JP2015053477A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 絶縁表面上の第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の第３の酸化物半導体膜と、
   前記第３の酸化物半導体膜上のソース電極およびドレイン電極と、
   前記第３の酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
   前記ソース電極または前記ドレイン電極は、前記第１の酸化物半導体膜、前記第２の酸化物半導体膜および前記第３の酸化物半導体膜の側面と接する領域を有し、
   前記ソース電極または前記ドレイン電極は、前記第３の酸化物半導体膜の上面と接する領域を有し、
   前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜の上面および側面に面する領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の絶縁膜と、
   前記絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の第３の酸化物半導体膜と、
   前記第３の酸化物半導体膜上のソース電極およびドレイン電極と、
   前記第３の酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
   前記ソース電極または前記ドレイン電極は、前記第１の酸化物半導体膜、前記第２の酸化物半導体膜および前記第３の酸化物半導体膜の側面と接する領域を有し、
   前記ソース電極または前記ドレイン電極は、前記第３の酸化物半導体膜の上面と接する領域を有し、
   前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜の上面および側面に面する領域を有し、
   前記第１の導電膜は、前記ゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の酸化物半導体膜と前記ソース電極とが互いに重なる領域のチャネル長方向の長さが前記第２の酸化物半導体膜のチャネル長の２倍未満であり、
   前記第２の酸化物半導体膜と前記ドレイン電極とが互いに重なる領域のチャネル長方向の長さが前記第２の酸化物半導体膜のチャネル長の２倍未満であることを特徴とする半導体装置。
4. 絶縁表面上の第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の第３の酸化物半導体膜と、
   前記第３の酸化物半導体膜上のソース電極およびドレイン電極と、
   前記ソース電極上の第１の絶縁膜と、
   前記ドレイン電極上の第２の絶縁膜と、
   前記第３の酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
   前記ソース電極または前記ドレイン電極は、前記第１の酸化物半導体膜、前記第２の酸化物半導体膜および前記第３の酸化物半導体膜の側面と接する領域を有し、
   前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜の上面および側面に面する領域を有することを特徴とする半導体装置。