１の導電層４を備えるので、第１及び第２の機能電極１５，１６間における浮遊容量を抑制することができる。よって、電子部品３１では、特性の劣化が生じ難い。
また、第２の素子基板６の第２の機能電極１６とは反対側の主面である第２の主面６ｂ上に、第１の導電層４が設けられているので、第２の機能電極１６で発生した熱をより一層効果的に放熱させることができる。さらに、電子部品３１では、第１の素子基板５の主面５ｂ上に、第２の導電層２８が設けられているので、第１の機能電極１５で発生した熱をより一層効果的に放熱することができる。よって、電子部品３１では特性の劣化がより一層生じ難い。
（第３の実施形態）
図５は、本発明の第３の実施形態に係る電子部品において、第１及び第２の機能電極が設けられている部分を示す、模式的正面断面図である。
電子部品４１では、図３で第２の素子基板６が設けられている位置に第３の素子基板２９が設けられている。第３の素子基板２９の第１の中空空間２１側の主面上には、第１の導電層４が設けられている。一方、第３の素子基板２９の第２の中空空間２２側の主面上には、電極ランド２３ａ，２３ｂ及び第２の支持層２５が設けられている。第３の素子基板２９内に、ビアホール電極２４ａ，２４ｃが設けられている。ビアホール電極２４ｃの一端は、第１の導電層４に接続されている。ビアホール電極２４ｃの他端は、電極ランド２３ｂに接続されている。第２の支持層２５上には、第２の素子基板６が設けられている。第２，第３の素子基板６，２９及び第２の支持層２５により、第２の中空空間２２が構成されている。
第２の素子基板６の第１の主面６ａ上には、第２の機能電極１６及び電極ランド３１ａ，３１ｂが設けられている。第２の素子基板６の第２の主面６ｂ上には、第３の導電層３３が設けられている。第２の支持層２５内には、ビアホール電極３０ａ，３０ｂが設けられている。ビアホール電極３０ａ，３０ｂの一端は、電極ランド２３ａ，２３ｂに接続されている。ビアホール電極３０ａ，３０ｂの他端には、電極ランド３１ａ，３１ｂが接続されている。第２の素子基板６内には、ビアホール電極３２が設けられている。ビアホール電極３２の一端は、電極ランド３１ｂに接続されている。ビアホール電極３２の他端は、第３の導電層３３に接続されている。その他の点は、第１の実施形態と同様である。
電子部品４１においては、積層方向において、第１及び第２の機能電極１５，１６間に第１の導電層４が配置されている。第１の導電層４は、平面視において、第１及び第２の機能電極１５，１６の少なくとも一部と重なるように設けられている。また、第１の導電層４は、グラウンド電位に接続されている。上記の第１の導電層４を備えるので、第１及び第２の機能電極１５，１６間における浮遊容量を抑制することができる。よって、電子部品４１では、特性の劣化が生じ難い。
また、第２の素子基板６の第２の機能電極１６とは反対側の主面である第２の主面６ｂ上に、第３の導電層３３が設けられているので、第２の機能電極１６で発生した熱をより一層効果的に放熱させることができる。よって、電子部品４１では特性の劣化がより一層生じ難い。
（第４及び第５の実施形態）
図６及び図７は、それぞれ、本発明の第４及び第５の実施形態に係る電子部品において、第１及び第２の機能電極が設けられている部分を示す、模式的正面断面図である。
図６に示すように、電子部品５１において、電極ランド１７ａ，１７ｂは、第１の素子基板５の側面に設けられている側面電極３４ａ，３４ｂを経て、電極ランド２７ａ，２７ｂに接続されている。電極ランド２７ａ，２７ｂは、バンプ電極１９ａ，１９ｂに接続されている。従って、電子部品５１においては、第１の素子基板５内にビアホール電極が設けられていない。その他の点は、第１の実施形態と同様である。
図７に示すように、電子部品６１において、電極ランド１７ａは、第１の支持層２０及び第２の素子基板６の側面に設けられている側面電極３５ａを経て、電極ランド２３ａに接続されている。また、電極ランド１７ｂは、第１の支持層２０の側面に設けられている側面電極３５ｂを経て、第１の導電層４に接続されている。従って、電子部品６１においては、第１の支持層２０及び第２の素子基板６内にビアホール電極が設けられていない。その他の点は、第４の実施形態と同様である。
電子部品５１，６１では、積層方向において、第１及び第２の機能電極１５，１６間に第１の導電層４が配置されている。第１の導電層４は、平面視において、第１及び第２の機能電極１５，１６の少なくとも一部と重なるように設けられている。また、第１の導電層４は、グラウンド電位に接続されている。上記の第１の導電層４を備えるので、第１及び第２の機能電極１５，１６間における浮遊容量を抑制することができる。よって、電子部品５１，６１では、特性の劣化がより一層生じ難い。
また、第４及び第５の実施形態では、第１及び第２の機能電極１５，１６が、対向するように設けられておらず、同一空間内に封止されていない。そのため、第１及び第２の機能電極１５，１６の発熱によっても、特性の劣化が生じ難い。さらに、第２の素子基板６の第２の機能電極１６とは反対側の主面である第２の主面６ｂ上に、第１の導電層４が設けられているので、第２の機能電極１６で発生した熱をより一層効果的に放熱させることができる。よって、電子部品５１，６１では、特性の劣化がより一層生じ難い。
１，３１，４１，５１，６１…電子部品
２，３…第１，第２の機能素子部
４…第１の導電層
５，６…第１，第２の素子基板
５ａ，５ｂ…主面
６ａ，６ｂ…第１，第２の主面
７…アンテナ端子
８…共通端子
９…送信端子
１０…受信端子
１１…ＩＤＴ電極
１２，１３…反射器
１４…縦結合共振子型弾性波フィルタ部
１５，１６…第１，第２の機能電極
１７ａ，１７ｂ，２３ａ，２３ｂ，２７ａ，２７ｂ，３１ａ，３１ｂ…電極ランド
１８ａ，１８ｂ，２４ａ〜２４ｃ，３０ａ，３０ｂ，３２…ビアホール電極
１９ａ，１９ｂ，１９ｃ…バンプ電極
２０，２５…第１，第２の支持層
２１，２２…第１，第２の中空空間
２６…カバー層
２８…第２の導電層
２９…第３の素子基板
３３…第３の導電層
３４ａ，３４ｂ，３５ａ，３５ｂ…側面電極
Ｐ１〜Ｐ５…並列腕共振子
Ｓ１〜Ｓ６…直列腕共振子

Claims (9)

  1. 第１及び第２の素子基板と、
    前記第１の素子基板上に構成されており、少なくとも１つの第１の機能電極を有する、第１の機能素子部と、
    前記第２の素子基板上に構成されており、少なくとも１つの第２の機能電極を有する、第２の機能素子部と、
    前記第１及び第２の素子基板とともに、前記第１の機能電極が臨む、第１の中空空間を構成している、支持層と、
    を備え、
    前記第２の素子基板が、前記第１の中空空間とは反対側に設けられている第１の主面と、前記第１の中空空間側に設けられている第２の主面とを有し、
    前記第１の主面上に、前記第２の機能電極が構成されており、
    前記第２の主面上に設けられており、グラウンド電位に接続される、第１の導電層をさらに備え、
    前記第１の導電層が、前記第１の中空空間内において、前記第１の機能電極と対向しており、
    平面視において、前記第１の導電層が、前記第１及び第２の機能電極の少なくとも一部と重なっている、電子部品。
  2. 第１及び第２の素子基板と、
    前記第１及び第２の素子基板間に設けられている、第３の素子基板と、
    前記第１の素子基板上に構成されており、少なくとも１つの第１の機能電極を有する、第１の機能素子部と、
    前記第２の素子基板上に構成されており、少なくとも１つの第２の機能電極を有する、第２の機能素子部と、
    前記第１及び第３の素子基板とともに、前記第１の機能電極が臨む、第１の中空空間を構成している、支持層と、
    を備え、
    前記第３の素子基板上に設けられており、グラウンド電位に接続される、第１の導電層をさらに備え、
    前記第１の導電層が、前記第１の中空空間内において、前記第１の機能電極と対向しており、
    平面視において、前記第１の導電層が、前記第１及び第２の機能電極の少なくとも一部と重なっている、電子部品。
  3. 前記第１の素子基板の前記第１の機能電極とは反対側の主面上に設けられている、第２の導電層をさらに備える、請求項１または２に記載の電子部品。
  4. 前記第２の素子基板上に、前記第２の機能電極が臨む第２の中空空間が設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品。
  5. 前記第２の素子基板の前記第２の機能電極とは反対側の主面上に設けられている、第３の導電層をさらに備える、請求項２〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
  6. 前記第１及び第２の機能素子部が、それぞれ、弾性波装置を構成している、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
  7. 前記第１及び第２の素子基板が、それぞれ、第１及び第２の圧電基板であり、
    前記第１及び第２の機能電極が、それぞれ、第１及び第２のＩＤＴ電極であり、
    前記第１及び第２の機能素子部が、それぞれ、弾性表面波装置を構成している、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品。
  8. 平面視において、前記第１の導電層が、少なくとも前記第１及び第２のＩＤＴ電極の交叉領域と重なっている、請求項７に記載の電子部品。
  9. 前記第１の機能素子部が、受信フィルタを構成しており、
    前記第２の機能素子部が、送信フィルタを構成しており、
    前記送信フィルタ及び前記受信フィルタを有する、デュプレクサにより構成されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品。
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