JP2016142943A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画素ドットの縁部に隣接画素ドットからの漏れ光による表示不良が生じるのを防止または低減することができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】画像表示領域中に信号線15、走査線及び画素電極14が配列され、樹脂膜12が備えられたアレイ基板1と、対向基板2と、これらの間に保持される液晶材料層26とを含む液晶表示装置10において、アレイ基板1上には、画像表示領域内に、信号線15を覆うように信号線15に沿ってリブ状に延びる突条部11が、樹脂膜12を形成する樹脂層により樹脂膜12と一体に設けられており、この突条部11の頂部は、対向基板2の内面から離間されている。【選択図】図１

Description

本発明は、画像を表示するための液晶表示装置に関する。特には、横電界（フリンジ電界を含む）により液晶駆動を行う液晶表示装置に関する。

最も典型的な平面表示装置である液晶表示装置は、パソコンやテレビ、各種コンピューター端末用の表示装置（ディスプレイ）として、また、カーナビなどのための車載用表示装置、及び、スマートフォンなどの携帯電話や各種情報端末などといった各種モバイル機器の表示装置として広く用いられている。液晶表示装置の表示パネルは、アレイ基板及び対向基板が、シール材を介して貼り合わされ、この中に液晶材料の層が保持されてなる。アレイ基板上、画像表示領域（表示画素の配列領域）には、一般に、走査線及び信号線が格子状に交差して配列され、これらの交点ごとにスイッチング素子及び画素電極が配置される。

液晶表示装置においては、斜めから覗（のぞ）き込んだ場合（視野角が大きい場合）に、画素ドットの縁部に、隣の画素ドットからの漏れ光が混じることがある。例えば、赤色画素ドットの縁部で、隣接する緑色画素ドットからの緑色の漏れ光が混じる「混色」が生じうる。

特には、近年、IPS（In-Plane Switching）方式などと呼ばれる横電界方式が広く用いられている。横電界方式は、画素電極が配列されたアレイ基板に共通電極（対向電極）を設け、液晶材料に対し、主としてアレイ基板に沿った方向の電界を印加することで、液晶材料を通過する光のレベルを制御する方式であり、視野角依存性がほとんどない高精彩表示を実現できる。横電界方式のうち、特にFFS（Fringe Field Switching）方式は、画素電極と共通電極とが絶縁層を介して配置され、フリンジ電界により液晶駆動を行うものであり、エネルギーの利用効率を向上できるなどの利点があるため、モバイル用途などに広く用いられている。横電界方式の液晶表示装置においては、隣接画素ドット間での電界遮蔽が完全でないため、上記の「混色」が特に現れやすくなる。

このような問題に対処すべく、特許文献２においては、アレイ基板上にカラーフィルタ層を設けるとともに、カラーフィルタ層の次に形成されるパターンにより、信号線（「信号配線DL」）に沿って壁構造（「第一の壁構造WL1」）を設けることが提案されている（特には図１〜２）。この壁構造による突起は、液晶層を貫き対向基板にまで突出するものであり、ほぼ垂直に延びる壁面にまで、画素電極（「ソース電極SE」）の層を備えている。このような「壁電極IPS-LCD」により、「液晶層に、より平行な電界を印加可能」（0004段落）であるとしている。一方、特許文献３においては、画素ドットの境界部に沿って延びる共通電極（「コモン電極1101」）層の厚みを他の共通電極層の５〜３０倍とすることが提案されている。

他方、特許文献１に記載の液晶表示装置においては、アレイ基板１から突出する「スペーサ部４」と、対向基板２から突出する「スペーサ部５」とが垂直方向に突き合わされて柱状スペーサを形成している。特には、アレイ基板の「スペーサ部４」が走査線方向に延び、対向基板の「スペーサ部５」が信号線方向に延びている。これにより、スペーサ部が画素領域内に傷を付けないようにしている。

特開2013-186148 特開2014-006427 特開2014-021267

本発明は、画素ドットの縁部に隣接画素ドットからの漏れ光による表示不良が生じるのを防止または低減することができる液晶表示装置を提供しようとするものである。

本発明の液晶表示装置は、画像表示領域中に信号線、走査線及び画素電極が配列され、樹脂膜が備えられたアレイ基板と、対向基板と、これらの間に保持される液晶材料層とを含み、アレイ基板上には、画像表示領域内に、信号線を覆うように信号線に沿って延びる突条部が樹脂膜により設けられており、この第１の隆起部の頂部は、対向基板の内面から離間されていることを特徴とする。

視野角が大きい場合に、隣の画素ドットからの漏れ光が混じって見えるのを防止または低減できる。

一実施形態の液晶表示装置の要部である、突条部及び画素開口の箇所を示す、走査線方向の模式的な積層断面（図４〜５のI-I断面）図である。 図１の液晶表示装置における、対向隆起部の形成箇所を示す、走査線方向の積層断面（図４〜５のII-II断面）図である。 図１の液晶表示装置における、信号線に沿った積層断面（図４のIII-III断面）図である。 図１の液晶表示装置のアレイ基板における画素ドットの基本構成の一例を示す平面図である。 アレイ基板の突条部、及び、対向基板のブラックマトリクス及び対向隆起部をも示す、図４と同様の平面図である。 比較例（従来構成）の液晶表示装置についての、図１に対応する積層断面図である。 図１（実施形態）及び図６（従来構成）の液晶表示装置における光変調率の分布を示すグラフである。 一変形例についての図１に対応する積層断面図である。

本発明の一の実施形態になる液晶表示装置について、図１〜５を用いて説明する。ここでの液晶表示装置は、具体例において、横電界方式のものであり、特には、FFS方式のものである。

図１〜３に示すように、液晶表示装置の表示パネル１０は、アレイ基板１と、対向基板２と、これらの間隙に保持される液晶層２６と、両基板１，２の周辺部同士を貼り合わせて液晶層２６を封止するシール材２９とにより形成されている。

図４には、アレイ基板１における画素ドット３の基本構成の一具体例を示す。遮光性の金属パターンからなる信号線１５と走査線１６とが格子状に配列され、これらの交点ごとに、スイッチング素子としてのＴＦＴ１７Ａ,１７Ｂと、透明導電材料からなる画素電極１４を備えた画素ドット３とが形成されている。画素電極１４及び画素ドット３は、信号線１５の方向に長く延びている。画素ドット３の長さ方向領域の大部分が、画素開口３１に相当し、この中に画素電極１４が配置される。また、画素ドットの３の一端部には、スイッチング・導通部３２が形成され、この中に、画素電極１４から延びる画素電極延在部１４Ａが配置される。

図５には、対向基板２の主要構成を、図４の主要構成に重ね合わせて示す。対向基板２に、遮光膜により格子状に設けられたブラックマトリクス２４は、信号線１５及びその近傍を覆うように信号線１５に沿って延びる部分と、各スイッチング・導通部３２及びその近傍を覆う部分とにより形成されている。図示の例においては、スイッチング・導通部３２近傍を覆う部分が、走査線１６に沿って連続して延びており、信号線１５近傍を覆う部分とにより格子状をなしている。ブラックマトリクス２４の格子状の各開口が、画素開口３１をなす。

図１〜２及び図５に示すように、アレイ基板１において、信号線１５及びその近傍が、樹脂膜１２により厚く覆われて、突条部１１をなしている。図５において、突条部１１は、その隆起寸法Ｄ２（図１）の１／２高さの箇所を結ぶ等高線により描かれている。図５に示すように、本実施形態において、突条部１１は、信号線方向に長い画素開口３１を左右から挟む箇所の全体に、連続して設けられている。但し、図５に示す例において、スイッチング・導通部３２を左右から挟む箇所では、後述の柱状スペーサー部を除き、突条部１１が省かれて、突条の断続部１１Ｂが形成されている。

一方、画素開口３１における周辺部以外の箇所では、樹脂膜１２が、比較的小さい厚みを有し、画素開口内平坦部１２Ａをなす。図示の例にて、画素電極１４は、ほぼ全体が、この平坦部１２Ａに配置されている。また、この平坦部１２Ａでは、樹脂膜１２が導電パターンを被覆するものでないため、樹脂膜１２を省くこともできる。

図１には、画素開口３１の箇所での、走査線１６に沿った方向、すなわち、信号線１５にほぼ直交する方向での積層断面を模式的に示す。図１に示すように、まず、信号線１５の近傍では、突条部１１を設けて厚みを大きくすることにより、信号線１５を確実に被覆・絶縁するとともに、樹脂膜１２上の導電層との間の不所望の寄生容量を充分に小さくすることができる。また、同時に、ほぼ画素開口内平坦部１２Ａに画素電極１４が配置されるため、液晶層２６の厚みについて、画素電極１４の箇所では、突条部１１の箇所での寸法よりも大きい、均一な所定の寸法Ｄ１とすることができる。言い換えるならば、画素ドット３間を区切る信号線近傍の領域において、液晶層の厚みを、画素電極１４の箇所の所定の寸法Ｄ１より小さくすることができる。なお、多くの場合、液晶層の厚みを小さくすることで、液晶変調率を低下させることが可能であり、光透過率を低下させ、それだけ混色を低減することができると考えられる。

図６には、比較例の液晶表示装置の表示パネル１０'についての、図１と同様の積層断面図を示す。図６の比較例においては、樹脂膜１２が、平坦化膜として設けられ、樹脂膜１２の表面は、アレイ基板１からの突出高さが均一な平坦面をなす。平坦化膜としての樹脂膜１２の厚みが通常0.5〜2μmであり、本発明の実施形態において、樹脂膜１２の最大の厚みを0.5〜2μm、例えば0.8〜1.2μmとすることができる。なお、信号線１５をなす金属層の厚みは、通常、0.1〜0.3μmである。また、画素電極１４及び共通電極１３をなす透明導電層の厚みは、通常、10〜30nm（0.01〜0.03μm）である。

図１の実施例と、図６の比較例とを比較すれば知られるように、画素電極１４の箇所での液晶層の厚みを所与の値（Ｄ１）とした場合、実施例では、比較例に比べて、アレイ基板１の遮光パターンとしての信号線１５と、対向基板２のブラックマトリクス２４との間の積層方向（垂直方向）の距離を小さくすることができる。具体的には、図１の実施例であると、図６の比較例に比べて、突条部１１の隆起寸法Ｄ２、すなわち画素開口平坦部１２Ａとの高さの差の分だけ、信号線１５と、ブラックマトリクス２４との垂直方向距離を小さくすることができる。

図１及び図６には、アレイ基板１における一の画素開口３１-1から、対向基板２における隣の画素開口３１-2へと抜ける斜め通過光線２８を表示している。また、この斜め通過光線２８が、垂直方向との間でとりうる最小角度としての混色限界角２８Ａも表示されている。信号線１５を挟んで隣接する画素ドット間では、割り当てられた原色が異なるため、斜め通過光線２８により、画素開口３１の縁部にて、異なる原色の光が混入する「混色」が生じうる。ところが、図１と図６との比較から知られるように、信号線１５とブラックマトリクス２４との垂直距離を小さくすることで、液晶の変調率を低下させて混色限界角２８Ａを大きくすることができ、それだけ混色を防止または抑制することができる。

次に、FFS方式などの横電界方式の液晶表示装置において、信号線１５近傍を覆うリブ状突起１１による、さらなる混色防止について説明する。

本実施形態において、アレイ基板１の画素ドット配列領域には、透明導電材料からなる共通電極１３が、スイッチング・導通部３２近傍を除き、ほぼ全面を覆うように設けられている。そのため、画素電極１４が配置される平坦部１２Ａのみならず、突条部１１をも覆うように設けられる。なお、図示の例で、共通電極１３は、樹脂膜１２を直接被覆するように設けられる。また、画素電極１４には、スリット１４Ｂが備えられる。図示の例において、画素ドットごとに一つの画素電極１４が設けられ、各画素電極１４には、ほぼその全長にわたって延びる一つのスリット１４Ｂが備えられている。また、スリット１４Bを有さない1本の線状電極にて画素電極１４が形成されていても良い。

共通電極１３及び画素電極１４の間に印加される液晶駆動電圧により、図１及び図６に示すように、アレイ基板１からループ状の電気力線２７が延びる。図１中に模式的に示すように、突条部１１の存在により、電気力線２７が左右の信号線１５近傍へと延び広がるのが抑えられる。

図７のグラフには、図１の実施例の表示パネル１０と、図６の比較例の表示パネル１０'とについて、白表示のための所定の液晶駆動電圧を加えた場合の光の透過率（％）と、位置（μm）との関係について示す。ここでの位置（μm）は、図１のように画素開口３１を走査線方向に横切る場合の、画素開口３１の中央線からの距離である。画素開口３１中、その中央線に近い約70%の領域、すなわち、画素開口３１の幅方向両端部を除いた、画素開口３１の幅寸法の約70%の領域では、実施例と比較例との間で、光の透過率にほとんど差が見られない。ところが、ブラックマトリクス２４に重なる遮光領域、及びその近傍（すなわち、画素開口３１の左右の縁部）では、著しい差が見られる。特に、ブラックマトリクス２４の領域の中心部、すなわち、信号線１５に重なる領域において、比較例では5%の透過率があるのに対し、実施例ではほぼ0%となっている。このように遮光領域近傍での低い透過率により、混色を確実に防止することができる。

遮光領域近傍での透過率を低下させることができたのは、突条部１１の存在により、上述のように電気力線２７の延び広がりが抑えられるとともに、液晶層の厚みの減少により透過率が低下したためと考えられる。

以下に、図１〜５に示す具体的な実施例について、より詳細に説明する。

まず、アレイ基板１の概略の製造工程は、下記の(1)〜(9)の通りとすることができる。(1) アレイ基板１のガラス基板１Ａ上に、まず、ポリシリコン配線１７が形成され、これが、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などからなるゲート絶縁膜１６Ｂにより被覆される。(2) 次いで、モリブデン合金などの金属層により、走査線１６、及びこれからの枝線１６Ａが形成され、これらが、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などからなる層間絶縁膜１５Ｂにより被覆される。(3) 層間絶縁膜１５Ｂ及びゲート絶縁膜１６Ｂを貫きポリシリコン配線１７の両端部を露出させるコンタクトホール１９Ａが形成される。(4) 層間絶縁膜１５Ｂ上に、アルミニウムまたはその合金などの金属層により、信号線１５、及び、第１の島状パターン１５Ａが形成される。(5) 突条部１１などを備える透明の樹脂膜１２が形成され、これにより、信号線１５及び第１の島状パターン１５Ａが被覆される。この際、第１の島状パターン１５Ａの一部を露出させるコンタクトホール１９Ｂが形成される。(6) 樹脂膜１２上に、ITOやIZOなどの透明導電材料からなる共通電極１３の層が形成される。この際、スイッチング・導通部３２には、第２の島状パターン１３Ａが形成される。(7) 共通電極１３などを被覆する共通電極絶縁膜１８Ａが設けられた後、第２の島状パターン１３Ａの一部を露出させるコンタクトホール１９Ｃが形成される。(8) ITOやIZOなどの透明導電材料からなる画素電極１４が形成される。(9) 最後に、配向膜１８の樹脂層が設けられてから、ラビング処理または紫外線照射による光配向処理が行われる。

上記(6)の樹脂膜１２を形成するにあたっては、次のように行うことができる。まず、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂などを主成分とする透明の光硬化性樹脂材料を、スリットコーター等により塗布する。次いで、ハーフトーン露光の技術により、領域ごとに、所定の厚みとなるように紫外線の照射量を変化させて露光操作を行う。この後、未硬化の樹脂材料を除去する現像操作を行ってから、加熱処理により、樹脂膜を完全に硬化させる。

次に、各画素ドットのスイッチング・導通部３２及びスイッチング部について説明する。図示の例において、ポリシリコン配線１７は、図４に示すようにＬ字状をなし、信号線１５と重なって延び走査線１６を横切る第１の直線部と、これから折れ曲がって走査線１６に平行にスイッチング・導通部３２中に延びている第2の直線部とからなる。図４並びに図２〜３に示すように、各ポリシリコン配線１７の両端部は、それぞれコンタクトホール１９Ａを介して、信号線１５の一部、及び、第１の島状パターン１３Ａに接続される。第１の島状パターン１５Ａは、樹脂膜１２を貫くコンタクトホール１９Ｂを通じて、第２の島状パターン１３Ａに接続される。この第２の島状パターン１３Ａは、共通電極絶縁膜１８Ａを貫くコンタクトホール１９Ｃを介して、画素電極１４に接続される。

スイッチング・導通部３２中では、走査線１６から信号線方向に突き出す枝線１６Ａを、ポリシリコン配線１７が横切っており、この箇所で、ＴＦＴ１７Ｂが形成されている。なお、一具体例において、ポリシリコン配線１７が走査線１６を横切る箇所にもＴＦＴ１７Ａが形成されている。すなわち、一対のＴＦＴ１７Ａ,１７Ｂにより、画素ドットごとのスイッチング部が形成されている。

図２に示す具体例において、スイッチング・導通部３２では、信号線１５と同時に形成される比較的厚みの大きい島状パターン１５Ａを被覆すべきであることから、この近傍での樹脂膜１２の厚みが、画素開口内平坦部１２Ａでの厚みよりも大きくなっている。特には、図示の例において、樹脂膜１２が、スイッチング・導通部３２の箇所にて台地状隆起部１１Ａをなしている。そのため、この箇所での液晶層の厚み寸法Ｄ３は、画素開口内平坦部１２Ａにおける液晶層の厚み寸法Ｄ１よりも小さくなっている。

また、図２〜３及び図５に示す具体例において、対向基板２には、樹脂膜２２の形成時に樹脂膜２２と一体に形成される対向隆起部２１が設けられる。この対向隆起部２１は、図５の平面図において、走査線方向に長い丸角の長方形をなしている。また、図２〜３に示すように、この対向隆起部２１の頂部と、信号線方向に延びる突条部１１Ａの頂部とが突き合わされて、柱状スペーサー（フォトスペーサー）としての役割を果たす。ここで、特には、信号線１５に沿って延びる一つの突条部１１と、走査線１６の方向に長い一つの対向隆起部２１とがクロス状に組み合わさることで、一つの柱状スペーサー部を形成している。

このようにして形成される柱状スペーサー部は、複数の画素ドットに一つの割合で設けることができ、例えば４つの画素ドットあたり１つ、または８つの画素ドットあたり１つの割合で設けることができる。図５に示す例にて、対向隆起部２１は、図の中心に示された矩形状の画素ドットにおける一つの隅角の近傍にのみ配置されている。

なお、対向基板２の概略の製造工程は、下記の(i)〜(iv)の通りとすることができる。(i) 対向基板２のガラス基板２Ａ上に、黒色顔料を分散させた樹脂層、または金属層からなるブラックマトリクス２４が形成される。(ii) 次いで、赤色、青色及び緑色の顔料をそれぞれ分散させた樹脂層からなる3種のカラーフィルタ層２３Ｒ，２３Ｂ及び２３Ｇを、順に形成する。(iii) カラーフィルタ層２３Ｒ，２３Ｂ及び２３Ｇの間の厚みの不均一などをカバーする平坦化膜としての樹脂膜２２を形成する。この際、同時に、所定箇所にて対向隆起部２１を設ける。(iv) 最後に、配向膜２５の樹脂層を設けてから、ラビング処理または紫外線照射による光配向処理を行う。

対向基板２に樹脂膜２２及び対向隆起部２１を設ける上記(iii)の工程は、アレイ基板１に樹脂膜１２及び隆起部１１を設ける前述の(6)の工程と全く同様に行うことができる。

図８には、変形例の液晶表示装置の表示パネル１０"の要部を、図１と同様の積層断面図により示す。突条部１１の積層断面形状が、図１の実施例は、円弧状ないし湾曲状であったのに対し、図８の変形例においては、台形状ないし矩形状である。図８の変形例でも、図１の実施例と同様の混色防止効果が得られた。特には、図７と同様の透過率曲線をとった場合にも、図１の実施例と、ほぼ同様であった。

好ましい一実施形態において、突条部１１の隆起寸法Ｄ２、すなわち画素開口平坦部１２Ａとの高さの差は、画素開口内平坦部１２Ａにおける画素電極１４の箇所での液晶層の厚みＤ１の、10〜80%、好ましくは15〜70%、より好ましくは1/6〜4/6とすることができる。例えば、高さの差は、上記の厚みＤ１の25〜55%、特には30〜50%とすることができる。なお、上記の厚みＤ１は、典型的には2〜5μm、例えば2〜3μmである。

好ましい一実施形態において、アレイ基板１の画素開口内平坦部１２Ａにて、樹脂膜１２は、厚みを0.1〜0.5μm、特には0.1〜0.3μmとすることができ、また、上述のように省くこともできる。

好ましい一実施形態において、上記隆起寸法Ｄ２の1/2の高さでの突条部１１の幅Ｗ１は、ブラックマトリクス２４における対応する線状部の幅Ｗ２の0.8〜1.3倍、例えば0.9〜1.2倍とすることができ、信号線１５の幅Ｗ３の1.5〜4倍、例えば2〜3倍とすることができる。

好ましい一実施形態において、図２を用いて説明した台地状隆起部１１Ｂにおける樹脂膜１２の厚みは、信号線１５及び島状パターン１５Ａの金属層の厚みの1.0〜5倍、特には1.5〜3倍とすることができる。また、台地状隆起部１１Ａと、画素開口内平坦部１２Ａとの間の、樹脂膜１２の厚みの差、すなわち、台地状隆起部１１Ａと画素開口内平坦部１２Ａとの間の高さの差は、突条部１１の隆起寸法Ｄ２の20〜80%、例えば40〜50%とすることができる。

上記の実施例及び変形例においては、液晶表示装置がFFS方式のものであるとして説明したが、他の横電界方式のものであっても、混色防止の効果を得ることができる。また、対向基板に共通電極（対向電極）が設けられる液晶表示装置にあっても、混色限界角を大きくするとともに、信号線近傍での液晶層の厚みを小さくすることにより、混色防止の効果を得ることができる。

上記の製造工程の説明において、突条部１１と、画素開口内平坦部１２Ａの樹脂膜とは、樹脂材料を均一に塗布した後、ハーフトーン露光技術により同時に一体に形成されるとして説明したが、場合によってはインクジェット技術などにより、樹脂層の厚みを変化させることも可能であると思われる。

なお、実施形態における開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の趣旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実施差の対応に比べ、各物の幅、厚さ、形状などいついて模式的に表される場合があるが、あくまでも一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素に同一の符号を付すことで、詳細な説明を適宜省力する場合もある。本発明の実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得るあらゆる実施形態も、本発明の要旨を包含する限り、本願発明の範囲に属する。本発明の思想の範疇において、当業者であれば各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、上記実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

１０…表示パネル； １…アレイ基板； １Ａ…ガラス基板；
１１…突条部； １１Ａ…台地状隆起部；
１１Ｂ…突条の断続部； １２…樹脂膜；
１２Ａ…画素開口内平坦部； １２Ｂ…樹脂膜の縁； １３…共通電極；
１３Ａ…島状パターン； １４…画素電極； １４Ａ…画素電極延在部；
１４Ｂ…スリット； １５…信号線； １５Ａ…島状パターン；
１５Ｂ…層間絶縁膜； １６…走査線； １６Ａ…ゲート電極用枝線；
１６Ｂ…ゲート絶縁膜； １７…ポリシリコン配線；
１７Ａ,１７Ｂ…ＴＦＴ； １８…配向膜； １８Ａ…共通電極絶縁膜；
１９Ａ,１９Ｂ,１９Ｃ…コンタクトホール； ２…対向基板；
２Ａ…ガラス基板； ２１…細長状の対向隆起部； ２２…樹脂膜；
２２Ａ…樹脂膜の縁； ２３…カラーフィルタ層；
２４…ブラックマトリクス； ２５…配向膜； ２６…液晶層；
２７…電気力線； ２８…斜め通過光線； ２８Ａ…混色限界角；
２９…シール材； ３…画素ドット； ３１…画素開口；
３２…スイッチング・導通部； Ｄ１…画素電極での液晶層の厚み；
Ｄ２…リブ状隆起寸法； Ｄ３…画素電極延在部での液晶層の厚み；
Ｗ１…突条部の1/2高さ幅；
Ｗ２…ブラックマトリクスの線状部の幅； Ｗ３…信号線の幅

Claims (5)

1. 画像表示領域中に信号線、走査線及び画素電極が配列され、樹脂膜が備えられたアレイ基板と、
   対向基板と、これらの間に保持される液晶材料層とを含む液晶表示装置において、
   アレイ基板上には、画像表示領域内に、信号線を覆うように信号線に沿って延びる突条部が、樹脂膜を形成する樹脂層により一体に設けられ、突条部の頂部は、対向基板の内面から離間されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 突条部が、対向基板に設けられた対向隆起部と突き合わされて柱状スペーサをなすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 対向隆起部は、画像表示領域内の遮光領域中に備えられ、走査線に沿った方向を長手方向とするように備えられることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 突条部の隆起寸法が、液晶層の厚みの１５〜７０％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. アレイ基板上に共通電極が備えられ、この共通電極は、突条部を形成するための樹脂膜よりも表面側に配置されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。

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