[go: up one dir, main page]

JP2016047561A - 研削装置 - Google Patents

研削装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2016047561A
JP2016047561A JP2014172519A JP2014172519A JP2016047561A JP 2016047561 A JP2016047561 A JP 2016047561A JP 2014172519 A JP2014172519 A JP 2014172519A JP 2014172519 A JP2014172519 A JP 2014172519A JP 2016047561 A JP2016047561 A JP 2016047561A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grinding
wafer
grinding wheel
chuck table
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014172519A
Other languages
English (en)
Inventor
森 俊
Takashi Mori
俊 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2014172519A priority Critical patent/JP2016047561A/ja
Priority to KR1020150117418A priority patent/KR20160025462A/ko
Priority to CN201510520733.2A priority patent/CN105390413A/zh
Publication of JP2016047561A publication Critical patent/JP2016047561A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

【課題】ウエーハの中央部分に凹部を形成する場合において、効率よくウエーハを研削して凹部の厚さ精度を向上させる。
【解決手段】研削装置1は、ウエーハWの下面Wbを保持する保持手段4と、ウエーハWの上面Waの中央部分を研削する研削手段10とを備え、保持手段4はウエーハWの保持面6aが平面に形成されるチャックテーブル5とチャックテーブル5の中心を軸に回転させるチャックテーブル回転機構7とを備え、研削手段10はホイール基台111にリング状に研削砥石112を配設した研削ホイール11と研削ホイール11を回転可能に装着するスピンドルユニット12とを備え、研削ホイール12は、研削砥石112の外側面113が凹部W3の内側面に接し、研削砥石112の外周の直径Dは凹部W3の半径r以上直径R以下で研削砥石112は常にウエーハWの中心Oを通過する構成となっており、効率よく厚さ精度を高くウエーハWを研削できる。
【選択図】図5

Description

本発明は、円板状のウエーハを研削して薄化する研削装置に関する。
円板状のウエーハを研削して薄化する研削装置は、ウエーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、スピンドルの下端に装着されたホイール基台にリング状に研削砥石を配列した研削ホイールとを少なくとも備えている。チャックテーブルの保持面は、円錐面に形成されている。この研削装置においてウエーハを研削するときは、研削砥石の軌跡がウエーハの中心を常に通過するように、研削ホイールとチャックテーブルとを回転させてウエーハを研削している。このとき、チャックテーブルの保持面にならって円錐状にウエーハが保持されているため、これに対応してチャックテーブルの回転軸とスピンドルの回転軸との傾き関係を調整し、ウエーハの中心から外周(エッジ)にかけて円弧を描くようにして、研削砥石の軌跡のうち少なくとも半円部分をウエーハに接触させて研削している。このように、研削砥石をウエーハの中心から外周に向く方向に接触させることで、エッジ付近に衝撃を加えるのを防ぎ、チッピングが発生するのを防止している。
また、研削によってウエーハが薄くなると、ウエーハの剛性が低下してその後の工程においてウエーハの取り扱いが困難となるという問題があるため、例えばウエーハの裏面のうち、デバイスが複数形成されたデバイス領域に対応する領域に凹部を形成し、デバイス領域の外周側の外周余剰領域に対応する領域にリング状の凸部を形成する研削方法も提案されている。この研削方法においても、円錐面のチャックテーブルの回転軸を傾け、チャックテーブルの回転軸とスピンドルの回転軸との傾き関係を調整し、研削砥石の軌跡の半円部分を用いてウエーハを研削している(例えば、下記の特許文献1を参照)。
特開2008−060470号公報
しかし、ウエーハの中央部分に凹部を形成してその外周側にリング状の凸部を形成する加工では、ウエーハのエッジ付近に対する研削砥石の出入りがないため、エッジ付近にチッピングが生じるおそれはない。したがって、かかる研削においても研削砥石の半円部分を用いてウエーハを研削することは非効率的である。
また、チャックテーブルを円錐面とし、その回転軸を傾けてスピンドルの回転軸との傾き関係を調整して研削を行うと、被研削領域の厚さにばらつきが生じやすく、厚さ精度を向上させることが困難である。
本発明は、上記の事情にかんがみてなされたものであり、ウエーハの中央部分に凹部を形成してその外周側にリング状の凸部を形成する場合において、効率よくウエーハを研削するとともに凹部の厚さ精度を向上させることを目的としている。
本発明は、円板状のウエーハの上面の中央部分を研削砥石で研削して円状の凹部を形成するとともに研削されない該凹部の外周側にリング状の凸部を形成する研削加工に用いる研削装置であって、ウエーハの下面を保持する保持手段と、該保持手段が保持するウエーハの上面の中央部分を研削する研削手段と、該研削手段を該保持手段に保持されたウエーハに接近及び離間させる方向に研削送りする研削送り手段と、を備え、該保持手段は、ウエーハの下面を保持する保持面となる上面が平面に形成されるチャックテーブルと、該チャックテーブルの中心を軸に該チャックテーブルを回転させるチャックテーブル回転機構と、を備え、該研削手段は、ホイール基台に研削砥石をリング状に配設した研削ホイールと、該研削ホイールを回転させるスピンドルユニットと、を備え、該研削砥石の外周の直径は、該凹部の半径以上でかつ該凹部の直径以下であり、該スピンドルユニットの回転軸と該チャックテーブルの回転軸とを平行とし、該研削砥石の外側面が該凹部の内側面に接し、該研削砥石がウエーハの中心を通過してウエーハの中央部分を研削する。
本発明に係る研削装置は、研削砥石の外周の直径がウエーハの凹部の半径以上でかつ凹部の直径以下であり、スピンドルユニットの回転軸とチャックテーブルの回転軸とを平行とし、研削砥石の外側面が凹部の内側面に接し、研削砥石がウエーハの中心を通過してウエーハの中央部分を研削するため、これにより、研削砥石の全面をウエーハの上面に接触させて効率よく研削することができ、研削後のウエーハの凹部の厚さ精度を向上させることができる。
研削装置の構成を示す斜視図である。 保持手段及び研削手段の構成を示す断面図である。 研削砥石によってウエーハに研削を施す状態を示す底面図である。 ウエーハの中央部分に円弧状の研削痕が複数形成された状態を示す平面図である。 研削砥石によって、ウエーハの中央部分に凹部が形成された状態を示すとともに、該凹部と研削砥石との大きさの関係を説明するための斜視図である。 研削手段の別の例を示す断面図である。 研削手段の別の例を構成する研削砥石によってウエーハに研削を施す状態を示す底面図である。
図1に示す研削装置1は、Y軸方向にのびる装置ベース2を有しており、装置ベース2の上面2aには、ウエーハの下面を保持する保持手段4を備えている。
保持手段4は、ウエーハの下面を吸引保持するチャックテーブル5と、チャックテーブル5の中心を通るチャックテーブル回転軸8を軸にしてチャックテーブル5を回転させるモータを備えたチャックテーブル回転機構7とを備えている。保持手段4は、Y軸方向に移動可能となっている。
チャックテーブル5は、図2に示すように、ポーラス部材により形成される保持部6を備えており、保持部6の上面が平面に形成される保持面6aとなっている。保持部6には、図示しない吸引源が接続されている。このように構成されるチャックテーブル5では、吸引源の吸引力が保持面6aで作用することにより、保持面6aでウエーハの下面を平坦に吸引保持することができる。
図1に示す装置ベース2のY軸方向後部側の上面2aには、Z軸方向にのびるコラム3が立設されている。コラム3の側部には、保持手段4が保持するウエーハの上面の中央部分を研削する研削手段10と、保持手段4が保持するウエーハに対して研削手段10を接近及び離間する方向(Z軸方向)に研削送りする研削送り手段13とを備えている。
研削手段10は、ウエーハに研削を施す研削ホイール11と、研削ホイール11を回転させるスピンドルユニット12とを備えている。スピンドルユニット12は、Z軸方向の軸心を有するスピンドル120(図2参照)と、スピンドル120の外周を囲繞し支持するスピンドルハウジング121と、スピンドル120の一端に接続されたモータ122とを備えており、モータ122は、中心軸123を中心として研削ホイール11を所定の回転速度で回転させることができる。
研削送り手段13は、Z軸方向にのびるボールネジ130と、ボールネジ130の一端に接続されたモータ131と、ボールネジ130と平行にのびる一対のガイドレール132と、内部に備えたナットがボールネジ130に螺合するとともに側部がガイドレール132に摺接する昇降部133とを備えている。モータ131がボールネジ130を回動させることにより、一対のガイドレール132に沿って昇降部133とともに研削手段10をZ軸方向に昇降させることができる。
研削ホイール11は、図2に示すように、スピンドル120の下端においてホイールマウント110を介して装着されたホイール基台111と、ホイール基台111の下部にリング状に配設された複数の研削砥石112とにより構成されている。研削砥石112の下面である研削面112aは、ウエーハの被研削面と接触する面であり、所定の幅112bを有している。研削砥石112は、その回転軌跡の最外周の直径が、少なくともウエーハの直径以下となっている。研削砥石112の回転軌跡の最外周の直径のサイズは、研削しようとするウエーハのサイズに合わせて変更可能であり、以下で説明する研削装置1の動作において具体的に説明する。
図2及び図3に示すウエーハWは、円板状の被加工物の一例であって、特に材質等が限定されるものではない。ウエーハWの上面Waは研削が施される被研削面となっており、上面Waの反対側の面がチャックテーブル5に保持される下面Wbとなっている。この下面Wbのうち、格子状の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成されて構成される中央部分がデバイス領域W1となっており、デバイス領域W1を囲繞するリング状の外周部分が外周余剰領域W2となっている。
このように構成されるウエーハWを研削する際には、図2に示すように、ウエーハWの下面Wbに例えば保護テープ(不図示)を貼着した上でチャックテーブル5にウエーハWの下面Wb側を載置するとともに、上面Waを上向きに露出させる。続いて図示しない吸引源が作動し、チャックテーブル5の保持面6aでウエーハWを平坦に吸引保持する。その後、チャックテーブル回転機構7によって、チャックテーブル回転軸8を軸にチャックテーブル5を例えば矢印A方向に回転させながら、図1に示した移動基台9が例えばY軸方向に移動し、チャックテーブル5を研削手段10の下方に移動させる。
図2に示すように、スピンドルユニット12は、スピンドル123を軸にスピンドル120を回転させ、研削ホイール11を例えば矢印A方向に回転させながら、図1で示した研削送り手段13が作動し、研削ホイール11をウエーハWの上面Waに接近する方向に下降させてウエーハWの上面Waの中央部分に接触させ、所望の研削を行う。
具体的には、ウエーハWの上面Waのうち、図3に示すように、デバイス領域W1に対応する領域に研削砥石112の研削面(下面)の全面で押圧しながら研削して円状の凹部を形成する。このとき、ウエーハWの中心Oからエッジに向けて回転する研削砥石112の外周部113は、デバイス領域W1と外周余剰領域W2との境界部分またはその若干内周側に接触するとともに、研削砥石112の研削面112aが、常に中心Oを通過する。研削面112aの幅112bは研削砥石の外半径と内半径との差である。このようにして、図4に示すように、デバイス領域W1に対応する領域の全域に円弧状の研削痕14が形成されるまで研削する。
ここで、図5を参照しながらウエーハWの中央部分を研削する研削ホイール11のサイズについて説明する。研削ホイール11は、研削砥石112の外側面113がウエーハWの中央部分に形成しようとする凹部W3の内周面に当接し、研削砥石112の回転軌跡の最外周の直径Dが、凹部W3の半径r以上かつ凹部W3の直径R以下の大きさを有し、研削砥石112の研削面112aが常にウエーハWの中心Oを通過する構成となっている。例えば、ウエーハWの中央部分に形成しようとする凹部W3の直径Rを200mm(半径r=100mm)とするとき、使用する研削砥石112としては、直径Dを100mm以上200mm以下とする。また、例えば研削砥石112の幅112bを100mm以下とする。
このように構成される研削ホイール11を用いてウエーハWを研削する際には、スピンドルの回転軸123とチャックテーブル回転軸8とを平行とし、ウエーハWと研削砥石112とを同一方向に回転させつつ、研削砥石112の外周部113が常にウエーハWの中心Oを通過するように所定の時間研削する。こうして図4に示したようにウエーハWのデバイス領域W1に対応する領域の全域に研削痕14を形成し、図5に示すように、ウエーハWの中央部分に凹部W3を形成するとともに該凹部W3の外周側にリング状の凸部W4を形成する。
ウエーハWの研削中は、研削砥石112の研削面の全面をウエーハWの上面Waに接触させて研削するため、従来のように軌跡の半円部分のみを接触させる場合と比較すると、研削砥石のウエーハに接触している面積が大きいため、効率よく研削を行うことができる。また、研削砥石112の研削面の全面をウエーハWの上面Waに接触させ、研削水を研削砥石112に供給しながらウエーハWを研削すると、研削屑をウエーハWの外周側に放射状に飛散させることができるため、研削液とともに研削屑を外周側に飛ばすことができ、ウエーハWの上面Wa上に研削屑が滞留するのを防ぐことができる。
なお、研削手段10,チャックテーブル5には、それぞれの回転軸の傾きを調整する傾き調整手段を備えるようにしてもよい。
図1〜図3及び図5に示した研削砥石112に代えて、図6及び図7に示す研削砥石114を使用することもできる。図6及び図7に示す個々の研削砥石114は、ほぼ扇形(扇の先端の鋭角部分を小円状に切り欠いた形状)に形成されており、隣り合う研削砥石114の間には隙間が形成されている。すべての研削砥石114は、半径及び研削面114aの面積が同じであり、その外周が、全体としてスピンドル回転軸123を中心とする円状となるように配置されている。このように構成される研削砥石114は、前記研削砥石112と比較して、ウエーハWに対する接触面積が広く、効率よく研削することができる。また、隣り合う研削砥石114の間には隙間が放射状に形成されているため、ウエーハWに対する接触面積が広いながらも、研削水を放射状に飛散させて効果的に排出することができ、ウエーハWの上面Wa上に研削屑が滞留するのを防ぐことができる。
以上のとおり、本発明の研削装置1は、ウエーハWの下面Wbを保持する保持手段4が、ウエーハWの下面Wbを保持する保持面6aとなる上面が平面に形成されるチャックテーブル5を備え、研削手段10の研削ホイール11は、リング状に配置された研削砥石112の外側面113がウエーハWに形成される凹部W3の内周面に接し、研削砥石112の直径Dは凹部W3の半径r以上直径R以下であり、外周部113は常にウエーハWの中心Oを通過する構成となっているため、ウエーハWに対して研削を行う際には、チャックテーブル5の保持面6aにおいてウエーハWを平坦に保持するとともに、チャックテーブル回転軸8とスピンドル回転軸123との傾き関係を平行にして、ウエーハWの上面Waのうちデバイス領域W1に対応する領域に研削砥石112の研削面の全面を接触させて効率よく研削することができ、ウエーハWの厚さ精度を向上させることができる。
1:研削装置 2:装置ベース 2a:上面 3:コラム 4:保持手段
5:チャックテーブル 6:保持部 6a:保持面
7:チャックテーブル回転機構 8:チャックテーブル回転軸
10:研削手段 11:研削ホイール 110:ホイールマウント
111:ホイール基台 112:研削砥石 113:外周部
12:スピンドルユニット 120:スピンドル 121:スピンドルハウジング
122:モータ 123:スピンドル回転軸
13:研削送り手段 130:ボールネジ 131:モータ 132:ガイドレール
133:昇降部 14:研削痕
W:ウエーハ Wa:上面 Wb:下面
W1:デバイス領域 W2:外周余剰領域 W3:凹部 W4:凸部

Claims (1)

  1. 円板状のウエーハの上面の中央部分を研削砥石で研削して円状の凹部を形成するとともに研削されない該凹部の外周側にリング状の凸部を形成する研削加工に用いる研削装置であって、
    ウエーハの下面を保持する保持手段と、
    該保持手段が保持するウエーハの上面の中央部分を研削する研削手段と、
    該研削手段を該保持手段に保持されたウエーハに接近及び離間させる方向に研削送りする研削送り手段と、を備え、
    該保持手段は、ウエーハの下面を保持する保持面となる上面が平面に形成されるチャックテーブルと、該チャックテーブルの中心を軸に該チャックテーブルを回転させるチャックテーブル回転機構と、を備え、
    該研削手段は、ホイール基台に研削砥石をリング状に配設した研削ホイールと、該研削ホイールを回転させるスピンドルユニットと、を備え、
    該研削砥石の外周の直径は、該凹部の半径以上でかつ該凹部の直径以下であり、
    該スピンドルユニットの回転軸と該チャックテーブルの回転軸とを平行とし、
    該研削砥石の外側面が該凹部の内側面に接し、該研削砥石がウエーハの中心を通過してウエーハの中央部分を研削する研削装置。
JP2014172519A 2014-08-27 2014-08-27 研削装置 Pending JP2016047561A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014172519A JP2016047561A (ja) 2014-08-27 2014-08-27 研削装置
KR1020150117418A KR20160025462A (ko) 2014-08-27 2015-08-20 연삭 장치
CN201510520733.2A CN105390413A (zh) 2014-08-27 2015-08-21 磨削装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014172519A JP2016047561A (ja) 2014-08-27 2014-08-27 研削装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016047561A true JP2016047561A (ja) 2016-04-07

Family

ID=55422558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014172519A Pending JP2016047561A (ja) 2014-08-27 2014-08-27 研削装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2016047561A (ja)
KR (1) KR20160025462A (ja)
CN (1) CN105390413A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116652767A (zh) * 2023-06-21 2023-08-29 江苏京创先进电子科技有限公司 减薄机

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6791551B2 (ja) * 2016-11-01 2020-11-25 株式会社ディスコ 研削装置
JP6920063B2 (ja) * 2017-01-11 2021-08-18 株式会社ディスコ 板状ワークの保持方法
JP7049848B2 (ja) * 2018-02-08 2022-04-07 株式会社ディスコ 保持面の研削方法
JP7154690B2 (ja) * 2018-06-22 2022-10-18 株式会社ディスコ 研削砥石の目立て方法
TWI860380B (zh) * 2019-07-17 2024-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板加工裝置、基板處理系統及基板處理方法
JP7504537B2 (ja) * 2019-09-10 2024-06-24 株式会社ディスコ ウェーハの研削方法
JP7509562B2 (ja) * 2020-04-03 2024-07-02 株式会社ディスコ チャックテーブル
JP7617761B2 (ja) * 2021-02-12 2025-01-20 株式会社ディスコ 研削装置およびウェーハの研削方法
CN115781477B (zh) * 2022-12-29 2024-10-08 苏州市豪致达精密机械有限公司 一种用于金属连接件的精加工成型设备及其成型工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008119776A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの砥石工具、研削加工方法および研削加工装置
JP2012169487A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP2013165287A (ja) * 2005-04-27 2013-08-22 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100501932C (zh) * 2005-04-27 2009-06-17 株式会社迪斯科 半导体晶片及其加工方法
JP4906445B2 (ja) 2006-09-01 2012-03-28 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013165287A (ja) * 2005-04-27 2013-08-22 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2008119776A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの砥石工具、研削加工方法および研削加工装置
JP2012169487A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116652767A (zh) * 2023-06-21 2023-08-29 江苏京创先进电子科技有限公司 减薄机

Also Published As

Publication number Publication date
CN105390413A (zh) 2016-03-09
KR20160025462A (ko) 2016-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016047561A (ja) 研削装置
TWI754631B (zh) SiC晶圓的加工方法
JP5254539B2 (ja) ウエーハ研削装置
JP6157229B2 (ja) 研削装置及び研削方法
JP2018060961A (ja) フレーム固定治具
JP2008084976A (ja) ウエーハの研削加工方法
EP2711131B1 (en) Polishing method
JP6685817B2 (ja) SiCウエーハの加工方法
JP6792408B2 (ja) チャックテーブルの整形方法
JP2011051028A (ja) 研削方法、面取りガラス板の製造方法及び研削装置
TW202039154A (zh) 保持面形成方法
JP6858539B2 (ja) 研削装置
KR101750560B1 (ko) 경질 취성판의 보어링 가공방법 및 장치
JP5964637B2 (ja) 研削装置
JP2018020398A (ja) 研削方法
WO2011016299A1 (ja) 硬脆材料の研削方法
JP5943766B2 (ja) 研削装置
JP6263036B2 (ja) 板材の周縁加工砥石及び面取装置
JP2023084189A (ja) ドレッシング工具及びドレッシング方法
JP2016221636A (ja) 研削装置
JP2019136805A (ja) 研削装置
JP2013187275A (ja) 加工方法
JP2015100865A (ja) 研削装置
JP4945184B2 (ja) ウエーハの凹状加工方法
JP2016132070A (ja) 研削ホイール及び研削装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170609

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180315

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180315

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20181002