JP2013527981A - コーナーラウンディングの補正を備えた電子線リソグラフィの方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、特に直接描画による電子線リソグラフィの方法に適用される。本発明は、特に約３５ｎｍの限界寸法のエッチングすべきパターンの場合、連続するパターンのコーナー部の丸まりの効果による、エッチングされた構成要素の設計の信頼性の問題を解決する。本発明は、限界パターンを決定することと、補正すべき外部または内部のコーナー部の丸まりの効果の関数として選択される寸法および位置の補正のパターンを除去することにより、補正パターンを決定することと、補正したデザインのエッチングを実行することとにある。有利には、補正は、限界パターンのパラメータを考慮して補正モデルの計算によって実行してもよい。有利には、これらの方法に特有の近接効果の補正はまた、照射線量の調整と組み合わせて、エネルギー自由度によって最適化された組合せでエッチングすべきブロックの端部を寸法変更することにより行う。有利には、パラメータおよび押し出しの実現を最適化するために、再スケーリングならびに否定関数およびｅＲＩＦ関数を用いてもよい。

Description

本発明は電子線リソグラフィの分野へ適用される。

限界寸法が５０ｎｍ未満であるパターンのエッチングを可能にするためには、マスク設計および製造の段階、ならびに露出段階の両方で複雑化する光学歪みを補正するための機構を光学フォトリソグラフィ方法へ組み込むことが必要である。その結果、新世代の技術のための設備費および開発費は、非常に高い割合で増加する。今日、フォトリソグラフィにおいて利用可能な限界寸法は６５ｎｍ以上である。３２〜４５ｎｍの生成は開発中であり、２２ｎｍ未満の技術的なノードのために構想される実行可能な解決策はない。一方で、電子線リソグラフィは既に２２ｎｍパターンのエッチングを可能にしている。電子線リソグラフィはいかなるマスクも必要とせず、現像時間がかなり短いため、技術および設計への改良の実現において、より良好な対応および自由度を与えている。他方では、段階的露光を行う必要があるため、製造時間はフォトリソグラフィの場合よりも構造上実質的に長い。それに対して、フォトリソグラフィは階層露光しか必要としない。

電子線、またはパターンのエッチングを行うために使用されるビームは、特にビーム中心の端部上の樹脂および基板の中で、短距離で散乱するため（前方散乱またはブラー）、ビームの寸法が増加して、そのコントラストが低下する。さらに、電子は長距離にわたり完全に後方散乱する（後方散乱）。この近接効果は、エッチングすべきパターンの角度、または丸くなったコーナー部に特に敏感である。この効果は、エッチングの精度を低下させ、構成要素の機能性に影響を与え、集積回路の製造歩留まりを低下させる傾向にある。

フォトリソグラフィおよび電子線リソグラフィの分野において、ある数の従来技術方法では、コーナーラウンディングのこの現象への補正を行うことが試みられている。特に、米国特許第７，４９４，７５１号明細書と同様に、Ｋ．Ｔｓｕｄａｋａ ｅｔ ａｌ．，Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３６（１９９７），ｐｐ．７４７７−７４８１、Ｋ．Ｋｉｍ ｅｔ ａｌ．，Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３７（１９９８），ｐｐ．６６８１−６６８５によって開示されている方法などの、ライン終端の表面を拡張することによりエッチングすべきパターンの修正を提供する方法のフォトリソグラフィにおいても同様である。

電子線リソグラフィでは、いくつかの方法は、エッチングすべきパターンのコーナー部の丸まりについての特定の問題に取り組まずに、全体的に近接効果を低減することを目指している。それは特に米国特許第６，１０７，２０７号明細書に記載された機構の場合であり、その機構では、パターン端部の照射線量を増加させることにより近接効果の補正を実行している。線量のこの増加は露光時間が新たに増加することで明らかとなり、したがって、この技術の工業的展開に対して非常に大きなハンディキャップとなる。

本発明の目的および結果は、照射線量の感知できるほどの増加を伴わずして、特に約２２ｎｍの技術向けに、電子線リソグラフィの方法に適した方法で、パターンのコーナー部の丸まりによって起こる問題を解決することである。

この目的のために、本発明は、連続して位置する少なくとも２つの垂直のパターンを含む樹脂被膜基板上のパターンのネットワークについての電子線リソグラフィの方法であって、前記連続するパターンを決定するステップと、少なくとも１つの補正パターンを生成するステップと、前記２つの連続するパターンの少なくとも一方をそれらの共通端部の周囲において通過する樹脂の非露光ゾーンを決定するステップと、前記補正パターンと前記連続するパターンとを組み合わせるステップとを含む方法を提供する。

有利には、パターンのネットワークの限界寸法は約３５ｎｍであり、樹脂の前記非露光ゾーンは、前記２つの連続するパターン間に約１０ｎｍの間隔を作る。

有利には、前記補正パターンは、前記２つの連続するパターンのうち少なくとも１つに連続して付加する樹脂の露光ゾーンを決定する。

有利には、パターンのネットワークの限界寸法は約３５ｎｍであり、樹脂の前記露光ゾーンは、２つの連続するパターンのうち前記少なくとも１つの、そのより大きな寸法である約５ｎｍの延長部を作る。

有利には、前記補正パターン、それらの寸法およびそれらの位置は、連続するパターンおよび補正パターンを含むターゲットデザインを自動的に決定するためのモデルにより決定する。

有利には、本発明の方法は、少なくとも１つの連続するパターンの少なくとも１つの寸法を計算する少なくとも１つのステップと、前記パターン上の線量の調整を計算するステップとをさらに含み、前記計算は、工程エネルギー自由度またはパターン端部の位置に関する関数関係によって関連している。

有利には、前記補正パターンと前記連続するパターンとを組み合わせるステップは、非露光ゾーンにおけるネガティブ再スケーリング（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｒｅｓｃａｌｉｎｇ）のための関数を用いる。

有利には、少なくとも１つの補正パターンを生成するステップは、ｅＲＩＦ関数を用いる。

この方法を実施するために、本発明はまた、コンピュータプログラムをコンピュータ上で実行する時、本発明の方法による連続して位置する少なくとも２つの垂直のパターンを含む樹脂被膜基板上のパターンのネットワークについての電子線リソグラフィの方法を実行するように構成されたプログラムコード命令を含むコンピュータプログラムであって、前記連続するパターンを決定するモジュールと、少なくとも１つの補正パターンを生成するモジュールと、前記２つの連続するパターンの少なくとも一方をそれらの共通端部の周囲において通過する樹脂の非露光ゾーンを決定するモジュールと、前記補正パターンと前記連続するパターンとを組み合わせるモジュールとを含む前記コンピュータプログラムを提供する。

有利には、本発明のプログラムは、連続するパターンおよび補正パターンを含むターゲットデザインを自動的に決定するためのモデルを適用するモジュールをさらに含み、補正パターンの寸法および位置は前記モデルによって決定する。

有利には、本発明のプログラムは、少なくとも１つの連続するパターンの少なくとも１つの寸法を計算するための少なくとも１つのモジュールと、前記パターン上の線量の調整を計算するためのモジュールとをさらに含み、前記計算は工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連している。

特に有利な実施形態では、本発明を、工程エネルギー自由度を最適化することによるパターンの寸法変更と合わせて、照射線量の調整の特定モードと組み合わる。それによって７０ｎｍ未満の限界寸法の技術方法のための線形性の損失の制限が可能になり、またＩＤＢ（Ｉｓｏｌａｔｅｄ Ｄｅｎｓｅ Ｂｉａｓ、すなわち、孤立した構造と密集した構造との限界寸法の違い）の増加の制限、線端部の後退（Ｌｉｎｅ Ｅｎｄ Ｓｈｏｒｔｅｎｉｎｇ、すなわち「ＬＥＳ」）の増加の制限、およびエネルギー自由度（ＥＬ）の減少の制限、これらの従来技術の線量調整機構が適用される時に生じるすべての効果が可能になる。米国特許第６，１０７，２０７号明細書に記載された機構などの近接効果補正機構のこれらの欠陥が、特にＳ．Ｍａｎａｋｌｉによる刊行物、「Ｎｅｗ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｅｆｆｅｃｔ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ Ａｐｐｒｏａｃｈ ｆｏｒ ４５ ａｎｄ ３２ｎｍ Ｎｏｄｅｓ」，Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．８Ａ，ｐｐ．６４６２−６４６７に述べられている。

さらに、補正を計算するための手順を考慮して、計算機援用設計ツールへ統合される方法で補正計算の自動化が達成でき、それによって本発明によるシステムおよび方法の使用者に、削減したコストで標準部品のそれらのライブラリの変換を提供するという計り知れない利点を与える。

本発明はより深く理解され、その様々な特徴および利点は、いくつかの例示的実施形態およびその添付図についての以下の記述から明らかになる。

本発明の補正方法を適用しない、エッチングすべきパターンのコーナー部の丸まりの効果を示す。 従来技術のフォトリソグラフィ方法における、コーナーラウンディングの補正のない再現すべきパターンおよび再現したパターン、ならびにコーナーラウンディングの補正のある再現すべきパターンおよび再現したパターンについての図を示す。 それぞれ本発明の実施形態における、エッチングすべきコーナー部を有するパターン、補正のない照射線量の適用、補正のない前記適用の結果、および補正の適用の結果を概略的に示す。 本発明の実施形態における、コーナーラウンディングを補正するための方法のフローチャートを示す。 それぞれ本発明の実施形態における、エッチングすべきコーナー部を有するパターン、内部のコーナー部の丸まりの補正の適用、およびこの補正の適用の効果を示す。 それぞれ本発明の実施形態における、エッチングすべきコーナー部を有するパターン、外部のコーナー部の丸まりの補正の適用、およびこの補正の適用の効果を示す。 本発明の変形例による、エッチングすべきブロックの端部を寸法変更する方法を示す。 本発明の実施形態における、ネガティブ再スケーリングのための関数を用いる押し出し技術の適用を示す。 本発明の実施形態における、ｅＲＩＦ関数を用いて補正パターンを生成するための技術の適用を示す。 エッチングすべきパターンの第１の特定のタイプについての、押し出しなしの照射の実現と比較した、補正パターンの押し出し技術における本発明の例示的実施形態を示す。 エッチングすべきパターンの第２の特定のタイプについての、押し出しなしの照射の実現と比較した、補正パターンの押し出し技術における本発明の例示的実施形態を示す。 エッチングすべきパターンの第３の特定のタイプについての、押し出しなしの照射の実現と比較した、補正パターンの押し出し技術における本発明の例示的実施形態を示す。 エッチングすべきパターンの第４の特定のタイプについての、押し出しなしの照射の実現と比較した、補正パターンの押し出し技術における本発明の例示的実施形態を示す。 エッチングすべきパターンの第５の特定のタイプについての、押し出しなしの照射の実現と比較した、補正パターンの押し出し技術における本発明の例示的実施形態を示す。 エッチングすべきパターンの第６の特定のタイプについての、押し出しなしの照射の実現と比較した、補正パターンの押し出し技術における本発明の例示的実施形態を示す。 エッチングすべきパターンの第７の特定のタイプについての、押し出しなしの照射の実現と比較した、補正パターンの押し出し技術における本発明の例示的実施形態を示す。

図１は、本発明の補正方法を適用しない、エッチングすべきパターンのコーナー部の丸まりの効果を示す。

これは、従来技術の線量調整方法を用いる電子線リソグラフィの方法によって行ったエッチングの図である。

図でわかるように、丸まりの曲率半径、１３０はパターン幅の半分とほぼ等しいため、２つのコーナー部１１０、１２０は、かなり目に見えるほど丸まっている。

コーナー部の丸まり、またはコーナーラウンディングは、以下、頭文字ＣＲで示す。内側のＣＲもしくはＩＣＲ、１１０、または内部コーナーラウンディングと、外側のＣＲもしくはＯＣＲ、１２０、または外部コーナーラウンディングとは区別する。

線量の調整は、図２で示したものなどのフォトリソグラフィ方法におけるようなセリグラフのパターンを含めることと組み合わせてもよい。このタイプの方法は、セリグラフのパターンを付加することにより補正する方法を習得するのが特に難しいため、特にエッチングすべきパターンのＬの内部の丸まり（ＩＣＲ、１１０）を完全には補正できないという欠点を顕著に示す。さらに、線量調整は、ショット数および露光時間の著しい増加を伴う。現在、ＩＣＲは、特に活性層上で、ほとんどの方法の設計ルールによって特に重要であると考えられている。２０ｎｍを超えるＩＣＲを完全に除去できることが特に重要である。以下の記述で示すように、本発明の方法により、この結果に到達することが可能になる。

図２は、従来技術のフォトリソグラフィ方法における、コーナーラウンディングの補正のない再現すべきパターンおよび再現したパターン、ならびにコーナーラウンディングの補正のある再現すべきパターンおよび再現したパターンについての図を示す。

再現すべきパターン２１０は変形画像２２０の形で樹脂へ転写する。特にこの画像は、パターンの末端でのコントラスト低減効果のために、線端後退（ＬＥＳ）、２２１、および２２２などのコーナーラウンディング（ＣＲ）を含む。

再現すべきパターン２３０は、「ハンマーヘッド」、２３１、「セリフ」、２３３または１つもしくは複数の散乱バー、２３４などの十分に分解されていない（ｓｕｂ−ｒｅｓｏｌｖｅｄ）パターンの付加によって修正する。パターンは、「マウスバイト」、２３２などの材料の除去分（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｏｎ）でもありうる。これらの十分に分解されていないパターンと共に、特定の方法（単一の中央ビーム、二極ビーム、四極ビームまたは環状ビーム）で成形した光線の影響により、コントラストを回復させ、付加／除去の前の最初のパターンと同一の画像２４０を有する樹脂の中へ、これらの付加分および除去分によって修正したパターンを転写する回折効果が生じる。

図３ａ、３ｂ、３ｃおよび３ｄは、それぞれ本発明の実施形態における、エッチングすべきコーナー部を有するパターン、補正のない照射線量の適用、補正のない前記適用の結果、および補正の適用の結果を概略的に示す。

図３ａは、再現すべき２つの垂直の連続するパターン、３１０ａおよび３２０ａを示す。

図３ｂは、特定の補正のない再現すべき同じ２つの連続するパターンを示す。

図３ｃは、従来技術の方法を用いることによる、樹脂被膜基板上の２つの垂直の連続するパターンのエッチングを示す。ＩＣＲ、３１０ｃ、ＯＣＲ、３２０ｃは、図１と同様に図において明白である。

図３ｄは、本記述でさらに説明する手順の補正を適用することによって、図３ａのパターンをエッチングするための本発明の方法の適用の結果を示す。要約すると、限界寸法が約３５ｎｍであるパターンについては、その方法は、ＩＣＲを補正するために、約１０ｎｍの距離をとって２つの連続するパターン、３１０ａおよび３２０ａを離す、非露光ゾーンまたはアパーチャ、３１０ｄを挿入することと、ＯＣＲを補正するために、パターン３２０ａの最大寸法による長さ約５ｎｍの付加的な露光ゾーンまたは外部への拡張、３２０ｄによってパターン３２０ａを延長することとにある。

非露光ゾーンおよび付加的な露光ゾーン、３１０ｄおよび３２０ｄは、この目的のためにプログラムしたルールを適用することによって挿入してもよい。前記ルールはまた、ＣＲを除去するのに必要な補正を実行するために除去すべき、または付加すべきパターンに対応するゾーンと同様に、エッチングすべきパターンを考慮して、補正するデザインを生成するためのモデルに含めることができる。

図４は、本発明の実施形態における、コーナーラウンディングを補正するための方法のフローチャートを示す。

当業者にとっての従来の方法では、本発明の方法はデザインを読むステップ、４１０から始まる。エッチングすべきパターンのレイアウトは従来、ＧＤＳ ＩＩ（Ｇｒａｐｈｉｃ Ｄａｔａ Ｓｙｓｔｅｍ ｖｅｒｓｉｏｎ２）またはＯＡＳＩＳ（Ｏｐｅｎ Ａｒｔｗｏｒｋ Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎｔｅｒｃｈａｎｇｅ Ｓｔａｎｄａｒｄ）フォーマットの中のファイル内でコード化する。使用する機械およびソフトウェアは、例えばＶＩＳＴＥＣ（登録商標）またはＡＤＶＡＮＴＥＳＴ（登録商標）のブランド名を有する機械である。その駆動ソフトウェアは、上述した様々なステップを実行することができるように適合している。

その後、パターンをエッチングしなければならない層を、ステップ４２０の過程で選択する。

その後、分割ステップ、４３０を実行し、その過程では、エッチングすべきパターンを、ショットで照射するゾーンに分ける。前記ショットは、照射プログラムにより決定した照射線量を有する。

ステップ４４０の過程では、全体のパターンの端部に関する、エッチングすべきパターンの位置決めの関数としての線量調整によって、または、パターンの寸法変更を含む本発明の変形例を適用することによって、近接効果の補正を実行する。前記変形例は、図７の説明として本記述の中でさらに説明する。

ステップ４５０の過程では、限界ゾーン、すなわち、ＣＲを生成する傾向にあるエッチングすべき垂直の連続するパターンを含むゾーンを特定する。この選択ステップは、パターンのネットワークに適用される方法の限界寸法に依存する。

ステップ４６０の過程では、前のステップの過程で特定したゾーンでＣＲを検出する。

その後、ステップ４７０の過程では、図５および図６の説明としてさらに詳述するルールに従って、補正ショットを生成する。この生成ステップは、ＩＣＲとＯＣＲとのどちらを補正するかに応じて異なる。第１の場合では、２つの垂直の連続するパターン間に非露光ゾーンを生成する。第２の場合では、エッチングすべき垂直の連続するパターンのうちの１つを延長する露光ゾーンを生成する。

ステップ４８０の過程では、その後、元のパターンおよび補正パターンを含むデザインを行う。

ステップ４９０、４Ａ０および４Ｂ０の過程では、前のステップの過程で生成した指示をマシンフォーマットへ変換して、それらを前記マシンに送り、次いで照射を行うことにより、電子線リソグラフィ装置のための命令を終了する。

図５ａ、５ｂおよび５ｃは、それぞれ本発明の実施形態における、エッチングすべきコーナー部を有するパターン、内部のコーナー部の丸まりの補正の適用、およびこの補正の適用の効果を示す。

図５ａは、２つの垂直の連続するパターン、５１０ａおよび５２０ａを示す。本発明の特定の実施形態では、これらの２つのパターンは約３５ｎｍの限界寸法を有する。

図５ｂは、予想されるＩＣＲ、５３０ｂのための補正パターンと同様、同じ２つの垂直の連続するパターンを示す。前記補正パターンは、エッチングしないように意図されており、そのため、前記補正を実行するためにエッチングすべきパターン５２０ａからの除去分を構成する。このパターンは、２つの連続するパターン間に嵌め込み、前記パターン５２０ａと同じ幅を有し、５２０ｂになる。パターン５２０ａの最大寸法方向のその寸法は、図４で示した方法のステップ４７０で計算する。この寸法は、パターン５２０ａの限界寸法が約３５ｎｍである例示的実施形態において約１０ｎｍになる。

図５ｃは、エッチングすべき２つの元のパターン、それぞれ５１０ａ、５２０ａを含むデザインのエッチングの結果を示す。エッチングを実行した後、パターン５２０ａは、補正パターン５３０ｃの寸法だけ実質的に縮小した長さの５２０ｃである。

図６ａ、６ｂおよび６ｃは、それぞれ本発明の実施形態における、エッチングすべきコーナー部を有するパターン、外部のコーナー部の丸まりの補正の適用、およびこの補正の適用の効果を示す。

図６ａは、２つの垂直の連続するパターン、６１０ａおよび６２０ａを示す。本発明の特定の実施形態では、これらの２つのパターンは約３５ｎｍの限界寸法を有する。

図６ｂは、予想されるＯＣＲのための補正パターン、６３０ｂとともに、同じ２つの垂直の連続するパターンを示す。前記補正パターンは、エッチングされるように意図されており、そのため、前記補正を実行するためにエッチングすべきパターン６１０ａへの付加分を構成する。このパターンは、２つの連続するパターンのうちの１つ（図で示した場合、パターン６１０ａ）の延長を行うように嵌め込まれ、前記パターン６１０ａと同じ幅を有し、６１０ｂになっている。パターン６１０ａの最大寸法方向のその寸法は、図４で示した方法のステップ４７０で計算する。この寸法は、パターン６１０ａの限界寸法が約３５ｎｍである場合、約５ｎｍである。

図６ｃは、エッチングすべき２つの元のパターン、それぞれ６１０ａ、６２０ａを含むデザインのエッチングの結果を示す。エッチングを実行した後、パターン６１０ａは、補正パターン６３０ｃの寸法だけ実質的に増加した長さの６１０ｃになる。

変形例の実施形態によって、ステップ４４０の過程では、ＣＩＦおよびラインの形状と、番号１０５２８６２の本願の出願人が出願した特許出願によって開示された方法によって照射された線量の調整とを組み合わせた最適化の方法を用いることにより、ターゲットデザインの寸法変更を行うことが可能である。

５０ｎｍ未満の形状向けのリソグラフィ方法に固有の近接効果の補正を狙いとする本特許出願で記述された方法によれば、最初のパターンから付加／除去すべきパターンに対応するショットに適用すべき線量は、照射線量とエッチングすべきパターンとの畳み込みにより、またはパラメータの表を用いることにより計算する。適用すべき線量の調整と、新しいパターンの寸法とを組み合わせた計算は、図７の説明として例を以下に挙げる計算に従って、工程エネルギー自由度を保存するように行う。

図７は、本発明の変形例による、エッチングすべき形状を寸法変更する方法を示す。

パターンの形状は、工程エネルギー自由度を最適化するように少なくとも１つの寸法で修正する。さらに正確には、この寸法に沿って行うべき変位７５０は、（受けた線量が樹脂の感度しきい値０．５と等しいポイントで、受けた線量の曲線７２０に接する）直線７４０と前記感度しきい値の限界を示す直線７３０との交点を求めることによって、次いで直線７３０と照射線量のプロフィール７１０との交点のポイントへの変位を行うことにより計算する。

組み合わせた線量／パターンの計算は二回または三回繰り返してもよい。

パターンに適用すべき線量の調整はまた、特に調整がパターンの外側のショットにのみ適用され、他のショットが工程の標準化された値、または標準化された値より低い約３０％である値で適用される場合、いかなる畳み込み計算もすることなくパラメータの表に基づいて計算することができる。

図８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄおよび８ｅは、本発明の実施形態における、ネガティブ再スケーリングのための関数を用いる押し出し技術の適用を示す。

本発明の好ましい実施形態によれば、２つの垂直パターン、８１０ａ、８２０ａからなる、図８ａに示したパターンについて、押し出し部からなる補正パターン、８３０ｂを、エッチングすべき垂直のパターンのうち少なくとも１つ、８２０ａの中に作る。

押し出し部の寸法ｐ、Ｌは、補正パターンを生成するステップで決定する。押し出しは、例えばツールのライブラリにある関数を用いて実行することができる。幅Ｌおよび高さｐの、ライン８１０ａを拡張するためのパターンをまず生成する。次に、８２０ａと８３０ｂとの間のブール関数マイナス（）を用いて、押し出し部を生成する。

ネガティブ再スケーリングのための関数（例えば、ツールの関数についてのライブラリの中のインスケール（Ｉｎｓｃａｌｅ）マイナス（）

投影するデザインを図８ｃに示す。

ＣＤの差を図８ｄおよび８ｅに示す。元のパターンの投影を補正なしで行う場合、ＣＤは２つの垂直のパターンのコーナー部で広がる（図８ｄ）。本発明の方法による押し出しによって補正が適用される場合、その実施形態のうちの１つでは、ＣＤはエッチングされたラインの至る所で一定である。

図９ａおよび９ｂは、本発明の実施形態における、ｅＲＩＦ関数を用いて補正パターンを生成するための技術の適用を示す。

ｅＲＩＦ（電子解像度向上機能向け）は、本方法の解像度または自由度を改善することができる、印刷すべきパターンより小さい寸法の余分なパターンである。その寸法とその位置はこの目的で調節してもよい。多重露光を可能にする照射ツールについては、それらは一般に元のパターンと重ね合わせる。図９ｂでは、上述した押し出し部とｅＲＩＦ関数とを組み合わせている。

図１０ａから１６ｄは、エッチングすべきいくつかの特定のタイプのパターンについて、押し出しせずに露光を実行することと比較して、補正パターンの押し出しの技術における本発明のいくつかの例示的実施形態を示す。

「ａ」が付いた図は、エッチングすべきパターンを示す。「ｂ」が付いた図は、本発明による補正を適用していない、このパターンのエッチングの結果を示す。「ｃ」が付いた図は、本発明による押し出しを適用した後に実際に投影したパターンを示す。「ｄ」が付いた図は、本発明の方法による押し出しで補正したパターンのエッチングの結果を示す。

様々な場合は、垂直のパターンのそれぞれの寸法、図１３ａからｄおよび図１４ａから１４ｄの場合のような３つ以上のセグメントを含んでもよいそれらの形状、不連続の押し出し部（図１３ｃの場合の２つ）の実行、図１４ｃの場合のような複合であってもよい実行する押し出し部の形状により区別される。

すべての場合において、実行される分割は修正せず、そのことによって本発明の利点になっている。

また、図１５ｄの２つの写真を比較することにより、凹状のコーナー部が非常により弱い丸まりを示していることがわかる。パターンの左上のコーナー部などの残る欠陥は、ｅＲＩＦ関数を適用することにより補正してもよい。

本発明の機構は、直接描画による電子線リソグラフィの方法への例示的適用例で述べた。本発明の機構はまた、マスクを使用する電子線リソグラフィの別の方法に適用することができる。

したがって、上記実施例は本発明の特定の実施形態を示すために挙げている。上記実施例は、以下の請求項によって定義される本発明の分野を全く限定しない。

Claims (11)

1. 連続して位置する少なくとも２つの垂直のパターンを含む樹脂被膜基板上のパターンのネットワークについての電子線リソグラフィの方法において、前記連続するパターンを決定するステップと、少なくとも１つの補正パターンを生成するステップと、前記２つの連続するパターンの少なくとも一方をそれらの共通端部の周囲において通過する少なくとも一つの樹脂の非露光ゾーンを決定するステップと、前記補正パターンと前記連続するパターンとを組み合わせるステップとを含む方法。
2. パターンの前記ネットワークの限界寸法が約３５ｎｍであり、前記樹脂の前記非露光ゾーンが、前記２つの連続するパターン間に約１０ｎｍの間隔を作る、請求項１に記載のリソグラフィ方法。
3. 前記補正パターンが、前記２つの連続するパターンのうち少なくとも１つに連続して付加する樹脂の露光ゾーンを決定する、請求項１に記載のリソグラフィ方法。
4. パターンの前記ネットワークの前記限界寸法が約３５ｎｍであり、前記樹脂の前記露光ゾーンが前記２つの連続するパターンのうち前記少なくとも１つの、そのより大きな寸法である約５ｎｍの延長部を作る、請求項３に記載のリソグラフィ方法。
5. 前記補正パターン、それらの寸法およびそれらの位置は、前記連続するパターンおよび前記補正パターンを含むターゲットデザインを自動的に決定するためのモデルにより決定する、請求項１に記載のリソグラフィ方法。
6. 少なくとも１つの前記連続するパターンの少なくとも１つの寸法を計算する少なくとも１つのステップと、前記パターン上の線量の調整を計算するステップとをさらに含み、前記計算ステップが、工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連している、請求項１に記載のリソグラフィ方法。
7. 前記補正パターンと前記連続するパターンとを組み合わせるステップが、非露光ゾーンにおけるネガティブ再スケーリングのための関数を用いる、請求項１に記載のリソグラフィ方法。
8. 少なくとも１つの補正パターンを生成するステップがｅＲＩＦ関数を用いる、請求項１に記載のリソグラフィ方法。
9. コンピュータプログラムをコンピュータ上で実行する時、連続して位置する少なくとも２つの垂直のパターンを含む樹脂被膜基板上のパターンのネットワークについての電子線リソグラフィの方法を実行するように構成されたプログラムコード命令を含むコンピュータプログラムにおいて、前記連続するパターンを決定するためのモジュールと、少なくとも１つの補正パターンを生成するためのモジュールと、前記２つの連続するパターン少なくとも一方をそれらの共通端部の周囲において通過する少なくとも一つの樹脂の非露光ゾーンを決定するためのモジュールと、前記補正パターンと前記連続するパターンとを組み合わせるためのモジュールとを含むコンピュータプログラム。
10. 前記連続するパターンおよび前記補正パターンを含むターゲットデザインを自動的に決定するためのモデルを適用するためのモジュールをさらに含み、前記補正パターンの寸法および位置が前記モデルによって決定される、請求項９に記載のコンピュータプログラム。
11. 少なくとも１つの前記連続するパターンの少なくとも１つの寸法を計算するための少なくとも１つのモジュールと、前記パターン上の線量の調整を計算するためのモジュールとをさらに含み、前記計算が、前記方法の工程エネルギー自由度に関する関数関係に関連している、請求項９に記載のコンピュータプログラム。