JP2016208770A - 電力変換器 - Google Patents
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Abstract
【課題】温度センサを設けることなく、より正確に電力変換回路を構成する半導体スイッチング素子の温度を判定する。【解決手段】電圧形ブリッジインバータ6の出力電流が所定値となり且つインバータ6を構成する複数の半導体スイッチング素子61がすべてオフ制御されるタイミングで、所定の半導体スイッチング素子61に逆並列接続された環流ダイオード62の順方向電圧を検出することにより、環流ダイオード62の順方向電流値が所定値の場合の順方向電圧と温度との相関関係に基づいてダイオード62の温度を判定可能とする。【選択図】図1
Description
本発明は、太陽光発電システムや燃料電池発電システムなどの発電システムに用いられるパワーコンディショナとして好適に実施できる電力変換器に関する。
下記の特許文献1には、三相インバータ装置などの電力変換器に使用される半導体スイッチング素子の通電に伴う瞬間的な温度上昇を確実に検出することを目的として、半導体スイッチング素子と一体に設けられその半導体スイッチング素子の両端に逆並列接続された環流ダイオードと、この環流ダイオードの順方向電流を検出する電流検出手段と、環流ダイオードの順方向電圧を検出する電圧検出手段と、電流検出手段及び電圧検出手段により検出された順方向電流及び順方向電圧の値に基づいて環流ダイオードの温度を推定する温度推定手段とを設けた電力変換器が開示されている。
この従来の電力変換器においては、明細書段落番号0031〜0036に記載されているように、インバータブリッジ回路のすべてのスイッチング素子(IGBT)のオフ時のモードDにおける環流ダイオードの順方向電圧VFのピーク電圧を検出するとともに、該ピーク時の環流ダイオードの順方向電流IFをサンプルホールドし、検出された順方向電流IFと順方向電圧VFとから、環流ダイオードの温度に応じた電流電圧特性のデータに基づいて、対応する温度のカーブに当てはめてそのときの温度のデータを求め、得られた温度データの値をD/A変換器を介してアナログ信号に変換し、環流ダイオードの温度に比例した直流電圧信号を推定温度信号として出力している。
しかし、順方向電流IF及び順方向電圧VFの検出値にはスイッチング動作等に伴う各種ノイズ成分が含まれるため、これら2つの変数に基づく温度の推定は誤差が大きくなり、正確な温度を判定することができない。
そこで、本発明は、より正確に半導体スイッチング素子の温度を判定することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、次の技術的手段を講じた。
すなわち、本発明は、半導体スイッチング素子および該半導体スイッチング素子と一体に設けられたダイオードを備える電力変換回路と、該電力変換回路に所定の電力変換動作を行わせるべく前記半導体スイッチング素子を周期的にオン/オフ制御する電力変換制御手段と、前記ダイオードの順方向電圧を検出する電圧検出手段と、前記ダイオードの温度を判定する温度判定手段とを備える電力変換器において、前記電力変換制御手段による半導体スイッチング素子のオン/オフ制御中に前記ダイオードに流れる順方向電流が所定値となるタイミングを発生するタイミング発生手段をさらに備え、前記電圧検出手段は、前記タイミング発生手段が発生するタイミングで前記ダイオードの順方向電圧を検出するよう構成され、前記温度判定手段は、前記電圧検出手段によって検出された順方向電圧と前記所定値とに基づいて前記ダイオードの温度を判定するよう構成されていることを特徴とするものである(請求項1)。
かかる本発明の電力変換器によれば、ダイオードの順方向電流が所定値となるタイミングでダイオードの順方向電圧を検出することにより、順方向電流を定数としてダイオードの温度を判定することができ、これにより判定精度を一層向上してより正確にダイオードの温度、すなわちこれと一体の半導体スイッチング素子の温度を検出できる。また、ダイオードや半導体スイッチング素子の温度を直接測定するサーミスタ等の温度センサを別途設ける必要がなく、回路構成の簡素化及びコスト低減を図ることができるとともに、ダイオードの順方向電圧に基づいてダイオードの温度を直接判定するものであるから、ダイオードから離れた箇所に設置された温度センサによる測定よりも判定精度を向上でき、保護マージンも小さくすることができる。
上記本発明の電力変換器において、前記半導体スイッチング素子と直列に接続されたリアクトルをさらに備え、前記電力変換制御手段は前記リアクトルを流れる電流を制御するよう前記半導体スイッチング素子をオン/オフ制御するものであり、半導体スイッチング素子のオン制御時はリアクトルを流れる電流が半導体スイッチング素子を通過するとともに前記ダイオードには逆方向電圧が印加され、半導体スイッチング素子のオフ制御時に、前記オン制御時にリアクトルを流れていた電流がリアクトルの電流保持作用によって前記ダイオードを順方向電流として通過し、前記タイミング発生手段は、半導体スイッチング素子のオフ制御により前記ダイオードに順方向電流が流れるタイミングを発生するものであってよい(請求項2)。これによれば、リアクトルの電流保持作用によって、半導体スイッチング素子のオン制御時に半導体スイッチング素子を流れていた電流と実質的に等価な電流が、半導体スイッチング素子のオフ制御時にダイオードを流れ、これら半導体スイッチング素子のオン/オフ時にわたってリアクトルを流れる電流は若干のリプル等は生じるものの実質的に均一とみなすことができるので、ダイオードに順方向電流が流れるタイミングで順方向電圧を検出することにより、電力変換制御手段によって制御されるリアクトル電流の目標値や、リアクトル電流を検出する電流センサの検出値をダイオードの順方向電流値として利用でき、かかるリアクトル電流は電力変換制御手段によって制御されているのでダイオードの順方向電流そのものを検出するよりも誤差が少なく、これにより一層正確にダイオードの温度を判定できる。
上記本発明は、好ましくはリアクトルを具備するどのような電力変換回路にも適用でき、系統連系インバータのインバータブリッジ回路を構成する一の半導体スイッチング素子に併設された環流ダイオードの温度判定や、昇圧チョッパ回路を構成する逆流防止用ダイオードの温度判定等に利用できる。
すなわち、本発明は、複数の半導体スイッチング素子および各半導体スイッチング素子と一体に設けられるとともに各半導体スイッチング素子の両端に逆並列接続された環流ダイオードを備える電圧形ブリッジインバータと、該電圧形ブリッジインバータの出力側に設けられた連系リアクトルと、前記電圧形ブリッジインバータの直流入力電力を所定の交流電力に変換して出力するよう前記電圧形ブリッジインバータの出力電流を制御するべく前記複数の半導体スイッチング素子を周期的にオン/オフ制御する電力変換制御手段と、前記複数の半導体スイッチング素子の少なくとも一つの半導体スイッチング素子に一体の前記ダイオードの順方向電圧を検出する電圧検出手段と、該ダイオードの温度を判定する温度判定手段とを備える電力変換器において、前記電圧形ブリッジインバータの出力電流が所定値となり且つ複数の半導体スイッチング素子がすべてオフ制御されるタイミングを発生するタイミング発生手段をさらに備え、前記電圧検出手段は、前記タイミング発生手段が発生するタイミングで前記ダイオードの順方向電圧を検出するよう構成され、前記温度判定手段は、前記電圧検出手段によって検出された順方向電圧と前記所定値とに基づいて前記ダイオードの温度を判定するよう構成されているものとすることができる(請求項3)。
かかる本発明の電力変換器によれば、電力変換制御手段による電圧形ブリッジインバータのいわゆる電流モード制御によって、電圧形ブリッジインバータの入力側に供給される直流電力が交流電力に変換されて出力される。かかる電力変換動作において、インバータブリッジを構成するすべての半導体スイッチング素子が同時にオンして過大な貫通電流が流れることを回避するため、オンする半導体スイッチング素子の切り替えを行う際には、すべての半導体スイッチング素子がオフするデッドタイムが設けられる。このデッドタイム時においても、連系リアクトルの電流保持作用によって該リアクトルを流れる電流は僅かに低下していくものの実質的には保持され、該電流はいずれかの半導体スイッチング素子に逆並列接続された環流ダイオードを通過して入力側に環流される。本発明は、かかる環流ダイオードの順方向電流の値が、電力変換制御手段による出力電流の制御目標値と実質的に等価になることに着眼し、電力変換制御手段によって制御されている出力電流が所定値となったときにデッドタイム時に環流ダイオードの順方向電圧を検出することで、該環流ダイオードの順方向電流自体を検出することなく、制御目標値、若しくは、制御の結果出力されている出力電流の検出値を順方向電流値として定数的に扱うことが可能となり、これにより、順方向電流が所定値であるときの順方向電圧と温度との関係データ若しくは関数に基づいてより正確に一の半導体スイッチング素子の温度を判定できる。
上記発明の電力変換器において、前記電圧検出手段は、前記複数の半導体スイッチング素子のうち最も高温となる半導体スイッチング素子に一体のダイオードの順方向電圧を検出するものとすることができる(請求項4)。これによれば、回路構成を簡素化しつつも、複数の半導体スイッチング素子のすべてを過熱による破壊から保護できる。
なお、上記ブリッジインバータは、フルブリッジ形であってもハーフブリッジ形であってもよく、また、単相交流を出力するものでも2相或いは3相交流を出力するものであってもよい。また、2レベルインバータであっても、3レベルインバータ等のマルチレベルインバータであってもよい。3レベルインバータの場合、半導体スイッチング素子は8個必要になるが、そのうちの最も高温になることが想定される一の半導体スイッチング素子を予め実験等によって特定しておき、この一の半導体スイッチング素子の温度を判定するよう構成できる。
また、本発明は、リアクトル、半導体スイッチング素子及び逆流防止ダイオードを備える昇圧チョッパと、該昇圧チョッパの出力側に設けられたDCリンクコンデンサと、前記昇圧チョッパの入力電圧を昇圧して前記DCリンクコンデンサに出力するよう前記半導体スイッチング素子を周期的にオン/オフ制御する電力変換制御手段と、前記ダイオードの順方向電圧を検出する電圧検出手段と、前記ダイオードの温度を判定する温度判定手段とを備える電力変換器において、前記昇圧チョッパの入力電流が所定値となる定常状態で動作しており且つ前記半導体スイッチング素子のターンオフタイミングから所定の遅延時間後のタイミングを発生するタイミング発生手段をさらに備え、前記電圧検出手段は、前記タイミング発生手段が発生するタイミングで前記ダイオードの順方向電圧を検出するよう構成され、前記温度判定手段は、前記電圧検出手段によって検出された順方向電圧と前記所定値とに基づいて前記ダイオードの温度を判定するよう構成されているものとすることもできる(請求項5)。
かかる本発明の電力変換器によれば、半導体スイッチング素子のオン制御時はリアクトルが入力側電源に短絡されることによりリアクトル電流が徐々に増加し、半導体スイッチング素子のオフ制御時はリアクトルの電流保持作用によってリアクトルの出力側が昇圧されてダイオードに順方向電圧が生じて、リアクトル電流がそのままダイオードを通過してDCリンクコンデンサに供給される。本発明は、かかるダイオードの順方向電流が、リアクトル電流、すなわち昇圧チョッパの入力電流と実質的に等価であることに着眼し、電力変換制御手段によって制御されている入力電流が所定値となる定常状態で動作しているときの半導体スイッチング素子のオフ制御時のダイオードの順方向電圧を検出することで、該ダイオードの順方向電流自体を検出することなく、入力電流の制御目標値若しくは入力電流の検出値を順方向電流値として定数的に扱うことが可能となり、これにより、順方向電流が所定値であるときの順方向電圧と温度との関係データ若しくは関数に基づいてより正確にダイオードの温度、ひいてはこれに一体の半導体スイッチング素子の温度を判定できる。
以上説明したように、本発明の請求項1に係る電力変換器によれば、ダイオードの順方向電流が所定値となるタイミングでダイオードの順方向電圧を検出することにより、順方向電流を定数としてダイオードの温度を判定することができ、これにより判定精度を一層向上してより正確にダイオードの温度、すなわちこれと一体の半導体スイッチング素子の温度を検出できる。また、ダイオードや半導体スイッチング素子の温度を直接測定するサーミスタ等の温度センサを別途設ける必要がなく、回路構成の簡素化及びコスト低減を図ることができるとともに、ダイオードの順方向電圧に基づいてダイオードの温度を直接判定するものであるから、ダイオードから離れた箇所に設置された温度センサによる測定よりも判定精度を向上でき、保護マージンも小さくすることができる。
また、本発明の請求項2に係る電力変換器によれば、リアクトルの電流保持作用によって、半導体スイッチング素子のオン制御時に半導体スイッチング素子を流れていた電流と実質的に等価な電流が、半導体スイッチング素子のオフ制御時にダイオードを流れ、これら半導体スイッチング素子のオン/オフ時にわたってリアクトルを流れる電流は若干のリプル等は生じるものの実質的に均一とみなすことができるので、ダイオードに順方向電流が流れるタイミングで順方向電圧を検出することにより、電力変換制御手段によって制御されるリアクトル電流の目標値や、リアクトル電流を検出する電流センサの検出値をダイオードの順方向電流値として利用でき、かかるリアクトル電流は電力変換制御手段によって制御されているのでダイオードの順方向電流そのものを検出するよりも誤差が少なく、これにより一層正確にダイオードの温度を判定できる。
また、本発明の請求項3に係る電力変換器によれば、電力変換制御手段によって制御されている出力電流が所定値となったときにデッドタイム時に環流ダイオードの順方向電圧を検出することで、該環流ダイオードの順方向電流自体を検出することなく、制御目標値、若しくは、制御の結果出力されている出力電流の検出値を順方向電流値として定数的に扱うことが可能となり、これにより、順方向電流が所定値であるときの順方向電圧と温度との関係データ若しくは関数に基づいてより正確に一の半導体スイッチング素子の温度を判定できる。
また、本発明の請求項4に係る電力変換器によれば、回路構成を簡素化しつつも、複数の半導体スイッチング素子のすべてを過熱による破壊から保護できる。
また、本発明の請求項5に係る電力変換器によれば、電力変換制御手段によって制御されている入力電流が所定値となる定常状態で動作しているときの半導体スイッチング素子のオフ制御時のダイオードの順方向電圧を検出することで、該ダイオードの順方向電流自体を検出することなく、入力電流の制御目標値若しくは入力電流の検出値を順方向電流値として定数的に扱うことが可能となり、これにより、順方向電流が所定値であるときの順方向電圧と温度との関係データ若しくは関数に基づいてより正確にダイオードの温度、ひいてはこれに一体の半導体スイッチング素子の温度を判定できる。
以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は本発明の一実施形態に係るパワーコンディショナ1(電力変換器)の概略構成を示しており、該パワーコンディショナ1は、太陽電池アレイなどの発電部2が出力する直流発電電力を商用電力系統3に連系する交流電力に変換して商用電力系統3に出力するものであって、コンバータ4(第1の電力変換回路)、DCリンクコンデンサ5及びインバータ6(第2の電力変換回路)により主構成される電力変換部と、該電力変換部の出力部(図示例ではインバータ6の出力部)と商用電力系統3との間に設けられた解列用保護リレー7と、電力変換部及び保護リレー7の動作を制御する制御部8(電力変換制御部)とを備えている。
発電部2は、従来公知の適宜の構成であってよく、一般的には、複数の太陽電池モジュールを直列乃至並列に接続してなり、敷地や建物の屋根などに設置される。また、発電部2としては、燃料電池その他の発電装置を用いることができる。
制御部8は、コンバータ4及びインバータ6における各電力変換動作並びに保護リレー7の開閉動作を制御するとともに、パワーコンディショナ1の筐体に取り付けられた液晶表示器などからなる表示部(図示せず)の表示制御や、パワーコンディショナ1における各種異常検出制御を行う。制御部8は、制御中枢としてのマイクロプロセッサ(図示せず)を制御基板上に備えているとともに、該マイクロプロセッサからの制御信号に基づいてコンバータ4並びにインバータ6を構成する各半導体スイッチング素子に駆動信号を出力する駆動回路(図示せず)を備えている。
電力変換部も従来公知の適宜の構成であってよく、図示実施例では、発電部2から供給される直流電力を交流の系統電圧の最大値(例えば200V交流電力の場合は280V)に対応する所定電圧(例えば350V)に昇圧するよう電力変換してDCリンクコンデンサ5に出力するDC/DCコンバータ4と、DCリンクコンデンサ5を介して供給される直流電力を系統電力に連系する交流電力に電力変換して系統3に出力するDC/ACインバータ6とから構成できる。
コンバータ4は、DCリアクトル41と、該DCリアクトル41の蓄積エネルギーを制御するIGBTなどの半導体スイッチング素子42と、DCリンクコンデンサ5からDCリアクトル41への電流の逆流を防止する逆流防止用ダイオード43とから主構成される昇圧チョッパ回路であって、ダイオード43のカソード側がDCリンクコンデンサ5の正極側に接続されている。半導体スイッチング素子42には、負荷電流を転流させるためのFWD44(フリーホイーリングダイオード)が逆並列接続されている。本実施例では、半導体スイッチング素子42と逆流防止用ダイオード43とが、IPM(インテリジェントパワーモジュール)などの一つのパワーモジュールに一体に内蔵されており、好ましくは逆流防止用ダイオード43が半導体スイッチング素子42に近接して実装されているものを用いることができる。
インバータ6は、フルブリッジ形の電圧形ブリッジインバータであり、4つのIGBTなどの半導体スイッチング素子61をHブリッジ形に接続するとともに各半導体スイッチング素子61に環流ダイオード62を逆並列接続することにより構成され、その出力側には連系リアクトル63が設けられている。このインバータ6は、制御部8によるいわゆる電流モード制御(電圧形インバータの電流制御)を行うことによって、出力電流が系統電力に同期する交流波形となるよう出力電流を制御するものであり、系統3への電力出力時はDCリンクコンデンサ5からの直流電力がPWM制御若しくはPAM制御によって交流電力に変換されて系統3へ出力される。本実施例では、4つの半導体スイッチング素子61と環流ダイオード62とが、IPM(インテリジェントパワーモジュール)などの一つのパワーモジュールに一体に内蔵されており、好ましくは逆並列接続された半導体スイッチング素子61及び環流ダイオード62が近接して実装されているものを用いることができる。
コンバータ4の入力側の入力電路には入力電圧センサ10及び入力電流センサ11が設けられ、インバータ6の出力側の出力電路には出力電圧センサ12及び出力電流センサ13が設けられており、これらセンサ10,11,12,13の検出値は、制御部8に入力されてコンバータ4及びインバータ6における電力変換動作の制御パラメータとして用いられる。
また、コンバータ4の逆流防止用ダイオード43の順方向電圧を検出するための第1の電圧検出回路14(電圧検出手段)と、インバータ6を構成する一の半導体スイッチング素子61に逆並列接続された環流ダイオード62の順方向電圧を検出するための第2の電圧検出回路15(電圧検出手段)とが設けられている。これら第1及び第2の電圧検出回路14,15は同等の回路構成であってもよいし、異なる回路構成であってもよい。図2〜図5は、第1及び第2の電圧検出回路14,15として用いることのできる回路構成例をそれぞれ示している。
図2に示す実施例においては、測定対象となるダイオード43,62の両端電圧を分圧回路16により分圧し、分圧された電圧信号をバッファアンプ17を介してサンプルホールド回路18に供給するよう構成されている。なお、バッファアンプ17としてはアイソレーションアンプを用いている。
サンプルホールド回路18には、タイミング発生手段19が生成するサンプリングタイミング信号もまた入力されており、該サンプリングタイミング信号で指示されたサンプリングタイミングでバッファアンプ17からの入力電圧をサンプリングし、サンプリングした電圧値をホールドして制御部8に電圧検出信号(アナログ値)として出力する。
図3に示す実施例では、分圧回路16によって分圧された電圧をサンプルホールド回路18によってサンプルホールドし、該サンプルホールド回路18の出力電圧をバッファアンプ17を介して制御部8に出力している。
図4に示す実施例は、特に絶縁の必要のない場合に利用可能な構成例であって、図に示すように上記バッファアンプを省略することもできる。
図5に示す実施例は、制御部8のマイクロプロセッサが高性能な場合に利用可能な構成例であって、上記サンプルホールド回路18を省略してバッファアンプ17の出力をマイクロプロセッサのアナログ入力端子に入力させ、マイクロプロセッサによってタイミング発生手段19が生成するサンプリングタイミングで入力電圧をサンプリングする構成を示しており、而して、マイクロプロセッサがサンプルホールド手段18として機能する。
タイミング発生手段19は適宜の構成を採用することができ、制御部8のマイクロプロセッサをタイミング発生手段19として機能させることもできるし、制御部8とは別個に設けた専用回路によりタイミング発生手段19を構成することもできるし、制御部8のマイクロプロセッサと、該マイクロプロセッサからの制御信号に基づいて動作する専用回路との組み合わせによってタイミング発生手段19を構成することもできる。また、タイミング発生手段19が生成するサンプリングタイミングは、マイクロプロセッサにおける演算によって生成されてもよいし、コンバータ4又はインバータ6を駆動する駆動回路が生成する駆動信号に基づいて生成されるものであってもよい。本発明は、タイミング発生手段19が生成するタイミングをいつの時点にするかを特徴とするものであって、タイミング発生手段19の回路構成自体は適宜の構成であってよい。
次に、タイミング発生手段19が生成するサンプリングタイミングについて説明するために、まず、インバータ6の動作について説明する。
図6は、インバータ6の動作原理を説明するための動作説明図であり、インバータ6は、図示されたモード1〜モード4の4つの動作モードを周期的に繰り返すことにより出力電流が制御される。モード1は、図示右上と左下のスイッチがオンし、右下と左上のスイッチがオフされ、このとき、回路図右上のグラフに示すように、電源側に連系リアクトルが正接続されることで連系リアクトルを流れる電流が増加していく。モード3は、右下と左上のスイッチがオンし、右上と左下のスイッチがオフされ、このとき、回路図右上のグラフに示すように、電源側に連系リアクトルが逆接続されることで連系リアクトルを流れる電流が減少していく。これらモード1とモード3を交互に切り替えるとともに、各モード1,3の持続時間をPWM制御によって適切に制御することによって、図8に示すような系統電力に連系する交流電流が出力される。また、各モード1,3を切り替える際にすべてのスイッチがオンすることを防止するために、モード1からモード3に切り替えるとき、並びに、モード3からモード1に切り替えるときに、モード2,4に示すようにすべてのスイッチをオフするデッドタイムが設けられており、このデッドタイム時には、連系リアクトルを流れる電流はリアクトルの磁気エネルギー保存則によって急変できないため、図に矢印で示すように環流ダイオードを通ってリアクトル電流が電源側に環流される。なお、一実施例においてデッドタイムは1〜2マイクロ秒程度である。
図7は、出力電流が0A付近(ゼロクロス点付近)におけるインバータ6の上アームの正側スイッチング素子と負側スイッチング素子の制御信号及び測定対象となる負側スイッチング素子の両端電圧の遷移を示すタイミングチャートである。なお、各半導体スイッチング素子にはターンオン時及びターンオフ時に僅かな遅延時間があるため、制御ロジック上のデッドタイムと、実際の出力上のデッドタイムとは僅かにズレが生じる。したがって、インバータ6用のタイミング発生手段19は、好ましくは実際の出力上のデッドタイムを検出するか、或いは予め実験によってロジック上のデッドタイムと出力上のデッドタイムとの相関データを求めておき、この相関データとロジック上のデッドタイムとに基づいて適切なタイミングを生成するよう構成できる。
本実施例では、インバータ6用のタイミング発生手段19は、図8に示すように、出力電流、すなわち連系リアクトル電流が1A±α(許容誤差)のタイミングであって、すべての半導体スイッチング素子61がオフ制御されることにより図7に示すように負側スイッチング素子61の両端電圧が負電圧となって環流ダイオード62に順方向電圧が印加され、これにより連系リアクトル63を流れる電流が環流ダイオード62を介して環流されているタイミングで、サンプリングタイミングを示すパルス信号からなるデッドタイム信号を生成するよう構成されている。
連系リアクトル電流が1Aであるタイミングは適宜の方法によって判定することができ、例えば、図8に示す出力電流波形(制御目標波形)のゼロクロス点を基準として、リアクトル電流が1Aとなるゼロクロス点からの経過時間後のタイミングであってもよいし、出力電流センサ13の検出値に基づいて1Aとなるタイミングを判定してもよいし、制御部8の制御目標値が1Aとなるタイミングであってもよい。
このデッドタイム信号は連系リアクトル電流が1A±αでないときは生成されないため、これにより、環流ダイオード62の順方向電圧をサンプリングするときに環流ダイオード62を流れる電流が1A±αであることを保証できる。
制御部8の記憶手段には、予め順方向電流が1Aのときの環流ダイオード62の順方向電圧と温度との関係データ若しくは関係式が記憶されており、制御部8のマイクロプロセッサは、所定のタイミングで、若しくは、定常的に、電圧検出回路14がサンプルホールドした環流ダイオード62の上記順方向電圧値を監視して、該順方向電圧値と上記関係データ若しくは関係式とに基づいて、環流ダイオード62の温度、ひいては半導体スイッチング素子61の温度を判定するよう制御構成されている。而して、かかる判定を行う制御部8によって、環流ダイオード62の温度を判定する温度判定手段が構成されている。なお、関係式としては、例えば、順方向電圧Vf=a×温度T+b(a,bは定数。aは例えば−2mV/℃。)などとすることができる。
図9は、コンバータ4用のサンプリングタイミング発生手段19のタイミング生成ロジックを説明するためのタイミングチャートである。まずコンバータ4の動作原理について説明すると、半導体スイッチング素子42にPWM制御された昇圧チョッパ駆動信号を出力すると、半導体スイッチング素子42のオン制御時はDCリアクトル41が電源部2に接続されてリアクトル電流がIL1からIL2に徐々に増加する。一方、オフ制御時は、DCリアクトル41の出力電圧が昇圧されて逆流防止ダイオード43に順方向電圧が生じ、リアクトル電流が該ダイオード43を通過してDCリンクコンデンサ5に供給され、このときリアクトル電流、すなわちダイオード43を流れる順方向電流、並びに、ダイオード43の順方向電圧は図に示すように徐々に減少していく。
そして、コンバータ4用のサンプリングタイミング発生手段19は、昇圧チョッパの入力電流(リアクトル電流)が所定値となる定常状態で動作しており、且つ、半導体スイッチング素子42をオフしている間の所定のタイミングで、サンプリングタイミングを示すパルス信号を生成するように構成されている。昇圧チョッパの入力電流が所定値となる状態は、積極的制御によって作り出された状態であってもよく、例えばスイッチング素子の過熱状態判定のために、入力電流が所定値となるようスイッチング素子42をPWM制御してもよい。また、積極的な電流制御を行うのではなく、例えば、過熱状態となるリスクが大きくなる最大入力電流を所定値とし、最大入力電流で動作しているときにサンプリングタイミング発生手段19がサンプリングタイミングを発生するよう制御構成することもできる。また、複数の入力電流値のうちのいずれかで動作しているときにサンプリングタイミングを発生するよう制御構成することもできる。
昇圧チョッパのDCリアクトル電流のリプルは定常状態であっても比較的大きい場合があり、また、半導体スイッチング素子42のターンオフ直後はスイッチング動作によるノイズ成分が大きくなるため、好ましくは、半導体スイッチング素子42のターンオフタイミングから所定の遅延時間Δt後のタイミングで上記パルス信号を出力する。この遅延時間Δtは、リプルを含むリアクトル電流がちょうど平均値(すなわち昇圧チョッパの入力電流値)となる時間とすることができ、例えば、ターンオフタイミングから、オフ時間の半分の時間を経過したときとすることができる。
また、半導体スイッチング素子42をオンしているときは下記の式(1)が成立し、オフしているときは下記の式(2)が成立する。
L×(IL2−IL1)/Ton = Vin ・・・式(1)
L×(IL2−IL1)/Toff = Vo − Vin − Vf ・・・式(2)
Vin:電源電圧,Ton:オン時間,Toff:オフ時間,L:DCリアクトルのインダクタンス,Vo:DCリンク電圧,Vf:ダイオードの順方向電圧(Vo及びVinと比べて十分小さいため無視可能)
L×(IL2−IL1)/Ton = Vin ・・・式(1)
L×(IL2−IL1)/Toff = Vo − Vin − Vf ・・・式(2)
Vin:電源電圧,Ton:オン時間,Toff:オフ時間,L:DCリアクトルのインダクタンス,Vo:DCリンク電圧,Vf:ダイオードの順方向電圧(Vo及びVinと比べて十分小さいため無視可能)
電源電圧Vinは入力電圧センサ10によって検出でき、インダクタンスLは定数であり、Ton及びToffは制御部8の制御上のパラメータであるので制御部8において判明しており、VoもDCリンク電圧検出センサ(図示せず)によって検出できる。したがって、これらの式(1)(2)より、リアクトル電流のリプルの量(IL2−IL1)を算出でき、これとオフ時間Toffとの関係によりオフ時間中のリアクトル電流の単位時間毎の減少量、図9のリアクトル電流のオフ時間Toff時の直線の傾きがわかり、一方、リアクトル電流の平均値は入力電流センサ11の検出値によって分かっているため、半導体スイッチング素子42のターンオフタイミングから所定の遅延時間Δt後の正確なリアクトル電流値を算出可能である。かかるリアクトル電流値が、予め関係データ若しくは関係式が用意されている所定の電流値であるときのダイオード43の順方向電圧をサンプリングホールドすることにより、より正確にダイオード43の温度、ひいては半導体スイッチング素子42の温度を判定することができる。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、適宜設計変更できる。例えば、上記実施形態ではコンバータ及びインバータを内蔵するパワーコンディショナの例を示したが、コンバータのみからなる電力変換器やインバータのみからなる電力変換器として実施することも可能である。また、半導体スイッチング素子とダイオードは、熱的に一体であればよく、例えば個別に供給されている半導体スイッチング素子部品と、ダイオード部品とを、熱的に一体となるよう基板上に実装してもよい。
1 電力変換器(パワーコンディショナ)
4 電力変換回路(コンバータ)
41 DCリアクトル
42 半導体スイッチング素子
43 逆流防止用ダイオード
5 DCリンクコンデンサ
6 電力変換回路(インバータ)
61 半導体スイッチング素子
62 環流ダイオード
63 連系リアクトル
8 電力変換制御手段(制御部)
14 電圧検出手段(コンバータのダイオード用の電圧検出回路)
15 電圧検出手段(インバータのダイオード用の電圧検出回路)
19 タイミング発生手段
4 電力変換回路(コンバータ)
41 DCリアクトル
42 半導体スイッチング素子
43 逆流防止用ダイオード
5 DCリンクコンデンサ
6 電力変換回路(インバータ)
61 半導体スイッチング素子
62 環流ダイオード
63 連系リアクトル
8 電力変換制御手段(制御部)
14 電圧検出手段(コンバータのダイオード用の電圧検出回路)
15 電圧検出手段(インバータのダイオード用の電圧検出回路)
19 タイミング発生手段
Claims (5)
- 半導体スイッチング素子および該半導体スイッチング素子と一体に設けられたダイオードを備える電力変換回路と、該電力変換回路に所定の電力変換動作を行わせるべく前記半導体スイッチング素子を周期的にオン/オフ制御する電力変換制御手段と、前記ダイオードの順方向電圧を検出する電圧検出手段と、前記ダイオードの温度を判定する温度判定手段とを備える電力変換器において、
前記電力変換制御手段による半導体スイッチング素子のオン/オフ制御中に前記ダイオードに流れる順方向電流が所定値となるタイミングを発生するタイミング発生手段をさらに備え、前記電圧検出手段は、前記タイミング発生手段が発生するタイミングで前記ダイオードの順方向電圧を検出するよう構成され、前記温度判定手段は、前記電圧検出手段によって検出された順方向電圧と前記所定値とに基づいて前記ダイオードの温度を判定するよう構成されていることを特徴とする電力変換器。 - 請求項1に記載の電力変換器において、前記半導体スイッチング素子と直列に接続されたリアクトルをさらに備え、前記電力変換制御手段は前記リアクトルを流れる電流を制御するよう前記半導体スイッチング素子をオン/オフ制御するものであり、半導体スイッチング素子のオン制御時はリアクトルを流れる電流が半導体スイッチング素子を通過するとともに前記ダイオードには逆方向電圧が印加され、半導体スイッチング素子のオフ制御時に、前記オン制御時にリアクトルを流れていた電流がリアクトルの電流保持作用によって前記ダイオードを順方向電流として通過し、前記タイミング発生手段は、半導体スイッチング素子のオフ制御により前記ダイオードに順方向電流が流れるタイミングを発生することを特徴とする電力変換器。
- 複数の半導体スイッチング素子および各半導体スイッチング素子と一体に設けられるとともに各半導体スイッチング素子の両端に逆並列接続された環流ダイオードを備える電圧形ブリッジインバータと、該電圧形ブリッジインバータの出力側に設けられた連系リアクトルと、前記電圧形ブリッジインバータの直流入力電力を所定の交流電力に変換して出力するよう前記電圧形ブリッジインバータの出力電流を制御するべく前記複数の半導体スイッチング素子を周期的にオン/オフ制御する電力変換制御手段と、前記複数の半導体スイッチング素子の少なくとも一つの半導体スイッチング素子に一体の前記ダイオードの順方向電圧を検出する電圧検出手段と、該ダイオードの温度を判定する温度判定手段とを備える電力変換器において、
前記電圧形ブリッジインバータの出力電流が所定値となり且つ複数の半導体スイッチング素子がすべてオフ制御されるタイミングを発生するタイミング発生手段をさらに備え、前記電圧検出手段は、前記タイミング発生手段が発生するタイミングで前記ダイオードの順方向電圧を検出するよう構成され、前記温度判定手段は、前記電圧検出手段によって検出された順方向電圧と前記所定値とに基づいて前記ダイオードの温度を判定するよう構成されていることを特徴とする電力変換器。 - 請求項3に記載の電力変換器において、前記電圧検出手段は、前記複数の半導体スイッチング素子のうち最も高温となる半導体スイッチング素子に一体のダイオードの順方向電圧を検出することを特徴とする電力変換器。
- リアクトル、半導体スイッチング素子及び逆流防止ダイオードを備える昇圧チョッパと、該昇圧チョッパの出力側に設けられたDCリンクコンデンサと、前記昇圧チョッパの入力電圧を昇圧して前記DCリンクコンデンサに出力するよう前記半導体スイッチング素子を周期的にオン/オフ制御する電力変換制御手段と、前記ダイオードの順方向電圧を検出する電圧検出手段と、前記ダイオードの温度を判定する温度判定手段とを備える電力変換器において、
前記昇圧チョッパの入力電流が所定値となる定常状態で動作しており且つ前記半導体スイッチング素子のターンオフタイミングから所定の遅延時間後のタイミングを発生するタイミング発生手段をさらに備え、前記電圧検出手段は、前記タイミング発生手段が発生するタイミングで前記ダイオードの順方向電圧を検出するよう構成され、前記温度判定手段は、前記電圧検出手段によって検出された順方向電圧と前記所定値とに基づいて前記ダイオードの温度を判定するよう構成されていることを特徴とする電力変換器。
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2015
- 2015-04-27 JP JP2015090747A patent/JP2016208770A/ja active Pending
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