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JP2016201447A - Molded package - Google Patents

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JP2016201447A
JP2016201447A JP2015080159A JP2015080159A JP2016201447A JP 2016201447 A JP2016201447 A JP 2016201447A JP 2015080159 A JP2015080159 A JP 2015080159A JP 2015080159 A JP2015080159 A JP 2015080159A JP 2016201447 A JP2016201447 A JP 2016201447A
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semiconductor chip
bonding wire
mold
mold resin
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JP2015080159A
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磨永 藤井
Kiyonaga Fujii
磨永 藤井
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Original Assignee
Denso Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a half molded type package which has irregularities both for preventing a peeled molded resin from penetrating through one surface of a die pad, and preventing a resin burr in the other surface of the die pad.SOLUTION: A molded package P1 comprises a semiconductor chip 30 which is mounted on one surface 10a of a flat die pad 10 via a die bond material 20; and a molded resin 40 which seals the one surface 10a of the die pad 10. A portion 11 just below the chip of another surface 10b of the die pad 10 is exposed from the molded resin 40. In the other surface 10b of the die pad 10, an annular recess 12 is formed so as to surround the whole circumference of the portion 11 just below the chip, and an inner peripheral side of the recess 12 is exposed from the mold resin 40. In the surface 10a of the die pad 10, a portion just above the recess 12 is an annular protrusion 13 which has a protruded shape derived from a concave shape of the recess 12.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ダイパッドの一面側に半導体チップを搭載したものをモールド樹脂で封止するとともに、ダイパッドの他面をモールド樹脂より露出させてなるモールドパッケージに関する。   The present invention relates to a mold package in which a semiconductor chip mounted on one surface side of a die pad is sealed with a mold resin and the other surface of the die pad is exposed from the mold resin.

従来、この種のモールドパッケージとしては、たとえば特許文献1に記載のものが提案されている。このパッケージは、一面と他面とが表裏の関係にある板状のダイパッドと、ダイパッドの一面にダイボンド材を介して搭載された半導体チップと、半導体チップとともにダイパッドの一面側を封止するモールド樹脂と、を備える。   Conventionally, as this type of mold package, for example, a package described in Patent Document 1 has been proposed. This package includes a plate-shaped die pad whose one surface and the other surface are front and back, a semiconductor chip mounted on one surface of the die pad via a die bonding material, and a mold resin that seals one surface of the die pad together with the semiconductor chip. And comprising.

そして、ダイパッドの他面のうち少なくとも半導体チップの直下に位置するチップ直下部は、モールド樹脂より露出している。このように、この種のモールドパッケージは、実質的にダイパッドの片面側のみをモールド樹脂で封止する構成としており、いわゆる、ハーフモールドタイプと呼ばれている。   Of the other surface of the die pad, at least a portion directly below the semiconductor chip located below the semiconductor chip is exposed from the mold resin. In this way, this type of mold package is configured so that substantially only one side of the die pad is sealed with the mold resin, and is called a so-called half mold type.

このようなハーフモールドタイプのパッケージの場合、ダイパッドの他面、特にダイパッドの他面のうち放熱を要するチップ直下部は、モールド樹脂による樹脂バリを防止して確実にモールド樹脂から露出させることが必要である。   In the case of such a half mold type package, the other side of the die pad, in particular, the lower part of the die pad, which needs to be radiated, needs to be exposed from the mold resin by preventing resin burrs caused by the mold resin. It is.

そのため、上記特許文献1では、ダイパッドに対して、ダイパッドの他面側からパンチを用いたプレス加工を施して、チップ直下部を凹部とすることにより、チップ直下部の周辺部に段差を設け、樹脂バリの侵入を当該段差で防止するようにしていた。   Therefore, in the above-mentioned Patent Document 1, the die pad is subjected to press processing using a punch from the other surface side of the die pad, and the step immediately below the chip is provided with a step, thereby providing a step in the peripheral portion immediately below the chip. Intrusion of resin burrs was prevented at the step.

一方、このようなモールドパッケージの場合、モールド樹脂で封止されているダイパッドの一面側では、モールド樹脂の剥離防止の対策が肝要である。特に、半導体チップとダイパッドの外周端部との間でモールド樹脂の剥離が貫通すること、いわゆる、貫通剥離が発生すると、剥離部分を通って湿気等が侵入することにより、半導体チップの特性低下が懸念される。   On the other hand, in the case of such a mold package, it is important to take measures to prevent the mold resin from peeling on the one surface side of the die pad sealed with the mold resin. In particular, when mold resin peeling penetrates between the semiconductor chip and the outer peripheral edge of the die pad, that is, when so-called penetration peeling occurs, moisture or the like enters through the peeling portion, thereby reducing the characteristics of the semiconductor chip. Concerned.

このような貫通剥離の発生要因としては、次の2つが主に挙げられる。1つ目は、ダイボンド材とモールド樹脂との密着性が一般に低く、半導体チップ近傍からモールド樹脂の剥離が生じやすいことである。2つ目は、ダイパッドの外周端部にて応力集中等によるモールド樹脂の剥離が発生しやすいことである。   There are mainly the following two factors that cause such peeling. The first is that the adhesion between the die bond material and the mold resin is generally low, and the mold resin is easily peeled from the vicinity of the semiconductor chip. Second, the mold resin is likely to be peeled off due to stress concentration at the outer peripheral edge of the die pad.

そのため、従来では、ダイパッドの一面においてもプレス加工を施して、半導体チップとダイパッドの外周端部との間で溝等の凹部を形成することにより、剥離防止の対策を行っていた。   For this reason, conventionally, the surface of the die pad is also pressed to form a recess such as a groove between the semiconductor chip and the outer peripheral end of the die pad, thereby taking measures to prevent peeling.

特開2013−175795号公報JP 2013-175895 A

このように、この種のモールドパッケージにおいては、ダイパッドの一面における貫通剥離の防止と、ダイパッドの他面における樹脂バリの防止との両面から対策を施す必要があり、ダイパッドの表裏両面に凹部を設ける必要がある。しかし、従来のプレス加工では、ダイパッドの平坦性を確保するために、浅い凹部を、ダイパッドの一面と他面とで別々に形成せざるを得なかった。   As described above, in this type of mold package, it is necessary to take measures from both sides of prevention of penetration peeling on one surface of the die pad and prevention of resin burr on the other surface of the die pad, and recesses are provided on both front and back surfaces of the die pad. There is a need. However, in the conventional press work, in order to ensure the flatness of the die pad, a shallow concave portion has to be formed separately on one surface and the other surface of the die pad.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ハーフモールドタイプのパッケージにおいて、ダイパッドの一面における貫通剥離の防止と、ダイパッドの他面における樹脂バリの防止とを両立させるための凹凸を、プレス加工によって簡単に形成するのに適した構成を実現することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and in a half mold type package, unevenness for making both prevention of penetration peeling on one surface of the die pad and prevention of resin burr on the other surface of the die pad compatible, It aims at realizing the structure suitable for forming easily by press work.

上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、一面(10a)と他面(10b)とが表裏の関係にある板状のダイパッド(10)と、ダイパッドの一面にダイボンド材(20)を介して搭載された半導体チップ(30)と、半導体チップとともにダイパッドの一面側を封止するモールド樹脂(40)と、を備え、ダイパッドの他面のうち少なくとも半導体チップの直下に位置するチップ直下部(11)は、モールド樹脂より露出しているモールドパッケージであって、
ダイパッドの他面のうちチップ直下部とダイパッドの外周端部(10c)との間には、段差を有して凹んだ凹部(12)が、チップ直下部の全周を取り囲むように環状に設けられており、ダイパッドの他面のうち凹部の内周側の部位は、モールド樹脂より露出しており、ダイパッドの一面のうち凹部の直上に位置する部位は、凹部の凹形状を承継した凸形状を有する環状の凸部(13)とされていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, in the invention described in claim 1, a plate-like die pad (10) in which one surface (10 a) and the other surface (10 b) are in a front-back relationship, and a die bond material (20 ) And a mold resin (40) for sealing one side of the die pad together with the semiconductor chip, and at least the chip located directly below the semiconductor chip on the other side of the die pad The lower part (11) is a mold package exposed from the mold resin,
A concave portion (12) having a step and recessed is provided in an annular shape so as to surround the entire circumference immediately below the chip, between the lower surface of the die pad and the outer peripheral edge (10c) of the die pad. The portion of the other side of the die pad on the inner peripheral side of the recess is exposed from the mold resin, and the portion of the one side of the die pad that is located immediately above the recess is a convex shape inheriting the concave shape of the recess. It is set as the cyclic | annular convex part (13) which has.

それによれば、ダイパッドの一面のうち凹部の直上に位置する部位を、凹部の凹形状を承継した凸形状を有する凸部としているから、半抜きプレス(段差プレス)によりダイパッドの他面側の凹部と一面側の凸部とを同時に形成できる。   According to this, since the part located immediately above the concave portion of one surface of the die pad is a convex portion having a convex shape inheriting the concave shape of the concave portion, the concave portion on the other surface side of the die pad by a half punch press (step press). And the convex portion on one side can be formed simultaneously.

そして、凹部は、ダイパッドの他面のうちチップ直下部の全周を取り囲むように環状に設けられているため、樹脂バリの進行を凹部にて堰き止めることができ、凹部内周のチップ直下部を含む部位が、モールド樹脂より露出する。   And since the recessed part is provided in an annular shape so as to surround the entire periphery of the die pad on the other side of the die pad, the progress of the resin burr can be blocked by the recessed part. The part containing is exposed from the mold resin.

また、ダイパッドの他面におけるチップ直下部を取り囲む環状の凹部に対して、ダイパッドの一面にて凹部の直上に凸部が位置することから、凸部は、半導体チップの全周を取り囲む環状のものとされる。そのため、半導体チップとダイパッドの外周端部との間におけるモールド樹脂の剥離の進展は、凸部の段差にてせき止められる。   In addition, since the convex portion is located immediately above the concave portion on one surface of the die pad with respect to the annular concave portion surrounding the lower portion of the chip on the other surface of the die pad, the convex portion is an annular shape surrounding the entire circumference of the semiconductor chip. It is said. Therefore, the progress of the peeling of the mold resin between the semiconductor chip and the outer peripheral end of the die pad is blocked by the step of the convex portion.

よって、本発明によれば、ダイパッドの一面における貫通剥離の防止と、ダイパッドの他面における樹脂バリの防止とを両立させるための凹凸を、プレス加工によって簡単に形成するのに適した構成を実現することができる。   Therefore, according to the present invention, a configuration suitable for easily forming unevenness by pressing to prevent penetration peeling on one side of the die pad and prevention of resin burr on the other side of the die pad is realized. can do.

ここで、請求項2に記載の発明のように、請求項1のモールドパッケージにおいては、ダイパッドの一面と半導体チップとを接続するボンディングワイヤ(50)を備え、モールド樹脂は、半導体チップおよびボンディングワイヤとともにダイパッドの一面側を封止しており、ボンディングワイヤは、ダイパッドの一面における凸部上に接続されているものとしてもよい。   Here, as in the invention described in claim 2, the mold package according to claim 1 includes a bonding wire (50) for connecting one surface of the die pad and the semiconductor chip, and the mold resin includes the semiconductor chip and the bonding wire. At the same time, the one surface side of the die pad may be sealed, and the bonding wire may be connected to the convex portion on the one surface of the die pad.

それによれば、ダイパッドの一面におけるワイヤ接続部は、半導体チップ側およびダイパッドの外周端部側の両側に対して凸部による段差を有するため、当該両側にて発生する剥離は当該段差にて止められ、ワイヤ接続部まで進行しにくい。このように、ダイパッドの一面側におけるモールド樹脂の剥離のワイヤ接続部への進展防止がなされるため、ワイヤ接続部の信頼性向上の点で好ましい。   According to this, since the wire connecting portion on one surface of the die pad has a step due to the convex portion on both sides of the semiconductor chip side and the outer peripheral end portion side of the die pad, peeling occurring on both sides is stopped at the step. It is difficult to proceed to the wire connection part. Thus, since the progress of the peeling of the mold resin on the one surface side of the die pad to the wire connecting portion is prevented, it is preferable in terms of improving the reliability of the wire connecting portion.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第1実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the mold package concerning 1st Embodiment of this invention. 第1実施形態にかかるモールドパッケージにおけるダイパッドの一面側の平面形状を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the planar shape of the one surface side of the die pad in the mold package concerning 1st Embodiment. 本発明の第2実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the mold package concerning 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the mold package concerning 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the mold package concerning 4th Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the mold package concerning other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the mold package concerning other embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings for the sake of simplicity.

(第1実施形態)
本発明の第1実施形態にかかるハーフモールドタイプのモールドパッケージP1について、図1、図2を参照して述べる。このモールドパッケージP1は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。
(First embodiment)
The half mold type mold package P1 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The mold package P1 is mounted on a vehicle such as an automobile and is applied as a device for driving various electronic devices for the vehicle.

図1、図2に示されるように、本実施形態のモールドパッケージP1は、大きくは、一面10aと他面10bとが表裏の板面の関係にある板状のダイパッド10と、ダイパッド10の一面10aにダイボンド材20を介して搭載された半導体チップ30と、半導体チップ30とともにダイパッド10の一面10a側を封止するモールド樹脂40と、を備えて構成されている。   As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the mold package P1 of the present embodiment is roughly composed of a plate-like die pad 10 in which the one surface 10a and the other surface 10b are in a relation of front and back plate surfaces, and one surface of the die pad 10. The semiconductor chip 30 is mounted on the die 10 via the die bonding material 20, and the mold resin 40 is provided to seal the one surface 10 a side of the die pad 10 together with the semiconductor chip 30.

そして、本実施形態のモールドパッケージP1においては、典型的なハーフモールドタイプと同様、ダイパッド10の他面10bのうち半導体チップ30の直下に位置するチップ直下部11が、モールド樹脂40より露出している。なお、チップ直下部11は、ダイパッド10の他面10bに半導体チップ30を投影した領域に相当するもので、具体的に、ここでは、半導体チップ30と同一の矩形の領域である。   In the mold package P1 of the present embodiment, as in a typical half mold type, the chip directly lower portion 11 located immediately below the semiconductor chip 30 in the other surface 10b of the die pad 10 is exposed from the mold resin 40. Yes. Note that the lower portion 11 of the chip corresponds to a region where the semiconductor chip 30 is projected onto the other surface 10 b of the die pad 10, and specifically, here is a rectangular region that is the same as the semiconductor chip 30.

上述したように、ダイパッド10の他面10bのうち放熱を要するチップ直下部11は、モールド樹脂40による樹脂バリを防止して確実にモールド樹脂40から露出させることが必要な部位である。このダイパッド10の露出部には、パッケージ外部に位置する配線基板や筺体等の図示しない外部部材が接続され、半導体チップ30に発生する熱は、ダイパッド10の他面10bから当該外部部材に放熱されるようになっている。   As described above, the lower portion 10 b of the die pad 10, which requires heat dissipation, is a portion that needs to be reliably exposed from the mold resin 40 by preventing the resin burr due to the mold resin 40. The exposed portion of the die pad 10 is connected to an external member (not shown) such as a wiring board or a casing located outside the package, and heat generated in the semiconductor chip 30 is radiated from the other surface 10b of the die pad 10 to the external member. It has become so.

ここで、半導体チップ30は、通常の半導体プロセスにより形成されたシリコン半導体等よりなるもので、たとえばICチップ、あるいはMOSトランジスタやIGBT等のパワー素子等よりなるものである。   Here, the semiconductor chip 30 is made of a silicon semiconductor or the like formed by a normal semiconductor process, and is made of, for example, an IC chip or a power element such as a MOS transistor or IGBT.

この半導体チップ30の平面形状は特に限定するものではないが、典型的には、図2に示されるように、矩形板状をなしている。また、半導体チップ30をダイパッド10に固定するダイボンド材20は、はんだやAgペースト、導電性接着剤等よりなる。   The planar shape of the semiconductor chip 30 is not particularly limited, but typically has a rectangular plate shape as shown in FIG. The die bond material 20 for fixing the semiconductor chip 30 to the die pad 10 is made of solder, Ag paste, conductive adhesive, or the like.

そして、ダイパッド10は、ここでは、半導体チップ30よりも一回り大きい矩形板状をなしている。ここでは、ダイパッド10は、後述するリード60と同一のリードフレーム素材よりなるものであり、このリード60と同一の材質および板厚を有するものとされている。   Here, the die pad 10 has a rectangular plate shape that is slightly larger than the semiconductor chip 30. Here, the die pad 10 is made of the same lead frame material as a lead 60 described later, and has the same material and plate thickness as the lead 60.

この場合、リードフレーム素材は、たとえばCu(銅)、Fe(鉄)や42アロイ等の金属板を、エッチングやプレスの打ち抜き等によってパターニングすることにより、ダイパッド10およびリード60を形成したものである。これらダイパッド10およびリード60は、モールド樹脂40による封止前までは、図示しないタイバー等により連結されているが、モールド樹脂40による封止後は、リードカット等により分離されているものである。   In this case, the lead frame material is formed by patterning a metal plate such as Cu (copper), Fe (iron), or 42 alloy by etching or stamping to form the die pad 10 and the lead 60. . The die pad 10 and the lead 60 are connected by a tie bar (not shown) before sealing with the mold resin 40, but after sealing with the mold resin 40, they are separated by lead cutting or the like.

ここで、上記したリード60は、ダイパッド10の外周端部10cよりも外側に位置するものであり、典型的には細長板状をなすものである。このリード60は1本でもよいが、典型的には、ダイパッド10の外側に複数本設けられる。   Here, the above-described lead 60 is positioned outside the outer peripheral end portion 10c of the die pad 10, and typically has an elongated plate shape. One lead 60 may be provided, but typically, a plurality of leads 60 are provided outside the die pad 10.

そして、本実施形態では、ダイパッド10の一面10aと半導体チップ30は、ボンディングワイヤ50により接続され、リード60と半導体チップ30とは、ボンディングワイヤ51により接続されている。   In this embodiment, one surface 10 a of the die pad 10 and the semiconductor chip 30 are connected by a bonding wire 50, and the lead 60 and the semiconductor chip 30 are connected by a bonding wire 51.

ここで、ダイパッド10との接続をなすダイパッド用ボンディングワイヤ50および、リード60との接続をなすリード用ボンディングワイヤ51は、ともに、Al(アルミニウム)、Au(金)、Cu(銅)等よりなるものであり、通常のワイヤボンディングにより形成されるものである。   Here, the die pad bonding wire 50 that is connected to the die pad 10 and the lead bonding wire 51 that is connected to the lead 60 are both made of Al (aluminum), Au (gold), Cu (copper), or the like. It is formed by ordinary wire bonding.

なお、これらボンディングワイヤ50、51とダイパッド10およびリード60との接続性を確保するためには、ダイパッド10およびリード60の表面に、Ag(銀)メッキやNi/Pd/Au(ニッケル/パラジウム/金)メッキが施されていることが望ましい。もちろん、これらメッキが無いものであってもよい。   In order to secure the connectivity between the bonding wires 50 and 51 and the die pad 10 and the lead 60, Ag (silver) plating or Ni / Pd / Au (nickel / palladium / Gold) plating is desirable. Of course, those without plating may be used.

ここで、ダイパッド用ボンディングワイヤ50は、たとえば半導体チップ30のGND用のワイヤとなるもので、1本でもよいが、典型的には複数本設けられる。なお、図2では、ダイパッド用ボンディングワイヤ50は1本のみ示してある。これにより、半導体チップの接地は、ダイパッド用ボンディングワイヤ50、ダイパッド10、および、ダイパッド10の他面10bに接続される上記外部部材を介して行われるようになっている。   Here, the die pad bonding wire 50 is, for example, a GND wire of the semiconductor chip 30 and may be one, but typically, a plurality of die pads are provided. In FIG. 2, only one die pad bonding wire 50 is shown. Thereby, the grounding of the semiconductor chip is performed via the die pad bonding wire 50, the die pad 10, and the external member connected to the other surface 10b of the die pad 10.

また、リード用ボンディングワイヤ51は、半導体チップ30の駆動や制御を行う信号用のワイヤである。このリード用ボンディングワイヤ51は、リード60のうちのインナーリードに接続されており、リード60のアウターリードをパッケージ外部に接続することで、半導体チップ30と外部との信号のやり取りが可能となっている。   The lead bonding wire 51 is a signal wire for driving and controlling the semiconductor chip 30. The lead bonding wire 51 is connected to the inner lead of the leads 60. By connecting the outer lead of the lead 60 to the outside of the package, signals can be exchanged between the semiconductor chip 30 and the outside. Yes.

そして、モールド樹脂40は、半導体チップ30、ダイパッド用ボンディングワイヤ50、リード用ボンディングワイヤ51、および、リード60のインナーリードとともにダイパッド10の一面10a側を封止している。   The mold resin 40 seals the one surface 10 a side of the die pad 10 together with the semiconductor chip 30, the die pad bonding wire 50, the lead bonding wire 51, and the inner lead of the lead 60.

ここで、モールド樹脂40は、この種のハーフモールドタイプのパッケージに適用されるものと同様のものであり、トランスファー成形により形成されたエポキシ樹脂等よりなるものである。図1に示されるように、モールド樹脂40は、ダイパッド10の一面10a側およびダイパッド10の外周端部10cを封止している。   Here, the mold resin 40 is the same as that applied to this type of half mold type package, and is made of an epoxy resin or the like formed by transfer molding. As shown in FIG. 1, the mold resin 40 seals the one surface 10 a side of the die pad 10 and the outer peripheral end portion 10 c of the die pad 10.

ここにおいて、本実施形態では、図1および図2に示されるように、ダイパッド10の他面10bのうちチップ直下部11とダイパッド10の外周端部10cとの間には、段差を有して凹んだ凹部12が、チップ直下部11の全周を取り囲むように環状に設けられている。   Here, in this embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, there is a step between the lower surface 10b of the die pad 10 and the outer peripheral end 10c of the die pad 10 on the other surface 10b. A recessed portion 12 is provided in an annular shape so as to surround the entire circumference of the chip directly lower portion 11.

そして、ダイパッド10の他面10bのうちチップ直下部11を含む凹部12の内周側の部位は、モールド樹脂40より露出している。一方、ダイパッド10の一面10aのうち凹部12の直上に位置する部位は、凹部12の凹形状を承継した凸形状を有する環状の凸部13とされている。   A portion of the other surface 10 b of the die pad 10 on the inner peripheral side of the concave portion 12 including the chip lower portion 11 is exposed from the mold resin 40. On the other hand, a portion of the one surface 10a of the die pad 10 that is located immediately above the concave portion 12 is an annular convex portion 13 having a convex shape inheriting the concave shape of the concave portion 12.

この凸部13は、凹部12の凹形状を承継した凸形状をなすものであり、ダイパッド10の他面10b側における凹部12の凹みがそのまま、一面10a側の凸部13を構成している。つまり、凸部13の段差形状および高さは、凹部12の段差形状および深さと実質同一である。   The convex portion 13 has a convex shape inheriting the concave shape of the concave portion 12, and the concave portion of the concave portion 12 on the other surface 10b side of the die pad 10 constitutes the convex portion 13 on the one surface 10a side as it is. That is, the step shape and height of the convex portion 13 are substantially the same as the step shape and depth of the concave portion 12.

さらに言えば、ダイパッド10の表裏の板面において環状の凹部12の全体と環状の凸部13の全体とは、同位置に設けられ、これら凹部12と凸部13とが1組の凹凸部14を構成している。ここでは、凹部12および凸部13の平面形状は、図1、図2に示されるように、ともに幅を持った矩形枠状の閉じた環をなしている。   More specifically, the entire annular recess 12 and the entire annular protrusion 13 are provided at the same position on the front and back plate surfaces of the die pad 10, and the recess 12 and the protrusion 13 are a set of the uneven portions 14. Is configured. Here, as shown in FIGS. 1 and 2, the planar shapes of the concave portion 12 and the convex portion 13 form a rectangular ring-shaped closed ring having a width.

また、上述のように、凹部12および凸部13は、段差として、ダイパッド10の板面に直交する方向に延びる壁面を持つものであるが、ここでは、凹部12および凸部13は、断面四角形の凹凸形状として構成されている。たとえば、ダイパッド10の厚さは、0.1mm〜0.3mm程度であり、凹部12の段差の深さはダイパッド10の厚さの半分程度である。   In addition, as described above, the recess 12 and the projection 13 have wall surfaces extending in a direction perpendicular to the plate surface of the die pad 10 as steps, but here, the recess 12 and the projection 13 are square in cross section. It is configured as an uneven shape. For example, the thickness of the die pad 10 is about 0.1 mm to 0.3 mm, and the depth of the step of the recess 12 is about half of the thickness of the die pad 10.

このような凹部12および凸部13は、半抜きプレスにより形成される。この半抜きプレスは、段差プレスとも言われるもので、被加工部材を貫通する打ち抜きプレス加工を、途中で止めて貫通させないようにするものである。   Such concave portions 12 and convex portions 13 are formed by a half punch press. This half punch press is also referred to as a step press, and is intended to stop punching through the workpiece and prevent it from penetrating.

そして、本実施形態では、上記したダイパッド用ボンディングワイヤ50は、ダイパッド10の一面10aにおける凸部13上に接続されている。具体的には、凹部12の底部およびこれに対応する凸部13の頂部は、平坦面とされており、ダイパッド用ボンディングワイヤ50は、この平坦面である凸部13の頂部に接続されている。   In the present embodiment, the above-described die pad bonding wire 50 is connected to the convex portion 13 on the one surface 10 a of the die pad 10. Specifically, the bottom of the recess 12 and the top of the projection 13 corresponding thereto are flat surfaces, and the die pad bonding wire 50 is connected to the top of the projection 13 which is this flat surface. .

そして、トランスファー成形による典型的なハーフモールドタイプのパッケージと同様、ダイパッド10の一面10a全体がモールド樹脂40で封止されている。つまり、ダイパッド10の一面10aにおいては、凸部13、凸部13の内周、および凸部13の外周が、モールド樹脂40に接触して封止されている。   The entire surface 10 a of the die pad 10 is sealed with a mold resin 40 as in a typical half-mold type package formed by transfer molding. That is, on one surface 10 a of the die pad 10, the convex portion 13, the inner periphery of the convex portion 13, and the outer periphery of the convex portion 13 are in contact with the mold resin 40 and sealed.

一方、本実施形態では、ダイパッド10の他面10bにおいては、モールド樹脂40は、外周端部10cから凹部12の部位まで回り込んでおり、いわゆる樹脂バリとして、当該部位を被覆している。   On the other hand, in the present embodiment, on the other surface 10b of the die pad 10, the mold resin 40 wraps around from the outer peripheral end 10c to the portion of the recess 12, and covers the portion as a so-called resin burr.

しかし、モールド樹脂40は凹部12内部に留められており、凹部12内周側への樹脂バリの進展が防止されている。これにより、上述したように、ダイパッド10の他面10bのうちチップ直下部11を含む凹部12の内周側の部位がモールド樹脂40より露出している。   However, the mold resin 40 is retained inside the recess 12, and the development of resin burrs toward the inner periphery of the recess 12 is prevented. Thereby, as described above, the part on the inner peripheral side of the recess 12 including the chip lower part 11 on the other surface 10 b of the die pad 10 is exposed from the mold resin 40.

次に、本実施形態のモールドパッケージP1の製造方法について述べる。まず、上記リードフレーム素材として、凹凸部14を有するダイパッド10とリード60とが一体とされたものを用意する(用意工程)。   Next, a method for manufacturing the mold package P1 of this embodiment will be described. First, as the lead frame material, one in which the die pad 10 having the concavo-convex portion 14 and the lead 60 are integrated is prepared (preparation process).

次に、ダイパッド10の一面10a上にダイボンド材20を介して、半導体チップ30を搭載する(搭載工程)。次に、ワイヤボンディングを行い、半導体チップ30とダイパッド10およびリード60とを、ボンディングワイヤ50、51で接続する(ワイヤボンディング工程)。   Next, the semiconductor chip 30 is mounted on the one surface 10a of the die pad 10 via the die bonding material 20 (mounting process). Next, wire bonding is performed to connect the semiconductor chip 30 to the die pad 10 and the lead 60 with bonding wires 50 and 51 (wire bonding step).

その後、ワイヤボンディングされたワークを、図示しない樹脂成形用の金型に入れ、トランスファー成形によりモールド樹脂40を形成する(モールド工程)。このとき、金型の内面をダイパッド10の他面10bに接触させることで、ダイパッド10の他面10bへの樹脂の侵入防止を図る。   Thereafter, the wire-bonded work is put into a resin molding die (not shown), and a molding resin 40 is formed by transfer molding (molding process). At this time, the inner surface of the mold is brought into contact with the other surface 10b of the die pad 10 to prevent the resin from entering the other surface 10b of the die pad 10.

こうして、モールド樹脂40を成形した後、必要に応じて、リードカットやリード成形を行うことにより、本実施形態のモールドパッケージP1ができあがる。   In this way, after molding the mold resin 40, lead molding or lead molding is performed as necessary, thereby completing the mold package P1 of the present embodiment.

ところで、本実施形態によれば、ダイパッド10の一面10aのうち凹部12の直上に位置する部位を、凹部12の凹形状を承継した凸形状を有する凸部13としている。そのため、半抜きプレス(段差プレス)によりダイパッド10の他面10b側の凹部12と一面10a側の凸部13とを同時に形成することができる。   By the way, according to the present embodiment, a portion of the one surface 10a of the die pad 10 that is located immediately above the concave portion 12 is the convex portion 13 having a convex shape inheriting the concave shape of the concave portion 12. Therefore, the concave portion 12 on the other surface 10b side of the die pad 10 and the convex portion 13 on the one surface 10a side can be simultaneously formed by half punching press (step press).

本実施形態では、従来採用されていなかった半抜きプレスにより、ダイパッド10の両面に一括して凹部12および凸部13を設けるため、凹部12、凸部13をそれぞれ深く、高くできる。そのため、剥離防止や樹脂バリ防止の効果が十分に確保できる。   In this embodiment, since the concave portion 12 and the convex portion 13 are collectively provided on both surfaces of the die pad 10 by a half punch press that has not been conventionally employed, the concave portion 12 and the convex portion 13 can be made deeper and higher. Therefore, the effect of preventing peeling and preventing resin burrs can be sufficiently secured.

具体的に、凹部12は、ダイパッド10の他面10bのうちチップ直下部11の全周を取り囲むように閉じた環状に設けられているため、モールド工程における樹脂バリの進行を凹部12にて堰き止めることができる。それにより、ダイパッド10の他面10bのうち凹部12内周のチップ直下部11を含む部位が、モールド樹脂40より確実に露出している。   Specifically, since the recess 12 is provided in a closed ring shape so as to surround the entire periphery of the chip directly lower portion 11 of the other surface 10b of the die pad 10, the recess 12 blocks the progress of the resin burr in the molding process. Can be stopped. As a result, a portion of the other surface 10 b of the die pad 10 including the chip immediately lower portion 11 on the inner periphery of the recess 12 is reliably exposed from the mold resin 40.

また、ダイパッド10の他面10bにおけるチップ直下部11を取り囲む環状の凹部12に対して、ダイパッド10の一面10aにて凹部12全体の直上に凸部13が位置することから、凸部13は、半導体チップ30の全周を取り囲む閉じた環状のものとされている。   Further, since the convex portion 13 is positioned directly above the entire concave portion 12 on one surface 10a of the die pad 10 with respect to the annular concave portion 12 surrounding the chip direct lower portion 11 on the other surface 10b of the die pad 10, the convex portion 13 is It is a closed annular shape surrounding the entire circumference of the semiconductor chip 30.

そのため、ダイパッド10の一面10aにおいて、半導体チップ30とダイパッド10の外周端部10cとの間におけるモールド樹脂40の剥離の進展は、凸部13の段差にてせき止められる。   Therefore, the progress of the peeling of the mold resin 40 between the semiconductor chip 30 and the outer peripheral end portion 10 c of the die pad 10 on the one surface 10 a of the die pad 10 is blocked by the step of the convex portion 13.

よって、本実施形態によれば、ダイパッド10の一面10aにおける貫通剥離の防止と、ダイパッド10の他面10bにおける樹脂バリの防止とを両立させるための凹凸部14を、プレス加工によって簡単に形成するのに適した構成を実現することができる。   Therefore, according to the present embodiment, the concavo-convex portion 14 for making both prevention of penetration peeling on the one surface 10a of the die pad 10 and prevention of resin burr on the other surface 10b of the die pad 10 easy to form by press working. A configuration suitable for the above can be realized.

また、本実施形態によれば、ダイパッド用ボンディングワイヤ50は、ダイパッド10の一面10aにおける凸部13上に接続されている。それによれば、ダイパッド10の一面10aにおけるワイヤ接続部は、半導体チップ30側およびダイパッド10の外周端部10c側の両側に対して凸部13による段差を有するため、当該両側にて発生する剥離は当該段差にて止められ、ワイヤ接続部まで進行しにくい。   Further, according to the present embodiment, the die pad bonding wire 50 is connected to the convex portion 13 on the one surface 10 a of the die pad 10. According to this, since the wire connecting portion on the one surface 10a of the die pad 10 has a step due to the convex portion 13 on both sides of the semiconductor chip 30 side and the outer peripheral end portion 10c side of the die pad 10, peeling occurring on both sides is not caused. It is stopped at the level difference and does not easily travel to the wire connection part.

このように、本実施形態によれば、ダイパッド10の一面10a側におけるモールド樹脂40の剥離のワイヤ接続部への進展防止がなされるため、ワイヤ接続部の信頼性向上を図ることができる。   As described above, according to the present embodiment, since the progress of the peeling of the mold resin 40 on the one surface 10a side of the die pad 10 to the wire connecting portion is prevented, the reliability of the wire connecting portion can be improved.

(第2実施形態)
本発明の第2実施形態にかかるモールドパッケージP2について、図3を参照して、上記第1実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第1実施形態では、ダイパッド10に対して、凹部12とこれに対応する凸部13との組である凹凸部14を、1組設けたものとしたが、本第2実施形態のように、2組の凹凸部14を設けてもよい。
(Second Embodiment)
The mold package P2 according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3, focusing on the differences from the first embodiment. In the first embodiment, the die pad 10 is provided with one set of the concavo-convex portion 14 that is a set of the concave portion 12 and the convex portion 13 corresponding to the concave portion 12, but as in the second embodiment. Two sets of uneven portions 14 may be provided.

図3に示されるように、本実施形態では、凹凸部14は2組設けられ、これら2組の凹凸部14は、ダイパッド10において半導体チップ30寄りとダイパッド10の外周端部10c寄りに二重の環状となるように離れて配置されている。そして、ダイパッド用ボンディングワイヤ50は、ダイパッド10の一面10aのうち2組の凹凸部14の間の部位に接続されている。   As shown in FIG. 3, in this embodiment, two sets of concavo-convex portions 14 are provided, and these two sets of concavo-convex portions 14 are doubled near the semiconductor chip 30 and the outer peripheral end portion 10 c of the die pad 10 in the die pad 10. Are arranged apart from each other so as to form an annular shape. The die pad bonding wire 50 is connected to a portion between the two sets of concavo-convex portions 14 on one surface 10 a of the die pad 10.

本実施形態によれば、ダイパッド10の一面10aにおける2組の凹凸部14の間の部位は、プレスによる凹凸加工がされていない部位であり、当該凹凸加工された部位に比べて平坦性に優れる。そして、この平坦性に優れる部位に、ダイパッド用ボンディングワイヤ50が接続されるので、ワイヤボンディング性の点で好ましい。   According to this embodiment, the site | part between the two sets of uneven | corrugated | grooved parts 14 in the one surface 10a of the die pad 10 is a site | part which has not been uneven | corrugated processed by press, and is excellent in flatness compared with the said uneven | corrugated processed site | part. . And since the die-pad bonding wire 50 is connected to the site | part which is excellent in this flatness, it is preferable at the point of wire bonding property.

また、本実施形態によれば、ダイパッド10の一面10aにおいて、ワイヤ接続部よりも半導体チップ30側およびダイパッド10の外周端部10c側の両側に凸部13があるので、当該両側にて発生する剥離は凸部13の段差にて止められ、ワイヤ接続部まで進行しにくい。   Further, according to the present embodiment, since the convex portions 13 are on both sides of the semiconductor chip 30 side and the outer peripheral end portion 10c side of the die pad 10 on the one surface 10a of the die pad 10, they are generated on both sides. The peeling is stopped at the level difference of the convex portion 13 and hardly progresses to the wire connection portion.

このように、本実施形態は、ダイパッド10の一面10a側におけるモールド樹脂40の剥離のワイヤ接続部への進展防止がなされるものとされるため、ワイヤ接続部の信頼性向上の点で好ましい。   As described above, the present embodiment is preferable in terms of improving the reliability of the wire connecting portion because the progress of the peeling of the mold resin 40 on the one surface 10a side of the die pad 10 to the wire connecting portion is prevented.

なお、凹凸部14は、上記図2では二重環配置された2組であったが、3組以上の凹凸部14が多重環状に配置されたものでもよい。この場合も、3組以上のうちの任意の隣り合う2組が本実施形態における2組の凹凸部14を構成し、その間にダイパッド用ボンディングワイヤ50が接続されるような構成とすればよい。   In addition, although the uneven | corrugated | grooved part 14 was two sets arrange | positioned with a double ring in the said FIG. In this case as well, any two adjacent sets out of the three or more sets may constitute the two sets of concavo-convex portions 14 in the present embodiment, and the die pad bonding wire 50 may be connected therebetween.

(第3実施形態)
本発明の第3実施形態にかかるモールドパッケージP3について、図4を参照して、上記第1実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第1実施形態では、ダイパッド用ボンディングワイヤ50は、ダイパッド10の一面10aにおける凸部13上に接続されていた。
(Third embodiment)
The mold package P3 according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4, focusing on the differences from the first embodiment. In the first embodiment, the die pad bonding wire 50 is connected to the convex portion 13 on the one surface 10 a of the die pad 10.

これに対して、本実施形態では、図4に示されるように、ダイパッド用ボンディングワイヤ50は、ダイパッド10の一面10aのうち凸部13よりも半導体チップ30側の部位に接続されている。   On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 4, the die pad bonding wire 50 is connected to a portion of the one surface 10 a of the die pad 10 closer to the semiconductor chip 30 than the convex portion 13.

本実施形態によれば、ダイパッド10の一面10aにおける凸部13よりも半導体チップ30側の部位は、プレスによる凹凸加工がされていない部位であり、凸部13に比べて平坦性に優れる。そして、本実施形態によっても、この平坦性に優れる部位にダイパッド用ボンディングワイヤ50が接続されるので、ワイヤボンディング性の点で好ましい。   According to the present embodiment, the portion on the semiconductor chip 30 side of the convex portion 13 on the one surface 10 a of the die pad 10 is a portion that is not subjected to uneven processing by pressing, and is excellent in flatness as compared with the convex portion 13. Also according to this embodiment, the die pad bonding wire 50 is connected to the portion having excellent flatness, which is preferable in terms of wire bonding.

また、本実施形態によれば、ダイパッド10の一面10aにおけるワイヤ接続部は、ダイパッド10の外周端部10c側に対して凸部13を有するため、外周端部10c側から発生する剥離は、凸部13の段差にて止められ、ワイヤ接続部まで進行しにくい。   In addition, according to the present embodiment, the wire connecting portion on the one surface 10a of the die pad 10 has the convex portion 13 with respect to the outer peripheral end portion 10c side of the die pad 10, and therefore the peeling that occurs from the outer peripheral end portion 10c side is convex. It is stopped at the level difference of the part 13 and hardly travels to the wire connection part.

このように、本実施形態では、ダイパッド10の一面10a側におけるモールド樹脂40の剥離が、樹脂の外側すなわちダイパッド10の外周端部10c側から発生することが懸念される場合において、ワイヤ接続部への剥離進展防止がなされ、ワイヤ接続部の信頼性向上の点で好ましい。   As described above, in the present embodiment, when there is a concern that the peeling of the mold resin 40 on the one surface 10a side of the die pad 10 may occur from the outside of the resin, that is, from the outer peripheral end portion 10c side of the die pad 10, to the wire connecting portion. This is preferable from the viewpoint of improving the reliability of the wire connecting portion.

(第4実施形態)
本発明の第4実施形態にかかるモールドパッケージP4について、図5を参照して、上記第1実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第1実施形態では、ダイパッド用ボンディングワイヤ50は、ダイパッド10の一面10aにおける凸部13上に接続されていたが、本実施形態では、図5に示されるように、ダイパッド10の一面10aのうち凸部13よりも外周端部10c側の部位に接続されている。
(Fourth embodiment)
The mold package P4 according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5, focusing on the differences from the first embodiment. In the first embodiment, the die pad bonding wire 50 is connected to the convex portion 13 on the one surface 10a of the die pad 10. However, in the present embodiment, as shown in FIG. Of these, it is connected to a portion on the outer peripheral end 10 c side with respect to the convex portion 13.

本実施形態によれば、ダイパッド10の一面10aにおける凸部13よりも外周端部10c側の部位は、プレスによる凹凸加工がされていない部位であり、凸部13に比べて平坦性に優れる。そのため、本実施形態によっても、この平坦性に優れる部位にダイパッド用ボンディングワイヤ50が接続されるので、ワイヤボンディング性の点で好ましい。   According to the present embodiment, the portion on the outer peripheral end portion 10 c side of the convex surface 13 on the one surface 10 a of the die pad 10 is a portion that is not subjected to uneven processing by pressing, and is excellent in flatness as compared with the convex portion 13. Therefore, according to this embodiment, the die pad bonding wire 50 is connected to the portion having excellent flatness, which is preferable in terms of wire bonding.

また、本実施形態によれば、ダイパッド10の一面10aにおけるワイヤ接続部は、半導体チップ30側に対して凸部13を有するため、半導体チップ30側から発生する剥離は、凸部13の段差にて止められ、ワイヤ接続部まで進行しにくい。   In addition, according to the present embodiment, the wire connection portion on the one surface 10a of the die pad 10 has the convex portion 13 with respect to the semiconductor chip 30 side, so that the peeling that occurs from the semiconductor chip 30 side occurs at the level difference of the convex portion 13. It is difficult to advance to the wire connection part.

このように、本実施形態では、ダイパッド10の一面10a側におけるモールド樹脂40の剥離が、モールド樹脂40の内部すなわち半導体チップ30側から発生することが懸念される場合において、ワイヤ接続部への剥離進展防止がなされ、ワイヤ接続部の信頼性向上の点で好ましい。   As described above, in this embodiment, in the case where there is a concern that peeling of the mold resin 40 on the one surface 10a side of the die pad 10 may occur from the inside of the mold resin 40, that is, from the semiconductor chip 30 side, peeling to the wire connection portion. Progress is prevented, which is preferable in terms of improving the reliability of the wire connecting portion.

(他の実施形態)
なお、図1等に示される上記各実施形態では、凹部12によって、ダイパッド10の他面10bへのモールド樹脂40の侵入が防止され、凹部12内にモールド樹脂40が留まることで、ダイパッド10の他面10bのうち凹部12内周が露出していた。しかし、ダイパッド10の他面10bにおいては、少なくともチップ直下部11を含む凹部12の内周が露出していればよく、トランスファー成形時の条件等によっては、ダイパッド10の他面10b全体が露出していてもよい。
(Other embodiments)
In each of the above-described embodiments shown in FIG. 1 and the like, the recess 12 prevents the mold resin 40 from entering the other surface 10b of the die pad 10, and the mold resin 40 stays in the recess 12, so that the die pad 10 Of the other surface 10b, the inner periphery of the recess 12 was exposed. However, on the other surface 10b of the die pad 10, it is only necessary to expose at least the inner periphery of the recess 12 including the chip lower portion 11. Depending on the conditions at the time of transfer molding, the entire other surface 10b of the die pad 10 is exposed. It may be.

さらには、樹脂バリとしてのモールド樹脂40は、図6に示されるように、ダイパッド10の他面10bのうちの外周端部10cと凹部12との間までに留まっているものであってもよい。また、樹脂バリとしてのモールド樹脂40は、図7に示されるように、凹部12内の途中部分までに留まっているものであってもよい。   Furthermore, as shown in FIG. 6, the mold resin 40 as a resin burr may remain between the outer peripheral end 10 c and the recess 12 in the other surface 10 b of the die pad 10. . Moreover, the mold resin 40 as a resin burr may remain in the middle of the recess 12 as shown in FIG.

また、上記第2実施形態のようなダイパッド10の一面10aに2個の凸部13がもうけられた構成の場合でも、上記第1実施形態と同様、ダイパッド用ボンディングワイヤ50は、2個の凸部13のどちらか一方の凸部13上に接続されてもよい。   Further, even in the case where the two protrusions 13 are provided on the one surface 10a of the die pad 10 as in the second embodiment, the die pad bonding wire 50 has two protrusions as in the first embodiment. It may be connected on one of the convex portions 13 of the portion 13.

さらには、上記第2実施形態のようなダイパッド10の一面10aに2個の凸部13がもうけられた構成を、上記第3実施形態や上記第4実施形態と組み合わせてもよい。この場合、ダイパッド用ボンディングワイヤ50を、2個の凸部13よりも半導体チップ30側、または外周端部10c側に接続すればよい。   Furthermore, a configuration in which two convex portions 13 are provided on one surface 10a of the die pad 10 as in the second embodiment may be combined with the third embodiment and the fourth embodiment. In this case, the die pad bonding wire 50 may be connected to the semiconductor chip 30 side or the outer peripheral end portion 10c side from the two convex portions 13.

また、ダイパッド用ボンディングワイヤ50が複数本の場合、ダイパッド10の一面10aとの接続については、当該ワイヤのすべてが同じ接続形態でなくてもよく、上記各実施形態による接続形態が混在していてもよい。   Further, when there are a plurality of die pad bonding wires 50, all the wires need not be in the same connection form for connection to the one surface 10 a of the die pad 10, and the connection forms according to the above embodiments are mixed. Also good.

具体的に言うと、当該複数本のダイパッド用ボンディングワイヤ50については、ダイパッド10の一面10aのうち凸部13上に接続されたもの、凸部13よりも半導体チップ30側に接続されたもの、または、凸部13よりも外周端部10c側に接続されたものが、混在していてもよい。   Specifically, for the plurality of die pad bonding wires 50, one connected to the convex portion 13 of the one surface 10a of the die pad 10, one connected to the semiconductor chip 30 side from the convex portion 13, Or what was connected to the peripheral edge part 10c side rather than the convex part 13 may be mixed.

また、半導体チップ30とダイパッド10の一面10aとを接続するダイパッド用ボンディングワイヤ50が、省略された構成でもよい。たとえば、半導体チップ30とダイパッド10の一面10aとをバンプ等により接続するものであってもよい。   The die pad bonding wire 50 that connects the semiconductor chip 30 and the one surface 10a of the die pad 10 may be omitted. For example, the semiconductor chip 30 and the one surface 10a of the die pad 10 may be connected by a bump or the like.

また、凹部12および凸部13の平面形状は、半導体チップ30を取り囲む連続した環状であればよく、上記した矩形枠状に限定されるものではない。たとえば凹部12および凸部13の平面形状は、円形状等であってもよい。   Moreover, the planar shape of the recessed part 12 and the convex part 13 should just be the continuous cyclic | annular shape which surrounds the semiconductor chip 30, and is not limited to an above-described rectangular frame shape. For example, the planar shape of the concave portion 12 and the convex portion 13 may be a circular shape or the like.

また、ダイパッド10は、リード60と同一のリードフレーム素材よりなるものあったが、これに限定されるものではなく、リード60とは材質や板厚等が相違する別体の部材、たとえばヒートシンク等によりダイパッド10が構成されていてもよい。   The die pad 10 is made of the same lead frame material as that of the lead 60. However, the die pad 10 is not limited to this, and is a separate member having a different material, thickness, etc. from the lead 60, such as a heat sink. Thus, the die pad 10 may be configured.

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。   Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed within the scope described in the claims. The above embodiments are not irrelevant to each other, and can be combined as appropriate unless the combination is clearly impossible, and the above embodiments are not limited to the illustrated examples. Absent. In each of the above-described embodiments, it is needless to say that elements constituting the embodiment are not necessarily essential unless explicitly stated as essential and clearly considered essential in principle. Yes. Further, in each of the above embodiments, when numerical values such as the number, numerical value, quantity, range, etc. of the constituent elements of the embodiment are mentioned, it is clearly limited to a specific number when clearly indicated as essential and in principle. The number is not limited to the specific number except for the case. Further, in each of the above embodiments, when referring to the shape, positional relationship, etc. of the component, etc., the shape, unless otherwise specified and in principle limited to a specific shape, positional relationship, etc. It is not limited to the positional relationship or the like.

10 ダイパッド
10a ダイパッドの一面
10b ダイパッドの他面
10c ダイパッドの外周端部
11 チップ直下部
12 凹部
13 凸部
20 ダイボンド材
30 半導体チップ
50 ダイパッド用ボンディングワイヤ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Die pad 10a One side of die pad 10b Other side of die pad 10c Peripheral edge part of die pad 11 Immediately under chip 12 Concave part 13 Convex part 20 Die bonding material 30 Semiconductor chip 50 Bonding wire for die pad

Claims (6)

一面(10a)と他面(10b)とが表裏の関係にある板状のダイパッド(10)と、
前記ダイパッドの一面にダイボンド材(20)を介して搭載された半導体チップ(30)と、
前記半導体チップとともに前記ダイパッドの一面側を封止するモールド樹脂(40)と、を備え、
前記ダイパッドの他面のうち少なくとも前記半導体チップの直下に位置するチップ直下部(11)は、前記モールド樹脂より露出しているモールドパッケージであって、
前記ダイパッドの他面のうち前記チップ直下部と前記ダイパッドの外周端部(10c)との間には、段差を有して凹んだ凹部(12)が、前記チップ直下部の全周を取り囲むように環状に設けられており、
前記ダイパッドの他面のうち前記凹部の内周側の部位は、前記モールド樹脂より露出しており、
前記ダイパッドの一面のうち前記凹部の直上に位置する部位は、前記凹部の凹形状を承継した凸形状を有する環状の凸部(13)とされていることを特徴とするモールドパッケージ。
A plate-like die pad (10) in which the one surface (10a) and the other surface (10b) are in a front-back relationship;
A semiconductor chip (30) mounted on one surface of the die pad via a die bond material (20);
A mold resin (40) for sealing one side of the die pad together with the semiconductor chip,
Of the other surface of the die pad, at least the chip directly under the semiconductor chip (11) is a mold package exposed from the mold resin,
A concave portion (12) having a step between the lower portion of the die pad and the outer peripheral end portion (10c) of the die pad so as to surround the entire periphery of the lower portion of the die pad. Is provided in a ring shape,
Of the other surface of the die pad, the portion on the inner peripheral side of the recess is exposed from the mold resin,
The mold package characterized in that a portion of the one surface of the die pad that is located immediately above the concave portion is an annular convex portion (13) having a convex shape inheriting the concave shape of the concave portion.
前記ダイパッドの一面と前記半導体チップとを接続するボンディングワイヤ(50)を備え、
前記モールド樹脂は、前記半導体チップおよび前記ボンディングワイヤとともに前記ダイパッドの一面側を封止しており、
前記ボンディングワイヤは、前記ダイパッドの一面における前記凸部上に接続されていることを特徴とする請求項1に記載のモールドパッケージ。
A bonding wire (50) for connecting one surface of the die pad and the semiconductor chip;
The mold resin seals one side of the die pad together with the semiconductor chip and the bonding wire,
The mold package according to claim 1, wherein the bonding wire is connected to the convex portion on one surface of the die pad.
前記ダイパッドの一面と前記半導体チップとを接続するボンディングワイヤ(50)を備え、
前記モールド樹脂は、前記半導体チップおよび前記ボンディングワイヤとともに前記ダイパッドの一面側を封止しており、
前記凹部および前記凹部に対応する凸部の組である凹凸部(14)は2組設けられ、これら2組の凹凸部は、前記ダイパッドにおいて前記半導体チップ寄りと前記ダイパッドの外周端部寄りに二重の環状となるように離れて配置されており、
前記ボンディングワイヤは、前記ダイパッドの一面における前記2組の凹凸部の間の部位に接続されていることを特徴とする請求項1に記載のモールドパッケージ。
A bonding wire (50) for connecting one surface of the die pad and the semiconductor chip;
The mold resin seals one side of the die pad together with the semiconductor chip and the bonding wire,
Two sets of the concave and convex portions (14), which are sets of the concave portions and the convex portions corresponding to the concave portions, are provided, and two sets of the concave and convex portions are arranged near the semiconductor chip and the outer peripheral end of the die pad in the die pad. Are placed apart to form a heavy ring,
The mold package according to claim 1, wherein the bonding wire is connected to a portion between the two sets of uneven portions on one surface of the die pad.
前記ダイパッドの一面と前記半導体チップとを接続するボンディングワイヤ(50)を備え、
前記モールド樹脂は、前記半導体チップおよび前記ボンディングワイヤとともに前記ダイパッドの一面側を封止しており、
前記ボンディングワイヤは、前記ダイパッドの一面における前記凸部よりも前記半導体チップ側の部位に接続されていることを特徴とする請求項1に記載のモールドパッケージ。
A bonding wire (50) for connecting one surface of the die pad and the semiconductor chip;
The mold resin seals one side of the die pad together with the semiconductor chip and the bonding wire,
The mold package according to claim 1, wherein the bonding wire is connected to a portion closer to the semiconductor chip than the convex portion on one surface of the die pad.
前記ダイパッドの一面と前記半導体チップとを接続するボンディングワイヤ(50)を備え、
前記モールド樹脂は、前記半導体チップおよび前記ボンディングワイヤとともに前記ダイパッドの一面側を封止しており、
前記ボンディングワイヤは、前記ダイパッドの一面における前記凸部よりも前記ダイパッドの外周端部側の部位に接続されていることを特徴とする請求項1に記載のモールドパッケージ。
A bonding wire (50) for connecting one surface of the die pad and the semiconductor chip;
The mold resin seals one side of the die pad together with the semiconductor chip and the bonding wire,
2. The mold package according to claim 1, wherein the bonding wire is connected to a portion closer to an outer peripheral end portion of the die pad than the convex portion on one surface of the die pad.
前記ボンディングワイヤは、前記半導体チップのGND用のワイヤであることを特徴とする請求項2ないし5のいずれか1つに記載のモールドパッケージ。   6. The mold package according to claim 2, wherein the bonding wire is a wire for GND of the semiconductor chip.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019186338A (en) * 2018-04-06 2019-10-24 株式会社デンソー Semiconductor device
WO2022202242A1 (en) * 2021-03-25 2022-09-29 ローム株式会社 Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device
WO2023286720A1 (en) * 2021-07-13 2023-01-19 ローム株式会社 Semiconductor device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11220075A (en) * 1998-02-04 1999-08-10 Sony Corp Resin encapsulated type semiconductor device
JP2002134677A (en) * 2000-10-23 2002-05-10 Rohm Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2009500841A (en) * 2005-07-08 2009-01-08 エヌエックスピー ビー ヴィ Semiconductor device
JP2012146704A (en) * 2011-01-06 2012-08-02 Renesas Electronics Corp Semiconductor device, lead frame, and manufacturing method of the semiconductor device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11220075A (en) * 1998-02-04 1999-08-10 Sony Corp Resin encapsulated type semiconductor device
JP2002134677A (en) * 2000-10-23 2002-05-10 Rohm Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2009500841A (en) * 2005-07-08 2009-01-08 エヌエックスピー ビー ヴィ Semiconductor device
JP2012146704A (en) * 2011-01-06 2012-08-02 Renesas Electronics Corp Semiconductor device, lead frame, and manufacturing method of the semiconductor device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019186338A (en) * 2018-04-06 2019-10-24 株式会社デンソー Semiconductor device
JP7059765B2 (en) 2018-04-06 2022-04-26 株式会社デンソー Semiconductor device
WO2022202242A1 (en) * 2021-03-25 2022-09-29 ローム株式会社 Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device
WO2023286720A1 (en) * 2021-07-13 2023-01-19 ローム株式会社 Semiconductor device

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