JP2014143295A - Chuck table of processing device - Google Patents
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Abstract
【課題】 粘着テープの粘着層を下側にしてウエーハの表面側(デバイス面)をチャックテーブルの保持面上に載置しても、加工後の搬送エラー等を引き起こす恐れのない加工装置のチャックテーブルを提供することである。
【解決手段】 板状の被加工物を吸引保持する加工装置のチャックテーブルであって、被加工物を保持面で保持する被加工物保持部と、該被加工物保持部を支持する基台と、該被加工物保持部と吸引源とを連通する該基台に形成された吸引路と、を備え、該被加工物保持部は、外周が樹脂によってシールされた弾性を有する板状の多孔質樹脂によって形成され、該被加工物保持部と該基台とは同等の直径を有することを特徴とする。
【選択図】図6PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chuck of a processing apparatus that does not cause a transport error after processing even when the wafer surface side (device surface) is placed on a holding surface of a chuck table with an adhesive layer of an adhesive tape facing down. Is to provide a table.
A chuck table for a processing apparatus for sucking and holding a plate-like workpiece, a workpiece holding portion for holding the workpiece on a holding surface, and a base for supporting the workpiece holding portion. And a suction path formed in the base that communicates the workpiece holding part and a suction source, and the workpiece holding part has a plate-like shape having elasticity whose outer periphery is sealed with resin. It is formed of a porous resin, and the workpiece holding part and the base have the same diameter.
[Selection] Figure 6
Description
本発明は、加工装置のチャックテーブルに関し、特に、デバイスが形成された面と反対側の面から加工を施すレーザー加工装置のチャックテーブルに関する。 The present invention relates to a chuck table of a processing apparatus, and more particularly to a chuck table of a laser processing apparatus that performs processing from a surface opposite to a surface on which a device is formed.
IC、LSI、LED等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイアウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。 A wafer such as a silicon wafer or a sapphire wafer formed on the surface by dividing a plurality of devices such as IC, LSI, LED, etc. by dividing lines is divided into individual devices by a processing apparatus, and the divided devices are mobile phones, Widely used in various electronic devices such as personal computers.
ウエーハの分割には、ダイサーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイアモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ30μm程度とした切削ブレードを、30000rpm程度の高速で回転させつつウエーハへと切り込ませることでウエーハを切削し、個々のデバイスチップへと分割する。 A dicing method using a cutting device called a dicer is widely used for dividing the wafer. In the dicing method, a wafer is cut by cutting a wafer into a wafer while rotating a cutting blade having a thickness of about 30 μm by solidifying abrasive grains such as diamond with a metal or a resin at a high speed of about 30000 rpm. Divide into chips.
一方、近年では、ウエーハに対して透過性を有する波長(例えば1064nm)のレーザービームの集光点を分割予定ラインに対応するウエーハの内部に位置付けて、レーザービームを分割予定ラインに沿って照射してウエーハ内部に改質層を形成し、その後分割装置によりウエーハに外力を付与して、ウエーハを改質層を分割起点として個々のデバイスチップに分割する方法が用いられ始めている(例えば、特許第3408805号参照)。 On the other hand, in recent years, a condensing point of a laser beam having a wavelength (for example, 1064 nm) having transparency to the wafer is positioned inside the wafer corresponding to the planned division line, and the laser beam is irradiated along the planned division line. A method of forming a modified layer inside a wafer and then applying an external force to the wafer by a dividing device and dividing the wafer into individual device chips using the modified layer as a starting point (for example, Patent No. 3408805).
レーザービームを用いる加工方法は、ダイサーによるダイシング方法に比べて加工速度を早くすることができるとともに、サファイアやSiC等の硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。 The processing method using a laser beam can increase the processing speed as compared with a dicing method using a dicer, and can relatively easily process even a wafer made of a material having high hardness such as sapphire or SiC. .
また、改質層を例えば10μm以下等の狭い幅とすることができるので、ダイシング方法で加工する場合に対してウエーハ1枚当たりのデバイス取り量を増やすことができるという利点を有している。 Further, since the modified layer can have a narrow width of, for example, 10 μm or less, there is an advantage that the amount of devices taken per wafer can be increased as compared with the case of processing by the dicing method.
このレーザー加工方法では、レーザービームのエネルギーを減衰させるもの(例えば、デバイスを構成する各種パターンを形成する材料)がレーザービームの入射面側に形成されていないことが条件となる。そのため、表面にデバイスが形成されたウエーハに対しては、ウエーハの裏面側からレーザービームを照射してウエーハ内部に改質層を形成する。 In this laser processing method, it is a condition that a material for attenuating the energy of the laser beam (for example, a material for forming various patterns constituting the device) is not formed on the incident surface side of the laser beam. For this reason, a wafer having a device formed on the front surface is irradiated with a laser beam from the back side of the wafer to form a modified layer inside the wafer.
デバイス面からレーザービームを照射できない場合、通常の加工で用いられるのと同様に、一般的には粘着テープ(ダイシングテープ)にウエーハの表面側を貼着して環状フレームに固定するウエーハユニットを形成した後、ポーラスセラミックスからなるチャックテーブルの保持面にダイシングテープを介してウエーハの表面側を吸引保持し、露出されたウエーハの裏面側からレーザービームを照射して、ウエーハ内部に改質層を形成する。 When the laser beam cannot be irradiated from the device surface, the wafer unit is generally fixed to an annular frame by sticking the wafer surface side to an adhesive tape (dicing tape), just as in normal processing. After that, the wafer front side is sucked and held on the holding surface of the chuck table made of porous ceramics through a dicing tape, and a laser beam is irradiated from the exposed back side of the wafer to form a modified layer inside the wafer. To do.
ところで、このようにウエーハの表面側をダイシングテープに貼着し、ウエーハの裏面側からレーザービームを照射してウエーハ内部に改質層を形成した後、分割装置によりウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法では、分割装置からピックアップされるデバイスチップは表面が下側となるため、デバイスチップを表裏反転してからその後の工程を実施する必要がある。 By the way, after attaching the front side of the wafer to the dicing tape in this way and irradiating the laser beam from the back side of the wafer to form a modified layer inside the wafer, the wafer is divided into individual device chips by a dividing device. In this method, since the surface of the device chip picked up from the dividing apparatus is on the lower side, it is necessary to carry out the subsequent steps after turning the device chip upside down.
このような不都合を解消するために、粘着テープ(ダイシングテープ)にウエーハの裏面を貼着して環状フレームに固定するウエーハユニットを形成した後、チャックテーブルの保持面にウエーハの表面(デバイス面)を載置して、粘着テープ越しにレーザービームを照射する方法をとる場合がある。 In order to eliminate such inconvenience, a wafer unit is formed by adhering the back surface of the wafer to an adhesive tape (dicing tape) and fixing it to the annular frame, and then the wafer surface (device surface) on the holding surface of the chuck table. In some cases, a laser beam is irradiated through an adhesive tape.
しかしながら、この方法では、硬質なポーラスセラミックスに当たってデバイスが損傷したり、粘着テープの粘着層がチャックテーブル側を向いているため、ウエーハの外周で露出している粘着テープがチャックテーブルの外周部分に貼りつき、レーザー加工後に搬送エラーを引き起こしてしまう恐れがある。 However, in this method, the device is damaged by the hard porous ceramics, and the adhesive layer of the adhesive tape faces the chuck table, so that the adhesive tape exposed at the outer periphery of the wafer is stuck on the outer periphery of the chuck table. Therefore, there is a risk of causing a conveyance error after laser processing.
そこで、ウエーハ周囲の粘着層に離形紙をドーナツ状に貼着して粘着層をカバーしたり、通気性と離型性を兼ね備えた多孔質シートを介して吸引する等の方法が検討されている(例えば、特許文献2参照)。 Therefore, methods such as sticking a release paper to the adhesive layer around the wafer in a donut shape to cover the adhesive layer, or sucking through a porous sheet having both air permeability and releasability have been studied. (For example, refer to Patent Document 2).
しかしながら、これらの材料はセッティングするのに工数を有したり、消耗品であるためコストが掛かったり、チャックテーブルとウエーハとの間に部材を挿入しているため、吸引保持したウエーハの上面精度が通常のチャックテーブル単体と比較して悪化する(高さばらつきが大きくなる)という弊害があった。 However, these materials have man-hours to set, are expensive because they are consumables, and because the member is inserted between the chuck table and the wafer, the upper surface accuracy of the suction held wafer is high. There was a detrimental effect that it was worse than a normal chuck table alone (height variation was greater).
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、粘着テープの粘着層を下側にしてウエーハの表面側(デバイス面)をチャックテーブルの保持面上に載置しても、デバイスを傷つけず、加工後の搬送エラー等を引き起こす恐れのない加工装置のチャックテーブルを提供することである。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to place the wafer surface side (device surface) on the holding surface of the chuck table with the adhesive layer of the adhesive tape facing down. It is an object of the present invention to provide a chuck table for a processing apparatus that does not damage the device even if it is placed and does not cause a transport error after processing.
本発明によると、板状の被加工物を吸引保持する加工装置のチャックテーブルであって、被加工物を保持面で保持する被加工物保持部と、該被加工物保持部を支持する基台と、該被加工物保持部と吸引源とを連通する該基台に形成された吸引路と、を備え、該被加工物保持部は、外周が樹脂によってシールされた弾性を有する板状の多孔質樹脂によって形成され、該被加工物保持部と該基台とは同等の直径を有することを特徴とする加工装置のチャックテーブルが提供される。 According to the present invention, there is provided a chuck table of a processing apparatus for sucking and holding a plate-shaped workpiece, a workpiece holding portion for holding the workpiece on a holding surface, and a base for supporting the workpiece holding portion. And a suction path formed in the base for communicating the workpiece holding part and the suction source, and the workpiece holding part is a plate having elasticity whose outer periphery is sealed with resin There is provided a chuck table for a processing apparatus, characterized in that the workpiece holding portion and the base have the same diameter.
好ましくは、被加工物は、表面側に複数のデバイスが形成され、外周縁が環状フレームに貼着された粘着テープの粘着面に裏面が貼着されており、デバイスが形成された被加工物の表面側が保持面で吸引保持される。 Preferably, the workpiece has a plurality of devices formed on the front surface side, and the back surface is stuck to the adhesive surface of the adhesive tape whose outer peripheral edge is stuck to the annular frame. The surface side of is sucked and held by the holding surface.
本発明のチャックテーブルによれば、ウエーハのデバイス面が直接載置されてもデバイスを傷つけない程度の弾性と、ウエーハを吸引保持する通気性とを備えたウエーハ保持部を直接基台に装着してチャックテーブルを構成したため、消耗品によるコスト増や上面精度の悪化を防ぐことができる。本発明のチャックテーブルは、半導体ウエーハを吸引保持する場合のみならず、ガラスやセラミックス等を傷つけることなく直接載置する場合も効果が得られる。 According to the chuck table of the present invention, the wafer holding portion having elasticity that does not damage the device even when the device surface of the wafer is directly mounted and air permeability that sucks and holds the wafer is directly mounted on the base. Since the chuck table is configured, it is possible to prevent the cost increase due to the consumables and the deterioration of the top surface accuracy. The chuck table of the present invention is effective not only when the semiconductor wafer is sucked and held but also when it is placed directly without damaging glass or ceramics.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明
実施形態に係るチャックテーブルを備えたレーザー加工装置2の斜視図が示されている。レーザー加工装置2の静止基台4上には、Y軸方向に伸長する一対のガイドレール6が固定されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a perspective view of a laser processing apparatus 2 including a chuck table according to an embodiment of the present invention is shown. A pair of guide rails 6 extending in the Y-axis direction are fixed on the stationary base 4 of the laser processing apparatus 2.
静止基台4上にはY軸移動ブロック8が、ボールねじ10及びパルスモータ12から構成されるY軸移動機構(割り出し送り機構)14により一対のガイドレール6に沿って割り出し送り方向、即ちY軸方向に移動可能に搭載されている。
A Y-
Y軸移動ブロック8上にはX軸方向に伸長する一対のガイドレール16が固定されている。Y軸移動ブロック8上にはX軸移動ブロック18が、ボールねじ20及びパルスモータ22から構成されるX軸移動機構(加工送り機構)24により、ガイドレール16に案内されて加工送り方向、即ちX軸方向に移動可能に搭載されている。
A pair of
X軸移動ブロック18上には、テーブル載置台26を介してチャックテーブル28が搭載されている。チャックテーブル28は、その外周に等間隔で配設された4個のクランプ30を備えている。
A chuck table 28 is mounted on the
静止基台4上には支持基台32が固定されている。支持基台32には、Z軸方向に伸長する一対のガイドレール34(一本のみ図示)が固定されている。Z軸移動ブロック36が図示しないボールねじとパルスモータ38とから構成されるZ軸移動機構40により、ガイドレール34に案内されてZ軸方向(上下方向)に移動可能に搭載されている。
A
Z軸移動ブロック36には、レーザービーム照射ユニット42のハウジング44が支持されている。レーザービーム照射ユニット42は、ハウジング44中に収容されたレーザー発振器等を含むレーザービーム発生ユニットと、ハウジング44の先端部に搭載された集光器(レーザーヘッド)46とから構成される。レーザービーム照射ユニット42のハウジング44には撮像ユニット50を含むアライメントユニット48が一体的に配設されている。
A
次に、図2及び図3を参照して、本発明実施形態に係るチャックテーブル28について詳細に説明する。図2(A)はチャックテーブル28の分解斜視図、図2(B)はその斜視図、図3はチャックテーブル28の断面図である。 Next, the chuck table 28 according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3. 2A is an exploded perspective view of the chuck table 28, FIG. 2B is a perspective view thereof, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the chuck table 28.
チャックテーブル28は基台52と、基台52上に搭載される吸引保持部54とから構成される。基台52には同心円状の複数の吸引溝58と、各吸引溝58を接続する径方向に伸長する2本の接続吸引溝60と、接続吸引溝60に接続された吸引路62とが形成されている。
The chuck table 28 includes a
一方、吸引保持部54は弾性を有する多孔質樹脂から形成されている。多孔質樹脂としては、「フッ素樹脂」を用いるのが望ましい。
On the other hand, the
吸引保持部54の気孔率は30〜60%程度であり、外周に樹脂を含浸させて封止(シール)領域56を形成している。保持部54の保持面54aの平面度は例えば10μm以下、平行度は30μm以下に形成した。
The porosity of the
図2(B)及び図3に示されるように、吸引保持部54を基台52上に搭載すると、チャックテーブル28が構成される。吸引路62を図示しない吸引源に接続すると、径方向の接続吸引溝60及び同心円状の吸引溝58に負圧が作用して、吸引保持部54は基台52に吸引保持される。
As shown in FIGS. 2B and 3, the chuck table 28 is configured when the
図4を参照すると、半導体ウエーハ(以下、単にウエーハと略称することがある)11の表面側斜視図が示されている。ウエーハ11の表面11aには、複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されており、分割予定ライン13により区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
Referring to FIG. 4, a front perspective view of a semiconductor wafer 11 (hereinafter sometimes simply referred to as “wafer”) 11 is shown. A plurality of planned division lines (streets) 13 are formed in a lattice pattern on the
本発明実施形態のチャックテーブル28を利用してレーザー加工装置2でウエーハ11にレーザー加工を施す際には、図5に示すように、外周部が環状フレームFに貼着された粘着テープ(ダイシングテープ)Tにウエーハ11の裏面側を貼着してウエーハユニット17を形成する。
When laser processing is performed on the
そして、図6及び図7(A)に示すように、ウエーハユニット17の表裏を反転してウエーハ11の表面(デバイス面)11aをチャックテーブル28の保持面54a上に載置し、図7(B)に示すように、クランプ30で環状フレームFをクランプして固定する。
Then, as shown in FIGS. 6 and 7A, the front and back of the
図7に示すように、チャックテーブル28のテーブル載置台26には、チャックテーブル28の基台52に形成された吸引路62に連通する吸引路64と、テーブル載置台26の表面に連通した吸引路66が形成されている。
As shown in FIG. 7, the table mounting table 26 of the chuck table 28 includes a
テーブル載置台26の吸引路64,66を図示しない真空吸引源に接続すると、吸引路66を介してチャックテーブル28に負圧が作用してチャックテーブル28はテーブル載置台26に吸引保持されるとともに、吸引路64,62及び吸引溝60,58を介して吸引保持部54に負圧が作用する。従って、ウエーハユニット17のウエーハ11は吸引保持部54により吸引保持される。
When the
吸引保持部54はフッ素樹脂から形成されているため、ウエーハ11のデバイス面(表面)11aがチャックテーブル28の保持面54a上に直接載置されても、フッ素樹脂の弾性によりデバイス15を傷つけることがない。
Since the
また、吸引保持部54の外周部には樹脂を含浸させてシール部56が形成されているため、吸引保持部54の外周から負圧が逃げることがなく、吸引保持部54でウエーハ11を確実に吸引保持することができる。
Further, since the sealing
ウエーハユニット17のウエーハ11を、図7(B)に示すように、チャックテーブル28の吸引保持部54で吸引保持した後、レーザービームを粘着テープTを介してウエーハ11の裏面11b側から入射して、ウエーハ11の内部に分割予定ライン17に沿った改質層を形成する。
After the
図7(B)を参照すると明らかなように、ウエーハ11の直径とシール部56を含めた吸引保持部54の直径は概略同等であり、従来のチャックテーブルのように吸引保持部54の外側にSUS等の金属から形成された枠体が存在しないため、粘着テープTの粘着層がチャックテーブル28の外周部分に貼りつくことがなく、レーザー加工後にウエーハユニット17の搬送エラーを引き起こすことがない。また、チャックテーブル28の吸引保持部54と基台52とは概略同等の直径を有している。
As is apparent from FIG. 7B, the diameter of the
上述した実施形態では、チャックテーブル28上に搭載される被加工物として半導体ウエーハ11について説明したが、被加工物は半導体ウエーハに限定されるものではなく、ガラスやセラミックス等の被加工物も傷つけることなくチャックテーブル28の保持面54a上に直接載置することができる。
In the above-described embodiment, the
2 レーザー加工装置
11 半導体ウエーハ
T 粘着テープ(ダイシングテープ)
F 環状フレーム
17 ウエーハユニット
28 チャックテーブル
52 基台
54 吸引保持部
54a 保持面
56 封止部
2
F
Claims (2)
被加工物を保持面で保持する被加工物保持部と、
該被加工物保持部を支持する基台と、
該被加工物保持部と吸引源とを連通する該基台に形成された吸引路と、を備え、
該被加工物保持部は、外周が樹脂によってシールされた弾性を有する板状の多孔質樹脂によって形成され、
該被加工物保持部と該基台とは同等の直径を有することを特徴とする加工装置のチャックテーブル。 A chuck table of a processing apparatus for sucking and holding a plate-shaped workpiece,
A workpiece holding section for holding the workpiece on the holding surface;
A base for supporting the workpiece holding portion;
A suction path formed in the base that communicates the workpiece holding part and a suction source, and
The workpiece holding portion is formed of a plate-like porous resin having elasticity whose outer periphery is sealed with resin,
The chuck table of a processing apparatus, wherein the workpiece holding part and the base have the same diameter.
表面側に複数のデバイスが形成され、
外周縁が環状フレームに貼着された粘着テープの粘着面に裏面が貼着されており、
該デバイスが形成された被加工物の表面側が前記保持面で吸引保持される請求項1記載の加工装置のチャックテーブル。 The workpiece is
Multiple devices are formed on the surface side,
The back side is stuck to the adhesive surface of the adhesive tape whose outer periphery is stuck to the annular frame,
The chuck table of the processing apparatus according to claim 1, wherein the surface side of the workpiece on which the device is formed is sucked and held by the holding surface.
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
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A02 | Decision of refusal |
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