JP2015218364A - レジスト組成物及びこれを用いた導電パターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】めっき造形物製造用の鋳型の形成に用いられ、基板に印刷した際の印刷性、基板に対する密着性、耐めっき性、及び剥離液による剥離性に優れるレジスト組成物及びこのレジスト組成物を用いた導電パターンの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るレジスト組成物は、めっき造形物製造用の鋳型の形成に用いられるものであって、ノボラック樹脂（Ａ）と、ＳｉＯ２粒子（Ｂ）及び／又は少なくとも２個の窒素原子を含む５員芳香環を有する複素環式化合物からなる密着剤（Ｃ）と、溶剤（Ｄ）とを含有する。本発明に係る導電パターンの製造方法は、上記レジスト組成物を用いて、印刷法により基板の表面上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記レジストパターンを鋳型として、めっきにより上記基板の表面上に導電層を形成する導電層形成工程とを含む。【選択図】なし

Description

本発明は、めっき造形物製造用の鋳型の形成に用いられるレジスト組成物及びこのレジスト組成物を用いた導電パターンの製造方法に関する。

従来、基板上に導電パターン、バンプ等のめっき造形物を形成する方法として、レジスト組成物からなるレジストパターンを鋳型として用いためっき法が公知である。例えば、特許文献１には、太陽電池の製造において、半導体ウェーハの表面内のドープ領域へ金属コンタクトを製造する方法が記載されており、この方法においては、酸化ケイ素層を介して上記ドープ領域に接触するシード金属層の上にめっき用レジストを形成し、このめっき用レジストを鋳型として上記シード層の上に導電層をめっきすることが記載されている。このめっき用レジストによって覆われた領域内では、導電層はめっきされない。

特表２００６−５２３０２５号公報

めっき造形物製造用の鋳型の形成に用いられるレジスト組成物は、当該レジスト組成物からなるレジストパターンがめっき液によって浸食されにくいように、耐めっき性に優れることに加え、めっき時にめっき液が基板と上記レジストパターンとの界面にしみ出しにくいように、基板に対して高い密着性を有することが要求される。一方、めっき後には、このようなレジスト組成物は、剥離液により容易に剥離されるものであることが望ましい。また、工程数を削減するためには、上記レジスト組成物は、印刷法によるパターン形成が可能であることが求められる。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、めっき造形物製造用の鋳型の形成に用いられ、基板に印刷した際の印刷性、基板に対する密着性、耐めっき性、及び剥離液による剥離性に優れるレジスト組成物及びこのレジスト組成物を用いた導電パターンの製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、ＳｉＯ_２粒子、所定の含窒素複素環式化合物からなる密着剤、又はこれらの組み合わせを用いることにより、上記の課題が解決されることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のものを提供する。

本発明の第一の態様は、めっき造形物製造用の鋳型の形成に用いられるレジスト組成物であって、ノボラック樹脂（Ａ）と、ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）及び／又は少なくとも２個の窒素原子を含む５員芳香環を有する複素環式化合物からなる密着剤（Ｃ）と、溶剤（Ｄ）とを含有するレジスト組成物である。

本発明の第二の態様は、上記レジスト組成物を用いて、印刷法により基板の表面上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記レジストパターンを鋳型として、めっきにより上記基板の表面上に導電層を形成する導電層形成工程とを含む、導電パターンの製造方法である。

本発明によれば、めっき造形物製造用の鋳型の形成に用いられ、基板に印刷した際の印刷性、基板に対する密着性、耐めっき性、及び剥離液による剥離性に優れるレジスト組成物及びこのレジスト組成物を用いた導電パターンの製造方法を提供することができる。

＜レジスト組成物＞
本発明に係るレジスト組成物は、めっき造形物製造用の鋳型の形成に用いられるものであって、ノボラック樹脂（Ａ）と、ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）及び／又は少なくとも２個の窒素原子を含む５員芳香環を有する複素環式化合物からなる密着剤（Ｃ）と、溶剤（Ｄ）とを含有する。本発明に係るレジスト組成物は、基板に印刷した際の印刷性、基板に対する密着性、耐めっき性、及び剥離液による剥離性に優れる。
以下、本発明に係るレジスト組成物に含有される各成分について詳細に説明する。

［ノボラック樹脂（Ａ）］
ノボラック樹脂（Ａ）としては、特に限定されず、公知のノボラック樹脂を用いることができる。ノボラック樹脂（Ａ）としては、例えば、下記に例示するフェノール類と、下記に例示するアルデヒド類とを塩酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等の酸性触媒下で反応させて得られるノボラック樹脂等が挙げられる。

フェノール類としては、例えば、フェノール；ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のクレゾール類；２，３−キシレノール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレノール等のキシレノール類；ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，５−トリエチルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール等のアルキルフェノール類；ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類；ｏ−イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフェノール、２−メチル−４−イソプロペニルフェノール、２−エチル−４−イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類；フェニルフェノール等のアリールフェノール類；４，４’−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのフェノール類の中では、特にｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールが好ましい。

アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フルフラール、フリルアクロレイン、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ケイ皮アルデヒド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのアルデヒド類の中では、入手のしやすさからホルムアルデヒドが好ましい。

ノボラック樹脂（Ａ）は、１種のノボラック樹脂からなっていてもよく、２種以上のノボラック樹脂からなっていてもよい。ノボラック樹脂（Ａ）質量平均分子量は、特に限定されないが、１０００〜１０００００であることが好ましい。特に、ノボラック樹脂（Ａ）が２種以上のノボラック樹脂からなる場合、各々のノボラック樹脂の質量平均分子量は特に限定されないが、ノボラック樹脂（Ａ）全体として質量平均分子量が１０００〜１０００００となるように調製されていることが好ましい。なお、ノボラック樹脂（Ａ）の含有量は、レジスト組成物における溶剤（Ｄ）以外の成分（固形分）中、２０〜８０質量％であることが好ましく、３０〜５５質量％であることがより好ましい。

以上で説明したノボラック樹脂（Ａ）に共通する特性として耐酸性に優れていることが挙げられる。

［ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）］
ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）は、単独で、又は、少なくとも２個の窒素原子を含む５員芳香環を有する複素環式化合物からなる密着剤（Ｃ）との組み合わせで、本発明に係るレジスト組成物に対し、優れた印刷性、密着性、及び耐めっき性を付与する。ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。

ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）の平均粒径は、３〜３０ｎｍであることが好ましい。ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）の平均粒径が上記範囲内であると、ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）同士が凝集しにくく、本発明に係るレジスト組成物の増粘性及びチクソトロピー性が低下しにくい。また、ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）は親水性であることが好ましい。ここでいう「親水性」とは、粒子表面に水酸基（ＯＨ基）を持つことをいう。ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）が親水性であることにより、本発明に係るレジスト組成物の印刷精度を高めることができる。

ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）の含有量は、ノボラック樹脂（Ａ）１００質量部に対して、２０〜１００質量部であることが好ましく、２０〜４０質量部であることがより好ましい。ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）の含有量が上記範囲内であると、本発明に係るレジスト組成物の印刷性、密着性、及び耐めっき性を十分に確保しやすい。

［少なくとも２個の窒素原子を含む５員芳香環を有する複素環式化合物からなる密着剤（Ｃ）］
少なくとも２個の窒素原子を含む５員芳香環を有する複素環式化合物からなる密着剤（Ｃ）は、単独で、又は、ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）との組み合わせで、本発明に係るレジスト組成物に対し、優れた印刷性及び密着性を付与する。上記密着剤（Ｃ）は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。

上記複素環式化合物としては、少なくとも２個の窒素原子を含む５員芳香環を有する限り、特に限定されず、公知のものを用いることができる。上記複素環式化合物としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、ピラゾール系化合物が挙げられ、イミダゾール系化合物が好ましい。

イミダゾール系化合物としては、例えば、１Ｈ−イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、ベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカプトメチルベンゾイミダゾール等が挙げられる。

トリアゾール系化合物としては、例えば、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチル］トリルトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチル］カルボキシベンゾトリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、４−アミノ−１，２，４−トリアゾール、５−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、シクロヘキサノ［１，２−ｄ］トリアゾール、１，２，４−トリアゾール−３−オール、５−アミノ−３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、５−アミノ−１，２，４−トリアゾール−３−カルボン酸、１，２，４−トリアゾール−３−カルボキシアミド、４−アミノウラゾール、１，２，４−トリアゾール−５−オン等が挙げられる。

テトラゾール系化合物としては、例えば、１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５，５’−アゾビス−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール等が挙げられる。

ピラゾール系化合物としては、例えば、ピラゾール、１，３−ジメチル−４−カルボキシメチルピラゾール等が挙げられる。

上記密着剤（Ｃ）の含有量は、ノボラック樹脂（Ａ）１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部であることが好ましく、０．０２〜１質量部であることがより好ましい。上記密着剤（Ｃ）の含有量が上記範囲内であると、本発明に係るレジスト組成物の印刷性、密着性、及び耐めっき性を十分に確保しやすい。

［溶剤（Ｄ）］
溶剤（Ｄ）としては、特に限定されず、公知の溶剤を用いることができる。溶剤（Ｄ）の具体例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール類；ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールジアセテート、１，３−ブチレングリコールジアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−エチル−３−メトキシブチルアセテート、２−メトキシペンチルアセテート、３−メトキシペンチルアセテート、４−メトキシペンチルアセテート、２−メチル−３−メトキシペンチルアセテート、３−メチル−３−メトキシペンチルアセテート、３−メチル−４−メトキシペンチルアセテート、４−メチル−４−メトキシペンチルアセテート等の多価アルコール類の誘導体；ベンジルアルコール、テルピネオール等の１価アルコール；ジヘキシルエーテル等のエーテル；酢酸ベンジル、安息香酸エチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、酢酸ブチル、アセト酢酸エチル、乳酸ブチル、シュウ酸ジエチル等のその他のエステル類；シクロヘキサノン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類が挙げられる。これらの中では、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましい。なお、溶剤（Ｄ）としては、上記密着剤（Ｃ）を溶解させるために、テトラヒドロフラン（沸点：６６℃）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ、沸点：２０２℃）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ、沸点：１８９℃）等の非プロトン性極性溶剤を用いてもよい。中でも、本発明に係るレジスト組成物の印刷性の点で、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド等の沸点１５０℃以上の非プロトン性極性溶剤が好適に用いられる。溶剤（Ｄ）は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。

溶剤（Ｄ）の含有量は、レジスト組成物全体を基準として、３０〜７０質量％であることが好ましく、４０〜６０質量％であることがより好ましい。

溶剤（Ｄ）が非プロトン性極性溶剤を含む場合、非プロトン性極性溶剤の割合は、溶剤（Ｄ）全体に対して、０．０５〜１０質量％であることが好ましく、０．１〜５質量％であることがより好ましく、０．２〜１質量％であることが更により好ましい。また、本発明に係るレジスト組成物が上記密着剤（Ｃ）を含有し、溶剤（Ｄ）が非プロトン性極性溶剤を含む場合、非プロトン性極性溶剤と上記密着剤（Ｃ）との比率（非プロトン性極性溶剤：上記密着剤（Ｃ））は、３：１〜２０：１であることが好ましく、５：１〜１５：１であることがより好ましい。上記割合及び上記比率のいずれもが上記範囲内であると、本発明に係るレジスト組成物の印刷性が良好になりやすい。

溶剤（Ｄ）が非プロトン性極性溶剤を含む場合、溶剤（Ｄ）のうち、非プロトン性極性溶剤以外の溶剤の割合は、溶剤（Ｄ）全体に対して、９０〜９９．９５質量％であることが好ましく、９５〜９９．９質量％であることがより好ましく、９９〜９９．８質量％であることが更により好ましい。上記割合が上記範囲内であると、本発明に係るレジスト組成物が印刷時に乾燥するのを抑制しやすく、本発明に係るレジスト組成物の印刷性が良好になりやすい。

［その他の成分］
本発明に係るレジスト組成物は、その他の成分として、各種添加剤を含有してもよい。各種添加剤としては、例えば、消泡剤、レベリング剤、分散剤、分散安定剤、酸化防止剤、腐食抑制剤、可塑剤等が挙げられる。

＜導電パターンの製造方法＞
本発明に係る導電パターンの製造方法は、本発明に係るレジスト組成物を用いて、印刷法により基板の表面上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記レジストパターンを鋳型として、めっきにより上記基板の表面上に導電層を形成する導電層形成工程とを含む。

まず、レジストパターン形成工程では、本発明に係るレジスト組成物を用いて、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、ロールコート印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、オフセット印刷法等の印刷法により基板の表面上にレジストパターンを形成する。上記基板としては、例えば、シリコン基板；銅、ニッケル、アルミニウム等からなる金属基板；シリコン基板上に、銅、ニッケル、アルミニウム等からなる金属膜、ＳｉＯ_２等からなる酸化膜、又はＳｉＮ等からなる窒化膜等が堆積されてなる積層基板が挙げられる。これらの基板は、太陽電池用基板であってもよい。上記基板は、後述の導電層との密着性が良好となるよう、その表面の少なくとも一部に、後述の導電層と同一の材質からなるシード層を有することが好ましい。続いて、レジストパターンを加熱して、レジストパターンをベークする。加熱条件は、レジスト組成物の成分やレジストパターンの膜厚等によって適宜設定されるが、例えば、１５０℃、３分間である。

続いて、導電層形成工程では、上記レジストパターンを鋳型として、めっき、例えば、電気めっき、無電解めっき等により上記基板の表面上に導電層を形成する。導電層の材質としては、銅、錫、銀、ニッケル、半田、金等が挙げられる。

以上の工程により、基板の表面上に導電層を形成することができる。
続いて、レジストパターン剥離工程を経て、上記レジストパターンを剥離してもよい。レジストパターン剥離工程では、強アルカリ性水溶液（例えば、１〜１０質量％水酸化ナトリウム水溶液、１〜１０質量％水酸化カリウム水溶液）、アセトン、イソプロパノール等の剥離液により、上記レジストパターンを剥離する。適宜、超音波処理を併用してもよい。

本発明に係るレジスト組成物は、基板に対する密着性、及び耐めっき性に優れるため、基板の表面上に精度良く所望の導電パターンを形成することができる。また、フォトリソグラフィ法のような複雑な工程を経ることなく、印刷法にて基板の表面上に導電パターンを形成することができる。よって、本発明に係るレジスト組成物を用いて太陽電池等の電気・電子部品を製造することにより、製造プロセスを簡略化し、ひいては製造コストを低減することができる。

以下、本発明の実施例を説明するが、これら実施例は、本発明を好適に説明するための例示に過ぎず、なんら本発明を限定するものではない。

（実施例１−５及び比較例１−５）
表１に示す成分を混合して、レジスト組成物を得た。なお、各成分の含有量は、表１のかっこ内に示す通りである（単位：質量％）。また、各成分の詳細は、下記の通りである。
・ノボラック樹脂
樹脂１：ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝６０／４０（質量比）で混合し、ホルマリンを加えて常法により付加縮合して得たクレゾールノボラック樹脂（質量平均分子量１２０００）
・フィラー
表２に示す通りである。
・密着剤
密着剤１：下記式（ｃ１）で表される複素環式化合物
密着剤２：下記式（ｃ２）で表される複素環式化合物
密着剤３：下記式（ｃ３）で表される複素環式化合物

・溶剤
溶剤１：トリプロピレングリコールモノメチルエーテル
溶剤２：ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
溶剤Ａ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン、非プロトン性極性溶剤
溶剤Ｂ：ジメチルスルホキシド、非プロトン性極性溶剤

（スクリーン印刷の印刷性評価）
実施例又は比較例のレジスト組成物をスクリーン印刷法により、銅基板に印刷し、印刷デザイン幅として１００μｍ幅、１５０μｍ、及び２００μｍ幅の３パターンを形成した。なお、スクリーン印刷の条件は以下の通りである。
メッシュ：ＳＵＳ＃４００、クリアランス：２．０ｍｍ、スキージ圧：０．１６ＭＰａ、スクレッパ圧：０．１６ＭＰａ、スキージ速度：１００ｍｍ／秒、スクレッパ速度：１００ｍｍ／秒

形成したパターンは、１５０℃のホットプレートにおいて３分間乾燥した。得られたパターンの仕上がり線幅を計測し、印刷性を確認した。印刷性に関する結果を以下のように分類した。結果を表３に示す。
◎（良好）：全てのパターンの印刷にじみが２０μｍ以下
○（可）：印刷にじみが２０μｍ以下のパターンが２つ
×（不良）：印刷にじみが２０μｍ以下のパターンが１つ又は０
なお、印刷にじみは、以下の式により算出される。
印刷にじみ＝仕上がり線幅−印刷デザイン幅

（密着性評価）
銅基板上に、実施例又は比較例のレジスト組成物を、スクリーン印刷（条件は上記の通り）にて一様に塗布し、１５０℃のホットプレートにおいて３分間乾燥した。形成された組成物層に対して垂直にエポキシ接着剤付きスタッドピンを取り付け、１５０℃で６０分間、加熱乾燥させて、上記スタッドピンを固定した。島津小型卓上試験機ＥＺ ｔｅｓｔ（商品名、島津製作所製）を用いて０．５ｍｍ／ｍｉｎの速度で上記組成物層に対して垂直に上記スタッドピンを引張り、引張り強度を測定した。結果を表３に示す。

（耐めっき性評価）
「スクリーン印刷の印刷性評価」で作製したレジストパターン付き銅基板を１０質量％硫酸に１０分間浸漬して洗浄した後、水で洗浄した。その後、この銅基板に対し、銅めっき液（商品名：ＳＣ−５０、日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース製）を用いて２３℃、１〜２Ａ／ｄｍ^２の条件で２時間、電解銅めっき処理を行った。その後、上記銅基板を２質量％水酸化カリウム水溶液に２３℃で３分間浸漬し、レジストパターンを剥離させた。電解銅めっき処理後のレジストパターンを光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡で観察し、以下の評価基準で評価した。結果を表３に示す。
◎（良好）：レジストパターンに全く変化が見られなかった。
○（可）：レジストパターンに部分的なめっき浸食が見られた。
△（不良）：レジストパターン全体にめっき浸食が見られた
×（極めて不良）：電解銅めっき処理中にレジストパターンの剥離が起きた。

（剥離性評価）
「スクリーン印刷の印刷性評価」で作製したレジストパターン付き銅基板をアセトン又はイソプロパノールに３０℃で３分間浸漬し、同時に超音波処理を行って、レジストパターンを剥離させた。更に、剥離液としてイソプロパノールを用いた場合には、超音波処理を省略した以外は上記と同じ条件でも、レジストパターンを剥離させた。剥離処理後の銅基板表面を目視で観察し、以下の評価基準で評価した。結果を表３に示す。
◎（良好）：レジストパターンが完全に剥離した。
○（可）：レジストパターンの残渣が一部生じた。
×（不良）：レジストパターンが剥離しなかった。

表３に示す通り、ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）又は少なくとも２個の窒素原子を含む５員芳香環を有する複素環式化合物からなる密着剤（Ｃ）を添加した実施例１〜５では、比較例１と比較して、基板に対する密着性、及び耐めっき性に優れ、比較例２〜４と比較して、基板に印刷した際の印刷性、及び基板に対する密着性に優れ、比較例５と比較して、基板に印刷した際の印刷性、基板に対する密着性、及び耐めっき性に優れることが確認された。また、実施例１〜５では、剥離性が良好であった。

Claims (4)

1. めっき造形物製造用の鋳型の形成に用いられるレジスト組成物であって、ノボラック樹脂（Ａ）と、ＳｉＯ_２粒子（Ｂ）及び／又は少なくとも２個の窒素原子を含む５員芳香環を有する複素環式化合物からなる密着剤（Ｃ）と、溶剤（Ｄ）とを含有するレジスト組成物。
2. 前記複素環式化合物はイミダゾール系化合物である請求項１に記載のレジスト組成物。
3. 請求項１又は２に記載のレジスト組成物を用いて、印刷法により基板の表面上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
   前記レジストパターンを鋳型として、めっきにより前記基板の表面上に導電層を形成する導電層形成工程とを含む、導電パターンの製造方法。
4. 前記レジストパターン形成工程において、前記基板は、その表面の少なくとも一部に、前記導電層と同一の材質からなるシード層を有する請求項３に記載の導電パターンの製造方法。