JP2015156002A - 表示装置、および制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際に生じうる画質の劣化を防止することが可能な、表示装置、および制御方法を提供する。【解決手段】発光素子を含む画素回路を複数有し、表示データに基づき供給されるデータ信号に対応する画像を表示する表示部と、表示期間における発光素子の発光と、センシング期間における発光素子のセンシングとを、画素回路ごとに制御する制御部と、表示データを補正する補正部とを備え、補正部は、センシング期間において、対象画素回路に対するセンシングが行われる場合に、対象画素回路に対応する補正後の表示データに基づく、対象画素回路の発光素子の発光量が、対象画素回路に対応する補正前の表示データに基づく表示発光量から、センシング発光量が減算された発光量となるように、対象画素回路に対応する表示データを補正する、表示装置が提供される。【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置、および制御方法に関する。

発光素子を含む画素回路を有するアクティブマトリクス型（active matrix）の表示装置において、発光素子のＶＩ特性（voltage-current characteristics）を測定する技術が開発されている。上記発光素子のＶＩ特性を測定する技術としては、例えば、特許文献１に記載の技術が挙げられる。

特開２００９−２４４６５４号公報

例えば特許文献１に記載の技術が用いられる場合、複数のデータライン（data line）それぞれに対して所定の検定電流を供給する複数の定電流回路から、各画素がそれぞれ有する発光素子に対して、各画素における所定の電流路を介して検定電流が流される。そして、例えば特許文献１に記載の技術では、上記検定電流が流れたときにおける発光素子それぞれの端子間の電圧を測定することによって、発光素子のＶＩ特性が測定される。よって、例えば特許文献１に記載の技術を用いる場合には、発光素子のＶＩ特性を測定することができる可能性がある。

しかしながら、例えば特許文献１に記載の技術が用いられる場合には、発光素子のＶＩ特性を測定する際に発光素子に検定電流を流すときに、発光素子が発光してしまうため、例えば、線欠陥や、黒浮きによるコントラスト（contrast）低下が生じることによって、画質の劣化が生じうる。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、発光素子のＶＩ特性がセンシング（sensing）される際に生じうる画質の劣化を防止することが可能な、新規かつ改良された表示装置、および制御方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の一の観点によれば、電流が流れることにより発光する発光素子を含む画素回路を複数有し、表示データに基づき供給されるデータ信号に対応する画像を表示する表示部と、画像を表示させる期間である表示期間における上記発光素子の発光と、上記発光素子をセンシングさせる期間であるセンシング期間における上記発光素子のセンシングとを、上記画素回路ごとに制御する制御部と、上記表示データを補正する補正部と、を備え、上記補正部は、上記センシング期間において、センシングが行われる対象の上記画素回路である対象画素回路に対するセンシングが行われる場合に、上記対象画素回路に対応する補正後の表示データに基づく、上記対象画素回路の上記発光素子の発光量が、上記対象画素回路に対応する補正前の表示データに基づく、上記対象画素回路の上記発光素子の発光量である表示発光量から、上記センシング期間において上記対象画素回路の上記発光素子が発光する発光量であるセンシング発光量が減算された発光量となるように、上記対象画素回路に対応する上記表示データを補正する、表示装置が提供される。

かかる構成によって、表示発光量からセンシング発光量が減算された発光量となるように表示データを補正するので、センシングが行われる場合であっても、表示データと発光量との整合をとることが可能となる。したがって、かかる構成によって、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際に生じうる画質の劣化を防止することができる。

また、上記補正部は、ある１垂直期間において、上記対象画素回路に対応する１垂直期間の表示データと、センシングを行う対象の上記画素回路ではない非対象画素回路に対応する１垂直期間の表示データとが同一のデータである場合には、上記対象画素回路の１垂直期間における上記発光素子の発光量と、上記非対象画素回路の１垂直期間における上記発光素子の発光量とが同一となるように、上記対象画素回路に対応する上記表示データを補正してもよい。

また、上記制御部は、表示データに基づいて、上記対象画素回路に対するセンシングを選択的に行ってもよい。

また、上記制御部は、上記対象画素回路に対応する上記表示発光量が、上記センシング発光量よりも小さい場合、または、上記対象画素回路に対応する上記表示発光量が、上記センシング発光量以下である場合には、上記対象画素回路に対するセンシングを行わなくてもよい。

また、上記目的を達成するために、本発明の他の観点によれば、電流が流れることにより発光する発光素子を含む画素回路を複数有し、表示データに基づき供給されるデータ信号に対応する画像を表示する表示部を有する表示装置における制御方法であって、画像を表示させる期間である表示期間における上記発光素子の発光と、上記発光素子をセンシングさせる期間であるセンシング期間における上記発光素子のセンシングとを、上記画素回路ごとに制御するステップと、上記表示データを補正するステップと、を有し、上記補正するステップでは、上記センシング期間において、センシングが行われる対象の上記画素回路である対象画素回路に対するセンシングが行われる場合に、上記対象画素回路に対応する補正後の表示データに基づく、上記対象画素回路の上記発光素子の発光量が、上記対象画素回路に対応する補正前の表示データに基づく、上記対象画素回路の上記発光素子の発光量である表示発光量から、上記センシング期間において上記発光素子が発光する発光量であるセンシング発光量が減算された発光量となるように、上記対象画素回路に対応する上記表示データが補正される、制御方法が提供される。

かかる方法が用いられることによって、表示発光量からセンシング発光量が減算された発光量となるように表示データが補正されるので、センシングが行われる場合であっても、表示データと発光量との整合をとることが可能となる。したがって、かかる方法が用いられることによって、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際に生じうる画質の劣化を防止することができる。

本発明によれば、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際に生じうる画質の劣化を防止することができる。

本発明の実施形態に係る表示装置における制御方法に係る処理の一例を説明するための流れ図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示データと、画素回路が有する発光素子の発光状態との一例を示す説明図である。 第１の実施形態に係る表示装置における動作のタイミングチャート（timing chart）の一例を示す説明図である。 第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。 第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。 第１の実施形態に係る１垂直期間におけるタイミングチャートの一例を示す説明図である。 第１の実施形態に係る画素回路の基本動作の一例を示す説明図である。 第１の実施形態に係るセンシング回路の構成の一例を説明するための説明図である。 第１の実施形態に係るセンシングタイミングチャートの一例を説明するための説明図である。 本発明の実施形態に係る画素回路が含む発光素子のＶＩ特性の一例を示す説明図である。 本発明の実施形態に係る画素回路が含む発光素子に流れる電流と、輝度との関係の一例を示す説明図である。 本発明の実施形態に係る画素回路が含む発光素子における、階調と発光量との関係の一例を示す説明図である。 本発明の第２の実施形態に係る表示データと、画素回路が有する発光素子の発光状態との一例を示す説明図である。 第２の実施形態に係る表示装置における動作のタイミングチャートの一例を示す説明図である。 第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。 第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。 第２の実施形態に係る１垂直期間におけるタイミングチャートの一例を示す説明図である。 第２の実施形態に係る画素回路の基本動作の一例を示す説明図である。

以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（本発明の実施形態に係る表示装置、制御方法の概要）
本発明の実施形態に係る表示装置は、例えば、発光素子を含む画素回路を有するアクティブマトリクス型の表示装置である。

ここで、本発明の実施形態に係る発光素子としては、例えば、有機ＥＬ素子（organic Electro Luminescence element）や、無機ＥＬ素子（Inorganic Electro Luminescence element）など、電流が流れることにより発光する任意の発光素子が挙げられる。以下では、本発明の実施形態に係る発光素子が、有機ＥＬ素子である場合を例に挙げ、発光素子を「ＯＬＥＤ」と示す場合がある。

発光素子を含む画素回路を有するアクティブマトリクス型の表示装置では、例えば、発光素子のＶＩ特性およびＩＬ特性のばらつきにより、発光素子に一定電圧や一定電流を印加しても輝度ムラ（luminance unevenness）による画質劣化が発生しうる。上記発光素子のＶＩ特性およびＩＬ特性のばらつきは、例えば、発光素子の製造時のばらつきや、発光素子の経時劣化のはらつきなどにより生じる。ここで、発光素子の製造時のばらつきによるＶＩ特性およびＩＬ特性のばらつきは、例えば、輝度ムラの発生の要因となりうる。また、発光素子の経時劣化のはらつきによるＶＩ特性およびＩＬ特性のばらつきは、例えば、焼き付き（イメージスティッキング（Image Sticking））の発生の要因となりうる。

ここで、例えば特許文献１に記載の技術のような発光素子のＶＩ特性を測定可能な技術を利用して、発光素子のＶＩ特性をセンシングし、センシング結果に基づき発光素子のＶＩ特性およびＩＬ特性を補償ことによって、上記のような画質劣化を防止することは可能である。

しかしながら、例えば特許文献１に記載の技術のような既存の発光素子のＶＩ特性を測定可能な技術を用いる場合には、発光素子のセンシング時に発光素子が発光してしまうことから、例えば、線欠陥や、黒浮きによるコントラスト低下が生じることによって、画質の劣化が生じうる。

そこで、本発明の実施形態に係る表示装置は、画像を表示させる期間（以下、「表示期間」と示す。）と、発光素子のセンシングを行う期間（以下、「センシング期間」と示す。）とを設け、画像の表示に係る発光素子の発光と、発光素子のセンシングとを、画素回路ごとに制御する。以下では、本発明の実施形態に係る表示装置が、１垂直期間内に表示期間とセンシング期間とを設け、垂直期間ごとに、画像の表示に係る発光素子の発光と、発光素子のセンシングとを、画素回路ごとに制御する場合を例に挙げる。

また、本発明の実施形態に係る表示装置は、センシングが行われる対象の画素回路（以下、「対象画素回路」と示す。）に対して、センシングが行われる場合には、表示部（後述する）の表示画面に表示される画像に対応するデータである表示データを補正する。より具体的には、本発明の実施形態に係る表示装置は、対象画素回路が有する発光素子がセンシング期間において発光する発光量分を、表示データから減算することによって、対象画素回路に対応する表示データを補正する。

例えば上記のように表示データが補正されることによって、補正後の表示データに基づく、１垂直期間における対象画素回路の発光素子の発光量は、対象画素回路に対応する“補正前の表示データに基づく、１垂直期間における対象画素回路の発光素子の発光量”から、“センシング期間において対象画素回路の発光素子が発光する発光量”が減算された発光量となる。以下では、“補正前の表示データに基づく、１垂直期間における対象画素回路の発光素子の発光量”を、「表示発光量」と示す。また、以下では、“センシング期間において対象画素回路の発光素子が発光する発光量”を、「センシング発光量」と示す。

また、例えば上記のように表示データが補正されることによって、ある１垂直期間（１フレーム期間）において、対象画素回路に対応する１垂直期間の表示データと、センシングを行う対象の画素回路ではない画素回路（以下、「非対象画素回路」と示す。）に対応する１垂直期間の表示データとが同一のデータである場合には、１垂直期間における対象画素回路の発光量と、１垂直期間における非対象画素回路の発光量とは、同一となる。

よって、本発明の実施形態に係る表示装置が、例えば上記のように表示データを補正することによって、センシングが行われる場合であっても、表示データと１垂直期間における発光量との整合をとることが可能となる。したがって、本発明の実施形態に係る表示装置は、例えばセンシング時に発光素子が発光することによる線欠陥による画質劣化など、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際に生じうる画質の劣化を防止することができる。

（本発明の実施形態に係る制御方法に係る処理）
上述した本発明の実施形態に係る制御方法について、より具体的に説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る表示装置における制御方法に係る処理の一例を説明するための流れ図であり、対象画素回路に対するセンシング制御の処理の一例を示している。

本発明の実施形態に係る表示装置は、表示発光量がセンシング発光量以上であるか否かを判定する（Ｓ１００）。画素が有する発光素子の発光量は、例えば、輝度に対応する発光素子に流れる電流ｉと発光時間ｔとの積で表され、表示発光量は、表示データに基づき定まり、また、センシング発光量は、センシング期間に基づき定まる。

ここで、本発明の実施形態に係る表示装置は、画像の表示に係る発光素子の発光と、発光素子のセンシングとを、画素回路ごとに制御するので、センシング期間を既知としてセンシング発光量を一定とすることが可能である。つまり、ステップＳ１００における判定結果は、対象画素回路に対応する表示データに基づくこととなる。

上述したように、本発明の実施形態に係る表示装置は、本実施形態に係る制御方法に係る処理として、例えば、対象画素回路が有する発光素子がセンシング期間において発光する発光量、すなわちセンシング発光量分を、表示データから減算することによって、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際に生じうる画質の劣化の防止を図る。ここで、例えば、対象画素回路に対応する表示データが黒を表示する表示データである場合など、表示データが低階調表示に係る表示データである場合には、センシング発光量分を表示データから減算することはできないことが起こりうる。また、上述したように、発光素子のセンシング時には、発光素子が発光してしまう。

そこで、本発明の実施形態に係る表示装置は、ステップＳ１００の判定を行うことによって、センシング発光量分を表示データから減算することが可能であるか否かを判定する。そして、本発明の実施形態に係る表示装置は、ステップＳ１００に示す条件を満たすと判定された場合、すなわち、センシング発光量分を表示データから減算することが可能な場合に、対象画素回路に対するセンシングを行う（後述するステップＳ１０２〜Ｓ１１２）。また、本発明の実施形態に係る表示装置は、ステップＳ１００に示す条件を満たすと判定されない場合、すなわち、センシング発光量分を表示データから減算することが可能ではない場合には、対象画素回路に対するセンシングを行わない（後述するステップＳ１１４、Ｓ１１６）。

例えば上記のように、表示データに基づいて対象画素回路に対するセンシングを選択的に行うことによって、本発明の実施形態に係る表示装置は、例えば、表示データが低階調表示に係る表示データである場合であっても、黒浮きによる画質劣化が生じることを防止することができる。

なお、ステップＳ１００の処理は、図１に示す処理に限られない。例えば、本発明の実施形態に係る表示装置は、ステップＳ１００において、表示発光量がセンシング発光量より大きいか否かを判定することも可能である。表示発光量がセンシング発光量より大きいか否かを判定する場合には、本発明の実施形態に係る表示装置は、表示発光量がセンシング発光量より大きいと判定された場合に、対象画素回路に対するセンシングを行う。

ステップＳ１００において、表示発光量がセンシング発光量以上であると判定された場合には、本発明の実施形態に係る表示装置は、対象画素回路に対するセンシングを開始する（Ｓ１０２）。

本発明の実施形態に係る表示装置は、例えば、電圧ＥＬＶＤＤを対象画素回路に供給し、発光素子の発光を開始させる（Ｓ１０４）。対象画素回路に供給される電圧ＥＬＶＤＤは、センシングの制御に係る電圧（以下、「センシング電圧」と示す。）ＶＳＥＮＳＥの一例であり、発光素子のＶＩ特性が測定可能なセンシング電圧であればよい。電圧ＥＬＶＤＤは、例えば、第１の共通電源から供給される。第１の共通電源は、本発明の実施形態に係る表示装置が備える電源であってもよいし、外部電源であってもよい。

本発明の実施形態に係る表示装置は、電流センシングを開始する（Ｓ１０６）。本発明の実施形態に係る表示装置における、電流センシングに係る構成の一例については、後述する。

本発明の実施形態に係る表示装置は、発光素子の特性を補正する補正値である発光素子特性補正値を算出し（Ｓ１０８）、算出された発光素子特性補正値を示すデータである発光素子特性補正値データを、例えば後述するデータメモリなどの記録媒体に転送する（Ｓ１１０）。

本発明の実施形態に係る表示装置は、１垂直期間における対象画素回路の発光量が、表示発光量からセンシング発光量が減算された発光量となるように、表示データを補正する（Ｓ１１２）。

例えば、本発明の実施形態に係る表示装置が、デジタル駆動を行う場合には、表示期間において発光素子が発光する発光時間が短くなるように表示データを補正することによって、１垂直期間における対象画素回路の発光量を、表示発光量からセンシング発光量が減算された発光量とする。また、例えば、本発明の実施形態に係る表示装置が、アナログ駆動を行う場合には、表示期間において発光素子に流れる電流が小さくなるように表示データを補正することによって、１垂直期間における対象画素回路の発光量を、表示発光量からセンシング発光量が減算された発光量とする。

また、ステップＳ１００において、表示発光量がセンシング発光量以上であると判定されない場合には、本発明の実施形態に係る表示装置は、対象画素回路に対するセンシングを停止する（Ｓ１１４）。

本発明の実施形態に係る表示装置は、例えば、電圧ＥＬＶＳＳを対象画素回路に供給し、発光素子を非発光とさせる（Ｓ１１６）。対象画素回路に供給される電圧ＥＬＶＳＳは、例えば、発光素子が非発光となる電圧であり、センシング電圧ＶＳＥＮＳＥの他の例である。電圧ＥＬＶＳＳは、例えば、第２の共通電源から供給され、第２の共通電源は、いわゆる基底電源の役目を果たす。第２の共通電源は、本発明の実施形態に係る表示装置が備える電源であってもよいし、外部電源であってもよい。

本発明の実施形態に係る表示装置は、対象画素回路に対するセンシング制御として、例えば図１に示す処理を行う。

図１に示す処理が行われることによって、（ａ）センシング実行時に、表示発光量からセンシング発光量が減算された発光量となるように表示データを補正すること、および（ｂ）表示データ（表示発光量）とセンシング期間（センシング発光量）との比較結果に基づいて、センシングの実施と停止とを切り替えること、が実現される。

したがって、本発明の実施形態に係る表示装置は、例えば図１に示す処理を行うことによって上記（ａ）が実現されることにより、例えばセンシング時に発光素子が発光することによる線欠陥による画質劣化など、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際に生じうる画質の劣化を防止することができる。

また、本発明の実施形態に係る表示装置は、例えば図１に示す処理を行うことによって上記（ｂ）が実現されることにより、さらに、例えば表示データが低階調表示に係る表示データである場合であっても、黒浮きによる画質劣化が生じることを防止することができる。

なお、本実施形態に係る制御方法に係る処理は、図１に示す処理に限られない。

例えば、本発明の実施形態に係る表示装置は、図１に示すステップＳ１００の処理を行わずに、ステップＳ１０２〜Ｓ１１２の処理を行うことも可能である。図１に示すステップＳ１００の処理を行わずに、ステップＳ１０２〜Ｓ１１２の処理を行う場合であっても、本発明の実施形態に係る表示装置は、上記（ａ）を実現することが可能であるので、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際に生じうる画質の劣化を防止することができる。

以下、上述した本実施形態に係る制御方法に係る処理を行うことが可能な、本発明の実施形態に係る表示装置について、より具体的に説明する。本発明の実施形態に係る表示装置では、例えば、後述する制御部、および補正部が、本発明の実施形態に係る制御方法に係る処理を主導的に行う。

また、以下において、“一の構成要素と、他の構成要素とを、接続する”とは、“当該一の構成要素と当該他の構成要素とが、さらに他の構成要素を介さずに、電気的に接続されていること”、または、“当該一の構成要素と当該他の構成要素とが、さらに他の構成要素を介して、電気的に接続されていること”をいう。

（第１の実施形態に係る表示装置）
まず、第１の実施形態に係る表示装置として、デジタル駆動を行う表示装置について説明する。以下では、第１の実施形態に係る表示装置として、１フィールドを複数に分割したサブフィールド期間それぞれにおいて、画素の発光素子をオン状態またはオフ状態とすることにより階調を表現するサイマルテーニアス駆動を行う表示装置について説明する。

［１］第１の実施形態に係る表示装置における動作の一例
図２は、本発明の第１の実施形態に係る表示データと、画素回路が有する発光素子の発光状態との一例を示す説明図である。図２のＡは、非対象画素回路における、表示データと発光素子の発光状態との一例を示しており、図２のＢは、対象画素回路における、表示データと発光素子の発光状態との一例を示している。図２では、センシング発光量が１６階調に設定されている例を示している。

上述したように、第１の実施形態に係る表示装置は、対象画素回路に対してセンシングを行う際には、表示発光量からセンシング発光量が減算された発光量となるように表示データを補正する。そのため、例えば表示階調＝１６の場合を例に挙げると、図２のＡに示す非対象画素回路では、センシング期間に非発光で表示期間で発光しているのに対して、図２のＢに示す対象画素回路では、センシング期間で発光し、表示期間では非発光となる。

また、図２のＡに示す非対象画素回路と、図２のＢに示す対象画素回路とを比較すると、発光するタイミングは異なっているが、１垂直期間における発光量は同一である。つまり、図２より、表示データと１垂直期間における発光量との整合がとれていることが分かる。

なお、図２では、１垂直期間内に１つのセンシング期間が設けられる例を示しているが、本発明の実施形態に係るセンシング期間は、上記に限られない。例えば、本発明の実施形態に係る表示装置は、１垂直期間内に複数のセンシング期間を設けることが可能である。また、図２に示すようにサイマルテーニアス駆動を行う場合には、本発明の実施形態に係る表示装置は、サブフィールド期間の間に、センシング期間を設けることも可能である。

図３は、第１の実施形態に係る表示装置における動作のタイミングチャートの一例を示す説明図である。

例えば図３に示すように、第１の実施形態に係る表示装置は、１フィールドを複数に分割したサブフィールド期間それぞれにおいて、画素の発光素子をオン状態またはオフ状態とすることにより階調を表現するデジタル駆動を行う。図３に示すＤ０〜Ｄ７それぞれが、サブフィールド期間に該当する。

また、図３に示すように、１垂直期間は、画素が有する発光素子の特性をセンシングするセンシング期間と、表示データに基づき画素が有する発光素子の発光量を制御することにより表示画面に画像を表示させる表示期間とに分けられる。

センシング期間では、第１の実施形態に係る表示装置は、全ての画素回路にオフデータをプログラムすることで発光を停止させた後に、センシング選択信号で選択された画素回路（すなわち、対象画素回路）が有する発光素子に電圧を印加して、当該発光素子の特性をセンシングする。

また、表示期間は、サブフィールドそれぞれがデータプログラム期間と発光期間とに分かれている。表示期間のデータプログラム期間では、第１の実施形態に係る表示装置は、線順次でデータ更新を行う。また、すべての画素回路がデータプログラム完了後、表示期間の発光期間では、第１の実施形態に係る表示装置は、発光制御を行う。

［２］第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例
図４、図５は、第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。図４は、第１の実施形態に係る表示装置１００の構成の一例を示している。図５は、図４に示す画素回路１１２の構成の一例を示している。以下では、第１の実施形態に係る表示装置を、「表示装置１００」と示す場合がある。

以下、図４、図５を参照しつつ、第１の実施形態に係る表示装置１００の構成の一例について説明する。

［２−１］表示装置１００の構成の一例（図４）
表示装置１００は、例えば、表示部１０２と、スキャンドライバ１０４（scan driver）と、センスドライバ１０６（sense driver）と、データドライバ１０８（data driver）とを備える。

表示部１０２は、複数の画素回路１１２を有し、データ信号に対応する画像を表示画面に表示させる。画素回路１１２それぞれは、行状に配された制御線（図２に示すＳＣＡＮ、ＳＥＮＳＥ）と列状に配された信号線（図２に示すＤＴ）との交差部分に、マトリクス状に配置される。図４では、表示部１０２が、（ｎ）×（ｍ）個（ｎは、整数。ｍは、整数）の画素回路１１２を有している例を示している。表示部１０２が有する画素回路１１２の数や、制御線や信号線の数としては、例えば、表示装置１００が対応する解像度などに対応する数が挙げられる。

ここで、図４に示す第１の実施形態に係る表示装置１００では、スキャンドライバ１０４、センスドライバ１０６、およびデータドライバ１０８が、本発明の実施形態に係る制御方法に係る処理を主導的に行う制御部、および補正部の役目を果たす。より具体的には、図４に示す第１の実施形態に係る表示装置１００では、例えば、スキャンドライバ１０４、センスドライバ１０６、およびデータドライバ１０８が、“画像の表示に係る発光素子の発光と、発光素子のセンシングとを、画素回路１１２ごとに制御する”制御部の役目を果たす。また、図４に示す第１の実施形態に係る表示装置１００では、データドライバ１０８が、“センシングが行われる場合において表示データを補正する”補正部の役目を果たす。

なお、本発明の実施形態に係る制御部は、例えば、スキャンドライバ１０４、センスドライバ１０６、およびデータドライバ１０８における処理タイミングを制御するタイミングコントローラ（図示せず）を含んでいてもよい。また、本発明の実施形態に係る制御部は、例えば、図４に示すスキャンドライバ１０４、センスドライバ１０６、およびデータドライバ１０８のうちの、本発明の実施形態に係る制御方法に係る処理に係る一部のドライバであってもよい。また、本発明の実施形態に係る制御部は、例えば、１または２以上のＩＣ（Integrated Circuit）で実現することも可能である。

また、本発明の実施形態に係る補正部は、例えば、データドライバ１０８以外の他のドライバや、１または２以上のＩＣで実現することが可能である。また、本発明の実施形態に係る制御部と補正部とは、例えば、同一のハードウェア（ドライバやＩＣなど）であってもよいし、別体のハードウェアであってもよい。

画素回路１１２それぞれと、データドライバ１０８には、電圧ＥＬＶＤＤと、電圧ＥＬＶＳＳとが供給される。

ここで、電圧ＥＬＶＤＤは、例えば、第１の共通電源から供給され、画素回路１１２が含む発光素子の第１の端子（例えば、アノード）に選択的に印加される。また、電圧ＥＬＶＳＳは、例えば、第２の共通電源から供給され、画素回路１１２が含む発光素子の第２の端子（例えば、カソード）に印加される。

本発明の実施形態に係る第１の共通電源と、第２の共通電源とは、第１の実施形態に係る表示装置が備えていてもよいし、第１の実施形態に係る表示装置の外部電源であってもよい。また、本発明の実施形態に係る第１の共通電源と、第２の共通電源とは、１つの電源回路（または電源装置）であってもよいし、異なる電源回路（または電源装置）であってもよい。

スキャンドライバ１０４は、制御線ＳＣＡＮと接続され、発光制御に係る制御信号である走査信号を、制御線ＳＣＡＮに選択的に供給する。走査信号は、画素回路に配置されたトランジスタを制御する役目を果たす。

センスドライバ１０６は、制御線ＳＥＮＳＥと接続され、センシングに係る制御信号であるセンシング信号を、制御線ＳＥＮＳＥに選択的に供給する。センシング信号は、画素回路に配置されたトランジスタを制御する役目を果たす。

データドライバ１０８は、信号線ＤＴと接続され、データ信号ＶＤＡＴＡを、信号線ＤＴに選択的に供給する。また、データドライバ１０８は、センシング電圧ＶＳＥＮＳＥを、信号線ＤＴに選択的に供給する。データ信号ＶＤＡＴＡ、またはセンシング電圧ＶＳＥＮＳＥの、信号線ＤＴへの供給は、例えば、センスドライバ１０６から供給される信号ＳＥＮＳＥ_ＣＮＴにより制御される。

データドライバ１０８は、例えば、データメモリ１１４と、各データ線ＤＴ（ｎ）にそれぞれ対応するデータドライバ回路１１６と、各データ線ＤＴ（ｎ）にそれぞれ対応するセンシング回路１１８とを備える。

データメモリ１１４には、表示データなどのデータが記憶される。データメモリ１１４としては、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）などが挙げられる。

また、データドライバ回路１１６は、データ信号ＶＤＡＴＡを、信号線ＤＴに供給する。データドライバ回路１１６が供給するデータ信号ＶＤＡＴＡとしては、例えば、データメモリ１１４に記憶されている補正前の表示データにあわせた階調データのデータ信号ＶＤＡＴＡや、補正後の表示データにあわせた階調データのデータ信号ＶＤＡＴＡが挙げられる。

また、センシング回路１１８は、センシング電圧ＶＳＥＮＳＥが信号線ＤＴへと供給される際に、電流センシングにより発光素子のＶＩ特性をセンシングする。センシング回路１１８の構成の一例については、後述する。

また、データドライバ１０８は、データドライバ回路１１６それぞれに対応するスイッチＳＷ１と、センシング回路１１８それぞれに対応するスイッチＳＷ２とを備える。スイッチＳＷ１とスイッチＳＷ２とは、センスドライバ１０６から伝達される信号ＳＥＮＳＥ_ＣＮＴに基づいて、排他的にオン状態、またはオフ状態となる。ここで、スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２としては、例えば、導電型が互いに異なるＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）などの、信号ＳＥＮＳＥ_ＣＮＴの信号レベルに応じて排他的にオン状態またはオフ状態となることが可能な、任意のスイッチング素子が挙げられる。

［２−２］第１の実施形態に係る画素回路１１２の回路構成の一例（図５）
画素回路１１２は、例えば、スイッチトランジスタＭ１（switch transistor）と、サンプリングスイッチトランジスタＭ２（sampling switch transistor）と、センシングスイッチトランジスタＭ３（sensing switch transistor）と、保持容量ＣＳＴと、発光素子Ｄとを含む。

ここで、本発明の実施形態に係るトランジスタとしては、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）などのＦＥＴ（Field-Effect Transistor）が挙げられる。図５では、本発明の実施形態に係るトランジスタが、Ｐチャネル（channel）型のＴＦＴである例を示しているが、本発明の実施形態に係るトランジスタは、上記に示す例に限られない。例えば、本発明の実施形態に係るトランジスタは、Ｎチャネル型のＴＦＴであってもよい。また、後述する各トランジスタの役目を果たすことが可能であれば、本発明の実施形態に係るトランジスタは、ＦＥＴに限られず、任意の種類のトランジスタで構成されることも可能である。さらに、後述する各トランジスタの役目を果たすことが可能であれば、本発明の実施形態に係るトランジスタは、任意の回路素子であってもよい。以下では、本発明の実施形態に係るトランジスタが、Ｐチャネル型のＴＦＴである場合を例に挙げる。

スイッチトランジスタＭ１は、表示データに対応するデータ信号に応じて発光素子Ｄのアノードへの電圧供給をオン・オフする役目を果たす。スイッチトランジスタＭ１は、発光素子Ｄのアノードに接続される第１端子と、第１電源に接続される第２端子と、ゲート（制御端子）とを有する。スイッチトランジスタＭ１は、データ線ＤＴを介してゲートに印加される電圧に基づいて、第２端子と接続されている第１電源と、第１端子と接続されている発光素子Ｄの第１端子とを接続して、発光素子Ｄを選択的に発光状態とする。

サンプリングスイッチトランジスタＭ２は、データ線ＤＴから供給されるデータ信号に応じたオン・オフ電圧を、スイッチトランジスタＭ１のゲートにサンプリングする役目を果たす。サンプリングスイッチトランジスタＭ２のゲートは、制御線ＳＣＡＮと接続され、サンプリングスイッチトランジスタＭ２は、制御線ＳＣＡＮから供給される走査信号に基づいて、選択的に上記オン・オフ電圧を、スイッチトランジスタＭ１のゲートに対して印加する。

保持容量ＣＳＴは、スイッチトランジスタＭ１のゲートの電位を保持する。保持容量ＣＳＴを備えることによって、画素回路１１２は、データ線ＤＴから供給されるデータ信号に対応する表示データを保持することが可能となる。保持容量ＣＳＴとしては、例えば、所定の静電容量を有するキャパシタが挙げられる。また、保持容量ＣＳＴは、例えば、寄生容量であってもよい。

センシングスイッチトランジスタＭ３は、選択的に発光素子ＤのＶＩ特性がセンシングされる状態とする役目を果たす。センシングスイッチトランジスタＭ３は、発光素子のアノードに接続される第１端子と、データ線ＤＴに接続される第２端子と、ゲートとを有する。センシングスイッチトランジスタＭ３は、第２端子と接続されているデータ線ＤＴと、第１端子に接続されている発光素子Ｄのアノードとを接続することによって、選択的に発光素子Ｄがセンシングされる状態とする。

センシングスイッチトランジスタＭ３のゲートは、制御線ＳＥＮＳＥと接続され、センシングスイッチトランジスタＭ３は、制御線ＳＥＮＳＥから供給されるセンシング信号に基づいて、選択的にデータ線ＤＴと発光素子Ｄのアノードとを接続させる。

画素回路１１２は、例えば、スキャンドライバ１０４やセンスドライバ１０６において生成された制御信号（走査信号、センシング信号）により制御される。また、画素回路１１２には、表示データに対応するデータ信号がデータドライバ１０８から供給され、画素回路１１２が含む発光素子ＤのＶＩ特性は、データドライバ１０８のセンシング回路１１８によりセンシングされる。

なお、画素回路１１２の構成は、図５に示す例に限られない。例えば、第１の実施形態に係る画素回路１１２は、データ線ＤＴから供給されるデータ信号に対応する表示データに応じた発光素子Ｄの発光と、発光素子Ｄのセンシングとを行うことが可能な、任意の回路構成をとることが可能である。後述する他の実施形態に係る画素回路においても、本発明の実施形態に係る画素回路の回路構成は、後述する例に限られない。

［２−３］１垂直期間におけるタイミングチャートと、第１の実施形態に係る画素回路１１２の基本動作との一例（図６、図７）
図６は、第１の実施形態に係る１垂直期間におけるタイミングチャートの一例を示す説明図であり、図７は、第１の実施形態に係る画素回路１１２の基本動作の一例を示す説明図である。図７に示すＡは、図６の（１）に示す期間における画素回路１１２の動作を示しており、図７に示すＢは、図６の（２）に示す期間における画素回路１１２の動作を示している。また、図７に示すＣは、図６の（３）に示す期間における画素回路１１２の動作を示しており、図７に示すＤは、図６の（４）に示す期間における画素回路１１２の動作を示している。

表示装置１００は、１垂直期間を、下記および図６に示す（１）〜（４）の手順で制御する。
（１）センシング期間：発光素子の発光停止プログラム期間
（２）センシング期間：発光素子の特性をセンシングする特性センシング期間
（３）表示期間：画素回路１１２へのデータプログラム期間
（４）表示期間：発光素子の発光期間

センシング期間における発光停止プログラム期間（上記（１）の期間）では、表示装置１００は、図７のＡに示すように、全ての画素回路にオフデータをプログラムすることによって、第１の共通電源からの電圧ＥＬＶＤＤの供給を遮断する。

センシング期間における特性センシング期間（上記（２）の期間）では、図７のＢに示すように、対象画素回路に対して、信号線ＤＴからセンシング電圧ＶＳＥＮＳＥを発光素子Ｄに印加することによって、発光素子Ｄをセンシングする。

表示期間におけるデータプログラム期間（上記（３）の期間）では、図７のＣに示すように、表示データにあわせた階調データのデータ信号ＶＤＡＴＡを、画素回路１１２にデータプログラムする。ここで、データプログラム期間中において、各画素回路が有する発光素子Ｄの誤発光を防止するため、表示装置１００は、第２の共通電源から供給される電圧ＥＬＶＳＳを電圧振幅（高電圧）させることによって、全ての画素回路における発光を停止させる。

全ての画素回路１１２へのデータプログラム完了後の表示期間における発光期間（上記（４）の期間）では、表示装置１００は、第２の共通電源から供給される電圧ＥＬＶＳＳを電圧振幅（低電圧）させることによって、図７のＤに示すように、画素回路が有する発光素子Ｄを発光させる。

各垂直期間において、上記（１）〜上記（４）の手順で制御を行うことによって、表示装置１００は、高精度での発光素子のセンシングと表示制御とを行うことができる。

［２−４］第１の実施形態に係るセンシング回路１１８の構成と、センシングタイミングチャートとの一例（図８、図９）
図８は、第１の実施形態に係るセンシング回路１１８の構成の一例を説明するための説明図であり、図９は、第１の実施形態に係るセンシングタイミングチャートの一例を説明するための説明図である。図８では、センシング回路１１８の他、データドライバ１０８を構成する他の構成要素も併せて示している。図８のＡは、表示発光量がセンシング発光量以上である場合、すなわち、対象画素回路においてセンシングを行う場合におけるセンシング回路１１８の動作の一例を示している。また、図８のＢは、表示発光量がセンシング発光量より小さい場合、すなわち、対象画素回路においてセンシングを行わない場合におけるセンシング回路１１８の動作の一例を示している。

センシング回路１１８は、例えば、スイッチＳＷ３と、スイッチＳＷ４と、電流測定回路１２０と、Ａ／Ｄ変換回路１２２とを備える。

スイッチＳＷ３とスイッチＳＷ４とは、データドライバ回路１１６から伝達される選択信号ＶＳＥＮＳＥ_ＳＥＬに基づいて、排他的にオン状態、またはオフ状態となり、高電圧（ＥＬＶＤＤ）のセンシング電圧ＶＳＥＮＳＥ、または、低電圧（ＥＬＶＳＳ）のセンシング電圧ＶＳＥＮＳＥを選択する。スイッチＳＷ３、スイッチＳＷ４としては、例えば、導電型が互いに異なるＭＯＳＦＥＴなど、選択信号ＶＳＥＮＳＥ_ＳＥＬに基づいて排他的にオン状態、またはオフ状態となることが可能な、任意のスイッチング素子が挙げられる。

電流測定回路１２０は、画素回路１１２の発光素子Ｄの特性のセンシング時に、信号線ＤＴ経由で流れる電流を測定する。Ａ／Ｄ変換回路１２２は、電流測定回路１２０において測定された電流値をデジタル信号に変換する。

センシング期間に、センスドライバ１０６から供給される信号ＳＥＮＳＥ_ＣＮＴによりデータドライバ１０８が備えるスイッチＳＷ２がオン状態となると、信号線ＤＴを介してセンシング回路１１８からセンシング電圧ＶＳＥＮＳＥが、画素回路１１２へ供給される。センシング回路１１８から供給されるセンシング電圧ＶＳＥＮＳＥは、データドライバ回路１１６から伝達される選択信号ＶＳＥＮＳＥ_ＳＥＬに基づき、スイッチＳＷ３またはスイッチＳＷ４の一方がオン状態となることによって、高電圧の電圧ＥＬＶＤＤ（センシング実施）と低電圧の電圧ＥＬＶＳＳ（センシング停止）となる。ここで、データドライバ回路１１６は、例えば、表示データに基づく図１のステップＳ１００の判定を行い、判定結果に応じた信号レベルの選択信号ＶＳＥＮＳＥ_ＳＥＬを、スイッチＳＷ３とスイッチＳＷ４とに伝達する。以下では、選択信号ＶＳＥＮＳＥ_ＳＥＬがハイレベル（選択信号ＶＳＥＮＳＥ_ＳＥＬ＝１と示す。）のときに、スイッチＳＷ３がオン状態となりセンシングが実施され、選択信号ＶＳＥＮＳＥ_ＳＥＬがローレベル（選択信号ＶＳＥＮＳＥ_ＳＥＬ＝０と示す。）のときに、スイッチＳＷ４がオン状態となりセンシングが停止される場合を例に挙げる。

センシングが実施される場合（選択信号ＶＳＥＮＳＥ_ＳＥＬ＝１の場合）、センシング回路１１８は、図８のＡに示すように、信号線ＤＴを介して電圧ＥＬＶＤＤをセンシング電圧ＶＳＥＮＳＥとして画素回路１１２に供給すると共に、電流測定回路１２０で電流を測定することによって、画素回路１１２が有する発光素子Ｄの特性をセンシングする。ここで、表示部１０２が備える複数の画素回路１１２のうち、センシングされる対象画素回路は、例えば図９に示すように、制御線ＳＥＮＳＥに供給されるセンシング電圧ＶＳＥＮＳＥによって制御される。

電流測定回路１２０においてセンシングされた発光素子Ｄの特性を示す電流値は、Ａ／Ｄ変換回路１２２においてデジタル値に変換され、当該デジタル値を示すデータは、データメモリ１１４に転送される。

また、センシングが停止される場合（選択信号ＶＳＥＮＳＥ_ＳＥＬ＝０の場合）、センシング回路１１８は、図８のＢに示すように、信号線ＤＴを介して電圧ＥＬＶＳＳをセンシング電圧ＶＳＥＮＳＥとして画素回路１１２に供給する。センシング電圧ＶＳＥＮＳＥとして電圧ＥＬＶＳＳが供給される場合には、対象画素回路において発光素子Ｄは発光せず、また、電流測定回路１２０における電流の測定も行われない。

表示装置１００は、例えば上記のように、対象画素回路における発光素子Ｄの特性のセンシングの実施と、センシングの停止との切り替えを実現する。

［３］本発明の実施形態に係る発光素子のＶＩ特性の検出結果に基づく、表示データの補正に係る処理の概要（図１０〜図１２）
図１０は、本発明の実施形態に係る画素回路１１２が含む発光素子ＤのＶＩ特性の一例を示す説明図である。図１１は、本発明の実施形態に係る画素回路１１２が含む発光素子Ｄに流れる電流と、輝度との関係の一例を示す説明図である。図１２は、本発明の実施形態に係る画素回路１１２が含む発光素子Ｄにおける、階調と発光量との関係の一例を示す説明図である。

発光素子の発光量により階調表現が行われる表示装置では「発光量（階調）＝輝度×発光時間」で階調表現が実現される。そのため、発光素子の特性のばらつき、および／または、発光素子の特性の劣化によって発光素子の特性が変動すると、発光素子に流れる電流値が変動する。例えば図１０に示す“ＯＬＥＤ特性１”から“ＯＬＥＤ特性２”へと発光素子の特性が変動した場合には、発光素子に流れる電流値は、図１０に示す“ＯＬＥＤ電流１”から“ＯＬＥＤ電流２”へと変動する。

また、発光素子に流れる電流値が変動すると、輝度が変動し、輝度ばらつきによる画質劣化が生じる。例えば、発光素子に流れる電流値が、図１０に示す“ＯＬＥＤ電流１”から“ＯＬＥＤ電流２”へと変動した場合には、輝度は、図１１に示す“ＯＬＥＤ輝度１”から“ＯＬＥＤ輝度２”へと変動する。

そこで、本発明の実施形態に係る表示装置は、例えば図１２に示すように、発光素子の特性をセンシングし、表示データを補正（例えば図１２に示す“表示データ”から“補正後データ”への補正）することで、発光量（階調）が変動前と同等になるように制御する。なお、本発明の実施形態に係る表示装置は、例えば、発光素子のＶＩ特性の検出結果に基づいて表示データを補正することが可能な、任意の技術を用いて、各画素回路が有する発光量（階調）を制御することが可能である。

［４］第１の実施形態に係る表示装置の効果
第１の実施形態に係る表示装置１００は、表示発光量からセンシング発光量が減算された発光量となるように表示データを補正するので、センシングが行われる場合であっても、表示データと１垂直期間における発光量との整合をとることが可能である。したがって、表示装置１００は、例えばセンシング時に発光素子が発光することによる線欠陥による画質劣化など、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際に生じうる画質の劣化を防止することができる。

また、表示装置１００は、例えば図８、図９を参照して説明したように、表示データに基づいて、対象画素回路における発光素子のセンシングの実施と停止を切り替えることが可能である。したがって、表示装置１００は、例えば表示データが低階調表示に係る表示データである場合であっても、黒浮きによる画質劣化が生じることを防止することが可能となる。

さらに、表示装置１００は、例えば図１０〜図１２を参照して説明したように、発光素子の特性のばらつき補償を行うことが可能であるので、画質の劣化を起こさずに、発光素子の特性のばらつきを補償することができる。

（第２の実施形態に係る表示装置）
なお、本発明の実施形態に係る制御方法に係る処理を行うことが可能な、本発明の実施形態に係る表示装置の構成は、上述した第１の実施形態に係る表示装置の構成に限られない。以下、本発明の第２の実施形態に係る表示装置として、アナログ駆動を行う表示装置について説明する。以下では、第２の実施形態に係る表示装置として、データプログラムと発光を線順次で制御するプログレッシブ駆動を行う表示装置について説明する。

以下では、第２の実施形態に係る表示装置について、第１の実施形態に係る表示装置との相違点を中心に説明する。また、以下では、第１の実施形態に係る表示装置と同様の点については、説明を省略する。

［Ｉ］第２の実施形態に係る表示装置における動作の一例
図１３は、本発明の第２の実施形態に係る表示データと、画素回路が有する発光素子の発光状態との一例を示す説明図である。図１３のＡは、非対象画素回路における、表示データと発光素子の発光状態との一例を示しており、図１３のＢは、対象画素回路における、表示データと発光素子の発光状態との一例を示している。図１３では、センシング発光量が１６階調に設定されている例を示している。

上述したように、第２の実施形態に係る表示装置は、対象画素回路に対してセンシングを行う際には、表示発光量からセンシング発光量が減算された発光量となるように表示データを補正する。そのため、例えば表示階調＝１６の場合を例に挙げると、図１３のＡに示す非対象画素回路では、センシング期間に非発光で表示期間で発光しているのに対して、図１３のＢに示す対象画素回路では、センシング期間で発光し、表示期間では非発光となる。

また、発光量は「発光量＝輝度×発光時間」で決まるため、図１３のＡに示す非対象画素回路と、図１３のＢに示す対象画素回路とを比較すると、発光するタイミングと輝度とは異なっているが、１垂直期間における発光量は同一である。つまり、図１３より、表示データと１垂直期間における発光量との整合がとれていることが分かる。

図１４は、第２の実施形態に係る表示装置における動作のタイミングチャートの一例を示す説明図である。

第１の実施形態に係る表示装置１００が、図３に示すような、表示データで重み付けされたサブフィールドに分離され、データプログラムと発光とが分かれていたサイマルテーニアス駆動であるのに対して、第２の実施形態に係る表示装置は、図１４に示すように、データプログラムと発光を線順次で制御するプログレッシブ駆動である。プログレッシブ駆動では、図１４に示すように、表示データに重み付けされたサブフィールドが不要であり、また、センシング期間における発光停止プログラム期間が不要となる。

［ＩＩ］第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例
図１５、図１６は、第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。図１５は、第２の実施形態に係る表示装置２００の構成の一例を示している。図１６は、図１５に示す画素回路２０２の構成の一例を示している。以下では、第２の実施形態に係る表示装置を、「表示装置２００」と示す場合がある。

表示装置２００は、図４に示す第１の実施形態に係る表示装置１００と基本的に同様の構成を有する。また、表示装置２００と図４に示す第１の実施形態に係る表示装置１００との違いは、表示装置２００が、発光開始と発光停止を制御する発光制御信号ＥＭが供給される制御線をさらに有している点にある。また、制御信号ＥＭが供給される制御線をさらに有することにより、表示装置２００が備える画素回路２０２の構成が、図５に示す第１の実施形態に係る画素回路１１２とは異なる。

画素回路２０２は、図５に示す第１の実施形態に係る画素回路１１２と基本的に同様の構成を有する。画素回路２０２と図５に示す第１の実施形態に係る画素回路１１２との違いは、画素回路２０２がエミッションスイッチトランジスタＭ４をさらに備えることにある。

エミッションスイッチトランジスタＭ４は、発光素子Ｄのアノードに第１端子が接続され、スイッチトランジスタＭ１の第１端子に第２端子が接続される。また、エミッションスイッチトランジスタＭ４のゲートには、発光制御信号ＥＭが供給される信号線を介して、発光制御信号ＥＭが印加される。

画素回路２０２においてエミッションスイッチトランジスタＭ４は、ゲートに印加される発光制御信号ＥＭの電圧レベルに基づいて、発光素子ＤとスイッチトランジスタＭ１とを選択的に接続させる役目を果たす。

表示装置２００は、発光制御信号ＥＭが供給される信号線を介して発光制御信号ＥＭを供給することによって、画素回路２０２が有する発光素子Ｄの発光状態と非発光状態とを制御する。

［ＩＩＩ］１垂直期間におけるタイミングチャートと、第２の実施形態に係る画素回路２０２の基本動作との一例（図１７、図１８）
図１７は、第２の実施形態に係る１垂直期間におけるタイミングチャートの一例を示す説明図であり、図１８は、第２の実施形態に係る画素回路２０２の基本動作の一例を示す説明図である。図１８に示すＡは、図１７の（１）に示す期間における画素回路２０２の動作を示している。また、図１８に示すＢは、図１７の（２）に示す期間内のデータプログラム期間における画素回路２０２の動作を示しており、図１８に示すＣは、図１７の（２）に示す期間内の発光期間における画素回路２０２の動作を示している。

表示装置２００における制御が、第１の実施形態に係る表示装置１００と異なる点は、センシング期間における発光停止プログラム期間が不要となり、表示期間はデータプログラム期間および発光期間（線順次制御）である点である。具体的には、表示装置２００は、１垂直期間を、下記および図１７に示す（ｉ）、（ｉｉ）の手順で制御する。
（ｉ）センシング期間：発光素子の特性をセンシングする特性センシング期間
（ｉｉ）表示期間：画素回路２０２へのデータプログラム期間、および発光素子の発光期間

センシング期間（上記（ｉ）の期間）では、第１の実施形態に係る表示装置１００と同様に、表示装置２００は、第１の共通電源からの電圧ＥＬＶＤＤの供給を遮断する。ここで、表示装置２００は、発光制御信号ＥＭによって画素回路２０２の発光素子の発光を制御するので、第１の実施形態のようなセンシング期間における発光停止プログラム期間は不要となる。

また、画素回路２０２は、スイッチトランジスタＭ１と発光素子Ｄとの間にエミッションスイッチトランジスタＭ４を備えるので、センシング期間の間は、画素回路２０２に保持されたデータ信号ＶＤＡＴＡを保持することが可能となる。よって、表示装置２００は、プログレッシブ駆動においてもセンシングを行うことができる。なお、画素回路２０２の構成は、図１７、１８に示す構成に限られず、データ線ＤＴから供給されるデータ信号に対応する表示データに応じた発光素子Ｄの発光と、保持されているデータ信号ＶＤＡＴＡを保持した状態で、センシングを行うことが可能な、任意の回路構成をとることが可能である。

表示期間内のデータプログラム期間（例えば図１７の（２）において、制御線ＳＣＡＮに供給される走査信号がローレベルの信号である期間）では、図１８のＢに示すように、保持容量ＣＳＴにデータ信号ＶＤＡＴＡが書き込まれる。そして、表示期間内の発光期間（例えば図１７の（２）において、制御線ＳＣＡＮに供給される走査信号がローレベルの信号からハイレベルの信号へと変化した後の期間）では、図１８のＣに示すように、画素回路２０２が有する発光素子Ｄを発光させる。

各垂直期間において、上記（ｉ）、上記（ｉｉ）の手順で制御を行うことによって、表示装置２００は、高精度での発光素子のセンシングと表示制御とを行うことができる。

［ＩＩＩ］第２の実施形態に係る表示装置の効果
第２の実施形態に係る表示装置２００は、第１の実施形態に係る表示装置１００におけるサイマルテーニアス駆動ではなく、異なる駆動方法であるプログレッシブ駆動で駆動するが、第１の実施形態に係る表示装置１００と同様に、表示発光量からセンシング発光量が減算された発光量となるように表示データを補正する。よって、表示装置２００は、センシングが行われる場合であっても、表示データと１垂直期間における発光量との整合をとることが可能である。

したがって、表示装置２００は、例えばセンシング時に発光素子が発光することによる線欠陥による画質劣化など、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際に生じうる画質の劣化を防止することができる。

また、表示装置２００は、第１の実施形態に係る表示装置１００と基本的に同様の構成を有する。よって、表示装置２００は、第１の実施形態に係る表示装置１００と同様に、表示データに基づいて、対象画素回路における発光素子のセンシングの実施と停止を切り替えることが可能であるので、例えば表示データが低階調表示に係る表示データである場合であっても、黒浮きによる画質劣化が生じることを防止することができる。また、表示装置２００は、第１の実施形態に係る表示装置１００と同様に、発光素子の特性のばらつき補償を行うことが可能であるので、画質の劣化を起こさずに、発光素子の特性のばらつきを補償することができる。

以上、本発明の実施形態として、表示装置を挙げて説明したが、本発明の実施形態は、かかる形態に限られない。本発明の実施形態は、例えば、テレビ（television）受像機や、タブレット（tablet）型の装置、携帯電話やスマートフォン（smart phone）などの通信装置、映像／音楽再生装置（または映像／音楽記録再生装置）、ゲーム（game）機、ＰＣ（Personal Computer）などのコンピュータ（computer）など、様々な機器に適用することができる。

また、上記では、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

１００、２００ 表示装置
１０２ 表示部
１０４ スキャンドライバ
１０６ センスドライバ
１０８ データドライバ
１１２、２０２ 画素回路

Claims (5)

1. 電流が流れることにより発光する発光素子を含む画素回路を複数有し、表示データに基づき供給されるデータ信号に対応する画像を表示する表示部と、
   画像を表示させる期間である表示期間における前記発光素子の発光と、前記発光素子をセンシングさせる期間であるセンシング期間における前記発光素子のセンシングとを、前記画素回路ごとに制御する制御部と、
   前記表示データを補正する補正部と、
   を備え、
   前記補正部は、
   前記センシング期間において、センシングが行われる対象の前記画素回路である対象画素回路に対するセンシングが行われる場合に、
   前記対象画素回路に対応する補正後の表示データに基づく、前記対象画素回路の前記発光素子の発光量が、前記対象画素回路に対応する補正前の表示データに基づく、前記対象画素回路の前記発光素子の発光量である表示発光量から、前記センシング期間において前記対象画素回路の前記発光素子が発光する発光量であるセンシング発光量が減算された発光量となるように、前記対象画素回路に対応する前記表示データを補正することを特徴とする、表示装置。
2. 前記補正部は、
   ある１垂直期間において、前記対象画素回路に対応する１垂直期間の表示データと、センシングを行う対象の前記画素回路ではない非対象画素回路に対応する１垂直期間の表示データとが同一のデータである場合には、
   前記対象画素回路の１垂直期間における前記発光素子の発光量と、前記非対象画素回路の１垂直期間における前記発光素子の発光量とが同一となるように、前記対象画素回路に対応する前記表示データを補正することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記制御部は、表示データに基づいて、前記対象画素回路に対するセンシングを選択的に行うことを特徴とする、請求項１、または２に記載の表示装置。
4. 前記制御部は、前記対象画素回路に対応する前記表示発光量が、前記センシング発光量よりも小さい場合、または、前記対象画素回路に対応する前記表示発光量が、前記センシング発光量以下である場合には、前記対象画素回路に対するセンシングを行わないことを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
5. 電流が流れることにより発光する発光素子を含む画素回路を複数有し、表示データに基づき供給されるデータ信号に対応する画像を表示する表示部を有する表示装置における制御方法であって、
   画像を表示させる期間である表示期間における前記発光素子の発光と、前記発光素子をセンシングさせる期間であるセンシング期間における前記発光素子のセンシングとを、前記画素回路ごとに制御するステップと、
   前記表示データを補正するステップと、
   を有し、
   前記補正するステップでは、
   前記センシング期間において、センシングが行われる対象の前記画素回路である対象画素回路に対するセンシングが行われる場合に、
   前記対象画素回路に対応する補正後の表示データに基づく、前記対象画素回路の前記発光素子の発光量が、前記対象画素回路に対応する補正前の表示データに基づく、前記対象画素回路の前記発光素子の発光量である表示発光量から、前記センシング期間において前記発光素子が発光する発光量であるセンシング発光量が減算された発光量となるように、前記対象画素回路に対応する前記表示データが補正されることを特徴とする、制御方法。

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