[go: up one dir, main page]

JP2017063778A - 温度制御装置、核酸増幅装置及び温度制御方法 - Google Patents

温度制御装置、核酸増幅装置及び温度制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017063778A
JP2017063778A JP2015226506A JP2015226506A JP2017063778A JP 2017063778 A JP2017063778 A JP 2017063778A JP 2015226506 A JP2015226506 A JP 2015226506A JP 2015226506 A JP2015226506 A JP 2015226506A JP 2017063778 A JP2017063778 A JP 2017063778A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
temperature control
microchip
control device
peltier element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015226506A
Other languages
English (en)
Inventor
良教 赤木
Yoshinori Akagi
良教 赤木
延彦 乾
Nobuhiko Inui
延彦 乾
崇至 鹿毛
Takashi Shikage
崇至 鹿毛
野村 茂
Shigeru Nomura
茂 野村
隆昌 河野
Takamasa Kono
隆昌 河野
一彦 今村
Kazuhiko Imamura
一彦 今村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Publication of JP2017063778A publication Critical patent/JP2017063778A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

【課題】迅速な昇温及び降温操作を実現でき、かつペルチェ素子の加熱面における温度ムラが生じ難い、温度制御装置及び温度制御方法を提供することにある。【解決手段】第1の面2aと第2の面2bとを有し、第1の面2aにマイクロチップ11が配置されるペルチェ素子2と、ペルチェ素子2の第2の面2b側に配置されている放熱部材4と、放熱部材4に気体を供給もしくは放熱部材4側から気体を吸引するように設けられている放熱ファン5と、ペルチェ素子2を加熱または冷却駆動し、マイクロチップ11を加熱する期間及び冷却する期間中、放熱ファン5を駆動し、マイクロチップ11の温度を制御する制御装置7とを備える、温度制御装置1。【選択図】図1

Description

本発明は、ペルチェ素子を用いた温度制御装置、核酸増幅装置及び温度制御方法に関する。
従来、ペルチェ素子を用いた温度制御装置が種々提案されている。例えば、下記の特許文献1及び2には、ペルチェ素子と、ペルチェ素子に連結されたヒートシンクと、ヒートシンクに風を送るためのファンとを備える温度制御装置が開示されている。
ファンからの送風により、ヒートシンクにおける放熱効果が高められている。
特開2006−223292号公報 特開2009−043080号公報
特許文献1や特許文献2では、ヒートシンクの放熱性を高めるために、ファンが設けられている。しかしながら、特許文献1や特許文献2に記載の温度制御装置では、温度制御に際しての昇温及び降温操作がなお十分速やかには行われなかった。また、ペルチェ素子の加熱面において温度ムラが生じるという問題もある。
本発明の目的は、迅速な昇温及び降温操作を実現でき、かつペルチェ素子の加熱面における温度ムラが生じ難い、温度制御装置及び温度制御方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、上記温度制御装置を備える核酸増幅装置を提供することにある。
本発明に係る温度制御装置は、マイクロ流路を有するマイクロチップ用の温度制御装置であって、対向しあう第1及び第2の面を有するペルチェ素子と、前記ペルチェ素子の前記第1の面に配置されており、前記マイクロチップに接触される熱伝導材料層と、前記ペルチェ素子の前記第2の面側に配置されている放熱部材と、前記放熱部材に気体を供給または前記放熱部材側から気体を吸引する放熱ファンと、前記ペルチェ素子を加熱又は冷却駆動し、前記マイクロチップを加熱する期間及び冷却する期間中、前記放熱ファンを駆動し、前記マイクロチップの温度を制御する制御装置とを備える。
本発明に係る温度制御装置のある特定の局面では、前記熱伝導材料層が金属板である。この場合には、より一層速やかにマイクロチップを加熱もしくは冷却することができる。
前記熱電導材料層の厚みは、好ましくは0.01〜1mmの範囲である。この範囲内であれば、マイクロチップをより一層速やかに加熱及び冷却することができる。より好ましくは、前記熱電導材料層は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる。
本発明に係る温度制御装置の他の特定の局面では、前記マイクロチップが、反応場の容積が0.5〜20μLである複数のPCR反応部を有し、前記複数のPCR反応部の総容積が150μL以下である。この場合には、前記複数のPCR反応部間の温度のばらつきを小さくすることができる。
本発明に係る核酸増幅装置は、本発明に従って構成されている温度制御装置と、核酸を含む反応溶液が収容されているPCR反応部を有するマイクロチップとを備える。
本発明に係る温度制御方法は、本発明に従って構成された温度制御装置を用いた温度制御方法であって、前記温度制御装置により、前記放熱ファンを駆動しつつ、前記ペルチェ素子により前記マイクロチップを加熱する工程と、前記放熱ファンを駆動しつつ、前記マイクロチップの温度を所定の温度域に維持する工程と、前記放熱ファンを駆動しつつ、前記所定の温度域に前記マイクロチップを所定期間維持した後に、前記ペルチェ素子を駆動し、前記マイクロチップをさらに加熱または冷却する工程とを備える。
本発明に係る温度制御装置及び温度制御方法によれば、所定の温度域に加熱もしくは冷却するための昇温及び降温操作の迅速化を図ることができ、かつ加熱面の温度ムラを小さくすることができる。また、昇温及び降温を繰り返したとしても、昇温速度及び降温速度の低下が生じ難い。
また、本発明に係る核酸増幅装置は、本発明に従って構成されている温度制御装置と、核酸を含む反応溶液が収容されているPCR反応部を有するマイクロチップとを備えるため、PCR反応部における昇温及び降温操作の迅速化を図ることができ、加熱面の温度ムラを小さくすることができる。さらに、昇温及び降温を繰り返したとしても、昇温速度及び降温速度の低下が生じ難い。
本発明の一実施形態に係る温度制御装置の概略構成図である。 本発明の一実施形態における温度制御工程を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る温度制御方法のフローチャートを示す図である。 本発明の一実施形態で用いられるマイクロチップの外観を示す略図的斜視図である。 図4に示したマイクロチップにおいて、チップ本体内に設けられているマイクロ流路構造を示す模式的平面図である。 本発明の温度制御装置の変形例を説明するための概略構成図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
図1は、本発明の一実施形態に係る温度制御装置の概略構成図である。
温度制御装置1は、ペルチェ素子2を有する。ペルチェ素子2は、第1の面2aと、第1の面2aと対向している第2の面2bとを有する。
第1の面2a上に、熱伝導材料層3が積層されている。熱伝導材料層3が積層されているため、本実施形態では、加熱面の温度ムラをより一層効果的に低減することができる。熱伝導材料層3は、熱伝導率が高いため、金属板からなることが好ましい。この場合には、昇温速度及び降温速度をより一層高めることができる。より好ましくは、熱伝導材料層は、AlまたはAl合金からなり、その場合には、温度ムラをより一層効果的に低めることができる。
好ましくは、熱電導材料層3の厚みは、0.01〜1mmの範囲であり、その場合には、昇温及び降温速度をより効果的に高めることができる。
また、上記熱伝導材料層3の熱伝導度は、0.5〜2000W・m−1・K−1の範囲にあることが望ましい。その場合には、昇温速度及び降温速度をより一層高めることができ、かつ温度ムラをより一層抑制することができる。
このような熱伝導性に優れている限り、適宜の熱伝導材料を用いることができ、上記金属板に限らず、グリ―スなどを用いてもよい。
熱伝導材料層3の上面に、温度制御対象物として、マイクロチップ11が積層されている。マイクロチップ11は、マイクロ流路を有する。本実施形態では、マイクロチップ11は、PCR検査用チップである。もっとも、マイクロ流体が搬送されるマイクロ流路を有する様々なマイクロチップの温度制御に温度制御装置1を用いることができる。
本実施形態で温度制御されるマイクロチップ11を、図4に斜視図で示す。このマイクロチップ11は、チップ本体12を有する。チップ本体12は、複数の基板13〜17を積層することにより構成されている。基板13〜17は、合成樹脂、ゴムまたは金属などからなる。
基板13には、導入部18が開口しており、排出部19も開口している。
上記チップ本体12内には、図5に模式的に示すマイクロ流路構造が設けられている。図5に示すように、導入部18に、第1のマイクロ流路22が接続されている。第1のマイクロ流路22が、マイクロ流路22a,22b,22cに分岐されている。そして、マイクロ流路22a,22b,22cに、秤取部23a〜23c,33a〜33c,43a〜43cを介して、PCR反応部25a〜25c,35a〜35c,45a〜45cが接続されている。
上記複数のPCR反応部が、それぞれ、PCR反応の反応場を構成している。この反応場の容積は、0.5〜20μLであり、複数のPCR反応部の総容積が150μL以下であることが好ましい。このようなサイズのPCR検査用のマイクロチップの場合、本発明の温度制御装置により、複数のPCR反応部間の温度ムラを効果的に抑制することができる。従って、PCR検査の精度を高めることができる。
図1に戻り、ペルチェ素子2の第2の面2b側には、放熱部材4が配置されている。放熱部材4は、特に限定されないが、本実施形態では、金属からなるヒートシンクである。もっとも、放熱部材4は、ペルチェ素子2において生じた熱を速やかに放散し得る適宜の放熱材により構成することができる。
なお、放熱部材4は、ペルチェ素子2の第2の面2b側に配置されておればよい。第2の面2bに放熱部材4が直接接触するように配置されていてもよく、第2の面2bと他の部材を介して連結されていてもよい。
放熱部材4の側方に放熱ファン5が配置されている。放熱ファン5は、風を放熱部材4側に送り、あるいは放熱部材4側の空気などの気体を吸引し、放熱効果を高めるために設けられている。
上記熱伝導材料層3の上面すなわち加熱面の温度を検出するために、温度センサ6が設けられている。温度センサ6は、加熱面の温度を検出し得る、適宜の感温素子により構成することができる。また、温度センサ6は、制御装置7に接続されており検出された温度に基づく信号を制御装置7に与える。
制御装置7には、ペルチェ素子駆動回路8が接続されている。ペルチェ素子駆動回路8を制御装置7により駆動し、ペルチェ素子2を駆動する。具体的には、ペルチェ素子駆動回路8は、ペルチェ素子2を加熱もしくは冷却する電圧をペルチェ素子2に与える。それによって、ペルチェ素子2が加熱あるいは冷却される。
また、上記制御装置7に、前述した放熱ファン5も接続されている。制御装置7は、放熱ファン5をオン・オフする信号を出力し、放熱ファン5をオン状態またはオフ状態とする。制御装置7内には、あるいは制御装置7に接続されたメモリに、予め、上記マイクロチップ11を所定の温度域に制御する場合の該所定の温度域と、該所定の温度域に維持する所定の時間が記憶されている。この所定の温度域及び所定の時間は特に限定されず、マイクロチップ11の種類に応じて適宜定め得る。
また、上記所定の温度域は、単一の温度域であってもよく、互いに異なる複数の温度域であってもよい。さらに、所定の温度域に制御する回数は、単一回であってもよく、複数回であってもよい。
好ましくは、所定の温度域に温度制御対象物の温度を加熱し、所定の温度域においてマイクロチップ11の温度を所定の時間維持し、所定の温度域に所定の時間維持した後に、マイクロチップ11の温度を低下させるように、制御装置7によりマイクロチップ11の温度を制御する。
なお、上記所定の温度域とは、所定の温度±x℃の範囲をいうものとする。ここで、xの値は、マイクロチップ11において維持されるべき温度の精度によって異なるため、一義的には定め得ないが、例えば、PCRに用いる場合等においては、所定の温度をAとした場合、xは0.5℃以下であることが好ましい。
本実施形態の温度制御装置1の特徴は、マイクロチップ11を所定の温度域に制御するために、上記ペルチェ素子2を加熱または冷却駆動し、マイクロチップ11を加熱する期間中及び冷却する期間中、放熱ファン5を駆動して、マイクロチップ11の温度を制御することにある。放熱ファン5を駆動し続けるため、昇温及び降温操作の迅速化を図ることができ、かつ加熱面の温度ムラを低減することができる。
本実施形態の温度制御装置1は、様々なマイクロチップ11を温度制御するのに用いられる。このようなマイクロチップ11としては、特に限定されないが、例えば、PCR検査用チップに本発明を好適に用いることができる。すなわち、上記温度制御装置1と、核酸を含む反応溶液が収容されているPCR反応部を有するマイクロチップとを備える、核酸増幅装置が構成されていてもよい。その場合には、PCR反応を高精度に行い得る、核酸増幅装置を提供することができる。
なお、図6は、本発明の温度制御装置の変形例を説明するための概略構成図である。本変形例の温度制御装置1Aでは、ペルチェ素子2の第1の面に接触されている熱伝導材料層3が、第1の熱伝導材料層3Aと、第2の熱伝導材料層3Bとを積層した積層体からなる。その他の構成は、上記実施形態と同様である。このように、複数の熱伝導材料層3A,3Bを積層してもよい。このような熱伝導材料層3A,3Bとしては、上述した金属やグリースなどを用いることができる。
また、第1の熱伝導材料層3Aと、第2の熱伝導材料層3Bとは、同一材料で構成してもよく、異なる材料で構成してもよい。
好ましくは、ペルチェ素子2側に位置している第1の熱伝導材料層3Aは、第1の面2aに平行な方向の熱伝導性が、厚み方向の熱伝導性よりも高い異方性熱伝導材料からなることが望ましい。このような異方性熱伝導材料を用いた場合、面方向の温度ムラを効果的に抑制することができる。従って、マイクロチップ11における複数のPCR反応部間の温度ムラをより一層効果的に小さくすることができる。このような異方性熱伝導材料としては、グラファイトが好適に用いられ得る。従って、第1の熱伝導材料層3Aがグラファイトからなり、第2の熱伝導材料層3Bが金属やグリースなどからなる組み合わせが、本発明において好適に用いられ得る。
次に、図2及び図3を参照して、本発明に係る温度制御方法の実施形態をより詳細に説明する。
本実施形態の温度制御方法は、上記実施形態の温度制御装置1を用いた温度制御方法である。そして、温度制御装置1により放熱ファン5を駆動しつつ、ペルチェ素子2によりマイクロチップ11を加熱する工程と、放熱ファン5を駆動しつつ、マイクロチップ11の温度を所定の温度域に維持する工程と、放熱ファン5を駆動しつつ、所定の温度域にマイクロチップ11を所定期間維持した後にペルチェ素子2を駆動し、マイクロチップ11をさらに加熱または冷却する工程とを備える。この実施形態の温度制御方法を、図2及び図3を参照して、より具体的に説明する。
本実施形態では、PCRに際し、図2に示すように温度制御が行われる。すなわち、90℃±0.5℃に所定の時間として10秒維持する工程と、60℃±0.5℃に所定の時間として10秒維持する工程とを繰り返す。
図3を参照して、本実施形態の温度制御方法を説明する。
まず、ステップS1において、放熱ファン5をオン状態とし、放熱ファン5を駆動する。なお、この放熱ファン5は、ステップS2からステップS10までの全工程においてオン状態とされる。好ましくは、ステップS1〜S10の制御工程だけでなく、温度制御装置1自体がオン状態とされている間中、放熱ファン5を駆動することが望ましい。次に、ステップS2において、ペルチェ素子駆動回路8を駆動し、ペルチェ素子2の第1の面2aが11℃/秒の昇温速度となるように電圧を印加する。ステップS3において、温度センサ6により、温度が第1の温度域として90℃±0.5℃であるか否かを確認する。90℃±0.5℃の温度に達していない場合には、再度ステップS2に戻り加熱する。
ステップS3において、温度が90℃±0.5℃に達している場合には、ステップS4において、10秒間90℃±0.5℃の温度に保持する。
次に、ステップS5において、10秒経過しているか否かを確認する。時間が経過していない場合には、ステップS4に戻り、90℃±0.5℃の温度に再度保持する。
ステップS5において、10秒経過している場合には、ステップS6において、降温速度11℃/秒で第2の温度域としての60℃±0.5℃まで冷却する。この場合、制御装置7は、ペルチェ素子駆動回路8から、ペルチェ素子2に、加熱の場合とは逆の電圧を印加する。それによって、マイクロチップ11を冷却する。
冷却に際しても、放熱ファン5は駆動され続けているため、冷却が速やかに行われる。
次に、ステップS7において、温度センサ6からの出力により、制御装置7は、温度が第2の温度域である60℃±0.5℃に達しているか否かを確認する。60℃±0.5℃に達していない場合には、ステップS6に戻る。60℃±0.5℃の温度域に達している場合には、ステップS8において、10秒間60℃±0.5℃の温度に維持する。しかる後、ステップS9において、10秒経過したか否かを確認する。経過していない場合には、ステップS8に戻る。10秒経過している場合には、ステップS10において、上記90℃±0.5℃の温度及び60℃±0.5℃の温度に維持したサイクル数が所定のサイクル数に達したか否かを確認する。達していない場合には、ステップS2に戻り、次のサイクルを実行する。所定のサイクル数に達している場合には終了する。
本実施形態の温度制御方法では、上記のように、90℃±0.5℃の温度に10秒間維持する工程と、60℃±0.5℃の温度に10秒間維持する工程とを含む1サイクルが複数サイクル繰り返されるが、この温度制御の間中、放熱ファン5は駆動され続ける。すなわち、冷却時だけでなく、加熱時にも放熱ファン5が駆動され続ける。そのため、昇温及び降温に必要な時間を短縮でき、かつ加熱面の温度ムラを効果的に小さくすることができる。
これを、次に具体的な実験例に基づき説明する。ペルチェ素子2として、タイセー社製、型番:UT−3030CE−Mを用いた。このペルチェ素子に、ヒートシンクとして、Fixcher社製、型番:SK434/50SAを固定した。また、このヒートシンクの側方に放熱ファンを配置した。放熱ファン5としては、山洋電気社製、型番:109P0424H302を用いた。
ペルチェ素子駆動回路8として、オムロン社製、型番:E5CC−QX2DSM−002を用いた。温度センサ6として、ネツシン社製、型番:NER−CF2−0305を用いた。
また、下記の表1に示すように、実施例1〜4,7及び比較例3,4では、熱伝導材料層3としてアルミニウム板を用いた。もっとも、熱伝導材料層の厚みは表1に示す各値とした。実施例5,6では、それぞれ、厚み0.3mmの銅板または銀板を熱伝導材料層3として用いた。比較例1,2では、熱伝導材料層は用いなかった。
上記のようにして構成した温度制御装置を用い、前述した図2に示す90℃±0.5℃に10秒維持する工程と、60℃±0.5℃に10秒維持する工程とを含む1サイクルを30サイクル繰り返すように温度制御を行った。
なお、実施例1〜7では、上述したようにステップS2において、放熱ファン5を駆動し、30サイクル終了まで放熱ファン5を駆動し続けた。これに対して、比較例1,3においては、放熱ファンを駆動しなかった。また比較例2,4においては、90℃から60℃に冷却する際にのみ放熱ファン5を駆動した。
上記のようにして、実施例1〜7及び比較例1〜4における温度制御を行った。
(実施例及び比較例の評価)
1.昇温速度
1サイクル目と30サイクル目の昇温速度を求めた。1サイクル目の昇温速度とは、最初に60℃から90℃への昇温に要した時間により、(90℃−60℃)=30℃を除算した値を1サイクル目の昇温速度とした。30サイクル目の昇温速度として、30サイクル目に60℃から90℃への昇温に要した時間により、(90℃−60℃)=30℃を除算した値を30サイクル目の昇温速度とした。
2.降温速度
1サイクル目の降温速度として、1サイクル目に90℃から60℃への降温に要した時間により、(90℃−60℃)=30℃を除算して得られた値を1サイクル目の降温速度とした。
30サイクル目の降温速度は、30サイクル目に90℃から60℃への降温に要した時間により、(90℃−60℃)=30℃を除算して得られた値を30サイクル目の降温速度とした。
なお、上記温度制御に際しては、熱伝導材料層3の表面をサーモカメラで測定した。熱伝導材料層3が設けられていない場合には、ペルチェ素子2の第1の面2aの温度変化を、サーモカメラで測定した。また、温度変化に要する時間は、ストップウォッチを用いて計測した。
3.温度ムラの評価
温度制御装置1における加熱面の温度が60℃となるように温度制御を実施した。熱伝導材料層が積層されている場合には、熱伝導材料層の表面の温度で、熱伝導材料層が積層されていない場合には、ペルチェ素子の第1の面の温度を測定した。測定面の平面形状は矩形であり、その寸法は30mm×30mmである。この測定面の中心に位置する20mm×20mmの正方形の領域において、正方形の各頂点及び正方形の中心の5点の温度をサーモカメラで計測した。5点のうち、最も高い温度をT1(℃)とし、最も低い温度をT2(℃)とした。以下のようにして温度ムラを定義した。
温度ムラ(℃)=T1(℃)−T2(℃)
上記実施例1〜7及び比較例1〜4の評価結果を下記の表1に示す。
Figure 2017063778
表1から明らかなように、放熱ファン5を駆動しなかった比較例1に比べ、実施例1〜7によれば、30サイクル目の降温速度も十分高く、かつ温度ムラも小さいことがわかる。また、比較例2では、降温時のみ放熱ファン5を駆動していたが、この場合には、比較例1に比べ、30サイクル目の降温速度は若干速くなっている。しかしながら、やはり30サイクル目の降温速度は、1サイクル目の降温速度より低くなっており、かつ温度ムラも十分ではなかった。実施例1〜4では、0.1mm、0.3mm、0.5mm、1.0mmアルミニウムからなる熱伝導材料層3が積層されていたため、温度ムラを一層効果的に低め得ることがわかる。
なお、実施例4では、アルミニウムからなる熱伝導材料層3の厚みが1.0mmであり、昇温速度及び降温速度は実施例2,3よりも若干低下している。しかしながら、温度ムラは非常に少なく、さらに、昇温速度及び降温速度は、30サイクル経過後も低下していない。
実施例5及び実施例6では、熱伝導材料層3として0.3mmの銅板または銀板を用いていたため、温度ムラを効果的に低減することが可能とされている。もっとも、実施例2と実施例5との対比により、アルミニウムを用いた場合には、銅を用いた場合よりも昇温速度及び降温速度を高め得ることがわかる。
他方、温度ムラの低減には、実施例6のように、銀板を用いることが望ましいことがわかる。
実施例7では、アルミニウムからなる熱伝導材料層の厚みは1.5mmと厚く、その場合においても、1サイクル目の降温速度と30サイクル目の降温速度は等しく、降温速度のサイクル数の経過による低下が生じていない。また、温度ムラは0.5℃と非常に小さい。
比較例3及び4では、0.3mmのアルミニウム板を熱伝導材料層3として用いているが、比較例3では放熱ファン5を駆動していないため、30サイクル目の降温速度の低下が著しい。比較例4においても温度ムラは改善されているものの、やはり30サイクル目の降温速度の低下が見られた。
(実施例8)
厚さ3mmのアルミニウムからなる金属薄板のペルチェ素子側の面に、厚み25μmのグラファイトを積層したことを除いては、実施例2と同様にして温度制御装置を構成した。そして、実施例1〜7及び比較例1〜4と同様に評価した。その結果、1サイクル目及び30サイクル目の昇温速度は11℃/秒であり、1サイクル目及び30サイクル目の降温速度は9℃/秒であった。また、温度ムラは1℃であった。
実施例2と実施例8との対比により、実施例8では、上記グラファイトの積層により、温度ムラをより一層効果的に低減し得ることがわかる。
1,1A…温度制御装置
2…ペルチェ素子
2a,2b…第1,第2の面
3…熱伝導材料層
3A,3B…第1,第2の熱伝導材料層
4…放熱部材
5…放熱ファン
6…温度センサ
7…制御装置
8…ペルチェ素子駆動回路
11…マイクロチップ
12…チップ本体
13〜17…基板
18…導入部
19…排出部
22…第1のマイクロ流路
22a〜22c…マイクロ流路
23a〜23c,33a〜33c,43a〜43c…秤取部
25a〜25c,35a〜35c,45a〜45c…PCR反応部

Claims (7)

  1. マイクロ流路を有するマイクロチップ用の温度制御装置であって、
    対向しあう第1及び第2の面を有するペルチェ素子と、
    前記ペルチェ素子の前記第1の面に配置されており、前記マイクロチップに接触される熱伝導材料層と、
    前記ペルチェ素子の前記第2の面側に配置されている放熱部材と、
    前記放熱部材に気体を供給または前記放熱部材側から気体を吸引する放熱ファンと、
    前記ペルチェ素子を加熱又は冷却駆動し、前記マイクロチップを加熱する期間及び冷却する期間中、前記放熱ファンを駆動し、前記マイクロチップの温度を制御する制御装置とを備える、温度制御装置。
  2. 前記熱伝導材料層が金属板である、請求項1に記載の温度制御装置。
  3. 前記熱伝導材料層の厚みが0.01〜1mmの範囲にある、請求項1または2に記載の温度制御装置。
  4. 前記熱伝導材料層がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる、請求項1〜3に記載の温度制御装置。
  5. 前記マイクロチップが、反応場の容積が0.5〜20μLである複数のPCR反応部を有し、前記複数のPCR反応部の総容積が150μL以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の温度制御装置。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項に記載の温度制御装置と、核酸を含む反応溶液が収容されているPCR反応部を有するマイクロチップとを備える、核酸増幅装置。
  7. 請求項1〜5のいずれか1項に記載の温度制御装置を用いた温度制御方法であって、
    前記温度制御装置により、前記放熱ファンを駆動しつつ、前記ペルチェ素子により前記マイクロチップを加熱する工程と、
    前記放熱ファンを駆動しつつ、前記マイクロチップの温度を所定の温度域に維持する工程と、
    前記放熱ファンを駆動しつつ、前記所定の温度域に前記マイクロチップを所定期間維持した後に、前記ペルチェ素子を駆動し、前記マイクロチップをさらに加熱または冷却する工程とを備える、温度制御方法。
JP2015226506A 2015-05-12 2015-11-19 温度制御装置、核酸増幅装置及び温度制御方法 Pending JP2017063778A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015097326 2015-05-12
JP2015097326 2015-05-12
JP2015197518 2015-10-05
JP2015197518 2015-10-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017063778A true JP2017063778A (ja) 2017-04-06

Family

ID=58490664

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015226506A Pending JP2017063778A (ja) 2015-05-12 2015-11-19 温度制御装置、核酸増幅装置及び温度制御方法
JP2015227009A Pending JP2017063779A (ja) 2015-05-12 2015-11-19 Pcr用温度調節装置及び核酸増幅装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015227009A Pending JP2017063779A (ja) 2015-05-12 2015-11-19 Pcr用温度調節装置及び核酸増幅装置

Country Status (1)

Country Link
JP (2) JP2017063778A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190012687A (ko) * 2017-07-28 2019-02-11 (주)옵토레인 온도 제어 장치 및 이를 포함하는 pcr 장치
CN110888471A (zh) * 2018-09-07 2020-03-17 中兴通讯股份有限公司 一种终端热处理的方法、装置、设备以及存储介质
CN111949055A (zh) * 2020-08-03 2020-11-17 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 微流控培养芯片的独立控温系统及其控温方法
WO2022118487A1 (ja) 2020-12-04 2022-06-09 国立大学法人山口大学 核酸の増幅方法及びサーマルサイクラー
CN117742410A (zh) * 2023-12-26 2024-03-22 首都医科大学附属北京儿童医院 一种温控系统及微流控芯片检测系统

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6936057B2 (ja) * 2017-06-28 2021-09-15 積水化学工業株式会社 マイクロ流体デバイス及び反応システム
US11946100B2 (en) 2018-01-24 2024-04-02 Sniper (Suzhou) Life Technology Co., Ltd. Microdroplet container and method for manufacturing the same, method for spreading microdroplets, microdroplet-generating kit, temperature-controlling device, oil phase composition for microdroplet generating and method for treating the same
CA3188454A1 (en) 2018-01-24 2019-08-01 Sniper (Suzhou) Life Technology Co., Ltd Motion controlling mechanism, liquid discharging nozzle, microdroplet generating device and method, liquid driving mechanism and method, microdroplet generating method, and surface processing method of liquid discharging nozzle
JP2019163949A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 積水化学工業株式会社 マイクロ流体デバイス及び反応システム
CN114322360A (zh) * 2021-11-22 2022-04-12 南方科技大学 一种局部加热器件及其制造方法

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003172736A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Toyo Kohan Co Ltd 化学反応用マイクロチップ
JP2003299485A (ja) * 2002-04-10 2003-10-21 Sekisui Chem Co Ltd 温度制御型マイクロリアクター及びマイクロリアクターシステム
JP2005204592A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Kubota Corp 全自動遺伝子解析システム
JP2006224060A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Yamaha Corp マイクロチップ用の温度制御装置
JP2006223292A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Nagano Prefecture Dna増幅装置
JP2006275723A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Yamaha Corp マイクロチップ用温度制御装置の製造方法
JP2008134199A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Ebara Corp 微小流体デバイス電気泳動方法および装置
JP2008525182A (ja) * 2004-12-22 2008-07-17 ユニバーシティ・オブ・ヴァージニア・パテント・ファウンデーション マイクロデバイスまたはナノスケールデバイスにおける熱用途または非熱用途のためのマイクロ波の使用
JP2008207086A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Hitachi Plant Technologies Ltd マイクロリアクタ
JP2008542683A (ja) * 2005-05-24 2008-11-27 株式会社荏原製作所 マイクロチップ電気泳動方法および装置
JP2009043080A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Canon Inc 温度制御装置及び温度制御方法
JP2009139192A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Sharp Corp バーンイン装置
JP2010099061A (ja) * 2008-09-26 2010-05-06 Sekisui Chem Co Ltd 検出用カートリッジ及び被検出物質の検出方法
US20130115607A1 (en) * 2011-10-21 2013-05-09 Integenx Inc. Sample Preparation, Processing and Analysis Systems
JP2013528359A (ja) * 2010-04-06 2013-07-11 アイティ−アイエス インターナショナル リミテッド 生化学反応システム
JP2013208127A (ja) * 2013-06-06 2013-10-10 Soka Univ マイクロ反応容器及びマイクロ反応容器を用いたポリメラーゼ連鎖反応方法
JP2014515927A (ja) * 2011-05-17 2014-07-07 キヤノン ユー.エス. ライフ サイエンシズ, インコーポレイテッド マイクロ流体デバイス内で外部ヒータ・システムを使用するシステムおよび方法
WO2014196347A1 (ja) * 2013-06-07 2014-12-11 信越化学工業株式会社 熱伝導性複合シート及び放熱構造体

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4705504B2 (ja) * 2006-04-05 2011-06-22 アイダエンジニアリング株式会社 マイクロ流体チップ
JP5556178B2 (ja) * 2007-09-21 2014-07-23 日本電気株式会社 温度制御方法及びシステム
WO2009054473A1 (ja) * 2007-10-26 2009-04-30 Toppan Printing Co., Ltd. 反応チップ及び反応方法、遺伝子処理装置用温度調節機構及び遺伝子処理装置
JP2009109459A (ja) * 2007-11-01 2009-05-21 Konica Minolta Medical & Graphic Inc ピペットチップ、検査システム、ピペット、充填装置
EP2657708A4 (en) * 2010-12-21 2016-09-07 Nec Corp SAMPLE HEATING METHOD AND HEATING CONTROL DEVICE

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003172736A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Toyo Kohan Co Ltd 化学反応用マイクロチップ
JP2003299485A (ja) * 2002-04-10 2003-10-21 Sekisui Chem Co Ltd 温度制御型マイクロリアクター及びマイクロリアクターシステム
JP2005204592A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Kubota Corp 全自動遺伝子解析システム
JP2008525182A (ja) * 2004-12-22 2008-07-17 ユニバーシティ・オブ・ヴァージニア・パテント・ファウンデーション マイクロデバイスまたはナノスケールデバイスにおける熱用途または非熱用途のためのマイクロ波の使用
JP2006223292A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Nagano Prefecture Dna増幅装置
JP2006224060A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Yamaha Corp マイクロチップ用の温度制御装置
JP2006275723A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Yamaha Corp マイクロチップ用温度制御装置の製造方法
JP2008542683A (ja) * 2005-05-24 2008-11-27 株式会社荏原製作所 マイクロチップ電気泳動方法および装置
JP2008134199A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Ebara Corp 微小流体デバイス電気泳動方法および装置
JP2008207086A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Hitachi Plant Technologies Ltd マイクロリアクタ
JP2009043080A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Canon Inc 温度制御装置及び温度制御方法
JP2009139192A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Sharp Corp バーンイン装置
JP2010099061A (ja) * 2008-09-26 2010-05-06 Sekisui Chem Co Ltd 検出用カートリッジ及び被検出物質の検出方法
JP2013528359A (ja) * 2010-04-06 2013-07-11 アイティ−アイエス インターナショナル リミテッド 生化学反応システム
JP2014515927A (ja) * 2011-05-17 2014-07-07 キヤノン ユー.エス. ライフ サイエンシズ, インコーポレイテッド マイクロ流体デバイス内で外部ヒータ・システムを使用するシステムおよび方法
US20130115607A1 (en) * 2011-10-21 2013-05-09 Integenx Inc. Sample Preparation, Processing and Analysis Systems
JP2013208127A (ja) * 2013-06-06 2013-10-10 Soka Univ マイクロ反応容器及びマイクロ反応容器を用いたポリメラーゼ連鎖反応方法
WO2014196347A1 (ja) * 2013-06-07 2014-12-11 信越化学工業株式会社 熱伝導性複合シート及び放熱構造体

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190012687A (ko) * 2017-07-28 2019-02-11 (주)옵토레인 온도 제어 장치 및 이를 포함하는 pcr 장치
KR102001150B1 (ko) 2017-07-28 2019-07-17 (주)옵토레인 온도 제어 장치 및 이를 포함하는 pcr 장치
CN110888471A (zh) * 2018-09-07 2020-03-17 中兴通讯股份有限公司 一种终端热处理的方法、装置、设备以及存储介质
CN111949055A (zh) * 2020-08-03 2020-11-17 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 微流控培养芯片的独立控温系统及其控温方法
WO2022118487A1 (ja) 2020-12-04 2022-06-09 国立大学法人山口大学 核酸の増幅方法及びサーマルサイクラー
CN117742410A (zh) * 2023-12-26 2024-03-22 首都医科大学附属北京儿童医院 一种温控系统及微流控芯片检测系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017063779A (ja) 2017-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017063778A (ja) 温度制御装置、核酸増幅装置及び温度制御方法
US12196460B2 (en) Thermal control device and methods of use
JP4695851B2 (ja) マイクロ化学チップ温度調節装置
Bar-Cohen et al. Thermal management of on-chip hot spot
US8120917B2 (en) Heat dissipation device
WO2016173286A1 (zh) 液冷散热器及电子设备
JP2014204123A (ja) 印刷回路基板一体型熱電冷却器/加熱器
CN106662374A (zh) 包括电阻加热器的热电加热/冷却装置
CN107377023B (zh) 一种可控温微流控芯片的制作方法
US20120061054A1 (en) Distributed cooling of arrayed semi-conductor radiation emitting devices
JP6280519B2 (ja) 電子部品の温度特性評価装置およびそれに用いられる温度制御ユニット
KR101337225B1 (ko) 열전 소자를 이용한 방열 특성 성능 측정 장치 및 그 측정 방법
Chang et al. A novel silicon-based LED packaging module with an integrated temperature sensor
JP4967781B2 (ja) 温度制御装置および温度制御方法
Oprins et al. On-chip liquid cooling with integrated pump technology
JP2007280121A (ja) 温度制御システムおよびその温度制御システムに適用される温度制御装置
Green et al. Passive and active thermal technologies: Modeling and evaluation
JP7229575B1 (ja) 試験装置
US10499461B2 (en) Thermal head with a thermal barrier for integrated circuit die processing
JP2011514663A5 (ja)
JP2004228485A5 (ja)
CN110867397B (zh) 吸引台
JP4559758B2 (ja) 観察装置
JP2006064365A (ja) 温度調節装置
JP2017129507A (ja) 温調器及び温度試験装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180801

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190522

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190611

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190802

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200107