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JP2016521300A - 硬化性組成物 - Google Patents

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JP2016521300A JP2016506247A JP2016506247A JP2016521300A JP 2016521300 A JP2016521300 A JP 2016521300A JP 2016506247 A JP2016506247 A JP 2016506247A JP 2016506247 A JP2016506247 A JP 2016506247A JP 2016521300 A JP2016521300 A JP 2016521300A
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Abstract

本発明は、硬化性組成物及びその用途に関する。本発明の硬化性組成物は、加工性及び作業性などに優れ、表面べたつきがなく、接着性に優れた硬化体を提供することができる。本発明の硬化性組成物は、耐熱性、耐クラック性及びガス透過性などに優れている。本発明の硬化性組成物は、例えば半導体素子に適用され、上記素子が高温で長時間使用される場合にも、その性能が安定的に維持されるようにすることができる。

Description

本発明は、硬化性組成物及びその用途に関する。
LED(Light Emitting Diode)は、表示装置の光源や照明など多様な分野で活用されている素子である。
LED封止材として、接着性が高くて、力学的な耐久性に優れたエポキシ樹脂が幅広く利用されている。しかし、エポキシ樹脂は、青色ないし紫外線領域の光に対する透過率が低く、また、耐熱性と耐光性が劣る問題点がある。これによって、例えば、特許文献1〜3などでは、上記のような問題点を改良するための技術を提案している。しかし、現在まで知られた封止材は、耐熱性及び耐光性が十分ではない。
また、LEDが配置される多様で、苛酷な環境下で安定的な性能を維持するためには、透明性、初期光束、高温耐熱性、耐熱衝撃性及びガス透過性がすべて優れた素材が要求される。
日本国特開平11−274571号公報 日本国特開第2001−196151号公報 日本国特開第2002−226551号公報
本発明は、硬化性組成物及びその用途を提供する。
例示的な硬化性組成物は、水素ケイ素化反応(hydrosilylation)、例えば、脂肪族不飽和結合とケイ素原子に結合された水素原子の反応によって硬化する成分を含むことができる。例えば、硬化性組成物は、脂肪族不飽和結合を含むポリオルガノシロキサン及びケイ素原子に結合された水素原子を含むポリオルガノシロキサンを含むことができる。
本明細書で用語「M単位」は、当業界で式(RSiO1/2)で表示される場合があるいわゆる1官能性シロキサン単位を意味し、用語「D単位」は、当業界で式(RSiO2/2)で表示される場合があるいわゆる2官能性シロキサン単位を意味し、用語「T単位」は、当業界で式(RSiO3/2)で表示される場合があるいわゆる3官能性シロキサン単位を意味し、用語「Q単位」は、式(SiO4/2)で表示される場合があるいわゆる4官能性シロキサン単位を意味する。上記Rは、ケイ素(Si)に結合されている官能基であり、例えば、水素原子、エポキシ基または1価炭化水素基であることができる。
硬化性組成物は、脂肪族不飽和結合を含むポリオルガノシロキサン(以下、ポリオルガノシロキサン(A))であって、例えば、架橋型ポリオルガノシロキサンを含むことができる。本明細書で用語「架橋型ポリオルガノシロキサン」は、TまたはQ単位を必須に含み、且つ該ポリオルガノシロキサンに含まれているD単位のD、T及びQ単位モル数比率(D/(D+T+Q))が0.7未満、0.65以下、0.6以下、0.5以下、0.4以下または0.3以下のポリオルガノシロキサンを意味する。架橋型ポリオルガノシロキサンの上記モル数比率(D/(D+T+Q))の下限は、特に制限されず、例えば、0であることができる。
ポリオルガノシロキサン(A)は、低屈折ポリオルガノシロキサンであることができる。本明細書で用語「低屈折ポリオルガノシロキサン」は、分子内にアリール基を少ない量で含むか、実質的に含まないポリオルガノシロキサンを意味する。例えば、本明細書で低屈折ポリオルガノシロキサンというのは、上記ポリオルガノシロキサンの全体ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が0.3以下、0.2以下、約0.15以下、約0.1以下または約0.06以下であるか、実質的に0であるポリオルガノシロキサンを意味する。反対に、本明細書で、用語「高屈折ポリオルガノシロキサン」は、分子内にアリール基を所定の比率以上に含むポリオルガノシロキサンを意味する。例えば、本明細書で高屈折ポリオルガノシロキサンというのは、上記ポリオルガノシロキサンの全体ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル数比率(Ar/Si)が0.25以上、0.3以上または0.4以上のポリオルガノシロキサンを意味する。高屈折ポリオルガノシロキサンにおいて上記の比率(Ar/Si)は、2.0以下、1.5以下、1以下または約0.8以下であることができる。本明細書で用語「アリール基」は、特に別途規定しない限り、ベンゼン環または2個以上のベンゼン環が連結されているか、または1個または2個以上の炭素原子を共有しながら縮合または結合された構造を含む化合物またはその誘導体から由来する1価残基を意味する。本明細書でアリール基の範囲には、通常、アリール基と呼称される官能基はもちろん、いわゆるアラルキル基(aralkyl group)またはアリールアルキル基などをも含まれる。アリール基は、例えば、炭素数6〜25、炭素数6〜21、炭素数6〜18または炭素数6〜12のアリール基であることができる。アリール基としては、フェニル基、ジクロロフェニル、クロロフェニル、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、ベンジル基、トルリル基、キシリル基(xylyl group)またはナフチル基などを例示することができる。
ポリオルガノシロキサン(A)を低屈折ポリオルガノシロキサンとすれば、硬化性組成物またはその硬化体の優れた透明性などの物性を確保しながらも、特に高温での耐熱性を非常に優秀に維持することができる。
ポリオルガノシロキサン(A)は、例えば、下記化学式1の平均組成式を有することができる。
[化学式1]
(R SiO1/2(R SiO2/2(RSiO3/2(SiO4/2(OR)
化学式1でR及びR〜Rは、それぞれ独立に、1価炭化水素基であり、且つR〜Rのうち少なくとも1つは、アルケニル基であり、a、b、c、d及びeは、それぞれ0または正の数であり、d/(c+d)は、0.3以上であり、e/(c+d)は、0.2以下であることができる。但し、上記でc及びdのうち少なくとも1つは、正の数であることができる。ポリオルガノシロキサン(A)がアリール基を実質的に含まない低屈折ポリオルガノシロキサンなら、上記R及びR〜Rは、それぞれアリール基を除いた上記置換基であることができる。
本明細書でポリオルガノシロキサンがどんな特定の平均組成式を有するというのは、上記ポリオルガノシロキサンが上記平均組成式で表示される単一の成分であるか、2個以上の成分の混合物であり且つ上記混合物の成分の組成の平均が上記平均組成式で表示される場合をも含まれる。
本明細書で用語「エポキシ基」は、特に別途規定しない限り、3個の環構成原子を有する環状エーテル(cyclic ether)または上記環状エーテルを含む化合物から誘導された1価残基を意味する。エポキシ基としては、グリシジル基、エポキシアルキル基、グリシドキシアルキル基または脂環式エポキシ基などを例示することができる。上記で脂環式エポキシ基は、脂肪族炭化水素環構造を含み、上記脂肪族炭化水素環を形成している2個の炭素原子がまたエポキシ基を形成している構造を含む化合物から由来する1価残基を意味する。脂環式エポキシ基としては、6個〜12個の炭素原子を有する脂環式エポキシ基を例示することができ、例えば、3、4−エポックシシクルロヘキシルエチル基などを例示することができる。
本明細書で用語「1価炭化水素基」は、特に別途規定しない限り、炭素と水素よりなる化合物またはそのような化合物の誘導体から誘導される1価残基を意味する。例えば、1価炭化水素基は、1個〜25個の炭素原子を含むことができる。1価炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基などを例示することができる。1つの例示で上記化学式1の1価炭化水素基は、アリール基の除かれた1価炭化水素基のうち選択されることができる。
本明細書で用語「アルキル基」は、特に別途規定しない限り、炭素数1〜20、炭素数1〜16、炭素数1〜12、炭素数1〜8または炭素数1〜4のアルキル基を意味する。上記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状または環状であることができる。また、上記アルキル基は、任意的に1つ以上の置換基で置換されていてもよい。
本明細書で用語「アルケニル基」は、特に別途規定しない限り、炭素数2〜20、炭素数2〜16、炭素数2〜12、炭素数2〜8または炭素数2〜4のアルケニル基を意味する。上記アルケニル基は、直鎖状、分岐鎖状または環状であることができ、任意的に1つ以上の置換基で置換されていてもよい。
本明細書で用語「アルキニル基」は、特に別途規定しない限り、炭素数2〜20、炭素数2〜16、炭素数2〜12、炭素数2〜8または炭素数2〜4のアルキニル基を意味する。上記アルキニル基は直鎖状、分岐鎖状または環状であることができ、任意的に1つ以上の置換基で置換されていてもよい。
本明細書でエポキシ基または1価炭化水素基に任意に置換されていてもよい置換基としては、塩素またはフッ素などのハロゲン、グリシジル基、エポキシアルキル基、グリシドキシアルキル基または脂環式エポキシ基などのエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、チオール基または1価炭化水素基などを例示することができるが、これに制限されるものではない。
ポリオルガノシロキサン(A)は、低屈折ポリオルガノシロキサンであり、これによって前述したアリール基のモル比(Ar/Si)は、0.3以下、0.2以下、約0.15以下、約0.1以下または約0.06以下であるか、実質的に0であることができる。このようなポリオルガノシロキサン(A)が適切な高屈折のポリオルガノシロキサンと配合されれば、硬化体の高温での耐熱性を優秀に維持することができる。
化学式1でR〜Rのうち1個または2個以上は、アルケニル基であることができる。1つの例示で、アルケニル基は、ポリオルガノシロキサン(A)に含まれる全体ケイ素原子(Si)に対して上記アルケニル基(Ak)のモル比(Ak/Si)が約0.02〜0.5になる量で存在することができる。上記モル比(Ak/Si)は、他の例示で、0.04以上または0.06以上であることができる。また、上記モル比(Ak/Si)は、他の例示で、0.4以下、0.3以下または0.2以下であることができる。これを通じてポリオルガノシロキサン(B)などの他の成分との反応性を適切に維持し、未反応の成分が硬化体の表面に染み出る現象を防止することができると共に、硬化体の硬度、亀裂耐性及び耐熱衝撃性などを優秀に維持することができる。
化学式1の平均組成式で、a、b、c及びdは、各シロキサン単位のモル比率を示し、その総計(a+b+c+d)を1に換算すれば、aは、0.2〜0.8、0.3〜0.8、0.3〜0.7または0.3〜0.6であり、bは、0〜0.5、0〜0.4、0〜0.3または0〜0.2であり、cは、0〜0.5、0〜0.4、0〜0.3、0〜0.2または0〜0.1であり、dは、0.2〜0.8、0.3〜0.8、0.3〜0.7または0.3〜0.6であることができる。化学式1の平均組成式で、d/(c+d)は、0.3以上、0.5以上、0.7以上、0.8以上または0.85以上であることができる。ポリオルガノシロキサン(A)のQ単位の比率を上記のように調節すれば、硬化体の耐クラック特性を優秀に維持することができる。上記d/(c+d)の上限は、特に制限されず、例えば、1であることができる。
化学式1でeは、ポリオルガノシロキサン(A)に含まれている縮合性官能基、例えば、ヒドロキシ基またはアルコキシ基の量を示す。化学式1でeは、0または正の数であり、例えば、化学式1でe/(c+d)が0.2以下、0.15以下、0.1以下または0.05以下になる範囲で存在することができる。このような調節を通じて、硬化性組成物の各成分間の相溶性を維持し、硬化した後に透明度に優れた硬化体を形成することができ、また、上記硬化体の耐湿性などをも優秀に維持することができ、上記硬化体が例えば半導体素子などに適用されれば、素子の長期信頼性をも確保することができる。ポリオルガノシロキサン(A)において上記縮合性官能基は、なるべく存在しないことが良く、したがって、上記e/(c+d)の下限は、特に制限されない。
ポリオルガノシロキサン(A)は、25℃での粘度が1,000cP以上または2000cP以上であることができ、これによって硬化前の加工性と硬化後の硬度特性などを適切に維持することができる。
ポリオルガノシロキサン(A)は、例えば,500〜20,000または500〜10,000の重量平均分子量(Mw)を有することができる。本明細書で用語「重量平均分子量」は、GPC(Gel Permeation Chromatograph)で測定された標準ポリスチレンに対する換算数値を意味する。特に別途規定しない限り、用語「分子量」は、重量平均分子量を意味する。ポリオルガノシロキサン(A)の分子量を500以上に調節し、硬化前の成形性や、硬化後の強度を効果的に維持することができ、分子量を20,000または10,000以下に調節し、粘度などを適切な水準に維持することができる。
ポリオルガノシロキサン(A)を製造する方法は、特に制限されず、この分野で公知されている通常の方式が適用されることができる。
硬化性組成物は、また、ケイ素原子に結合している水素原子を含むポリオルガノシロキサン(以下、ポリオルガノシロキサン(B))をさらに含むことができる。ポリオルガノシロキサン(B)は、例えば、ケイ素原子に結合した水素原子を1個または2個以上有することができる。ポリオルガノシロキサン(B)は、例えば、ケイ素原子に結合したアリール基を有する高屈折ポリオルガノシロキサンであることができる。また、ポリオルガノシロキサン(B)は、固体または液体形態であることができる。ポリオルガノシロキサン(B)は、線形構造、すなわちM及びD単位よりなる構造であるか、TまたはQ単位を含む構造を有することができる。特に制限されるものではないが、線形構造において水素原子は、上記線形構造の末端に水素原子と結合しているケイ素原子が存在することができる。このようなポリオルガノシロキサン(B)は、ポリオルガノシロキサン(A)などに含まれている脂肪族不飽和結合と優れた反応性を示すことができる。また、硬化体の耐クラック性を向上させ、ガス透過性が低い水準に維持されるようにすることができる。ポリオルガノシロキサン(B)は、低分子型または単分子型の化合物であることができる。これによって、ポリオルガノシロキサン(B)は、ケイ素原子を3個〜10個、3個〜9個、3個〜8個、3個〜7個、3個〜6個または3個〜5個含むことができる。
ポリオルガノシロキサン(B)は、ポリオルガノシロキサン(A)などに存在する脂肪族不飽和結合と反応して組成物を架橋させる架橋剤であることができる。例えば、ポリオルガノシロキサン(B)の水素原子及びポリオルガノシロキサン(A)のアルケニル基などの脂肪族不飽和結合が付加反応して、架橋及び硬化が進行されることができる。
ポリオルガノシロキサン(B)において水素原子は、線形構造の末端に存在するケイ素原子(Si)と結合していることが適切であり、上記末端ではない繰り返し単位に存在するケイ素原子(Si)と結合された水素原子の量は最小化されることが適切である。適切な反応性の確保のために、ポリオルガノシロキサン(B)においてケイ素原子(Si)に対して上記水素原子(H)のモル比(H/Si)は、例えば、1.0以下、0.9以下、0.8以下または0.75以下であることができる。上記モル比(H/Si)は、また、0.1以上、0.2以上、0.3以上、0.4以上または0.5以上であることができる。
ポリオルガノシロキサン(B)は、高屈折ポリオルガノシロキサンであり、例えば、全体ケイ素原子(Si)に対する、上記ポリオルガノシロキサン(B)に結合されたアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)は、0.25以上、0.3以上0.3〜1.0または0.3〜0.8であることができる。上記範囲内で硬化性組成物内の他の成分との相溶性、機械的特性、ガス透過性などを優秀に維持することができる。
ポリオルガノシロキサン(B)は、固体であるか、液体であることができる。ポリオルガノシロキサン(B)が液体なら、その25℃での粘度が300cP以下または200cP以下であることができる。ポリオルガノシロキサン(B)の粘度を上記のように制御すれば、加工性や他の成分との相溶性などの側面で有利であることができるが、上記範囲に制限されるものではない。ポリオルガノシロキサン(B)は、例えば、1,000未満または800未満の分子量を有することができる。ポリオルガノシロキサン(B)の分子量が1,000以上なら、硬化体の強度が低下するおそれがあり、他の成分との相溶性が劣るおそれがある。ポリオルガノシロキサン(B)の分子量の下限は、特に制限されず、例えば、250であることができる。
ポリオルガノシロキサン(B)としては、多様な種類の化合物を使用することができ、例えば、下記化学式2または3の化合物を使用することができる。
Figure 2016521300
化学式2でRは、それぞれ独立に、1価炭化水素基であり、且つRのうち1つ以上は、アリール基であり、nは、1〜10の数である。化学式2でnは、例えば、1〜8、1〜6、1〜4、1〜3または1〜2であることができる。
[化学式3]
(HR SiO1/2(RSiO3/2
化学式3でR及びRは、それぞれ独立に、水素または1価炭化水素基であるが、R及びRのうち1つ以上は、アリール基である。
ポリオルガノシロキサン(B)の含量は、硬化性組成物に含まれる全体脂肪族不飽和結合、例えば、ポリオルガノシロキサン(A)などに含まれるアルケニル基(Ak)に対するポリオルガノシロキサン(B)に含まれるケイ素原子に結合した水素原子(H)のモル比(H/Ak)が0.5〜3.0または0.7〜2になる範囲で選択されることができる。このようなモル比(H/Ak)で配合することによって、硬化前に優れた加工性と作業性を示し、硬化して、優れた亀裂耐性、硬度特性、耐熱衝撃性及び接着性を示し、苛酷条件での白濁や、表面のべたつきなどを誘発しない組成物を提供することができる。
硬化性組成物は、ケイ素原子に結合した水素原子を含むポリオルガノシロキサンであって、例えば、低屈折の高分子型の化合物をさらに含むことができる。例えば、硬化性組成物は、ケイ素原子に結合している水素原子を含み、10個〜50個または20個〜40個の範囲内でケイ素原子を含むポリオルガノシロキサンをさらに含むことができる。上記ポリオルガノシロキサンは、低屈折ポリオルガノシロキサンであることができ、このような場合に、前述した範囲のアリール基モル比(Ar/Si)を有することができる。上記ポリオルガノシロキサンが含むケイ素原子の数は、他の例示で、25個以上、27個以上または約30個以上であることができ、約38個以下または36個以下であることができる。このような化合物は、例えば上記化学式2で表示され、且つ1価炭化水素基のRのうちアリール基が上記低屈折ポリオルガノシロキサンのアリール基モル比(Ar/Si)を満足するように含まれ、nが18〜38の範囲内の化合物であることができる。また、このような場合に、nは、23以上、25以上または28以上であることができ、36以下または34以下であることができる。このような化合物の硬化性組成物での包含比率は、特に制限されず、例えば、上記ポリオルガノシロキサン(B)100重量部に対して5重量部〜30重量部、5重量部〜25重量部、5重量部〜20重量部または5重量部〜15重量部の範囲内であることができる。本明細書で特に別途規定しない限り、単位重量部は、各成分間の重量の比率であることができる。
硬化性組成物は、水素原子を含む他の化合物として、例えば、下記化学式4の平均組成式を有する化合物(以下、化合物(C))をさらに含むことができる。
[化学式4]
(HRSiO)(RSiO3/2(RSiO2/2
化学式4でRは、それぞれ独立に、1価の炭化水素基であり、Rのうち少なくとも1つは、アリール基であり、a、b及びcの総計(a+b+c)を1に換算すれば、aは、0.3〜0.8であり、bは、0.2〜0.7であり、cは、0〜0.5である。
化合物(C)において全体ケイ素原子のモル数(Si)に対するケイ素原子結合水素原子のモル数(H)の比率(H/Si)は、例えば、約0.2〜1.0または0.3〜1.0であることができる。
化合物(C)において全体ケイ素原子のモル数(Si)に対するケイ素原子結合アリール基のモル数(Ar)の比率(Ar/Si)は、例えば、0〜0.8であることができる。上記の比率(Ar/Si)の他の下限は、例えば、0.2であることができ、他の上限は、例えば、約0.7であることができる。
化合物(C)が使用される場合に、その含量は、例えば、上記ポリオルガノシロキサン(B)の比率や、脂肪族不飽和結合の量などを考慮して適切に選択することができる。
硬化性組成物は、水素原子を含む他の化合物として、例えば、下記化学式5の化合物(以下、化合物(D))をさらに含むことができる。
[化学式5]
SiO(HRSiO)(RSiO)OSiR
化学式5でRは、それぞれ独立に、水素、エポキシ基または1価の炭化水素基であり、rは、5〜100の範囲内の数であり、sは、0〜100または5〜100の範囲内の数である。化学式5で1価炭化水素基は、例えば、アリール基を除いた1価炭化水素基であることができる。
化合物(D)に含まれる全体ケイ素原子のモル数(Si)に対するケイ素原子結合水素原子のモル数(H)の比率(H/Si)は、0.2〜1または0.3〜1であることができる。モル比(H/Si)を上記のように調節し、硬化性を優秀に維持することができる。化合物(D)は、また、25℃での粘度が0.1cP〜100,000cP、0.1cP〜10,000cP、0.1cP〜1,000cPまたは0.1cP〜300cPであることができる。上記粘度を有すれば、組成物の加工性及び硬化体の硬度特性などを優秀に維持することができる。
上記化合物(D)の全体ケイ素原子のモル数(Si)に対するケイ素原子結合アリール基のモル数(Ar)の比率(Ar/Si)は、例えば、約0〜0.8または0〜0.7であることができる。
化合物(D)の含量は、例えば、硬化性組成物に含まれる全体脂肪族不飽和結合含有官能基、例えば、ポリオルガノシロキサン(A)に含まれるアルケニル基の量とポリオルガノシロキサン(B)に含まれるケイ素原子結合水素原子の量を考慮して適切な含量に調節されることができる。
硬化性組成物は、脂肪族不飽和結合を含む化合物であって、例えば、線形または部分架橋型のポリオルガノシロキサン(以下、ポリオルガノシロキサン(E))をさらに含むことができる。本明細書で用語「線形のポリオルガノシロキサン」は、M単位とD単位よりなるポリオルガノシロキサンを意味することができ、用語「部分架橋型のポリオルガノシロキサン」は、D単位から由来する線形構造が充分に長く、且つTまたはQ単位、例えば、T単位が部分的に導入されているポリオルガノシロキサンであって、例えば、ポリオルガノシロキサンに含まれる全体D、T及びQ単位に対するD単位の比率(D/(D+T+Q))が0.7以上、0.75以上、0.8以上または0.85以上のポリオルガノシロキサンを意味する。上記の比率(D/(D+T+Q))は、また、1未満または約0.95以下であることができる。
ポリオルガノシロキサン(E)は、低屈折ポリオルガノシロキサンであるか、高屈折ポリオルガノシロキサンであることができる。
ポリオルガノシロキサン(E)は、脂肪族不飽和結合、例えば、アルケニル基を1つ以上含むことができる。例えば、ポリオルガノシロキサン(E)は、ポリオルガノシロキサン(E)に含まれる全体ケイ素原子(Si)に対する上記脂肪族不飽和結合を含む官能基(Ak)、例えば、アルケニル基のモル比(Ak/Si)が0.001〜0.3になる量で上記官能基を含むことができる。上記モル比(Ak/Si)は、他の例示で、0.01以上、0.02以上、0.03以上、0.04以上または0.05以上であることができる。また、上記モル比(Ak/Si)は、他の例示で、0.25以下または0.2以下であることができる。このような調節を通じて硬化性組成物の硬化性を適切な範囲に維持し、硬化後に未反応の成分が硬化体の表面に染み出る現象を防止し、耐クラック性を優秀に維持することができる。
ポリオルガノシロキサン(E)は、低屈折ポリオルガノシロキサンまたは高屈折ポリオルガノシロキサンであることができる。例えば、ポリオルガノシロキサン(E)として低屈折ポリオルガノシロキサンを使用すれば、硬化体の高温耐熱性などを優秀に維持し、他の成分との相溶性を高めることができる。
ポリオルガノシロキサン(E)は、例えば、下記化学式6の平均組成式を有することができる。
[化学式6]
(R SiO1/2(R SiO2/2(R SiO3/2(SiO4/2
化学式6でR〜Rは、それぞれ独立に、エポキシ基または1価炭化水素基であり、且つR〜Rのうち1個または2個以上は、アルケニル基であり、a、c及びdは、それぞれ独立に、0または正の数であり、bは、正の数である。
ポリオルガノシロキサン(E)が低屈折化合物の場合には、上記で1価炭化水素基は、アリール基を除いた1価炭化水素基であることができる。
化学式6でR〜Rのうち1個または2個以上は、アルケニル基であり、例えば、上記記述したモル比(Ak/Si)を満足する範囲内でアルケニル基が存在することができる。特に制限されるものではないが、例えば、アルケニル基は、Rの位置に存在することができる。
化学式6の平均組成式でa、b、c及びdは、ポリオルガノシロキサン(E)の各シロキサン単位のモル比率を示す。その総計(a+b+c+d)を1に換算すれば、aは0.001〜0.2、0.01〜0.2、0.02〜0.2、0.03〜0.2、0.04〜0.2または0.04〜0.1であり、bは、0.7〜0.999または0.7〜0.95であり、cは、0〜0.3または0超過且つ0.2以下であるか、0超過且つ0.1以下であり、dは、0〜0.3、0〜0.2または0〜0.1であることができる。
化学式6で各シロキサン単位は、例えば、(c+d)/(a+b+c+d)が0〜0.3、0〜0.2または0〜0.1になるように存在することができる。また、ポリオルガノシロキサン(E)が部分架橋型なら、化学式6でb/(b+c+d)は、0.7超過且つ1未満であることができる。部分架橋型の他の例示で、b/(b+c+d)は、0.7〜0.97または0.65〜0.97であることができる。シロキサン単位の比率をこのように調節し、適用用途によって適した物性を確保することができる。
ポリオルガノシロキサン(E)は、例えば、環状ポリオルガノシロキサンを含む混合物の開環重合反応物に含まれていいてもよい。上記反応物は、例えば、重量平均分子量(Mw)が800以下、750以下または700以下の環状化合物、例えば、環状ポリオルガノシロキサンを含み、且つその比率が7重量%以下、5重量%以下または3重量%以下であることができる。上記環状化合物の比率の下限は、例えば、0重量%または1重量%であることができる。上記の比率への調節を通じて長期信頼性及び亀裂耐性に優れた硬化体の提供が可能であることができる。
ポリオルガノシロキサン(E)またはそれを含む反応物は、1H NMRで求められるスペクトラムでケイ素原子に結合されたアルコキシ基から由来するピークの面積がケイ素に結合された脂肪族不飽和結合含有官能基、例えば、ビニル基のようなアルケニル基から由来するピークの面積に対して0.01以下、0.005以下または0であることができる。上記範囲で適切な粘度特性を示しながら、他の物性をも優秀に維持することができる。
ポリオルガノシロキサン(E)またはそれを含む反応物は、KOH滴定によって求められる酸価(acid value)が0.02以下、0.01以下または0であることができる。上記範囲で適切な粘度特性を示しながら、他の物性をも優秀に維持することができる。
ポリオルガノシロキサン(E)またはそれを含む反応物は、25℃での粘度が500cP以上、1,000cP以上、2,000cP以上、5,000cP以上であることができる。このような範囲で加工性及び硬度特性などが適切に維持されることができる。上記粘度の上限は、特に制限されるものではないが、例えば、上記粘度は,500,000cP以下、400,000cP以下、300,000cP以下、200,000cP以下、100,000cP以下、80,000cP以下、70,000cP以下または65,000cP以下であることができる。
ポリオルガノシロキサン(E)またはそれを含む反応物は、分子量が500〜100,000または1,500〜50,000であることができる。このような範囲で成形性、硬度及び強度特性などが適切に維持されることができる。
ポリオルガノシロキサン(E)を含む重合反応物は、例えば、環状ポリオルガノシロキサンを含む混合物の開環重合反応物であることができる。ポリオルガノシロキサン(E)が部分架橋構造の場合には、上記混合物は、例えば、ケージ構造または部分ケージ構造を有するか、またはT単位を含むポリオルガノシロキサンをさらに含むことができる。環状ポリオルガノシロキサン化合物としては、例えば、下記化学式7で表示される化合物を使用することができる。
Figure 2016521300
化学式7でR及びRは、それぞれ独立に、エポキシ基または1価炭化水素基であり、oは、3〜6である。
環状ポリオルガノシロキサンは、また、下記化学式8の化合物及び下記化学式9の化合物を含むことができる。
Figure 2016521300
Figure 2016521300
化学式8及び9でR及びRは、エポキシ基またはアルキル基であり、R及びRは、エポキシ基または1価炭化水素基であり、pは、3〜6の数であり、qは、3〜6の数である。
化学式7〜9で、R〜Rの具体的な種類やo、p及びqの具体的な数値、そして混合物内での各成分の比率は、目的のポリオルガノシロキサン(E)の構造によって定められることができる。
ポリオルガノシロキサン(E)が部分架橋構造の場合に、上記混合物は、ケージ構造のポリオルガノシロキサンとして、例えば、下記化学式10の平均組成式を有する化合物または部分ケージ構造を有するか、T単位を含むポリオルガノシロキサンとして下記化学式11の平均組成式を有する化合物をさらに含むことができる。
[化学式10]
[RSiO3/2
[化学式11]
[R SiO1/2[RSiO3/2
化学式10及び11でR、R及びRは、それぞれ独立に、エポキシ基または1価炭化水素基であり、Rは、エポキシ基または炭素数1〜4のアルキル基であり、pは、1〜3であり、qは、1〜10である。
化学式10及び11で、R〜Rの具体的な種類やp及びqの具体的な数値、そして混合物内での各成分の比率は、目的のポリオルガノシロキサン(E)の構造によって定められることができる。
環状ポリオルガノシロキサンをケージ構造及び/または部分ケージ構造を有するか、T単位を含むポリオルガノシロキサンと反応させれば、目的の部分架橋構造を有するポリオルガノシロキサンを十分な分子量で合成することができる。また、上記方式によれば、ポリオルガノシロキサンまたはそれを含む重合反応物内でケイ素原子に結合しているアルコキシ基やヒドロキシ基のような官能基を最小化し、優れた物性を有する目的物を製造することができる。
1つの例示で、上記混合物は、下記化学式12で表示される化合物をさらに含むことができる。
[化学式12]
(R Si)
化学式12で、R及びRは、エポキシ基または1価炭化水素基である。
化学式12で1価炭化水素基の具体的な種類や混合物内での配合の比率は、目的のポリオルガノシロキサン(E)によって定められることができる。
上記混合物内の各成分の反応は、適切な触媒の存在下で行されることができる。したがって、上記混合物は触媒をさらに含むことができる。
混合物に含まれる触媒としては、例えば、塩基触媒を有することができる。適切な塩基触媒としては、KOH、NaOHまたはCsOHなどのような金属水酸化物;アルカリ金属化合物とシロキサンを含む金属シラノレート(metal silanolate)またはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(tetramethylammonium hydroxide)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(tetraethylammonium hydroxide)またはテトラプロピルアンモニウムヒドロキシド(tetrapropylammonium hydroxide)などのような4級アンモニウム化合物などを例示することができるが、これに制限されるものではない。
混合物内で上記触媒の比率は、目的の反応性などを考慮して適切に選択されることができ、例えば、混合物内の反応物の合計重量100重量部に対して0.01重量部〜30重量部または0.03重量部〜5重量部の比率で含まれる。
1つの例示で、上記混合物の反応は、溶媒を使用しない無溶媒の条件で行われるか、または適切な溶媒の存在の下に行われる。溶媒としては、上記混合物内の反応物、すなわちジシロキサンまたはポリシロキサンなどと触媒が適切に混合され、反応性に大きい差し支えを与えないものなら、どんな種類をも使用することができる。溶媒としては、n−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、2、2、4−トリメチルペンタン、シクロヘキサンまたはメチルシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、エチルベンゼンまたはメチルエチルベンゼンなどの芳香族系溶媒、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、メチルn−プロピルケトン、メチルn−ブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノンまたはアセチルアセトンなどのケトン系溶媒;テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン、エチルエーテル、n−プロピルエーテル、イソプロピルエーテル、ジグライム、ダイオキシン、ジメチルダイオキシン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルまたはプロピレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル系溶媒;ジエチルカーボネート、メチルアセテート、エチルアセテート、エチルラクテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートまたはエチレングリコールジアセテートなどのエステル系溶媒;N−メチルピロリドン、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N−エチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミドまたはN、N−ジエチルアセトアミドなどのアミド系溶媒を例示することができるが、これに制限されるものではない。
混合物の反応、例えば、開環重合反応は、例えば、触媒を添加して行い、例えば、0℃〜150℃または30℃〜130℃の範囲内の反応温度で行うことができる。また、上記反応時間は、例えば、1時間〜3日の範囲内で調節することができる。
硬化性組成物は、ヒドロシリル化触媒をさらに含むことができる。ヒドロシリル化触媒は、水素ケイ素化反応を促進させるために使用することができる。ヒドロシリル化触媒としては、この分野で公知された通常の成分をすべて使用することができる。このような触媒の例としては、白金、パラジウムまたはロジウム系触媒などが挙げられる。本発明では、触媒効率などを考慮して、白金系触媒を使用することができ、このような触媒の例としては、塩化白金酸、四塩化白金、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体または白金のカルボニル錯体などがあげられるが、これに制限されるものではない。
ヒドロシリル化触媒の含量は、いわゆる触媒量、すなわち触媒として作用することができる量で含まれる限り、特に制限されない。通常、白金、パラジウムまたはロジウムの原子量を基準として0.1ppm〜200ppm、好ましくは、0.2ppm〜100ppmの量で使用することができる。
硬化性組成物は、また、各種基材に対する接着性の更なる向上の観点から、接着性付与剤をさらに含むことができる。接着性付与剤は、組成物または硬化体に自己接着性を改善することができる成分であって、特に金属及び有機樹脂に対する自己接着性を改善することができる。
接着性付与剤としては、ビニル基などのアルケニル基、(メタ)アクリロイルオキシ基、ヒドロシリル基(SiH基)、エポキシ基、アルコキシ基、アルコキシシリル基、カルボニル基及びフェニル基よりなる群から選択される1種以上または2種以上の官能基を有するシラン;または2〜30または4〜20個のケイ素原子を有する環状または直鎖状シロキサンなどの有機ケイ素化合物などを例示することができるが、これに制限されるものではない。本発明では、上記のような接着性付与剤の一種または二種以上をさらに混合して使用することができる。
1つの例示で接着性付与剤としては、ケイ素原子に結合されたアルケニル基とエポキシ基を含み、全体ケイ素原子(Si)に対してアルケニル基(Ak)のモル比(Ak/Si)が0.02〜0.5、0.08〜0.5、0.1〜0.5または0.1〜0.4の範囲内であり、全体ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が0.45以下、0.4以下、0.3以下、0.2以下、0.1以下または0.05以下であり、全体ケイ素原子(Si)に対してエポキシ基(Ep)のモル比(Ep/Si)が0.01〜0.5、0.05〜0.5、0.1〜0.5または0.1〜0.45の範囲内のポリオルガノシロキサンであることができる。
例えば、上記接着性付与剤は、下記化学式13の平均組成式を有することができる。
[化学式13]
(R SiO1/2(R SiO2/2(RSiO3/2(SiO4/2(OR)
化学式13でR及びR〜Rは、それぞれ独立に、1価炭化水素基またはエポキシ基であり、且つR〜Rのうち少なくとも1つは、アルケニル基またはエポキシ基であり、a、b、c、d及びeは、それぞれ0または正の数であり、c/(c+d)は、0.3以上であり、e/(c+d)は、0.2以下であることができる。但し、上記でc及びdのうち少なくとも1つは、正の数であることができる。
接着性付与剤がアリール基を実質的に含まない低屈折成分なら、上記R及びR〜Rは、それぞれアリール基を除いた上記置換基であることができる。接着性付与剤が低屈折成分の場合に、上記化学式13でアリール基は、前述したアリール基のモル比(Ar/Si)が、0.3以下、0.2以下または0.15以下であるか、実質的に0になるように含まれる。
化学式13でR〜Rのうち1個または2個以上は、アルケニル基であることができる。1つの例示で、化学式13でアルケニル基は、上記言及したモル比(Ak/Si)を満足するように含まれる。また、化学式13でR〜Rのうち1つ以上は、エポキシ基であることができる。1つの例示で、化学式13でエポキシ基は、上記言及したモル比(Ep/Si)を満足するように含まれる。
化学式13の平均組成式でa、b、c及びdは、各シロキサン単位のモル比率を示し、その総計(a+b+c+d)を1に換算すれば、aは、0.2〜0.8、0.3〜0.8、0.3〜0.7または0.3〜0.6であり、bは、0〜0.5、0〜0.4、0〜0.3または0〜0.2であり、cは、0〜0.8、0.1〜0.7、0.1〜0.65、0.1〜0.6または0.1〜0.5であり、dは、0〜0.5、0〜0.4、0〜0.3または0〜0.2であることができる。化学式13の平均組成式でc/(c+d)は、0.3以上、0.5以上、0.65以上または0.7以上であることができる。接着性付与剤の各シロキサン単位のモル比を上記のように調節すれば、硬化体の接着性を優秀に維持しながら、信頼性に優れた半導体素子を提供することができる。上記c/(c+d)の上限は、特に制限されず、例えば、1、0.9、0.8または0.75であることができる。
化学式13でeは、ポリオルガノシロキサンに含まれている縮合性官能基、例えば、ヒドロキシ基またはアルコキシ基の量を示す。化学式13でeは、0または正の数であり、例えば、化学式13でe/(c+d)が0.2以下、0.15以下、0.1以下または0.05以下になる範囲で存在することができる。このような調節を通じて、硬化性組成物の各成分間の相溶性を維持し、硬化した後に透明度に優れた硬化体を形成することができ、また、上記硬化体の耐湿性などをも優秀に維持することができ、上記硬化体が、例えば半導体素子などに適用されれば、素子の長期信頼性をも確保することができる。ポリオルガノシロキサンで上記縮合性官能基は、なるべく存在しないことが良く、したがって上記e/(c+d)の下限は、特に制限されない。
このような接着性付与剤は、例えば,500〜20,000または500〜10,000の分子量を有することができる。
接着性付与剤は、例えば、硬化性組成物の固形分100重量部に対して0.1重量部〜20重量部の比率で含まれるが、上記含量は、目的の接着性改善効果などを考慮して適切に変更することができる。
硬化性組成物は、必要に応じて、2−メチル−3−ブチン−2−オル、2−フェニル−3−1−ブチン−2オル、3−メチル−3−ペンテン−1−イン、3、5−ジメチル−3−ヘキセン−1−イン、1、3、5、7−テトラメチル−1、3、5、7−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサンまたはエチニルシクロヘキサンなどの反応抑制剤;シリカ、アルミナ、ジルコニアまたはチタニアなどの無機充填剤;エポキシ基及び/またはアルコキシシリル基を有する炭素官能性シラン、その部分加水分解縮合物またはシロキサン化合物;ポリエーテルなどと併用することができる煙霧状シリカなどの揺変性付与剤;銀、銅またはアルミニウムなどの金属粉末や、各種カーボン素材などのような導電性付与剤;顔料または染料などの色調調整剤などの添加剤を一種または二種以上をさらに含むことができる。
本発明は、また、半導体素子、例えば、光半導体素子に関する。例示的な半導体素子は、上記硬化性組成物の硬化物を含む封止材によって封止されたものである。封止材で封止される半導体素子としては、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、フォトカップラ、CCD、固体撮像装置、一体式IC、混成IC、LSI、VLSI及びLED(Light Emitting Diode)などを例示することができる。1つの例示で、上記半導体素子は、発光ダイオードであることができる。
上記発光ダイオードとしては、例えば、基板上に半導体材料を積層して形成した発光ダイオードなどを例示することができる。上記半導体材料としては、GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlNまたはSiCなどを例示することができるが、これに制限されるものではない。また、上記基板としては、サファイア、スピンネル、SiC、Si、ZnOまたはGaN単結晶などを例示することができる。
また、発光ダイオードの製造時には、必要に応じて、基板と半導体材料との間にバッファー層を形成することができる。バッファー層としては、GaNまたはAlNなどを使用することができる。基板上への半導体材料の積層方法は、特に制限されず、例えば、MOCVD法、HDVPE法または液相成長法などを使用することができる。また、発光ダイオードの構造は、例えば、MIS接合、PN接合、PIN接合を有するモノ接合、ヘテロ接合、二重ヘテロ接合などである。また、単一または多重量子井戸構造で上記発光ダイオードを形成することができる。
1つの例示で、上記発光ダイオードの発光波長は、例えば、250nm〜550nm、300nm〜500nmまたは330nm〜470nmであることができる。上記発光波長は、主発光ピーク波長を意味する。発光ダイオードの発光波長を上記範囲に設定することによって、さらに長い寿命で、エネルギー効率が高く、色再現性が高い白色発光ダイオードを得ることができる。
発光ダイオードは、上記組成物を使用して封止することができる。発光ダイオードの封止は、上記組成物だけで行われてもよく、場合によっては、他の封止材が上記組成物と併用されてもよい。2種の封止材を併用する場合、上記組成物を使用した封止後に、その周囲を他の封止材で封止してもよく、他の封止材でまず封止した後、その周囲を上記組成物で封止してもよい。他の封止材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ユレア樹脂、イミド樹脂またはガラスなどが挙げられる。
硬化性組成物で発光ダイオードを封止する方法では、例えば、モールド金型に上記組成物をあらかじめ注入し、そこに発光ダイオードが固定されたリードフレームなどを浸漬させ、組成物を硬化させる方法、発光ダイオードを挿入した金型の中に組成物を注入し、硬化させる方法などを使用することができる。組成物を注入する方法としては、ディスペンサーによる注入、トランスファー成形または射出成形などを例示することができる。また、その他の封止方法としては、組成物を発光ダイオード上に滴下、孔版印刷、スクリーン印刷またはマスクを媒介で塗布し、硬化させる方法、底部に発光ダイオードを配置したコップなどに組成物をディスペンサーなどによって注入し、硬化させる方法などが使用されることができる。
硬化性組成物は、必要に応じて、発光ダイオードをリード端子やパッケージに固定するダイボンド材や、発光ダイオード上のパッシベーション(passivation)膜またはパッケージ基板などに用いられる。
上記組成物の硬化が必要な場合、硬化方法は、特に制限されず、例えば、60℃〜200℃の温度で10分〜5時間上記組成物を維持して行うか、または適正温度及び時間での2段階以上の過程を経て段階的な硬化工程を進行することができる。
封止材の形状は、特に限定されず、例えば、砲弾型のレンズ形状、板状または薄膜状などで構成することができる。
また、従来公知の方法によって発光ダイオードの更なる性能向上を図ることができる。性能向上の方法としては、例えば、発光ダイオードの背面に光の反射層または集光層を設置する方法、補色着色部を底部に形成する方法、主発光ピークより短波長の光を吸収する層を発光ダイオード上に設置する方法、発光ダイオードを封止した後、さらに硬質材料でモールディングする方法、発光ダイオードを貫通ホールに挿入して固定する方法、発光ダイオードをフリップチップ接続などによってリード部材などと接続し、基板方向から光を取り出す方法などが挙げられる。
上記光半導体、例えば発光ダイオードは、例えば、液晶表示装置(LCD;Liquid Crystal Display)のバックライト、照明、各種センサー、プリンター、コピー機などの光源、車両用計器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾または各種ライトなどに効果的に適用される。
例示的な硬化性組成物は、加工性、作業性及び接着性などに優れ、白濁及び表面でのべたつきなどが誘発されない硬化体を提供することができる。上記硬化性組成物は、また、透明度、耐湿性、機械的特性及び耐クラック特性などに優れた硬化体を提供することができ、これによって、例えば、多様な電子部品に適用され、優れた長期信頼性を示すことができる。
以下、実施例及び比較例を通じて上記硬化性組成物を詳しく説明するが、上記硬化性組成物の範囲が下記実施例によって制限されるものではない。本明細書で参照符号Vi、Ph、Me及びEpは、それぞれ、ビニル基、フェニル基、メチル基、3−グリシドキシプロピル基を示す。
「1.素子特性評価」
ポリフタルアミド(PPA)で製造された5630 LEDパッケージを使用して素子特性を評価する。ポリフタルアミドカップ内に製造された硬化性組成物をディスフェンシングし、60℃で1時間維持し、さらに80℃で1時間維持した後、さらに150℃で4時間維持することによって硬化させて、表面実装型LEDを製造する。その後、製造されたLEDを85℃温度で維持した状態で100mAの電流を流しながら800時間動作させる。引き続いて、初期輝度に対して動作後の輝度の減少率を測定し、下記基準で評価する。
〈評価基準〉
A:初期輝度に対して輝度減少率が5%以下の場合
B:初期に対して輝度減少率が5%超過且つ7%以下の場合
C:初期に対して輝度減少率が7%超過する場合
「2.高温耐熱性評価」
硬化性組成物を1mmの間隔で離隔されている2個のガラス板の間に注入し、60℃で1時間維持し、さらに80℃で1時間維持した後、さらに150℃で4時間維持することによって硬化させた後、さらに200℃で24時間放置した後、UV−Visスペクトロメーターで初期光透過率に対して光透過率の減少率を測定し、下記基準によって高温耐熱性を評価する。上記で各光透過率は、400nm〜450nmの波長に対する光透過率の平均値である。
〈評価基準〉
A:初期光透過度に対して光透過減少率が5%以下
B:初期光透過度に対して光透過減少率が5%超過且つ7%以下
C:初期光透過度に対して光透過減少率が7%超過
「実施例1」
それぞれ公知の方法で製造された下記の化学式A〜Dで表示される化合物を混合し、混合物(配合量:化学式A:15g、化学式B:100g、化学式C:21g、化学式D:1.0g)を製造し、Pt(0)の含量が2ppmになる量で触媒(Platinum(0)−1、3−divinyl−1、1、3、3−tetramethyldisiloxane)を配合し、硬化性組成物を製造した。
[化学式A]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/230
[化学式B]
(ViMeSiO1/2)(MeSiO1/2(SiO4/2
[化学式C]
(HMeSiO1/2(MePhSiO2/2
[化学式D]
(ViMeSiO1/2(MeSiO1/2(EpSiO3/22.5(SiO4/2
「実施例2」
実施例1において化学式Cの化合物を使用せず、その代わりに化学式Eの化合物を26g混合したことを除いて、実施例1と同一に硬化性組成物を製造した。
[化学式E]
(HMeSiO1/2(PhSiO2/2
「実施例3」
実施例1において化学式Cの化合物を使用せず、その代わりに下記化学式Eの化合物20gと下記化学式Fの化合物2gを配合したことを除いて、実施例1と同一に硬化性組成物を製造した。
[化学式E]
(HMeSiO1/2(PhSiO2/2
[化学式F]
(ViMeSiO1/2(HMeSiO2/230
「実施例4」
実施例2において化学式Aの化合物を使用せず、その代わりに下記化学式Gの化合物13gを配合し、硬化性組成物を製造した。
[化学式G]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/220(PhSiO2/2
「実施例5」
実施例2において化学式Aの化合物を使用せず、その代わりに下記化学式Hの化合物5.5gを配合したこと以外には、同一の条件で硬化性組成物を製造した。
[化学式H]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/220(ViSiO3/2
「実施例6」
実施例2において化学式Aの化合物を使用せず、その代わりに下記化学式Iの化合物11gを配合したこと以外には、同一の条件で硬化性組成物を製造した。
[化学式I]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/220(SiO4/2
「実施例7」
実施例2において化学式Aの化合物を使用せず、その代わりに化学式Jの化合物11gを配合したこと以外には、同一の条件で硬化性組成物を製造した。
[化学式J]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/220(MeSiO3/2
「実施例8」
実施例2において化学式Bの化合物を使用せず、その代わりに下記化学式Kの化合物111gを配合したこと以外には、同一の条件で硬化性組成物を製造した。
[化学式K]
(ViMeSiO1/2(MeSiO1/2(SiO4/2(PhSiO3/20.5
「実施例9」
それぞれ公知の方法で製造された下記の化学式Lの化合物を上記化学式Cの化合物及び化学式Dの化合物と混合(配合量:化学式L:100g、化学式C:18.5g、化学式D:1.0g)し、実施例1と同一に触媒を配合し、硬化性組成物を製造した。
[化学式L]
(ViMeSiO1/2)(MeSiO1/2(MeSiO2/21.5(SiO4/2
「比較例1」
実施例1において化学式Cの化合物を使用せず、その代わりに上記化学式Fの化合物6.5gを配合したこと以外には、同一の方法で硬化性組成物を製造した。
「比較例2」
それぞれ公知の方法で製造された下記の化学式M、N及びOの化合物を上記化学式Eと混合(配合量:化学式M:40g、化学式N:100g、化学式E:51.5g、化学式O:1.5g)し、実施例1と同一に触媒を配合し、硬化性組成物を製造した。
[化学式M]
(ViMeSiO1/2(MePhSiO2/240
[化学式N]
(ViMeSiO1/2(MePhSiO3/20.3(PhSiO3/23.5
[化学式O]
(ViMeSiO1/2(EpSiO3/2(MePhSiO2/220
「比較例3」
実施例1において化学式Cの化合物を使用せず、その代わりに下記化学式Qの化合物31gを配合したこと以外には、同一の方法で硬化性組成物を製造した。
[化学式Q]
(HMeSiO1/2(MeSiO2/2
「比較例4」
実施例1において化学式Cの化合物を使用せず、その代わりに下記化学式Rの化合物340gを配合したこと以外には、同一の方法で硬化性組成物を製造した。
[化学式R]
(HMeSiO1/2(MeSiO2/250
上記実施例及び比較例に対して測定した物性を下記表1に整理して記載した。
Figure 2016521300

Claims (18)

  1. (A)脂肪族不飽和結合を有し、ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が0.2以下のポリオルガノシロキサンと;(B)ケイ素原子に結合している水素原子及びアリール基を含み、ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比が0.25以上であり、3個〜10個の範囲内でケイ素原子を有するポリオルガノシロキサンと;を含む硬化性組成物。
  2. ポリオルガノシロキサン(A)のケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が0.15以下である、請求項1に記載の硬化性組成物。
  3. ポリオルガノシロキサン(A)は、下記化学式1の平均組成式を有する、請求項1に記載の硬化性組成物:
    [化学式1]
    (R SiO1/2(R SiO2/2(RSiO3/2(SiO4/2(OR)
    化学式1で、R及びR〜Rは、それぞれ独立に、1価炭化水素基であり、且つR〜Rのうち少なくとも1つは、アルケニル基であり、a、b、c及びdは、それぞれ0または正の数であり、d/(c+d)は、0.3以上であり、e/(c+d)は、0.2以下である。
  4. ポリオルガノシロキサン(A)のケイ素原子(Si)に対してアルケニル基(Ak)のモル比(Ak/Si)が0.02〜0.5の範囲内である、請求項1に記載の硬化性組成物。
  5. ポリオルガノシロキサン(A)の重量平均分子量が500〜20,000の範囲内である、請求項1に記載の硬化性組成物。
  6. ポリオルガノシロキサン(B)の分子量は、1,000未満である、請求項1に記載の硬化性組成物。
  7. ポリオルガノシロキサン(B)は、下記化学式2の化合物または下記化学式3の化合物である、請求項1に記載の硬化性組成物:
    Figure 2016521300
    [化学式3]
    (HR SiO1/2(RSiO3/2
    化学式2及び3でR、R及びRは、それぞれ独立に、水素または1価炭化水素基であり、且つRのうち1つ以上は、アリール基であり、R及びRのうち1つ以上は、アリール基であり、nは、1〜10の範囲内の数である。
  8. ケイ素原子に結合している水素原子を含み、ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比が0.3以下であり、10個〜50個の範囲内でケイ素原子を含むポリオルガノシロキサンをさらに含む、請求項1に記載の硬化性組成物。
  9. 下記化学式4の平均組成式の化合物をさらに含む、請求項1に記載の硬化性組成物:
    [化学式4]
    (HRSiO1/2(RSiO3/2(RSiO2/2
    化学式4でRは、それぞれ独立に、1価の炭化水素基であり、Rのうち少なくとも1つは、アリール基であり、a、b及びcの総計(a+b+c)を1に換算すれば、aは、0.3〜0.8であり、bは、0.2〜0.7であり、cは、0〜0.5である。
  10. 下記化学式5の化合物をさらに含む、請求項1に記載の硬化性組成物:
    [化学式5]
    SiO(HRSiO)(RSiO)OSiR
    化学式5でRは、それぞれ独立に、水素、エポキシまたは1価の炭化水素基であり、rは、5〜100の範囲内の数であり、sは、0〜100の範囲内の数である。
  11. 線形ポリオルガノシロキサンまたは2官能性シロキサン単位(D)、3官能性シロキサン単位(T)及び4官能性シロキサン単位(Q)全体に対する全体2官能性シロキサン単位(D)のモル比率(D/(D+T+Q))が0.7以上の架橋型ポリオルガノシロキサンをさらに含む、請求項1に記載の硬化性組成物。
  12. 線形ポリオルガノシロキサンまたは架橋型ポリオルガノシロキサンは、ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が0.3以下である、請求項11に記載の硬化性組成物。
  13. 線形または架橋型ポリオルガノシロキサンは、下記化学式6の平均組成式を有する、請求項11に記載の硬化性組成物:
    [化学式6]
    (RSiO1/2)a(RSiO2/2(RSiO3/2(SiO4/2
    化学式6でR〜Rは、それぞれ独立に、エポキシ基または1価炭化水素基であり、且つR〜Rのうち1個または2個以上は、アルケニル基であり、a、c及びdは、それぞれ独立に、0または正の数であり、bは、正の数である。
  14. ケイ素原子に結合されたアルケニル基とエポキシ基を含み、全体ケイ素原子(Si)に対してアルケニル基(Ak)のモル比(Ak/Si)が0.02〜0.5の範囲内であり、全体ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が0.45以下であり、全体ケイ素原子(Si)に対してエポキシ基(Ep)のモル比(Ep/Si)が0.01〜0.5の範囲内のポリオルガノシロキサンをさらに含む、請求項1に記載の硬化性組成物。
  15. 請求項1に記載の硬化性組成物の硬化体を含む封止材で封止された半導体素子。
  16. 請求項1に記載の硬化性組成物の硬化体を含む封止材で封止された光半導体素子。
  17. 請求項16に記載の光半導体素子を含む液晶表示装置。
  18. 請求項16に記載の光半導体素子を含む照明。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018131545A1 (ja) * 2017-01-16 2018-07-19 株式会社ダイセル 硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び半導体装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000235103A (ja) * 1999-02-16 2000-08-29 Konica Corp 高屈折率を有する光学素子、光学用レンズ及び光学用硬化性樹脂組成物
JP2005042099A (ja) * 2003-07-09 2005-02-17 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーンゴム組成物並びに発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
WO2011090362A2 (ko) * 2010-01-25 2011-07-28 (주)Lg화학 실리콘 수지
WO2011145638A1 (ja) * 2010-05-18 2011-11-24 Jnc株式会社 新規有機ケイ素化合物、該有機ケイ素化合物を含む熱硬化性樹脂組成物、硬化樹脂および光半導体用封止材料
JP2012149131A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01274571A (ja) 1988-04-27 1989-11-02 Yasuda Denken Kk 画質改善装置
JP3241338B2 (ja) 1998-01-26 2001-12-25 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
US6127502A (en) * 1998-12-21 2000-10-03 Dow Corning Corporation Polyorganosiloxanes having at least one organofunctional group with multiple hydrolyzable groups
JP2001196151A (ja) 2000-01-12 2001-07-19 Takazono Sangyo Kk 発熱体装置及び発熱体温度制御方法
JP2002226551A (ja) 2001-01-31 2002-08-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
TWI373150B (en) * 2003-07-09 2012-09-21 Shinetsu Chemical Co Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device
MY144041A (en) * 2006-01-17 2011-07-29 Dow Corning Thermally stable transparent silicone resin compositions and methods for their preparation and use
WO2007100445A2 (en) * 2006-02-24 2007-09-07 Dow Corning Corporation Light emitting device encapsulated with silicones and curable silicone compositions for preparing the silicones
WO2007119548A1 (ja) * 2006-03-29 2007-10-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. ポリカーボネート樹脂及びそれを用いた電子写真感光体
JP5202822B2 (ja) * 2006-06-23 2013-06-05 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP5148088B2 (ja) * 2006-08-25 2013-02-20 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2009173773A (ja) 2008-01-24 2009-08-06 Toshiba Corp シリコーン樹脂組成物および半導体装置
JP5000566B2 (ja) * 2008-03-27 2012-08-15 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置
JP5201063B2 (ja) * 2008-04-15 2013-06-05 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物及びその硬化物
JP5972512B2 (ja) * 2008-06-18 2016-08-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
JP5769622B2 (ja) * 2008-10-31 2015-08-26 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置
JP5499774B2 (ja) 2009-03-04 2014-05-21 信越化学工業株式会社 光半導体封止用組成物及びそれを用いた光半導体装置
MY158950A (en) * 2010-02-19 2016-11-30 Toray Industries Phosphor-containing cured silicone, process for production of same, phosphor-containing silicone composition, precursor of the composition, sheets, led package, light-emitting device, and process for production of led-mounted substrate
WO2011162294A1 (ja) 2010-06-24 2011-12-29 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
JP5170471B2 (ja) * 2010-09-02 2013-03-27 信越化学工業株式会社 低ガス透過性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
TWI435914B (zh) * 2010-12-31 2014-05-01 Eternal Chemical Co Ltd 可固化之有機聚矽氧烷組合物及其製法
WO2013015591A2 (ko) * 2011-07-22 2013-01-31 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
JP5819787B2 (ja) * 2012-07-19 2015-11-24 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000235103A (ja) * 1999-02-16 2000-08-29 Konica Corp 高屈折率を有する光学素子、光学用レンズ及び光学用硬化性樹脂組成物
JP2005042099A (ja) * 2003-07-09 2005-02-17 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーンゴム組成物並びに発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
WO2011090362A2 (ko) * 2010-01-25 2011-07-28 (주)Lg화학 실리콘 수지
WO2011145638A1 (ja) * 2010-05-18 2011-11-24 Jnc株式会社 新規有機ケイ素化合物、該有機ケイ素化合物を含む熱硬化性樹脂組成物、硬化樹脂および光半導体用封止材料
JP2012149131A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018131545A1 (ja) * 2017-01-16 2018-07-19 株式会社ダイセル 硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び半導体装置

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