JP2016031259A - センサ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 複数の項目をセンシング可能な小型のセンサ装置を提供する。【解決手段】 開口部11を有し、内部に収容空間12を備えるパッケージ10と、パッケージ10の収容空間12に収容されたセンサ素子20と、収容空間12に臨む部分に可撓性を有する薄層部31と、薄層部31の変形に応じた信号を検出する検出部32と、を備え、開口部11を塞ぐように配置され、収容空間12を封止する蓋部30と、を含むものである。【選択図】 図1
Description
本発明は、2つのセンサ機能を備えるセンサ装置に関する。
従来、圧力や加速度等の応力を検出するセンサが知られている(特許文献1参照)。この文献には、ベース板とカバー板との間に接合一体化されて、互いに直角なX,Y,Zの3方向の加速度を同時に検出する3軸加速度センサが形成された発明が記載されている。
上記従来の応力センサでは、加速度などの1種類の応力しか検知できなかった。このため、加速度や圧力といった複数の応力の検知が要求される、例えば携帯電話やデジタルカメラをはじめとした携帯情報機器などの多機能化された機器に使用する場合には、加速度を検知する加速度センサ部と圧力を検知する圧力センサ部とを半導体の基台に対して横方向に並べて配置して応力センサを形成する必要があった(特許文献2参照)。
しかしながら、横方向に並べて配置する場合には、他の半導体部品との集積化に限界が生じ、携帯電話等の小型機器への対応が困難であった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、小型な構成であって複数の項目をセンシング可能なセンサ装置を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態に係るセンサは、開口部を有し、内部に収容空間を備えるパッケージと、前記パッケージの前記収容空間に収容されたセンサ素子と、前記収容空間に臨む部分に可撓性を有する薄層部と、前記薄層部の変形に応じた信号を検出する検出部と、を備え、前記開口部を塞ぐように配置され、前記収容空間を封止する蓋部と、を含むものである。
本発明のセンサ装置によれば、小型な構成で複数項目のセンシングを可能とすることができる。
以下、本発明のセンサ装置の実施形態の例について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の例は本発明の実施形態の一例を例示するものであって、本発明はこれらの実施形
態に限定されるものではない。
態に限定されるものではない。
(実施形態)
図1に示すセンサ装置1は、パッケージ10とセンサ素子20と蓋部30とを備える。パッケージ10は、内部にセンサ素子20を保持する強度と、センサ素子20を外部環境から保護する耐食性・気密性を有するものであれば特に限定はされない。例えば、積層セラミックを用いたセラミックパッケージや有機樹脂材料を用いたパッケージとすればよい。この例では、セラミックパッケージを用いる。
図1に示すセンサ装置1は、パッケージ10とセンサ素子20と蓋部30とを備える。パッケージ10は、内部にセンサ素子20を保持する強度と、センサ素子20を外部環境から保護する耐食性・気密性を有するものであれば特に限定はされない。例えば、積層セラミックを用いたセラミックパッケージや有機樹脂材料を用いたパッケージとすればよい。この例では、セラミックパッケージを用いる。
パッケージ10は、開口部11を有し、内部に収容空間12を有する。この例では、基板部131の上面に外周を合わせるように枠体部132が形成されてなる。このような構成により、中央に基板部131を底面とする凹部を有するものとなる。この凹部で収容空間12の外郭が形成される。枠体部132は基板部131側から順に第1幅広部132aと第1幅広部132aよりも幅の狭い第2幅広部132bとを有する。
第1幅広部132aの上面のうち、第2幅広部132bから露出する領域には電極パッドが多数設けられており、後述するセンサ素子20と電気的に接続される。そして、この電極パッドは、第1幅広部132aの上面と第2幅広部132bの下面との間に延び、枠体部132の外周壁面から基板部131の下面まで連続した導電層に接続される。このような導電層および電極パッドにより、センサ素子20とパッケージ10の外側に位置する外部電源とを電気的に接続することができる。
第2幅広部132bの上面のうち、露出している領域には、電極パッドが多数設けられており、後述する蓋部30に設けられた検出部32に接続された電極パッドと電気的に接続される。そして、この第2幅広部132bの上面に設けられた電極パッドは、第2幅広部132bの内部配線により枠体部132の外周壁面に引き出され、枠体部132の外周壁面から基板部131の下面まで連続した導電層に接続される。このような内部配線および導電層により、蓋部30に形成される後述の電極パッドとパッケージ10の外側に位置する外部電源とを電気的に接続することができ、検出部32からの情報を外部に取り出すことができる。このように、パッケージ10は、センサ素子20、検出部32と、外部電源や外部回路とを電気的に接続する機能を有する。
このようなパッケージ10の収容空間12にセンサ素子20が収容されている。センサ素子20は、詳細な構成は後述するが、枠部21と、枠部21の内側に配置された錘部22と、一方端が枠部21に他方端が錘部22にそれぞれ接続された可撓性を有する梁部23と、梁部23に配置された第2検出部24とを含む。第2検出部24は、梁部23の変形に応じた信号を検出する。このようなセンサ素子20に加速度や角速度等に起因する力が加わると、錘部22が変位し、これに伴い、両端が枠部21と錘部22に固定された梁部23が変形し、この変形に応じた信号を第2検出部24で検出することで、センサとして機能する。
センサ素子20は、パッケージ10のうち凹部の基板部131で構成される底面に、枠部21の下面を接合樹脂等接着剤を介して固定している。また、センサ素子20の枠部21の上面には、第2検出部24からの信号を外部に取り出すための電極パッドが形成されている。そして、この電極パッドは、パッケージ10の第1幅広部132aの上面のうち、第2幅広部132bから露出する領域に形成された電極パッドと電気的に接続されている。互いの電極パッドを電気的に接続するためには、例えばボンディングワイヤを用いればよい。
このようなセンサ素子20が収容された収容空間12を蓋部30で封止する。蓋部30
は、収容空間12を機密封止することができれば特に材料は限定されない。この例では、蓋部30として、Siウエハを用いる。蓋部30は開口部11を塞ぐように配置され、蓋部30とパッケージ10とを接合することにより、収容空間12を封止することができる。また、収容空間12の雰囲気は不活性ガス、大気、乾燥空気等用いることができる。収容空間12の雰囲気の圧力は、大気圧と同程度としてもよいし、真空、減圧状態としてもよいし、加圧状態としてもよい。
は、収容空間12を機密封止することができれば特に材料は限定されない。この例では、蓋部30として、Siウエハを用いる。蓋部30は開口部11を塞ぐように配置され、蓋部30とパッケージ10とを接合することにより、収容空間12を封止することができる。また、収容空間12の雰囲気は不活性ガス、大気、乾燥空気等用いることができる。収容空間12の雰囲気の圧力は、大気圧と同程度としてもよいし、真空、減圧状態としてもよいし、加圧状態としてもよい。
蓋部30は、薄層部31と検出部32とを有する。薄層部31は、その厚みを調整することで可撓性を備えるものとすることができる。例えば5μm〜20μm程度の厚みとすればよい。また、蓋部30全体に占める薄層部31の面積は、大きすぎると外部環境の気圧が高まったときに強度が保てなくなるため、センサ装置1の設置環境に応じて適宜設計すればよい。例えば、1.5mm角の蓋部30に対して、薄層部31を100μm角程度とすれば、外部環境の圧力が2気圧程度まで上昇しても強度的に問題なく収容空間12を封止することができる。
薄層部31は、蓋部30のその他の部位の上面側と同一平面となっていてもよいし、図1に示すように、下面側(収容空間12側)と同一平面となっていてもよいし、上面と下面との間である中間部に設けてもよい。
この薄層部31が収容空間12を臨む部分に位置している。この例では、薄層部31は蓋部30の中央部に位置し、この薄層部31がセンサ素子20の直上に間隔をあけて配置されるように、蓋部30をパッケージ10の第2幅広部132b上に接合している。蓋部30と第2幅広部132bとは、基板接合技術を用いて接合してもよいし、接着剤として金属層や樹脂接着剤等を用いて接合してもよい。この例では、蓋部30の外周部を合わせるように配置された封止部材40により蓋部30と第2幅広部132bとが接合されている。封止部材40は閉空間を形成するリング状となっている。言い換えると、封止部材40は、開口部11を囲うような閉空間を形成しており、封止部材40に接合された蓋部30により開口部11を塞ぐことができる。
この封止部材40の内側に検出部32が配置されている。検出部32は、薄層部31の変形に応じた信号を検出するものである。このような検出部32は、例えばピエゾ抵抗等の抵抗素子で構成してもよい。図2に、蓋部30の収容空間12に臨む側の平面図を示す。図2に示すように、薄層部31の中央部に抵抗素子Rp1,Rp2が形成され、外周付近に抵抗素子Rp3,Rp4が形成されている。この抵抗素子Rp1〜Rp4で検出部32を構成する。このように抵抗素子Rp1〜Rp4を設けることにより、例えば、薄層部31の中央部が下側に窪むように撓む場合には、抵抗素子Rp1、Rp2には長手方向に縮む応力が生じ、抵抗素子Rp3,Rp4には長手方向に伸びる応力が加わる。これらの応力に応じた電気信号を抵抗素子Rp1〜Rp4で検出することで、圧力をセンシングすることが可能となる。例えば、収容空間12と外部環境との圧力差を検出することで気圧センサとして機能させることができる。
このような検出部32の抵抗素子Rp1〜Rp4は、例えば、Si基板の表面にボロンを打ち込むことにより抵抗体膜を形成した後、抵抗体膜をエッチングなどにより所定の形状にパターニングすることにより形成することができる。これによりピエゾ抵抗素子からなる検出部32を形成することができる。
検出部32の抵抗素子Rp1〜Rp4はそれぞれ電気配線で電極パッドに接続されている。複数の電極パッドは、封止部材40の内側の一辺側にまとめて配列されている。この電極パッドと第2幅広部132bに形成された電極パッドとが電気的に接続されることで、検出部32からの信号を外部に取り出すことができる。
このような構成からなるセンサ装置1によれば、センサ素子20を気密封止するための構造体の一部に、圧力センサの機能を持たせることができる。すなわち、蓋部30が、応力センサとしての機能と封止体として機能とを兼ね備えることになります。これにより、1つのセンサ(センサ素子20)を気密封止するために必要な大きさで2つのセンサを組み込むことができる。これにより、複数項目センシング可能なセンサ装置を小型化することができる。また、2つのめセンサである応力センサを実装するための新たな領域を確保したり、実装するための外部構造を必要としたりすることがない。
また、気密封止が必要なセンサ(センサ素子20)と外部環境に露出することが必要なセンサとは本来一体化することができないが、本構成を用いることにより一体化することができる。
さらに、蓋部30の下面側(収容空間12側)に検出部32を配置したことにより、検出部32およびそれに接続される電気配線が収容空間12内に位置するため、信頼性を高めることができる。
また、検出部32が配置された蓋部30の下面側(収容空間12側)に段差がないことから、検出部32およびそれに接続される電気配線の形成が容易となり、生産性が高く、かつ断線等の発生を抑制した信頼性の高いセンサ装置1を提供することができる。
また、検出部32、第2検出部24ともにパッケージ10に迂回することなく直接電気的に接続される。このため、電気特性に優れたセンサ装置1を提供することができる。
さらに、応力センサとして機能する蓋部30の実装面を考慮しなくてもよい。
(センサ素子20)
図3を用いて、センサ素子20について詳述する。
図3を用いて、センサ素子20について詳述する。
図3(a)は、本発明の一実施形態に係るセンサ装置1に用いられたセンサ素子20の平面図であり、図3(b)は、図3(a)のIIIb−IIIb線における断面図である。センサ素子20は、枠部21と、枠部21の内側に位置する錘部22と、枠部21と錘部22とを接続する梁部23と、加速度を検出する第2検出部24とを有する。第2検出部24は、加速度を検出する抵抗素子Raを含む。以下、各部位について詳述する。
錘部22は、梁部23により枠部21に対して変位可能に保持されている。その重量が大きい程センシング感度を高めることができるので、梁部23に比べ厚み方向に延在することで体積を大きくしている。
センサ素子20に加速度が加わると、加速度に応じた力が錘部22に作用し、錘部22が動くことで梁部23が撓むようになっている。そして、梁部23の撓み量に応じた電気信号を第2検出部24を構成する抵抗素子Raにより検出し、不図示の電気配線によりその電気信号を取出し演算することにより加速度を検出することができる。
錘部22は、梁部23に接続される平面形状および梁部23と厚み方向に離れて平面における平面形状とが略正方形をなし、互いの中心が重なるように配置されている。なお、図3(a)において、下方に位置する部分の平面形状を破線で示している。錘部22のうち梁部23に接続される部分の大きさは、略正方形の一辺の長さが例えば0.25mm〜0.5mmに設定される。錘部22のうち梁部23と厚み方向に間隔をあけて配置される部分の大きさは、略正方形の一辺の長さが例えば0.4mm〜0.65mmに設定される
。また、錘部22の厚みは、例えば0.2mm〜0.625mmに設定される。
。また、錘部22の厚みは、例えば0.2mm〜0.625mmに設定される。
なお、錘部22の各部位の平面形状は正方形に限られず、円や長方形、クローバーなど任意の形状が可能である。
そして、このような錘部22を囲繞するように枠状の枠部21が設けられている。枠部21は、平面形状が略正方形をなし、中央部に錘部22より若干大きい略正方形の開口部を有している。枠部21は、その一辺の長さが例えば1.4mm〜3.0mmに設定され、枠部21を構成するアームの幅(アームの長手方向と直交する方向の幅)は例えば0.3mm〜1.8mmに設定される。また枠部21の厚みは、例えば0.2mm〜0.625mmに設定される。
このような枠部21と錘部22との間には図3に示すように梁部23が設けられている。梁部23は、一方端が枠部21の内周における各辺の上面側中央部に連結され、他方端が錘部22の各辺の上面側中央部に連結されている。本実施形態におけるセンサ素子20では、4本の梁部23が設けられており、4本の梁部23のうち2本はX軸方向に伸びて錘部22を間に挟んだ状態で同一直線状に配され、他の2本はY軸方向に伸びて錘部22を間に挟んだ状態で同一直線状に配されている。
梁部23は可撓性を有し、センサ素子20に加速度が加わると錘部22が動き、錘部22の動きに伴って梁部23が撓むようになっている。梁部23は、例えば長手方向の長さが0.3mm〜0.8mmに設定され、幅(長手方向と直交する方向の長さ)が0.04mm〜0.2mmに設定され、厚みが5μm〜20μmに設定されている。このように梁部23を細長く且つ薄く形成することによって可撓性が発現される。このような枠部21,錘部22,梁部23は、例えばSOI(Silicon on Insulator)基板を加工することにより一体的に形成されている。
梁部23の上面には図3に示すように抵抗素子Rax1〜Rax4,Ray1〜Ray4,Raz1〜Raz4が形成されている(以下、これらの抵抗素子をまとめて称するときは適宜、符号Raで表す)。これらにより第2検出部24が構成される。抵抗素子Rax1〜Rax4,Ray1〜Ray4,Raz1〜Raz4は、3軸方向(図3に示した3次元直交座標系におけるX軸方向、Y軸方向、Z軸方向)の加速度を検出できるように梁部23の所定の位置に形成された上、ブリッジ回路を構成するように結線されている。
このような抵抗素子Rax1〜Rax4,Ray1〜Ray4,Raz1〜Raz4は、例えば、SOI基板の最上層にボロンを打ち込むことにより抵抗体膜を形成した後、抵抗体膜をエッチングなどにより所定の形状にパターニングすることにより形成することができる。これによりピエゾ抵抗素子からなる抵抗素子Raを形成することができる。
ピエゾ抵抗素子からなる抵抗素子Raを用いた場合には、梁部23の撓みに起因する変形に応じて抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に基づく出力電圧の変化を電気信号として取り出し、これを外部のICで演算処理することによって印加された加速度の方向並びに大きさを検知することができる。
なお、抵抗素子Raから電気的に接続された配線および外部のIC等へ取り出すためのパッド電極等が、枠部21の上面に設けられており、これらを介して電気信号の外部への取り出しなどを行っている。
これらの配線は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金などからなり、これらの材料をスパッタリングなどにより成膜した後、所定の形状にパターニングすることにより枠
部21の上面に形成される。
部21の上面に形成される。
(変形例)
上述の例では、センサ素子20として、加速度を検出するセンサを用いて説明したが、錘部22をXY平面内で回旋運動させることで角速度を検出することも可能となる。錘部22を回旋運動させるためには、例えば、4本の梁部23に圧電体を形成して時分割して変形させることにより実現してもよいし、互いに向き合う錘部22の外壁と枠部21の内壁とに電極を設けて静電引力により実現してもよいし、センサ素子20の外側に磁力を発生させて実現してもよい。
上述の例では、センサ素子20として、加速度を検出するセンサを用いて説明したが、錘部22をXY平面内で回旋運動させることで角速度を検出することも可能となる。錘部22を回旋運動させるためには、例えば、4本の梁部23に圧電体を形成して時分割して変形させることにより実現してもよいし、互いに向き合う錘部22の外壁と枠部21の内壁とに電極を設けて静電引力により実現してもよいし、センサ素子20の外側に磁力を発生させて実現してもよい。
このような構成とすることにより、1つのセンサ素子20により、加速度と角速度との2項目を検出でき、センサ装置1として3項目を、装置を大型化することなく検出可能となる。
また、収容空間12に収容するセンサ素子20は、角速度・加速度センサに限定されない。例えば、ジャイロセンサ等、半導体センサ等、外部環境から隔離して実装することが好ましい種々のセンサ素子を用いることができる。
さらに、上述の実施例では、パッケージ10は収容空間12を1つ備えるものであったが、1つのパッケージ10に複数個の収容空間12を設けてもよい。同様に、1つの収容空間12に複数個のセンサ素子20を設けてもよい。
また、蓋部30はSOI基板で構成してもよい。この場合には、薄層部31とする領域のベース基板を除去することで、絶縁層とデバイス層とで薄層部31を構成することができる。さらに、デバイス層のみで薄層部31を構成することもできる。
絶縁層とデバイス層とで薄層部31を構成する場合には、SOI基板のハンドル層を除去したときに、圧縮応力のかかっていた絶縁層の応力が解放されて伸び、薄層部31全体がハンドル層が存在していた側に凸となるように変形する。このような薄層部31を有する蓋部30をパッケージ10に接合すると、薄層部31は外部環境側に膨らむように変形することとなる。ここで外部環境側の圧力が収容空間12側の圧力に比べて大きくなると、薄層部31は収容空間12側に変形する。すなわち、外部環境側の圧力(気圧)が高くなる環境下においては、薄層部31の変形量を小さくすることができ、薄層部31の信頼性を高めることができる。
一方で、デバイス層のみで薄層部31を構成する場合には、変形が容易となり外部環境の圧力の変化に対する変形量を大きくすることができるので、高感度のセンサ装置1を実現することができる。
また、上述の例では封止部材40として材料は特に限定されていないが、電極材料を用いれば、加熱溶融させるのみでパッケージ10と蓋部30とを接合することができるので、生産性の高いものとなる。
また、封止部材40として樹脂材料等の導電性を有さない材料を用いた場合には、検出部32と外部回路との電気的接続を実現する電気配線の引き回しが容易となる。すなわち、第2幅広部132bの上面にパターン形成することにより実現可能となり、内部配線を設計する必要がなくなる。
さらに、封止部材40は、パッケージ10と蓋部30との熱膨張係数の違いにより生じる歪を緩和するものとしてもよい。この場合には、封止部材40を構成する材料の熱膨張
係数を、パッケージ10を構成する材料の熱膨張係数と蓋部30を構成する材料の熱膨張係数との間の値をとる材料とすればよい。
係数を、パッケージ10を構成する材料の熱膨張係数と蓋部30を構成する材料の熱膨張係数との間の値をとる材料とすればよい。
また、上述の例では、収容空間12の雰囲気の圧力について限定していないが、収容空間12の雰囲気の圧力は大気圧よりも高くしておいてもよいが、温度変化による影響を小さくするために低くすることが好ましく、より好ましくは真空とするとよい。このように温度変化による影響を抑制した空間に検出部32,第2検出部24を配置することにより、高精度のセンサ装置1を提供することができる。
1 センサ装置
10 パッケージ
11 開口部
12 収容空間
20 センサ素子
21 枠部
22 錘部
23 梁部
24 第2検出部
30 蓋部
31 薄層部
32 検出部
40 封止部材
10 パッケージ
11 開口部
12 収容空間
20 センサ素子
21 枠部
22 錘部
23 梁部
24 第2検出部
30 蓋部
31 薄層部
32 検出部
40 封止部材
Claims (5)
- 開口部を有し、内部に収容空間を備えるパッケージと、
前記パッケージの前記収容空間に収容されたセンサ素子と、
前記収容空間に臨む部分に可撓性を有する薄層部と、前記薄層部の変形に応じた信号を検出する検出部と、を備え、前記開口部を塞ぐように配置され、前記収容空間を封止する蓋部と、を含むセンサ装置。 - 前記検出部は、前記蓋部の前記収容空間側に配置されている、請求項1に記載のセンサ装置。
- 前記蓋部と前記パッケージとを接続する、前記開口部を囲む閉空間を形成する封止部材を含む請求項1または2に記載のセンサ装置。
- 前記収容空間は大気圧と比較して減圧されている、請求項1乃至3のいずれかに記載のセンサ装置。
- 前記センサ素子は、枠部と、錘部と、両端が前記枠部と前記錘部とにそれぞれ接続された可撓性を有する梁部と、前記梁部に配置された前記梁部の変形に応じた信号を検出する第2検出部と、を備える、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のセンサ装置。
Priority Applications (1)
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JP2014152753A JP2016031259A (ja) | 2014-07-28 | 2014-07-28 | センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2014152753A JP2016031259A (ja) | 2014-07-28 | 2014-07-28 | センサ装置 |
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JP2016031259A true JP2016031259A (ja) | 2016-03-07 |
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ID=55441728
Family Applications (1)
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JP2014152753A Pending JP2016031259A (ja) | 2014-07-28 | 2014-07-28 | センサ装置 |
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JP (1) | JP2016031259A (ja) |
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2014
- 2014-07-28 JP JP2014152753A patent/JP2016031259A/ja active Pending
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