JP2014038761A

JP2014038761A - Process of manufacturing organic el element and vapor deposition apparatus

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Publication number: JP2014038761A
Application number: JP2012180312A
Authority: JP
Inventors: Nobukazu Negishi; 伸和根岸; Ryohei Kakiuchi; 良平垣内; Kanako Hida; 加奈子肥田; Takahiro Nakai; 孝洋中井
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2012-08-16
Filing date: 2012-08-16
Publication date: 2014-02-27

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to adjust a quantity of a vaporized material discharged from a melting pot.SOLUTION: The process of manufacturing an organic EL element forms a material layer that forms a light-emitting layer of the organic EL element with a deposition rate of 300 nm/sec or higher.

Description

本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法及び蒸着装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL element and a vapor deposition apparatus.

従来の蒸着装置としては、例えば、いわゆるバッチ方式のものや、ロールtoロールによるものが挙げられる。このうち、ロールtoロールによる蒸着装置は、真空室と、真空室内に設けられる蒸着源と、被処理基材を搬送するための送りロール及び巻き取りロールとを備える（例えば特許文献１参照）。 As a conventional vapor deposition apparatus, for example, a so-called batch type apparatus or a roll-to-roll apparatus is exemplified. Among these, the roll-to-roll vapor deposition apparatus includes a vacuum chamber, a vapor deposition source provided in the vacuum chamber, and a feed roll and a take-up roll for conveying the substrate to be processed (see, for example, Patent Document 1).

真空室内の蒸着源は、坩堝に収容されており、この坩堝が加熱されることにより、蒸着源から気化した気化材料が真空室内を通過する被処理基材に蒸着される。その結果、この被処理基材の表面には、気化材料の蒸着による所定厚さの膜が形成され、これによって所定の素子（例えば有機ＥＬ素子等）を製造できるようになる。 The vapor deposition source in the vacuum chamber is housed in a crucible, and when the crucible is heated, the vaporized material evaporated from the vapor deposition source is deposited on the substrate to be processed passing through the vacuum chamber. As a result, a film having a predetermined thickness is formed on the surface of the substrate to be processed by vapor deposition of the vaporized material, whereby a predetermined element (such as an organic EL element) can be manufactured.

特開２０００−１８３５００号公報JP 2000-183500 A

有機ＥＬ素子において実用化にむけて駆動点灯寿命の改善は必須の命題である。従来はより安定な材料の開発、それら材料の組み合わせ最適化によって検討されてきた。しかしながら、特性の改善とともに素子設計の緻密化が進み、製造工程における品質安定性、歩留りにおける問題が起こっている。上記のような現状において、製造する素子の設計に関わらず、有機ＥＬ素子の性能向上も付与する製造方法の開発が望まれている。 Improvement of driving and lighting life is an essential proposition for practical use in organic EL elements. Conventionally, it has been studied by developing more stable materials and optimizing the combination of these materials. However, as the characteristics are improved, the element design is becoming more and more precise, and there are problems in quality stability and yield in the manufacturing process. In the current situation as described above, it is desired to develop a manufacturing method that can also improve the performance of the organic EL element regardless of the design of the element to be manufactured.

上記のような事情から、有機ＥＬ素子の寿命を向上させるためには、例えば、製造する素子の用途や性能に応じて被処理基材に形成される膜の成膜速度をどの程度に調整するかということも重要になる。このためには、例えば、坩堝から放出される気化材料の量を調節することが望ましい。 In order to improve the lifetime of the organic EL element from the above circumstances, for example, how much the film formation rate of the film formed on the substrate to be processed is adjusted according to the use and performance of the element to be manufactured. It becomes important. For this purpose, for example, it is desirable to adjust the amount of vaporized material released from the crucible.

さらに、本発明の発明者は、気化材料の量をどの程度に調節すれば、有機ＥＬ素子の寿命を向上できるかを実験により見出した。 Furthermore, the inventor of the present invention has found through experiments that how much the amount of the vaporized material can be adjusted to improve the lifetime of the organic EL element.

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、坩堝から放出される気化材料の成膜速度を所定の値に設定することによって、有機ＥＬ素子の寿命を向上させることができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an organic EL device that can improve the lifetime of an organic EL element by setting a film forming rate of a vaporized material discharged from a crucible to a predetermined value. It is an object to provide a method for manufacturing an element.

また、本発明は、坩堝から放出される気化材料の量を調節できるようにした蒸着装置を提供することを課題とする。 Moreover, this invention makes it a subject to provide the vapor deposition apparatus which enabled it to adjust the quantity of the vaporization material discharge | released from a crucible.

本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、上記の課題を解決するためのものであって、有機ＥＬ素子における発光層を形成する材料層が３００ｎｍ／ｓｅｃ以上の製膜速度で形成されることを特徴とする。
かかる構成によれば、有機ＥＬ素子の寿命を向上させることができるようになる。 The manufacturing method of the organic EL device according to the present invention is for solving the above-described problem, and the material layer for forming the light emitting layer in the organic EL device is formed at a film forming speed of 300 nm / sec or more. It is characterized by.
According to such a configuration, the lifetime of the organic EL element can be improved.

本発明は、上記の課題を解決するためのものであって、真空室と、蒸着源を収容するとともに該蒸着源からの気化材料を所定方向に搬送される被処理基材に蒸着するために真空室内に設けられる坩堝とを備える蒸着装置において、前記坩堝は、前記蒸着源からの前記気化材料を放出する放出口を備え、前記放出口から放出される前記気化材料の量を調節するためのシャッタ装置を備えることを特徴とする。 The present invention is for solving the above-described problems, and is for containing a vacuum chamber and a vapor deposition source and depositing a vaporized material from the vapor deposition source on a substrate to be treated which is conveyed in a predetermined direction. In the vapor deposition apparatus including a crucible provided in a vacuum chamber, the crucible includes a discharge port that discharges the vaporized material from the vapor deposition source, and adjusts the amount of the vaporized material discharged from the discharge port. A shutter device is provided.

かかる構成によれば、シャッタ装置によって放出口から放出される気化材料の量を調節できるようになる。 With this configuration, the amount of vaporized material released from the discharge port by the shutter device can be adjusted.

また、本発明に係る蒸着装置によれば、前記真空室内に導入される前記被処理基材と前記坩堝との間隔を変更する間隔変更装置を備える。 Moreover, according to the vapor deposition apparatus which concerns on this invention, the space | interval change apparatus which changes the space | interval of the said to-be-processed base material introduced into the said vacuum chamber and the said crucible is provided.

かかる構成によれば、間隔変更装置によって坩堝と被処理基材との間隔を変更できることから、蒸着開始前には、坩堝と被処理基材との間隔を十分に大きく確保しておき、蒸着時に坩堝と被処理基材とを近接させることで、所望の成膜レートでの蒸着を行うことができるようになる。 According to such a configuration, since the interval between the crucible and the substrate to be processed can be changed by the interval changing device, a sufficiently large interval between the crucible and the substrate to be processed is ensured before vapor deposition. By bringing the crucible and the substrate to be processed close to each other, vapor deposition can be performed at a desired film formation rate.

また、本発明は、上記の蒸着装置を使用して前記蒸着源からの前記気化材料を前記被処理基材に蒸着する蒸着方法であって、前記シャッタ装置によって、前記放出口を所定の開口面積に設定するとともに、この放出口から放出される前記気化材料を前記被処理基材に蒸着することを特徴とする。 Further, the present invention is a vapor deposition method for vapor-depositing the vaporized material from the vapor deposition source on the substrate to be treated using the vapor deposition apparatus, wherein the discharge port has a predetermined opening area by the shutter device. And vaporizing the vaporized material discharged from the discharge port on the substrate to be treated.

かかる構成によれば、シャッタ装置によって坩堝の放出口の開口面積を調節することで、放出口から放出される気化材料の量を調節できるようになる。 According to this configuration, the amount of vaporized material discharged from the discharge port can be adjusted by adjusting the opening area of the discharge port of the crucible by the shutter device.

また、本発明に係る蒸着方法によれば、前記シャッタ装置によって、前記被処理基材の搬送方向における前記放出口の開口幅を、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定して蒸着を行うことが望ましい。 Moreover, according to the vapor deposition method which concerns on this invention, it is desirable to perform vapor deposition by setting the opening width of the said discharge port in the conveyance direction of the said to-be-processed base material to 1 mm or more and 10 mm or less with the said shutter apparatus.

本発明によれば、有機ＥＬ素子の寿命を向上させることができる。
また、本発明によれば、坩堝から放出される気化材料の量を調整できるようになる。 According to the present invention, the lifetime of the organic EL element can be improved.
Moreover, according to this invention, the quantity of the vaporization material discharge | released from a crucible can be adjusted now.

図１は、本発明の一実施形態を示す蒸着装置の部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a vapor deposition apparatus showing an embodiment of the present invention. 図２は、蒸着装置の要部を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a main part of the vapor deposition apparatus. 図３は、蒸着装置の他の例を示す要部断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of an essential part showing another example of the vapor deposition apparatus.

以下、本発明を実施するための形態について、図１、図２を参照して説明する。本実施形態における蒸着装置１は、いわゆる近接蒸着によって有機ＥＬ素子その他の素子を製造するために使用される。この蒸着装置１は、ロールtoロールによる連続蒸着を可能にするものとして例示される。また、蒸着装置１は、フィルム状で帯状に構成される被処理基材２を所定の方向に搬送しながら、蒸着源３から気化させた気化材料をこの被処理基材２に蒸着することにより、所定厚さの薄膜を形成する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. The vapor deposition apparatus 1 in this embodiment is used for manufacturing an organic EL element and other elements by so-called proximity vapor deposition. This vapor deposition apparatus 1 is illustrated as what enables the continuous vapor deposition by a roll to roll. Moreover, the vapor deposition apparatus 1 vapor-deposits the vaporization material vaporized from the vapor deposition source 3 on this to-be-processed base material 2, conveying the to-be-processed base material 2 comprised in a strip shape in the form of a film. A thin film having a predetermined thickness is formed.

この蒸着装置１によって製造される有機ＥＬ素子は、少なくとも、被処理基材２に重なるように形成される電極層（下部電極層）と、この電極層に重なるように形成される有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層に重なるように形成される電極層（上部電極層）とを有する。有機ＥＬ層を挟むように形成される２つの電極層（上部電極層、下部電極層）の一方は、陽極層であり、他方は陰極層である。 The organic EL element manufactured by the vapor deposition apparatus 1 includes at least an electrode layer (lower electrode layer) formed so as to overlap the substrate 2 to be processed, and an organic EL layer formed so as to overlap this electrode layer And an electrode layer (upper electrode layer) formed to overlap this organic EL layer. One of the two electrode layers (upper electrode layer and lower electrode layer) formed so as to sandwich the organic EL layer is an anode layer, and the other is a cathode layer.

より具体的には、この蒸着装置１は、真空室４と、真空室４に接続される真空ポンプ（図示せず）と、被処理基材２を真空室４に向かって送り出す送出ローラ（図示せず）と、蒸着源３と、真空室４内で蒸着源３を収納する坩堝５と、坩堝５の近傍位置に設けられるとともに被処理基材２に形成される薄膜の厚さを測定するためのセンサ６と、坩堝５を加熱するヒータ（図示せず）と、被処理基材２と坩堝５との間隔を変更する間隔変更装置７と、真空室４内で蒸着された被処理基材２を巻き取る巻取ローラ（図示せず）と、を備える。 More specifically, the vapor deposition apparatus 1 includes a vacuum chamber 4, a vacuum pump (not shown) connected to the vacuum chamber 4, and a delivery roller (see FIG. 5) that feeds the substrate 2 to be processed toward the vacuum chamber 4. (Not shown), a vapor deposition source 3, a crucible 5 that houses the vapor deposition source 3 in the vacuum chamber 4, and a thickness of a thin film that is provided in the vicinity of the crucible 5 and formed on the substrate 2 to be processed. Sensor 6 for heating, a heater (not shown) for heating the crucible 5, an interval changing device 7 for changing the interval between the substrate 2 to be processed and the crucible 5, and a substrate to be processed deposited in the vacuum chamber 4. A winding roller (not shown) for winding the material 2.

坩堝５は、蒸着源３を収容する収容部１１と、蒸着源３から放出される気化材料を被処理基材２に案内する第１の案内通路１２と、第１の案内通路１２の一端部に設けられるとともに、この第１の案内通路１２を通過する気化材料を、被処理基材２に向けて放出すべく、所定の開口面積を有する放出口１３と、第１の案内通路１２の中途部から分岐して坩堝５の外部に連通する第２の案内通路１４と、送方向における放出口１３の開口面積を調節するためのシャッタ装置１５とを有する。 The crucible 5 includes an accommodating portion 11 that accommodates the vapor deposition source 3, a first guide passage 12 that guides the vaporized material released from the vapor deposition source 3 to the substrate 2, and one end portion of the first guide passage 12. The discharge port 13 having a predetermined opening area and the middle of the first guide passage 12 are provided to discharge the vaporized material passing through the first guide passage 12 toward the substrate 2 to be processed. A second guide passage 14 branched from the portion and communicating with the outside of the crucible 5, and a shutter device 15 for adjusting the opening area of the discharge port 13 in the feeding direction.

収容部１１は、蒸着源３を収容すべく、底壁部１６と、この底壁部１６に対して垂直に設けられる側壁部１７とを有する。収容部１１には、これらの壁部１６，１７によって囲繞されることによって、気化材料の収容空間が形成される。収容部１１は、その外側からヒータによって加熱されることで、蒸着源３にその熱を伝えるように構成される。 The accommodating part 11 has a bottom wall part 16 and a side wall part 17 provided perpendicular to the bottom wall part 16 in order to accommodate the vapor deposition source 3. The housing portion 11 is surrounded by the wall portions 16 and 17 to form a housing space for the vaporized material. The container 11 is configured to transmit the heat to the vapor deposition source 3 by being heated by a heater from the outside.

第１の案内通路１２は、収容部１１を覆うように設けられる壁部によって形成される。この壁部は、収容部１１の側壁部１７の一部と一体的かつ連続的に繋がって形成される第１壁部２１と、第１壁部２１に対して略直交するように拡がる第２壁部２２と、第２壁部２２に対して略直交するとともに、第１壁部２１に対して略平行に設けられる第３壁部２３とを有する。なお、第１壁部２１と第３壁部２３とは、同様な構成の第４壁部２４（図２参照）及び第５壁部（図示せず）によって連結されている。第１の案内通路１２は、上記の第１壁部２１〜第５壁部に区画されて覆われた空間に形成される。 The first guide passage 12 is formed by a wall portion provided so as to cover the accommodating portion 11. The wall portion is formed of a first wall portion 21 formed integrally and continuously connected to a part of the side wall portion 17 of the housing portion 11, and a second wall extending so as to be substantially orthogonal to the first wall portion 21. It has the wall part 22 and the 3rd wall part 23 provided substantially parallel with respect to the 1st wall part 21, while being substantially orthogonal to the 2nd wall part 22. As shown in FIG. In addition, the 1st wall part 21 and the 3rd wall part 23 are connected by the 4th wall part 24 (refer FIG. 2) and the 5th wall part (not shown) of the same structure. The first guide passage 12 is formed in a space partitioned and covered by the first wall portion 21 to the fifth wall portion.

上記の構成により、第１の案内通路１２は、蒸着源３から放出される気化材料を、第１壁部２１を介して上方に案内するとともに、第２壁部２２を介して横方向に案内する。さらに、第１の案内通路１２は、第３壁部２３を介して気化材料を下方に案内するとともに、放出口１３を介して気化材料を被処理基材２に向かって放出させることができる。 With the above configuration, the first guide passage 12 guides the vaporized material released from the vapor deposition source 3 upward through the first wall 21 and laterally through the second wall 22. To do. Furthermore, the first guide passage 12 can guide the vaporized material downward through the third wall portion 23 and can discharge the vaporized material toward the substrate 2 to be processed through the discharge port 13.

第２の案内通路１４は、第２壁部２２の中途部に設けられている。より具体的には、第２の案内通路１４は、第２壁部２２を貫通して外部と連通する孔（オリフィス）によって構成される。第２の案内通路１４は、第２壁部２２の内面側における孔の開口部が気化材料の入口３２となり、第２壁部２２の外面側における孔の開口部が気化材料の出口３３となっている。この孔の直径又は幅は、入口３２から出口３３まで一定となっている。また、この孔の直径又は幅は、第１の案内通路１２の大きさよりも小さくされることが望ましい。 The second guide passage 14 is provided in the middle of the second wall portion 22. More specifically, the second guide passage 14 is configured by a hole (orifice) that passes through the second wall portion 22 and communicates with the outside. In the second guide passage 14, the opening of the hole on the inner surface side of the second wall portion 22 serves as the vaporization material inlet 32, and the opening of the hole on the outer surface side of the second wall portion 22 serves as the vaporization material outlet 33. ing. The diameter or width of the hole is constant from the inlet 32 to the outlet 33. In addition, it is desirable that the diameter or width of the hole be smaller than the size of the first guide passage 12.

シャッタ装置１５は、坩堝５の放出口１３を覆うことが可能なシャッタ部材２６と、このシャッタ部材２６を駆動するための駆動部２７とを有する。 The shutter device 15 includes a shutter member 26 that can cover the discharge port 13 of the crucible 5 and a drive unit 27 for driving the shutter member 26.

シャッタ部材２６は、放出口１３の開口面積よりも大きな面積を有する板状部材である。シャッタ部材２６は、駆動部２７によって駆動されることで、水平方向に移動（スライド）可能に構成される。 The shutter member 26 is a plate-like member having an area larger than the opening area of the discharge port 13. The shutter member 26 is configured to be movable (slidable) in the horizontal direction by being driven by the drive unit 27.

駆動部２７は、例えばラックアンドピニオンによる機構その他のスライド機構、及びこれを駆動する駆動モータ等の駆動源を使用して、シャッタ部材２６を水平方向に移動させることができる。 The drive unit 27 can move the shutter member 26 in the horizontal direction using a drive source such as a rack and pinion mechanism or other slide mechanisms and a drive motor for driving the slide mechanism.

シャッタ装置１５により、坩堝５の放出口１３の開口量（開口面積）を変更することで、放出される気化材料の量を変更することができる。具体的には、シャッタ装置１５のシャッタ部材２６は、放出口１３の全体を覆って、気化材料の吐出量を０にする閉塞位置から、放出口１３を全て開口させ、その開口量（Ｗ）を最大（Ｗｍａｘ）にする全開位置まで移動可能に構成される。 By changing the opening amount (opening area) of the discharge port 13 of the crucible 5 with the shutter device 15, the amount of vaporized material to be discharged can be changed. Specifically, the shutter member 26 of the shutter device 15 covers the entire discharge port 13 and opens all the discharge ports 13 from the closed position where the discharge amount of the vaporized material is 0, and the opening amount (W). Is configured to be movable up to a fully open position where W is the maximum (Wmax).

これにより、シャッタ装置１５は、放出口１３から放出される気化材料の量を適宜調節するとともに、放出口１３から気化材料が放出されないようにすることも可能になる。 Thereby, the shutter device 15 can appropriately adjust the amount of the vaporized material discharged from the discharge port 13 and can prevent the vaporized material from being discharged from the discharge port 13.

上記のように、シャッタ装置１５によって、気化材料の吐出量を調節することで、気化材料によって被処理基材２に形成される膜の成膜レート（成膜速度）を調節できるようになる。成膜レートは、被処理基材２の搬送速度を変更することによっても調節可能である。 As described above, the deposition rate (deposition rate) of the film formed on the substrate 2 to be processed by the vaporized material can be adjusted by adjusting the discharge amount of the vaporized material by the shutter device 15. The film formation rate can also be adjusted by changing the conveyance speed of the substrate 2 to be processed.

なお、成膜レート（ｎｍ／ｓｅｃ）の制御は、センサ６で検知される第２の案内路１４からの蒸気速度と、この時の基材搬送速度での製膜厚を接触式膜厚計で読み取り、センサ６のモニタ値と実際の製膜厚の関係より検量線を作成することで実施される。この検量線より、デバイス作成時に目的とする膜厚で製膜することができる。 The film formation rate (nm / sec) is controlled by measuring the vapor velocity from the second guide path 14 detected by the sensor 6 and the film thickness at the base material conveyance speed at this time using a contact-type film thickness meter. And a calibration curve is created from the relationship between the monitor value of the sensor 6 and the actual film thickness. From this calibration curve, it is possible to form a film with a target film thickness at the time of device creation.

例えば、この蒸着装置１によって有機ＥＬ素子を製造する場合には、発光層の成膜レートは、例えば３００ｎｍ／ｓｅｃ以上に設定されることが望ましい。これにより、有機ＥＬ素子の発光層と正孔輸送層との界面が相溶し、電子移動障壁が緩和されることが予想される。このようにすることで、有機ＥＬ素子の寿命を向上させることが可能になる。なお、上記のように、成膜レートを３００ｎｍ／ｓｅｃ以上とする場合には、被処理基材２の搬送速度ｖを３ｍ／ｍｉｎ以上とすることが望ましい。また、放出口１３の開口幅Ｗは、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下とされることが望ましい。さらに望ましい開口幅Ｗは１０ｍｍである。 For example, when an organic EL element is manufactured by the vapor deposition apparatus 1, it is desirable that the film formation rate of the light emitting layer is set to, for example, 300 nm / sec or more. As a result, it is expected that the interface between the light emitting layer and the hole transport layer of the organic EL element is compatible and the electron transfer barrier is relaxed. By doing in this way, it becomes possible to improve the lifetime of an organic EL element. As described above, when the film formation rate is set to 300 nm / sec or more, it is desirable that the conveyance speed v of the substrate 2 to be processed is set to 3 m / min or more. Moreover, it is desirable that the opening width W of the discharge port 13 is 1 mm or more and 10 mm or less. A more desirable opening width W is 10 mm.

本実施形態において、センサ６には、水晶振動子（ＱＣＭ）が使用される。このセンサ６は、真空室４内において、坩堝５に近接する位置に設けられている。より具体的には、センサ６は、坩堝５の第２壁部２２に形成される第２の案内通路１４の上方に配置される。さらに、センサ６は、その検出面６ａが、第２の案内通路１４の出口３３と対向するように配置されている。このように、第２の案内通路１４の近傍位置にセンサ６が配置されていることにより、第２の案内通路１４から坩堝５外に放出される気化材料をセンサ６に付着させ、被処理基材２に対する成膜レートを検出することが可能になる。 In the present embodiment, the sensor 6 uses a crystal resonator (QCM). This sensor 6 is provided in the vacuum chamber 4 at a position close to the crucible 5. More specifically, the sensor 6 is disposed above the second guide passage 14 formed in the second wall portion 22 of the crucible 5. Further, the sensor 6 is arranged such that its detection surface 6 a faces the outlet 33 of the second guide passage 14. As described above, since the sensor 6 is arranged in the vicinity of the second guide passage 14, the vaporized material released from the second guide passage 14 to the outside of the crucible 5 is attached to the sensor 6, and the substrate to be treated is disposed. It becomes possible to detect the film forming rate for the material 2.

間隔変更装置７は、坩堝５を被処理基材２に対して移動させることによって、坩堝５と被処理基材２との間隔を変更できる。この間隔変更装置７は、図２に示すように、坩堝５を支持する支持部材３５と、支持部材３５に連結されるとともに、この支持部材３５を介して坩堝５を移動させる移動機構３６と、移動機構３６を支持する支持台３７とを有する。 The interval changing device 7 can change the interval between the crucible 5 and the substrate 2 to be processed by moving the crucible 5 with respect to the substrate 2 to be processed. As shown in FIG. 2, the gap changing device 7 includes a support member 35 that supports the crucible 5, a moving mechanism 36 that is connected to the support member 35 and moves the crucible 5 via the support member 35, And a support base 37 that supports the moving mechanism 36.

支持部材３５は、坩堝５に連結される第１支持部材３５ａと、この第１支持部材３５ａと移動機構３６との間に設けられる第２支持部材３５ｂとを有する。 The support member 35 includes a first support member 35 a connected to the crucible 5 and a second support member 35 b provided between the first support member 35 a and the moving mechanism 36.

第１支持部材３５ａとしては、所定長さを有する長尺状の棒材が使用される。第１支持部材３５ａは、その一端部が坩堝５に連結され、その他端部が第２支持部材３５ｂに連結されている。この第１支持部材３５ａは、両端部にねじ部（図示せず）を有する。 As the first support member 35a, a long bar having a predetermined length is used. The first support member 35a has one end connected to the crucible 5 and the other end connected to the second support member 35b. The first support member 35a has screw portions (not shown) at both ends.

第２支持部材３５ｂとしては、所定の面積及び厚さを有する板部材が使用される。この第２支持部材３５ｂは、移動機構３６を第２支持部材３５ｂに連結するための連結孔（以下「第１連結孔」という）３８と、第１支持部材３５ａを連結するための連結孔（以下「第２連結孔」という）３９とを有する。この第２支持部材３５ｂの一方の面（裏面）には、センサ６が固定されている。 A plate member having a predetermined area and thickness is used as the second support member 35b. The second support member 35b includes a connection hole (hereinafter referred to as “first connection hole”) 38 for connecting the moving mechanism 36 to the second support member 35b, and a connection hole (for connecting the first support member 35a). (Hereinafter referred to as “second connecting hole”) 39. The sensor 6 is fixed to one surface (back surface) of the second support member 35b.

第１連結孔３８及び第２連結孔３９は、第１支持部材３５ａの厚さ方向に貫通して形成されている。第１連結孔３８及び第２連結孔３９は、ねじ孔として形成されている。 The first connection hole 38 and the second connection hole 39 are formed so as to penetrate in the thickness direction of the first support member 35a. The first connection hole 38 and the second connection hole 39 are formed as screw holes.

第２連結孔３９は、第１連結孔３８から所定の間隔をおいて、第２支持部材３５ｂの所定の２箇所の位置に形成されている。第２連結孔３９には、第１支持部材３５ａの端部に形成されるねじ部が螺合されている。 The second connection holes 39 are formed at predetermined two positions of the second support member 35b with a predetermined distance from the first connection holes 38. A threaded portion formed at the end of the first support member 35a is screwed into the second connecting hole 39.

移動機構３６は、第２支持部材３５ｂに連結されるねじ部材４１と、このねじ部材４１を回転駆動する駆動モータ４２とを有する。 The moving mechanism 36 includes a screw member 41 connected to the second support member 35b, and a drive motor 42 that rotationally drives the screw member 41.

ねじ部材４１は、その中途部が第２支持部材３５ｂの第２連結孔３９に螺合されている。また、ねじ部材４１は、一端部に抜け止め部４３を有する。ねじ部材４１の他端部は、駆動モータ４２に連結されている。 The middle part of the screw member 41 is screwed into the second connection hole 39 of the second support member 35b. Further, the screw member 41 has a retaining portion 43 at one end. The other end of the screw member 41 is connected to the drive motor 42.

駆動モータ４２は、本体部４６と、本体部４６から突出する駆動軸４７とを有する。本体部４６は、支持台３７に支持されている。駆動軸４７は、連結部材４８を介してねじ部材４１の端部に連結されている。 The drive motor 42 includes a main body 46 and a drive shaft 47 that protrudes from the main body 46. The main body 46 is supported by the support base 37. The drive shaft 47 is connected to the end of the screw member 41 via a connecting member 48.

支持台３７は、真空室４内に固定される第１支持部４９と、駆動モータ４２を支持する第２支持部５０とを有する。第１支持部４９は、長尺状の板状に構成される。第１支持部４９は、上下方向に沿って配置されており、その下端部が真空室４内に固定されている。 The support base 37 includes a first support portion 49 that is fixed in the vacuum chamber 4 and a second support portion 50 that supports the drive motor 42. The 1st support part 49 is comprised by the elongate plate shape. The first support portion 49 is disposed along the vertical direction, and the lower end portion thereof is fixed in the vacuum chamber 4.

第２支持部５０は、板状に構成され、第１支持部４９の上端部に設けられている。この第２支持部５０は、第１支持部４９の上端部から水平方向に突出するように設けられている。第２支持部５０には、駆動モータ４２の駆動軸４７を挿通するための挿通孔（図示せず）が形成されている。第２支持部５０は、駆動モータ４２の駆動軸４７を挿通孔に挿通するとともに、その上面に駆動モータ４２が載置されることによって、この駆動モータ４２を支持している。 The second support portion 50 is configured in a plate shape and is provided at the upper end portion of the first support portion 49. The second support portion 50 is provided so as to protrude in the horizontal direction from the upper end portion of the first support portion 49. The second support portion 50 is formed with an insertion hole (not shown) for inserting the drive shaft 47 of the drive motor 42. The second support portion 50 supports the drive motor 42 by inserting the drive shaft 47 of the drive motor 42 through the insertion hole and placing the drive motor 42 on the upper surface thereof.

以下、上記のような構成の蒸着装置１を使用して被処理基材２に気化材料を蒸着する蒸着方法について説明する。 Hereinafter, the vapor deposition method which vapor-deposits a vaporization material on the to-be-processed base material 2 using the vapor deposition apparatus 1 of the above structures is demonstrated.

蒸着が開始される前の段階では、坩堝５は、図１において実線で示す待機位置に配置されている。この待機位置において、シャッタ装置１５は、坩堝５の放出口１３を全て覆って閉塞している。したがって、待機位置では、気化材料は坩堝５から放出されていない。 In the stage before vapor deposition is started, the crucible 5 is disposed at a standby position indicated by a solid line in FIG. At this standby position, the shutter device 15 covers and closes all the discharge ports 13 of the crucible 5. Therefore, the vaporized material is not discharged from the crucible 5 at the standby position.

この待機位置における坩堝５と被処理基材２との間隔を、以下「第１離間間隔」（図１において符号Ｄ１で示す）という。蒸着が開始されるまでは、この第１離間間隔Ｄ１が維持される。なお、この状態において、被処理基材２の搬送は停止されている。 The distance between the crucible 5 and the substrate 2 to be processed at this standby position is hereinafter referred to as “first separation distance” (indicated by reference sign D1 in FIG. 1). The first separation interval D1 is maintained until vapor deposition is started. In addition, in this state, conveyance of the to-be-processed base material 2 is stopped.

蒸着が開始される場合には、間隔変更装置７における移動機構３６の駆動モータ４２を駆動することによって、坩堝５を下方に移動させる。これによって、坩堝５は、被処理基材２に近接する位置（図１において２点鎖線で示す位置）に配置される。この近接位置における坩堝５と被処理基材２との間隔を、以下「第２離間間隔」（図１において符号Ｄ２で示す）という。この第２離間間隔Ｄ２は、当然に、第１離間間隔Ｄ１よりも小さくなる。また、第２離間間隔Ｄ２は、例えば、１０ｍｍ以下とされるのが望ましい。 When vapor deposition is started, the crucible 5 is moved downward by driving the drive motor 42 of the moving mechanism 36 in the interval changing device 7. Thereby, the crucible 5 is disposed at a position close to the substrate 2 to be processed (position indicated by a two-dot chain line in FIG. 1). The distance between the crucible 5 and the substrate 2 to be processed at this proximity position is hereinafter referred to as “second separation distance” (indicated by reference sign D2 in FIG. 1). Naturally, the second separation interval D2 is smaller than the first separation interval D1. Further, it is desirable that the second separation interval D2 is, for example, 10 mm or less.

坩堝５が被処理基材２に近接する位置に到達すると、シャッタ装置１５の駆動部２７がシャッタ部材２６を動作させる。これによって、シャッタ部材２６は、所定の位置に移動する。このシャッタ部材２６の移動により、坩堝５の放出口１３が所定の開口面積にて開口し、気化材料が放出される。 When the crucible 5 reaches a position close to the substrate 2 to be processed, the drive unit 27 of the shutter device 15 operates the shutter member 26. As a result, the shutter member 26 moves to a predetermined position. By the movement of the shutter member 26, the discharge port 13 of the crucible 5 opens with a predetermined opening area, and the vaporized material is discharged.

そして、被処理基材２は、送出ローラから送り出されるとともに、巻取ローラによって巻き取られることで、所定の搬送方向に搬送される。この後、蒸着が終了するまでの間、第２離間間隔Ｄ２が維持される。これによって、坩堝５の放出口１３から放出された気化材料が、搬送されている被処理基材２に順次蒸着される。蒸着装置１は、シャッタ装置１５による放出口１３の開口面積の変更、被処理基材２の搬送速度の変更、及び間隔変更装置７による坩堝５と被処理基材２との間隔の変更によって、所望の成膜レートで蒸着を行うことができる。 And the to-be-processed base material 2 is conveyed in a predetermined | prescribed conveyance direction by being sent out from a sending roller and being wound up by a winding roller. Thereafter, the second separation interval D2 is maintained until the vapor deposition is completed. Thereby, the vaporized material discharged from the discharge port 13 of the crucible 5 is sequentially deposited on the substrate 2 to be processed. The vapor deposition apparatus 1 changes the opening area of the discharge port 13 by the shutter device 15, changes the transport speed of the substrate 2 to be processed, and changes the interval between the crucible 5 and the substrate 2 to be processed by the interval changing device 7. Vapor deposition can be performed at a desired film formation rate.

蒸着を終了する場合には、送出ローラ及び巻取ローラを停止させて、搬送されている被処理基材２を停止させるとともに、間隔変更装置７によって、坩堝５を上方に移動させ、再び第１離間間隔Ｄ１が確保される。さらに、シャッタ装置１５のシャッタ部材２６が、駆動部２７の駆動によって水平方向に移動し、放出口１３を閉塞する。以上によって、被処理基材２に対する気化材料の蒸着が終了する。 When the vapor deposition is finished, the delivery roller and the take-up roller are stopped to stop the substrate to be processed 2 being conveyed, and the crucible 5 is moved upward by the interval changing device 7 so that the first again. A separation interval D1 is ensured. Further, the shutter member 26 of the shutter device 15 is moved in the horizontal direction by the drive of the drive unit 27 and closes the discharge port 13. By the above, vapor deposition of the vaporization material with respect to the to-be-processed base material 2 is complete | finished.

以上説明した本実施形態に係る蒸着装置１及び蒸着方法によれば、シャッタ装置１５によって坩堝５の放出口１３の開口面積を調節することで、放出口１３から放出される気化材料の量を調節できるようになる。 According to the vapor deposition apparatus 1 and the vapor deposition method according to the present embodiment described above, the amount of vaporized material released from the discharge port 13 is adjusted by adjusting the opening area of the discharge port 13 of the crucible 5 by the shutter device 15. become able to.

図３は、本発明に係る坩堝及びシャッタ装置の他の例を示す。 FIG. 3 shows another example of the crucible and shutter device according to the present invention.

この例において、坩堝５は、蒸着源３を収容する収容部１１と、蒸着源３からの気化材料を被処理基材２に向けて案内する第１の案内通路１２と、この第１の案内通路１２から分岐する第２の案内通路１４とを有する。この例では、収容部１１は、シャッタ装置１５のシャッタ部材２６を支持可能な壁部１１ａを有する。この壁部１１ａには、シャッタ部材１１が係合する係合孔１１ｂが貫通形成されている。係合孔１１ｂは、上部から下部に向かうにつれて、直径が徐々に小さくなるように構成されている。なお、この例では、図１、図２で示した真空室４及びセンサ６等の図示を省略している。 In this example, the crucible 5 includes an accommodating portion 11 that accommodates the vapor deposition source 3, a first guide passage 12 that guides the vaporized material from the vapor deposition source 3 toward the substrate 2 to be processed, and the first guide. A second guide passage 14 branched from the passage 12. In this example, the accommodating portion 11 has a wall portion 11 a that can support the shutter member 26 of the shutter device 15. The wall 11a is formed with an engaging hole 11b through which the shutter member 11 engages. The engagement hole 11b is configured such that the diameter gradually decreases from the upper part toward the lower part. In this example, illustration of the vacuum chamber 4 and the sensor 6 shown in FIGS. 1 and 2 is omitted.

また、第１の案内通路１２は、蒸着源３からの気化材料を横方向（水平方向）に向かって案内するように構成される。第１の案内通路１２の一端部に形成される放出口１３は、坩堝５の側部に設けられている。この放出口１３は、坩堝５の側部から側方に突出する筒状部材によって構成されている。 The first guide passage 12 is configured to guide the vaporized material from the vapor deposition source 3 in the lateral direction (horizontal direction). A discharge port 13 formed at one end of the first guide passage 12 is provided at the side of the crucible 5. The discharge port 13 is constituted by a cylindrical member that protrudes laterally from the side of the crucible 5.

シャッタ装置１５は、垂直方向（上下方向）に移動可能なシャッタ部材２６と、このシャッタ部材２６を駆動する駆動部２７とを有する。 The shutter device 15 includes a shutter member 26 that is movable in the vertical direction (up and down direction), and a drive unit 27 that drives the shutter member 26.

シャッタ部材２６は、円錐状、具体的には、円錐台（截頭円錐体）状に構成されている。したがって、シャッタ部材２６の側部はテーパ状に構成されている。シャッタ部材２６は、駆動部２７による駆動によって上下に移動できる。シャッタ部材２６は、その上下動により、前記係合孔１１ｂを閉塞する閉塞位置と、この閉塞を解除する閉塞解除位置との間で、位置変更可能に構成される。 The shutter member 26 has a conical shape, specifically, a truncated cone shape (a truncated cone). Therefore, the side part of the shutter member 26 is configured to be tapered. The shutter member 26 can move up and down by being driven by the drive unit 27. The shutter member 26 is configured to be able to change its position between a closed position for closing the engagement hole 11b and a closed release position for releasing the closed state by its vertical movement.

駆動部２７は、シャッタ部材２６に連結されるシャフト２７ａと、このシャフト２７ａを昇降させる昇降機構（図示せず）とを備える。 The drive unit 27 includes a shaft 27a connected to the shutter member 26, and an elevating mechanism (not shown) that raises and lowers the shaft 27a.

シャフト２７ａの一端部は、シャッタ部材２６の上部に連結されている。シャフト２７ａの中途部は、坩堝５の上壁部を貫通する孔に挿通されている。シャフト２７ａの他端部は、坩堝５の外側で位置するとともに、昇降機構に接続されている。 One end of the shaft 27 a is connected to the upper part of the shutter member 26. A midway portion of the shaft 27 a is inserted through a hole that penetrates the upper wall portion of the crucible 5. The other end of the shaft 27a is located outside the crucible 5 and is connected to a lifting mechanism.

なお、この例では、蒸着装置１は、被処理基材２を上下方向に搬送することができる。 In addition, in this example, the vapor deposition apparatus 1 can convey the to-be-processed base material 2 to an up-down direction.

この例では、蒸着源３からの気化材料を、第１の案内通路１２を介して放出口１３から横方向に放出することによって、上下方向に搬送される被処理基材２の表面に蒸着できる。シャッタ装置１５は、シャッタ部材２６の側部がテーパ状に構成され、坩堝５の収容部１１に形成される係合孔１１ｂがシャッタ部材２６に係合するように形成されていることから、シャッタ部材２６を上下に移動させることで、係合孔１１ｂを閉塞し、又はその閉塞を解除できるとともに、係合孔１１ｂとシャッタ部材２６との隙間（開口面積）を調節することによって、係合孔１１ｂを通過する気化材料の量を調節することができる。 In this example, the vaporized material from the vapor deposition source 3 can be vapor-deposited on the surface of the substrate to be treated 2 conveyed in the vertical direction by discharging the vaporized material from the discharge port 13 through the first guide passage 12 in the horizontal direction. . In the shutter device 15, the side portion of the shutter member 26 is tapered, and the engagement hole 11 b formed in the housing portion 11 of the crucible 5 is formed so as to engage with the shutter member 26. By moving the member 26 up and down, the engagement hole 11b can be closed or released, and the clearance (opening area) between the engagement hole 11b and the shutter member 26 can be adjusted to adjust the engagement hole. The amount of vaporized material passing through 11b can be adjusted.

以下に、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何らそれらに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to these examples.

上記のロールｔｏロール蒸着装置にて有機ＥＬ素子を作製した。基板にはＩＴＯをあらかじめ製膜している絶縁材料によってコートされているステンレス基材を用いた。有機層の膜厚は正孔注入層(ＣｕＰｃ)を２５ｎｍ、正孔輸送層(ＮＰＢ)を４５ｎｍ、発光層(Ａｌｑ３)を６０ｎｍとした。電子注入層としてＬｉＦを１ｎｍ、陰極としてＡｌを１００ｎｍになるように製膜した。 An organic EL element was produced using the roll-to-roll vapor deposition apparatus. The substrate used was a stainless steel substrate coated with an insulating material in which ITO was formed in advance. The thickness of the organic layer was 25 nm for the hole injection layer (CuPc), 45 nm for the hole transport layer (NPB), and 60 nm for the light emitting layer (Alq3). A film was formed so that LiF was 1 nm as an electron injection layer and Al was 100 nm as a cathode.

実施例１（３００ｎｍ／ｓｅｃでの発光層形成）
発光層（Ａｌｑ３）の蒸着速度を３００ｎｍ／ｓｅｃとなるように蒸着した。この際、開口部幅Ｗを１０ｍｍ、搬送速度３ｍ／ｍｉｎで基材を搬送することで、Ａｌｑ３層を６０ｎｍとした。得られた実施例１に係る有機ＥＬ素子の連続点灯寿命を、１５０ｍＡ／ｃｍ²の電流を印加し計測した。その結果、初期輝度半減時間は１２４時間であった。 Example 1 (Light-emitting layer formation at 300 nm / sec)
The light emitting layer (Alq3) was deposited at a deposition rate of 300 nm / sec. At this time, the Alq3 layer was set to 60 nm by transporting the base material at an opening width W of 10 mm and a transport speed of 3 m / min. The continuous lighting life of the obtained organic EL device according to Example 1 was measured by applying a current of 150 mA / cm ² . As a result, the initial luminance half time was 124 hours.

実施例２（５００ｎｍ／ｓｅｃでの発光層形成）
発光層（Ａｌｑ３）の蒸着速度を５００ｎｍ／ｓｅｃとなるように蒸着した。この際、開口部幅Ｗを１０ｍｍ、搬送速度５ｍ／ｍｉｎで基材を搬送することで、Ａｌｑ３層を６０ｎｍとした。上記有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子の連続点灯寿命を１５０ｍＡ／ｃｍ²の電流を印加し計測した。初期輝度半減時間は１２０時間であった。 Example 2 (Light-emitting layer formation at 500 nm / sec)
The light emitting layer (Alq3) was deposited so that the deposition rate was 500 nm / sec. At this time, the Alq3 layer was set to 60 nm by transporting the base material at an opening width W of 10 mm and a transport speed of 5 m / min. The said organic EL element was produced. The continuous lighting life of the obtained organic EL element was measured by applying a current of 150 mA / cm ² . The initial luminance half time was 120 hours.

比較例１（１００ｎｍ／ｓｅｃでの発光層形成）
発光層（Ａｌｑ３）の蒸着速度を１００ｎｍ／ｓｅｃとなるように蒸着した。この際、開口部幅Ｗを１０ｍｍ、搬送速度１ｍ／ｍｉｎで基材を搬送することで、Ａｌｑ３層を６０ｎｍとした。得られた比較例１に係る有機ＥＬ素子の連続点灯寿命を、１５０ｍＡ／ｃｍ²の電流を印加し計測した。その結果、初期輝度半減時間は３５時間であった。 Comparative Example 1 (Light emitting layer formation at 100 nm / sec)
The light emitting layer (Alq3) was deposited so that the deposition rate was 100 nm / sec. At this time, the Alq3 layer was set to 60 nm by transporting the base material at an opening width W of 10 mm and a transport speed of 1 m / min. The continuous lighting life of the obtained organic EL device according to Comparative Example 1 was measured by applying a current of 150 mA / cm ² . As a result, the initial luminance half time was 35 hours.

比較例２（２００ｎｍ／ｓｅｃでの発光層形成）
発光層（Ａｌｑ３）の蒸着速度を２００ｎｍ／ｓｅｃとなるように蒸着した。この際、開口部幅Ｗを１０ｍｍ、搬送速度２ｍ／ｍｉｎで基材を搬送することで、Ａｌｑ３層を６０ｎｍとした。上記有機ＥＬ素子を作製した。得られた比較例２に係る有機ＥＬ素子の連続点灯寿命を１５０ｍＡ／ｃｍ²の電流を印加し計測した。その結果、初期輝度半減時間は５０時間であった。 Comparative example 2 (light emitting layer formation at 200 nm / sec)
The light emitting layer (Alq3) was deposited so that the deposition rate was 200 nm / sec. At this time, the Alq3 layer was set to 60 nm by transporting the base material at an opening width W of 10 mm and a transport speed of 2 m / min. The said organic EL element was produced. The continuous lighting life of the obtained organic EL device according to Comparative Example 2 was measured by applying a current of 150 mA / cm ² . As a result, the initial luminance half time was 50 hours.

実施例１及び２、比較例１及び２を比較した結果、実施例１及び２の寿命が、比較例１及び２よりも向上することが判った。 As a result of comparing Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, it was found that the lifetimes of Examples 1 and 2 were improved as compared with Comparative Examples 1 and 2.

なお、本発明に係る製造装置及び製造方法は、上記実施形態の構成に限定されるものではない。また、本発明に係る製造装置及び製造方法は、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明に係る製造装置及び製造方法は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 In addition, the manufacturing apparatus and manufacturing method which concern on this invention are not limited to the structure of the said embodiment. Further, the manufacturing apparatus and the manufacturing method according to the present invention are not limited to the above-described effects. The manufacturing apparatus and the manufacturing method according to the present invention can be variously modified without departing from the gist of the present invention.

上記の実施形態では、間隔変更装置７を用いて坩堝５と被処理基材２との間隔を変更するようにした例を示したが、この間隔変更装置７を用いることなく蒸着を行ってもよい。 In the above-described embodiment, the example in which the interval between the crucible 5 and the substrate 2 to be processed is changed using the interval changing device 7 has been shown. However, even if vapor deposition is performed without using the interval changing device 7. Good.

１…蒸着装置、２…被処理基材、３…蒸着源、４…真空室、５…坩堝、６…センサ、６ａ…検出面、７…間隔変更装置、１１…収容部、１１ａ…壁部、１１ｂ…係合孔、１２…第１の案内通路、１３…放出口、１４…第２の案内通路、１５…シャッタ装置、１６…底壁部、１７…側壁部、２１…第１壁部、２２…第２壁部、２３…第３壁部、２６…シャッタ部材、２７…駆動部、２７ａ…シャフト、３２…入口、３３…出口、３５…支持部材、３５ａ…第１支持部材、３５ｂ…第２支持部材、３６…移動機構、３７…支持台、３８…第１連結孔、３９…第２連結孔、４１…ねじ部材、４２…駆動モータ、４３…抜け止め部、４６…本体部、４７…駆動軸、４９…第１支持部、５０…第２支持部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Deposition apparatus, 2 ... To-be-processed base material, 3 ... Deposition source, 4 ... Vacuum chamber, 5 ... Crucible, 6 ... Sensor, 6a ... Detection surface, 7 ... Space | interval change apparatus, 11 ... Storage part, 11a ... Wall part , 11b ... engaging hole, 12 ... first guide passage, 13 ... discharge port, 14 ... second guide passage, 15 ... shutter device, 16 ... bottom wall portion, 17 ... side wall portion, 21 ... first wall portion , 22 ... 2nd wall part, 23 ... 3rd wall part, 26 ... Shutter member, 27 ... Drive part, 27a ... Shaft, 32 ... Inlet, 33 ... Outlet, 35 ... Support member, 35a ... 1st support member, 35b ... 2nd support member, 36 ... Movement mechanism, 37 ... Support base, 38 ... 1st connection hole, 39 ... 2nd connection hole, 41 ... Screw member, 42 ... Drive motor, 43 ... Stopping part, 46 ... Main-body part , 47 ... drive shaft, 49 ... first support part, 50 ... second support part

Claims

A method for manufacturing an organic EL element, wherein a material layer for forming a light emitting layer in the organic EL element is formed at a film forming speed of 300 nm / sec or more.

In a vapor deposition apparatus comprising a vacuum chamber and a crucible provided in the vacuum chamber for depositing a vapor deposition material from the vapor deposition source and being transported in a predetermined direction on the substrate to be processed,
The crucible includes a discharge port for discharging the vaporized material from the vapor deposition source,
A vapor deposition apparatus comprising a shutter device for adjusting an amount of the vaporized material discharged from the discharge port.

The vapor deposition apparatus of Claim 2 provided with the space | interval change apparatus which changes the space | interval of the said to-be-processed base material introduced into the said vacuum chamber, and the said crucible.

A vapor deposition method for vapor-depositing the vaporized material from the vapor deposition source on the substrate to be treated using the vapor deposition apparatus according to claim 2,
A vapor deposition method comprising: setting the discharge port to a predetermined opening area by the shutter device; and depositing the vaporized material discharged from the discharge port on the substrate to be treated.

The vapor deposition method of Claim 4 which performs vapor deposition by setting the opening width of the said discharge port in the conveyance direction of the said to-be-processed base material to 1 mm or more and 10 mm or less by the said shutter apparatus.