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JP2015032950A - 遅延回路およびデジタル時間変換器 - Google Patents

遅延回路およびデジタル時間変換器 Download PDF

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JP2015032950A JP2013160418A JP2013160418A JP2015032950A JP 2015032950 A JP2015032950 A JP 2015032950A JP 2013160418 A JP2013160418 A JP 2013160418A JP 2013160418 A JP2013160418 A JP 2013160418A JP 2015032950 A JP2015032950 A JP 2015032950A
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大輔 宮下
Daisuke Miyashita
大輔 宮下
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Abstract

【課題】レイアウト面積の増大を抑制することが可能な遅延回路を提供する。【解決手段】立ち下がりの遅延時間よりも立ち上がりの遅延時間の方が大きいインバータV1と、インバータV1に直列に接続され、立ち上がりの遅延時間よりも立ち下がりの遅延時間の方が大きいインバータV2とを備え、インバータV1、V2に用いられるトランジスタP1〜P3、N1〜N3はそれぞれ単列接続されている。【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、遅延回路およびデジタル時間変換器に関する。
信号を遅延させる遅延回路としてインバータを用いる方法がある。この方法では、インバータの段数を増加させることで遅延時間を増大させることが行われていた。
特開2004−242119号公報
本発明の一つの実施形態は、レイアウト面積の増大を抑制することが可能な遅延回路およびデジタル時間変換器を提供することを目的とする。
本発明の一つの実施形態によれば、第1のインバータと第2のインバータとが設けられている。第1のインバータは、立ち下がりの遅延時間よりも立ち上がりの遅延時間の方が大きい。第2のインバータは、前記第1のインバータに直列に接続され、立ち上がりの遅延時間よりも立ち下がりの遅延時間の方が大きい。また、前記第1のインバータおよび前記第2のインバータに用いられるトランジスタはそれぞれ単列接続されている。
図1は、第1実施形態に係る遅延回路の概略構成を示す回路図である。 図2は、図1の遅延回路の入出力波形を示すタイミングチャートである。 図3は、図1の遅延回路のレイアウト構成の一例を示す平面図である。 図4(a)は、第2実施形態に係るデジタル時間変換器の概略構成を示すブロック図、図4(b)は、図4(a)のデジタル時間変換器の構成例を示す回路図である。 図5(a)は、図4(a)のデジタル時間変換器のデジタル入力がロウレベルの時の各部の波形を示すタイミングチャート、図5(b)は、図4(a)のデジタル時間変換器のデジタル入力がハイレベルの時の各部の波形を示すタイミングチャートである。 図6は、第3実施形態に係るデジタル時間変換器の概略構成を示すブロック図である。 図7は、図6のデジタル時間変換器のデジタル入力に応じた出力波形を示す図である。 図8は、図4(a)の遅延回路の諸特性を4段インバータと比較して示す図である。
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る遅延回路を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る遅延回路の概略構成を示す回路図である。
図1において、この遅延回路にはインバータV1、V2が設けられ、インバータV1、V2は互いに直列接続されている。インバータV1は、立ち下がりの遅延時間よりも立ち上がりの遅延時間の方が大きい。インバータV2は、立ち上がりの遅延時間よりも立ち下がりの遅延時間の方が大きい。インバータV1、V2に用いられるトランジスタはそれぞれ単列接続される。
すなわち、インバータV1にはP型トランジスタP1、P2およびN型トランジスタN1が設けられ、インバータV2にはP型トランジスタP3およびN型トランジスタN2、N3が設けられている。P型トランジスタP1、P2およびN型トランジスタN1は直列に接続され、P型トランジスタP1、P2およびN型トランジスタN1のゲートは共通に接続されている。P型トランジスタP3およびN型トランジスタN2、N3は直列に接続され、P型トランジスタP3およびN型トランジスタN2、N3のゲートは共通に接続されている。P型トランジスタP1、P3のソースは第1電位vdd(例えば、電源電位)に接続され、N型トランジスタN1、N3のソースは第2電位vss(例えば、接地電位)に接続されている。第1電位vddは第2電位vssよりも高くすることができる。
なお、P型トランジスタP1〜P3およびN型トランジスタN1〜N3のゲート幅は互いに等しくすることができる。また、この遅延回路はプリミティブセルとして用いることができる。
P型トランジスタP1、P2およびN型トランジスタN1のゲートには入力信号inが入力され、P型トランジスタP2のドレインからは出力信号out1が出力される。P型トランジスタP3およびN型トランジスタN2、N3のゲートには出力信号out1が入力され、N型トランジスタN2のドレインからは出力信号out2が出力される。
図2は、図1の遅延回路の入出力波形を示すタイミングチャートである。
図2において、入力信号inが立ち上がると、P型トランジスタP1、P2がオフするとともに、N型トランジスタN1がオンする。このため、インバータV1の出力はプルダウンされ、出力信号out1が立ち下がる(E1)。出力信号out1が立ち下がると、P型トランジスタP3がオンするとともに、N型トランジスタN2、N3がオフする。このため、インバータV2の出力はプルアップされ、出力信号out2が立ち上がる(E3)。
次に、入力信号inが立ち下がると、P型トランジスタP1、P2がオンするとともに、N型トランジスタN1がオフする。このため、インバータV1の出力はプルアップされ、出力信号out1が立ち上がる(E2)。この時、P型トランジスタP1、P2が直列接続されることで、N型トランジスタN1のオン抵抗に比べて、P型トランジスタP1、P2のオン抵抗が増える。このため、インバータV1では、プルダウン時に比べてプルアップ時の駆動力が小さくなり、出力信号out1の立ち下がりの遅延時間に比べて立ち上がりの遅延時間が増大する。
出力信号out1が立ち上がると、P型トランジスタP3がオフするとともに、N型トランジスタN2、N3がオンする。このため、インバータV2の出力はプルダウンされ、出力信号out2が立ち下がる(E4)。この時、N型トランジスタN2、N3が直列接続されることで、P型トランジスタP3のオン抵抗に比べて、N型トランジスタN2、N3のオン抵抗が増える。このため、インバータV2では、プルアップ時に比べてプルダウン時の駆動力が小さくなり、出力信号out2の立ち上がりの遅延時間に比べて立ち下がりの遅延時間が増大する。
このため、図1の遅延回路では、立ち上がりの遅延時間に比べて立ち下がりの遅延時間を増大させることができる。ここで、遅延時間を増やすには、各インバータV1、V2において、直列接続されるトランジスタの個数を増やす必要がある。従って、立ち上がりの遅延時間および立ち下がりの遅延時間の両方の遅延時間を増大させる方法に比べて、レイアウト面積の増大を抑制することが可能となる。
例えば、図1の遅延回路の立ち上がりの遅延時間は、P型トランジスタP1、P2およびN型トランジスタN2、N3にて設定される。このため、図1の遅延回路の立ち上がりの遅延時間と同等の遅延時間を、P型トランジスタとN型トランジスタの駆動力が等しいインバータで実現するには、4段構成のインバータが必要になり、全部で8個のトランジスタが必要になる。従って、図1の遅延回路の立ち上がりの遅延時間を実現するために4段構成のインバータを用いた場合に比べて、レイアウト面積を3/4に減らすことができ、消費電力も3/4に減らすことができる。
図3は、図1の遅延回路のレイアウト構成の一例を示す平面図である。
図3において、半導体基板SBにはアクティブ領域A1、A2が形成されている。アクティブ領域A1、A2上には、ゲート電極G1、G2が形成されている。ここで、ゲート電極G1は、アクティブ領域A1を2回交差するとともに、アクティブ領域A2を1回交差するように配置されている。ゲート電極G2は、アクティブ領域A1を1回交差するとともに、アクティブ領域A2を2回交差するように配置されている。なお、アクティブ領域A1、A2は、トランジスタのソース層、ドレイン層およびチャネル層を構成することができる。なお、アクティブ領域A1、A2上において、ゲート電極G1、G2のゲート幅Wは等しくすることができる。
アクティブ領域A1およびゲート電極G1はP型トランジスタP1、P2を構成し、アクティブ領域A1およびゲート電極G2はP型トランジスタP3を構成し、アクティブ領域A2およびゲート電極G1はN型トランジスタN1を構成し、アクティブ領域A2およびゲート電極G2はN型トランジスタN2、N3を構成することができる。
P型トランジスタP1、P3のソース層は配線H4を介して第1電位vddに接続されている。N型トランジスタN1、N3のソース層は配線H5を介して第2電位vssに接続されている。ゲート電極G1は配線H1に接続されている。P型トランジスタP2のドレイン層およびN型トランジスタN1のドレイン層は配線H2を介してゲート電極G2に接続されている。P型トランジスタP3のドレイン層およびN型トランジスタN2のドレイン層は配線H3に接続されている。
ここで、ゲート電極G1、G2のゲート幅Wを等しくすることにより、P型トランジスタP1〜P3およびN型トランジスタN1〜N3の特性のバラツキを低減させることができ、立ち上がりおよび立ち下がりの遅延時間の精度を向上させることができる。
なお、図1の例では、2段接続されたインバータV1、V2で遅延回路を構成する方法について説明したが、3段以上接続されたインバータで遅延回路を構成するようにしてもよい。また、図1の例では、入力信号inの立ち上がりの遅延時間よりも立ち下がりの遅延時間を大きくするために、インバータV1の後段にインバータV2を接続する方法について説明したが、入力信号inの立ち下がりの遅延時間よりも立ち上がりの遅延時間を大きくするために、インバータV2の後段にインバータV1を接続するようにしてもよい。
また、図1の例では、直列接続された2個のP型トランジスタP1、P2および1個のN型トランジスタN1をインバータV1に設ける方法について説明したが、M(Mは2以上の整数)個だけ直列に接続されたP型トランジスタとN(NはMより小さな整数)個だけ直列に接続された第1のN型トランジスタとで1段目のインバータを構成するようにしてもよい。
また、図1の例では、1個のP型トランジスタP3および直列接続された2個のN型トランジスタN2、N3をインバータV2に設ける方法について説明したが、P(Pは正の整数)個だけ直列に接続された第2のP型トランジスタと、Q(QはPより大きな整数)個だけ直列に接続された第2のN型トランジスタとで2段目のインバータを構成するようにしてもよい。
(第2実施形態)
図4(a)は、第2実施形態に係るデジタル時間変換器の概略構成を示すブロック図、図4(b)は、図4(a)のデジタル時間変換器の構成例を示す回路図である。
図4(a)および図4(b)において、デジタル時間変換器(Digital to Time Converter:DTC)1には、NOR回路2、3、5および遅延回路4が設けられている。なお、この遅延回路4は、出力信号の立ち下がりの遅延時間よりも立ち上がりの遅延時間の方が大きくなるように構成することができ、例えば、図1の構成を用いることができる。この遅延回路4の出力信号の立ち下がりの遅延時間はTdelに設定することができる。
そして、NOR回路2の第1入力端子にはデジタル入力Dinが反転入力されるとともに、NOR回路2の第2入力端子には入力信号Tinが入力される。NOR回路3の第1入力端子には入力信号Tinが入力されるとともに、NOR回路3の第2入力端子には接地電位が入力される。NOR回路2の出力端子は遅延回路4を介してNOR回路5の第1入力端子に接続され、NOR回路3の出力端子はNOR回路5の第2入力端子に接続されている。
図5(a)は、図4(a)のデジタル時間変換器のデジタル入力がロウレベルの時の各部の波形を示すタイミングチャート、図5(b)は、図4(a)のデジタル時間変換器のデジタル入力がハイレベルの時の各部の波形を示すタイミングチャートである。
図5(a)において、デジタル入力Dinがロウレベルの場合、NOR回路2にて入力信号Tinが遮断され、入力信号Tinが遅延回路4に入力されない。このため、入力信号Tinが立ち上がっても、遅延回路4の出力はロウレベルを維持する。一方、入力信号Tinが立ち上がると、NOR回路3の出力Aが立ち上がることで、NOR回路5の出力Toutが立ち上がる(E11)。
この結果、デジタル入力Dinがロウレベルの場合、入力信号Tinは遅延回路4をバイパスされてデジタル時間変換器1から出力される。
一方、デジタル入力Dinがハイレベルの場合、NOR回路3にて入力信号Tinが遮断されるとともに、NOR回路2を介して入力信号Tinが遅延回路4に入力される。このため、図5(b)に示すように、入力信号Tinが立ち上がると、遅延回路4の遅延時間はTdelだけ遅れて遅延回路4の出力Bが立ち上がった後、NOR回路5の出力Toutが立ち上がる(E12)。
この結果、デジタル入力Dinがハイレベルの場合、入力信号Tinは遅延回路4を介してデジタル時間変換器1から出力され、デジタル入力Dinがロウレベルの場合に比べて遅延時間はTdelだけ遅れる。このため、デジタル入力Dinに応じてデジタル時間変換器1の出力Toutのタイミングをずらすことができ、1ビットデジタル信号を時間信号に変換することができる。ここで、遅延回路4として図1の構成を用いることにより、デジタル時間変換器1の回路規模を低減することができる。
(第3実施形態)
図6は、第3実施形態に係るデジタル時間変換器の概略構成を示すブロック図、図7は、図6のデジタル時間変換器のデジタル入力に応じた出力波形を示す図である。なお、図6の例では、3ビットデジタル時間変換器を示した。
図6において、この3ビットデジタル時間変換器には、1ビットデジタル時間変換器1A〜1Cが設けられ、1ビットデジタル時間変換器1A〜1Cは順次直列に接続されている。なお、1ビットデジタル時間変換器1A〜1Cとしては、図4(a)と同様の構成を用いることができる。
なお、1ビットデジタル時間変換器1Cの遅延時間はTdelに設定し、1ビットデジタル時間変換器1Bの遅延時間は2×Tdelに設定し、1ビットデジタル時間変換器1Aの遅延時間は4×Tdelに設定することができる。なお、1ビットデジタル時間変換器1A〜1Cの遅延時間を変える場合、インバータの段数を変えるようにしてもよいし、インバータを構成するトランジスタの直列接続数を変えるようにしてもよい。
そして、1ビットデジタル時間変換器1Aにはデジタル入力Dinの3ビット目Din[2]が入力され、1ビットデジタル時間変換器1Bにはデジタル入力Dinの3ビット目Din[1]が入力され、1ビットデジタル時間変換器1Cにはデジタル入力Dinの3ビット目Din[0]が入力される。
この時、デジタル入力Dinの3ビット目Din[2]がハイレベルの場合、入力信号Tinが立ち上がると、1ビットデジタル時間変換器1Aにて入力信号Tinに対して4×Tdelの遅延が与えられる。デジタル入力Dinの2ビット目Din[1]がハイレベルの場合、入力信号Tinが立ち上がると、1ビットデジタル時間変換器1Bにて1ビットデジタル時間変換器1Aの出力に対して2×Tdelの遅延が与えられる。デジタル入力Dinの1ビット目Din[0]がハイレベルの場合、入力信号Tinが立ち上がると、1ビットデジタル時間変換器1Cにて1ビットデジタル時間変換器1Bの出力に対してTdelの遅延が与えられる。このため、図7に示すように、デジタル入力Dinに応じて3ビットデジタル時間変換器の出力Toutのタイミングをずらすことができ、3ビットデジタル信号を時間信号に変換することができる。ここで、遅延回路として図1の構成を用いることにより、3ビットデジタル時間変換器の回路規模を低減することができる。また、3ビット分の信号を1ラインで伝送することができ、デジタル信号の伝送に必要なライン数を減らすことができる。
なお、図6の例では、遅延回路4を用いることで、3ビットデジタル時間変換器を構成する場合について示したが、K(Kは2以上の整数)ビットデジタル時間変換器を構成するようにしてもよい。
図8は、図4(a)の遅延回路4の諸特性を4段インバータと比較して示す図である。
図8において、図4(a)の遅延回路4では、4段インバータと比べて遅延時間Tdelが1.2倍、遅延時間Tdel当たりの分散σdelが1倍、消費電力が0.7倍、レイアウト面積が0.75倍となった。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
V1、V2 インバータ、P1〜P3 P型トランジスタ、N1〜N3 N型トランジスタ

Claims (5)

  1. 立ち上がりの遅延時間よりも立ち下がりの遅延時間の方が大きい第1のインバータと、
    前記第1のインバータに直列に接続され、立ち下がりの遅延時間よりも立ち上がりの遅延時間の方が大きい第2のインバータとを備え、
    前記第1のインバータは、
    M(Mは2以上の整数)個だけ直列に接続された第1のP型トランジスタと、
    前記第1のP型トランジスタとゲート幅が等しく、かつN(NはMより小さな整数)個だけ直列に接続された第1のN型トランジスタとを備え、
    前記第2のインバータは、
    P(Pは正の整数)個だけ直列に接続された第2のP型トランジスタと、
    前記第2のP型トランジスタとゲート幅が等しく、かつQ(QはPより大きな整数)個だけ直列に接続された第2のN型トランジスタとを備えることを特徴とする遅延回路。
  2. 立ち下がりの遅延時間よりも立ち上がりの遅延時間の方が大きい第1のインバータと、
    前記第1のインバータに直列に接続され、立ち上がりの遅延時間よりも立ち下がりの遅延時間の方が大きい第2のインバータとを備え、
    前記第1のインバータおよび前記第2のインバータに用いられるトランジスタはそれぞれ単列接続されていることを特徴とする遅延回路。
  3. 前記第1のインバータは、
    第1のP型トランジスタと、
    前記第1のP型トランジスタに直列に接続され、前記第1のP型トランジスタよりも駆動力の小さな第1のN型トランジスタとを備え、
    前記第2のインバータは、
    第2のP型トランジスタと、
    前記第2のP型トランジスタに直列に接続され、前記第2のP型トランジスタよりも駆動力の大きな第2のN型トランジスタとを備えることを特徴とする請求項2に記載の遅延回路。
  4. プリミティブセルとして用いられることを特徴とする請求項2または3に記載の遅延回路。
  5. 入力信号を遅延させる遅延回路と、
    デジタル入力が第1状態の時は前記遅延回路を通して前記入力信号を出力し、前記デジタル入力が第2状態の時は前記遅延回路をバイパスさせて前記入力信号を出力する論理回路とを備え、
    前記遅延回路は、
    立ち下がりの遅延時間よりも立ち上がりの遅延時間の方が大きい第1のインバータと、
    前記第1のインバータに直列に接続され、立ち上がりの遅延時間よりも立ち下がりの遅延時間の方が大きい第2のインバータとを備えることを特徴とするデジタル時間変換器。
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