JP2017046260A - 固体撮像素子および電子機器 - Google Patents
固体撮像素子および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017046260A JP2017046260A JP2015168642A JP2015168642A JP2017046260A JP 2017046260 A JP2017046260 A JP 2017046260A JP 2015168642 A JP2015168642 A JP 2015168642A JP 2015168642 A JP2015168642 A JP 2015168642A JP 2017046260 A JP2017046260 A JP 2017046260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- pixels
- unit
- unit pixel
- order
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/47—Image sensors with pixel address output; Event-driven image sensors; Selection of pixels to be read out based on image data
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/779—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【課題】単位画素領域ごとに各画素の画素信号を所定の順番で読み出す場合に、読み出しを制御する配線の本数を削減する、CMOSイメージセンサに適用できる固体撮像素子及び電子機器を提供する。【解決手段】単位画素領域71−1〜71−4は、アレイ状に配置された、複数の画素70から構成される。読み出し回路は、単位画素領域ごとに設けられ、単位画素領域を構成する複数の画素の画素信号を所定の順番で読み出す。垂直方向に隣接する単位画素領域を構成する、読み出す順番が同一である画素どうしの読み出しを制御する画素駆動線は共有される。【選択図】図2
Description
本開示は、固体撮像素子および電子機器に関し、特に、単位画素領域ごとに各画素の画素信号を所定の順番で読み出す場合に、読み出しを制御する配線の本数を削減することができるようにした固体撮像素子および電子機器に関する。
近年、裏面照射型撮像チップと信号処理チップとが積層された撮像素子がある。このような撮像素子において、裏面照射型撮像チップに形成されるアレイ状に配置された画素を、複数の画素からなる単位画素領域に分割し、単位画素領域ごとに各画素の画素信号を所定の順番で読み出すことが考案されている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1の発明は、隣接する単位画素領域内の画素信号を読み出す順番が同一である画素どうしの位置が、その単位画素領域の境界に対して線対称になるように、画素信号の読み出しを制御することにより、単位画素領域の境界における画像の歪みを抑制している。
ところで、特許文献1の発明では、単位画素領域内の各画素に対して、画素信号の読み出しを制御する配線(以下、画素駆動線という)が設けられている。従って、単位画素領域がH(横)×V(縦)(H,Vは自然数)の画素から構成される場合、1つの単位画素領域に必要な画素駆動線はH×V本であり、画素の各行に対して形成される画素駆動線の本数はH本である。よって、単位画素領域内の画素の数の増加に伴い、画素駆動線の本数が増加する。
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、単位画素領域ごとに各画素の画素信号を所定の順番で読み出す場合に、読み出しを制御する配線の本数を削減することができるようにするものである。
本開示の第1の側面の固体撮像素子は、アレイ状に配置された、複数の画素から構成される単位画素領域と、前記単位画素領域ごとに設けられた、前記単位画素領域を構成する前記複数の画素の画素信号を所定の順番で読み出す読み出し回路とを備え、所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する、読み出す順番が同一である前記画素どうしの読み出しを制御する配線は共有されるように構成された固体撮像素子である。
本開示の第1の側面においては、アレイ状に配置された、複数の画素から構成される単位画素領域と、前記単位画素領域ごとに設けられた、前記単位画素領域を構成する前記複数の画素の画素信号を所定の順番で読み出す読み出し回路とが備えられ、所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する、読み出す順番が同一である前記画素どうしの読み出しを制御する配線が共有される。
本開示の第2の側面の電子機器は、アレイ状に配置された、複数の画素から構成される単位画素領域と、前記単位画素領域ごとに設けられた、前記単位画素領域を構成する前記複数の画素の画素信号を所定の順番で読み出す読み出し回路とを備え、所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する、読み出す順番が同一である前記画素どうしの読み出しを制御する配線は共有されるように構成された固体撮像素子を備える電子機器である。
本開示の第2の側面においては、アレイ状に配置された、複数の画素から構成される単位画素領域と、前記単位画素領域ごとに設けられた、前記単位画素領域を構成する前記複数の画素の画素信号を所定の順番で読み出す読み出し回路とが備えられ、所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する、読み出す順番が同一である前記画素どうしの読み出しを制御する配線が共有される。
本開示の第1および第2の側面によれば、撮像することができる。また、本開示の第1の側面によれば、単位画素領域ごとに各画素の画素信号を所定の順番で読み出す場合に、読み出しを制御する配線の本数を削減することができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
以下、本開示を実施するための形態(以下、実施の形態という)について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.第1実施の形態:CMOSイメージセンサ(図1乃至図12)
2.第2実施の形態:撮像装置(図13)
3.CMOSイメージセンサの使用例(図14)
1.第1実施の形態:CMOSイメージセンサ(図1乃至図12)
2.第2実施の形態:撮像装置(図13)
3.CMOSイメージセンサの使用例(図14)
<第1実施の形態>
(CMOSイメージセンサの一実施の形態の構成例)
図1は、本開示を適用した固体撮像素子としてのCMOSイメージセンサの一実施の形態の構成例を示す図である。
(CMOSイメージセンサの一実施の形態の構成例)
図1は、本開示を適用した固体撮像素子としてのCMOSイメージセンサの一実施の形態の構成例を示す図である。
CMOSイメージセンサ50は、画素領域51、画素駆動線52、画素駆動部54、読み出し領域55、読み出し駆動線56、垂直信号線57、読み出し回路駆動部58、カラム処理部59、水平駆動部60、システム制御部61、信号処理部62、およびメモリ部63が、図示せぬシリコン基板等の半導体基板(チップ)に形成されたものである。
CMOSイメージセンサ50の画素領域51には、入射光の光量に応じた電荷量の電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子を有する複数の画素が、アレイ状に2次元配置される。画素領域51に配置された画素は、複数の画素ごとに、単位画素領域51Aに分割される。即ち、画素領域51は、アレイ状に配置された、複数の画素から構成される単位画素領域51Aにより構成される。各画素には、その画素を含む単位画素領域51Aごとに、単位画素領域51A内の各画素の光電変換素子に蓄積された電荷に対応する画素信号が所定の順番で読み出されるように、その画素の画素信号を読み出す順番が設定されている。
画素領域51には、画素に対して、2行ごとに、単位画素領域51A内の水平方向の画素数(列数)だけ画素駆動線52が形成される。画素駆動線52は、対応する2行の画素のうちの読み出す順番が同一である画素ごとに接続され、画素信号の読み出しを制御する。
画素駆動部54は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成される。画素駆動部54は、読み出す順番にしたがって、その読み出す順番の画素に接続された画素駆動線52に信号を供給する。これにより、各単位画素領域51A内の画素の画素信号は、その画素に設定された読み出す順番で、同一の読み出す順番が設定された他の単位画素領域51A内の画素の画素信号と同時に読み出される。読み出された画素信号は、読み出し領域55のうちの、その画素信号に対応する単位画素領域51Aの読み出し回路55Aに出力される。
読み出し領域55には、各単位画素領域51Aの読み出し回路55Aがアレイ状に2次元配置される。読み出し回路55Aは、対応する単位画素領域51A内の画素から出力された画素信号に対して、A/D変換処理、CDS(Correlated Double Sampling)(相関二重サンプリング)処理等の信号処理を行い、一時的に保持する。また、読み出し領域55には、アレイ状の読み出し回路55Aに対して、行ごとに読み出し駆動線56が形成され、列ごとに垂直信号線57が形成される。
読み出し回路駆動部58は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、読み出し領域55の各読み出し回路55Aを行単位等で駆動する。具体的には、読み出し回路駆動部58は、各行を順に選択し、選択行の読み出し駆動線56に選択信号を出力する。これにより、選択行の各読み出し回路55Aに保持された信号処理後の画素信号が読み出され、垂直信号線57に供給される。
カラム処理部59は、読み出し回路55Aの列ごとに信号処理回路を有する。カラム処理部59の各信号処理回路は、選択行の各読み出し回路55Aから垂直信号線57を通して出力される画素信号を一時的に保持する。
水平駆動部60は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、カラム処理部59の信号処理回路を順番に選択する。この水平駆動部60による選択走査により、カラム処理部59の各信号処理回路に保持された画素信号が順番に信号処理部62に出力される。
システム制御部61は、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータ等によって構成され、タイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に画素駆動部54、読み出し回路駆動部58、カラム処理部59、および水平駆動部60を制御する。
信号処理部62は、カラム処理部59から出力される画素信号をフレーム単位で画像としてメモリ部63に格納する。信号処理部62は、メモリ部63に格納されている画像の各画素の画素信号が、所定の閾値以上であるかどうかを判定する。
信号処理部62は、画素領域51内の所定の領域における、全ての画素に対する画素信号が所定の閾値以上である画素の割合が閾値以上である場合、メモリ部63に格納されている画素信号を用いて、所定の閾値以上である画素信号を補正する。信号処理部62は、所定の閾値以上である画素信号が補正された画像を出力する。一方、画素領域51内の所定の領域における、全ての画素に対する画素信号が所定の閾値以上である画素の割合が閾値より小さい場合、信号処理部62は、メモリ部63に格納されている画像をそのまま出力する。
メモリ部63は、DRAM(Dynamic Random Access Memory)やSRAM(Static Random Access Memory)などにより構成される。
(画素領域の第1の構成例)
図2は、図1の画素領域51の第1の構成例を示す図である。
図2は、図1の画素領域51の第1の構成例を示す図である。
なお、図2において、正方形は、画素70を表し、正方形内の数字は、その画素70に設定された読み出す順番を表している。また、同一の単位画素領域51A内の画素70を表す正方形には、同一のハッチが付されている。これらのことは、後述する図3乃至7においても同様である。
図2の例では、画素領域51に、2(横)×2(縦)の単位画素領域51Aである単位画素領域71−1乃至71−4が配置される。単位画素領域71−1は、4×1の画素70からなる画素群72−1−1乃至72−1−4から構成される。即ち、単位画素領域71−1は、4×4の画素70から構成される。
単位画素領域71−2乃至71−4も、単位画素領域71−1と同様に、それぞれ、4×1の画素70からなる画素群72−2−1乃至72−2−4、画素群72−3−1乃至72−3−4、画素群72−4−1乃至72−4−4により構成される。
なお、以下では、単位画素領域71−1乃至71−4を特に区別する必要がない場合、それらをまとめて単位画素領域71という。同様に、画素群72−1−1乃至72−1−4、画素群72−2−1乃至72−2−4、画素群72−3−1乃至72−3−4、および画素群72−4−1乃至72−4−4をまとめて、画素群72という。
垂直方向に隣接する単位画素領域71を構成する各画素群72は、垂直方向に交互に配置される。具体的には、垂直方向に隣接する単位画素領域71−1の各画素群72−1−1乃至72−1−4と、単位画素領域71−2の各画素群72−2−1乃至72−2−4は、先頭から順に、画素群72−1−1、画素群72−2−1、画素群72−1−2、画素群72−2−2、画素群72−1−3、画素群72−2−3、画素群72−1−4、画素群72−2−4となるように配置される。
また、垂直方向に隣接する単位画素領域71−3の各画素群72−3−1乃至72−3−4と、単位画素領域71−4の各画素群72−4−1乃至72−4−4は、先頭から順に、画素群72−3−1、画素群72−4−1、画素群72−3−2、画素群72−4−2、画素群72−3−3、画素群72−4−3、画素群72−3−4、画素群72−4−4となるように配置される。
各画素70の読み出す順番は、以下の第1乃至第3の条件にしたがって設定される。第1の条件は、垂直方向に隣接する単位画素領域71の境界のうちの画素70の2行ごとの境界に隣接する画素70の読み出す順番は、その境界に対して線対称であるという条件である。
第2の条件は、水平方向に隣接する2つの単位画素領域71の各画素70の読み出す順番は、単位画素領域71の境界に対して線対称であるという条件である。第3の条件は、各画素群72を構成する画素70の読み出す順番は、水平方向に連続するという条件である。
ここで、垂直方向に隣接する単位画素領域71−1(71−3)と単位画素領域71−2(71−4)の境界73−1乃至73−7のうちの2行ごとの境界は、境界73−1、境界73−3、境界73−5、境界73−7である。従って、例えば、第1乃至第3の条件にしたがって、境界73−1の直上の画素70の読み出す順番と境界73−1の直下の画素70の読み出す順番は、左から順に1,2,3,4,4,3,2,1に設定される。
即ち、境界73−1の直上の画素70の読み出す順番と境界73−1の直下の画素70の読み出す順番は、左から順に同一であり、境界73−1に対して線対称になっている。また、水平方向に隣接する単位画素領域71−1(71−2)と単位画素領域71−3(71−4)の各画素70の読み出す順番は、単位画素領域71−1(71−2)と単位画素領域71−3(71−4)の境界74側から順に同一であり、境界74に対して線対称になっている。さらに、画素群72−1−1、画素群72−3−1、画素群72−2−1、および画素群72−4−1内の水平方向に並ぶ画素70の読み出す順番は連続している。
以上により、垂直方向に隣接する単位画素領域71を構成する、読み出す順番が同一である画素70どうしは、2行ごとの境界73−1、境界73−3、境界73−5、または境界73−7に対して垂直方向に向き合う。従って、画素駆動線52を、境界73−1、境界73−3、境界73−5、または境界73−7付近に配置することで、この画素70どうしの画素駆動線52を共有化することができる。
例えば、垂直方向に隣接する単位画素領域71−1と単位画素領域71−2、および、単位画素領域71−3と単位画素領域71−4を構成する、読み出す順番が5である画素70どうしの画素駆動線52は共有化することができる。その結果、CMOSイメージセンサ50では、2行ごとに、単位画素領域71を構成する水平方向の画素70の数(図2の例では4)だけ画素駆動線52が形成される。
また、境界73−1、境界73−3、境界73−5、および境界73−7、並びに、境界74を介して隣り合う画素70の読み出す順番が同一になる。従って、単位画素領域71の境界における画像の歪みの発生を防止することができる。
なお、図2では、説明の便宜上、読み出す順番が5である画素70の画素駆動線52についてのみ図示してあるが、読み出す順番が5以外である画素70の画素駆動線52も同様に形成される。このことは、後述する図3、図4、図6、および図7においても同様である。
(画素領域の第2の構成例)
図3は、図1の画素領域51の第2の構成例を示す図である。
図3は、図1の画素領域51の第2の構成例を示す図である。
図3に示す構成のうち、図2の構成と同じ構成には同じ符号を付してある。重複する説明については適宜省略する。
図3の画素領域51の構成は、単位画素領域71を構成する画素群が1×1の画素70からなる16個の画素群である点、および、画素群の配置を除いて、図2の構成と同一である。
具体的には、図3の単位画素領域71−1は、1×1の画素70からなる16個の画素群91−1−1乃至91−1―16から構成される。単位画素領域71−2乃至71−4も、単位画素領域71−1と同様に、それぞれ、1×1の画素70からなる16個の画素群により構成される。なお、以下では、単位画素領域71−1乃至71−4の画素群を特に区別する必要がない場合、それらをまとめて画素群91という。
垂直方向に隣接する単位画素領域71を構成する各画素群91は、水平方向および垂直方向に交互に配置される。即ち、垂直方向に隣接する2つの単位画素領域71の各画素群91は、市松模様状に配置される。
具体的には、垂直方向に隣接する単位画素領域71−1の各画素群91と単位画素領域71−2の各画素群91は、水平方向および垂直方向に交互に配置される。また、垂直方向に隣接する単位画素領域71−3の各画素群91と、単位画素領域71−4の各画素群91は、水平方向および垂直方向に交互に配置される。
図3の画素領域51においても、図2の画素領域51と同様に、上述した第1乃至第3の条件にしたがって、各画素70の読み出す順番が設定される。これにより、図3の画素領域51の各画素70の読み出す順番は、図2の画素領域51の各画素70の読み出す順番と同一になる。
従って、画素駆動線52を、境界73−1、境界73−3、境界73−5、または境界73−7付近に配置することで、垂直方向に隣接する単位画素領域71を構成する、読み出す順番が同一である画素70どうしの読み出しを制御する画素駆動線52を共有化することができる。その結果、CMOSイメージセンサ50では、2行ごとに、単位画素領域71を構成する水平方向の画素70の数(図3の例では4)だけ画素駆動線52が形成される。
また、境界73−1、境界73−3、境界73−5、および境界73−7、並びに、境界74を介して隣り合う画素70の読み出す順番が同一になるので、単位画素領域71の境界における画像の歪みの発生を防止することができる。
(画素領域の第3の構成例)
図4は、図1の画素領域51の第3の構成例を示す図である。
図4は、図1の画素領域51の第3の構成例を示す図である。
図4に示す構成のうち、図3の構成と同じ構成には同じ符号を付してある。重複する説明については適宜省略する。
図4の画素領域51の構成は、単位画素領域71を構成する画素群が2×2の画素70からなる4個の画素群である点を除いて、図3の構成と同一である。
具体的には、図4の単位画素領域71−1は、2×2の画素70からなる画素群111−1−1乃至111−1−4から構成される。単位画素領域71−2乃至71−4も、単位画素領域71−1と同様に、それぞれ、2×2の画素70からなる画素群111−2−1乃至111−2−4、画素群111−3−1乃至111−3−4、画素群111−4−1乃至111−4−4により構成される。
なお、以下では、画素群111−1−1乃至111−1−4、画素群111−2−1乃至111−2−4、画素群111−3−1乃至111−3−4、および画素群111−4−1乃至111−4−4を特に区別する必要がない場合、それらをまとめて、画素群111という。
垂直方向に隣接する単位画素領域71を構成する各画素群111は、図3の各画素群91と同様に、水平方向および垂直方向に交互に配置される。
また、図4の画素領域51においても、図3の画素領域51と同様に、上述した第1乃至第3の条件にしたがって、各画素70の読み出す順番が設定される。なお、図4の例では、垂直方向に隣接する単位画素領域71の全ての境界112−1乃至112−3は2行ごとに存在する。従って、全ての境界112−1乃至112−3に隣接する各画素70の読み出す順番が、その境界112−1乃至112−3に対して線対称になる。
よって、例えば、境界112−1の直上の画素70の読み出す順番と境界112−1の直下の画素70の読み出す順番は、左から順に3,4,5,6,6,5,4,3に設定される。
即ち、境界112−1の直上の画素70の読み出す順番と境界112−1の直下の画素70の読み出す順番は、左から順に同一であり、境界112−1に対して線対称になっている。また、水平方向に隣接する単位画素領域71−2(71−1)と単位画素領域71−3(71−4)の各画素70の読み出す順番は、単位画素領域71−2(71−1)と単位画素領域71−3(71−4)の境界74側から順に同一であり、境界74に対して線対称になっている。
さらに、画素群111−1−1、画素群111−2−1、画素群111−3−1、画素群111−4−1、画素群111−2−2、画素群111−1−2、画素群111−4−2、および画素群111−3−2内の水平方向に並ぶ画素70の読み出す順番は連続している。
以上により、垂直方向に隣接する単位画素領域71を構成する、読み出す順番が同一である画素70どうしは、2行ごとの境界112−1乃至112−3に対して垂直方向に向き合う。従って、画素駆動線52を、境界112−1乃至112−3付近に配置することで、この画素70どうしの画素駆動線52を共有化することができる。その結果、CMOSイメージセンサ50では、2行ごとに、単位画素領域71を構成する水平方向の画素70の数(図4の例では4)だけ画素駆動線52が形成される。
また、境界112−1乃至112−3、並びに、境界74を介して隣り合う画素70の読み出す順番が同一になる。従って、単位画素領域71の境界における画像の歪みの発生を防止することができる。
(画素領域の第4の構成例)
図5は、図1の画素領域51の第4の構成例を示す図である。
図5は、図1の画素領域51の第4の構成例を示す図である。
図5に示す構成のうち、図4の構成と同じ構成には同じ符号を付してある。重複する説明については適宜省略する。
図5の画素領域51の構成は、1つの画素群111から単位画素領域51Aが構成される点、および、各画素70の読み出す順番の設定条件を除いて、図4の構成と同一である。
具体的には、図5の画素領域51には、2×2の単位画素領域51Aである単位画素領域131−1乃至131−4が配置される。単位画素領域131−1は1つの画素群111−1−1により構成される。即ち、単位画素領域131−1は、2×2の画素70から構成される。
単位画素領域131−2乃至131−4も、単位画素領域131−1と同様に、それぞれ、1つの画素群111−2−1、画素群111−3−1、画素群111−4−1により構成される。なお、以下では、単位画素領域131−1乃至131−4を特に区別する必要がない場合、それらをまとめて単位画素領域131という。
各画素70の読み出す順番は、上述した第1の条件および第2の条件にしたがって設定される。従って、例えば、第1および第2の条件にしたがって、垂直方向に隣接する単位画素領域131−1と単位画素領域131−2の境界132の直上の画素70の読み出す順番と境界132の直下の画素70の読み出す順番は、左から順に4,2,2,4に設定される。
即ち、境界132の直上の画素70の読み出す順番と境界132の直下の画素70の読み出す順番は、左から順に同一であり、境界132に対して線対称になっている。また、水平方向に隣接する単位画素領域131−1(131−2)と単位画素領域131−3(131−4)の各画素70の読み出す順番は、単位画素領域131−1(131−2)と単位画素領域131−3(131−4)の境界133側から順に同一であり、境界133に対して線対称になっている。
以上により、垂直方向に隣接する単位画素領域131を構成する、読み出す順番が同一である画素70どうしは、境界132に対して垂直方向に向き合う。従って、画素駆動線52を境界132付近に配置することで、この画素70どうしの画素駆動線52を共有化することができる。その結果、CMOSイメージセンサ50では、2行ごとに、単位画素領域131を構成する水平方向の画素70の数(図5の例では2)だけ画素駆動線52が形成される。
また、境界132および境界133を介して隣り合う画素70の読み出す順番が同一になる。従って、単位画素領域131の境界における画像の歪みの発生を防止することができる。
なお、図5では、説明の便宜上、読み出す順番が4である画素70の画素駆動線52についてのみ図示してあるが、読み出す順番が4以外である画素70の画素駆動線52も同様に形成される。
また、図5の画素領域51における各画素70の読み出す順番の設定条件には、第1および第2の条件だけでなく、第3の条件も含まれるようにしてもよい。
(画素領域の第5の構成例)
図6は、図1の画素領域51の第5の構成例を示す図である。
図6は、図1の画素領域51の第5の構成例を示す図である。
図6に示す構成のうち、図4の構成と同じ構成には同じ符号を付してある。重複する説明については適宜省略する。
図6の画素領域51の構成は、各画素70の読み出す順番の設定条件を除いて、図4の構成と同一である。
具体的には、図6の画素領域51では、各画素70の読み出す順番が、上述した第2および第3の条件、並びに、新たな第4の条件にしたがって設定される。第4の条件は、垂直方向に隣接する単位画素領域71の境界のうちの画素70の2行ごとの境界112−1乃至112−3を挟んで隣接する画素70の読み出す順番は、その境界112−1乃至112−3に対して非線対称であるが、単位画素領域71ごとに同一である。
従って、例えば、境界112−1の直上の画素70の読み出す順番は、左から順に、3,4,6,5,5,6,4,3に設定される。一方、境界112−1の直下の画素70の読み出す順番は、左から順に、4,3,5,6,6,5,3,4に設定される。
即ち、境界112−1の直上の画素70の読み出す順番と境界112−1の直下の画素70の読み出す順番は、左から順に同一ではなく、境界112−1に対して非線対称になっている。
また、境界112−1の直上の画素70のうちの単位画素領域71−1(71−4)内の2つの画素70の読み出す順番と、その画素70と境界112−1を挟んで隣接する単位画素領域71−2(71−3)内の2つの画素70の読み出す順番は、両方とも3と4である。
同様に、境界112−1の直上の画素70のうちの単位画素領域71−2(71−3)内の2つの画素70の読み出す順番と、その画素70と境界112−1を挟んで隣接する単位画素領域71−1(71−4)内の2つの画素70の読み出す順番は、両方とも5と6である。
また、水平方向に隣接する単位画素領域71−2(71−1)と単位画素領域71−3(71−4)の各画素70の読み出す順番は、単位画素領域71−2(71−1)と単位画素領域71−3(71−4)の境界74から順に同一であり、境界74に対して線対称になっている。
さらに、画素群111−1−1、画素群111−1−2、画素群111−2−1、画素群111−2−2、画素群111−3−1、画素群111−3−2、および画素群111−4−1、画素群111−4−2内の水平方向に並ぶ画素70の読み出す順番は連続している。
以上により、垂直方向に隣接する単位画素領域71を構成する、読み出す順番が同一である画素70どうしは、同一の2行ごとの境界112−1乃至112−3に隣接する。従って、画素駆動線52を、境界112−1乃至112−3付近に配置することで、この画素70どうしの画素駆動線52を共有化することができる。その結果、CMOSイメージセンサ50では、2行ごとに、単位画素領域71を構成する水平方向の画素70の数(図6の例では4)だけ画素駆動線52が形成される。
(画素領域の第6の構成例)
図7は、図1の画素領域51の第6の構成例を示す図である。
図7は、図1の画素領域51の第6の構成例を示す図である。
図7に示す構成のうち、図2の構成と同じ構成には同じ符号を付してある。重複する説明については適宜省略する。
図7の画素領域51の構成は、各画素70の読み出す順番の設定条件を除いて、図4の構成と同一である。
具体的には、図7の画素領域51では、各画素70の読み出す順番が、上述した第4の条件と新たな第5の条件にしたがって設定される。第5の条件は、水平方向に隣接する2つの単位画素領域71の各画素70の読み出す順番は、単位画素領域71の境界74に対して非線対称であるが、その境界74を挟んで隣接する画素70の読み出す順番は、単位画素領域71ごとに同一である。
従って、例えば、境界73−3の直上の画素70の読み出す順番は、左から順に、5,6,7,8,8,5,6,7に設定される。一方、境界73−3の直下の画素70の読み出す順番は、左から順に、7,8,5,6,6,7,8,5に設定される。
即ち、境界73−3の直上の画素70の読み出す順番と境界73−3の直下の画素70の読み出す順番は、左から順に同一ではなく、境界73−1に対して非線対称になっている。また、境界73−3の直上の画素70のうちの単位画素領域71−1(71−3)内の4つの画素70の読み出す順番と、境界73−3の直下の画素70のうちの単位画素領域71−2(71−4)内の4つの画素70の読み出す順番は、両方とも、5乃至8である。
また、水平方向に隣接する単位画素領域71−1(71−2)と単位画素領域71−3(71−4)の各画素70の読み出す順番は、単位画素領域71−1(71−2)と単位画素領域71−3(71−4)の境界74から順に同一ではなく、境界74に対して非線対称になっている。境界74の左の画素70のうちの単位画素領域71−1(71−2)内の4つの画素70の読み出す順番と、境界74の右の画素70のうちの単位画素領域71−3(71−4)内の4つの画素70の読み出す順番は、両方とも、5乃至8である。
さらに、画素群72−1−2、画素群72−2−2、画素群72−3−2、および画素群72−4−2内の水平方向に並ぶ画素70の読み出す順番は連続していない。
以上により、垂直方向に隣接する単位画素領域71を構成する、読み出す順番が同一である画素70どうしは、同一の2行ごとの境界73−1,73−3,73−5、または73−7に隣接する。従って、画素駆動線52を、境界73−1,73−3,73−5、または73−7付近に配置することで、この画素70どうしの画素駆動線52を共有化することができる。その結果、CMOSイメージセンサ50では、2行ごとに、単位画素領域71を構成する水平方向の画素70の数(図7の例では4)だけ画素駆動線52が形成される。
(信号処理部による補正の説明)
図8乃至図10は、図1の信号処理部62による補正を説明する図である。
図8乃至図10は、図1の信号処理部62による補正を説明する図である。
なお、図8乃至図10では、画素領域51の構成が図5に示した構成である場合について説明するが、図2乃至図4、図6、および図7に示した構成である場合についても同様である。図8において、図5と同一のものには同一の符号を付してある。
また、図8において、正方形は、画素70を表し、正方形内の数字は、その画素70に設定された読み出す順番を表している。また、正方形に付された斜線、水玉、縦縞、格子は、それぞれ、その正方形が表す画素70が有するカラーフィルタの色が赤(R)、緑(Gr)、緑(Gb)、青(B)であることを表す。
図8Aに示すように、画素領域51に配置される画素70が有するカラーフィルタの色の配列は、ベイヤ配列である。具体的には、画素70のカラーフィルタの色は、2(横)×2(縦)の画素70ごとに、左上、右上、左下、右下の順に、R、Gr、Gb、Bである。
従って、図8Aに示すように、画素領域51内の全ての単位画素領域131のそれぞれを構成する、読み出す順番が同一である画素70のカラーフィルタの色には、画素70のカラーフィルタの色として割り当て可能なR,Gr,Gb、およびBの全てが含まれる。
よって、図8Bに示すように、例えば、読み出す順番が2である画素70の画素信号の読み出し中にフラッシュ等による白色光が画素70に照射された場合、読み出す順番が3以降である画素70において、その白色光の全ての色の画素信号を取得することができる。
信号処理部62は、このようにして取得された各画素70のR,Gr,GbまたはBの画素信号に基づいて補間を行うことにより、全ての画素70のR,Gr,GbおよびBの画素信号を画像として生成する。従って、画像には、白色光の白色が含まれ、カラーアーティファクトは発生しない。
これに対して、図9Aに示すように、画素領域51の代わりに、各単位画素領域131内の読み出す順番が同一である画素70のカラーフィルタの色が同一である画素領域150が設けられる場合、読み出す順番が2である画素70の読み出し中にフラッシュ等による白色光が画素70に照射されると、カラーアーティファクトが発生する。
即ち、図9Bに示すように、読み出す順番が2である画素70の画素信号の読み出し中にフラッシュ等による白色光が画素70に照射されると、読み出す順番が3以降である画素70において、その白色光のうちのGbおよびBの画素信号のみが取得される。その結果、信号処理部62により生成された画像には、白色光に対応する白色のうちのGbおよびBのみが含まれる。よって、カラーアーティファクトが発生する。
以上のように、画素領域51では、全ての画素70の画素信号の読み出し中にフラッシュ等による白色光が画素70に照射された場合、画像に白色光に対応する白色が含まれ、カラーアーティファクトは発生しない。しかしながら、白色光に対応する白色により、所定の閾値以上である画素信号がパタン状に発生し得る可能性がある。
従って、信号処理部62は、画素領域51内の所定の領域における、全ての画素70に対する、画素信号が所定の閾値以上である画素70の割合が閾値以上である場合、フラッシュ光により所定の閾値以上である画素信号がパタン状に発生していると判断する。そして、信号処理部62は、メモリ部63に格納されている画素信号を用いて、所定の閾値以上である画素信号を補正する。補正方法としては、例えば、以下の第1の方法および第2の方法がある。
第1の方法は、図10に示すように、画素信号が所定の閾値以上である画素70の、その所定の閾値以上である画素信号より時間的に前および後の少なくとも一方の所定の閾値より小さい画素信号を用いて、その所定の閾値以上である画素信号を補正する方法である。第1の方法では、例えば、nフレーム目の画像201の所定の閾値以上である画素信号211が、その画素信号211に対応する画素70の、n−1フレーム目の画像202内の所定の閾値より小さい画素信号212と、n+1フレーム目の画像203内の所定の閾値より小さい画素信号213とを用いて補正される。なお、図10において、正方形は、各画素70の画素信号を表している。このことは、後述する図11においても同様である。
第1の方法による補正は、CMOSイメージセンサ50により撮像される画像が動画像である場合に行うことができる。第1の方法による補正では、補正後の解像度を補正前の解像度と同一の解像度にすることができる。
第2の方法は、図11に示すように、所定の閾値以上である画素信号に対応する画素70の周辺の画素70の所定の閾値より小さい画素信号を用いて所定の閾値以上である画素信号を補正する方法である。即ち、第2の方法では、画像230内の所定の閾値以上である画素信号231が、その画素信号231に対応する画素70の周辺の画素70の所定の閾値より小さい画素信号(図11の例では、上下左右の画素70の画素信号241乃至244)を用いて補正される。
第2の方法による補正は、CMOSイメージセンサ50により撮像される画像が動画像であっても、静止画像であっても行うことができる。第2の方法による補正では、補正後の解像度は、補正前の解像度に比べて低下する。
以上のように、CMOSイメージセンサ50では、垂直方向に隣接する単位画素領域71(131)を構成する、読み出す順番が同一である画素70どうしの画素駆動線52が共有される。従って、画素70ごとに画素駆動線52が形成される場合に比べて、画素駆動線52の本数を削減することができる。例えば、単位画素領域71(131)がH(横)×V(縦)画素から構成される場合、1つの単位画素領域71(131)に必要な画素駆動線52はHxV/2本であり、画素70の1行あたりの画素駆動線52の本数はH/2本となる。
(CMOSイメージセンサの各部の配置例)
図12は、図1のCMOSイメージセンサ50の各部の配置例を示す図である。
図12は、図1のCMOSイメージセンサ50の各部の配置例を示す図である。
図12に示すように、CMOSイメージセンサ50は、半導体基板264(第1のチップ)と半導体基板265(第2のチップ)が積層されることにより形成される。半導体基板264には、画素領域51が形成され、半導体基板265には、制御回路271とロジック回路272が形成される。半導体基板264と半導体基板265は、単位画素領域71(131)ごとに接続される。
制御回路271は、画素駆動部54、読み出し領域55、読み出し駆動線56、垂直信号線57、読み出し回路駆動部58、カラム処理部59、水平駆動部60、およびシステム制御部61からなる回路であり、ロジック回路272は、信号処理部62およびメモリ部63からなる回路である。
なお、図12の例では、制御回路271とロジック回路272が同一の半導体基板265に形成されたが、異なる半導体基板に形成されるようにしてもよい。
<第2実施の形態>
(撮像装置の一実施の形態の構成例)
図13は、本開示を適用した電子機器としての撮像装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
(撮像装置の一実施の形態の構成例)
図13は、本開示を適用した電子機器としての撮像装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
図13の撮像装置1000は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ等である。撮像装置1000は、レンズ群1001、固体撮像素子1002、DSP回路1003、フレームメモリ1004、表示部1005、記録部1006、操作部1007、および電源部1008からなる。DSP回路1003、フレームメモリ1004、表示部1005、記録部1006、操作部1007、および電源部1008は、バスライン1009を介して相互に接続されている。
レンズ群1001は、被写体からの入射光(像光)を取り込んで固体撮像素子1002の撮像面上に結像する。固体撮像素子1002は、上述したCMOSイメージセンサ50からなる。固体撮像素子1002は、レンズ群1001によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号としてDSP回路1003に供給する。
DSP回路1003は、固体撮像素子1002から供給される画素信号に対して所定の画像処理を行い、画像処理後の画像信号をフレーム単位でフレームメモリ1004に供給し、一時的に記憶させる。
表示部1005は、例えば、液晶パネルや有機EL(Electro Luminescence)パネル等のパネル型表示装置からなり、フレームメモリ1004に一時的に記憶されたフレーム単位の画素信号に基づいて、画像を表示する。
記録部1006は、DVD(Digital Versatile Disk)、フラッシュメモリ等からなり、フレームメモリ1004に一時的に記憶されたフレーム単位の画素信号を読み出し、記録する。
操作部1007は、ユーザによる操作の下に、撮像装置1000が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部1008は、電源を、DSP回路1003、フレームメモリ1004、表示部1005、記録部1006、および操作部1007に対して適宜供給する。
本技術を適用する電子機器は、画像取込部(光電変換部)にCMOSイメージセンサ50を用いる装置であればよく、撮像装置1000のほか、撮像機能を有する携帯端末装置、画像読取部にCMOSイメージセンサ50を用いる複写機などがある。
<CMOSイメージセンサの使用例>
図14は、上述のCMOSイメージセンサ50を使用する使用例を示す図である。
図14は、上述のCMOSイメージセンサ50を使用する使用例を示す図である。
上述したCMOSイメージセンサ50は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、他の効果があってもよい。
また、本開示の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
例えば、単位画素領域51Aを構成する画素群の数は1以上であれば、任意の数にすることができる。また、画素群を構成する画素の数は1以上であれば、任意の数にすることができる。さらに、画素領域51を構成する単位画素領域51Aの数は、2以上であれば、任意の数にすることができる。
なお、本開示は、以下のような構成もとることができる。
(1)
アレイ状に配置された、複数の画素から構成される単位画素領域と、
前記単位画素領域ごとに設けられた、前記単位画素領域を構成する前記複数の画素の画素信号を所定の順番で読み出す読み出し回路と
を備え、
所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する、読み出す順番が同一である前記画素どうしの読み出しを制御する配線は共有される
ように構成された
固体撮像素子。
(2)
前記複数の画素は、1行または2行の画素から構成される1以上の画素群である
ように構成された
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記複数の画素が複数の前記画素群である場合、前記所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する各画素群は交互に配置される
ように構成された
前記(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記所定の方向に隣接する前記単位画素領域の境界のうちの、前記画素の2行ごとの境界に隣接する前記画素の前記読み出す順番は、前記単位画素領域ごとに同一である
ように構成された
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記所定の方向に隣接する前記単位画素領域の境界のうちの、前記画素の2行ごとの境界に隣接する前記画素の前記読み出す順番は、その境界に対して線対称になる
ように構成された
前記(4)に記載の固体撮像素子。
(6)
全ての前記単位画素領域内の前記読み出す順番が同一である前記画素が有するカラーフィルタの色には、前記カラーフィルタの色として割り当て可能な全ての色が含まれる
ように構成された
前記(1)乃至(5)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(7)
前記画素信号が、所定の閾値以上である場合、前記画素信号を補正する補正部
をさらに備える
前記(6)に記載の固体撮像素子。
(8)
前記補正部は、所定の領域内の全ての前記画素に対する、前記画素信号が前記所定の閾値以上である前記画素の割合が閾値以上である場合、前記所定の閾値以上である画素信号を補正する
ように構成された
前記(7)に記載の固体撮像素子。
(9)
前記補正部は、前記所定の閾値以上である画素信号に対応する前記画素の、その画素信号より時間的に前および後の少なくとも一方の画素信号を用いて、前記所定の閾値以上である画素信号を補正する
ように構成された
前記(8)に記載の固体撮像素子。
(10)
前記補正部は、前記所定の閾値以上である画素信号に対応する前記画素の周辺の前記画素の前記画素信号を用いて、前記所定の閾値以上である画素信号を補正する
ように構成された
前記(8)に記載の固体撮像素子。
(11)
前記単位画素領域は第1のチップに形成され、
前記読み出し回路は第2のチップに形成され、
前記第1のチップと前記第2のチップは、前記単位画素領域ごとに接続する
ように構成された
前記(1)乃至(10)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(12)
アレイ状に配置された、複数の画素から構成される単位画素領域と、
前記単位画素領域ごとに設けられた、前記単位画素領域を構成する前記複数の画素の画素信号を所定の順番で読み出す読み出し回路と
を備え、
所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する、読み出す順番が同一である前記画素どうしの読み出しを制御する配線は共有される
ように構成された
固体撮像素子
を備える電子機器。
アレイ状に配置された、複数の画素から構成される単位画素領域と、
前記単位画素領域ごとに設けられた、前記単位画素領域を構成する前記複数の画素の画素信号を所定の順番で読み出す読み出し回路と
を備え、
所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する、読み出す順番が同一である前記画素どうしの読み出しを制御する配線は共有される
ように構成された
固体撮像素子。
(2)
前記複数の画素は、1行または2行の画素から構成される1以上の画素群である
ように構成された
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記複数の画素が複数の前記画素群である場合、前記所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する各画素群は交互に配置される
ように構成された
前記(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記所定の方向に隣接する前記単位画素領域の境界のうちの、前記画素の2行ごとの境界に隣接する前記画素の前記読み出す順番は、前記単位画素領域ごとに同一である
ように構成された
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記所定の方向に隣接する前記単位画素領域の境界のうちの、前記画素の2行ごとの境界に隣接する前記画素の前記読み出す順番は、その境界に対して線対称になる
ように構成された
前記(4)に記載の固体撮像素子。
(6)
全ての前記単位画素領域内の前記読み出す順番が同一である前記画素が有するカラーフィルタの色には、前記カラーフィルタの色として割り当て可能な全ての色が含まれる
ように構成された
前記(1)乃至(5)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(7)
前記画素信号が、所定の閾値以上である場合、前記画素信号を補正する補正部
をさらに備える
前記(6)に記載の固体撮像素子。
(8)
前記補正部は、所定の領域内の全ての前記画素に対する、前記画素信号が前記所定の閾値以上である前記画素の割合が閾値以上である場合、前記所定の閾値以上である画素信号を補正する
ように構成された
前記(7)に記載の固体撮像素子。
(9)
前記補正部は、前記所定の閾値以上である画素信号に対応する前記画素の、その画素信号より時間的に前および後の少なくとも一方の画素信号を用いて、前記所定の閾値以上である画素信号を補正する
ように構成された
前記(8)に記載の固体撮像素子。
(10)
前記補正部は、前記所定の閾値以上である画素信号に対応する前記画素の周辺の前記画素の前記画素信号を用いて、前記所定の閾値以上である画素信号を補正する
ように構成された
前記(8)に記載の固体撮像素子。
(11)
前記単位画素領域は第1のチップに形成され、
前記読み出し回路は第2のチップに形成され、
前記第1のチップと前記第2のチップは、前記単位画素領域ごとに接続する
ように構成された
前記(1)乃至(10)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(12)
アレイ状に配置された、複数の画素から構成される単位画素領域と、
前記単位画素領域ごとに設けられた、前記単位画素領域を構成する前記複数の画素の画素信号を所定の順番で読み出す読み出し回路と
を備え、
所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する、読み出す順番が同一である前記画素どうしの読み出しを制御する配線は共有される
ように構成された
固体撮像素子
を備える電子機器。
50 CMOSイメージセンサ, 52 画素駆動線, 55A 読み出し回路, 62 信号処理部, 70 画素, 71−1乃至71−4 単位画素領域, 72−1−1乃至72−1−4,72−2−1乃至72−2−4,72−3−1乃至72−3−4,72−4−1乃至72−4−4 画素群,73−1乃至73−7 境界, 91−1−1乃至91−1−16 画素群, 111−1−1乃至111−1−4,111−2−1乃至111−2−4,111−3−1乃至111−3−4,111−4−1乃至111−4−4 画素群, 131−1乃至131−4 単位画素領域, 211乃至213 画素信号, 231,241乃至244 画素信号, 264,265 半導体基板, 1000 撮像装置, 1002 固体撮像素子
Claims (12)
- アレイ状に配置された、複数の画素から構成される単位画素領域と、
前記単位画素領域ごとに設けられた、前記単位画素領域を構成する前記複数の画素の画素信号を所定の順番で読み出す読み出し回路と
を備え、
所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する、読み出す順番が同一である前記画素どうしの読み出しを制御する配線は共有される
ように構成された
固体撮像素子。 - 前記複数の画素は、1行または2行の画素から構成される1以上の画素群である
ように構成された
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記複数の画素が複数の前記画素群である場合、前記所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する各画素群は交互に配置される
ように構成された
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記所定の方向に隣接する前記単位画素領域の境界のうちの、前記画素の2行ごとの境界に隣接する前記画素の前記読み出す順番は、前記単位画素領域ごとに同一である
ように構成された
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記所定の方向に隣接する前記単位画素領域の境界のうちの、前記画素の2行ごとの境界に隣接する前記画素の前記読み出す順番は、その境界に対して線対称になる
ように構成された
請求項4に記載の固体撮像素子。 - 全ての前記単位画素領域内の前記読み出す順番が同一である前記画素が有するカラーフィルタの色には、前記カラーフィルタの色として割り当て可能な全ての色が含まれる
ように構成された
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記画素信号が、所定の閾値以上である場合、前記画素信号を補正する補正部
をさらに備える
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記補正部は、所定の領域内の全ての前記画素に対する、前記画素信号が前記所定の閾値以上である前記画素の割合が閾値以上である場合、前記所定の閾値以上である画素信号を補正する
ように構成された
請求項7に記載の固体撮像素子。 - 前記補正部は、前記所定の閾値以上である画素信号に対応する前記画素の、その画素信号より時間的に前および後の少なくとも一方の画素信号を用いて、前記所定の閾値以上である画素信号を補正する
ように構成された
請求項8に記載の固体撮像素子。 - 前記補正部は、前記所定の閾値以上である画素信号に対応する前記画素の周辺の前記画素の前記画素信号を用いて、前記所定の閾値以上である画素信号を補正する
ように構成された
請求項8に記載の固体撮像素子。 - 前記単位画素領域は第1のチップに形成され、
前記読み出し回路は第2のチップに形成され、
前記第1のチップと前記第2のチップは、前記単位画素領域ごとに接続する
ように構成された
請求項1に記載の固体撮像素子。 - アレイ状に配置された、複数の画素から構成される単位画素領域と、
前記単位画素領域ごとに設けられた、前記単位画素領域を構成する前記複数の画素の画素信号を所定の順番で読み出す読み出し回路と
を備え、
所定の方向に隣接する前記単位画素領域を構成する、読み出す順番が同一である前記画素どうしの読み出しを制御する配線は共有される
ように構成された
固体撮像素子
を備える電子機器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015168642A JP2017046260A (ja) | 2015-08-28 | 2015-08-28 | 固体撮像素子および電子機器 |
PCT/JP2016/073712 WO2017038428A1 (ja) | 2015-08-28 | 2016-08-12 | 固体撮像素子および電子機器 |
US15/753,100 US10373990B2 (en) | 2015-08-28 | 2016-08-12 | Solid-state imaging element and electronic apparatus with unit pixel regions, a readout circuit for each of the unit pixel regions, and a compensation unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015168642A JP2017046260A (ja) | 2015-08-28 | 2015-08-28 | 固体撮像素子および電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017046260A true JP2017046260A (ja) | 2017-03-02 |
Family
ID=58187450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015168642A Pending JP2017046260A (ja) | 2015-08-28 | 2015-08-28 | 固体撮像素子および電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10373990B2 (ja) |
JP (1) | JP2017046260A (ja) |
WO (1) | WO2017038428A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2022019025A1 (ja) * | 2020-07-20 | 2022-01-27 | ||
CN115207005A (zh) * | 2021-04-01 | 2022-10-18 | 采钰科技股份有限公司 | 固态影像感测器 |
WO2023105935A1 (ja) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4378137B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 読み出し回路、固体撮像装置、及びこれを用いたカメラシステム |
US7944482B2 (en) * | 2006-07-28 | 2011-05-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Pixel information readout method and image pickup apparatus |
JP2013090238A (ja) | 2011-10-20 | 2013-05-13 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 撮像装置及びホワイトバランス調整方法 |
JP6343870B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2018-06-20 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP6192469B2 (ja) | 2013-10-01 | 2017-09-06 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
JP6256054B2 (ja) | 2014-01-31 | 2018-01-10 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及び撮像装置 |
-
2015
- 2015-08-28 JP JP2015168642A patent/JP2017046260A/ja active Pending
-
2016
- 2016-08-12 US US15/753,100 patent/US10373990B2/en active Active
- 2016-08-12 WO PCT/JP2016/073712 patent/WO2017038428A1/ja active Application Filing
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2022019025A1 (ja) * | 2020-07-20 | 2022-01-27 | ||
WO2022019025A1 (ja) * | 2020-07-20 | 2022-01-27 | ソニーグループ株式会社 | 情報処理装置、情報処理システム、情報処理方法、及び情報処理プログラム |
JP7695642B2 (ja) | 2020-07-20 | 2025-06-19 | ソニーグループ株式会社 | 情報処理装置、情報処理システム、情報処理方法、及び情報処理プログラム |
CN115207005A (zh) * | 2021-04-01 | 2022-10-18 | 采钰科技股份有限公司 | 固态影像感测器 |
WO2023105935A1 (ja) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10373990B2 (en) | 2019-08-06 |
WO2017038428A1 (ja) | 2017-03-09 |
US20180240823A1 (en) | 2018-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7264187B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器 | |
US10498983B2 (en) | Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
TWI684363B (zh) | 圖像感測器、讀出控制方法、及電子機器 | |
US20170358614A1 (en) | Solid-state imaging device and electronic apparatus | |
JP2017183563A (ja) | 撮像装置、駆動方法、および、電子機器 | |
KR20230042395A (ko) | 이미지 센서 및 전자 기기 | |
JP7118893B2 (ja) | 撮像素子および撮像方法、並びに電子機器 | |
JP2012195921A (ja) | 固体撮像素子およびカメラシステム | |
KR102325497B1 (ko) | 촬상 소자 및 촬상 장치 | |
JP6891119B2 (ja) | 固体撮像素子及び電子機器 | |
US11387267B2 (en) | Image sensor, focus adjustment device, and imaging device | |
WO2016125601A1 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
JP7011240B2 (ja) | 撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 | |
WO2017038428A1 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
WO2016084629A1 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
JP2014183064A (ja) | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 | |
US20190141256A1 (en) | Solid-state image pickup element and electronic apparatus | |
JP2016139898A (ja) | 撮像装置、撮像方法、並びに電子機器 | |
JP2016187071A (ja) | 撮像素子、データ出力方法、および電子機器 | |
WO2016208416A1 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
JP2018007076A (ja) | 撮像装置および画像処理装置 | |
JP2018078405A (ja) | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、及び、電子機器 | |
US20250131527A1 (en) | Imaging element, imaging device, and imaging method | |
WO2016190127A1 (ja) | イメージセンサ、処理方法、及び、電子機器 | |
WO2020039909A1 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 |