JP2015106663A - 配線基板の接続方法、および配線基板の実装構造 - Google Patents

Abstract

【課題】接続の信頼性の高い配線基板の接続方法、および配線基板の実装構造を提供すること。【解決手段】 第１面に設けられた第１端子、前記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２端子、および前記第１端子と前記第２端子との間を接続するビアホールを有する配線基板を実装面に配置する工程と、凹部を有するツールを、前記凹部が前記ビアホールおよび前記ビアホールの外側の前記配線基板と重なる関係で位置合わせし、その後に前記ツールを前記配線基板に当接する工程と、前記ツールが当接された状態でロウ材を溶融し、前記ビアホール内および前記ツールの凹部内に前記ロウ材を侵入させる工程と、前記ロウ材を固化させ、前記実装面に前記配線基板を接続する工程と、有する配線基板の接続方法、および配線基板の実装構造。【選択図】 図５Ａ

Description

本発明は配線基板の接続方法、および配線基板の実装構造に関する。

光半導体装置などの半導体装置はパッケージ化される。半導体パッケージのリードにフレキシブルプリント基板（以下、フレキシブル基板と記載する）などの基板を接続し、基板を通じて電力の供給、信号の入力および出力などを行う。リードと基板との接続にはロウ材が用いられる。ロウ材を用いた接続にはロウ材付けが用いられる（特許文献１）。

特開平７−２７３４３５号公報

しかしながら、ロウ材付けでは、ロウ材の量、ロウ材の濡れ性および温度プロファイルなどによっては、安定した接続が難しい。本発明は、上記課題に鑑み、接続の信頼性の高い配線基板の接続方法、および配線基板の実装構造を提供することを目的とする。

本発明は、第１面に設けられた第１端子、前記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２端子、および前記第１端子と前記第２端子との間を接続するビアホールを有する配線基板を実装面に配置する工程と、凹部を有するツールを、前記凹部が前記ビアホールおよび前記ビアホールの外側の前記配線基板と重なる関係で位置合わせし、その後に前記ツールを前記配線基板に当接する工程と、前記ツールが当接された状態でロウ材を溶融し、前記ビアホール内および前記ツールの凹部内に前記ロウ材を侵入させる工程と、前記ロウ材を固化させ、前記実装面に前記配線基板を接続する工程と、を有する配線基板の接続方法である。

本発明は、ビアホールが設けられた配線基板と、前記配線基板の第１面に設けられた第１端子と、前記配線基板の前記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２端子と、前記配線基板の前記第２端子と実装面との間、前記ビアホール内部、および前記第１端子の上面に延在するロウ材と、を具備し、前記ロウ材は、前記ビアホール上および前記ビアホールの外側の位置する配線基板上に前記第１面よりも突出する第１突部、前記第１突部の外側に位置する凹部、および前記凹部の外側に位置し前記第１面よりも突出する第２突部を有する配線基板の実装構造である。

本発明によれば、接続の信頼性の高い配線基板の接続方法、および配線基板の実装構造を提供することができる。

図１は実施例１に係る光モジュールの製造方法を例示する断面図である。 図２は半導体パッケージを例示する平面図である。 図３Ａはフレキシブル基板の上面を例示する平面図である。 図３Ｂはヒータツールの下面を例示する平面図である。 図３Ｃは図３Ｂの線Ａ−Ａに沿った断面図である。 図４Ａはロウ材付けを例示する平面図である。 図４Ｂはロウ材付け後のフレキシブル基板を例示する平面図である。 図５Ａは図４Ｂの線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。 図５Ｂは図４Ｂの線Ｃ−Ｃに沿った断面図である。 図６Ａは比較例におけるヒータツールを例示する平面図である。 図６Ｂは図６Ａの線Ｄ−Ｄに沿った断面図である。 図７Ａはロウ材付け後のフレキシブル基板を例示する平面図である。 図７Ｂは図７Ａの線Ｅ−Ｅに沿った断面図である。 図７Ｃは図７Ａの線Ｆ−Ｆに沿った断面図である。 図８Ａはヒータツールの下面を例示する平面図である。 図８Ｂは図８Ａの線Ｇ−Ｇに沿った断面図である。 図９Ａはロウ材付け後のフレキシブル基板を例示する平面図である。 図９Ｂは図９Ａの線Ｈ−Ｈに沿った断面図である。 図９Ｃは図９Ａの線Ｉ−Ｉに沿った断面図である。

本発明の実施形態を列記して説明する。

本発明の実施形態は、第１面に設けられた第１端子、前記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２端子、および前記第１端子と前記第２端子との間を接続するビアホールを有する配線基板を実装面に配置する工程と、凹部を有するツールを、前記凹部が前記ビアホールおよび前記ビアホールの外側の前記配線基板と重なる関係で位置合わせし、その後に前記ツールを前記配線基板に当接する工程と、前記ツールが当接された状態でロウ材を溶融し、前記ビアホール内および前記ツールの凹部内に前記ロウ材を侵入させる工程と、前記ロウ材を固化させ、前記実装面に前記配線基板を接続する工程と、を有する配線基板の接続方法である。

この実施形態によれば、ロウ材付けによりロウ材は溶融し、ビアホールを通じて第１面に流れ込む。ツールの凹部に入り込んだロウ材は突部を形成する。ロウ材が突部を有するため、ビアホール上においてロウ材が厚くなる。従って、基板と電子部品とは強固に接合される。また突部がない場合に比べ、ロウ材の表面積が大きくなるため、ツールからロウ材に熱が効率よく伝わる。この結果、第１面側のロウ材と、第２面側のロウ材との間の熱循環効率が高まり、ロウ材が効果的に溶融され、ロウ材と電子部品との濡れ性が改善する。このように上記実施形態によれば、接続の信頼性の高い配線基板の接続方法を提供することができる。

上記実施形態において、１つの前記第１端子に対応して複数の前記ビアホールが設けられ、前記凹部が前記複数のビアホールを跨る関係で、前記ツールが配置されてもよい。この実施形態によれば、複数のビアホールを跨る突部が形成される。１つのビアホールの上に１つの突部が形成される場合より、接合の強度が高くなる。従って接続の信頼性が高くなる。

本発明の実施形態は、ビアホールが設けられた配線基板と、前記配線基板の第１面に設けられた第１端子と、前記配線基板の前記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２端子と、前記配線基板の前記第２端子と実装面との間、前記ビアホール内部、および前記第１端子の上面に延在するロウ材と、を具備し、前記ロウ材は、前記ビアホール上および前記ビアホールの外側の位置する配線基板上に前記第１面よりも突出する第１突部、前記第１突部の外側に位置する凹部、および前記凹部の外側に位置し前記第１面よりも突出する第２突部を有する配線基板の実装構造である。

この実施形態によれば、ロウ材が突部を有するため、ビアホール上においてロウ材が厚くなる。従って、基板と電子部品とは強固に接合される。また突部がない場合に比べ、ロウ材の表面積が大きくなるため、ロウ材に熱が効率よく伝わる。この結果、第１面側のロウ材と、第２面側のロウ材との間の熱循環効率が高まり、ロウ材が効果的に溶融され、ロウ材と電子部品との濡れ性が改善する。このように上記実施形態によれば、接続の信頼性の高い配線基板の実装構造を提供することができる。

以下、本発明の実施例について説明する。

図１は実施例１に係る光モジュール（光装置）の製造方法を例示する断面図である。図１に示すように、冶具１０および１２の上に半導体パッケージ２０（電子部品）を搭載する。冶具１２の下にはセラミックヒータ１４が配置されている。半導体パッケージ２０のリード（図１では不図示）の上にはフレキシブル基板６０（配線基板）が配置される。ヒータツール１６により、フレキシブル基板６０を上から半導体パッケージ２０のリードに押し付け、ロウ材付けを行う。ロウ材付けにより、ロウ材を用いて、フレキシブル基板６０をリードに電気的に接続する。冶具１０は例えばアルミニウム（Ａｌ）、冶具１２は例えば銅（Ｃｕ）などの金属により形成されている。冶具１０および１２は絶縁体により形成してもよい。

図２は半導体パッケージ２０を例示する平面図である。図２に示すように、半導体パッケージ２０の筐体２１の底面にＴＥＣ（Ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｏｌｅｒ）２４等の温度制御部が配置されている。ＴＥＣ２４上に、例えば酸化アルミニウムまたはセラミック等の絶縁性からなり、かつ熱伝導率の高いキャリア２８、およびレンズホルダ２６が配置されている。レンズホルダ２６にはレンズ２７が保持されている。キャリア２８の上面には接地パターン２８ａおよび２８ｂが設けられている。接地パターン２８ａの上に、基板４２および３０、サブキャリア３２、並びにキャパシタ４０が設けられている。接地パターン２８ａおよび２８ｂ間に抵抗３８が接続されている。接地パターン２８ｂの上にキャパシタ３６が設けられている。

サブキャリア３２は例えば誘電体基板である。サブキャリア３２上に半導体レーザ３４（ＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）素子）が配置されている。基板３０の上面には信号線路３０ａが形成されている。信号線路３０ａと、キャリア２８上面の接地パターン２８ａとはマイクロストリップラインを形成する。

筐体２１の前面にレセプタクル２３が固定されている。筐体２１の後側壁には、フィードスルーとして機能する基板４５が埋め込まれている。基板４５には、コプレーナライン４６および信号線路４７が設けられている。コプレーナライン４６は信号線路４６ａ、接地パターン４６ｂおよび４６ｃにより形成されている。基板４５の信号線路４６ａおよび４７、接地パターン４６ｂおよび４６ｃは、信号線路２２と電気的に接続されている。基板４５の下面には接地パターン（不図示）が設けられている。接地パターン４６ｂおよび４６ｃは、ビアホール４８を通じて下面の接地パターンに接続されている。

基板４２は、基板４５と基板３０との間のブリッジとして機能する。基板４２の上面には信号線路４３ａ、接地パターン４３ｂおよび４３ｃが設けられ、下面には不図示の接地層が設けられている。信号線路４３ａ、接地パターン４３ｂおよび４３ｃはコプレーナライン４３を形成し、信号線路４３ａと下面の接地パターンとはマイクロストリップラインを形成する。接地パターン４３ｂおよび４３ｃは、ビアホール４４を通じて下面の接地パターンに接続されている。

基板４２の信号線路４３ａと基板３０の信号線路３０ａとはボンディングワイヤ５０により電気的に接続されている。信号線路３０ａと半導体レーザ３４とはボンディングワイヤ５１により電気的に接続されている。半導体レーザ３４は、ボンディングワイヤ５２によりキャパシタ３６と電気的に接続され、ボンディングワイヤ５３によりキャパシタ４０と電気的に接続されている。キャパシタ４０と信号線路４７とはボンディングワイヤ５４により接続されている。

電源電圧は、信号線路２２、信号線路４７およびキャパシタ４０を通じて半導体レーザ３４に供給される。レーザ駆動ＩＣ（Integrated Circuit、不図示）は、半導体パッケージ２０の外部に配置され、図１に示したフレキシブル基板６０を通じて信号線路２２に接続される。レーザ駆動ＩＣは、高周波信号である入力信号を増幅し出力する。出力された入力信号は、基板４５のコプレーナライン４６、基板４２のコプレーナライン４３およびマイクロストリップライン、並びに基板３０のマイクロストリップラインを介して半導体レーザ３４に入力する。半導体レーザ３４の出力光はレンズ２７により収束され、レセプタクル２３に挿入される光ファイバー（不図示）に出力される。

ＴＥＣ２４は、半導体レーザ３４の温度を一定に保持する。これにより、出力光の波長をロックすることができる。また、基板４５の一部は筐体２１の外部に露出するため、基板４５の温度は外部と同程度になる。基板４２はＴＥＣ２４により冷却される。基板４２の接地パターンと基板４５の接地パターンとは離間しているため、基板４２および４５間では熱が伝わり難く、半導体レーザ３４の温度上昇は抑制される。

図３Ａはフレキシブル基板６０の上面を例示する平面図である。図３Ａに示すように、フレキシブル基板６０の上面（第１面）には、複数の端子６２および２つの端子６４（共に第１端子）が設けられている。１つの端子６２に対応して２つのビアホール６６が設けられている。端子６４にはビアホール６８が設けられている。図５Ａおよび図５Ｂで後述するように、フレキシブル基板６０の下面には端子６３および端子６５が設けられている。ビアホール６６はフレキシブル基板６０を貫通し、上面の端子６２と下面の端子６３とを接続する。ビアホール６８はフレキシブル基板６０を貫通し、上面の端子６４と下面の端子６５とを接続する。端子６２および６３は電源電圧の入力および高周波信号の入出力のための端子である。端子６４および６５は基準電位を有する。また端子６３および６５にはロウ材がプリフォームされている（不図示）。なお、ロウ材は端子にプリフォームされている必要はなく、ロウ材を接着時に塗布しても良い。

図３Ｂはヒータツール１６の下面を例示する平面図である。図３Ｃは図３Ｂの線Ａ−Ａに沿った断面図である。図３Ｂおよび図３Ｃに示すように、ヒータツール１６の先端には複数の凹部１６ａおよび２つの凹部１６ｂが設けられている。凹部１６ａおよび１６ｂの上面は曲面状である。図３Ｂおよび図３Ｃに示した凹部１６ａが図３Ａに示したビアホール６６、およびビアホール６６の外側のフレキシブル基板６０と重なり、凹部１６ｂがビアホール６８、およびビアホール６８の外側のフレキシブル基板６０と重なるように、ヒータツール１６をフレキシブル基板６０の上に位置合わせする。図１に示したように、ヒータツール１６を用いて、フレキシブル基板６０を半導体パッケージ２０にロウ材付けする。

図４Ａはロウ材付けを例示する平面図である。図４Ｂはロウ材付け後のフレキシブル基板６０を例示する平面図である。図５Ａは図４Ｂの線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。図５Ｂは図４Ｂの線Ｃ−Ｃに沿った断面図である。

図４Ａに示すように、ヒータツール１６をフレキシブル基板６０の上面に接触させ、ヒータツール１６によりフレキシブル基板６０に熱および圧力を加える。図４Ｂに示すように、端子６２に、突部７１（第１突部）および７３並びに凹部７２（第２突部）を有するロウ材７０が濡れ広がる。端子６４に突部７４（第１突部）および７３並びに凹部７２を有するロウ材７０が濡れ広がる。なお端子は互いに離間しており、電気的に絶縁している。断面図を参照し、詳しく説明する。

基板４５の実装面にフレキシブル基板６０を搭載する。ヒータツール１６によりフレキシブル基板６０に熱および圧力を加える。ヒータツール１６から伝わる熱によりフレキシブル基板６０の下面（第２面）に設けられたロウ材７０が溶融し、図５Ａに示すようにビアホール６６を通じて上面に流れ込む。溶融したロウ材７０は、フレキシブル基板６０の上面に設けられた端子６２、および下面に設けられた端子６３（第２端子）に濡れ広がる。端子６３はロウ材７０により信号線路２２に電気的に接続される。さらに端子６３は、ビアホール６６を通るロウ材７０により、端子６２と電気的に接続される。また溶融したロウ材７０は、ヒータツール１６の凹部１６ａに侵入した後に固化し、突部７１を形成する。ロウ材７０のヒータツール１６の端面（図５Ａでは下面）に押圧された部分は凹部７２を形成する。凹部７２の外側には突部７３が形成される。

図５Ｂに示すように、溶融したロウ材７０は、フレキシブル基板６０の上面に設けられた端子６４、および下面に設けられた端子６５（第２端子）に濡れ広がる。端子６５はロウ材７０により信号線路２２に電気的に接続される。さらに端子６５は、ビアホール６８を通るロウ材７０により、端子６４と電気的に接続される。ヒータツール１６の凹部１６ｂに侵入したロウ材７０は固化し、突部７４を形成する。突部７４の外側には凹部７２が形成され、凹部７２の外側には突部７３が形成される。突部７１、７３および７４はフレキシブル基板６０の上面よりも突出する。

ロウ材７０が突部７１および７４を有するため、ビアホール６６および６８上においてロウ材７０が厚くなる。従って、フレキシブル基板６０と信号線路２２とは強固に接合される。また突部がない場合に比べ、ロウ材７０の表面積が大きくなるため、ヒータツール１６からロウ材７０に熱が効率よく伝わる。この結果、上面側のロウ材と、下面側のロウ材との間の熱循環効率が高まり、ロウ材７０が効果的に溶融され、ロウ材７０と端子および金属パターンとの濡れ性が改善する。このように実施例１によれば、接続の信頼性が高くなる。

図５Ａに示すように、凹部１６ａの径Ｒ１はビアホール６６の径Ｒ２より大きい。これによりビアホール６６より大きな突部７１が形成される。また図５Ｂに示すように、凹部１６ｂの径Ｒ３はビアホール６８の径Ｒ４より大きい。ビアホール６８より大きな突部７４が形成される。突部７１および７４がフレキシブル基板６０の上面に支持されるため、ロウ材７０の下面側への流出が抑制され、突部７１および７４の形状が安定する。突部７１および７４の形状が安定することで、強固な接合が可能であり、接続の信頼性が高くなる。このように、ヒータツール１６の凹部１６ａはビアホール６６より大きく、凹部１６ｂはビアホール６８より大きいことが好ましい。

比較例を説明する。フレキシブル基板６０は図３Ａに示したものと同じであり、半導体パッケージは図２に示したものと同じである。図６Ａは比較例におけるヒータツール１６Ｒを例示する平面図である。図６Ｂは図６Ａの線Ｄ−Ｄに沿った断面図である。図６Ａおよび図６Ｂに示すように、ヒータツール１６Ｒには凹部が設けられていない。

比較例においても図４Ａに示したようなロウ材付けを行う。図７Ａはロウ材付け後のフレキシブル基板６０を例示する平面図である。図７Ｂは図７Ａの線Ｅ−Ｅに沿った断面図である。図７Ｂに示すように、ロウ材７０には突部７１が形成されない。ヒータツール１６Ｒの下面により、ビアホール６６上のロウ材７０が押圧されるため、ビアホール６６上には凹部７２が形成される。図７Ｃは図７Ａの線Ｆ−Ｆに沿った断面図である。図７Ｃに示すように、ロウ材７０には突部７４が形成されない。ヒータツール１６Ｒの下面により、ビアホール６８上のロウ材７０が押圧されるため、ビアホール６８上には凹部７２が形成される。

このように比較例においては、ビアホール６６および６８上におけるロウ材７０の厚さは小さい。このため接合の強度が弱くなる。また、実施例１に比べロウ材７０の表面積が小さいため、熱循環効率が低くなる。このため、ロウ材７０と端子および金属パターンとの濡れ性が悪化する。従って、比較例においては接続の信頼性が低下する。

フレキシブル基板６０は図３Ａに示したものと同じであり、半導体パッケージは図２に示したものと同じである。

図８Ａはヒータツール１６の下面を例示する平面図である。図８Ｂは図８Ａの線Ｇ−Ｇに沿った断面図である。図８Ａおよび図８Ｂに示すように、ヒータツール１６の先端には複数の凹部１６ｃおよび２つの凹部１６ｄが設けられている。凹部１６ｃは矩形である。凹部１６ｄは三角錐形状を有する。図８Ａおよび図８Ｂに示した凹部１６ｃが図３Ａに示したビアホール６６と重なり、凹部１６ｄがビアホール６８と重なるように、ヒータツール１６をフレキシブル基板６０の上に配置する。図１および図４Ａに示したようにロウ材付けによりフレキシブル基板６０を半導体パッケージに接続する。

図９Ａはロウ材付け後のフレキシブル基板６０を例示する平面図である。図９Ｂは図９Ａの線Ｈ−Ｈに沿った断面図である。図９Ｃは図９Ａの線Ｉ−Ｉに沿った断面図である。図９Ａに示すように、端子６２に、突部７５および７３並びに凹部７２を有するロウ材７０が濡れ広がる。端子６４に突部７６および７３並びに凹部７２を有するロウ材７０が濡れ広がる。断面図を参照し、詳しく説明する。

図９Ｂに示すように、溶融したロウ材７０は、フレキシブル基板６０の上面に設けられた端子６２、および下面に設けられた端子６３に濡れ広がる。また溶融したロウ材７０は、ヒータツール１６の凹部１６ｃに侵入した後に固化し、矩形の突部７５（第１突部）を形成する。図９Ｃに示すように、ヒータツール１６の凹部１６ｄに侵入したロウ材７０は固化し、三角錐形状の突部７６（第１突部）を形成する。

ロウ材７０が突部７５および７６を有するため、ビアホール６６および６８上においてロウ材７０が厚くなる。従って、フレキシブル基板６０と信号線路２２とは強固に接合される。また突部がない場合に比べ、ロウ材７０の表面積が大きくなる。上面側のロウ材と、下面側のロウ材との間の熱循環効率が高まるため、ロウ材７０と端子および金属パターンとの濡れ性が改善する。実施例２によれば、接続の信頼性が高くなる。

図９Ｂに示すように、凹部１６ｃの幅Ｗ１は、２つのビアホール６６の外側端部間の幅Ｗ２より大きい。このため、２つのビアホール６６を跨る突部７５が形成される。１つのビアホール６６の上に１つの突部が形成される場合より、接合の強度が高くなる。従って接続の信頼性が高くなる。また突部７５がフレキシブル基板６０の上面に支持されるため、突部７５の形状が安定し、強固な接合が可能となる。このように、凹部１６ｃはフレキシブル基板６０の複数のビアホール６６を跨ることが好ましい。

図９Ｃに示すように、凹部１６ｄの幅Ｗ３はビアホール６８の径Ｒ４より大きいため、ビアホール６８より大きな突部７６が形成される。突部７６がフレキシブル基板６０の上面に支持されるため、突部７６の形状が安定し、強固な接合が可能となる。このように、凹部１６ｄはビアホール６８より大きいことが好ましい。

実施例２において、実施例１の図３Ｂおよび図３Ｃに示したように、凹部１６ｃおよび１６ｄは球面状の上面を有してもよい。突部７５および７６も球面を有する。すなわち、２つのビアホール６８に跨り、かつ球面状の上面を有する突部７５を形成することができる。

実施例１および２において、１つの端子６２に形成されるビアホール６６の数は１つでもよいし３つ以上でもよい。複数のビアホール６６が設けられている場合、図に示したようにヒータツール１６の凹部は複数のビアホール６６に重なることが好ましい。複数のビアホール６６に跨る突部を形成し、接合の強度を高めることができる。１つの端子６４に対応して複数のビアホール６８が設けられてもよい。ヒータツール１６の凹部が複数のビアホール６８と重なることで、複数のビアホール６８に跨る凹部が形成される。

フレキシブル基板６０は樹脂などの絶縁体により形成されている。端子６２および６３並びに端子６４および６５は例えばニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）の積層膜などの金属により形成されている。ロウ材７０は例えば錫および銀の合金（Ｓｎ−Ａｇ）などの金属により形成されている。端子６２および６３並びに端子６４および６５のロウ材に対する濡れ性（ロウ材濡れ性）は、ヒータツール１６のロウ材濡れ性より高いことが好ましい。ロウ材７０がヒータツール１６と接合することを抑制するためである。

図２の半導体パッケージ２０は半導体レーザ３４などの発光素子を含む。実施例１および２によれば、送信用小型光デバイス（ＴＯＳＡ：Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂａｓｓｅｍｂｌｙ）を形成することができる。半導体パッケージ２０は例えば受光素子（フォトダイオードなど）を含んでもよい。実施例１および２により受信用小型光デバイス（ＲＯＳＡ：Ｒｅｃｅｉｖｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂａｓｓｅｍｂｌｙ）を形成することができる。以上のように、光素子（発光素子および受光素子）を搭載する半導体パッケージ２０とフレキシブル基板６０とをロウ材付けすることで光モジュールが形成される。なお、光モジュール以外の半導体装置および電子装置を製造することもできる。また、ロウ材付けする基板はフレキシブル基板に限定されない。プリント基板など、信号の入出力および電源電圧の供給が可能な基板であればよい。

なお、本発明は係る特定の実施形態および実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０、１２ 冶具
１４ セラミックヒータ
１６、１６Ｒ ヒータツール
１６ａ〜１６ｄ 凹部
２０ 半導体パッケージ
２１ 筐体
２２ 信号線路
２３ レセプタクル
２４ ＴＥＣ
２６ レンズホルダ
２７ レンズ
２８ａ、２８ｂ、４３ｂ、４３ｃ
４６ｂ、４６ｃ 接地パターン
３０、４２、４５ 基板
３０ａ、４３ａ、４６ａ、４７ 信号線路
３２ サブキャリア
３４ 半導体レーザ
３６、４０ キャパシタ
３８ 抵抗
４３、４６ コプレーナライン
４４、４８、６６、６８ ビアホール
５０〜５４ ボンディングワイヤ
６０ フレキシブル基板
６２〜６５ 端子
７０ ロウ材
７１、７３〜７６ 突部
７２ 凹部

Claims (3)

1. 第１面に設けられた第１端子、前記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２端子、および前記第１端子と前記第２端子との間を接続するビアホールを有する配線基板を実装面に配置する工程と、
   凹部を有するツールを、前記凹部が前記ビアホールおよび前記ビアホールの外側の前記配線基板と重なる関係で位置合わせし、その後に前記ツールを前記配線基板に当接する工程と、
   前記ツールが当接された状態でロウ材を溶融し、前記ビアホール内および前記ツールの凹部内に前記ロウ材を侵入させる工程と、
   前記ロウ材を固化させ、前記実装面に前記配線基板を接続する工程と、
   を有する配線基板の接続方法。
2. １つの前記第１端子に対応して複数の前記ビアホールが設けられ、
   前記凹部が前記複数のビアホールを跨る関係で、前記ツールが配置される請求項１記載の配線基板の接続方法。
3. ビアホールが設けられた配線基板と、
   前記配線基板の第１面に設けられた第１端子と、
   前記配線基板の前記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２端子と、
   前記配線基板の前記第２端子と実装面との間、前記ビアホール内部、および前記第１端子の上面に延在するロウ材と、を具備し、
   前記ロウ材は、前記ビアホール上および前記ビアホールの外側の位置する配線基板上に前記第１面よりも突出する第１突部、前記第１突部の外側に位置する凹部、および前記凹部の外側に位置し前記第１面よりも突出する第２突部を有する配線基板の実装構造。

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