JP2015143933A - 静電容量型センサ付き表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】入力位置情報の検出精度に優れた静電容量型センサ付き表示装置及びその駆動方法を提供する。【解決手段】静電容量型センサ付き表示装置は、画像を表示する表示面を有した表示パネルと、表示パネルに設けられた静電容量型センサＳＥと、を備える。センサＳＥは、複数の検出電極Ｒｘと、複数のリード線Ｌとを有する。複数の検出電極Ｒｘは、互いに電気的に独立して表示パネルの表示面の上方にマトリクス状に設けられ、静電容量の変化を検出する。複数のリード線Ｌは、表示パネルの表示面の上方に設けられ、複数の検出電極Ｒｘに一対一で接続され、金属で形成される。【選択図】図７

Description

本発明の実施形態は、静電容量型センサ付き表示装置及びその駆動方法に関する。

一般に、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスタント）及びタブレットＰＣ（パーソナルコンピュータ）に適用可能な表示装置は、例えば静電容量型センサを有し、入力手段を用いて表示画面から直接入力されるデータを検出するように構成されている。入力手段としては、ペンや人体等の導体を利用することができる。上記表示装置としては、例えば、表示パネルの内部に上記センサを形成する電極が設けられたインセル型の表示装置や、表示パネルの表示面上に上記センサを形成する電極が設けられたオンセル型の表示装置を挙げることができる。

上記センサを形成する電極は、画像を表示する表示領域内に位置し、静電容量の変化を検出する。このため、表示装置は、入力手段が上記電極に近接することにより、上記電極に生じる静電容量の変化（静電容量結合の強弱）を取り出すことで、入力手段による入力個所の位置情報を検出することができる。

特表２０１３−５０１２８７号公報

本発明の実施形態は、入力位置情報の検出精度に優れた静電容量型センサ付き表示装置及びその駆動方法を提供する。

一実施形態に係る静電容量型センサ付き表示装置は、
画像を表示する表示面を有した表示パネルと、
前記表示パネルに設けられた静電容量型センサと、を備え、
前記静電容量型センサは、
互いに電気的に独立して前記表示面の上方に設けられ、静電容量の変化を検出するマトリクス状の複数の検出電極と、
前記表示面の上方に設けられ、前記複数の検出電極に一対一で接続され、金属で形成された複数のリード線と、を有している。

また、一実施形態に係る静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法は、
第１基板と画像を表示する表示面を有し前記第１基板に隙間を置いて対向配置された第２基板と複数の画素と前記第１基板又は第２基板に設けられ前記複数の画素で共用される共通電極とを有した表示パネルと、前記表示パネルに設けられた静電容量型センサと、を備え、各々の前記画素は前記第１基板に形成されゲート線及びソース線に接続された画素スイッチング素子と前記第１基板に形成され前記画素スイッチング素子に接続された画素電極とを有し、前記静電容量型センサは互いに電気的に独立して前記表示面の上方に設けられ静電容量の変化を検出するマトリクス状の複数の検出電極と前記表示面の上方に設けられ前記複数の検出電極に一対一で接続され金属で形成された複数のリード線とを有している、静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法において、
表示動作期間に前記ゲート線に制御信号を与え前記ソース線に映像信号を与え前記表示パネルを駆動し、前記表示動作期間から外れた入力位置情報検出期間に前記表示パネルへの前記制御信号及び映像信号の入力を休止し前記静電容量型センサを駆動し、
前記入力位置情報検出期間に、前記静電容量型センサに書込む書込み信号と同一波形を有する電位調整信号を前記書込み信号と同期して前記共通電極に書込む。

図１は、第１の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。 図２は、図１に示した第１基板の概略構成を示す平面図である。 図３は、図２に示した画素を示す等価回路図である。 図４は、上記液晶表示装置の一部の構造を概略的に示す断面図である。 図５は、上記第１基板に設けられた共通電極が複数に分断して形成されている状態を概略的に示す平面図である。 図６は、上記第１基板の表示領域の外側の一部を示す拡大平面図であり、マルチプレクサを示す回路図である。 図７は、上記静電容量型センサの構成を概略的に示す平面図である。 図８Ａは、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置に適用できるセルフ検出方式を説明するための図であり、検出電極と指との間に静電容量結合が生じていない場合に、検出電極が充電されている状態を示す図である。 図８Ｂは、図８Ａに続く、上記セルフ検出方式を説明するための図であり、検出電極から放電されている状態を示す図である。 図９Ａは、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置に適用できるセルフ検出方式を説明するための図であり、検出電極と指との間に静電容量結合が生じている場合に、検出電極が充電されている状態を示す図である。 図９Ｂは、図９Ａに続く、上記セルフ検出方式を説明するための図であり、検出電極から放電されている状態を示す図である。 図１０Ａは、上記セルフ検出方式を実現する基本構成の例を示す回路図である。 図１０Ｂは、図１０Ａに示した容量を示す透過回路図であり、容量Ｃｃの電荷が、容量Ｃｐ及びＣｘに移動した状態を示す図である。 図１１は、図１０Ａ及び１０Ｂに示した、容量Ｃｘの電圧Ｖｘの値の変化を棒グラフで示し、容量Ｃｃの電圧Ｖｃの値の変化を線グラフで示した図である。 図１２は、上記液晶表示装置の複数の分割電極及び複数の検出電極を示す斜視図であり、ミューチャル検出方式の例を説明するための図である。 図１３は、上記液晶表示装置の変形例の共通電極及び複数の検出電極を示す斜視図であり、ミューチャル検出方式の他の例を説明するための図である。 図１４は、第２の実施形態に係る液晶表示装置の静電容量型センサを概略的に示す平面図であり、検出電極、リード線及びダミー線のレイアウトを示す図である。 図１５は、図１４に示した静電容量型センサをＸＶ−ＸＶ線で切断したときの構造を概略的に示す断面図である。 図１６は、上記第２の実施形態に係る静電容量型センサの変形例１の一部の構造を概略的に示す断面図である。 図１７Ａは、上記第２の実施形態に係る静電容量型センサの変形例２を概略的に示す平面図であり、検出電極、リード線及びダミー線のレイアウトを示す図である。 図１７Ｂは、上記第２の実施形態に係る静電容量型センサの変形例３を概略的に示す平面図であり、検出電極、リード線及びダミー線のレイアウトを示す図である。 図１８は、上記第２の実施形態に係る静電容量型センサの変形例４の一部を概略的に示す平面図であり、検出電極、リード線、ダミー電極及びダミー線のレイアウトを示す図である。 図１９は、第３の実施形態に係る静電容量型センサを概略的に示す平面図であり、検出電極、リード線及びダミー線のレイアウトを示す図である。 図２０は、図１９に示した静電容量型センサの一部を概略的に示す断面図である。 図２１は、第４の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートであり、映像信号、書込み信号及び読取り信号を示す図である。 図２２は、上記第４の実施形態に係る駆動方法の変形例を説明するためのタイミングチャートであり、映像信号、コモン電圧、電位調整信号、書込み信号及び読取り信号を示す図である。 図２３は、第５の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置の駆動方法を説明するための図であり、複数の分割電極と複数の検出電極とを示す平面図である。 図２４は、上記第５の実施形態に係る駆動方法を説明するためのタイミングチャートであり、映像信号、コモン電圧、電位調整信号、書込み信号及び読取り信号を示す図である。 図２５は、上記第５の実施形態に係る駆動方法の変形例を説明するためのタイミングチャートであり、映像信号、コモン電圧、電位調整信号、書込み信号及び読取り信号を示す図である。 図２６は、第６の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置の駆動方法を説明するための図であり、ゲート線に接続された制御スイッチング素子と、ソース線に接続された制御スイッチング素子とが全てオフにされている状態を示す図である。 図２７は、第７の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置の駆動方法を説明するための図であり、ソース線に接続された制御スイッチング素子が全てオンにされている状態を示す図である。 図２８は、上記第７の実施形態に係る駆動方法を説明するためのタイミングチャートであり、映像信号、コモン電圧、電位調整信号、書込み信号及び読取り信号を示す図である。 図２９は、第８の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置の一部を示す回路図であり、静電容量型センサ、マルチプレクサ及び複数の検出器を示す図である。 図３０は、第９の実施形態に係る液晶表示装置の静電容量型センサの構成を概略的に示す平面図である。 図３１は、図３０に示した静電容量型センサをＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ線で切断したときの構造を概略的に示す断面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

始めに、本発明の実施形態の基本構想について説明する。
静電容量型センサ付き表示装置は、入力手段を用いて表示面側から入力されるデータを検出するように構成されている。入力手段としては、ペンや人体等の導体を利用することができる。表示装置は、シングルタッチ検出を行うことができる。例えば、表示装置は、表示面に一本の指がタッチされたことを検出することができる。そして、表示装置は、指がタッチされた個所の位置情報を検出することができる。

ところで、近年、表示装置に対するニーズが多様化し、マルチタッチ検出や近接検出（ホバリング検出）が可能な表示装置が求められている。マルチタッチ検出を行う表示装置は、例えば、表示面に複数本の指がタッチされたことを検出することができる。近接検出を行う表示装置は、例えば、表示面と対向する領域内で表示面に手が近接した状態に保持されていることを検出することができる。なお、近接検出では、表示面に手をタッチすること無しに、手の挙動を検出することができる。

上記のように、マルチタッチ検出や近接検出を可能とするために、表示装置は、高感度の静電容量型センサを有する必要がある。そこで、静電容量型センサの感度を向上させるための技術が開発されている。上記技術として、例えば、静電容量型センサの検出電極をマトリクス状に配置し、各々の検出電極に生じる静電容量の変化を独立的に検出する技術が開発されている。複数の検出電極と、複数の検出電極に一対一で接続されたリード線とは、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）を利用して形成することができる。

しかしながら、上記のように表示装置を形成した場合、入力位置情報の検出精度に優れた表示装置を得ることが困難となる課題が生じる。検出電極に一対一で接続されたリード線を他の複数の検出電極に絶縁距離を置いて配線する必要があるためである。さらに、上記のようにリード線を配線すると、検出電極のサイズにばらつきが生じ、表示面内での入力位置情報の検出精度にばらつきが生じてしまうためである。さらにまた、上記のようにＩＴＯを利用してリード線を配線する際、リード線に特定値以上の幅を持たせる必要があり、リード線と入力手段との間に寄生容量が不所望に形成されるためである。
さらに、表示装置の表示面にタッチしていないが近接している指の検出シグナルは非常に弱い。すなわち、表示面に近接している指と検出電極と間に形成される静電容量は非常に小さい。一方、表示パネルから静電容量型センサへノイズが加わったり、静電容量型センサと表示パネルの様々な電極との間に寄生容量が生じたりする。これにより、静電容量型センサの検出感度は著しく低下してしまう。そこで、静電容量型センサの検出感度を上げるために、ガード電極を静電容量型センサと表示パネルとの間に付与した方が望ましい。しかしながら、表示装置に上記ガード電極を設けた場合、表示装置の薄型化、製造コスト低減等は非常に困難となる。

上述したことから分かるように、ＩＴＯのみを利用して検出電極とリード線とを形成したのでは、入力位置情報の検出精度に優れた表示装置を得ることは困難である。
そこで、本発明の実施形態においては、この課題の原因を解明し、この課題を解決することにより、入力位置情報の検出精度に優れた静電容量型センサ付き表示装置、及び静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法を得ることができるものである。次に、上記課題を解決するための手段及び手法について説明する。

（第１の実施形態）
以下、図面を参照しながら第１の実施形態に係る静電容量型センサ付き表示装置及びその駆動方法について詳細に説明する。本実施形態において、表示装置は液晶表示装置である。図１は、第１の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。

図１に示すように、液晶表示装置ＤＳＰは、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルＰＮＬ、液晶表示パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ１、静電容量型のセンサＳＥ、センサＳＥを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ２、液晶表示パネルＰＮＬを照明するバックライトユニットＢＬ、制御モジュールＣＭ、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１，ＦＰＣ２，ＦＰＣ３などを備えている。

図示した例では、液晶表示パネルＰＮＬの表示面上にセンサＳＥを形成する検出電極Ｒｘが設けられているため、液晶表示装置ＤＳＰはオンセル型の液晶表示装置である。なお、後述する別の実施形態でも説明するが、センサＳＥを形成する電極を液晶表示パネルＰＮＬの内部に設けることができ、この場合の液晶表示装置ＤＳＰはインセル型の液晶表示装置である。

また、駆動ＩＣチップＩＣ１は液晶表示パネルＰＮＬ上に搭載されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、液晶表示パネルＰＮＬと制御モジュールＣＭとを接続している。フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、センサＳＥと制御モジュールＣＭとを接続している。駆動ＩＣチップＩＣ２はフレキシブル配線基板ＦＰＣ２上に搭載されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ３は、バックライトユニットＢＬと制御モジュールＣＭとを接続している。ここで、制御モジュールＣＭをアプリケーションプロセッサと言い換えることができる。

液晶表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持された液晶層（後述する液晶層ＬＱ）と、を備えている。なお、本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１をアレイ基板と、第２基板ＳＵＢ２を対向基板と、それぞれ言い換えることができる。

液晶表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域（アクティブエリア）ＤＡを備えている。この例では、複数の検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡ内において、互いに交差する第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並べられている。本実施形態において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは互いに直交し、第１方向Ｘは行方向であり、第２方向Ｙは列方向であるため、複数の検出電極Ｒｘは、マトリクス状に設けられている。

バックライトユニットＢＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側に配置されている。このようなバックライトユニットＢＬとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。

図２は、図１に示した第１基板ＳＵＢ１の構成及び等価回路を概略的に示す図である。図２に示すように、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１には、駆動ＩＣチップＩＣ１が搭載されている。駆動ＩＣチップＩＣ１は、ソース線駆動回路ＳＤ等を備えている。

その他、第１基板ＳＵＢ１の非表示領域ＮＤＡには、マルチプレクサＭＵ１、ゲート線駆動回路ＧＤ、共通電極駆動回路ＣＤ及びアウタリードボンディング（Outer Lead Bonding）のパッド群（以下、ＯＬＢパッド群と称する）ｐＧ１が形成されている。駆動ＩＣチップＩＣ１は、マルチプレクサＭＵ１、ゲート線駆動回路ＧＤ、共通電極駆動回路ＣＤ及びＯＬＢパッド群ｐＧ１に接続されている。ゲート線駆動回路ＧＤは、ｎ個の制御スイッチング素子ＣＳＷ１を備え、共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。

表示領域ＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２間には、複数の画素ＰＸが位置している。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に設けられ、ｍ×ｎ個配置されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。

表示領域ＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１の上方には、ｎ本のゲート線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｍ本のソース線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどが形成されている。ゲート線Ｇは、第１方向Ｘに略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、ゲート線駆動回路ＧＤに接続されている。ゲート線Ｇは、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。ゲート線Ｇは、制御スイッチング素子ＣＳＷ１に一対一で接続されている。ソース線Ｓは、第２方向Ｙに略直線的に延出し、ゲート線Ｇと交差している。ソース線Ｓは、第１方向Ｘに間隔を置いて並べられている。ソース線Ｓは、表示領域ＤＡの外側に引き出され、マルチプレクサＭＵ１に接続されている。

共通電極ＣＥは、第１方向Ｘに略直線的に延在し、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられた複数の分割電極Ｃを有している。例えば、液晶表示装置ＤＳＰが後述する別の実施形態（図２９）で示すマルチプレクサＭＵ２を利用する場合、マルチプレクサＭＵ２の検出方式に合わせて、共通電極ＣＥは分割して形成されていた方が望ましい。なお、後述する別の実施形態（図１３）で示すように、共通電極ＣＥは分割して形成されていなくともよい。例えば、全部の検出電極Ｒｘを一括で走査して静電容量の変化を検出する場合、共通電極ＣＥは分割されていない方が望ましい。例えば、共通電極ＣＥは、ｎ／３個の分割電極Ｃ（Ｃ１〜Ｃｎ／３）を有している。複数の画素ＰＸは、１個の分割電極Ｃを共用している。なお、分割電極Ｃの個数やサイズは特に限定されるものではなく種々変形可能である。例えば、分割電極Ｃは、４行分の画素ＰＸで共用されていてもよい。分割電極Ｃは、表示領域ＤＡの外側に引き出され、共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。なお、ゲート線Ｇ、ソース線Ｓ及び分割電極Ｃは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。

上記駆動ＩＣチップＩＣ１は、マルチプレクサＭＵ１、ゲート線駆動回路ＧＤ、共通電極駆動回路ＣＤ及びＯＬＢパッド群ｐＧ１に接続されている。全てを図示しないが、駆動ＩＣチップＩＣ１とゲート線駆動回路ＧＤとは制御線Ｗ１、Ｗ２で接続され、駆動ＩＣチップＩＣ１と共通電極駆動回路ＣＤとは制御線Ｗ３で接続されている。このため、駆動ＩＣチップＩＣ１は、制御線Ｗ１を介して制御スイッチング素子ＣＳＷ１に制御信号Ｖｃｓｗ１を与えることができる。例えば、制御モジュールＣＭの制御の下、駆動ＩＣチップＩＣ１は、制御スイッチング素子ＣＳＷ１をオフ（非導通状態）にする制御信号Ｖｃｓｗ１を出力することができ、全てのゲート線Ｇを電気的フローティング状態に切替えることができる。

図３は、図２に示した画素ＰＸを示す等価回路図である。図３に示すように、各画素ＰＸは、画素スイッチング素子ＰＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ（分割電極Ｃ）等を備えている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で形成されている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓと電気的に接続されている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、トップゲート型ＴＦＴあるいはボトムゲート型ＴＦＴのいずれであっても良い。また、画素スイッチング素子ＰＳＷの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンによって形成されていても良い。

画素電極ＰＥは、画素スイッチング素子ＰＳＷに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜を介して分割電極Ｃと対向している。分割電極Ｃ、絶縁膜及び画素電極ＰＥは、保持容量ＣＳを形成している。

図４は、液晶表示装置ＤＳＰの一部の構造を概略的に示す断面図である。
すなわち、液晶表示装置ＤＳＰは、上述した液晶表示パネルＰＮＬ及びバックライトユニットＢＬ等だけでなく、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２等も備えている。また、図示した液晶表示パネルＰＮＬは、表示モードとしてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードに対応した構成を有しているが、他の表示モードに対応した構成を有していても良い。

なお、ＦＦＳモードを利用する液晶表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥを備える。液晶層ＬＱを構成する液晶分子は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される横電界（特に、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界）を主に利用してスイッチングされる。

液晶表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、液晶層ＬＱを備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは所定のセルギャップを形成した状態で貼り合わされている。液晶層ＬＱは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間のセルギャップに保持されている。

第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０の第２基板ＳＵＢ２に対向する側に、ソース線Ｓ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。

第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に配置されている。なお、詳述しないが、第１絶縁基板１０と第１絶縁膜１１との間には、ゲート線、画素スイッチング素子のゲート電極や半導体層などが配置されている。ソース線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に形成されている。また、画素スイッチング素子のソース電極やドレイン電極なども第１絶縁膜１１の上に形成されている。図示した例では、ソース線Ｓは、第２方向Ｙに延出している。

第２絶縁膜１２は、ソース線Ｓ及び第１絶縁膜１１の上に配置されている。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。なお、本実施形態では、共通電極ＣＥは、上述したように複数のセグメント（複数の分割電極Ｃ）によって構成されている。但し、後述する別の実施形態（図１３）に示すように、共通電極ＣＥは複数に分断しないで形成される場合もあり得る。このような共通電極ＣＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。なお、図示した例では、共通電極ＣＥの上に金属層ＭＬが形成され、共通電極ＣＥを低抵抗化しているが、金属層ＭＬは省略してもよい。

第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ及び第２絶縁膜１２の上に配置されている。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。各画素電極ＰＥは、隣接するソース線Ｓの間にそれぞれ位置し、共通電極ＣＥと対向している。また、各画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。このような画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。

一方、第２基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１に対向する側に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。

ブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０の内面に形成され、各画素を区画している。カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、それぞれ第２絶縁基板２０の内面に形成され、それらの一部がブラックマトリクスＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦＲは赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦＧは緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦＢは青色カラーフィルタである。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。

検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板２０の外面の上方に形成されている。この検出電極Ｒｘは、島状に形成されているが、ここでは、簡略化して図示しており、後述するリード線Ｌの図示を省略している。検出電極Ｒｘの詳細な構造については後述する。このような検出電極Ｒｘは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。

第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０とバックライトユニットＢＬとの間に配置されている。第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上方に配置されている。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、それぞれ少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。

図５は、第１基板ＳＵＢ１に設けられた共通電極ＣＥが複数に分断して形成されている状態を概略的に示す平面図である。ここでは、第１基板ＳＵＢ１から第１絶縁基板１０及び共通電極ＣＥのみを取り出して説明している。また、共通電極ＣＥと検出電極Ｒｘの位置関係の例を説明するため、さらに検出電極Ｒｘを破線で示している。

図５に示すように、分割電極Ｃは、帯状に形成され、第１方向Ｘに略直線的に延在している。例えば、検出電極Ｒｘは、分割電極Ｃのサイズに対応したサイズを有するように形成されている。本実施形態では、各分割電極Ｃに、第１方向Ｘに並んだ１行分の複数の検出電極Ｒｘが対向している。前述したが、後述する別の実施形態（図１３）に示すように、共通電極ＣＥは複数に分断しないで形成されていてもよい。

図６は、第１基板ＳＵＢ１の非表示領域ＮＤＡの一部を示す拡大平面図であり、マルチプレクサＭＵ１の一部を示す回路図である。図６に示すように、マルチプレクサＭＵ１は、複数の制御スイッチング素子群ＣＳＷ２Ｇを有している。制御スイッチング素子群ＣＳＷ２Ｇはそれぞれ複数の制御スイッチング素子ＣＳＷ２を有している。この実施形態において、制御スイッチング素子群ＣＳＷ２Ｇはそれぞれ３個の制御スイッチング素子ＣＳＷ２を有している。この実施形態において、マルチプレクサＭＵ１は、１／３マルチプレクサである。

マルチプレクサＭＵ１は、複数のソース線Ｓに接続されている。また、マルチプレクサＭＵ１は、接続線Ｗ４を介してソース線駆動回路ＳＤに接続されている。ここでは、接続線Ｗ４の本数は、ソース線Ｓの本数の１／３である。

ソース線駆動回路ＳＤの出力（接続線Ｗ４）１つ当たり３本のソース線Ｓを時分割駆動するよう、制御スイッチング素子ＣＳＷ２は、制御信号Ｖｃｓｗ２ａ，Ｖｃｓｗ２ｂ，Ｖｃｓｗ２ｃにより、オン／オフが切替えられる。これら制御信号Ｖｃｓｗ２ａ，Ｖｃｓｗ２ｂ，Ｖｃｓｗ２ｃは、駆動ＩＣチップＩＣ１から、複数の制御線Ｗ５を介して制御スイッチング素子ＣＳＷ２にそれぞれ与えられる。

制御スイッチング素子ＣＳＷ２がオンすることにより、ソース線駆動回路ＳＤからソース線Ｓへの信号（例えば、映像信号Ｖｓｉｇ）の伝達が許可される。一方、制御モジュールＣＭの制御の下、駆動ＩＣチップＩＣ１は、制御スイッチング素子ＣＳＷ２をオフ（非導通状態）にする制御信号Ｖｃｓｗ２ａ，Ｖｃｓｗ２ｂ，Ｖｃｓｗ２ｃを同時に出力することができ、全てのソース線Ｓを電気的フローティング状態に切替えることができる。

なお、液晶表示パネルＰＮＬは、上記マルチプレクサＭＵ１に替えて、従来から知られている各種のマルチプレクサ（セレクタ回路）を利用することができる。例えば、液晶表示パネルＰＮＬは、１／２マルチプレクサを利用することができる。
また、液晶表示パネルＰＮＬは、上記マルチプレクサ（例えば、マルチプレクサＭＵ１）無しに形成されていてもよい。この場合、各ソース線Ｓは、ソース線駆動回路ＳＤに直に接続されていてもよく、別の制御スイッチング素子を介してソース線駆動回路ＳＤに接続されていてもよい。ソース線Ｓが別の制御スイッチング素子を介してソース線駆動回路ＳＤに接続されている場合、全ての別の制御スイッチング素子をオフにすることにより、全てのソース線Ｓを電気的フローティング状態に切替えることができる。

図７は、静電容量型のセンサＳＥの構成を概略的に示す平面図である。図７に示すように、センサＳＥは、液晶表示パネルＰＮＬに設けられている。センサＳＥは、複数の検出電極Ｒｘと、複数のリード線Ｌと、を有している。

複数の検出電極Ｒｘは、互いに電気的に独立して第２絶縁基板２０の外面（表示面）の上方に設けられている。複数の検出電極Ｒｘは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に設けられている。この実施形態において、各検出電極Ｒｘは、透明電極ＲＥのみで形成されている。透明電極ＲＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。この実施形態において、複数の透明電極ＲＥのサイズは均一である。検出電極Ｒｘは、静電容量の変化を検出する。なお、後述する別の実施形態で示すように、検出電極Ｒｘは、透明電極ＲＥと金属線（分岐線ＬＢ）との集合体で形成される場合や、金属線（分岐線ＬＢ）のみで形成される場合もある。リード線Ｌは、第２絶縁基板２０の外面の上方に設けられている。リード線Ｌは、検出電極Ｒｘに一対一で接続されている。リード線Ｌは、金属で形成されている。複数のリード線Ｌは、互いに間隔を置いて位置し、互いに電気的に絶縁されている。

一方、第２絶縁基板２０の外面の非表示領域ＮＤＡには、ＯＬＢパッド群ｐＧ２が形成されている。ＯＬＢパッド群ｐＧ２のパッドには、リード線Ｌが一対一で接続されている。

次に、液晶表示装置ＤＳＰの駆動方法について説明する。ここでは、センサＳＥを利用して入力位置情報を判断する手法について説明する。液晶表示装置ＤＳＰは、セルフ検出（Self-Capacitive Sensing）方式及びミューチャル検出（Mutual-Capacitive Sensing）方式の何れか一方に切替えて、検出電極Ｒｘにて検出した静電容量の変化に基づいて入力位置情報を判断することができる。これにより、液晶表示装置ＤＳＰの外面に指が接触していること、又は上記外面に指が近接していることを検出することができる。本実施形態において、上記外面は、第２光学素子ＯＤ２の外面である。

〈セルフ検出方式〉
始めに、セルフ検出方式による入力位置情報の判断は、各々の検出電極Ｒｘに対して書込み信号を書込み、書込み信号が書込まれた各々の検出電極Ｒｘに生じた静電容量の変化を示す読取り信号を読取ることにより行われる。

次に、図８Ａ、図８Ｂ、図９Ａ、図９Ｂ、図１０Ａ、図１０Ｂ、及び図１１を参照して、セルフ検出方式の原理を説明する。セルフ検出方式は、検出電極Ｒｘが有する容量Ｃｘ１を利用する。またセルフ検出方式は、検出電極Ｒｘに近接している利用者の指等により生じる容量Ｃｘ２を利用する。

図８Ａ及び図８Ｂは、液晶表示装置ＤＳＰの外面に、利用者の指が接触も近接もしていない状態を示している。このため、検出電極Ｒｘと指との間に静電容量結合は生じていない。図８Ａは、制御スイッチＳＷｃにより電源Ｖｄｄと検出電極Ｒｘが接続された状態を示す。図８Ｂは、制御スイッチＳＷｃにより、電源Ｖｄｄと検出電極Ｒｘがオフされ、検出電極ＲｘがコンデンサＣｃｐに接続された状態を示す。

図８Ａの状態で、容量Ｃｘ１は例えば充電され、図８Ｂの状態で、容量Ｃｘ１は例えば放電される。ここで、容量Ｃｘ１が充電されることとは、検出電極Ｒｘに対して書込み信号が書込まれることである。また、容量Ｃｘ１が放電されることとは、検出電極Ｒｘに生じた静電容量の変化を示す読取り信号を読取ることである。

一方、図９Ａ及び図９Ｂは、液晶表示装置ＤＳＰの外面に、利用者の指が接触又は近接している状態を示している。このため、検出電極Ｒｘと指との間に静電容量結合は生じている。図９Ａは、制御スイッチＳＷｃにより電源Ｖｄｄと検出電極Ｒｘが接続された状態を示す。図９Ｂは、制御スイッチＳＷｃにより、電源Ｖｄｄと検出電極Ｒｘがオフされ、検出電極ＲｘがコンデンサＣｃｐに接続された状態を示す。
図９Ａの状態で、容量Ｃｘ１は例えば充電され、図９Ｂの状態で、容量Ｃｘ１は例えば放電される。

ここで、図８Ｂに示す放電時の容量Ｃｃｐの電圧変化特性に対して、図９Ｂに示す放電時の容量Ｃｃｐの電圧変化特性は、容量Ｃｘ２が存在するために、明らかに異なる。したがって、セルフ検出方式では、容量Ｃｃｐの電圧変化特性が、容量Ｃｘ２の有り無しにより、異なることを利用して、入力位置情報（例えば、操作入力の有無）を判断している。

図１０Ａは、セルフ検出方式を実現する基本回路の例を示している。上記回路は、例えば図１に示した駆動ＩＣチップＩＣ２に設けられている。
図１０Ａに示すように、検出電極Ｒｘは、分圧用の容量Ｃｐの一方の端子に接続されるとともに、比較器ＣＯＭＰの一方の入力端子に接続される。検出電極Ｒｘは、自己の容量Ｃｘを有する。比較器ＣＯＭＰの他方の入力端子は、比較電圧Ｖｒｅｆの供給端子に接続されている。

容量Ｃｐの他方の端子は、スイッチＳＷ１を介して電圧Ｖｃｃの電源ラインに接続される。また容量Ｃｐの他方の端子は、抵抗Ｒｃを介して容量Ｃｃの一方の端子に接続されている。容量Ｃｃの他方の端子は、基準電位（例えばアース電位）に接続される。

スイッチＳＷ２は、容量Ｃｐの他方の端子と基準電位間に接続され、スイッチＳＷ３は、容量Ｃｐの一方の端子と基準電位間に接続されている。スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３及び比較器ＣＯＭＰは、制御回路内に設けられている。

次に動作を説明する。スイッチＳＷ１は、一定の周期でオンし、容量Ｃｃを充電することができる。容量Ｃｃが充電されるときは、スイッチＳＷ２，ＳＷ３はオフされる。容量Ｃｃが充電されると、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３が全てオフされ、容量Ｃｃの電荷が保持される。

続いて、スイッチＳＷ２，ＳＷ３が一定時間オンされる（なおスイッチＳＷ１はオフを維持する）。すると、容量Ｃｐ、Ｃｘの電荷のほとんどが放電されるとともに、容量Ｃｃの電荷の一部が、抵抗Ｒｃを介して放電される。

次いで、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３が全てオフされる。すると、容量Ｃｃの電荷が、容量Ｃｐ，Ｃｘに移動する、このときの等価回路は、図１０Ｂのように表すことができる。その後、容量Ｃｘの電圧Ｖｘが比較器ＣＯＭＰにおいて、比較電圧Ｖｒｅｆ又は閾値電圧Ｖｔｈと比較される。

図１０Ｂの等価回路に示すように、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３が全てオフ状態にされると、容量Ｃｃの電荷が容量Ｃｐ，Ｃｘに移動し、次に、容量Ｃｘの電圧Ｖｘの変化が比較器ＣＯＭＰにおいて、比較電圧Ｖｒｅｆと繰り返し比較される。

即ち、スイッチＳＷ２，ＳＷ３が一定時間オンされる（なおスイッチＳＷ１はオフを維持する）。すると、容量Ｃｐ，Ｃｘの電荷のほとんどが放電されるとともに、容量Ｃｃの電荷の一部が、抵抗Ｒｃを介して放電される。そして、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３が全てオフされる。すると、容量Ｃｃの電荷が、容量Ｃｐ，Ｃｘに移動する。

電圧Ｖｐ，Ｖｃ，Ｖｘと、容量Ｃｐ，Ｃｃ，Ｃｘの関係は、次の式（１）乃至（３）で表される。
Ｖｃ＝Ｖｐ＋Ｖｘ ・・・（１）
Ｖｐ：Ｖｘ＝（１／Ｃｐ）：（１／Ｃｘ） ・・・（２）
Ｖｘ＝（Ｃｐ／（Ｃｐ＋Ｃｘ））×Ｖｃ ・・・（３）
上記のように、スイッチＳＷ１を介して容量Ｃｃが電圧Ｖｃまで充電された後、スイッチＳＷ１，ＳＷ２が繰り返しオンとオフを繰り返すと、次第に、容量Ｃｃの電圧Ｖｃが低下し、容量Ｃｘの電圧Ｖｘも低下する。この動作、つまり容量Ｃｃが電圧Ｖｃまで充電された後、スイッチＳＷ１，ＳＷ２が繰り返しオンとオフを繰り返す動作は、電圧Ｖｘが比較電圧Ｖｒｅｆよりも小さくなるまで続けられる。

図１１は、容量Ｃｃの電圧Ｖｃの変化波形と、比較器ＣＯＭＰの出力波形の例を示している。横方向は時間を示し、縦方向は電圧を示す。

図１０Ａ及び図１１に示すように、スイッチＳＷ１がオンすると、容量Ｃｃは、電圧Ｃｃｃに充電される。その後、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３が全てオフ状態となり、容量Ｃｃの電荷が、容量Ｃｐ，Ｃｘに移動する。次に、容量Ｃｘの電圧Ｖｘの変化が比較器ＣＯＭＰにおいて、比較電圧Ｖｒｅｆと比較される。

電圧Ｖｃの変化の特性または変換の度合いは、容量Ｃｐと容量Ｃｘの合計値に応じて変化する。また容量Ｃｃの変化は、容量Ｃｘの電圧Ｖｘに対しても影響を与える。また容量Ｃｘの値は、検出電極Ｒｘに対する利用者の指の接近の程度に応じて異なる。

このために図１１に示すように、指が検出電極Ｒｘから遠い場合は、ゆっくりした変化を伴う特性ＶＣＰ１となり、指が検出電極Ｒｘに近い場合は、すばやい変化を伴う特性ＶＣＰ２となる。指が検出電極Ｒｘに近い場合に、遠い場合に比べて、Ｖｃの低下率が大きいのは、容量Ｃｃの値が指の容量により増加したからである。

比較器ＣＯＭＰは、スイッチＳＷ１，ＳＷ２が繰り返してオン／オフするのに同期して、電圧Ｖｐを比較電圧Ｖｒｅｆ又は閾値電圧Ｖｔｈと比較する。そしてＶｐ＞Ｖｒｅｆのときは、比較器ＣＯＭＰは、出力パルスを得る。しかし比較器ＣＯＭＰは、Ｖｐ＜Ｖｒｅｆになると出力パルスを停止する。

比較器ＣＯＭＰの出力パルスは、図示しない計測回路或いは計測アプリケーションにより監視される。つまり、容量Ｃｃに対する１回の充電の後、上記したスイッチＳＷ１，ＳＷ２による短期間の繰り返し放電が実行され、電圧Ｖｐの値が繰り返し計測される。

このとき、比較器ＣＯＭＰの出力パルが得られる期間（ＭＰ１或いはＰ２）が計測されてもよいし、比較器ＣＯＭＰの出力パル数（Ｃｃの充電後からＶｐ＜Ｖｒｅｆになるまでのパルス数）が計測されてもよい。

指が検出電極Ｒｘから遠い場合は、期間が長く、指が検出電極Ｒｘに近い場合は、期間が短い。または、指が検出電極Ｒｘから遠い場合は、比較器ＣＯＭＰの出力パルス数が多く、指が検出電極Ｒｘに近い場合は、比較器ＣＯＭＰの出力パルス数が少ない。

よって、センサＳＥの平面に対する指の近接度を検出パルスのレベルで判断することができる。また、同時に検出電極Ｒｘが２次元的（マトリックス）に配列されることにより、センサＳＥの平面上の指の２次元上の位置を検出することができる。
上記のように、利用者の指が検出電極Ｒｘに影響しているか否かが検出されるが、その検出時間は、数十μｓ乃至数ｍｓオーダーである。

〈ミューチャル検出方式〉
始めに、ミューチャル検出方式による入力位置情報の判断は、各々の分割電極Ｃに対して書込み信号を書込み、各々の検出電極Ｒｘに生じた静電容量の変化を示す読取り信号を読取ることにより行われる。分割電極Ｃ（共通電極ＣＥ）もセンサＳＥの一部として利用されている。

次に、図１２を参照して、ミューチャル検出方式の原理を説明する。図１２は、ミューチャル検出方式の代表的な基本構成を示している。
図１２に示すように、共通電極ＣＥと検出電極Ｒｘとが利用される。共通電極ＣＥは、複数のストライプ状分割電極Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３・・・）を含む。この複数の分割電極Ｃが走査（駆動）方向（ここでは、第２方向Ｙ）に配列されている。
一方、検出電極Ｒｘは、マトリクス状検出電極Ｒｘを含む。ここでは、検出電極Ｒｘは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに配列されている。複数の検出電極Ｒｘは、分割電極Ｃに間隔を置いて対向している。このために、分割電極Ｃと検出電極Ｒｘとの間には、基本的に容量Ｃｃが存在する。

分割電極Ｃは所定の周期でパルス状の書込み信号Ｖｗにより走査される。この例では、利用者の指が特定の検出電極Ｒｘに近接して存在するものとする。すると、分割電極Ｃにパルス状の書込み信号Ｖｗが供給されたときに、特定の検出電極Ｒｘからは、他の検出電極から得られるパルスよりもレベルの低いパルス状の読取り信号Ｖｒが得られる。
ミューチャル検出方式の場合は、検出電極Ｒｘは分割電極Ｃからのフリンジ電界の電位を検出している。検出電極Ｒｘに指のような導体が近づいてくるとこのフリンジ電界は弱くなる。これによって検出電極Ｒｘの電位は弱くなる。これが、ミューチャル検出方式の原理である。

ミューチャル検出方式では、この検出レベルの低いパルス状の読取り信号Ｖｒを、指による入力位置ＤＥＴＰの情報（検出パルス）として取り扱うことができる。

上記の容量Ｃｘは、指が検出電極Ｒｘに近い場合と、遠い場合とで異なる。このために検出パルスのレベルも指が検出電極Ｒｘに近い場合と、遠い場合とで異なる。よって、センサＳＥの平面に対する指の近接度をパルス状の読取り信号Ｖｒの電圧レベルで判断することができる。勿論、パルス状の書込み信号Ｖｗによる電極駆動タイミングと、パルス状の読取り信号Ｖｒの出力タイミングにより、センサＳＥの平面上の指の２次元情報を検出することができる。
なお、この場合、検出電極Ｒｘはマトリクス状に分割されている必要がない。検出電極Ｒｘは、分割電極Ｃと交差する方向にスイッチ等を使って電気的につないだ方が望ましい。これにより、ミューチャル検出方式にて読取り信号Ｖｒの検出に利用する検出器の数を大幅に減らすことが可能である。

ここで、図１３に示すように、共通電極ＣＥは複数に分断されていなくともよい。共通電極ＣＥは、単一の電極（ベタ電極）で形成され、全ての画素ＰＸで共用されている。この場合も、共通電極ＣＥに書込み信号Ｖｗを与えることにより、液晶表示装置ＤＳＰは、ミューチャル検出方式に切替えて入力位置情報を判断することができる。勿論、液晶表示装置ＤＳＰは、セルフ検出方式に切替えて入力位置情報を判断することもできる。

上記のように構成された第１の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、画像を表示する表示面を有した液晶表示パネルＰＮＬと、液晶表示パネルＰＮＬに設けられた静電容量型センサＳＥと、制御モジュールＣＭと、を備えている。

センサＳＥは、複数の検出電極Ｒｘと、複数のリード線Ｌと、を有している。複数の検出電極Ｒｘは、互いに電気的に独立して液晶表示パネルＰＮＬの表示面の上方にマトリクス状に設けられている。検出電極Ｒｘは、透明な導電材料で形成された透明電極ＲＥのみで形成されている。検出電極Ｒｘは静電容量の変化を検出する。複数のリード線Ｌは、液晶表示パネルＰＮＬの表示面の上方に設けられ、複数の検出電極Ｒｘに一対一で接続され、金属で形成されている。

制御モジュールＣＭは、複数のリード線Ｌに接続されている。制御モジュールＣＭは、各々の検出電極Ｒｘに対して書込み信号Ｖｗを書込み、書込み信号Ｖｗが書込まれた各々の検出電極Ｒｘに生じた静電容量の変化を示す読取り信号Ｖｒを読取り、静電容量の変化に基づいて入力位置情報を判断する。

検出電極Ｒｘはマトリクス状に設けられ、各々の検出電極Ｒｘに生じる静電容量の変化を独立的に検出している。検出電極Ｒｘを帯状に形成した場合と比べて、センサＳＥの感度を向上させることができるため、センサＳＥは、シングルタッチ検出は勿論、マルチタッチ検出や近接検出を行うことができる。

また、検出電極Ｒｘ（透明電極ＲＥ）をマトリクス状に配置しても、入力位置情報の検出精度に優れた液晶表示装置ＤＳＰを得ることができるものである。その理由は、リード線Ｌを透明な導電材料より電気抵抗値の非常に低い金属材料で形成することにより、リード線Ｌの幅を小さくすることができるためである。そして、リード線Ｌが小さい幅を有することにより、複数の検出電極Ｒｘを略均一なサイズに形成することができるためである。また、リード線Ｌが小さい幅を有することにより、リード線Ｌと指との間に寄生容量が不所望に形成され難くなるためである。すなわち、ノイズ成分の影響は非常に小さくなり、ノイズ成分を無視することができる。

さらに、リード線Ｌは遮光性を有しているが、リード線Ｌを細く形成することができるため、画像表示に悪影響を及ぼし難い。また、リード線Ｌを細く形成することができる分、各透明電極ＲＥのサイズを大きくすることができる。なお、透明電極ＲＥは透明であるため、サイズを大きくしても画像表示に悪影響を及ぼし難い。

上述したように、マトリクス状に検出電極Ｒｘを形成し、金属材料を利用してリード線Ｌを形成することにより、入力位置情報の検出精度のばらつきを抑制することができる。

また、第２絶縁基板２０の外面の上方にセンサＳＥ（検出電極Ｒｘ、リード線Ｌ）を形成することができる。このため、第２絶縁基板２０とは別の基板を用いてセンサＳＥを形成する場合と比べて、液晶表示装置ＤＳＰの薄型化を図ることができる。
上記のことから、入力位置情報の検出精度に優れた静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法を得ることができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法について詳細に説明する。図１４は、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの静電容量型センサＳＥを概略的に示す平面図であり、検出電極Ｒｘ、リード線Ｌ及びダミー線ＤＬのレイアウトを示す図である。

図１４に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、センサＳＥにダミー線ＤＬが付加されていることと、センサＳＥのレイアウトが異なること以外、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置と同様に形成されている。

検出電極Ｒｘは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並び、マトリクス状に配置されている。この実施形態において、検出電極Ｒｘは、透明電極ＲＥと分岐線ＬＢとの集合体で形成されている。複数の透明電極ＲＥのサイズは均一である。図示した例では、透明電極ＲＥの各々は、四角形状に形成されているが、その形状については図示した例に限らない。

リード線Ｌは、第１方向Ｘに並んで配置されている。また、リード線Ｌは、その先端に分岐した分岐線ＬＢを有している。分岐線ＬＢの少なくとも一部は、透明電極ＲＥと重なっている。分岐線ＬＢは、複数の透明電極ＲＥの対応する１個の透明電極ＲＥの真下に位置し、上記透明電極ＲＥに接触している。図示した例では、リード線Ｌの各々は、第１方向Ｘに対して斜めに交差する波形線と、第１方向Ｘに平行な直線とを組み合わせた形状であるが、その形状については図示した例に限らない。なお、波形線については、例えば第１方向Ｘに対して４５度に近い角度で交差している。
ここで、画素ＰＸの配列方向（第１方向Ｘまたは第２方向Ｙ）と金属線とは完全に並行になっても問題ない。但し、金属線と画素ＰＸの配列方向とが数度レベルの角度を成して交差する場合があり得る。上記の場合、モアレとなり、非常に大きな周期パターンが視認されることが多々ある。そこで、上記の事態を防ぐために、本実施形態のように、あらかじめ画素ＰＸの配列方向に角度をつけて金属線を配置し、モアレを非常に細かくしてモアレを視認できなくする手法が多く用いられている。

波形線は各所で切り離されており、リード線Ｌと透明電極ＲＥとの間には、いずれのリード線Ｌにも接続されていないダミー線ＤＬが配置されている。ダミー線ＤＬは電気的にフローティング状態にある。ダミー線ＤＬは、リード線Ｌと同様、液晶表示パネルＰＮＬの表示面の上方に設けられ、金属で形成されている。例えば、リード線Ｌ及びダミー線ＤＬは、同一材料で同時に形成されている。ダミー線ＤＬは、透明電極ＲＥ間の絶縁状態と、リード線Ｌ間の絶縁状態と、透明電極ＲＥ及びリード線Ｌ間の絶縁状態と、をそれぞれ維持している。

図中の検出電極Ｒｘ１〜Ｒｘ４は、第２方向Ｙに並んでいる。奇数番のリード線Ｌ１及びＬ３は検出電極Ｒｘの一端側（図の右側）に位置し、偶数番のリード線Ｌ２及びＬ４は検出電極Ｒｘの他端側（図の左側）に位置している。リード線Ｌ１は分岐線ＬＢ１を有し、リード線Ｌ２は分岐線ＬＢ２を有し、リード線Ｌ３は分岐線ＬＢ３を有し、リード線Ｌ４は分岐線ＬＢ４を有している。

検出電極Ｒｘ１は、分岐線ＬＢ１と分岐線ＬＢ１に重なった透明電極ＲＥとを有し、リード線Ｌ１と電気的に接続されている。同様に、検出電極Ｒｘ２は、分岐線ＬＢ２と分岐線ＬＢ２に重なった透明電極ＲＥとを有し、リード線Ｌ２と電気的に接続されている。検出電極Ｒｘ３は、分岐線ＬＢ３と分岐線ＬＢ３に重なった透明電極ＲＥとを有し、リード線Ｌ３と電気的に接続されている。検出電極Ｒｘ４は、分岐線ＬＢ４と分岐線ＬＢ４に重なった透明電極ＲＥとを有し、リード線Ｌ４と電気的に接続されている。
このような検出電極Ｒｘ１〜Ｒｘ４と、リード線Ｌ１〜Ｌ４とのセットが第１方向Ｘに並んでいる。

また、第１方向Ｘに隣接する波形線は、第１方向Ｘに等ピッチで並んでいた方が望ましい。上記波形線は、リード線Ｌ（分岐線ＬＢ）、ダミー線ＤＬを総括した金属線である。上記波形線の第１方向Ｘのピッチとしては、次の第１ピッチＰ１ａ、第２ピッチＰ２ａ、第３ピッチＰ３ａ及び第４ピッチＰ４ａを挙げることができる。

第１ピッチＰ１ａは、複数のリード線Ｌの第１方向Ｘのピッチである。第２ピッチＰ２ａは、複数のダミー線ＤＬの第１方向Ｘのピッチである。第３ピッチＰ３ａは、複数のリード線Ｌ及び複数のダミー線ＤＬのうち互いに隣合うリード線Ｌ及びダミー線ＤＬの第１方向Ｘのピッチである。第４ピッチＰ４ａは、リード線Ｌの複数の分岐線ＬＢの第１方向Ｘのピッチである。

すると、第１ピッチＰ１ａ、第２ピッチＰ２ａ、第３ピッチＰ３ａ及び第４ピッチＰ４ａは、同一である方が望ましい。
また、第１ピッチＰ１ａ、第２ピッチＰ２ａ、第３ピッチＰ３ａ、及び第４ピッチＰ４ａは、第１方向Ｘの画素ピッチの整数倍である方が望ましい。センサＳＥの金属線と画素ＰＸとの干渉によるモアレが大きな周期で生じることがなくなるため、センサＳＥの金属線のパターンを確実に目立たなくすることができる。

ここで言う画素ピッチは、例えば図４に示す画素ＰＸのピッチＰｕに相当する。別の言い方をすると、ピッチＰｕは、ソース線Ｓの中心の第１方向Ｘのピッチである。

図１５は、図１４に示した静電容量型センサＳＥをＸＶ−ＸＶ線で切断した構造を概略的に示す断面図である。
図１５に示すように、リード線Ｌの分岐線ＬＢは、第２絶縁基板２０の外面２０Ａ上に形成されている。透明電極ＲＥは、外面２０Ａ上に形成されるとともに、分岐線ＬＢを直に覆っている。このため、透明電極ＲＥは、リード線Ｌと電気的に接続されている。

上記のように構成された第２の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法によれば、液晶表示装置ＤＳＰは、画像を表示する表示面を有した液晶表示パネルＰＮＬと、液晶表示パネルＰＮＬに設けられた静電容量型センサＳＥと、制御モジュールＣＭと、を備えている。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

さらに、リード線Ｌは、分岐線ＬＢを有している。分岐線ＬＢは、複数の透明電極ＲＥの対応する１個の透明電極ＲＥの真下に位置し、上記透明電極ＲＥに接触している。透明電極ＲＥ及び分岐線ＬＢの集合体は検出電極Ｒｘを形成している。透明電極ＲＥ及び分岐線ＬＢの集合体の電気抵抗値は、透明電極ＲＥのみの電気抵抗値より小さい。これにより、センサＳＥの低消費電力化を図ることができ、センサＳＥの高速応答性を実現することができる。

その他、透明電極ＲＥと対向する位置にも金属線（分岐線ＬＢ）を設けることにより、表示領域ＤＡでの金属線（リード線Ｌ（分岐線ＬＢ））の密度のばらつきを低減することができる。これにより、金属線のパターンを利用者に視認させ難くすることができる。

センサＳＥは、液晶表示パネルＰＮＬの表示面の上方に設けられ、表示領域ＤＡに位置し、金属で形成された複数のダミー線ＤＬをさらに有している。これにより、表示領域ＤＡでの金属線（リード線Ｌ（分岐線ＬＢ）、ダミー線ＤＬ）の密度のばらつきを一層低減することができるため、金属線のパターンを一層視認させ難くすることができる。

さらに、上述したように、第１方向Ｘの第１ピッチＰ１ａ、第２ピッチＰ２ａ、第３ピッチＰ３ａ及び第４ピッチＰ４ａは、同一であってもよい。金属線のパターンを一様なパターンとすることにより、一層視認させ難くすることができるためである。

または、上述したように、第１方向Ｘの第１ピッチＰ１ａ、第２ピッチＰ２ａ、第３ピッチＰ３ａ及び第４ピッチＰ４ａは、第１方向Ｘの画素ピッチの整数倍であってもよい。モアレの発生を防止することができるためである。さらに、各色の画素ＰＸの光透過量又は遮光面積のばらつきを低減することができるためである。

または、第１方向Ｘの第１ピッチＰ１ａ、第２ピッチＰ２ａ、第３ピッチＰ３ａ及び第４ピッチＰ４ａは、同一であり、第１方向Ｘの画素ピッチの整数倍であってもよい。

金属線のパターンを一層視認させ難くすることができるためである。また、モアレの発生を防止することができるためである。さらに、各色の画素ＰＸの光透過量又は遮光面積のばらつきを低減することができるためである。

または、第１方向Ｘの第１ピッチＰ１ａ、第２ピッチＰ２ａ、第３ピッチＰ３ａ及び第４ピッチＰ４ａは、表示領域ＤＡ内の領域単位で異ならせ、第１方向Ｘの画素ピッチの整数倍であってもよい。例えば、表示領域ＤＡの所定領域の第１方向Ｘの第１ピッチＰ１ａ、第２ピッチＰ２ａ、第３ピッチＰ３ａ及び第４ピッチＰ４ａを、第１方向Ｘの画素ピッチの３倍に設定し、表示領域ＤＡの別の領域の第１方向Ｘの第１ピッチＰ１ａ、第２ピッチＰ２ａ、第３ピッチＰ３ａ及び第４ピッチＰ４ａを第１方向Ｘの画素ピッチの４倍に設定してもよい。前述したが、ここで言う画素ピッチは、例えば図４に示す画素ＰＸのピッチＰｕに相当する。

上記のことから、入力位置情報の検出精度に優れた静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法を得ることができる。

（第２の実施形態の変形例１）
次に、上記第２の実施形態に係る静電容量型センサＳＥの変形例１について説明する。図１６は、上記第２の実施形態に係るセンサＳＥの変形例１の一部の構造を概略的に示す断面図である。図１６に示すように、センサＳＥは、複数のダミー電極ＤＲをさらに有している。ダミー電極ＤＲは、液晶表示パネルＰＮＬの表示面の上方に設けられ、表示領域ＤＡに位置している。ここでは、ダミー電極ＤＲは、第２絶縁基板２０の外面２０Ａ上に形成されている。ダミー電極ＤＲは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。例えば、透明電極ＲＥ及びダミー電極ＤＲは、同一材料で同時に形成されている。ダミー電極ＤＲは電気的にフローティング状態にある。

ダミー電極ＤＲは、複数の透明電極ＲＥの間に位置している。ここでは、ダミー電極ＤＲは、リード線Ｌの間、ダミー線ＤＬの間、リード線Ｌとダミー線ＤＬの間、リード線Ｌと透明電極ＲＥの間に位置している。このため、ダミー電極ＤＲは、透明電極ＲＥ、リード線Ｌ及びダミー線ＤＬに間隔を置いて位置している。ダミー電極ＤＲは、透明電極ＲＥ間の絶縁状態と、リード線Ｌ間の絶縁状態と、透明電極ＲＥ及びリード線Ｌ間の絶縁状態と、をそれぞれ維持している。

上記のように構成された第２の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例１においても、上記第２の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
透明電極ＲＥの間にもダミー電極ＤＲを設けることにより、表示領域ＤＡでの透明導電層（透明電極ＲＥ、ダミー電極ＤＲ）の密度のばらつきを低減することができる。これにより、透明導電層のパターンを利用者に視認させ難くすることができる。

（第２の実施形態の変形例２）
次に、上記第２の実施形態に係る静電容量型センサＳＥの変形例２について説明する。図１７Ａは、上記第２の実施形態に係るセンサＳＥの変形例２を概略的に示す平面図であり、検出電極Ｒｘ、リード線Ｌ及びダミー線ＤＬのレイアウトを示す図である。リード線Ｌの本線と、リード線Ｌの分岐線ＬＢと、ダミー線ＤＬとは、同一の幅を有している。但し、図１７Ａでは、リード線Ｌの本線と、リード線Ｌの分岐線ＬＢと、ダミー線ＤＬとを視覚的に識別するため、各線の太さを異ならせている。

図１７Ａに示すように、金属線（リード線Ｌ、ダミー線ＤＬ）がメッシュ状に形成されている点で、図１４に示した例と相違している。検出電極Ｒｘは、透明電極ＲＥと分岐線ＬＢとの集合体で形成されている。分岐線ＬＢは、例えば第１方向Ｘに対して４５度の角度で交差している。透明電極ＲＥは、分岐線ＬＢの網目を覆うように形成され、その四方に分岐線ＬＢに沿った波形の辺を有している。

また、この変形例２においても、第１方向Ｘに隣接する金属線（リード線Ｌ（分岐線ＬＢ）、ダミー線ＤＬ）は、第１方向Ｘに等ピッチで並んでいた方が望ましい。上記金属線の第１方向Ｘのピッチは、金属線の交点のピッチである。但し、上記金属線の交点は、仮想上の交点も含んでいる。すなわち、上記仮想上の交点は、金属線の仮想上の延長線の交点である。金属線は分断して形成されているためである。上記金属線の第１方向Ｘのピッチとしては、次の第１ピッチＰ１ｂ、第２ピッチＰ２ｂ、第３ピッチＰ３ｂ及び第４ピッチＰ４ｂを挙げることができる。

ここで、第１ピッチＰ１ｂは、複数のリード線Ｌの角の第１方向Ｘのピッチである。第２ピッチＰ２ｂは、複数のダミー線ＤＬの交点（角）の第１方向Ｘのピッチである。第３ピッチＰ３ｂは、複数のリード線Ｌ及び複数のダミー線ＤＬのうち互いに隣合うリード線Ｌの角及びダミー線ＤＬの角の第１方向Ｘのピッチである。第４ピッチＰ４ｂは、リード線Ｌの複数の分岐線ＬＢの交点の第１方向Ｘのピッチである。

すると、第１ピッチＰ１ｂ、第２ピッチＰ２ｂ、第３ピッチＰ３ｂ及び第４ピッチＰ４ｂは、同一である方が望ましい。
また、第１ピッチＰ１ｂ、第２ピッチＰ２ｂ、第３ピッチＰ３ｂ、及び第４ピッチＰ４ｂは、第１方向Ｘの画素ピッチの整数倍である方が望ましい。ここで言う画素ピッチも、例えば図４に示す画素ＰＸのピッチＰｕに相当する。
上記のように構成された第２の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例２においても、上記第２の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

（第２の実施形態の変形例３）
次に、上記第２の実施形態に係る静電容量型センサＳＥの変形例３について説明する。図１７Ｂは、上記第２の実施形態に係るセンサＳＥの変形例３を概略的に示す平面図であり、検出電極Ｒｘ、リード線Ｌ及びダミー線ＤＬのレイアウトを示す図である。図１７Ｂに示すように、透明電極ＲＥ無しにセンサＳＥが形成されている点で、図１７Ａに示した例と相違している。検出電極Ｒｘは、分岐線ＬＢのみで形成されている。
上記のように構成された第２の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例３においても、上記第２の実施形態の変形例２で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

（第２の実施形態の変形例４）
次に、上記第２の実施形態に係る静電容量型センサＳＥの変形例４について説明する。図１８は、上記第２の実施形態に係るセンサＳＥの変形例４を概略的に示す平面図であり、検出電極Ｒｘ、リード線Ｌ、ダミー電極ＤＲ及びダミー線ＤＬのレイアウトを示す図である。なお、リード線Ｌの本線と、リード線Ｌの分岐線ＬＢと、ダミー線ＤＬとは、同一の幅を有している。検出電極Ｒｘは、透明電極ＲＥと分岐線ＬＢとの集合体で形成されている。

図１８に示すように、センサＳＥが複数のダミー電極ＤＲを有している点で、図１７に示した例と相違している。ダミー電極ＤＲは、液晶表示パネルＰＮＬの表示面の上方に設けられ、表示領域ＤＡに位置している。ここでは、ダミー電極ＤＲは、第２絶縁基板２０の外面（２０Ａ）上に形成されている。ダミー電極ＤＲは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。例えば、透明電極ＲＥ及びダミー電極ＤＲは、同一材料で同時に形成されている。

ダミー電極ＤＲは、複数の透明電極ＲＥの間に位置している。ここでは、ダミー電極ＤＲは、リード線Ｌの間、ダミー線ＤＬの間、リード線Ｌとダミー線ＤＬの間に位置している。このため、ダミー電極ＤＲは、透明電極ＲＥ、リード線Ｌ及びダミー線ＤＬに間隔を置いて位置している。ダミー電極ＤＲは、透明電極ＲＥ間の絶縁状態と、リード線Ｌ間の絶縁状態と、透明電極ＲＥ及びリード線Ｌ間の絶縁状態と、をそれぞれ維持している。

上記のように構成された第２の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰの変形例３においても、上記第２の実施形態の変形例１で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法について詳細に説明する。図１９は、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの静電容量型センサＳＥを概略的に示す平面図であり、検出電極Ｒｘ、リード線Ｌ及びダミー線ＤＬのレイアウトを示す図である。

図１９に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、センサＳＥに層間絶縁膜ＩＩが付加されていることと、センサＳＥのレイアウトが異なること以外、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置と同様に形成されている。

検出電極Ｒｘは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並び、マトリクス状に配置されている。検出電極Ｒｘは、透明電極ＲＥのみで形成されている。この実施形態において、複数の透明電極ＲＥのサイズは均一である。図示した例では、透明電極ＲＥの各々は、四角形状に形成されているが、その形状については図示した例に限らない。

リード線Ｌは、第１方向Ｘに並んで配置されている。リード線Ｌは、第２方向Ｙに並んだ複数の透明電極ＲＥと対向している。図示した例では、リード線Ｌの各々は、第１方向Ｘに対して斜めに交差する波形であるが、その形状については図示した例に限らない。

また、第１方向Ｘに隣接するリード線Ｌは、第１方向Ｘに等ピッチで並んでいた方が望ましい。または、第１方向Ｘのリード線ＬのピッチＰ１ｃは、第１方向Ｘの画素ピッチの整数倍である方が望ましい。ここで言う画素ピッチも、例えば図４に示す画素ＰＸのピッチＰｕに相当する。

図２０は、図１９に示した静電容量型センサＳＥの一部を概略的に示す断面図である。図２０に示すように、静電容量型センサＳＥは、層間絶縁膜ＩＩをさらに有している。層間絶縁膜ＩＩは、複数のリード線Ｌと複数の透明電極ＲＥとの間に設けられている。

この実施形態において、リード線Ｌは、第２絶縁基板２０の外面２０Ａ上に形成されている。層間絶縁膜ＩＩは、リード線Ｌが形成された第２絶縁基板２０の外面２０Ａ上に形成されている。層間絶縁膜ＩＩには、複数のコンタクトホールＣＨが形成されている。各コンタクトホールＣＨは、１本のリード線Ｌを露出させている。透明電極ＲＥは、層間絶縁膜ＩＩ上に形成されている。透明電極ＲＥは、対応するコンタクトホールＣＨを通り、対応する１本のリード線Ｌにコンタクトしている。

上記のように構成された第３の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法によれば、液晶表示装置ＤＳＰは、画像を表示する表示面を有した液晶表示パネルＰＮＬと、液晶表示パネルＰＮＬに設けられた静電容量型センサＳＥと、制御モジュールＣＭと、を備えている。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

センサＳＥは層間絶縁膜ＩＩを有している。リード線Ｌ及び透明電極ＲＥは、層間絶縁膜ＩＩを挟んで設けられている。層間絶縁膜ＩＩ上に透明電極ＲＥのみを配置することができる。すなわち、透明電極ＲＥを効率よく配置することができるため、スペースの利用効率の向上を図ることができる。
上記のことから、入力位置情報の検出精度に優れた静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法を得ることができる。

（第３の実施形態の変形例）
次に、上記第３の実施形態に係る静電容量型センサＳＥの変形例について説明する。検出電極Ｒｘとリード線Ｌの位置が逆転していてもよい。この場合、透明電極ＲＥは第２絶縁基板２０の外面２０Ａ上に形成され、リード線Ｌが層間絶縁膜ＩＩ上に形成されている。そして、本変形例においても、上記第３の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。但し、金属線（リード線Ｌ）の腐食を考慮すると、本変形例より上記第３の実施形態のように、金属線（リード線Ｌ）は、透明電極ＲＥ及び層間絶縁膜ＩＩの下方に位置していた方が望ましい。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法について詳細に説明する。図２１は、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの駆動方法を説明するためのタイミングチャートであり、映像信号Ｖｓｉｇ、書込み信号Ｖｗ及び読取り信号Ｖｒを示す図である。本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置と同様に形成されている。液晶表示パネルＰＮＬ及びセンサＳＥは、制御モジュールＣＭの制御の下、駆動される。

図２１に示すように、この実施形態において、制御モジュールＣＭは、１フレーム（１Ｆ）期間に、表示動作期間Ｐｄに行われる表示動作と、表示動作期間Ｐｄから外れた入力位置情報検出期間Ｐｓに行われる入力位置情報検出動作と、を繰り返し行う。入力位置情報検出期間Ｐｓは、例えばブランキング期間である。ブランキング期間としては、水平ブランキング期間や垂直ブランキング期間等を挙げることができる。

表示動作期間Ｐｄには、ゲート線駆動回路ＧＤからゲート線Ｇに制御信号を与え、ソース線駆動回路ＳＤからソース線Ｓに映像信号Ｖｓｉｇを与え、共通電極駆動回路ＣＤから共通電極ＣＥ（分割電極Ｃ）にコモン電圧Ｖｃｏｍを与え、液晶表示パネルＰＮＬを駆動する。液晶表示パネルＰＮＬはマルチプレクサＭＵ１を備えているため、ソース線Ｓは時分割駆動される。
画素ＰＸに信号（映像信号Ｖｓｉｇ、制御信号、コモン電圧Ｖｃｏｍ）を書き込む期間にセンサＳＥを駆動して入力位置情報を検出することも可能である。但し、画素ＰＸに信号を書き込む期間に液晶表示パネルＰＮＬがセンサＳＥに与えるノイズの影響は一般的に非常に大きい。このため、画素ＰＸへの信号（映像信号Ｖｓｉｇ等）の書き込みを止めた後、センサＳＥによるセンシングを行うことで非常に高感度の検出が可能となる。

入力位置情報検出期間Ｐｓには、液晶表示パネルＰＮＬへの制御信号、映像信号Ｖｓｉｇ及びコモン電圧Ｖｃｏｍ入力を休止し、センサＳＥを駆動する。センサＳＥを駆動する際、制御モジュールＣＭは、検出電極Ｒｘに対して書込み信号Ｖｗを書込み、書込み信号Ｖｗが書込まれた検出電極Ｒｘに生じた静電容量の変化を示す読取り信号Ｖｒを読取り、静電容量の変化に基づいて入力位置情報を判断する。

上記のように構成された第４の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法によれば、液晶表示装置ＤＳＰは、上記第１の実施形態の液晶表示装置と同様に形成されている。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
上記のことから、入力位置情報の検出精度に優れた静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法を得ることができる。

（第４の実施形態の変形例）
次に、上記第４の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの駆動方法の変形例について詳細に説明する。図２２は、上記第４の実施形態に係る駆動方法の変形例を説明するためのタイミングチャートであり、映像信号Ｖｓｉｇ、コモン電圧Ｖｃｏｍ、電位調整信号Ｖａ、書込み信号Ｖｗ及び読取り信号Ｖｒを示す図である。

図２２に示すように、この変形例の１フレーム（１Ｆ）期間は、前半の表示動作期間Ｐｄに表示動作が行われ、後半の入力位置情報検出期間Ｐｓに入力位置情報検出動作が行われる。制御モジュールＣＭは、入力位置情報検出期間Ｐｓに、センサＳＥ（検出電極Ｒｘ）に書込む書込み信号Ｖｗと同一波形を有する電位調整信号Ｖａを書込み信号Ｖｗと同期して共通電極ＣＥに書込んでいる。ここで、上記同一波形とは、書込み信号Ｖｗと電位調整信号Ｖａとが、位相、振幅及び周期に関して同一であることを言う。

例えば、制御モジュールＣＭが駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２に同期信号を与え、書込み信号Ｖｗ及び電位調整信号Ｖａを同期させることができる。または、駆動ＩＣチップＩＣ２がセンサＳＥの駆動（走査）時期を知らせるパルス状のタイミング信号を駆動ＩＣチップＩＣ１に与え、書込み信号Ｖｗ及び電位調整信号Ｖａを同期させることができる。

上記のように構成された第４の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの駆動方法の変形例においても、上記第４の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

入力位置情報検出期間Ｐｓに、書込み信号Ｖｗと同一波形を有する電位調整信号Ｖａを書込み信号Ｖｗと同期して共通電極ＣＥに書込んでいる。これにより、検出電極Ｒｘと共通電極ＣＥとの間に形成される寄生容量が除去される期間Ｐｓを設けることができるため、センサＳＥを一層良好に駆動することができ、入力位置情報を検出する精度のさらなる向上を図ることができる。

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法について詳細に説明する。図２３は、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの駆動方法を説明するための図であり、複数の分割電極Ｃと複数の検出電極Ｒｘとを示す平面図である。

図２３に示すように、この実施形態では、共通電極ＣＥは、第１分割電極Ｃ１、第２分割電極Ｃ２、及び第３分割電極Ｃ３を有している。第１分割電極Ｃ１には、複数の第１検出電極Ｒｘ１が対向し、第２分割電極Ｃ２には、複数の第２検出電極Ｒｘ２が対向し、第３分割電極Ｃ３には、複数の第３検出電極Ｒｘ３が対向している。

本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置と基本的に同様に形成されている。液晶表示パネルＰＮＬ及びセンサＳＥは、制御モジュールＣＭの制御の下、駆動される。

図２４は、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの駆動方法を説明するためのタイミングチャートであり、映像信号Ｖｓｉｇ、コモン電圧Ｖｃｏｍ、電位調整信号Ｖａ、書込み信号Ｖｗ及び読取り信号Ｖｒを示す図である。

図２４に示すように、この実施形態において、制御モジュールＣＭは、１フレーム（１Ｆ）期間に、表示動作期間Ｐｄに行われる表示動作と、表示動作期間Ｐｄから外れた入力位置情報検出期間Ｐｓに行われる入力位置情報検出動作と、を繰り返し行う。

まず、表示動作期間Ｐｄ１には、ゲート線駆動回路ＧＤからゲート線Ｇに制御信号を与え、ソース線駆動回路ＳＤからソース線Ｓに映像信号Ｖｓｉｇを与え、共通電極駆動回路ＣＤから第１分割電極Ｃ１にコモン電圧Ｖｃｏｍを与え、液晶表示パネルＰＮＬを駆動する。表示動作期間Ｐｄ１に、第１分割電極Ｃ１を利用する複数の画素ＰＸが駆動される。

次いで、入力位置情報検出期間Ｐｓ１には、液晶表示パネルＰＮＬへの制御信号、映像信号Ｖｓｉｇ及びコモン電圧Ｖｃｏｍ入力を休止し、センサＳＥを駆動する。センサＳＥを駆動する際、制御モジュールＣＭは、第１検出電極Ｒｘ１に対してのみ第１書込み信号Ｖｗ１を書込み、第１書込み信号Ｖｗ１が書込まれた第１検出電極Ｒｘ１に生じた静電容量の変化を示す第１読取り信号Ｖｒ１を読取り、静電容量の変化に基づいて入力位置情報を判断する。制御モジュールＣＭは、入力位置情報検出期間Ｐｓ１に、第１検出電極Ｒｘ１に書込む第１書込み信号Ｖｗ１と同一波形を有する電位調整信号Ｖａ（Ｖａ１）を第１書込み信号Ｖｗ１と同期して第１分割電極Ｃ１に書込む。

続いて、表示動作期間Ｐｄ２には、ゲート線駆動回路ＧＤからゲート線Ｇに制御信号を与え、ソース線駆動回路ＳＤからソース線Ｓに映像信号Ｖｓｉｇを与え、共通電極駆動回路ＣＤから第２分割電極Ｃ２にコモン電圧Ｖｃｏｍを与え、液晶表示パネルＰＮＬを駆動する。表示動作期間Ｐｄ２に、第２分割電極Ｃ２を利用する複数の画素ＰＸが駆動される。

その後、入力位置情報検出期間Ｐｓ２には、液晶表示パネルＰＮＬへの制御信号、映像信号Ｖｓｉｇ及びコモン電圧Ｖｃｏｍ入力を休止し、センサＳＥを駆動する。センサＳＥを駆動する際、制御モジュールＣＭは、第２検出電極Ｒｘ２に対してのみ第２書込み信号Ｖｗ２を書込み、第２書込み信号Ｖｗ２が書込まれた第２検出電極Ｒｘ２に生じた静電容量の変化を示す第２読取り信号Ｖｒ２を読取り、静電容量の変化に基づいて入力位置情報を判断する。制御モジュールＣＭは、入力位置情報検出期間Ｐｓ２に、第２検出電極Ｒｘ２に書込む第２書込み信号Ｖｗ２と同一波形を有する電位調整信号Ｖａ（Ｖａ２）を第２書込み信号Ｖｗ２と同期して第２分割電極Ｃ２に書込む。

次に、表示動作期間Ｐｄ３には、ゲート線駆動回路ＧＤからゲート線Ｇに制御信号を与え、ソース線駆動回路ＳＤからソース線Ｓに映像信号Ｖｓｉｇを与え、共通電極駆動回路ＣＤから第３分割電極Ｃ３にコモン電圧Ｖｃｏｍを与え、液晶表示パネルＰＮＬを駆動する。表示動作期間Ｐｄ３に、第３分割電極Ｃ３を利用する複数の画素ＰＸが駆動される。

その後、入力位置情報検出期間Ｐｓ３には、液晶表示パネルＰＮＬへの制御信号、映像信号Ｖｓｉｇ及びコモン電圧Ｖｃｏｍ入力を休止し、センサＳＥを駆動する。センサＳＥを駆動する際、制御モジュールＣＭは、第３検出電極Ｒｘ３に対してのみ第３書込み信号Ｖｗ３を書込み、第３書込み信号Ｖｗ３が書込まれた第３検出電極Ｒｘ３に生じた静電容量の変化を示す第３読取り信号Ｖｒ３を読取り、静電容量の変化に基づいて入力位置情報を判断する。制御モジュールＣＭは、入力位置情報検出期間Ｐｓ３に、第３検出電極Ｒｘ３に書込む第３書込み信号Ｖｗ３と同一波形を有する電位調整信号Ｖａ（Ｖａ３）を第３書込み信号Ｖｗ３と同期して第３分割電極Ｃ３に書込む。

上記のように構成された第５の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法によれば、液晶表示装置ＤＳＰは、上記第１の実施形態の液晶表示装置と同様に形成されている。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

電位調整信号Ｖａは、単一の共通電極ＣＥにではなく、複数に分断された各分割電極Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３）に与えることができる。
これにより、電位調整信号Ｖａを、複数の分割電極Ｃのうち、書込み信号Ｖｗが書込まれている検出電極Ｒｘに対向した分割電極Ｃのみに書込むことができる。例えば、第１検出電極Ｒｘ１と第１分割電極Ｃ１との間に形成される寄生容量が除去される期間Ｐｓ１を設けることができるため、第１検出電極Ｒｘ１（センサＳＥ）を一層良好に駆動することができ、入力位置情報を検出する精度のさらなる向上を図ることができる。

また、共通電極ＣＥは、複数の分割電極Ｃに分断されて形成されている。これにより、次に挙げる２つの効果を得ることができる。
（１）共通電極ＣＥの時定数を改善することができるため、センサＳＥを高速で走査することができ、センサＳＥの検出感度の向上を図ることができる。
（２）共通電極ＣＥのＣＲ（時定数）が小さくなり、消費電力が下がる。
上記のことから、入力位置情報の検出精度に優れた静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法を得ることができる。

（第５の実施形態の変形例）
次に、上記第５の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの駆動方法の変形例について詳細に説明する。図２５は、上記第５の実施形態に係る駆動方法の変形例を説明するためのタイミングチャートであり、映像信号Ｖｓｉｇ、コモン電圧Ｖｃｏｍ、電位調整信号Ｖａ、書込み信号Ｖｗ及び読取り信号Ｖｒを示す図である。

図２５に示すように、入力位置情報検出期間Ｐｓ１に、電位調整信号Ｖａ（Ｖａ１，Ｖａ２）を、第１分割電極Ｃ１だけでなく、第１分割電極Ｃ１の片側に隣合う第２分割電極Ｃ２にも書込んでいる。
入力位置情報検出期間Ｐｓ２に、電位調整信号Ｖａ（Ｖａ１，Ｖａ２，Ｖａ３）を、第２分割電極Ｃ２だけでなく、第２分割電極Ｃ２の両側に隣合う第１分割電極Ｃ１及び第３分割電極Ｃ３にも書込んでいる。
入力位置情報検出期間Ｐｓ３に、電位調整信号Ｖａ（Ｖａ２，Ｖａ３）を、第３分割電極Ｃ３だけでなく、第３分割電極Ｃ３の片側に隣合う第２分割電極Ｃ２にも書込んでいる。
ここで、第１書込み信号Ｖｗ１、第２書込み信号Ｖｗ２、第３書込み信号Ｖｗ３、及び電位調整信号Ｖａ１，Ｖａ２，Ｖａ３は、同一波形を有している。

上記のように構成された第５の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの駆動方法の変形例においても、上記第５の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。また、この変形例では、例えば、第１検出電極Ｒｘ１と第１分割電極Ｃ１との間に形成される寄生容量が除去されるだけでなく第１検出電極Ｒｘ１と第２分割電極Ｃ２との間に形成される寄生容量も除去される期間Ｐｓ１を設けることができる。このため、第１検出電極Ｒｘ１（センサＳＥ）を一層良好に駆動することができ、入力位置情報を検出する精度のさらなる向上を図ることができる。

（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法について詳細に説明する。本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置と同様に形成されている。図２６は、本実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰの駆動方法を説明するための図であり、ゲート線Ｇに接続された制御スイッチング素子ＣＳＷ１と、ソース線Ｓに接続された制御スイッチング素子ＣＳＷ２とが全てオフにされている状態を示す図である。

図２６に示すように、入力位置情報検出期間に、制御モジュールＣＭは、制御スイッチング素子ＣＳＷ１及び制御スイッチング素子ＣＳＷ２をそれぞれオフにし、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓを電気的フローティング状態に切替えている。

上記のように構成された第６の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法によれば、液晶表示装置ＤＳＰは、上記第１の実施形態の液晶表示装置と同様に形成されている。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
入力位置情報検出期間に、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓを電気的フローティング状態に切替えることができる。共通電極ＣＥとゲート線Ｇの間、並びに共通電極ＣＥとソース線Ｓの間に、それぞれ不所望に形成される寄生容量（浮遊容量）が低減される入力位置情報検出期間を設けることができる。すなわち、入力位置情報検出期間において、共通電極ＣＥの抵抗を低減することができ、例えば、電位調整信号Ｖａによる共通電極ＣＥの高速駆動が可能となる。このため、入力位置情報検出期間に、センサＳＥと共通電極ＣＥとを良好に駆動することができ、入力位置情報を検出する精度の向上を図ることができる。
上記のことから、入力位置情報の検出精度に優れた静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法を得ることができる。

（第６の実施形態の変形例）
本変形例は、共通電極ＣＥとソース線Ｓとの間に接続された制御スイッチング素子が液晶表示パネルＰＮＬに付加されている点で、上記第６の実施形態に示した例と相違している。制御モジュールＣＭの制御の下、駆動ＩＣチップＩＣ１は、上記制御スイッチング素子をオン又はオフとし、共通電極ＣＥとソース線Ｓとを導通状態又は非導通状態に切替えることができる。表示動作期間に、上記制御スイッチング素子はオフにされる。
例えば、入力位置情報検出期間に、上記制御スイッチング素子をオンにすることにより、共通電極ＣＥとソース線Ｓとをショートさせ、共通電極ＣＥとソース線Ｓとを同電位に設定することができる。例えば、電位調整信号Ｖａは、共通電極ＣＥを通ってソース線Ｓに与えられる。
上記のことから、本変形例は、上記第６の実施形態と比べて、入力位置情報検出期間における共通電極ＣＥの抵抗を一層低減することができる。

（第７の実施形態）
次に、第７の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法について詳細に説明する。本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置と同様に形成されている。図２７は、本実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰの駆動方法を説明するための図であり、ソース線Ｓに接続された制御スイッチング素子ＣＳＷ２が全てオンにされている状態を示す図である。なお、ゲート線Ｇに接続された制御スイッチング素子ＣＳＷ１は全てオフにされている。
図２７に示すように、入力位置情報検出期間に、制御モジュールＣＭは、制御スイッチング素子ＣＳＷ２を全てオンにさせる。

図２８は、本実施形態に係る駆動方法を説明するためのタイミングチャートであり、映像信号Ｖｓｉｇ、コモン電圧Ｖｃｏｍ、電位調整信号Ｖａ、書込み信号及Ｖｗ及び読取り信号Ｖｒを示す図である。図２８に示すように、入力位置情報検出期間Ｐｓに、電位調整信号Ｖａを、電位調整信号Ｖａを共通電極ＣＥ（分割電極Ｃ）だけでなく全てのソース線Ｓにもそれぞれ同期して書込んでいる。
なお、上記第６の実施形態の変形例に示したように、共通電極ＣＥとソース線Ｓとをショートした方が共通電極ＣＥの抵抗が下がり、共通電極ＣＥの高速駆動が可能である。

上記のように構成された第７の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法によれば、液晶表示装置ＤＳＰは、上記第１の実施形態の液晶表示装置と同様に形成されている。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

入力位置情報検出期間Ｐｓに、書込み信号Ｖｗと同一波形を有する電位調整信号Ｖａを書込み信号Ｖｗと同期して共通電極ＣＥだけでなく、ソース線Ｓにも書込んでいる。これにより、検出電極Ｒｘと共通電極ＣＥとの間、共通電極ＣＥとソース線Ｓとの間、にそれぞれ形成される寄生容量が除去される入力位置情報検出期間Ｐｓを設けることができる。すなわち、入力位置情報検出期間Ｐｓにおいて、共通電極ＣＥの抵抗を低減することができ、例えば、電位調整信号Ｖａによる共通電極ＣＥの高速駆動が可能となる。このため、センサＳＥと共通電極ＣＥとを一層良好に駆動することができ、入力位置情報を検出する精度のさらなる向上を図ることができる。
上記のことから、入力位置情報の検出精度に優れた静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法を得ることができる。

（第７の実施形態の変形例１）
次に、上記第７の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの駆動方法の変形例１について詳細に説明する。入力位置情報検出期間Ｐｓに、制御モジュールＣＭは、制御スイッチング素子ＣＳＷ２の替わりに制御スイッチング素子ＣＳＷ１を全てオンにしてもよい。入力位置情報検出期間Ｐｓに、書込み信号Ｖｗと同一波形を有する電位調整信号Ｖａを書込み信号Ｖｗと同期して共通電極ＣＥだけでなく、ゲート線Ｇに書込むことができる。これにより、検出電極Ｒｘと共通電極ＣＥとの間、共通電極ＣＥとゲート線Ｇとの間、にそれぞれ形成される寄生容量が除去される入力位置情報検出期間Ｐｓを設けることができる。

（第７の実施形態の変形例２）
次に、上記第７の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの駆動方法の変形例２について詳細に説明する。入力位置情報検出期間Ｐｓに、制御モジュールＣＭは、制御スイッチング素子ＣＳＷ２だけでなく制御スイッチング素子ＣＳＷ１についても全てオンにしてもよい。入力位置情報検出期間Ｐｓに、書込み信号Ｖｗと同一波形を有する電位調整信号Ｖａを書込み信号Ｖｗと同期して共通電極ＣＥだけでなく、ソース線Ｓ及びゲート線Ｇに書込むことができる。これにより、検出電極Ｒｘと共通電極ＣＥとの間、共通電極ＣＥとソース線Ｓの間、共通電極ＣＥとゲート線Ｇとの間、にそれぞれ形成される寄生容量が除去される入力位置情報検出期間Ｐｓを設けることができる。

（第８の実施形態）
次に、第８の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法について詳細に説明する。図２９は、本実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰの一部を示す回路図であり、静電容量型センサＳＥ、マルチプレクサＭＵ２及び複数の検出器ＤＥを示す図である。

図２９に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、マルチプレクサＭＵ２が付加されていることと、検出器ＤＥの個数（規模）が低減されること以外、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置と同様に形成されている。なお、各検出器ＤＥは、図１０Ａに示した回路構成と対応している。例えば、マルチプレクサＭＵ２及び複数の検出器ＤＥは、図１に示した駆動ＩＣチップＩＣ２に設けられ、センサＳＥと制御モジュールＣＭとの間に接続されている。なお、マルチプレクサＭＵ２及び複数の検出器ＤＥは、制御モジュールＣＭ等、駆動ＩＣチップＩＣ２以外の個所に設けられてもよい。
ここで、マルチプレクサＭＵ２の検出方式に合わせて、共通電極ＣＥは分割して形成されていた方が望ましい。

マルチプレクサＭＵ２は、センサＳＥと複数の検出器ＤＥとの間に接続されている。制御モジュールＣＭによる制御の下、マルチプレクサＭＵ２は、複数の検出器ＤＥから伝達される書込み信号Ｖｗを分配して複数の検出電極Ｒｘに書込む。また、マルチプレクサＭＵ２は、複数の検出電極Ｒｘから選択的に読取った読取り信号Ｖｒを複数の検出器ＤＥに伝達する。

マルチプレクサＭＵ２としては、１／２マルチプレクサや１／３マルチプレクサ等、各種のマルチプレクサを利用することができる。例えば、マルチプレクサＭＵ２に１／３マルチプレクサを利用する場合、検出器ＤＥの個数は、リード線Ｌの本数（検出電極Ｒｘの個数）の１／３である。

上記のように構成された第８の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法によれば、液晶表示装置ＤＳＰは、マルチプレクサＭＵ２及び複数の検出器ＤＥを除いて上記第１の実施形態の液晶表示装置と同様に形成されている。このため、本実施形態においても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

センサＳＥは、マルチプレクサＭＵ２に接続されている。このため、検出電極Ｒｘをマトリクス状に配置することにより、検出電極Ｒｘの個数が多くなっても、検出器ＤＥの個数を低減することができる。
上記のことから、入力位置情報の検出精度に優れた静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法を得ることができる。

（第９の実施形態）
次に、第９の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法について詳細に説明する。図３０は、本実施形態に係る静電容量型センサＳＥの構成を概略的に示す平面図である。

図３０に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、センサＳＥに複数の対向電極Ｔｘが付加されていることと、センサＳＥのレイアウトが異なること以外、上述した各実施形態に係る液晶表示装置と同様に形成されている。

検出電極Ｒｘは、第１方向Ｘに並んで表示領域ＤＡ内に配置されている。検出電極Ｒｘは、金属線のみで形成されている。図示した例では、検出電極Ｒｘの各々は、第１方向Ｘに対して斜めに交差する波形状に形成されているが、その形状については図示した例に限らない。また、検出電極Ｒｘは、非表示領域ＮＤＡに引き出され、ＯＬＢパッド群ｐＧ２に接続されている。検出電極Ｒｘは、金属で線状に形成されている。

この実施形態においても、第１方向Ｘに隣接する検出電極Ｒｘは、第１方向Ｘに等ピッチで並んでいた方が望ましい。また、第１方向Ｘの検出電極Ｒｘのピッチは、第１方向Ｘの画素ピッチの整数倍である方が望ましい。ここで言う画素ピッチは、例えば図４に示す画素ＰＸのピッチＰｕに相当する。

対向電極Ｔｘは、帯状に形成され、第１方向Ｘに略直線的に延在している。対向電極Ｔｘは、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。対向電極Ｔｘは、複数の検出電極Ｒｘと対向している。対向電極Ｔｘは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。

センサＳＥはリード線Ｌｔを有している。リード線Ｌｔは、金属で形成され、非表示領域ＮＤＡに設けられている。リード線Ｌｔは、対向電極ＴｘとＯＬＢパッド群ｐＧ２とに接続されている。

図３１は、図３０に示した静電容量型センサをＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ線で切断したときの構造を概略的に示す断面図である。図３１に示すように、センサＳＥは、層間絶縁膜ＩＩをさらに有している。層間絶縁膜ＩＩは、対向電極Ｔｘと、金属線（検出電極Ｒｘ、リード線Ｌｔ）との間に設けられている。

この実施形態において、対向電極Ｔｘは、第２絶縁基板２０の外面２０Ａ上に形成されている。層間絶縁膜ＩＩは、対向電極Ｔｘが形成された第２絶縁基板２０の外面２０Ａ上に形成されている。検出電極Ｒｘ及びリード線Ｌｔは、層間絶縁膜ＩＩが形成された第２絶縁基板２０の外面２０Ａ上に形成されている。

上記のように構成された第９の実施形態に係る静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法によれば、センサＳＥは、第２方向Ｙに延在した検出電極Ｒｘと、第１方向Ｘに延在し検出電極Ｒｘに対向した対向電極Ｔｘと、を備えている。制御モジュールＣＭの制御の下、対向電極Ｔｘに書込み信号Ｖｗを書込み、検出電極Ｒｘから読取り信号Ｖｒを読取ることができる。これにより、センサＳＥは、ミューチャル検出方式にて入力位置情報を判断することができる。
上記のことから、本実施形態においても、入力位置情報の検出精度に優れた静電容量型センサ付き液晶表示装置ＤＳＰ及びその駆動方法を得ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

例えば、マトリクス状に設けられた複数の検出電極Ｒｘは複数の検出電極群を形成していてもよい。複数の検出電極群は、それぞれ第２方向Ｙに並んだ複数の検出電極Ｒｘを有し、第１方向Ｘに並べられている。制御モジュールＣＭの制御の下、ミューチャル検出方式にて読取り信号Ｖｒを読取った後、各々の検出電極群から読取った複数の読取り信号Ｖｒを１つの信号に束ねてもよい。従来から知られている技術を利用して信号を束ねることができる。

本発明の実施形態として上述した検出電極Ｒｘ、透明電極ＲＥ、ダミー電極ＤＲ、リード線Ｌ、ダミー線ＤＬ、層間絶縁膜ＩＩ等を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての静電容量型センサも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
また、分割電極Ｃは、第２方向Ｙに延在し、第１方向Ｘに間隔を置いて並べられていてもよい。

上述した実施形態では、表示装置及びその駆動方法として、液晶表示装置及びその駆動方法を例に開示した。しかし、実施形態に係る表示装置としては、有機ＥＬ（electroluminescent）表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。

ＤＳＰ…液晶表示装置、ＰＮＬ…液晶表示パネル、ＵＰ…単位画素、ＰＸ…画素、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、Ｇ…ゲート線、Ｓ…ソース線、ＣＥ…共通電極、Ｃ…分割電極、ＰＳＷ…画素スイッチング素子、ＰＥ…画素電極、ＣＳＷ１…制御スイッチング素子、ＣＳＷ２…制御スイッチング素子、ＳＥ…静電容量型センサ、Ｒｘ…検出電極、ＲＥ…透明電極、ＤＲ…ダミー電極、Ｌ…リード線、ＬＢ…分岐線、ＤＬ…ダミー線、ＩＩ…層間絶縁膜、ＣＭ…制御モジュール、ＩＣ１…駆動ＩＣチップ、ＩＣ２…駆動ＩＣチップ、ＭＵ２…マルチプレクサ、ＤＥ…検出器、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向、Ｖｗ…書込み信号、Ｖｒ…読取り信号、Ｖａ，Ｖａ１，Ｖａ２，Ｖａ３…電位調整信号、Ｐ１ａ，Ｐ２ａ，Ｐ３ａ，Ｐ４ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ｂ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ｂ，Ｐ１ｃ，Ｐｕ…ピッチ、Ｐｄ，Ｐｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３…表示動作期間、Ｐｓ，Ｐｓ１，Ｐｓ２，Ｐｓ３…入力位置情報検出期間。

Claims (17)

1. 画像を表示する表示面を有した表示パネルと、
   前記表示パネルに設けられた静電容量型センサと、を備え、
   前記静電容量型センサは、
   互いに電気的に独立して前記表示面の上方に設けられ、静電容量の変化を検出するマトリクス状の複数の検出電極と、
   前記表示面の上方に設けられ、前記複数の検出電極に一対一で接続され、金属で形成された複数のリード線と、を有している静電容量型センサ付き表示装置。
2. 前記複数のリード線に接続された制御モジュールをさらに備え、
   前記制御モジュールは、各々の前記検出電極に対して書込み信号を書込み、前記書込み信号が書込まれた各々の前記検出電極に生じた静電容量の変化を示す読取り信号を読取り、前記静電容量の変化に基づいて入力位置情報を判断する請求項１に記載の静電容量型センサ付き表示装置。
3. 複数の検出器と、
   前記静電容量型センサと前記複数の検出器との間に接続されたマルチプレクサと、をさらに備え、
   前記マルチプレクサは、前記複数の検出器から伝達される前記書込み信号を分配して前記複数の検出電極に書込み、前記複数の検出電極から選択的に読取った前記読取り信号を前記複数の検出器に伝達する請求項２に記載の静電容量型センサ付き表示装置。
4. 各々の前記検出電極は、透明な導電材料で形成された透明電極と、各々の前記リード線から分岐した複数の分岐線との集合体で形成され、
   前記複数の分岐線は、前記透明電極の真下に位置し、前記透明電極に接触している請求項１に記載の静電容量型センサ付き表示装置。
5. 各々の前記検出電極は、透明な導電材料で形成された透明電極であり、
   前記静電容量型センサは、前記複数のリード線と前記複数の検出電極との間に設けられた層間絶縁膜をさらに有する請求項１に記載の静電容量型センサ付き表示装置。
6. 前記静電容量型センサは、前記表示パネルの表示面の上方に設けられ金属で形成された複数のダミー線をさらに有している請求項１に記載の静電容量型センサ付き表示装置。
7. 第１ピッチ、第２ピッチ及び第３ピッチは、同一であり、
   前記第１ピッチは、前記複数のリード線のピッチであり、
   前記第２ピッチは、前記複数のダミー線のピッチであり、
   前記第３ピッチは、前記複数のリード線及び複数のダミー線のうち互いに隣合うリード線及びダミー線のピッチである請求項６に記載の静電容量型センサ付き表示装置。
8. 前記表示パネルは、マトリクス状に配置された複数の画素をさらに有し、
   第１ピッチ、第２ピッチ及び第３ピッチは、画素ピッチの整数倍であり、
   前記第１ピッチは、前記複数のリード線のピッチであり、
   前記第２ピッチは、前記複数のダミー線のピッチであり、
   前記第３ピッチは、前記複数のリード線及び複数のダミー線のうち互いに隣合うリード線及びダミー線のピッチである請求項６に記載の静電容量型センサ付き表示装置。
9. 各々の前記検出電極は、透明な導電材料で形成された透明電極を有し、
   前記静電容量型センサは、前記表示パネルの表示面の上方に設けられ、前記複数の検出電極の複数の透明電極の間に位置し、透明な導電材料で形成された複数のダミー電極をさらに有している請求項１に記載の静電容量型センサ付き表示装置。
10. 各々の前記検出電極は、各々の前記リード線から分岐した複数の分岐線である請求項１に記載の静電容量型センサ付き表示装置。
11. 第１基板と画像を表示する表示面を有し前記第１基板に隙間を置いて対向配置された第２基板と複数の画素と前記第１基板又は第２基板に設けられ前記複数の画素で共用される共通電極とを有した表示パネルと、前記表示パネルに設けられた静電容量型センサと、を備え、各々の前記画素は前記第１基板に形成されゲート線及びソース線に接続された画素スイッチング素子と前記第１基板に形成され前記画素スイッチング素子に接続された画素電極とを有し、前記静電容量型センサは互いに電気的に独立して前記表示面の上方に設けられ静電容量の変化を検出するマトリクス状の複数の検出電極と前記表示面の上方に設けられ前記複数の検出電極に一対一で接続され金属で形成された複数のリード線とを有している、静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法において、
    表示動作期間に前記ゲート線に制御信号を与え前記ソース線に映像信号を与え前記表示パネルを駆動し、前記表示動作期間から外れた入力位置情報検出期間に前記表示パネルへの前記制御信号及び映像信号の入力を休止し前記静電容量型センサを駆動し、
    前記入力位置情報検出期間に、前記静電容量型センサに書込む書込み信号と同一波形を有する電位調整信号を前記書込み信号と同期して前記共通電極に書込む静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法。
12. 前記共通電極は互いに分断された複数の分割電極を有している前記静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法において、
    前記入力位置情報検出期間に、前記電位調整信号を、前記複数の分割電極のうち、前記書込み信号が書込まれている前記検出電極に対向した分割電極のみに書込む請求項１１に記載の静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法。
13. 前記入力位置情報検出期間に、前記電位調整信号を、前記分割電極だけでなく、前記分割電極の片側に隣合うもう一つの分割電極、又は前記分割電極の両側に隣合う２つの他の分割電極にも書込む請求項１２に記載の静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法。
14. 前記入力位置情報検出期間に、前記電位調整信号を前記ソース線にさらに書込む請求項１１に記載の静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法。
15. 前記表示パネルは、前記第１基板に形成され前記ゲート線に接続されオンにされることで前記ゲート線への前記制御信号の書き込みを許可する第１制御スイッチング素子と、前記第１基板に形成され前記ソース線に接続されオンにされることで前記ソース線への前記映像信号の書き込みを許可する第２制御スイッチング素子と、をさらに有している前記静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法において、
    前記入力位置情報検出期間に、前記第１制御スイッチング素子及び第２制御スイッチング素子をそれぞれオフにし、前記ゲート線及びソース線を電気的フローティング状態に切替える請求項１１に記載の静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法。
16. 前記共通電極は第１方向に延在し前記第１方向に交差した第２方向に間隔を置いて並べられた複数の分割電極を有している前記静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法において、
    セルフ検出方式及びミューチャル検出方式の何れか一方に切替えて、前記静電容量の変化に基づいて入力位置情報を判断し、
    前記セルフ検出方式にて前記入力位置情報を判断する際、各々の前記検出電極に対して書込み信号を書込み、前記書込み信号が書込まれた各々の前記検出電極に生じた静電容量の変化を示す読取り信号を読取り、
    前記ミューチャル検出方式にて前記入力位置情報を判断する際、各々の前記分割電極に対して書込み信号を書込み、各々の前記検出電極に生じた静電容量の変化を示す読取り信号を読取る請求項１１に記載の静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法。
17. 前記複数の検出電極はそれぞれ前記第２方向に並んだ複数の検出電極を有し前記第１方向に並べられた複数の検出電極群を形成している前記静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法において、
    前記ミューチャル検出方式にて前記読取り信号を読取った後、各々の前記検出電極群から読取った複数の読取り信号を１つの信号に束ねる請求項１６に記載の静電容量型センサ付き表示装置の駆動方法。

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